2.2 Configuracin comn.

de

base

La notacin y smbolos que se usan en conjunto con el transistor en la mayor parte de los textos y manuales que se publican en la actualidad, se indican en la figura 3.6 para la configuracin de base comn con transistores pnp y npn, La terminologa relativa a base comn se desprende del hecho de que la base es comn a los lados de entrada y salida de la configuracin. Adems, la base es usualmente la terminal ms cercana o en un potencial de tierra. A lo largo de estos apuntes todas las direcciones de corriente se referirn a la convencional (flujo de huecos) en vez de la correspondiente al flujo de electrones. Esta eleccin se fundamenta principalmente en el hecho de que enorme cantidad de literatura disponible en las instituciones educativas y empresariales hace uso del flujo convencional, de que las flechas en todos los smbolos electrnicos tienen una direccin definida por esta convencin. Recurdese que la flecha en el smbolo del diodo define la direccin de conduccin para la corriente convencional. Para el transistor: La flecha del smbolo grfico define la direccin de la corriente de emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo.

Figura 3.6 Notacin y smbolos en la configuracin de base comn.

Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 3.6 son las direcciones reales, como se definen con base en la eleccin del flujo convencional. Ntese en cada caso que IE = IC + IB. Tambin advirtase que la polarizacin aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se establezca la corriente en la direccin indicada para cada rama. Es decir, comprese la direccin de IE con la polaridad o VEE para cada configuracin y la direccin de IC con la polaridad de ICC. Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, tales como los amplificadores

de base comn de la figura 3.6, se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para los parmetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base comn, como se muestra en la figura 3.7, relacionar una corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE ) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).

Figura 3.7 Caractersticas del punto de excitacin para un transistor amplificador de silicio de base comn.

El conjunto de salida relacionar una corriente de salida ( IC) con un voltaje de salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE), como se ilustra en la figura 3.8. El conjunto de caractersticas de salida o colector tiene tres regiones bsicas de inters, como se indican en la figura 3.8: las regiones activa, de corte y de saturacin. La regin activa es la regin empleada normalmente para amplificadores lineales (sin distorsin). En particular: En la regin activa la unin colectorbase est inversamente polarizada, mientras que la unin base-emisor se encuentra polarizada en forma directa. La regin activa se define por los arreglos de polarizacin de la figura 3.6. En el extremo ms bajo de la regin activa la corriente de emisor (IE) es cero, la comente de colector es simplemente la debida a la corriente inversa de saturacin ICO , como se indica en la figura 3.8. La corriente ICO es tan pequea (del orden de microamperios) en magnitud comparada con la escala vertical de IC (del orden de los miliamperios), que aparece virtualmente sobre la misma lnea horizontal que IC = 0. Las condiciones del circuito que existen

cuando IE = 0 para la configuracin base comn se ilustran en la figura 3.9. La notacin usada con ms frecuencia para ICO, en hojas de datos y de especificaciones es ICBO como se indica en la figura 3.9. A causa de las tcnicas mejoradas de construccin, el nivel de ICBO para transistores de propsito general (especialmente silicio) en los intervalos de potencia bajo y medio es por lo general tan reducido que su efecto puede ignorarse. Sin embargo, para unidades de mayor potencia ICBO an aparecer en el intervalo de los microamperios. Adems, recurdese que ICBO para el diodo (ambas corrientes inversas de fuga) es sensible a la temperatura. A mayores temperaturas el efecto de ICBO puede llegar a ser un factor importante ya que se incrementa muy rpidamente con la temperatura.

Figura 3.9 Saturacin de corriente inversa.

Ntese, en la figura 3.8, que conforme la corriente del emisor aumenta sobre cero, la corriente del colector aumenta a una magnitud esencialmente igual a la corriente del emisor determinada por las relaciones bsicas del transistorcorriente. Advirtase tambin el casi desdeable efecto de VCB sobre la corriente del colector para la regin activa. Las curvas indican claramente que una primera aproximacin a la relacin entre IE e IC en la regin activa la da IC IE Como se deduce de su nombre, la regin de corte se define como aquella regin donde la corriente de colector es de 0 A, como se demuestra en la figura 3.8. En suma: En la regin de corte ambas uniones, colector-base y baseemisor, de un transistor estn inversamente polarizadas.

La regin de saturacin se define como la regin de las caractersticas a la izquierda de VCB = 0 V. La escala horizontal en esta regin se ampli para mostrar claramente el gran cambio en las caractersticas de esta regin. Ntese el incremento exponencial en la comente de colector a medida que el voltaje VCB se incrementa ms all de los 0 V. En la regin de saturacin las uniones colector-base y baseemisor estn polarizadas directamente. Las caractersticas de entrada de la figura 3.7 muestran que para valores fijos de voltaje de colector (VCB), a medida que el voltaje de base a emisor aumenta, la corriente de emisor se incrementa de una manera que se asemeja mucho a las caractersticas del diodo. De hecho, los niveles de aumento de VCB tienen un efecto tan insignificante sobre las caractersticas que, como una primera aproximacin, la variacin debida a los cambios en VCB puede ignorarse y se dibujan las caractersticas como se ilustra en la figura 3.10a. Si aplicamos entonces el mtodo del modelo de segmentos lineales del diodo ideal, se obtendrn las caractersticas de la figura 3.10b. Adelantando un paso ms e ignorando la pendiente de la curva y por tanto la resistencia asociada con la unin directamente polarizada, se obtendrn las caractersticas de la figura 3. lOc. Para los siguientes anlisis en estos apuntes, el modelo equivalente de la figura 3.l0c se emplear para todos los anlisis de cd para redes de transistores. Es decir, una vez que el transistor esta en el estado "encendido" o de conduccin, se supondr que el voltaje de base a emisor ser el siguiente: VBE = 0.7 V Alfa ( ) En el modo de cd los niveles de IC e IE debidos a los portadores mayoritarios estn relacionados por una cantidad denominada alfa y que se define por medio de la siguiente ecuacin:
cd

= IC / I E

donde IC e IE son los niveles de corriente al punto de operacin. Aun cuando las caractersticas de la figura 3.8

parecen sugerir que = 1, para dispositivos prcticos el nivel de alfa se extiende tpicamente de 0.90 a 0.998, aproximndose la mayor parte al extremo superior del intervalo. Ya que alfa se define nicamente por los portadores mayoritarios, la ecuacin (3.2) se convierte en IC = IE + ICBO Para las caractersticas de la figura 3.8 cuando IE = 0 mA, IC es por tanto igual a ICBO, pero como se mencion con anterioridad el nivel de ICBO es por 1o general tan pequeo que es virtualmente indetectable en la grfica de la figura 3.8. En otras palabras, cuando IE = 0 mA en la figura 3.8, IC aparece tambin con 0 mA para el intervalo de valores de VCB. Para las situaciones de ca en donde el punto de operacin se mueve sobre la curva de caractersticas, un alfa de ca se define por

El alfa de ca se denomina formalmente el factor de amplificacin de base comn en corto circuito, por razones que sern obvias cuando examinemos los circuitos equivalentes de transistor en el capitulo 4. Por el momento, admitamos que la ecuacin (3.7) especifica que un cambio relativamente pequeo en la corriente de colector se divide por el cambio correspondiente en IE manteniendo constante el voltaje colector a base. Para la mayora de las situaciones las magnitudes de ca y de cd se encuentran bastante cercanas, permitiendo usar la magnitud de una por otra. Polarizacin La polarizacin adecuada de la base comn puede determinarse rpidamente empleando la aproximacin IC IE y suponiendo por el momento que IB 0 uA. El resultado es la configuracin de la figura 3.11 para el transistor pnp. La flecha del smbolo define la direccin del flujo convencional para IC IE. Las alimentaciones de cd se insertan entonces con una polaridad que sostendr la direccin de la comente

resultante. En el transistor npn las polaridades estarn invertidas.

Figura 3.11

A algunos estudiantes les parece que pueden recordar si la flecha del smbolo del dispositivo apunta hacia afuera haciendo corresponder las letras del tipo de transistor con las letras apropiadas de las frases "apuntando hacia adentro" o "apuntando hacia afuera". ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR Ahora que se ha establecido la relacin entre IC e IE, la accin bsica de amplificacin del transistor se puede introducir en un nivel superficial utilizando la red de la figura 3.12. La polarizacin de cd no aparece en la figura puesto que nuestro inters se limitar a la respuesta de ca. Para la configuracin de base comn, la resistencia de entrada de ca determinada por las caractersticas de la figura 3.7 es bastante pequea y vara tpicamente de 10 a 100 ohms. La resistencia de salida determinada por las curvas de la figura 3.8 es bastante alta (cuanto ms horizontal est la curva mayor ser la resistencia) y vara normalmente de 50 kohms a 1 Mohms, La diferencia en resistencia se debe a la unin polarizada directamente en la entrada (base a emisor) y la unin polarizada inversamente en la salida (base a colector). Usando un valor comn de 20 ohms para la resistencia de entrada, encontramos que

Si suponemos por el momento que

ca

= 1,

IL = Ii = 10 mA VL = ILR = (10 mA)(5 kohms) = 50 V

Figura 3.12

La amplificacin de voltaje es

Los valores tpicos de amplificacin de voltaje para la configuracin de base comn varan de 50 a 300. La amplificacin de corriente (IC/IE) siempre es menor que 1 para la configuracin de base comn. Esta ltima caracterstica debe ser evidente ya que IC = IE y siempre es menor que 1. La accin bsica de amplificacin se produjo transfiriendo una corriente I de un circuito de baja resistencia a uno de alta. La combinacin de los dos trminos en cursivas produce el nombre de transistor, es decir, transferencia + resistor > transistor