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2006 – 2007

Hamid CHRIETTE

ELECTRONIQUE

´ ECOLE CENTRALE DE NANTES

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Table des mati` eres
1 Introduction 2 G´ en´ eralit´ es - Rappels 2.1 Conventions et Notations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2 Transform´ ee de Laplace . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.1 D´ efinition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.2 Int´ erˆ et de de la T L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.3 Quelques propri´ et´ es . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.4 Notion de complexe et T L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.5 Utilisation de la T L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.5.1 Un exemple d’utilisation de la T L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.5.2 R´ eponse ` a un ´ echelon d’amplitude E : . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.5.3 R´ eponse ` a une sollicitation sinuso¨ ıdale (solution compl` ete, avec i(0) = 0) : 2.2.5.4 R´ eponse ` a une sollicitation sinuso¨ ıdale (uniquement le r´ egime permanent) 2.2.6 Stabilit´ e d’un syst` eme (non d´ emontr´ e) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.7 Un exemple de syst` eme non causal : la commutation d’une charge inductive . . . . 2.2.8 Quelques fonctions et leurs transform´ ees de Laplace . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Dipˆ oles et Quadripˆ oles 3.1 Dipˆ oles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.1 Les dipˆ oles lin´ eaires passifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.2 Les dipˆ oles actifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.2.1 R´ esistance de sortie ou r´ esistance interne d’un dipˆ ole actif . 3.1.2.2 G´ en´ erateurs de tensions et de courants . . . . . . . . . . . 3.1.3 Conversion entre g´ en´ erateurs de tension et de courant . . . . . . . . 3.1.4 Comment calculer les caract´ eristiques d’un g´ en´ erateur (de tension ou 3.1.4.1 Exemple : Caract´ eristiques du g´ en´ erateur . . . . . . . . . . 3.1.5 Th´ eor` eme de Millman . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.6 Puissance consomm´ ee par un dipˆ ole . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.7 Deux dipˆ oles tr` es particuliers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2 Quadripˆ oles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 D´ efinitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 R´ esistances d’entr´ ee et de sortie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3 Quadripˆ ole lin´ eaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.4 R´ esolution compl` ete . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.5 R´ esolution partielle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.5.1 Cas g´ en´ eral : . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.5.2 Dipˆ ole lin´ eaire ` a la sortie d’un quadripˆ ole lin´ eaire . . . . . 3.2.5.3 Dipˆ ole actif ` a l’entr´ ee d’un quadripˆ ole lin´ eaire . . . . . . . 3.2.6 Quadripˆ ole lin´ eaire seul . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.7 Puissance consomm´ ee par un quadripˆ ole . . . . . . . . . . . . . . . . 3 17 19 19 20 20 20 20 21 21 21 22 22 22 22 23 24 25 25 25 26 26 26 26 27 27 27 27 28 29 29 29 30 31 31 31 31 32 33 34

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . de courant) ? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . 3. 3. . . .5.1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 R´ eponse fr´ equentielle dans le plan de bode des filtres passe-bas du premier ordre .4 Les semiconducteurs . . . . . .3. . . . . . . . . . . . . . .2 Les condensateurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4. . . . .1 Chaˆ ıne thermique . . . . . . . . . . . . . 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4. . . . . . 4. . . . 4. .3 R´ eponse fr´ equentielle dans le plan de bode des filtres passe-haut du premier ordre (figure 3.3 Les r´ esistances variables . . . . . . . .1 Les r´ esistances . . . . . . . . . .1. . . .3. . . .4. . . . . .2 Les thermistances . . . . 3.4 Amplificateur de transadmittance parfait (fig 3. . .4. . . . .3.2 Semiconducteurs intrins` eques et extrins` eques (figure 4.4 4 Les composants de l’´ electronique 4. . . . . . . 4.4. . . 3. . . . . . . . . . . . . . 3. . . . . . . . . . . . . . . . .5. . . . . .14) . . . . . . . . . . .4. .2 Propri´ et´ es des filtres (de tension) passe-bas du premier ordre . . .4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4. . . . . . . . . . . . . . 3. . . . . . . . . . . . . .4. . . . 3. . . . . . . . . .3. . . . .1. . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 Temp´ eratures de jonction et de boˆ ıtier . . . . . . . .5. . . . . . . . . . .4. 4. . . . . . . . . . . .5. . . . . . . . . . . . . . 3. .5. . . . .1.3 Composant associ´ e` a un radiateur . . . . . . . . . . . . . . . . .1 D´ efinition . . . . . . . .4. . .4 Filtre (de tension) passe-bas du premier ordre . . . . . . . . . . . 4. .5.3 Etude des filtres en r´ egime sinuso¨ ıdal (r´ eponse harmonique) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 Amplificateur de courant parfait (fig 3. . . . . . .3 Classification des dispositifs ` a semiconducteurs . . . . . . .5. . .5 Filtre (de tension) passe-haut du premier ordre . . 3. . . . . . 4. . . . .3 Temp´ eratures de jonction et de boˆ ıtier . . . . . . . . . . . . . . .2. . . . . . . .4. . .1. . .6 Comment ´ etudier un filtre (figure 3. . . . . . .1 Filtre (de tension) passe-bas . . .5. . . . . . . . . . .3. . . . .4. . . . . . . . .8) .15) ? . .1 Les photor´ esistances .2 Les potentiom` etres . . . . . . . . 4. . . .5. . . . . . . . . . . . . . . . . 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4. . . . . .4 3. .2. . . . . . . . . .1 D´ efinition . . . . . 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 Zone admissible et puissance maximale dissipable 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5. 3. . .1. . . . . . . . . . . . . . . .3 Les transformateurs basse tension . . . . . . . . . . . . .3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 R´ esistances thermiques en s´ erie . .4. 4. . . . . . . . . . . . . .7) . . . . . . . . 3. 4. . . . . . . . . . 4 . . . . . . . . 3. . . . .5. 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 Zone admissible et puissance maximale dissipable 4. . . 3. . . . . . . . . . . .1 Chaˆ ıne thermique .3. .3. . . . . . . .3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1.2 Composant seul .4. .5. . . . . . Les Filtres de tension . 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 Propri´ et´ es des filtres (de tension) passe-haut du premier ordre . . . . . . . .5. 4. .1 Exemples de filtres (de tension) passifs passe-hau du premier ordre . . . . . . . . . . . . . . .5) . . . . . . 3. . 34 34 35 35 36 36 36 36 37 37 37 37 38 38 38 39 39 39 39 43 43 43 44 45 45 45 45 46 47 47 47 47 48 48 48 48 49 49 49 50 50 50 50 51 3. . . . .3. . . . 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 R´ esistance thermique . . . 4. . . . . . 4. . . . .2 Filtre (de tension) passe-haut . . . . 4. . . . . . . . . .5. .4. . . . . . . . . .1 Exemples de filtres (de tension) passifs passe-bas du premier ordre . . . . . . . . . . . . . . .3 Amplificateur de transimp´ edance parfait (fig 3. . . . . . . .5 Amplificateur : cas g´ en´ eral . .3 ` TABLE DES MATIERES Les amplificateurs sans contre r´ eaction . . . . .5 Calculs des temp´ eratures et des radiateurs . . . . 4. . . .4. . . . . . . . . . . . . 4. .1 Les grandeurs caract´ eristiques d’une r´ esistance . . . . . . . . . . .4. . . . . . . . . . .1 Amplificateur de tension parfait (fig 3. . . . . 4. . . . . . . . . .2. . . . .6) . . . . . . . . .

. . . . . . 6. . 6. . . . . . . . .2. . . . . . . . .2. . . . . . . 5. . . . . . . . . . . . . . . . . . 5. . . . . 6. . . . . . .3 Utilisation typique d’une diode Zener : la r´ egulation en tension 5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3. . . . . . .6. . . . . . . . . . . . . . . . . . 6. . . . . . . . . . . .2 Polarisation inverse .3 Quelle mod´ elisation adopter ? . 5. . . . . . . . .3 Destruction d’une diode . 5. . . . . . 5. . . . . . . . . . . . . . . . . . .5. . .2. . . . . . . . . . . . . . . . . . 6. . 5. . . . . 6. . . 6. . . . . . . . .2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2. . . . .1 Un exemple de diode de redressement : la diode BY252 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4 la zone d’avalanche . . . . .2. . . . . . 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 Valeurs limites applicables ` a la jonction BE . . . . .2. . . . . . . . .3. .3. . . . . . . . . . . . .2. . . . .2. . . . . . . .3 la zone de saturation .2. . . . .1 Premier exemple . . . . . . .5. . .1 D´ efinitions & Symboles . . . . . . .2 Second exemple . . . . . . . . . . . . . . .2 Polarisation d’un transistor : Montage Emetteur Commun (MEC) . .2. . . . . . . .2. . . . . . . . . . . . . . . .5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6. . . . . . .3. . . . . . . 6. . . . . . . . . . . .4 Jonction PN “id´ eale” . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 6. . . . . . . . . . . . . .3. .6. . . .2 Une mod´ elisation des diodes Zener . . . . . 5. .5. . . . . . . . . . . . . . .3 Puissance dissip´ ee dans un transistor . . .6. .5 Diodes de redressement . . .3 Capacit´ e d’une jonction PN . . .1. . . . 5. .2. . .2. . . 6. . . . . . . . . . . . . . . . . 6 Les transistors bipolaires 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65subsubsection. . . . . 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 53 53 53 53 54 54 55 55 55 55 55 55 56 56 56 57 57 58 58 58 59 59 60 60 61 61 62 63 63 63 64 64 64 64 65 65 66 67 67 67 67 68 68 68 68 69 69 69 69 . . . . . . . . . . 6. . . . . . . . 5. . . .1 Un exemple de diode Zener . . . . . . .1. .2 la zone active . 5. . . .3. . . . 5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2. . . . . .3 MEC : cas d’un transistor NPN .6 Les diodes Zener . . . . 6. .2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 Symbole et d´ efinition . . . . 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2 Transistor dans la zone active . . . . . . 6. . . . . . . . . . . . . . . . . .3. . . . . . . . . . . . . . . . 5. . . . . . . . . .3 Transistor satur´ e. . . . . .3. . . . . . . . .3. . .5 Diodes Zener en parall` ele . . . . . . . . . . . . . . . . 5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4 Utilisation des diodes de redressement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5. . . . . . .5. . . 5. . . . . . . .1 Grandeurs utiles .4 Diodes Zener en s´ erie . . . . . . . . . . . . 5. . . . . 5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 Polarisation d’un transistor . . . . . .2. . . . . . . . . . . .1 Cas d’un transistor NPN . . . . .5 Puissance dissip´ ee par transistor dans le cas d’un MEC 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2. . . .1 Polarisation directe . . .2 Polarisation inverse . . . . . . .2.1 Caract´ eristique Base-Emetteur . . . . .2 Caract´ eristique Emetteur-Collecteur . . . .1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 Valeurs limites ` a ne pas d´ epasser . . . . . . . .` TABLE DES MATIERES 5 La diode ` a jonction PN 5.5. . . . . .3. . . . . . . . .3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6. . . . . . . . . . . . . . 5. . . . . . . .4 Diff´ erents types de diodes . . . . .6. . . . . . . . . . . .5. . . .2 Caract´ eristiques d’une jonction PN . . . . . . . . . . .2 Mod´ elisations d’une diode de redressement . . .3 Caract´ eristiques des transistors NPN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 Jonction PN “lin´ earis´ ee” . .2.2. . .1 la zone de blocage . . . . . . . .2. . . . . . . . . .5. . . . . . . . .6. . . . . .5. . . . .2 Exemples de polarisation . . . . . . . . . . . . . . . . . 6. . . . . . . . . . . . .1 Polarisation directe . .3 Jonction PN “id´ eale avec tension de seuil” . . . . . . . . 5. . . . . . . . . . . . . 5. . . . . .1 Mod´ elisation utilisant la loi de Shockley . . .4 Collecteur ouvert . 5. . . . 5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6. .2. .5. . . . . 6. . .2. . . . . . . .3. . . . . . .

. . . . .2. . . . . . . . . . . . 7. . . . . . . .4.4. 6.7. . . . . . . . . . . . .8 Sources de courant . . . . . . . . . . . . .4 Une mod´ elisation d’un transistor polaris´ e . . . . . . . . . .4. 7. . . . . . . . . .8.4. . . . . . . . . . .1 Gain variable . . . . 6. . . .5. . . . .29 et 6. . . . . . . . . .5 Mod´ elisation d’un transistor de gain infini .6.30 . .2 Valeurs limites applicables ` a la caract´ eristique CE . . . . .4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7. . . . . . .1 Une application du montage collecteur commun : r´ egulateur de tension ` a transistor et diode Zener . . . . . . . 7. . . . . . . . 6. 6. .3. . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 Montage EC d’un transistor NPN . . . . . . . .4. . . . . . . . .3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4. . . . . . . . 6. .3 Valeur limite applicable ` a la jonction BC . . . . . . .6 Association de transistors . . . . . . . . .3 Mod´ elisation de la sortie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 Imp´ edances d’entr´ ees infinies .2 Transistor dans la zone active . 6. . .3. . . . . . 7. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6. . . .5.8. . . . ´ 6. . . . . . . . . 6.4. . . . .7. . . . . . . . . . . . .5. . . . . . . . . . . . . 6. . . . . . . . . . . . 6. . . . . . . . . . . 6. . . . . . . .9 Sources de tension . .4. . . . . . . . . . . . . . 7. . . . . .6 ` TABLE DES MATIERES 6. . . . . . . . . . . .7.3. . . . . . . 7.2 Par transistor en commutation . .2. . . . . 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4 Repr´ esentations graphiques des caract´ eristiques mod´ elis´ ees . . . 6.3. . . . . 69 70 70 70 71 71 72 72 73 73 73 73 73 74 75 75 75 75 75 76 77 77 77 78 79 80 80 80 81 81 81 81 82 82 82 82 85 85 88 89 89 90 90 90 90 90 91 91 91 7 Les amplificateurs op´ erationnels : AOP 7. . . . . . . . . . 6. . . . . . 6. . . . . . .4 Electronique de puissance : pourquoi utiliser un transistor en commutation ? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2. . . . . . . 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6. . . . . . . .3. . . .3. . . . . . . . . . . . . 6 .3 Am´ elioration du montage pr´ ec´ edent . . 6. . . . . . . . . . . 6. . . 6. . . . . . . . . . .2. . . . . . . . . .3. . . . . . . . . . . . .7. .1 Pourquoi les amplificateurs op´ erationnels ont-ils ´ et´ e imagin´ es ? .2 Commutation d’une charge purement r´ esistive dans le montage ´ emetteur-commun 6. . . . . . . . . . . . . . . 7. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4 Exemples de transistors NPN au Silicium . . . . . . . . . . . . . . .9. . . . . . . . . .7. . . . . . . . . . . . .1 D´ efinitions . . . . . .3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 Caract´ eristique VBE (IB . . . .10 Amplificateur diff´ erentiel figures 6. . . . . . . . . . . . .2 Gain constant fini . . .8. . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3 Mod´ elisations d’un amplificateur op´ erationnel en r´ egime non satur´ e. . .3. . . . . . . . . . . . . .3 Commutation d’une charge inductive dans le montage ´ emetteur-commun . . . . . . . . . . . . .3. . . . . . .2 Parfaire le blocage d’un transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3. . . . . . .3 Un montage curieux . . . . . . . . . . .3. .3.5.1 Le montage Darlington . . . . . . . . . . . . 6.3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 Application de la mod´ elisation ` a diff´ erents montages de polarisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6. . 6.4. . . . . . . . . . 6. . . .1 Amplificateur op´ erationnel aliment´ e sous tension sym´ etrique .1 Caract´ eristique IC (IB . . . . . . . . . . . . . . . . . 6. . . . . . . . . . . . . . . . . 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 Entr´ ee diff´ erentielle . . . . . . . . . . . . . . . . . .4 R´ esum´ e . .2 Mod´ elisation des entr´ ees . . .7 Le transistor en commutation . . . . . . . . . . . . . . . .3 Polarisation par r´ eaction d’´ emetteur . . . . . . . . . . . . . . . . 7. . .7. . . . . . . . . . 6. . . . . . . . . . . . 6. . . . . . .2 Miroir de courant . . . . . . . . . . 6. .2 Pr´ esentation des amplificateurs op´ erationnels int´ egr´ es . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 Transistor dans l’´ etat bloqu´ e . . . 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4 Autre types de polarisation . . . . . .2 Amplificateur op´ erationnel aliment´ e sous tensions dissym´ etriques 7. .3. . . . . . . . . . . . . . . . . . .6. . 6. . . . . . .1 R´ eglage par Rh´ eostat .3 Transistor satur´ e . . . . . . . .2 Le montage White . .4. . .1 In´ equations caract´ erisant le r´ egime non satur´ e . . . 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . VCE ) .6. . . . . . . . . . . . . . VCE ) . . . .1 Une source ´ el´ ementaire . .9. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 Courant de sortie bidirectionnel : l’amplificateur push-pull . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . .3. . . . . . . . . . . . .4. . . . .6 L’amplificateur diff´ erentiel . . . . .5. . . . . . . .7. . fcBO et A0BO . . . . 103 7. . . 97 Montages bas´ es sur la contre r´ eaction de courant . . 102 7. .7. . . . . . . . . . . . . . . .5. . . . .2 Imp´ edance de sortie Zs . . . . . .3 Mod´ elisation de la sortie d’un amplificateur op´ erationnel . . . . . . . . .3 Imp´ edance d’entr´ ee diff´ erentielle Zed . . . . . . .5 7. . . . . . . . .7 7. . . . . . . . . . . 102 7. . . . . 99 7. . . . . . . . . . . . . .1 Amplificateur dont le gain est infini en r´ egime non satur´ e . . . .` TABLE DES MATIERES 7 7. . . . . . . . . . . . 97 7.1 Le montage non inverseur . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 D´ efauts des amplificateurs op´ erationnels . . . . . .8 7. . . . . . . . . . . .6. . .3 G´ en´ erateur de tension triangulaire . . . . . . . . . . . . . . . . 98 7. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94 7. . . . . . . 101 7. . . . . .4. . . . . . . . . . . . . . . . . . 91 Remarques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97 7. . . . .6. . . .8.3 Influence des imp´ edances d’entr´ ee et de sortie (montage suiveur) . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 Mod´ elisation des courants de polarisation constants . .1 Limitation du courant de sortie . . . . . . . 95 7. . . . . . . .3. . . . . .6 7 . . . .6. . . . . .3. . . . . . .4. . . . . . . . . . . . . . . . . . .4 7. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3. . . . . 103 7. . . . 103 7. . . .4. . . .3. . . . . . . . . . . . . . . . . . 105 7. . . .6 7. . . . . .6. . . . . .2 Le montage suiveur . .3. .3. . . . . . . .7. . . . .6. . . . . .6. . . . . . . . . . . . . . 93 Etude du gain ABO (s) . .3. . . . . . . . . . . . . . 104 7. . . . . . .5 7. . . . . . . 100 7. . . .1 Mise en ´ equation de l’int´ egrateur pur .5 Le montage int´ egrateur . . . . . 101 7. . . . . . .5.3 Compensation des courants de polarisation d’entr´ ee dans le montage inverseur . . . . . . . 95 7. . . . . . . . .5. . . . . . . 99 7. . . . 104 7.1 L’amplificateur op´ erationnel consid´ er´ e comme amplificateur de transimp´ edance . . . . . . . .3. 101 7.1 Fr´ equence de coupure fcBO en boucle ouverte d’un amplificateur op´ erationnel 93 7. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5. . .6. . . . . . . . . . . .2 Oscillateur ` a trigger de Schmitt . 95 7. . . .3. . . . . . . 95 Montages utilisant la contre r´ eaction parall` ele de tension . . . . . . . . . . .2. . . . . .7. . . . . . . . . .2 Relation entre f1BO . . 103 7. . . . . . 95 7. 105 7. . . . . 104 7. . . . . . . . . . . . . . .1 Gain en boucle ouverte ` a fr´ equence nulle A0BO et fr´ equence de coupure en boucle ouverte fCBO . . . . .1 Caract´ erisation du r´ egime satur´ e . . . 93 7. . . . . . . . . . . . . . . . .3. . . . . . . . . .1 Effet des d´ efauts cumul´ es sur le montage inverseur . 104 Exemples de fonctionnement en r´ egime satur´ e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 Gain infini . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7. . . . 95 7. . . . .4 Adjonction d’un transistor de sortie . . . . . . .3. .3. . . 96 7. . . . . . . . . . 91 Mod´ elisations classiques d’un amplificateur op´ erationnel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6. .5. . .5. . 94 7. . . . . .4 7. . . . . . . . . . . . . 102 7. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6. . .5.2 Courants de polarisation d’entr´ ee . . . . .7. .3 Le montage inverseur sommateur . . . . . . . . .2 Le montage inverseur . .2 Mod´ elisation de l’entr´ ee d’un amplificateur op´ erationnel . . . . .8 Mise en ´ equation ‘r´ eduite’ . . . . . . .4 D´ efauts pr´ ec´ edents cumul´ es . . . . . . . .7. . . . . . .7. . . . . . . . . . . . . . . .3 Tension de d´ ecalage d’entr´ ee . .1 Le probl` eme particulier du montage d´ erivateur . . . . . .4. .4 Le montage d´ erivateur inverseur . . . . . . . . . . . . . . . . 99 7. . . . . . .4 Tension de saturation Vsat . . . . . . . 94 7. . . . . . . . . .2 Amplificateur dont le gain est fini en r´ egime non satur´ e . . . . . . . . . . . . . .6.4. . . . . .3. . . . .6.5 Vitesse finie de balayage de la sortie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103 7. . . .4. . . . 98 7. . . . . . . . . . . 96 7. . . 103 L’ampli op´ erationnel en r´ egime satur´ e . .2. . . .5. . . . .5.8. . . . . . . . . . .1 Le trigger de Schmitt . . . . . . . . . . . .2 Compensation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8. . . . . . . . 101 7. . . . .2 Le probl` eme particulier du montage int´ egrateur pur .2.6. . . . . . . . . .7 Comment obtenir les caract´ eristiques d’un amplificateur op´ erationnel ? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98 7. .5. . . . . . . . . . . . . . 99 7. . . . . . . . . .2 Effet des courants de polarisation sur le montage inverseur . . . 100 7. . . . . .7. . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . .1 Puissance dissip´ ee par un r´ egulateur 78xx 9. . . . . . A. . . . . . . . 8. . . . .4. . 8. . .2 Principe de fonctionnement de l’inverseur CMOS . . 9.3.4. . . . . . . . . A. . . . . . . . . . . . . . . . .4 R´ egulateur de tension int´ egr´ e . . . . . . . . A. . . . . . . . . . . . . . . . .3.4. . . 8. . . . . . . . . . . . . . . . . . .4 Exercices sur le chapitre 7 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 Montage Emetteur Commun . .8 ` TABLE DES MATIERES 107 107 108 108 108 109 109 110 111 111 111 112 112 113 113 113 114 115 115 116 117 117 117 119 119 119 121 121 121 123 123 123 123 124 124 125 125 126 126 126 126 127 128 129 129 129 130 131 8 Les circuits int´ egr´ es num´ eriques 8.3 Caract´ eristique de transfert d’un inverseur et niveaux logiques CMOS . . . . . . . . . . . 8 . . . . . .3. . . . . . . . . .4. . . . . . . . . . 9 R´ egulateurs de tension int´ egr´ es 9. . . . . . . . . . . . .1 Transformation de Laplace . . . .5V) . . . . . . .4 Convertisseurs Num´ eriques → Analogiques . . . .3. . . . . .6 Sortie collecteur ouvert . . . . . . . . . .6. . . . . . . . . . . . . .1 Degr´ e d’int´ egration . . . . . . . . . . .4 Les circuits int´ egr´ es logiques CMOS (famille CD 4xxx) . . . . . . .3 Caract´ eristique de transfert d’un inverseur et niveaux logiques TTL . . . . 115subsubsection. . . . . .2 Les circuits int´ egr´ es num´ eriques . . . . . . . . . . . . . . .3 Les circuits int´ egr´ es logiques TTL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4 Caract´ eristiques ´ electriques des entr´ ees et des sorties TTL . . . . . . . . . . . . . . . . .2. . . . . . . . . . . . . . . . . .3 Courants maxima de sortie . . . . A. . 8. . . . . . . . . . . . 8. . .5 Entr´ ee ` a trigger de Schmitt . . .2 Principe de fonctionnement de l’inverseur TTL . . . . . . . . . .3. . .3. . 8. . . . . . . . . . . . . . . . . . .2. . . . . . . . . . .3. . . . . . . . . A. . . . . . . . . .1 Montage suiveur avec transistor (Voir Chapitre 7. . . . . . . . . . . A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 Caract´ eristiques g´ en´ erales . .2 Les principales technologies . . . . . . . 8. .1 Caract´ eristiques g´ en´ erales des circuits int´ egr´ es logiques CD4xxx . . . . . . . . . . .1 Introduction . . . . . .2 Quelques exemples d’utilisation des sorties ` a collecteur ouvert . . . . .3. .3 Mod´ elisation d’un r´ egulateur de tension fixe (78xx) 9. . . . . .4. . A. . . . . . . . . . . A. 9. . . . . . . .5V) 8. . . . .4 Montage pour courants importants . . . . . . . . . . A.2 R´ egulateurs 78xx et 79xx . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4. . . . . . . . . . . . . .12 A. . . . . .2 Niveaux logiques des sorties CMOS (pour VDD − VSS 4. . . . . . . . . . . . .3. . .1 Charge nominale d’entr´ ee TTL . . . . . . . . . .1 Diode lin´ earis´ ee . .2 Exercices sur le chapitre 5 . . . . . . . . . . . .4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 Caract´ eristiques d’une sortie TTL ` a collecteur ouvert . . . .1. . . . . . . 8. . . . . . . . . . . . . .2. . . . . . . . . . . . figure 7. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8. .1 Exercices sur les chapitres 2 & 3 . . . . . . . . . A. . 8. . A. .2. . . . . . . . . . . . . . . . . . .4. . . . . . . . . . . . . . . . . . .4 Amplificateur push-pull . . . A.2. . . 8. . . . . .8. . . . . . .3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8. A. .3. . A. . . .1. . . . . . . . . .1. . . . . . . . 8. . . . . . .1 Niveaux logiques des entr´ ees CMOS (pour VDD − VSS 4. . . . . . . 8. . . .1 8. . . . . . . . . . . . . . .3. . . . . .4. . . . . . . . . . . . . .3. 8. . . . . . . . . . . A Exercices A.3 Nullateurs et Norateurs . 8.2 Montage Collecteur Commun .3 Stabilit´ e d’un montage . . . . . . . . . . . .3 Etude d’un g´ en´ erateur de courant constant .2 Etude d’un filtre . . . . . . . . . . . 8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3. . . . . . . . . . . . . . . . . .2 Diode Zener . .4. .4. .4. . . . . .3. . . . . . . .3. . . . . .2. .3. . . . . . . . .1 R´ ealisation de fonctions logiques par des transistors bipolaires . . . . . . A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4. . . . . . . . . . . . . . . .6. . . . . . . . . . .3 Exercices sur le chapitre 6 . . . . . . 8. . . .1. . . . . .2 Quadripˆ ole . . . . . . . . . . . . .2 Sortie TTL nominale . . . 8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. . . . . . . . . .

. . B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ´ B. B. . . . . . . . . . . B. . . . .6. . . . .1 Caract´ eristiques du BD680 ou BD680A : transistor darlington PNP . . . .9 Cinqui` eme ´ etape : “Actionneur” . . . . . . . . B.3 Etapes de la r´ ealisation . . .9. . . . . . . . . . . . . . . . . .7 Troisi` eme ´ etape : “Compteur CD4040” . . . . . . . .` TABLE DES MATIERES 9 A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . B. . . . . . . . . . . .5 Premi` ere ´ etape : “r´ ealisation de l’alimentation +8V ” . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . B. . .13 Neuvi` eme ´ etape : “R´ ealisation de l’asservissement avec correcteur proportionnel” C Caract´ eristiques 135 135 135 137 137 138 138 139 139 139 140 141 141 141 142 142 142 143 143 145 . .4 Pr´ eliminaire : “Alimention ` a tension constante” . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 Etude de l’interrupteur analogique CD4066 : . . . . . . . . . . .12. . . . .6. . . . . . . . . . . .2 Caract´ eristiques du LM393 : double comparateur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 Exercices sur le chapitre 8 . . . .6 Deuxi` eme ´ etape : “R´ ealisation d’un signal horloge” . . .A. . . . . . . . . .9. . . . . . . . . . . . . . . . . .2 Caract´ eristiques du CD4066B : quadruple interrupteur analogique . . . . 131 A.12 Huiti` eme ´ etape : “Capteur de vitesse” . . . . . B. . . . . . . . . . . . . . .2 Composants et connectique utilis´ es pour le projet . . . . . . . . . .11 Septi` eme ´ etape : “Inhibition de la commande du hacheur” . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 Interfaces TTL . . . ´ B. . . . . . . . . .1 Introduction . . . . . B. . . . . . . . . . . .12. . . . . . . . . 131 A. 9 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . B. . . . .5. . . . . . . B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . B. B. . . . B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10 Sixi` eme ´ etape : “les signaux MV et IC” . . . . . . . . . . 132 132subsection. . . . . . . . B. . . .6 Exercices sur le chapitre 9 . . . . . . . . .8 Quatri` eme ´ etape : “La rampe” . .1 B Projet d’´ electronique : R´ egulation de vitesse d’un MCC B. . . . .1 Caract´ eristiques du TL074 : quadruple AOP. . . . . . .

10 ` TABLE DES MATIERES 10 .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4 5. . . .6 5. . . . . . . . . . . . .2 Utilisation de la T L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Filtre RC . . . . .2 4. .7 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Redressement mono-alternance non filtr´ e (` a vide). . . . . . . . . . . . . . . . .13 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10 5. . . .5 4.2 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Principaux composants semiconducteurs. . . . . .8 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Montage ` a diode Zener. . . . . . . . . . . . . Ampli. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Filtre LR. de transadmittance parfait. . . . . . . . . . . . . . . er R´ eponse Fr´ equentielle d’un F P B 1 ordre . . . . . . Un condensateur r´ eel. . . . . . . . .6 4. . . . . . . . . . . .8 3. . . . . . R´ esistance thermique. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Dipˆ ole actif. . . . . . . .1 5. . . . . . . . . . . . . .4 3. . Transistor PNP. Pmax admissible en fonction de la temp´ erature ambiante. . . . . . . . .5 5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Potentiom` etre. . . . .3 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14 3. .2 5. . . . . . . de courant parfait. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 2. . . . . . . . . . . . . .1 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12 3. . . . . . . . Chaˆ ıne thermique. . 11 . . . . . . . . Ampli. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 3. . . . . . . . .4 4. . . . . . . . . . . . . . . . . Commutation d’une charge inductive. . . . . . . . . . . . . . Filtre CR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 3. . Circuit RL. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Caract´ eristiques d’une diode Zener & Symbole. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Repr´ esentation d’un nullateur. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 21 23 25 25 28 28 35 35 35 36 37 37 38 39 39 40 40 43 44 45 45 47 48 49 49 50 51 53 59 59 59 60 60 61 63 63 Une r´ esistance r´ eelle. . . . Filtre RL. . .7 3. . .3 5. . . . . . . . . . . . . . . . Redressement double alternance filtr´ e. . . . . . . . . Transistor NPN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Dipˆ ole passif. . . . . . . . . . . . . . . . . . Symbole. . . . . . . . R´ esistances thermiques en s´ erie. .11 3. . . Graphe de P = f (TC ). . . . Redressement double alternance non filtr´ e. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Etude d’un filtre. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . er R´ eponse Fr´ equentielle d’un F P H 1 ordre . . . . . . . . . . . . . . Redressement double alternance filtr´ e. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Table des figures 2. . . . . . . . . . Repr´ esentation d’un norateur. . Ampli. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10 3. Ampli. . . . . . .7 6. . . . . . . . . . . . . . .3 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . de tension parfait. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 3. . Graphe de P = f (TA ). . . . . . . . . . . . de transimp´ edance parfait. . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17 7. . . . . . . . .23 6. Le montage White. . . . . . . . . . . . . . . . La contre r´ eaction avec masse commune. . . . . . . . . Graphique 2.12 6. . . . . . . . . . . . . . . . .4 6. . . . . . . . . . . . . . . R´ eaction parall` ele de tension. . . . . . . . . . . . . . . . .5 6. . . . . . . . . Graphique 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107 Porte NON-OU. . . . . . .14 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . RBB = 22 kΩ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Adjonction d’un transistor de sortie.24 6. . . . . . . 88 . Sch´ ema de base d’un syst` eme asservi. . . . . Montage amplificateur push-pull. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Montage suiveur. 99 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 6. . . . . . . . . . . . . . . 86 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Le montage inverseur. . . . . .13 7. . Le montage darlington. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9 6. . . . . . . . . . . .13 6.9 7. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15 7. . . . . . . . . . . . . . . Le d´ erivateur inverseur. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Valeurs limites applicables ` a la jonction CE. . . . . . . . . . . . . .29 6. . . . . . . . Utilisation d’un push-pull. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Polarisation par source de courant. . . Montage non inverseur. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89 . . . . . . . . .12 7. . . . . . . . . . . Polarisation par r´ eaction de collecteur. . . . . . 98 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 8. . . Commutation d’une charge purement r´ esistive dans le MEC. Le sommateur inverseur. . . . . . . 94 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Polarisation par diviseur de tension. . . . . . . . . . . .3 7. . . . .12 6. . . . . . .6 6. . . . . .6 7. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21 6. Amplificateur diff´ erentiel. . . . . . . . . . . . . . . . . .10 6. . . . . . . . . . . . . . .3 TABLE DES FIGURES Polarisation d’un transistor. . . . RBB = 34. . . R´ eseau de pr´ el` evement de tension. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25 6. . . . . . . .1 7. . . . . . . . . . . . .10 7. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Diagramme de gain de bode d’un Filtre passe-bas 1er ordre. . . . . . . 99 . Montage int´ egrateur. . . . . .26 6. R´ ealisation de la source de courant. . . Miroir de courant ` a trois transistors NPN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 8. . . . . . . . . . . . . . . . . . .27 6. . . . . . . . . . . Caract´ eristiques ´ emetteur-collecteur d’un transistor NPN au Silicium. . . . . . . . . . 64 65 65 65 66 66 66 67 68 68 69 70 75 75 76 76 78 78 79 79 81 81 82 82 83 83 83 83 . . . . . . . . 87 . .7 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Transistor bloqu´ e. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Valeurs limites applicables ` a la jonction BE. . Commutation d’une charge inductive dans le MEC. . . . . . . . . . . . . . . . .20 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98 . . . . . . . . . . . 87 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7 7. . . . . . . 96 . . . . . . . . . . . . . . . . . .11 7. . . . . . . . . . . . . . 86 . . . . . . . . .18 6. . . . . Repr´ esentation symbolique d’un AOP. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . base court-circuit´ ee. . . . . . . . . .4 7. . . .11 6. . . . . Amplificateur de transimp´ edance. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 Porte NON-ET. . . . . . . .8 7. .5 7. . . Caract´ eristique base-´ emetteur d’un transistor NPN au Silicium. .15 6. . . . . . .22 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 7. . . . . Polarisation d’un push-pull. . . . . . . . .17 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16 7. . . . . . . . . . 98 . . . . . . . . base ouverte. . . . . . . . . . . . . . La contre r´ eaction. . . . . . . . . . .8 6. . . Collecteur ouvert. . . . . .18 8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . RBB = 22 kΩ et EBB =15V. . . . . . . . . . . .30 7. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14 7. .2 kΩ. . . . . Sch´ ema ´ electrique de la r´ eaction parall` ele de tension. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Une autre repr´ esentation d’un amplificateur op´ erationnel. . . . . . . . . . . . . 88 . Miroir de courant ` a deux transistors NPN. . . . . . .28 6. . . . . . . . . . 107 12 . . . . . . . . . . .19 6. .2 kΩ. . . . . . Polarisation par r´ esistances. . . . . . . 107 Porte NON. . RBB = 34. . . . Transistor bloqu´ e. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97 . . .

Circuit ´ echantillonneur-bloqueur. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16 Mod` ele Fleishmann d’une locomotive diesel. . . . . Sortie ` a l’´ etat ON. . . . . . . G´ en´ eration d’un signal horloge. . . . .6 B. . . . . . . . . .15 B. . . . Inhibition de la commande. 13 110 111 112 113 114 114 114 115 116 120 120 121 122 Courants et tensions dans un r´ egulateur de tension fixe. . Actionneur. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Caract´ eristique de transfert d’un inverseur TTL. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Sch´ ema ´ equivalent d’un r´ egulateur de tension positive 78xx. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Potentiom` etre. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4 Sch´ ema de principe d’un inverseur TTL. . . . .10 B. . . . . . .9 B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Principe de base d’une r´ egulation. . . . . . . . . . Sch´ ema de principe d’un inverseur CMOS. . Image de la vitesse ´ electrique. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . sans protection contre les court-circuits.3 9. . . . . . . . . . . Porte 7414 : Entr´ ee ` a trigger de Schmitt. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13 B. Caract´ eristique de transfert d’un inverseur CMOS. . . . . . . . . . Les alimentations de la table. . Montage pour courant fort. . . . . . . . . . . . . .1 9. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10 8. . . . . . . . . . . . . . . . . . .4 B. . . . .1 B. . . . . . . . . G´ en´ eration d’une rampe. . . . Sortie ` a l’´ etat OFF. 131 B. . . . . . . . . . .TABLE DES FIGURES 8. . . . . . . Alimentations continues r´ egul´ ees ` a base de r´ egulateurs de tension fixe. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8 8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4 8.1 CNA. . . Sortie collecteur ouvert/ entr´ ee trigger de Schmitt. . . . . . Sortie collecteur ouvert. . . . . . .12 9. . . .8 B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . R´ eseau ferroviaire. . . . . .5 8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11 B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9 8. . . . . . . R´ ealisation des signaux IC et MV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Correcteur proportionnel. . . . . . . . .2 9. . . . . . . . .12 B. . Circuit ` a diode Zener.14 B. . . . . . . Plaquette du 7808. . . . . . . . . . .3 B. .2 B. . . . . . . . . Etude d’un CD4040. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 B.11 8. . . . . . . . . . . . . .6 8. . . . . . . . . . A. . . . . . . . . . . .7 8. . . . . . . . . . 135 135 136 136 136 137 138 138 139 139 140 141 142 142 143 144 13 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7 B. .

14 TABLE DES FIGURES 14 .

. . .1 3. . .6 7. . . . . . . . . . . . .2 6. Tension de sortie CMOS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . condition “forte” . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Principales caract´ eristiques des r´ esistances. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . condition “faible” . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109 112 112 113 117 117 117 117 118 C. . . . . . . . Dipˆ oles passifs. . . . Transistor dans l’´ etat actif. . .2 8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Dipˆ oles actifs. . . . . . . . . . . . .1 7. . . . .1 Tableau r´ ecapitulatif. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6 8. . . . . . . . . . . . . 145 15 . . . . . . transistors. Exemples de condensateurs polaris´ es.3 5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Charge nomimale d’entr´ ee TTL . .5 8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Norateur et Nullateur. . . . . . . . .3 8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 6. . . . . . . . . . . 104 Amplificateur dont le gain est fini en r´ egime non satur´ e. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Transistor de gain ∞. . Sortie TTL ` a collecteur ouvert (Exemple du 7416).2 7. . . . . . . . . . Valeurs limites ` a ne pas d´ epasser pour quelques Transistor dans l’´ etat bloqu´ e. . . . . . . . . . . 17 20 24 25 26 28 45 46 46 61 71 71 71 72 72 74 Caract´ eristiques de diff´ erents transistors. . . . . .5 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92 Amplificateur dont le gain est ∞ en r´ egime non satur´ e. . . . . . . . Intervalle des valeurs du courant de sortie d ?un circuit CD4xxx . . . .3 8. . . . . . . . . . . . . . . Tension de sortie CMOS. . . . . . . . .2 4.3 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7 8. . . . . . . . . . . . . . . . . . 104 Circuits int´ egr´ es comprenant 4 portes non-et ` a 2 entr´ ees . . . Niveaux logiques CMOS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . condition “forte” . . . Exemples de condensateurs non polaris´ es. . . . . Niveaux logiques CMOS. . . . . . . . . . . . . . . . Sortie TTL nominale. .1 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 4. . . . . . . . . . . . . .Liste des tableaux 1. Propri´ et´ es de la T L. . . . . . .1 2. . . . . . . . .1 8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Mod´ elisation classique d’un AOP. . . . . . . . . . . Transistor dans l’´ etat satur´ e. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4 8. . . . . . . .4 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9 Emploi du temps Cours/TD. . . . . . . . . . . . . . . Mod´ elisation d’une diode Zener. . . . . . . . . . . . . . . . . . . T L usuels. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8 8. .3 4. . . .2 3. . . . . . . . . . . . . . . condition ‘faible” . . .

16 LISTE DES TABLEAUX 16 .

TA et TP.2 A.4 A. – Cette rencontre est obligatoire ainsi que le respect de la date limite. – Mˆ eme si cela n’est pas obligatoire.Questions 1 et 3 TA Exercice Exercice Exercice Exercice Exercice Exercice Exercice Exercice A.1.Partie I TD 4 : Exercice A. vous pouvez ˆ etre questionn´ e sur l’ensemble des exercices. seul 2 exercices parmi les huit propos´ es sont ` a pr´ esenter.3.3 et A. TD.3 . – Validation des TA : la date limite de la validation des TA est fix´ ee au 30 novembre.Chapitre 1 Introduction Objectifs du cours Cet enseignement a pour but la pr´ esentation des composants simples de l’Electronique en insistant sur les points suivants : – Mise en ´ equation syst´ ematique des montages.4 A.1 TD 2 : Exercice A.4.4 A. 17 .1 – Emploi du temps Cours/TD. – La pr´ esentation finale du travail en autonomie se fera sous forme d’un expos´ e.3 TD 3 : Exercice A.1 . 1. apr` es avoir pris un rendez-vous par binˆ ome avec votre tuteur.4. Tous les exercices sont ` a traiter mais pour valider votre TA. – Notion de mod` ele d’un composant et les limites de ce mod` ele.Question 2.4.Partie II TD 5 : Exercice A.2.2 A.1.5. Organisation : Cours.1 .1 Tab. Travaux en Autonomie (TA) – Les coordonn´ ees de vos tuteurs vous seront communiqu´ es en cours. il est vivement conseill´ e de prendre un RDV interm´ ediaire pour discuter avec votre tuteur d’´ eventuelles difficult´ es.3. A.3.6.2 A.5. Cours Cours n◦ 1 : Chapitre 2 & 3 Cours n◦ 2 : Chapitre 5 Cours n◦ 3 : Chapitre 6 Cours n◦ 4 : Chapitre 7 Cours n◦ 5 : Chapitre 8 Cours n◦ 6 : Chapitre 9 TD TD 1 : Exercices A.3 .4. – Outre le fait que votre tuteur vous questionnera sur les deux exercices choisis.2.

Introduction Travaux Pratiques (TP) Les TP d’´ electronique ou plus exactement le projet d’´ electronique consiste ` a concevoir et exp´ erimenter une r´ egulation de vitesse pour un petit moteur ` a courant continu. c’est la D102. Le projet d’´ electronique a une dur´ ee de 15H (4 s´ eances de 3 modules horaires). Il donnera lieu ` a la r´ edaction d’un rapport manuscrit qui sera rendu ` a la fin de votre derni` ere s´ eance. 18 .18 1. La salle de TP se trouve dans le bˆ atiment D.

vCE – Valeur constante au cours du temps : not´ ee par une lettre majuscule. on ´ ecrira : iE = IE + ie et vCE = VCE + vce – Grandeur sinuso¨ ıdale : grandeur g qui peut s’´ ecrire sous la forme : √ g = Geff 2 cos(ω t + φ) avec f = 1/T = ω/2π 19 . et un (des) indice(s) ´ eventuel(s) en majuscule. vce Toute grandeur p´ eriodique peut ˆ etre d´ ecompos´ ee en la somme de sa valeur moyenne et d’une grandeur alternative . u. u. suivie de l’indice max.1 Conventions et Notations – Valeur instantan´ ee d’une grandeur (variable avec le temps) : not´ ee par une lettre minuscule. et un (des) indice(s) ´ eventuel(s) en majuscule. Umax – Valeur moyenne d’une grandeur g entre les instants t1 et t2 (parfois not´ ee par une lettre majuscule suivie de l’indice moy) : t2 1 gdt Gmoy = t2 − t1 t1 – Valeur efficace d’une grandeur g entre les instants t1 et t2 (not´ ee par une lettre majuscule suivie de l’indice eff) : t2 1 Geff = g2 dt t2 − t1 t1 – Grandeur p´ eriodique : grandeur dont la valeur instantan´ ee prend des valeurs ´ egales ` a des intervalles de temps ´ egaux. Exemples : I. – Grandeur alternative : grandeur p´ eriodique dont la valeur moyenne est nulle. et un ou plusieurs indice(s) en minuscule. Exemples : i.Chapitre 2 G´ en´ eralit´ es . iE .Rappels 2. U. Elle est not´ ee par une lettre minuscule. Exemples : Imax . ie . IE . dont la dur´ ee T de chacun d’eux est appel´ e p´ eriode de la grandeur. Exemples : i. VCE – Valeur maximale (ou valeur de crˆ ete) d’une grandeur : not´ ee par une lettre majuscule.

1 Transform´ ee de Laplace D´ efinition Soit f une application de R+ → C . Il suffit en effet de transposer l’´ equation diff´ erentielle dans le domaine de Laplace pour obtenir une ´ equation beaucoup plus simple ` a manipuler . 2. Par exemple en ´ electronique. ind´ ependamment des sollicitations qui lui sont impos´ ees .20 • R´ esultats classiques : 2. • Permet de mettre en ´ evidence une fraction rationnelle en s qui caract´ erise le syst` eme.2 Int´ erˆ et de de la T L La transformation de Laplace : • Est tr` es utile pour r´ esoudre des ´ equations diff´ erentielles et d´ eterminer la fonction de transfert d’un syst` eme lin´ eaire.3 Quelques propri´ et´ es Soit F (s) et G(s).1 – Propri´ et´ es de la T L.2. 1 Dans la suite on notera la transform´ ee de Laplace par T L 20 . elle tient compte de l’existence d’un r´ egime transitoire pr´ ec´ edant le r´ egime permanent (exemple : la prise en compte de l’allure du signal avant et apr` es la mise en marche d’un g´ en´ erateur de fr´ equence ).2 2. alors : Geff = 1 2 (a + b2 ) 2 2. les T L de f (t) et de g (t) alors : Propri´ et´ e Lin´ earit´ e D´ erivation Int´ egration Fonction origine af (t) + bg (t) f˙(t) t 0 f (x)dx Sa T L aF (s) + bG(s) sF (s) − f (0) 1 s F (s) Tab.2. 2. Transform´ ee de Laplace √ Gmoy = 0 et Gmax = Geff 2 Valeur complexe G associ´ ee ` a une grandeur sinuso¨ ıdale g : √ √ g = Geff 2 cos(ω t + φ) ⇔ G = Geff 2ejφ • R´ esultats classiques : si G = a + jb. • Renseigne sur la stabilit´ e du montage.2. • Les conditions initiales sont prises en compte dans l’´ equation . respectivement.2. sa transform´ ee de Laplace1 est l’application not´ ee F de C → C d´ efinie par : +∞ F (s) = Lf (s) = 0 f (t)e−st dt 2. • Permet d’obtenir la r´ eponse du syst` eme ` a des sollicitations autres que sinuso¨ ıdales .

2. En effectuant la T L.5. avec la condition initiale sur i : di • Ri(t) + L dt = u(t) .Rappels 21 2. on obtient (bien noter que l’´ equation suivante est ´ equivalente ` a l’ensemble form´ e par l’´ equation diff´ erentielle en i et par la CI) : RI (s) + L (sI (s) − i(0)) = U (s) 21 .2. La T L est ainsi une g´ en´ eralisation de la transformation complexe.5 Utilisation de la T L Fig.1 – Utilisation de la T L 2.2.4 Notion de complexe et T L Dans les ´ equations obtenues par T L . • Toutes les conditions initiales (CI) nulles. • i = 0.2. Le comportement du syst` eme est caract´ eris´ e par une ´ equation diff´ erentielle du premier ordre en i. G´ en´ eralit´ es .2.2 – Circuit RL.1 Un exemple d’utilisation de la T L Exemple d’un circuit RL s´ erie. o` u u(t) et i(0) sont donn´ es . 2. on retrouve la notation complexe en imposant : • s = jw . 2. Fig.

en r´ eduisant en ´ el´ ements simples sur R : √ Uef f 2 1 s w2 τ I (s) = − + + R (1 + τ 2 w2 ) s + τ −1 s2 + w2 s2 + w2 Enfin. On a donc : u(t) = E − − → Lu = U(s) = Si i(0) = 0. les T L des fonctions e(t) et s(t) .2.4 R´ eponse ` a une sollicitation sinuso¨ ıdale (uniquement le r´ egime permanent) Dans l’´ equation U (s) = (R + Ls)I (s).2. pour toute entr´ ee born´ ee.3 E 1 − e−t/τ R R´ eponse ` a une sollicitation sinuso¨ ıdale (solution compl` ete.22 En posant τ = L/R. D’o` u: On a donc : u(t) = Uef f 2 cos(wt) − w2 √ Uef f 2 1 s I (s) = L s + τ −1 s2 + w2 Et.2. 2. on remplace s par jw et i(0) par 0 .2 des transform´ i(t) = 2. On consid` ere les syst` emes. d’entr´ ee e(t) et de sortie s(t). Transform´ ee de Laplace Ce r´ esultat est une forme g´ en´ erale de la r´ eponse I (s) en fonction de la sollicitation U (s).2 des transform´ ees de Laplace : √ Uef f 2 cos(wt) + wτ sin(wt) − e−t/τ i(t) = R (1 + τ 2 w2 ) 2. dont le comportement est d´ ecrit par une ´ equation de la forme : N (s) Sinitiale (s) − Einitiale (s) S (s) = E (s) + D(s) D(s) o` u: • E (s) et S (s) sont. on obtient : I (s) = 1 τ τ U (s) + i(0) L 1 + τs 1 + τs 2.5. en consultant le tableau 2. respectivement.5.5. on obtient : U (jw) = (R + jLw)I (jw) On retrouve l’´ equation obtenue en notation complexe.2 R´ eponse ` a un ´ echelon d’amplitude E : TL E s. sa sortie reste born´ ee. 2.2.2. alors : τ 1 E L 1 + τs s I (s) = ees de Laplace : et. en consultant le tableau 2. avec i(0) = 0) : √ √ TL s − → U(s) = Uef f 2 s2 + .6 Stabilit´ e d’un syst` eme (non d´ emontr´ e) D´ efinition 1 : Un syst` eme est dit stable si. 22 .

7 Un exemple de syst` eme non causal : la commutation d’une charge inductive Soit le montage de la figure 2. • le syst` eme est instable si il existe au moins une racine ` a partie r´ eelle strictement positive (en pratique. et la tension u1 vaut E) . et la condition initiale i(0) = 0) . on a N (si N > D.3 – Commutation d’une charge inductive. ` a t=0. les autres ´ etant ` a partie r´ eelle strictement n´ egative (ce cas est purement math´ ematique). • Einitiale (s) est un polynˆ ome en s d´ ependant des conditions initiales de e(t) .Rappels 23 • Sinitiale (s) est un polynˆ ome en s d´ ependant des conditions initiales de s(t) . on obtient : • U1 (s) = 2 −1 E TL − − → s − u1 (t) = E . 2. G´ en´ eralit´ es . si ferm´ e U2 (s) = 0 .2. c’est le polynˆ ome nul si les conditions initiales de s(t) sont toutes nulles . le syst` eme part en saturation. 2.2. l’interrupteur est ferm´ e (l’´ equation a consid´ ` erer est U2 (s) = 0. la tension u2 aussi. le syst` eme n’est pas causal. pour les syst` emes physiques.7 ci-dessous). D´ efinition 2 : La stabilit´ e d’un syst` eme est fournie par la valeur des z´ eros de D(s) : • le syst` eme est stable si toutes les racines sont ` a partie r´ eelle strictement n´ egative . • Interrupteur : si ouvert I (s) = 0. c’est le polynˆ ome nul si les conditions initiales de e(t) sont toutes nulles . voir la §2. le r´ egime permanent (qui est ind´ ependant des conditions initiales) est d´ ecrit par : S (jw) = N (jw) E (jw) D(jw) D Cette ´ ecriture est obtenue ` a partir de l’´ equation en s en y posant toutes les conditions initiales nulles puis en y rempla¸ cant s par jw. • le syst` eme est ` a la limite de la stabilit´ e si il existe au moins une racine ` a partie r´ eelle nulle. R´ eponse harmonique : e(t) est sinuso¨ ıdal 23 . l’interrupteur reste ouvert en permanence (le courant i est alors uniform´ ement nul. en r´ esolvant le syst` eme en U1 (s) et I (s).3 : Fig. • Loi des mailles : U1 (s) + U2 (s) = E/s. • N et D sont des polynˆ omes en s. • Charge inductive : U1 (s) = (R + Ls)I (s) − Li(0) . ` a coefficients r´ eels . et d` es lors le mod` ele n’est plus valable) . Premi` ere situation : Pour t < 0. D´ efinition 3 : “R´ eponse harmonique”2 : sous r´ eserve que le syst` eme soit stable.2.

et pr´ esente en 0 un pic en +∞. Autrement dit : u1 (t) est nulle pour t > 0. 3 En d’autres termes : 1 − − − − → δ (t) T L −1 24 . en r´ esolvant le syst` eme en U1 (s) et U2 (s). 2. ` a t = 0.2. on obtient : i(t) = • U1 (s) = −Eτ .24 • I (s) = et donc : E1 1 R s s+τ −1 2. 2. et pr´ esente en 0 un pic ` a −∞ . Transform´ ee de Laplace E 1 − e−t/τ R Seconde situation : pour t < 0. on sait que l’original de 1 est la fonction de Dirac3 .8 Quelques fonctions et leurs transform´ ees de Laplace f (t) K Kt e−αt sin(wt) cos(wt) sin(wt).2. l’interrupteur est ouvert : l’´ equation de l’interrupteur est maintenant I (s) = 0 et la condition initiale i(0) = E/R . • U2 (s) = E s + Eτ . la tension u1 vaut E et U2 est nulle) . Par ailleurs.e−αt F (s) K s K s2 1 s+ α w s2 + w 2 s s2 + w 2 w (s + α )2 + w 2 s+α (s + α )2 + w 2 Tab. l’interrupteur reste ferm´ e en permanence (le courant i vaut alors E/R. u2 (t) vaut E pour t > 0.e−αt cos(wt).2 – T L usuels.

1 – Dipˆ oles passifs.1 Dipˆ oles Le comportement d’un dipˆ ole est caract´ eris´ e par une ´ equation (sauf pour les norateurs et nullateurs. et u la tension ` a ses bornes. Un dipˆ ole est dit lin´ eaire si son ´ equation est lin´ eaire.1.2 – Dipˆ ole actif. Fig.7. 3. Fig.1. voir §3. 3.1) . Un dipˆ ole est dit passif si il ne contient aucune source d’´ energie (figure 3. il est actif dans le cas contraire (figure 3.1 – Dipˆ ole passif. page 28) de la forme f (i.Chapitre 3 Dipˆ oles et Quadripˆ oles 3. 3. u) = 0.1 Les dipˆ oles lin´ eaires passifs Type Relations Relation entre valeurs instantan´ ees Transformation de Laplace Grandeurs associ´ ees complexes R´ esistance pure R u = Ri Inductance pure L di L dt Capacit´ e pure C C du dt I (s) = CsU (s) − Cu(0) 1 jCw I U (s) = RI (s) U (s) = LsI (s) − Li(0) U = RI U = LjwI U= Tab. 3.2). 25 . o` u i est le courant ` a travers le dipˆ ole.

1.1 Les dipˆ oles actifs R´ esistance de sortie ou r´ esistance interne d’un dipˆ ole actif Rint = − du dt 3. 3.2 3.26 3.2 G´ en´ erateurs de tensions et de courants Pour simplifier l’´ ecriture.3 Conversion entre g´ en´ erateurs de tension et de courant • G´ en´ erateur de tension parfait → g´ en´ erateur de courant : IMPOSSIBLE • G´ en´ erateur de courant parfait → g´ en´ erateur de tension : IMPOSSIBLE • G´ en´ erateur de tension r´ eel → g´ en´ erateur de courant : → • G´ en´ erateur de courant r´ eel → g´ en´ erateur de tension : 26 .2.1. 3.1. on va noter “G´ en´ erateur de Courant” par “GC” et “G´ en´ erateur de Tension” par “GT” Propri´ et´ es Type Caract´ eristique Relation Sch´ ema ´ equivalent GT “Parfait” R´ esistance interne nulle u=E GT “R´ eel” Caract´ eris´ e par E et Rint u = E − Rint i GC “Parfait” R´ esistance interne infinie i = Icc GC “R´ eel” Caract´ eris´ e par Icc et Rint i = Icc − u Rint Tab.2.1.2 – Dipˆ oles actifs.1. Dipˆ oles 3.

3. Dipˆ oles et Quadripˆ oles

27

3.1.4

Comment calculer les caract´ eristiques d’un g´ en´ erateur (de tension ou de courant) ?

Un g´ en´ erateur est caract´ eris´ e pas trois param` etres E , Icc et Rint li´ es par la relation : E = Icc Rint → Il suffit donc de deux ´ equations ind´ ependantes. → On choisit deux calculs parmi les trois suivants possibles : 1. Calcul direct de la tension ` a vide (Th´ eor` eme de Th´ evenin) → E ; 2. Calcul direct du courant de court-circuit → Icc ; 3. Calcul direct de la r´ esistance interne (Th´ eor` eme de Norton) → Rint : pour ce dernier calcul, on remplace chaque g´ en´ erateur par sa r´ esistance interne. 3.1.4.1 Exemple : Caract´ eristiques du g´ en´ erateur

– – – –

Calcul de la tension ` a vide (i = 0) : E = RI0 Calcul du courant de court-circuit (u = 0) : Icc = I0 /2 Calcul de la r´ esistance interne : Rint = 2R 0 V´ erification : Icc Rint = ( I2 )(2R) = RI0 = E

3.1.5

Th´ eor` eme de Millman

Comment calculer les caract´ eristiques de ce dipˆ ole ?

3.1.6

Puissance consomm´ ee par un dipˆ ole

Si courant et tension sont orient´ es dans le mˆ eme sens, un signe moins apparaˆ ıt dans l’expression de la puissance. 27

28

3.1. Dipˆ oles

3.1.7

Deux dipˆ oles tr` es particuliers

Sont pr´ esent´ es ici deux dipˆ oles tr` es particuliers : le norateur et le nullateur. Dipˆ ole Norateur (figure 3.3) Propri´ et´ e Le courant ` a travers un norateur et la tension a ses bornes sont quelconques et ind´ ` ependants ; seul le reste du montage permettra de calculer ces grandeurs Le nullateur impose ` a ses bornes une tension nulle, tout en n’absorbant aucun courant ; ce n’est ni un court-circuit (tension nulle, courant quelconque), ni un circuit ouvert (courant nul, tension quelconque) Tab. 3.3 – Norateur et Nullateur. Evidemment ces dipˆ oles ne peuvent pas ˆ etre synth´ etis´ es avec des g´ en´ erateurs et des composants passifs uniquement ; cependant ils sont indispensables pour donner une repr´ esentation graphique de nombreux composants actifs, comme par exemple un amplificateur op´ erationnel id´ eal (§7.3.4, page 91), un transistor satur´ e (§6.4.3, page 72) ou encore des circuits int´ egr´ es g´ en´ erateurs de tension (voir chapitre 8). Norateurs et nullateurs ne peuvent apparaˆ ıtre dans un montage r´ eel qu’en nombres ´ egaux. Equation Aucune

Nullateur (figure 3.4)

u = 0 et i = 0

Fig. 3.3 – Repr´ esentation d’un norateur.

Fig. 3.4 – Repr´ esentation d’un nullateur.

28

3. Dipˆ oles et Quadripˆ oles

29

3.2
3.2.1

Quadripˆ oles
D´ efinitions
– Le comportement d’un quadripˆ ole est caract´ eris´ e par deux relations ind´ ependantes qui font intervenir les courants ` a travers l’entr´ ee et la sortie du quadripˆ ole, et les tensions ` a ses bornes. – Un quadripˆ ole est dit passif si il ne contient aucune source d’´ energie ; il est actif dans le cas contraire. Un quadripˆ ole est dit lin´ eaire si ses deux ´ equations qui le caract´ erisent sont lin´ eaires.

Les conventions de signe adopt´ ees dans ce cours sont :

Un quadripˆ ole est d´ efini par deux relations ind´ ependantes liant v1 , v2 , i1 , et i2 : il existe donc six fa¸ cons d’´ ecrire ces deux relations : tensions en fonction des courants courants en fonction des tensions sortie en fonction de l’entr´ ee entr´ ee en fonction de la sortie relations “hybrides” relations “hybrides inverses” → → → → → → v1 (i1 , i2 ) et v2 (i1 , i2 ) i1 (v1 , v2 ) et i2 (v1 , v2 ) v2 (i1 , v1 ) et i2 (i1 , v1 ) v1 (i2 , v2 ) et i1 (i2 , v2 ) v1 (i1 , v2 ) et i2 (i1 , v2 ) v2 (i2 , v1 ) et i1 (i2 , v1 )

Pour un quadripˆ ole donn´ e, quelles relations choisir ? – d´ epend de la composition interne du quadripˆ ole : facilit´ es pour ´ ecrire certaines relations, impossibilit´ e d’en exprimer d’autres ; – d´ epend du montage dans lequel est ins´ er´ e le quadripˆ ole.

3.2.2

R´ esistances d’entr´ ee et de sortie

Dans le cas g´ en´ eral, on peut exprimer v1 soit en fonction de i1 et de i2 , soit en fonction de i1 et de v2 , soit en fonction de i2 et de v2 ; il est impossible d’avoir une relation directe entre v1 et i1 qui ne mentionne pas un troisi` eme param` etre. C’est pourquoi on distingue plusieurs imp´ edances d’entr´ ees : • l’imp´ edance d’entr´ ee ` a courant de sortie constant : • l’imp´ edance d’entr´ ee ` a tension de sortie constante :
∂v1 ∂i1 ∂v1 ∂i1 i2 v2

De mˆ eme, on distingue les imp´ edances de sortie suivantes : • l’imp´ edance de sortie ` a courant d’entr´ ee constant : − • l’imp´ edance de sortie ` a tension d’entr´ ee constante : −
∂v2 ∂i2 ∂v2 ∂i2 i1 v1

Noter le signe ‘-’ qui provient de l’orientation du courant de sortie i2 . 29

4. Quadripˆ oles 3. (4) et (5) sont donc impossibles pour ce quadripˆ ole. et caract´ eris´ ees par quatre param` etres : 1. Entr´ ee en fonction de la sortie : param` etres ‘chaˆ ınes’ : v1 = c11 v2 + c12 i2 i1 = c21 v2 + c22 i2 5. Courants en fonction des tensions : param` etres ‘admittances’ : i1 = y11 v1 + y12 v2 i2 = y21 v1 + y22 v2 3. • imp´ edance de sortie ` a entr´ ee court-circuit´ ee (tension d’entr´ ee nulle). Sortie en fonction de l’entr´ ee : param` etres ‘chaˆ ınes inverses’ . Param` etres ‘hybrides inverses’. 30 . • param´ etrage (2) : i1 = 0 et i2 = −v2 /R . les relations sont lin´ eaires. • imp´ edance d’entr´ ee ` a sortie court-circuit´ ee (tension de sortie nulle) . • imp´ edance de sortie ` a entr´ ee non connect´ ee (courant d’entr´ ee nul) . • param´ etrage (6) : i1 = 0 et v2 = −Ri2 . Param` etres ‘hybrides’ : v1 = h11 i1 + h12 v2 i2 = h21 i1 + h22 v2 6. Pour un quadripˆ ole lin´ eaire.2. Question : mettre en ´ evidence les diff´ erentes imp´ edances d’entr´ ee et de sortie de ce quadripˆ ole. (3).30 3. Tensions en fonction des courants : param` etres ‘imp´ edances’ : v1 = z11 i1 + z12 i2 v2 = z21 i1 + z22 i2 2.3 Quadripˆ ole lin´ eaire Pour un quadripˆ ole lin´ eaire. Exemple On a toujours i1 = 0 et on ne peut rien exprimer sur v1 : les param´ etrages (1).2. on exprime souvent les imp´ edances suivantes : • imp´ edance d’entr´ ee ` a sortie non connect´ ee (courant de sortie nul) .

5 3. ⇒ la r´ esolution compl` ete est possible. les six formes sont possibles. ces relations entre deux inconnues peuvent s’exprimer sous la forme d’un rapport . – 4 relations ind´ ependantes : • Quadripˆ ole : deux relations .2.4 R´ esolution compl` ete – 4 inconnues : v1 .3. v2 .5. on distingue particuli` erement : • v1 /i1 : imp´ edance d’entr´ ee du montage . cependant. i2 . • Dipˆ ole 1 : une relation . 3 ´ equations) .1 R´ esolution partielle Cas g´ en´ eral : Quand seul un des deux dipˆ oles est connu. 3. i1 .2. • Dipˆ ole 2 : une relation. la r´ esolution compl` ete n’est pas possible (4 inconnues. Question : mettre en ´ evidence les diff´ erentes imp´ edances d’entr´ ee et de sortie de ce quadripˆ ole.5. Dipˆ oles et Quadripˆ oles 31 Exemple Pour ce quadripˆ ole. En autres : • Tensions en fonction des courants (le plus simple ` a calculer) : v1 = 2Ri1 − Ri2 et v2 = Ri1 − 2Ri2 . 31 . • Sortie en fonction de l’entr´ ee : v2 = −3Ri1 + 2v1 et i2 = 2i1 − v1 /R.2 Dipˆ ole lin´ eaire ` a la sortie d’un quadripˆ ole lin´ eaire Quand un dipˆ ole lin´ eaire est connect´ e sur la sortie d’un quadripˆ ole lin´ eaire. 3. une r´ esolution partielle est envisageable : elle consiste ` a´ eliminer deux inconnues des ´ equations pour obtenir une relation entre les deux autres inconnues.2.2. 3.

Remarques : • Ces rapports d´ ependent du dipˆ ole plac´ e` a la sortie . que l’on pourra donc caract´ eriser par : • Sa tension ` a vide Em .2. • Sa r´ esistance interne Rm . • Ce montage se comporte comme un dipˆ ole actif.2.5. Remarques : • Ces grandeurs d´ ependent du dipˆ ole actif plac´ e` a l’entr´ ee . 32 .3 Dipˆ ole actif ` a l’entr´ ee d’un quadripˆ ole lin´ eaire Quand un dipˆ ole actif est connect´ e` a l’entr´ ee d’un quadripˆ ole lin´ eaire. Exemple • Equations du quadripˆ ole : v1 = 2Ri1 − Ri2 v2 = Ri1 − 2Ri2 ´ • Equation de comportement du dipˆ ole de sortie : v2 = Rs i2 .32 3. • i2 /i1 : amplification (ou gain) en courant du montage . Quadripˆ oles • v2 /v1 : amplification (ou gain) en tension du montage . • On peut alors calculer : 3R+2Rs 1 → L’imp´ edance d’entr´ ee du montage : v i1 = R 2R+Rs → Le gain en tension du montage : → Le gain en courant du montage : v2 v1 i2 i1 = = Rs 3R+2Rs Rs 2R + Rs 3. • Ce montage se comporte comme un dipˆ ole lin´ eaire. l’ensemble se comporte comme un dipˆ ole actif. • Son courant de sortie en court-circuit Iccm .

c’est n´ eanmoins possible (voir l’exemple 1 du §3.3. • v2 /v1 : gain en tension ` a entr´ ee non connect´ ee . (b) Caract´ eristiques ` a entr´ ee court-circuit´ ee – La relation suppl´ ementaire est : v1 = 0. quelle relation suppl´ ementaire choisir ? Habituellement on en choisit une parmi les quatre suivantes : i1 = 0 (entr´ ee non connect´ ee). v1 = 0 (entr´ ee en court-circuit).3) .2. • v2 /i1 : transimp´ edance ` a entr´ ee court-circuit´ ee . • −i2 /v1 : admittance de transfert ` a entr´ ee non connect´ ee. ni sur sa sortie. • −v2 /i2 : imp´ edance de sortie ` a entr´ ee court-circuit´ ee . • −v1 /i2 : imp´ edance de transfert ` a entr´ ee non connect´ ee .3. il est a priori vain de vouloir exprimer une inconnue en fonction d’une autre .2.6 Quadripˆ ole lin´ eaire seul Quand le quadripˆ ole lin´ eaire n’est connect´ e ni sur son entr´ ee. et le §3. il est alors possible de le faire . • i1 /v2 : transadmittance ` a entr´ ee court-circuit´ ee. (a) Caract´ eristiques ` a entr´ ee non connect´ ee – La relation suppl´ ementaire est : i1 = 0. i2 = 0 (sortie non connect´ ee). • i2 /i1 : gain en courant ` a entr´ ee court-circuit´ ee . • −i2 /v2 : admittance de sortie ` a entr´ ee non connect´ ee . Dipˆ oles et Quadripˆ oles 33 Exemple • Equations de comportement du quadripˆ ole : : v1 = 2Ri1 − Ri2 v2 = Ri1 − 2Ri2 • Equation de comportement du dipˆ ole : v1 = E − Re i1 • On calcule : → Tension de sortie ` a vide du montage : Em = E 2RR + Re +2Re → R´ esistance interne du montage : Rm = R 32R R + Re → d’o` u l’´ equation de comportement du dipˆ ole actif form´ e par le quadripˆ ole lin´ eaire passif et le dipˆ ole actif : R 3R + 2Re v2 = E −R i2 2R + R e 2R + R e 3. v2 = 0 (sortie en court-circuit). (c) Caract´ eristiques ` a sortie non connect´ ee 33 . • −v2 /i2 : imp´ edance de sortie ` a entr´ ee non connect´ ee . • si on rajoute une relation suppl´ ementaire. • −i2 /v2 : admittance de sortie ` a entr´ ee court-circuit´ ee . cependant : • dans des quadripˆ oles particuliers.

7 Puissance consomm´ ee par un quadripˆ ole p = v1 i1 − v2 i2 Les signes sont justifi´ es par les orientations relatives des courants et tensions : en sens contraire ` a l’entr´ ee (donc signe plus). il est de plus sans contre-r´ eaction si la sortie n’a aucune influence sur l’entr´ ee. • i1 /v1 : admittance d’entr´ ee ` a sortie court-circuit´ ee .3. la r´ esistance de sortie et la gain en tension ne d´ ependent pas des conditions de mesure : • R´ esistance d’entr´ ee : ∞ . dans le mˆ eme sens ` a la sortie (donc signe moins). la r´ esistance d’entr´ ee. • −v1 /i2 : imp´ edance de transfert ` a sortie court-circuit´ ee . Les amplificateurs sans contre r´ eaction – La relation suppl´ ementaire est : i2 = 0.3.2. – Pour un tel quadripˆ ole. transadmittance : le courant de sortie est fonction de la tension d’entr´ ee . • R´ esistance de sortie : 0 . • v2 /i1 : trans imp´ edance ` a sortie non connect´ ee . (d) Caract´ eristiques ` a sortie court-circuit´ ee – La relation suppl´ ementaire est : v2 = 0. • v1 /i1 : imp´ edance d’entr´ ee ` a sortie non connect´ ee . nous ne consid´ erons que les quatre premiers. Dans ce manuscrit. • i1 /v2 : trans admittance ` a sortie non connect´ ee.5) – Equations de ce quadripˆ ole : i1 = 0 et v2 = Avv v1 . puissance : la puissance de sortie est fonction de la puissance d’entr´ ee. • i1 /v1 : admittance d’entr´ ee ` a sortie non connect´ ee .3 Les amplificateurs sans contre r´ eaction Un amplificateur est un quadripˆ ole dont la sortie est command´ ee par l’entr´ ee . 3.1 Amplificateur de tension parfait (fig 3. • i2 /i1 : gain en courant ` a sortie court-circuit´ ee . • −i2 /v1 : admittance de transfert ` a sortie court-circuit´ ee. 34 . 3. courant : le courant de sortie est fonction du courant d’entr´ ee . • v2 /v1 : gain en tension ` a sortie non connect´ ee . • v1 /i1 : imp´ edance d’entr´ ee ` a sortie court-circuit´ ee . 3. transimp´ edance : la tension de sortie est fonction du courant d’entr´ ee .34 3. On distingue habituellement cinq types d’amplificateurs : • • • • • amplificateur amplificateur amplificateur amplificateur amplificateur de de de de de tension : la tension de sortie est fonction de la tension d’entr´ ee . • Gain en tension : Avv (sans dimension).

la r´ esistance d’entr´ ee.3. • R´ esistance de sortie : ∞ .2 Amplificateur de courant parfait (fig 3. 3. la r´ esistance d’entr´ ee. 3. – Equations de ce quadripˆ ole : v1 = 0 et v2 = Aiv i1 .6) Fig. la r´ esistance de sortie et la gain en courant ne d´ ependent pas des conditions de mesure : • R´ esistance d’entr´ ee : 0 . de transimp´ edance parfait. • R´ esistance de sortie : 0 . 3. 35 .6 – Ampli.7) Fig. – Pour un tel quadripˆ ole. de courant parfait.3. de tension parfait. – Equations de ce quadripˆ ole : v1 = 0 et i2 = Aii i1 .5 – Ampli. • Gain en courant : Aii (sans dimension).7 – Ampli. la r´ esistance de sortie et la gain en courant ne d´ ependent pas des conditions de mesure : • R´ esistance d’entr´ ee : 0 .3 Amplificateur de transimp´ edance parfait (fig 3. Dipˆ oles et Quadripˆ oles 35 Fig. • Transimp´ edance : Aiv (en Ω). 3.3. 3. – Pour un tel quadripˆ ole.

8) – Equations de ce quadripˆ ole : i1 = 0 et i2 = Avi v1 . – Pour un tel quadripˆ ole. 3.3. • R´ esistance de sortie : ∞ .36 3. • Transadmittance : Avi (en Ω−1 ). 3. 3.4.8 – Ampli. Les Filtres de tension Fig.4 3.4 Amplificateur de transadmittance parfait (fig 3. la r´ esistance d’entr´ ee. les quatre formes suivantes sont ´ equivalentes : 3.4. la r´ esistance de sortie et la transadmittance ne d´ ependent pas des conditions de mesure : • R´ esistance d’entr´ ee : ∞ .3.1 Les Filtres de tension Filtre (de tension) passe-bas Un quadripˆ ole est un filtre (de tension) passe-bas si son gain en tension (sortie ` a vide) est une fonction G(w) d´ ependant de la pulsation G(w) de la tension d’entr´ ee qui v´ erifie : Basses fr´ equences (w → 0) G0 Hautes fr´ equences (w → ∞) 0 36 Fr´ equence de coupure (wcP B ) G0 G(wcP B ) = √ 2 G(w) . ni infinies. de transadmittance parfait.5 Amplificateur : cas g´ en´ eral Si les r´ esistances d’entr´ ee et de sortie ne sont ni nulles.

4. et T une constante r´ eelle strictement positive appel´ ee constante de temps.4. 1 Fig. G´ en´ eralement G(w) n’est pas directement int´ eressant : on pr´ ef` ere consid´ erer le gain en d´ ecibel. Voir aussi ` a ce sujet le cours d’Automatique de premi` ere ann´ ee.3. 3. 3. phase du gain en tension G(w). appel´ ee gain statique.4. module du gain en tension G(w) . 37 . Etudier la r´ eponse harmonique d’un filtre consiste ` a le soumettre ` a une sollicitation sinuso¨ ıdale.2 Filtre (de tension) passe-haut Un quadripˆ ole est un filtre (de tension) passe-haut si son gain en tension (sortie ` a vide) est une fonction G(w) d´ ependant de la pulsation G(w) de la tension d’entr´ ee qui v´ erifie : Basses fr´ equences (w → 0) 0 Hautes fr´ equences (w → ∞) G∞ Fr´ equence de coupure (wcP H ) ∞ √ G(wcP H ) = G 2 G(w) 3.1 Exemples de filtres (de tension) passifs passe-bas du premier ordre Fig. • ϕ(w). on peut d´ eduire les expressions de : • G(w).4. 3. c’est ` a dire : • |G(w)|db en fonction de log(w) . 3. d´ efini par : |G(w)|db = 20 log[G(w)] On repr´ esente habituellement le gain en d´ ecibel et sa phase dans le plan de Bode.4.9 – Filtre RC . A partir de G(w). et a´ ` etudier la valeur complexe du gain G(w) obtenue ` a partir de G(s) en rempla¸ cant s par jw. • ϕ(w) en fonction de w.10 – Filtre LR.4 Filtre (de tension) passe-bas du premier ordre er ordre Un filtre (de tension) passe-bas du permier ordre (F P B 1 tension (sortie ` a vide) est de la forme1 : F P B1 er ordre ) est un quadripˆ ole dont le gain en = K 1 + Ts o` u K est une constante r´ eelle strictement positive. Dipˆ oles et Quadripˆ oles 37 3.3 Etude des filtres en r´ egime sinuso¨ ıdal (r´ eponse harmonique) L’expression la plus g´ en´ erale du gain en tension (sortie ` a vide) d’un filtre est une fraction rationnelle G(s).

38 3. = 38 .4.5 Filtre (de tension) passe-haut du premier ordre er ordre Un filtre (de tension) passe-haut du permier ordre (F P H 1 tension (sortie ` a vide) est de la forme : F P H1 er ordre ) est un quadripˆ ole dont le gain en Ks 1 + Ts o` u K est une constante r´ eelle strictement positive et T une constante r´ eelle strictement positive appel´ ee constante de temps.4.4.4. Les Filtres de tension Propri´ et´ es des filtres (de tension) passe-bas du premier ordre Le gain complexe d’un filtre passe-bas du premier ordre est : GP B (w) = Module GP B (w) = √1+K w 2 T2 K 1 + jwT Fr´ equence de coupure (wcP B ) G0 G(wcP B ) = √ ⇒ wcP B = T−1 2 GP B (w) 3.11 – R´ eponse Fr´ equentielle d’un F P B 1 er ordre .2 3. 3.4.4.3 Gain Statique G0 = GP B (0) = K R´ eponse fr´ equentielle dans le plan de bode des filtres passe-bas du premier ordre Module GP B (w) = K q w cP B PB 2 wc Phase +w 2 ϕP B (w) = − arctan w w cP B On peut ainsi tracer : Fig. 3.

4.2 Fig.4. et que son signal de sortie soit bien sinuso¨ ıdal.13 – Filtre RL. en agissant sur le r´ eglage correspondant.3 R´ eponse fr´ equentielle dans le plan de bode des filtres passe-haut du premier ordre (figure 3.14) Module GP H (w) = KwcP H q w PH 2 wc Phase +w 2 ϕP H (w) = π 2 − arctan w w cP H = arctan w cP H w 3. Propri´ et´ es des filtres (de tension) passe-haut du premier ordre Le gain complexe d’un filtre passe-haut du premier ordre est : GP H (w) = K Module GP H (w) = K √1+w w 2 T2 Gain (w → 0) 0 jw 1 + jwT Fr´ equence de coupure wcP H ∞ √ G(wcP H ) = G ⇒ wcP H = T−1 2 Gain(w → ∞) K T GP H (w) 3. 3. • Mesurer le gain dans la bande passante . on veillera ` a ce que l’amplificateur ne soit pas satur´ e.15) ? • S’assurer que le signal fourni par le g´ en´ erateur BF est de forme sinuso¨ ıdale et centr´ e.4. si le filtre contient un amplificateur op´ erationnel.1 Exemples de filtres (de tension) passifs passe-hau du premier ordre 39 Fig. • D´ eterminer la fr´ equence pour laquelle le gain est inf´ erieur de 3dB au gain dans la bande passante : c’est la fr´ equence de coupure. (a) Op´ erations pr´ eliminaires : (b) Nature du filtre ? • Passe-haut ou passe-bas d’apr` es son sch´ ema.5. et le g´ en´ erateur BF utilis´ e a une imp´ edance de sortie importante (≈ 600Ω) : il faut donc veiller ` a maintenir l’amplitude du signal de sortie constante. 3.5.3. • Que les deux voies verticales de l’oscilloscope sont sur ‘DC’ . (d) Trac´ e des asymptotes : 39 . 3.5.6 Comment ´ etudier un filtre (figure 3. Attention : Un filtre a une imp´ edance d’entr´ ee qui varie avec la fr´ equence. (c) Fr´ equence de coupure ? • Calculer sa valeur th´ eorique (d’apr` es les valeurs des composants) : c’est une valeur approch´ ee de la valeur qui va ˆ etre mesur´ ee .4. Dipˆ oles et Quadripˆ oles 3.12 – Filtre CR. • Choisir une valeur de l’amplitude du signal de sortie .

40

3.4. Les Filtres de tension

Fig. 3.14 – R´ eponse Fr´ equentielle d’un F P H 1

er ordre

.

Fig. 3.15 – Etude d’un filtre.

40

3. Dipˆ oles et Quadripˆ oles • Asymptote horizontale par des mesures dans la bande passante ;

41

• A partir de la fr´ equence de coupure, tracer l’asymptote oblique (pente ± 20 dB/d´ ecade si filtre du premier ordre), r´ ealiser quelques mesures en dehors de la bande passante.

41

42

3.4. Les Filtres de tension

42

En g´ en´ eral. nous exposons quelques consid´ erations technologiques sur les composants passifs. Fig. cette valeur peut ˆ etre : ±20% : s´ erie E6 (6 valeurs par d´ ecade) . les composants actifs. Dans ce chapitre. 3. et celles de forte valeur (> 3kΩ) capacitives. 2. 4. ±10% : s´ erie E12 .1 Les grandeurs caract´ eristiques d’une r´ esistance 1. ±2% : s´ erie E48 . coefficient de tension.1). • En r´ egime variable.1 Les r´ esistances Les caract´ eristiques d’une r´ esistance r´ eelle sont fort complexes et ne se limitent ` a la seule valeur ohmique : • Les fabricants de r´ esistances pr´ ecisent r´ esistance nominale. tension de bruit et stabilit´ e dans le temps .1. et des g´ en´ eralit´ es sur les composants actifs.Chapitre 4 Les composants de l’´ electronique Les composants utilis´ es en ´ electronique sont habituellement divis´ es en deux classes : les composants passifs (r´ esistances. transistors. 4. le plus souvent ` a base de semi-conducteurs (diodes. ±5% : s´ erie E24 . · · · ).1 – Une r´ esistance r´ eelle. 4. ±1% : s´ erie E96. 43 . il est mesur´ e en V . Tol´ erance : c’est le pourcentage autour de la valeur nominale que le constructeur s’engage ` a respecter. tol´ erance. une r´ esistance n’est jamais pure : elle pr´ esente une inductance en s´ erie et une capacit´ e en parall` ele (figure 4. condensateurs et inductances) . R´ esistance nominale : c’est la valeur annonc´ ee par le constructeur. puissance nominale. Coefficient de tension : c’est l’accroissement de la valeur relative de la r´ esistance en fonction de − 1 la tension appliqu´ ee ` a ses bornes . les r´ esistances de faible valeur (< 30Ω) sont plutˆ ot inductives. Suivant la s´ erie.

Puissance nominale : valeur de la puissance continue que peut dissiper la r´ esistance dans des conditions particuli` eres. D’autre part. Cette puissance maximale d´ epend des mat´ eriaux utilis´ es pour le corps de la r´ esistance et pour le boˆ ıtier. elle se mesure en µV /V . comme l’indique la courbe 4. on n’utilisera la r´ esistance ` a moins de 25 ou 50% de la puissance maximum admissible.R = 260V : la tension maximale ` a ne pas d´ epasser est donc 150 V. Exemple : les r´ esistances ` a couche de carbone de la s´ erie 1/10W ont une tension maximale de 150V . qui d´ epend des mat´ eriaux utilis´ es . √ pour une r´ esistance de 680kΩ de cette s´ erie. 5. en fonction du d´ eplacement du curseur . la tension maximale aux bornes ` a ne pas d´ epasser est la plus faible de ces deux valeurs. et peu de la valeur nominale de celle-ci : elle est donc donn´ ee en fonction de la puissance nominale de la r´ esistance. Tension maximale aux bornes : deux valeurs maximales sont ` a consid´ erer : √ la tension continue P. quand il est rotatif. Les r´ esistances 4.2 V .2 Les potentiom` etres Il peut ˆ etre rotatif ou rectiligne . elle se mesure en pourcentage (Ne pas confondre tol´ erance et stabilit´ e). Pour une r´ esistance donn´ ee. 1 W. pour s’assurer d’une bonne stabilit´ e de la valeur de la r´ esistance. P. Fig. Au dessus de la temp´ erature de 70◦ C .R = 5. la tension continue pour laquelle un arc ´ electrique se forme ` a l’int´ erieur du composant.2. • multi tours (suivant les mod` eles. La loi de commande d´ efinit la variation de la valeur de la r´ esistance entre une extr´ emit´ e et le curseur.R pour laquelle la puissance nominale est atteinte . le plus souvent en air calme (sans ventilation forc´ ee) et ` a une temp´ erature ◦ ambiante inf´ erieure ` a 70 C . 1/8 W. Stabilit´ e : c’est la variation de la valeur effective de la r´ esistance au cours du temps . il peut ˆ etre : • monotour (avec ou sans but´ ee) . 7. de nombreuses lois existent . 6. de ses dimensions et ne d´ epend pas de la valeur nominale de la r´ esistance : les constructeurs produisent donc des s´ eries de r´ esistances en fonction de la puissance nominale annonc´ ee : s´ eries 1/10 W.44 4. P. 2 W.2V : la tension maximale ` a ne pas d´ epasser est donc 5. Tension de bruit : tension engendr´ ee par l’agitation thermique. de 3 ` a 40 tours) pour des r´ eglages de pr´ ecision. la puissance maximum admissible est inf´ erieure ` a la puissance nominale. des dimensions de la r´ esistance. · · · . 1/4 W. √ pour une r´ esistance de 270Ω de cette s´ erie. 4.2 – Pmax admissible en fonction de la temp´ erature ambiante. on distingue plus particuli` erement : 44 . qui d´ epend des mat´ eriaux utilis´ es. 1/2 W.1.1. 4.1 r´ esume les principales caract´ eristiques des r´ esistances ` a couche de carbone. ` a couche m´ etallique et bobin´ ees. Le tableau 4.

1 ` a 2 µV /V 1Ω ` a 10MΩ 1% ` a 1.1 Les r´ esistances variables Les photor´ esistances Une photor´ esistance est un composant dont la r´ esistance varie avec la lumi` ere. Les composants de l’´ electronique R´ esistances ` a couche de carbone 1/10W ` a 2W ±20% . 4.1. on distingue : • les thermistances ` a coefficient de temp´ erature n´ egatif (CTN) : leur r´ esistance diminue avec la temp´ erature . ±10%.5% Tab. ±5% 150V (1/10W) ` a 500V (2W) 10 ` a 20 10−6 V −1 0. 4.1. Fig.1 – Principales caract´ eristiques des r´ esistances.1% 250V (1/6W) ` a 2000V (10W) n´ egligeable n´ egligeable 0.4. figure 4.3 4.1.1Ω ` a 10MΩ < 0. une r´ esistance Rp en parall` ele (la r´ esistance de fuite.2 Les thermistances Une thermistance est un composant dont la r´ esistance varie avec sa temp´ erature . • les thermistances ` a coefficient de temp´ erature positif (CTP) : leur r´ esistance augmente avec la temp´ erature. 4.4. 4.2 Les condensateurs Un condensateur r´ eel. 4. • variation logarithmique inverse (loi C) . 4.5% R´ esistances bobin´ ees 45 Gammes de puissance Gamme de tol´ erance Tension maximale Coefficient de tension Tension de bruit Gamme de valeurs Stabilit´ e (apr` es 1000h) 1/6W ` a 10W ±1% ` a ±0. • variation logarithmique (loi B) . • variation lin´ eaire (loi A) .001 ` a 0. pr´ esente une r´ esistance en s´ erie Rs (r´ esistance des armatures et des connexions).01 µV /V 1Ω ` a 1MΩ 0.2% 100V (1/16W) ` a 750V (2W) 5` a 20 10−6 V −1 0. On distingue les condensateurs non polaris´ es et polaris´ es : 45 .4 – Un condensateur r´ eel. Fig.1% ` a 0.5% R´ esistances ` a couche m´ etallique 1/16W ` a 2W ±5% ` a ±0.3. responsable de la d´ echarge d’un condensateur isol´ e) et une inductance L (qui perturbe le fonctionnement en r´ egime variable).3 – Potentiom` etre.3.

qui imposent que la tension ` a leurs bornes ne devienne jamais n´ egative. 1nF = 10−9 F). ils sont surtout utilis´ es basse fr´ equence.5VA ` a 100VA .3 – Exemples de condensateurs polaris´ es. En g´ en´ eral. mais acceptent des fr´ equences ´ el´ ev´ ees. Condensateurs c´ eramique monocouche 50V 1 pF ` a 1 nF ±10% 10 000 MHz Condensateurs c´ eramique multicouches 50V 1 nF ` a 470 nF ±10% 200 MHz Condensateurs polyester 63V ` a 400V 1 nF ` a 2200 nF ±10% 10 000 MHz Tension continue maximum Gamme de valeurs Tol´ erance Fr´ equence maximum Tab. 46 . Condensateurs ´ electrochimiques ` a l’aluminium 16V ` a 63V 1 µF ` a 10 000 µF −10%/50% 1 kHz Condensateurs au tantale Tension continue maximum Gamme de valeurs Tol´ erance Fr´ equence maximum 16V ` a 35V 0. tension nominale de secondaire : 3V ` a 35V. • Transformateurs ` a´ etrier ou ´ equerre de fixation : puissance de 2. par exemple ` a la sortie d’un pont de diodes. en s´ erie (pour augmenter la tension de sortie). 4.46 4. deux secondaires de tension nominale de 6V ` a 24V. dont la tenue en m´ ediocre (ils deviennent inductifs) . • Transformateurs toriques : rayonnement magn´ etique r´ eduit (tr` es utilis´ es en HiFi) . • Transformateurs pour circuits imprim´ es : puissance de 2VA ` a 15VA. double secondaire de 6V ` a 35V. Les transformateurs basse tension • les condensateurs non polaris´ es.3 Les transformateurs basse tension • Primaire : secteur domestique : 220V. tension de sortie nominale de 6V ` a 24V. puissance de 30VA ` a 300VA . 4. qui peuvent fonctionner aussi bien en alternatif qu’en continu . les condensateurs non polaris´ es sont de faible capacit´ e (1 pF = 10−12 F.2 – Exemples de condensateurs non polaris´ es. Ce sont des condensateurs de fortes valeurs. 4. 50Hz. • Certains mod` eles comportent deux secondaires isol´ es : ceux-ci peuvent ˆ etre dispos´ es en parall` ele (pour augmenter le courant de sortie). secondaire simple ou double.3. • les condensateurs polaris´ es.1 µF ` a 100 µF ±20% 100 kHz Tab.

– dopage type P : Bore. transistor : 2 N xxxx. premi` ere lettre (nature du mat´ eriau) : A (Germanium) . Semiconducteurs intrins` eques ‘dop´ es’.2 Semiconducteurs intrins` eques et extrins` eques (figure 4.4.5 – Principaux composants semiconducteurs.4. Bismuth . isolants : souvent sup´ erieur ` a 1010Ωm) .4. Les composants de l’´ electronique 47 4. 4. comme principalement : le germanium & le silicium.1 Les semiconducteurs D´ efinition C’est un corps dont la r´ esistivit´ e: • est comprise entre 10−6 Ωm et 10−4 Ωm (m´ etaux ≈ 10−8 Ωm. • diminue avec la temp´ erature. • Classification am´ ericaine : • Classification europ´ eenne : les deux premi` eres lettres caract´ erisent le dispositif. Gallium. 4.3 Classification des dispositifs ` a semiconducteurs diode : 1 N xxxx . B (Silicium) .5) Corps purs (taux d’impuret´ e < 10−10 ). – dopage type N : Antimoine. Phosphore.4 4. c’est ` a dire auxquels des impuret´ es sont ra− 4 − 6 jout´ ees (taux 10 ` a 10 ).4. Arsenic. Indium. 4. 47 . Intrins` eques : Extrins` eques : Fig. Aluminium.

5 Calculs des temp´ eratures et des radiateurs Tout composant (actif ou passif) travers´ e par un courant consomme une puissance qui provoque une ´ el´ evation de temp´ erature par rapport au milieu ambiant. L’objet de cette partie est de pr´ esenter les calculs classiques qui peuvent ˆ etre entrepris. 4. Si la puissance consomm´ ee est constante. 4. Cette diff´ erence de temp´ erature entraˆ ıne un transfert thermique du composant vers le milieu ambiant. la temp´ erature du composant tend vers une valeur d’´ equilibre. une r´ esistance thermique s’exprime ◦ en Celcius/Watt ( C/W).6). B et C (figure 4. de temp´ eratures respectives TA et TB (figure 4. au del` a de laquelle il peut ˆ etre d´ etruit. A l’´ equilibre.2 R´ esistances thermiques en s´ erie Soient trois milieux A.1 R´ esistance thermique D´ efinition Soient deux milieux A et B.5. Z : diode Zener. TB et TC . A l’´ equilibre : TA − TB = RθAB PAB TB − TC = RθBC PBC PAB = PBC 48 . les temp´ eratures en Celcius (◦ C). peut-il dissiper une certaine puissance ? • Quel radiateur choisir ? Quelle est alors la temp´ erature de sa jonction.5.6 – R´ esistance thermique.7). 4.1 4. • Le composant seul peut-il dissiper une certaine puissance ? Quelle est la temp´ erature de sa jonction. D : transistor de puissance . F : transistor pour radio-fr´ equence . Y : diode de redressement .1.1. de temp´ eratures respectives TA . Soit RθAB la r´ esistance thermique entre A et B et RθBC celle entre B et C. Fig. Or tous les composants imposent une temp´ erature maximale de fonctionnement. du boˆ ıtier ? 4. ces grandeurs sont li´ ees par la relation : TA − TB = RθAB PAB Si les puissances sont en Watt (W). C : transistor pour audio-fr´ equence .5.48 4. du boˆ ıtier ? • Associ´ e` a un radiateur.5. Calculs des temp´ eratures et des radiateurs deuxi` eme lettre (fonction du dispositif) : A : diode . Soit RθAB la r´ esistance thermique entre A et B. Soit PAB la puissance transmise de A vers B par transfert thermique.

7 – R´ esistances thermiques en s´ erie. En cas de ventilation forc´ ee.2. 4. et RθJC (entre la jonction boˆ ıtier).5. Fig. La courbe en gras correspond ` a la puissance maximale dissible en fonction de la temp´ erature TA de l’air ambiant.4.8 – Graphe de P = f (TA ). De plus. 4. 4.2 Composant seul Le premier point est de connaˆ ıtre la puissance maximale qu’un composant plac´ e ` a l’air libre peut dissiper. en faisant abstraction du milieu B. 49 .2 Zone admissible et puissance maximale dissipable La zone admissible des puissances d´ epend de la temp´ erature TA de l’air ambiant et a l’allure montr´ ee sur la figure 4.2. on peut ´ ecrire (avec PAC = PAB = PBC ) : TA − TC = RθAC PAC Il vient : RθAB + RθBC = RθAC Les r´ esistances thermiques en s´ erie s’additionnent.8.1 Chaˆ ıne thermique 4.5. dans un second temps.5. Pour r´ epondre rapidement ` a cette question. des calculs de temp´ erature peuvent ˆ etre entrepris : les constructeurs fournissent g´ en´ eralement les r´ esistances thermiques RθJA (entre la jonction et l’air ambiant calme). Les composants de l’´ electronique 49 Fig. Ensuite. la valeur de RθJA est abaiss´ ee. 4. les constructeurs fournissent la courbe de dissipation maximale.

pour un boˆ ıtier de type KC. est une caract´ eristique propre au radiateur dans un air calme et est fournie par son constructeur.2. 50 .5.5. Pmax−c = 15W .50 4. La r´ esistance thermique RθJC est fournie par le constructeur . RθCR d´ epend du boˆ ıtier et de la liaison ◦ m´ ecanique entre le boˆ ıtier et le radiateur : suivant les cas. en cas de ventilation forc´ ee. La temp´ erature de la jonction est donn´ ee par : TJ = TA + RθJA P Et celle du boˆ ıtier : TC = TA + (RθJA − RθJC )P 4. Cependant. la valeur de RθRA diminue. pour un r´ egulateur de tension int´ egr´ e de type 78xx. L’int´ erˆ et de cette technique est que RθCR + RθRA soit inf´ erieur ` a la r´ esistance thermique entre le boˆ ıtier sans radiateur et l’air libre.2 Zone admissible et puissance maximale dissipable La zone admissible des puissances d´ epend de la temp´ erature TC du boˆ ıtier et a l’allure montr´ ee sur la figure 4.5. ◦ ◦ Tcm = 90 C et la pente de la droite est −250mW/ C .3 Temp´ eratures de jonction et de boˆ ıtier Les constructeurs fournissent g´ en´ erallement les r´ esistances thermiques RθJA (entre la jonction et l’air ambiant). pour un boˆ ıtier de type KC.3 Composant associ´ e` a un radiateur Dans le cas o` u un composant plac´ e` a l’air libre ne peut pas dissiper la puissance demand´ ee. La table 2 permet de la retrouver .3. 4. L` a encore. La courbe en gras correspond ` a la puissance maximale dissible en fonction de la temp´ erature TC du boˆ ıtier. par exemple.9 – Chaˆ ıne thermique. cette courbe n’est pas directement fournie par les caract´ eristiques ` a partir de la page 165. la seule solution est de lui adjoindre un radiateur afin de favoriser l’´ echange thermique avec l’air ambiant. Les questions qui se posent alors sont : • quel est la puissance maximale que le composant peut dissiper ? • quel radiateur choisir ? 4. souvent appel´ ee ` a tort ‘r´ esistance thermique du radiateur’.5. elle varie entre environ 3 C/W et 6◦ C/W . pour un r´ egulateur de tension int´ egr´ e de type 78xx.10.5. cette courbe n’est pas directement fournie par les caract´ eristiques ` a partir de la page 165. 4. 4. Tam = 25◦ C et la pente de la droite est −16mW/◦ C .3.1 Chaˆ ıne thermique Fig. et RθJC (entre la jonction et le boˆ ıtier). Pmax−a = 2W . par exemple. La table 1 permet de la retrouver . Calculs des temp´ eratures et des radiateurs Cependant.RθRA .

La temp´ erature de l’air ambiant est de 50◦ C . • La temp´ erature du boˆ ıtier doit ˆ etre inf´ erieure ` a 100◦ C . Quelle est la r´ esistance thermique maximum du radiateur ? • On dispose d’un radiateur de r´ esistance thermique de 10◦ C/W .3.4. du boˆ ıtier et de la jonction ? 51 .10 – Graphe de P = f (TC ). 4. La r´ esistance ◦ thermique entre le boˆ ıtier et le radiateur est 1 C/W . Les composants de l’´ electronique 51 Fig. Quelles sont les temp´ eratures du radiateur.5. 4.3 Temp´ eratures de jonction et de boˆ ıtier Ce sont toujours les mˆ emes relations qui servent : entre la jonction et le boˆ ıtier : entre le boˆ ıtier et le radiateur : entre le radiateur et l’air ambiant : TJ = TC + RθJC P TC = TR + RθRC P TR = TA + RθRA P Exemple un r´ egulateur int´ egr´ e 78xx dissipe 2W.

5. Calculs des temp´ eratures et des radiateurs 52 .52 4.

2 Caract´ eristiques d’une jonction PN IDM = f (UAK ) Le comportement d’une diode peut se d´ eduire de sa caract´ eristique courant . La diode est dite sous polarisation directe si VAK > 0a . La r´ eunion des deux zones de dopage. 5. le courant ne d´ epend pratiquement plus que de la r´ esistance totale du circuit.N. sur une mˆ eme plaquette de silicium.1 Polarisation directe Le courant croˆ ıt exponentiellement en fonction de VAK . La tension de seuil est la tension n´ ecessaire ` a appliquer ` a la diode pour qu’elle devienne conductrice. donc ne d´ epend pas uniquement de la loi d’ohm. Nous donnerons quelques notions sur des composants tels que les diodes de commutation et de redressement.6V pour le Si ( 0.2.2V pour le Ge). s’appelle une jonction PN. a A = Anode & K = cathode. ` a savoir dopage P et dopage N. inverse quand il est n´ egatif.tension : La courbe obtenue n’´ etant pas une droite (figures ci-dessous).1 Symbole et d´ efinition Une diode est un ´ el´ ement en silicium form´ e de deux r´ egions de dopage diff´ erent. Le courant I est direct quand il est positif. Zener. Vseuil 0. 5.Chapitre 5 La diode ` a jonction PN Dans ce chapitre nous allons examiner les propri´ et´ es d’une jonction P. Ce qui signifie que le courant qui circule dans l’´ el´ ement n’est pas proportionnel ` a la tension appliqu´ ee. 5. Limite d’utilisation : maximum admissible IDM du courant direct permanent ( → puissance que peut dissiper la diode). Elle est dite sous polarisation inverse si VAK < 0. nous parlons d’un ´ el´ ement non-lin´ eaire. 53 . Au del` a de la tension de seuil. Fig.1 – Symbole. 5. les diodes de d´ etection · · · .

2 Polarisation inverse La tension inverse maximale VRM et le courant de fuite IS caract´ erisent le comportement de la jonction PN sous tension inverse . temp´ erature de la jonction trop ´ el´ ev´ ee (puissance dissip´ ee par la diode trop importante). l’effet d’avalanche (si |VRM | > 8V pour le Silicium). ` a partir de laquelle il augmente tr` es rapidement. Le courant inverse atteint la valeur −IS sous tr` es faible tension inverse . 54 . En polarisation directe : • la tension est toujours faible (< 2V ) . Sous tension inverse continue. tension trop importante (→ arc ´ electrique) .2. l’effet Zener (si |VRM | < 5V pour le Silicium).2. • pour les autres diodes. une jonction PN est sp´ ecifi´ ee par : 1. • Tension inverse permanente maximum . Deux ph´ enom` enes peuvent intervenir : 1. 2. et/ou 2.2. Caract´ eristiques d’une jonction PN 5. Certaines diodes (dites ”Zener”) sont pr´ evues pour fonctionner au del` a de VRM . la tension inverse maximum admissible 2.3 Destruction d’une diode Deux causes : 1. le courant de fuite (valeur du courant inverse sous une certaine tension inverse). ce courant d´ epend de la temp´ erature ambiante . courant inverse maximum de fa¸ con ` a ne pas d´ epasser la temp´ erature maximum admissible . Au del` a de la tension d’avalanche : courant inverse important : • pour les diodes Zener.54 5. ces param` etres d´ ependent du type de la diode. courant direct de surcharge : valeur maximum admissible dans un court instant . leur destruction est imm´ ediate. 5. En polarisation inverse (En de¸ c` a de la tension d’avalanche ) : • le courant inverse est tr` es faible . • courant direct important : courant direct permanent maximum de fa¸ con ` a ne pas d´ epasser la temp´ erature maximum admissible (ce courant d´ epend de la temp´ erature ambiante) . puis il augmente ensuite r´ eguli` erement (en suivant grossi` erement la loi d’Ohm) et ceci jusqu’` a la tension inverse maximale VRM . D´ epasser la tension VRM ne signifie pas n´ ecessairement la destruction de la jonction : celle-ci est en fait provoqu´ ee par un courant inverse trop important. et peuvent varier notablement entre diodes de mˆ eme type.

1 Un exemple de diode de redressement : la diode BY252 C’est la diode de redressement utilis´ ee en projet. – Tension d’avalanche de quelques volts ` a une centaine de volts . – En Silicium. 5.2 Polarisation inverse Pr´ esence d’une capacit´ e de transition (1pF < Ct < 100pF ) – Ct Cs . – Forte tension inverse admissible (de 50V ` a plusieurs milliers de Volts) . Diodes Zener Diodes de d´ etection Diodes ´ electroluminescentes 5. On y rel` eve notamment : 55 . 5.3.5. – Ars´ eniure de Gallium. – Ct d´ epend de la valeur de la tension inverse appliqu´ ee.4 Diff´ erents types de diodes Diodes de commutation et de redressement – Fort courant direct admissible (de quelques Amp` eres ` a plusieurs milliers d’Amp` eres) . • La tension inverse maximum acceptable en continu.1 Capacit´ e d’une jonction PN Polarisation directe Pr´ esence d’une capacit´ e de stockage (1nF < Cs < 1µF ) 5. – Faible puissance exig´ ee (20mA sous 1.5. Voir ses caract´ eristiques page 146. – Cs et Ct tr` es faibles .3. – En Silicium. mais peu intenses (< 50mA) – En Germanium . Dans bien des cas.3 5. seuls deux param` etres sont n´ ecessaires pour choisir une telle diode : • Le courant direct maximum acceptable en continu.5 Diodes de redressement Ces diodes utilisent la fonction premi` ere d’une jonction PN : laisser passer le courant uniquement dans un seul sens. – Redressement des courants de ”haute” fr´ equence. La diode ` a jonction PN 55 5.6V) .

fixent les caract´ eristiques d’un mod` ele particulier : VD est la tension de seuil de diode. • Figure 3 : courant direct en fonction de la tension directe : Courant : ´ echelle log. tension : ´ echelle lin´ eaire . 56 . sous la tension inverse continue maximum ` a 25 ˚ C. • On en d´ eduit : puissance maximum dissipable en continu (jusqu’` a 75◦ C ) : 1V ∗3A = 3W (voir figure 1) . • Le courant inverse : (figure 5) inf´ erieur ` a 0.6V (Silicium). 5.0V pour un courant direct de 3A . 5.5. • La chute de tension directe : au plus 1. L’´ equation d’une diode lin´ earis´ ee : si VAK VD alors I = 0 (circuit ouvert) si VAK VD alors VAK = VD + Rd I (I > 0. – UT : une valeur qui d´ epend de la ◦ temp´ erature (` a 25 C. 5.2 Mod´ elisations d’une diode de redressement La capacit´ e de la jonction est n´ eglig´ ee dans toutes les mod´ elisations suivantes.56 • La tension inverse continue admissible : 400V .5. Tension de seuil : 0.4µA. g´ en´ erateur).1 Mod´ elisation utilisant la loi de Shockley I = IS e λUT − 1 o` u: – IS : courant de saturation inverse .5.2. UT =26mV). Diodes de redressement • Le courant direct de surcharge accidentelle : 150A pendant au plus 8. VD et Rd . – λ : un coefficient compris entre 1 et 2 .2 Jonction PN “lin´ earis´ ee” VAK Deux param` etres. • Le courant direct moyen admissible en continu : 3A . et Rd sa r´ esistance dynamique.3ms .5. 5.2.

5. • Prendre un point sur la droite : en choisissant VAK = 1V et I =7A.057Ω I en choisissant VAK =1.5. si VAK VD alors I = 0 (circuit ouvert) si I 0 alors VAK = VD (g´ en´ erateur).2.020Ω I 5. alors : Rd = VAK − VD = 0.6V .5. Ce sch´ ema est ` a utiliser chaque fois que la tension directe est n´ egligeable devant les autres tensions.4 Jonction PN “id´ eale” Dans ce sch´ ema est n´ eglig´ ee la chute de tension directe.2V et I =30A.3 Jonction PN “id´ eale avec tension de seuil” Cette mod´ elisation est utilis´ ee chaque fois que la tension VD n’est n´ egligeable devant les autres tensions.2. Comment calculer Rd ? Voir les caract´ eristiques prises sur la figure 1. page 146. • VD = 0. alors : Rd = VAK − VD = 0. La diode ` a jonction PN 57 Il faut bien r´ ealiser que la lin´ earisation de la caract´ eristique d’une diode est une op´ eration grossi` ere : ceci revient ` a assimiler une exponentielle ` a deux segments de droite. 57 .5. mais que ses variations le sont.

2 Second exemple • Diode id´ eale : I = E R = 0. Rd = 0. 58 . E −VD R • Diode id´ eale avec tension de seuil : I = = 0. car il ne faut jamais faire d´ ebiter un g´ en´ erateur de tension parfait dans une diode : il faut toujours placer une r´ esistance en s´ erie avec une diode.14A . alors : I = Si on choisit Rd = 0.020Ω.1 Quelle mod´ elisation adopter ? Premier exemple • En supposant la diode id´ eale : la r´ esolution est impossible .5.2A .5A Puissance dissip´ ee par la diode : 2V ∗70A = 140W ou 2V ∗24.057Ω.6V .020Ω ou 0. la puissance est tr` es largement sup´ erieure ` a la puissance maximum dissipable en continu (≈ 3W). Les deux premi` eres mod´ elisations ne donnent pas de r´ esultat. • Diode lin´ earis´ ee : VD = 0.58 5. Si on choisit Rd = 0. alors : I = VAK −VD Rd VAK −VD Rd = 70A = 24.6V .5A = 49W . en fait. • Diode lin´ earis´ ee : VD = 0.3. 5.5. Rd = 0. 5.3. • Diode id´ eale avec tension de seuil : la r´ esolution est impossible .3 5. Dans les deux cas. les mod´ elisations sont tr` es mal adapt´ ees ` a ce montage. Diodes de redressement si VAK 0 alors I = 0 (circuit ouvert) si I 0 alors VAK = 0 (g´ en´ erateur).057Ω.057Ω.5.020Ω ou 0. et la derni` ere ` a peine un ordre de grandeur .5.

le courant I ne d´ epend pratiquement pas de Rd .3 – Redressement double alternance non filtr´ e. alors : I = Comme R VAK −VD R + Rd VAK −VD R + Rd 59 = 0.1392A Rd . Elles sont g´ en´ eralement employ´ ees pour obtenir des tensions de r´ ef´ erence dans des montages stabilisateurs de tension.6 Les diodes Zener Ces diodes sont con¸ cues pour ˆ etre utilis´ ees au del` a de la tension VRM . 5. 5.057Ω.5. Fig. 5.4 – Redressement double alternance filtr´ e. Fig.1397A = 0.2 – Redressement mono-alternance non filtr´ e (` a vide).5).020Ω. leur conception assure d’une certaine stabilit´ e de cette tension.5. 5.4 Utilisation des diodes de redressement Fig. Remarque : les constructeurs proposent dans un mˆ eme boˆ ıtier des ponts de redressement constitu´ es de quatre diodes identiques (voir figure 5. alors : I = Si on choisit Rd = 0. La diode ` a jonction PN Si on choisit Rd = 0. 5. Les principaux param` etres qui caract´ erisent une diode Zener sont : 59 .

• la puissance maximum dissipable en continu d´ epend du boˆ ıtier.6.6V . La mod´ elisation est caract´ eris´ ee par les deux param` etres VZ 0 et RZ 0 : Puissance dissip´ ee dans une diode Zener : PZ = VZ IZ 60 .7V . 5. et vaut 500mW pour toutes les diodes de la famille .5 – Redressement double alternance filtr´ e. Fig. Les diodes Zener Fig. Valeurs typiques pour une diode Zener 6. • courbes caract´ eristiques : changement de signe de VZ et de IZ . page 147. • la puissance maximale dissipable en continu (ce qui permet d’obtenir IRM ).2 Une mod´ elisation des diodes Zener Une mod´ elisation simple conduit ` a assimiler la caract´ eristique d’une diode Zener ` a deux segments de droite . dont les caract´ eristiques sont donn´ ees au.6 – Caract´ eristiques d’une diode Zener & Symbole. • la tension inverse VRM . 5. remarquer le changement du sens conventionnel du courant et de la tension dans la diode. • pour la diode BZX55-C75 : 75V. La tension inverse s’´ echelonne suivant les mod` eles : • pour la diode BZX55-C2V7 : 2.1 Un exemple de diode Zener Famille BZX55 de diodes Zener.6.2V : 5.6.8V < VZ 0 < 6.60 5. RZ 0max = 10Ω 5. 5.

5. dont la tension de Zener est la somme des tensions de Zener des deux diodes. 61 . 5. 5.1 – Mod´ elisation d’une diode Zener.1 : “Diode Zener”. page 125. et dont la r´ esistance dynamique est la somme des r´ esistances dynamiques des deux diodes.7 – Montage ` a diode Zener.3 Utilisation typique d’une diode Zener : la r´ egulation en tension Voir l’exercice A.5. La diode ` a jonction PN Condition 0 VZ VZ 0 VZ VZ 0 Equation IZ = 0 VZ = VZ 0 + RZ 0 IZ Commentaire diode Zener bloqu´ ee diode Zener passante 61 Tab. mais devient importante quand la diode est passante. soit les diodes Zener sont toutes deux passantes : VZ 2 V Z 10 + V Z 20 VZ = [VZ 10 + VZ 20 ] + [RZ 10 + RZ 20 ]IZ Conclusion : Deux diodes Zener en s´ erie se comportent comme une diode Zener unique. soit les diodes Zener sont toutes deux bloqu´ ees : VZ 2 VZ 10 + VZ 20 alors IZ = 0 2.4 Diodes Zener en s´ erie ´ • Equation de la si VZ 1 VZ 10 si VZ 1 VZ 10 ´ • Equation de la si VZ 2 VZ 20 si VZ 2 VZ 20 • Les diodes Zener IZ 1 = IZ 2 = IZ V Z 1 = VZ 2 = V Z diode Zener Z1 : alors IZ 1 = 0 alors VZ 1 = VZ 10 + RZ 10 IZ 1 diode Zener Z2 : alors IZ 2 = 0 alors VZ 2 = VZ 20 + RZ 20 IZ 2 sont en s´ erie : Deux cas possibles : 1.2. Cette puissance est nulle quand la diode Zener est bloqu´ ee. 5.6. Fig.6.

6. RZ 10 = 4Ω. • Supposons VZ 10 = VZ 20 : En pratique ce n’est jamais le cas. Les diodes Zener 5.62 5. 62 . Conclusion : Brancher deux diodes Zener en parall` ele ne sert ` a rien : c’est toujours la diode dont la tension de Zener est la plus faible qui absorbera toute la puissance.5 Diodes Zener en parall` ele ´ de la • Equation si VZ 1 VZ 10 si VZ 1 VZ 10 ´ • Equation de la si VZ 2 VZ 20 si VZ 2 VZ 20 diode Zener Z1 : alors IZ 1 = 0 alors VZ 1 = VZ 10 + RZ 10 IZ 1 diode Zener Z2 : alors IZ 2 = 0 alors VZ 2 = VZ 20 + RZ 20 IZ 2 • Supposons VZ 10 < VZ 20 : Z1 devient passante avant Z2 Par exemple : VZ 10 = 6. Z1 atteindra donc son point de dissipation maximum (500mW) avant que Z2 ne conduise. Sous la tension VZ 20 .2 V .8V. la diode Zener Z1 dissipe : VZ 20 ∗ VZ 20 −VZ 10 R Z 10 = 1 W. VZ 20 = 6.6.

trois tensions et trois courants .1 et 6. 6. celui de la jonction base-collecteur est radicalement diff´ erent. ` a tout instant. Emetteur (E) et Collecteur (C) pour les deux autres. En effet. les identit´ es suivantes sont v´ erifi´ ees : 63 . • la tension entre base et ´ emetteur (vBE pour les transistors NPN. Fig. Mais il ne faut pas en d´ eduire le comportement d’un transistor bipolaire : en effet. Les deux jonctions entre base et ´ emetteur d’une part. base et collecteur d’autre part constituent deux diodes. s´ epar´ ees par une zone de conductibilit´ e contraire : on obtient ainsi un ‘sandwich’ NPN ou PNP. d’un point de vue th´ eorique.1 Grandeurs utiles A un instant donn´ e. Fig.2 – Transistor PNP. Ces trois zones sont accessibles ´ electriquement de l’ext´ erieur. mis en ´ evidence par Shockley en 1948. si le comportement de la jonction base´ emetteur est tr` es semblable ` a celui d’une diode. on ne consid´ erera que les quatre grandeurs suivantes : • le courant de base iB . 6. • le courant de collecteur iC . et portent les noms de : Base (B) pour la zone centrale. correspondant aux transistors bipolaires NPN et PNP (figures 6. qui intervient ici. 6. par la proximit´ e de deux jonctions : c’est l’effet transistor.2).1 D´ efinitions & Symboles Un transistor bipolaire est un dispositif en Silicium ou en Germanium comprenant deux zones de conductibilit´ es semblables (N ou P).1 – Transistor NPN. • la tension entre collecteur et ´ emetteur (vCE pour les transistors NPN.1. le point de fonctionnement d’un transistor est caract´ eris´ e par ‘six grandeurs’.Chapitre 6 Les transistors bipolaires 6. vEB pour les PNP) . vEC pour les PNP).

pr´ ecis´ ee par le constructeur.1 et 6. y compris celui-ci. Evidemment. au §6. les transistors NPN et PNP pr´ esentent un comportement ‘int´ eressant’ uniquement sous certaines conditions de courant et de tension . nous verrons plusieurs autres techniques. vCE et iC . le param´ etrage int´ eressant d’un transistor consiste en l’utilisation des relations ‘hybrides’ : vBE (iB. Cependant. ou vBC = vEC − vEB (pour les PNP).3 Puissance dissip´ ee dans un transistor La puissance instantan´ ee dissip´ ee dans un transistor est : Transistor NPN p = vCE iC + vBE iB Transistor PNP p = vEC iC + vEB iB Dans la plupart des cas. 6. iB .1 Polarisation d’un transistor : Montage Emetteur Commun (MEC) Cas d’un transistor NPN Le montage 6. vCE ). 6. il existe de nombreuses mani` eres de polariser un transistor : au §6. il faut s’assurer que la tension base-collecteur ne d´ epasse pas une certaine valeur limite. il faut que le transistor soit polaris´ e: Un transistor est polaris´ e quand il est connect´ e ` a un circuit ext´ erieur qui impose des courants et tensions dans les sens indiqu´ es dans les figures 6.1.5. Le transistor est consid´ er´ e comme un quadripˆ ole : son comportement est sp´ ecifi´ e par deux relations ind´ ependantes entre vBE .2. est dit “Emetteur commun” car l’´ emetteur est commun au circuit d’entr´ ee et au circuit de sortie. Polarisation d’un transistor : Montage Emetteur Commun (MEC) • vCB = vCE − vBE (pour les NPN). car responsable de l’´ echauffement du transistor. nous pr´ esentons une premi` ere technique (la plus simple pour appr´ ehender le fonctionnement d’un transistor) . d’un point de vue pratique.2. vCE ) et iC (iB.3 – Polarisation d’un transistor. Introduire dans les calculs iE et vCB ne pr´ esente aucun int´ erˆ et1 . comprenant un transistor NPN. de plus.2.64 • iE = iB + iC .2 Polarisation d’un transistor Comme beaucoup de dispositifs ´ el´ ementaires ` a semi-conducteurs. 6.1.2. Pour fonctionner correctement.2 6. sauf dans des situations tr` es particuli` eres. page 73. ils ne supportent pas des tensions et courants alternatifs.3. 6. 6. 1 64 . dans la plupart des montages. Fig. seule la puissance moyenne dissip´ ee est importante.

Dans ces trois essais. respectivement.7 et 6.2.9.2. 6.6 – RBB = 34. 6.6.8.2. qui est en fait faiblement n´ egatif (quelques nA).9 kΩ comme montr´ e.4 – Transistor bloqu´ e. nous pouvons constater : • le rapport IC IB varie peu .5 – Transistor bloqu´ e. Fig. 6.3 pour plus de d´ etails Il est d´ elicat de mesurer la tension base-´ emetteur car la pr´ esence d’un appareil de mesure pertube significativement le montage. • la puissance dissip´ ee dans la base VBE IB est n´ egligeable devant la puissance dissip´ ee dans le collecteur VCE IC .1 Exemples de polarisation Transistor bloqu´ e2 Dans le montage 6. il en est de mˆ eme pour le courant de base.6.2 6.2 kΩ. • la tension vBE varie peu .2 Transistor dans la zone active Nous avons proc´ ed´ e ` a trois essais suivant trois valeurs diff´ erentes de la r´ esistance d’entr´ ee RBB . P = VBE IB + VCE IC = 0.2 kΩ. un courant de collecteur ICE0 existe.08mW + 93mW et IC IB = 75. 6. la base est 3 ‘flottante’ . ` a savoir 34. base court-circuit´ ee.2. Il vaut quelques nano.2. nous allons calculer la puissance dissip´ e par la transistor. Dans les trois cas. o` u la base est ouverte. Fig. base ouverte.5.Amp` ere pour un transistor au Silicium. 3 2 65 . 6. Dans les deux cas. quelques micro-Amp` ere pour un transistor au Germanium. Les transistors bipolaires 65 6. Pour le second montage. 22 kΩ et 13. sur les figures 6. Le ph´ enom` ene primordial ` a observer est le suivant : Voir §6. Fig. le courant de base est ´ evidemment nul .

2.1. Ce rapport est appel´ e gain statique en courant et est not´ e “β ”. et valant entre 50 et 300 suivant les transistors et les conditions d’utilisation. P = VBE IB + VCE IC = 0. dans un rapport ` a peu pr` es constant. le collecteur se comporte pratiquement comme un court-circuit .5. Fig. 6. le collecteur est pratiquement assimilable ` a un circuit ouvert . 6.7 – RBB = 22 kΩ. quand le transistor est satur´ e (figure 6. Fig. 6. Une faible variation du courant de base entraˆ ıne une variation importante du courant de collecteur.2mW et IC IB = 41.2.66 6. le courant de collecteur d´ epend alors faiblement du courant de base ne peut d´ epasser une valeur limite fix´ ee par le reste du circuit (ici 15V/560Ω=26.9 – RBB = 22 kΩ et EBB =15V. Polarisation d’un transistor : Montage Emetteur Commun (MEC) P = VBE IB + VCE IC = 0.2 kΩ.13mW + 100mW et IC IB = 70. 66 . P = VBE IB + VCE IC = 0.6mW et IC IB = 72.3 Transistor satur´ e Le collecteur d’un transistor ne fait que r´ esister au passage du courant : quand le transistor est bloqu´ e. Fig.9).47mW + 3.2. dans l’autre situation extrˆ eme.22mW + 53. 6.8 – RBB = 34.8mA) : augmenter le courant de base n’alors plus aucun effet sur le courant collecteur.

6.2.6.5 Puissance dissip´ ee par transistor dans le cas d’un MEC La puissance dissip´ ee est : P = VBE IB + VCE IC .2. 67 .3 Caract´ eristiques des transistors NPN Les caract´ eristiques de transistors NPN et PNP sont analogues : seuls changent les signes des tensions et courants.2. en exprimant VCE en fonction de IC grˆ ace au dipˆ ole de sortie : 2 P ≈ VCE IC = (ECC − RC IC ) IC = −Rc IC + EC CIC Un transistor bloqu´ e ne dissipe aucune puissance .2. un transistor satur´ e dissipe peu (n´ egliger VBE IB devant VCE IC n’est pas toujours possible) .10 – Collecteur ouvert. en premi` ere approximation. Les transistors bipolaires 6.2. D’o` u. VBE IB peut ˆ etre n´ eglig´ e devant VCE IC .4 Collecteur ouvert 67 Ici est mis en ´ evidence un ph´ enom` ene de moindre importance : par comparaison avec les valeurs obtenues lors de la saturation. 6. on observe l’influence du courant collecteur sur le courant de base et la tension base-´ emetteur. la puissance est maximale pour VCE = E/2. Fig.3 MEC : cas d’un transistor NPN 6. 6.

2 Caract´ eristique Emetteur-Collecteur Comme montr´ e sur la figure 6. le courant collecteur prend la valeur ICE0 (Silicium : quelques nA. le plus souvent assimilable ` a 0. Fig.1 Caract´ eristique Base-Emetteur Le comportement de la jonction base-´ emetteur base d’un transistor est celui d’une jonction PN sous polarisation directe.12.2.12 – Caract´ eristiques ´ emetteur-collecteur d’un transistor NPN au Silicium.3.2 la zone active La zone active est caract´ eris´ ee par un courant de base non nul et une tension collecteur-´ emetteur ni trop faible (sinon saturation).3. appel´ ee courant de fuite du collecteur . 6. 6. remarquer cependant que IC croˆ ıt l´ eg` erement 68 . la caract´ eristique ´ emetteur-collecteur est celle d’une jonction PN polaris´ ee en inverse .11 – Caract´ eristique base-´ emetteur d’un transistor NPN au Silicium. le transistor est dit dans l’´ etat bloqu´ e.3.3. Ce courant est une fonction exponentielle de la tension base ´ emetteur et augmente l´ eg` erement avec la tension ´ emetteur collecteur (non repr´ esent´ e ici). 6. parcourue par le courant ‘iB + iC ’. 6. Germanium : quelques µA). ni trop forte (avalanche) . Fig.2. la caract´ eristique ´ emetteur-collecteur fait apparaˆ ıtre quatre zones distinctes.68 6.3.1 la zone de blocage Quand la base est ouverte (IB = 0) ou court-circuit´ ee (IB ≈ 0). Un transistor bloqu´ e dissipe une puissance tr` es faible VCE ICE0 . Caract´ eristiques des transistors NPN 6. 6.

pr´ esente un int´ eret en logique num´ erique et en ´ electronique de puissance.3.3. comme la tension VBE varie faiblement en fonction du courant de base (et reste g´ en´ erallement <0.3. en r´ ealit´ e: • pour deux transistors d’un mˆ eme type. la puissance dissip´ ee dans la base est n´ egligeable devant celle dissip´ ee dans le collecteur. β peut varier d’un facteur qui peut atteindre plusieurs unit´ es .6.2.1 Valeurs limites ` a ne pas d´ epasser Valeurs limites applicables ` a la jonction BE • la tension base-´ emetteur peut ˆ etre n´ egative. 6. 6. qu’il faut ´ eviter en amplification.3. • β d´ epend de la temp´ erature des jonctions du transistor . C’est dans la zone active que la puissance dissip´ ee est la plus forte . Le gain statique en courant β est ` a peu pr` es constant .4 la zone d’avalanche La zone d’avalanche voit le courant de collecteur augmenter tr` es rapidement avec la tension collecteur´ emetteur.2 Valeurs limites applicables ` a la caract´ eristique CE • la valeur instantan´ ee du courant collecteur ne doit pas devenir n´ egative . aucune valeur limite positive n’est pr´ ecis´ ee pour cette tension. le courant de base n’est alors jamais n´ egatif. 69 . Fig. 6. on peut n´ egliger ICE0 devant IC . 6.3. Dans la plupart des cas.3 6.3.3. dans les mˆ emes conditions de fonctionnement. 6. cette zone.13 – Valeurs limites applicables ` a la jonction BE. entraˆ ınant une augmentation de la puissance dissip´ ee. Les transistors bipolaires 69 avec VCE . et g´ en´ eralement la destruction rapide du transistor : c’est donc une zone qu’il faut ´ eviter. ` a condition de ne pas devenir inf´ erieure ` a −VbrEB (qui vaut quelques Volts) . le gain dynamique en courant d´ epend de la dynamique des courants dans le transistor.2. donc l’´ echauffement du composant. • β d´ epend du courant ic (β diminue avec les faibles et fortes valeurs de ic . La puissance dissip´ ee par un transistor satur´ e est faible. • la valeur efficace du courant collecteur ne doit pas exc´ eder la valeur ICmax . • la valeur efficace du courant de base ne doit pas d´ epasser la valeur limite IBmax .8V).3 la zone de saturation Le courant de collecteur d´ epend peu du courant de base et est fix´ e par le reste du montage . et est diff´ erent du gain statique β . • si les courants ne sont pas constants.

ic ) une hyperbole dite ‘de dissipation maximale’ (figure 6. 6. • VCE IC 6. pr´ esence d’un radiateur.3.14 – Valeurs limites applicables ` a la jonction CE. 6. 6. du moment que la temp´ erature des jonctions reste en de¸ c` a de la temp´ erature maximale.3. • la valeur instantan´ ee dela tension collecteur-´ emetteur vCE ne doit pas d´ epasser la valeur VbrCE (risque d’avalanche) .3.4 Exemples de transistors NPN au Silicium Voir les extraits des notices constructeur dans le chapitre C : • des transistors de faible puissance : les BC107. Germanium : 65◦ C) .3. vCE VbrCE . du boˆ ıtier. • un transistor de puissance moyenne : le 2N1711 (page 151) .3 Valeur limite applicable ` a la jonction BC • la tension instantan´ ee entre base et collecteur ne doit pas d´ epasser une valeur limite VbrCE . • la puissance moyenne dissip´ ee par le transistor : les jonctions du transistor ne doivent pas d´ epasser une certaine temp´ erature (Silicium : 180◦ C. Fig. BC108 et BC109 (page 149) .70 6.14).3. 4 70 . Cette valeur peut ˆ etre d´ epass´ ee temporairement. assimilable ` a VCE IC qui d´ efinit dans un graphe (vCE .4 R´ esum´ e 0. ce qui implique iB • IB • 0 • 0 IBmax . • un transistor de puissance : le BU508AF (page 153). Pmax . Caract´ eristiques des transistors NPN • la valeur instantan´ ee de la tension collecteur-´ emetteur vCE ne doit pas devenir n´ egative . etc· · · ) : ceci fixe une puissance moyenne maximale dissipable ` a ne pas d´ epasser4 .3. IC < ICmax . • vBE > −VbrEB . sa capacit´ e` a´ evacuer la puissance dissip´ ee d´ epend de nombreux param` etres (nature du transistor.

1 Transistor dans l’´ etat bloqu´ e Cet ´ etat se caract´ erise par l’absence de courant dans le transistor (ICE 0 est n´ eglig´ e). 6.4. on a : VBE 0 (VEB 0 ) ≈ 0. Chaque ´ etat (bloqu´ e.3 K/W BU508AF 6` a 30 35K/W < 2. actif.4 Une mod´ elisation d’un transistor polaris´ e Le transistor est assimil´ e` a un quadripˆ ole : la mod´ elisation fournit donc deux relations pour le transistor. 6. deux autres quand il est dans la zone active. et encore deux autres quand il est satur´ e. satur´ e) est caract´ eris´ e par des in´ equations.3W 2N1711 7V 50V 200mA ? 1A 500mA 3W BU508AF ? 700V 6A 4A 15A 8A 34W Tab. Il n’existe pas de mod´ elisation simple d´ ecrivant l’ensemble du fonctionnement statique d’un transistor : la mod´ elisation propos´ ee (bas´ ee sur le mod` ele d’Ebers-Moll) pr´ ecise deux relations ` a utiliser quand le transistor est bloqu´ e. 71 . 6.6. Les transistors bipolaires Param` etre β (not´ e hF E ) RθJA (Rth j −a ) RθJC (Rth j −c ) BC107 110 ` a 450 500K/W 200K/W 2N1711 40 ` a 300 219 K/W 58.8 K/W 71 Tab. Param` etre VbrEB (VEB 0 ) VbrEC (VEC 0 ) IBmax (en pointe) IBmax (en continu) ICmax (en pointe) ICmax (en continu) Pmax (boˆ ıtier ` a 25◦ C) BC107 6V 45V 200mA ? 200mA 100mA 0. 6.3 – Transistor dans l’´ etat bloqu´ e. Pour un transistor NPN (PNP) au Silicium.7V.2 – Valeurs limites ` a ne pas d´ epasser pour quelques transistors. 6.1 – Caract´ eristiques de diff´ erents transistors. Type NPN PNP In´ equations vBE VBE 0 vEB VEB 0 ´ Equations iB = 0 & iC = 0 iB = 0 & iC = 0 Tab..

Une mod´ elisation d’un transistor polaris´ e 6. • la caract´ eristique de la diode base-´ emetteur est lin´ earis´ ee .8. comme par exemple les miroirs de courant (§6.4. 6.4.4.2 Transistor dans la zone active Les ´ equations de comportement sont : Type NPN PNP In´ equations iB 0 vCE 0 iB 0 vEC 0 Equations VBE = VBE 0 + rBE (iB + iC ) iC = βiB VEB = VEB 0 + rEB (iB + iC ) iC = βiB Tab. 6.3 Transistor satur´ e La repr´ esentation d’un transistor satur´ e fait apparaˆ ıtre un nullateur et un norateur . on consid´ erera pour simplifier les calculs que rBE = 0. Cependant conserver rBE > 0 est imp´ eratif pour comprendre certains montages. 72 .2). 6.4 – Transistor dans l’´ etat actif. les ´ equations de comportement sont donc : Type NPN PNP In´ equations iB 0 iC βiB iB 0 iC βiB Equations VBE = VBE 0 + rBE (iB + iC ) vCE = 0 VEB = VEB 0 + rEB (iB + iC ) vEC = 0 Tab.72 6. dans la plupart des montages.5 – Transistor dans l’´ etat satur´ e. Dans cette mod´ elisation : • le gain statique en courant β est assimil´ e` a une constante .

4 6.6.2 Caract´ eristique VBE (IB .4. VCE ) 6.4.5 Application de la mod´ elisation ` a diff´ erents montages de polarisation Les montages de polarisation des transistors am` enent deux principales sortes de probl` eme : 73 . page 128) 6.4 : “Amplificateur push-pull”. Les transistors bipolaires 73 6.4.4. VCE ) 6.4.4.5 Mod´ elisation d’un transistor de gain infini Dans certains montages (en particulier ceux qui poss` edent une contre-r´ eaction).3. consid´ erer qu’un transistor pr´ esente un gain en courant infini est une hypoth` ese viable (voir Exercice A.1 Repr´ esentations graphiques des caract´ eristiques mod´ elis´ ees Caract´ eristique IC (IB .

7V .VCE .4 V > 0 74 0. de la tension d’alimentation et des caract´ eristiques du transistor. VCE . RBB = 22k Ω. d´ eterminer la valeur des r´ esistances et/ou de la tension d’alimentation. 6. dipˆ ole de sortie : VCE = ECC − RCC IC .5. Donc le transistor est actif : IC = βIB et il faut v´ erifier VCE ⇒ IC =13.6 mA. alors IC = ECC /RCC = 26. IC . VBE 0 et rBE = 0 : si VBE si IB si IB VBE 0 : IB = 0 etIC = 0 . 0 et VCE 0 et IC 0 : VBE = VBE 0 et IC = βIB . transistor caract´ eris´ e par β . RCC =560Ω. 3. 2. • ´ etant donn´ ees les valeurs des r´ esistances. ce qui contredit l’hypoth` ese de la saturation.5.IC )).7V . ceci permet de calculer IB : IB = – Satur´ e? Dans ce cas VCE = 0 et il faut v´ erifier IC βIB . Transistor : VBE 0 = 0.IB . Valeurs num´ eriques : EBB = 5V. Application de la mod´ elisation ` a diff´ erents montages de polarisation NPN vBE VBE 0 iB = 0 iC = 0 iC 0 vCE 0 VBE = VBE 0 + rBE iC iB = 0 iB 0 iC 0 VBE = VBE 0 + rBE (iB + iC ) VCE = 0 PNP vEB VEB 0 iB = 0 iC = 0 iC 0 vEC 0 VEB = VEB 0 + rEB iC iB = 0 iB 0 iC 0 VEB = VEB 0 + rEB (iB + iC ) VEC = 0 Bloqu´ e Satur´ e Actif In´ equations Equations In´ equations Equations In´ equations Equations Tab.6 – Transistor de gain ∞.7V : contradiction.6 mA et VCE = ECC − RCC IC = 7. β =70. or si VCE = 0. 6.74 6.1 Montage EC d’un transistor NPN → Quatre inconnues : VBE .8mA. donc le transistor n’est pas bloqu´ e ⇒ Le transistor est donc actif ou satur´ e. EBB − VBE 0 RBB . d´ eterminer les valeurs des tensions et courants dans le circuit . βIB : VBE = VBE 0 et VCE = 0. – Le transistor est-il bloqu´ e? si IB = 0 alors VBE = EBB = 5V > VBE 0 = 0.IB . et βIB =13. VBE = VBE 0 = 0. dipˆ ole d’entr´ ee : VBE = EBB − RBB IB . → Quatre ´ equations : 1.ECC =15V. • ´ etant donn´ e un point de fonctionnement particulier du transistor (quadruplet (VBE . Dans les deux cas.

avec : iB = iB 1 . vCE . iC .1 Association de transistors Le montage Darlington Le montage darlington. – Courants r´ esultants : iB .4 Autre types de polarisation Fig.5. 6. 6. vCE 1 . donnant naissance ` a un courant total de fuite trop important. iE = iE 2 – Tensions aux bornes de T1 : vBE 1 .6.5. vCE 2 . iC 1 . En disposant une r´ esistance RBE en parall` ele entre la base et l’´ emetteur du transistor. avec : vBE = vBE 1 + vBE 2 . figure 6. Les transistors bipolaires 75 6. on montre que le transistor reste bloqu´ e jusqu’` a une certaine tension EBB > VBE 0 . – Courants dans le transistor T2 : iB 2 .6.2 Parfaire le blocage d’un transistor Dans le montage ´ emetteur commun.15 – Polarisation par r´ eaction de collecteur.17. mais de gain statique en courant beaucoup plus ´ elev´ e5 . le montage est dit “collecteur commun”. iE . iC 2 .16 – Polarisation par diviseur de tension.5. 6. On peut concevoir des montages Darlington ` a trois transistors (gain statique en courant d’environ un million) . iC = iC 1 + iC 2 . 6. iE 1 . le transistor n’est jamais bloqu´ e si EBB > VBE 0 . – Tensions r´ esultantes : vBE . – Tensions aux bornes de T2 : vBE 2 . 5 75 . quelle que soit la valeur de RB . – Courants dans le transistor T1 : iB 1 . utiliser quatre transistors ou plus n’est pas en pratique viable pour la raison suivante : le courant de fuite du premier transistor est amplifi´ e par les suivants. 6.6 6. vCE = vCE 2 = vBE 2 + vCE 1 .3 Polarisation par r´ eaction d’´ emetteur Dans le cas particulier o` u RC = 0. Fig. iE 2 avec iE 1 = iB 2 . consiste ` a assembler 2 transistors de mˆ eme polarit´ e (2 transistors NPN ou 2 transistors PNP) de fa¸ con ` a obtenir un montage se comportant comme un seul transistor (NPN ou PNP).

actif. l’autre l’est aussi . et quasi-satur´ e. que se passe-t-il en r´ ealit´ e? • si T1 est actif.18 – Le montage White. – Courants dans le transistor T1 : iB 1 . avec : iB = iB 1 . pallie cet inconv´ tors de polarit´ es diff´ erentes. Travail demand´ e ` l’aide de la mod´ A elisation propos´ ee (T1 est caract´ eris´ e par VBE 01 et β1 .6. 6.17 – Le montage darlington. iC = iE 2 . alors T2 est actif . iE 1 . • si T1 est satur´ e. • T2 n’est jamais satur´ e. 6.6. Association de transistors Fig. on peut r´ ealiser un montage analogue NPN. et T2 par VBE 02 et β2 ). Ci-dessous. iE 2 avec iC 1 = iB 2 . 6. figure 6. le montage White. – Courants dans le transistor T2 : iB 2 . montrer que : • si un des transistors est bloqu´ e.18.76 6.2 Le montage White Le montage Darlington poss` ede l’inconv´ enient de pr´ esenter une tension ?base´ emetteur’ diff´ erente de enient en utilisant deux transiscelle d’un seul transistor . – Comment se partage la puissance dissip´ ee entre T1 et T2 ? – Quelles sont les ´ equations de comportement d’un montage Darlington ? Mettre en ´ evidence trois ´ etats diff´ erents : bloqu´ e. iE = iE 1 + iE 2 76 . T2 est actif . Fig. iC 1 . iC 2 . le montage se comportant comme un transistor PNP . – Courants r´ esultants : iB . iE . iC .

celle d’un transistor satur´ e est faible6 .1 Le transistor en commutation D´ efinitions Un transistor est dit “fonctionner en commutation” quand le montage dans lequel il est ins´ er´ e ne lui permet de prendre que deux ´ etats : satur´ e ou bloqu´ e. T2 n’est jamais satur´ e. Les transistors bipolaires – Tensions aux bornes de T1 : vEB 1 . et quasi-satur´ e. avec : vEB = vEB 1 .6. montrer que : • • • • si un des transistors est bloqu´ e. 77 Travail demand´ e ` l’aide de la mod´ A elisation propos´ ee (T1 est caract´ eris´ e par VEB 01 et β1 . alors T2 est actif . 6 77 . comme la tension ´ emetteur-collecteur n’est pas nulle. cette puissance ne l’est pas non plus. actif. en r´ ealit´ e. que se passe-t-il en r´ ealit´ e? si T1 est actif. La puissance dissip´ ee d’un transistor bloqu´ e est nulle . vEC .3 Un montage curieux Pourquoi ce montage est-il curieux ? Etudier le blocage et la saturation des transistors dans le montage ci-contre : 6. – Tensions r´ esultantes : vEB . l’autre l’est aussi .7 6. la puissance dissip´ ee au collecteur d’un transistor satur´ ee est nulle . – Tensions aux bornes de T2 : vBE 2 . – Comment se partage la puissance dissip´ ee entre T1 et T2 ? – Quelles sont les ´ equations de comportement d’un montage White ? Mettre en ´ evidence trois ´ etats diff´ erents : bloqu´ e. T2 est actif . vCE 2 .6. vEC 1 . et T2 par VBE 02 et β2 ). vEC = vCE 2 = vBE 2 + vEC 1 . Avec la mod´ elisation adopt´ ee. 6. si T1 est satur´ e.7.

Ces graphiques montrent que la commutation dissipe une puissance instantan´ ee tr` es importante par rapport ` a la puissance instantan´ ee dissip´ ee en saturation.7. o` u` a chacun des deux ´ etats correspond une valeur bool´ eenne. l’´ electronique de puissance : les courants et les tensions importants peuvent ˆ etre commut´ es sans entraˆ ıner des dissipations trop importantes dans les transistors.7. Dans les graphiques 6. 2. Fig. 78 . la logique bool´ eenne.2 Commutation d’une charge purement r´ esistive dans le montage ´ emetteurcommun Quand l’interrupteur est en 1. p est la puissance instantan´ ee dissip´ ee par le transistor.20 et 6.19 – Commutation d’une charge purement r´ esistive dans le MEC. ce qui garantit un bon rendement de l’installation . 6. 6. les r´ esistances Rb et Rc sont telles que le transistor est satur´ e. Fig. Le transistor en commutation Faire fonctionner un transistor en commutation pr´ esente un int´ erˆ et dans les deux domaines suivants : 1. C’est pourquoi la dissipation d’un transistor fonctionnant en commutation augmente avec la fr´ equence des changements d’´ etats.78 6. assimil´ ee au produit vCE iC .20 – Graphique 1. quand il est sur 2.22. 6. le transistor est bloqu´ e .

21. est de supprimer les surtensions de coupure aux bornes du transistor engendr´ ees par l’inductance7 : pour cela. 79 .21 – Commutation d’une charge inductive dans le MEC. 6. L’allure des courants et des tensions devient alors : Fig. La diode utilis´ ee est une diode de commutation dont les principales caract´ eristiques sont : • la tension inverse maximale support´ ee par la diode doit ˆ etre sup´ erieure ` a la tension d’utilisation 7 Remarquer que la valeur de l’inductance n’a pas besoin d’ˆ etre connue. figure 6. on dispose une diode dite “diode roue libre” comme indiqu´ e sur le sch´ ema. Les transistors bipolaires 79 Fig.3 Commutation d’une charge inductive dans le montage ´ emetteur-commun La pr´ ecaution indispensable ` a prendre lors de la commutation d’une charge inductive.7.22 – Graphique 2. 6. 6.6.

Il suffit donc de choisir µ = λ pour r´ egler la c puissance absorb´ ee par Rc ` a la valeur souhait´ ee. aliment´ ee CC . 6. CC La puissance moyenne absorb´ ee par Rc est alors µ R . Le transistor en commutation • le courant direct maximal support´ e par la diode doit ˆ etre sup´ erieur au courant ` a travers la charge.1 ms et 1 ms.7. pour que la constante de temps thermique de Rc soit grande par rapport ` a T. la r´ esistance consomme une puissance ER c un dispositif permettant de r´ egler simplement la puissance consomm´ eee par Rc depuis 0 jusqu’` a c’est ` a dire que cette puissance soit 6. • pour µT < t < T .4.4. Pour le transistor. E CC √ .7. 80 .7. Cette p´ eriode est souvent choisie entre 0.2 Par transistor en commutation Un circuit ´ electronique assure la commutation r´ eguli` ere de l’interrupteur avec une p´ eriodicit´ eT: • pour 0 < t < µT . • pas trop petite. et d’une charge r´ esistive Rc .4 ´ Electronique de puissance : pourquoi utiliser un transistor en commutation ? Probl` eme pos´ e : on dispose d’une source de tension ECC . • la tension aux bornes du rh´ eostat : ECC (1 − • la puissance dissip´ ee par le rh´ eostat : • le rendement de l’installation : η= √ λ). Comme un transistor en commutation consomme peu. remarquer que la tension maximale ´ emetteur-collecteur du transistor est la tension d’alimentation ECC augment´ ee de la chute de tension directe dans la diode roue libre. On d´ e sire concevoir directement sur la source de tension ECC . λ 2 λECC Rc . 6. √ √ 2 (1− λ) λ ECC Rc √ Puissance dissip´ ee dans Rc = λ Puissance dissip´ ee dans Rc + Puissance dissip´ ee dans le rh´ eostat Le rendement est d´ eplorable pour les faibles puissances utiles ! 6.7. avec 0 λ 1.1 R´ eglage par Rh´ eostat 2 λECC Rc . bien meilleur que dans le cas pr´ ec´ edent. l’interrupteur est sur 2 : donc p = 2 ECC Rc . La p´ eriode de d´ ecoupage T est choisie : E2 • pas trop grande.80 de la charge . 2 ECC Rc . . Si la puissance dissip´ ee dans Rc est • la tension aux bornes de Rc est : alors : √ ECC λ Rc • le courant dans Rc et dans le rh´ eostat Rh : . le rendement de l’installation demeure toujours important. pour que l’´ echauffement du transistor durant les commutations successives ne soit pas trop important. l’interrupteur est sur 1 : donc p = 0.

8.23 – Miroir de courant ` a deux transistors NPN. entres autres. 6. Les transistors bipolaires 81 6.3 Am´ elioration du montage pr´ ec´ edent En supposant les trois transistors actifs. 81 . et par suite de Rb : ic = Ecc − VBE 0 Rb Comme ce courant ne d´ epend pas de Rc .2 Miroir de courant On suppose les deux transistors identiques. quelle est la relation entre iI et iO ? Fig.24 – Miroir de courant ` a trois transistors NPN. VBE 0 et rBE . ` a degr´ e moindre. Fig.8 6.6.1 Sources de courant Une source ´ el´ ementaire La premi` ere source de courant propos´ ee est simplement le montage ´ emetteur commun : quand le transistor est actif. le montage ´ emetteur commun se comporte comme une source de courant vis ` a vis de Rc . Pourquoi ne peut-on pas s’en contenter ? La pr´ ecision du courant ic d´ epend de la pr´ ecision de β et. Or en r´ ealit´ e β n’est pas constant et varie de mani` ere significative en fonction. et caract´ eris´ es par β . 6. Quand ils sont tous les deux actifs. de la temp´ erature des jonctions et du courant iC . le courant IC d´ epend de IB . 6. que devient la relation entre iI et iO ? Les trois transistors sont suppos´ es identiques. de celle de VBE 0 .8.8. 6.

6.1 Sources de tension Une application du montage collecteur commun : r´ egulateur de tension ` a transistor et diode Zener Donn´ ees : • Emin = 10V.26 – Polarisation d’un push-pull. RZ 0 = 4Ω . 6.25 – Montage amplificateur push-pull.9. Fig. Sources de tension 6. • Diode Zener DZ : VZ 0 =6.30 82 .82 6.29 et 6.1V.9. Questions : • Quelle est la condition sur RL pour que la diode Zener soit active ? • Quelles sont les caract´ eristiques du g´ en´ erateur de tension vu par la r´ esistance RL ? E Emax . • Transistor : VBE 0 = 0.9 6. Emax = 15V. 6. 6. β =50.10 Amplificateur diff´ erentiel figures 6.2 Courant de sortie bidirectionnel : l’amplificateur push-pull Fig.7 V.9. Emin • R = 100Ω .

83 .29 – Polarisation par r´ esistances.30 – Polarisation par source de courant. 6. Fig.27 – Utilisation d’un push-pull. Fig.28 – R´ ealisation de la source de courant. Les transistors bipolaires 83 Fig.6. 6. 6. 6. Fig.

10.30 84 .29 et 6. Amplificateur diff´ erentiel figures 6.84 6.

ces tensions restent finies. comme dans un jeu de construction. o` u: Et le r´ esultat classique suivant peut ˆ etre simplement ´ etabli : Y (s) = KG(s) Yc (s) 1 + KG(s)F (s) 85 . et dans le second d’´ eviter les influences mutuelles parasites de constituants entre eux. le courant de sortie (dans l’´ emetteur) r´ eagit sur le courant d’entr´ ee (dans la base) . ainsi. prenons l’exemple du montage ´ emetteur commun d’un transistor. il s’agit d’annuler l’influence des d´ erives internes sur la sortie d’un constituant.1. Pour illustrer le premier ph´ enom` ene. non nulles. aucune contre r´ eaction : le courant d’´ emetteur n’a aucune influence sur le courant de base. elle est en revanche abordable dans le cadre des syst` emes lin´ eaires mono variables. de constituants ´ el´ ementaires se combinant simplement les uns aux autres ? Pareilles possibilit´ es de combinaison r´ ev` elent tout leur int´ erˆ et si le comportement de chaque constituant reste le mˆ eme et reste pr´ ecis : – Mˆ eme en cas de variation des caract´ eristiques des composants discrets avec lesquels le constituant est r´ ealis´ e. les valeurs des tensions dans la polarisation d’un transistor par pont diviseur de tension (§??) d´ ependent peu du gain statique en courant du transistor .1 Pourquoi les amplificateurs op´ erationnels ont-ils ´ et´ e imagin´ es ? Comment r´ ealiser des montages ´ electroniques poss´ edant des caract´ eristiques pr´ ecises. et ne n´ ecessite que peu de calculs ? Comment pouvoir r´ ealiser des montages aux fonctions complexes par l’assemblage. Par contraste. La contre r´ eaction n’est pas toujours facile ` a distinguer dans les montages ` a transistors. pour un transistor imaginaire de gain infini. dans le montage ´ emetteur commun. en particulier. La tension aux bornes de la r´ esistance de collecteur d´ epend compl` etement du gain statique en courant du transistor. – Qu’il soit isol´ e ou qu’il soit combin´ e avec d’autres constituants. Dans le premier cas. alors que dans le montage ´ emetteur commun un transistor imaginaire de gain infini serait toujours satur´ e.Chapitre 7 Les amplificateurs op´ erationnels : AOP 7. Quelle est la diff´ erence fondamentale entre ces deux montages ? Cette diff´ erence fondamentale s’appelle contre r´ eaction : ce terme signifie que le signal de sortie est compar´ e` a un signal de r´ ef´ erence et que le constituant r´ eagit de lui-mˆ eme pour corriger la sortie en fonction du r´ esultat de cette comparaison . alors que les ´ el´ ements actifs de base (transistors. dans la polarisation par pont diviseur. Une th´ eorie g´ en´ erale de la contre r´ eaction n’est pas simple non plus . Le sch´ ema de base d’un syst` eme asservi est illustr´ e par la figure 7. diodes) ne pr´ esentent pas ces qualit´ es ? Comment faire pour que la mise en oeuvre de ces montages soit technologiquement simple.

la tension de sortie d’un montage d´ epend du courant de sortie (du fait de sa r´ esistance interne de sortie). 7.2 est caract´ eris´ e par quatre grandeurs.2 : Fig. En effet. la fonction de transfert. 86 . 1 Sauf si on court-circuite la sortie : c’est une situation que l’on s’interdira. ceci est faux a priori. la esente une ligne ´ electrique de la figure tentation est grande de dire que chaque trait de la figure 7. la tension de sortie ne d´ epend pas de ce qui y est branch´ e . et chaque trait un fil ´ electrique . G(s) tel que G(0) = 1 . la relation pr´ ec´ edente se simplifie en : Y (s) = 1 Yc (s) F (s) Cette relation simplifi´ ee exprime le comportement du syst` eme uniquement si celui-ci est stable. ce qui complique singuli` erement la tˆ ache. Fig. Malheureusement. pour mod´ eliser correctement un montage ´ electrique. D` es lors.2 – La contre r´ eaction. et donc de l’imp´ edance d’entr´ ee du montage connect´ e sur la sortie. Dans ce sch´ ema.1. il faudrait donc utiliser la th´ eorie des syst` emes multi variables (qui permet de repr´ esenter les syst` emes ` a plusieurs entr´ ees et plusieurs sorties d´ ependantes). tel que K soit un nombre r´ eel strictement positif (adimensionnel ou dimensionnel) appel´ e gain statique.1 repr´ 7. le comportement d’une ligne ´ electrique est d´ ecrite par deux grandeurs. une des parties d’un montage peut pr´ esenter un gain infini sans pour cela imposer des valeurs infinies ou nulles partout. Q1 et Q2 repr´ esentent des quadripˆ oles lin´ eaires. 7. et donc de construire ` a prix raisonnable des montages ´ electroniques pr´ ecis.2.1.1 ne repr´ esente qu’une seule grandeur. Si on veut s’int´ eresser ` a la tension de sortie en faisant abstraction du courant de sortie. c’est ` dire si les z´ a eros de 1 + KG(s)F (s) sont tous ` a partie r´ eelle strictement n´ egative. on est fortement tent´ e de construire des montages ´ electriques ` a l’image de la boucle ` a contre r´ eaction de la figure 7. chaque sous-syst` eme est d´ ecrit par une seule grandeur. alors que dans le sch´ ema de la figure 7.86 7. et il n’est pas possible faire abstraction de l’un des deux. or il est facile et peu dispendieux de fabriquer des r´ esistances et des capacit´ es de valeurs pr´ ecises. – F (s) la fonction de transfert de la contrer´ eaction. Pour pareil cas. Pour la mˆ eme raison. on observera que chaque quadripˆ ole lin´ eaire de la figure 7. courants et tensions sont fonctions des uns et des autres. Pourquoi les amplificateurs op´ erationnels ont-ils ´ et´ e imagin´ es ? – s est la variable de Laplace . Par exemple. Si K tend vers l’infini. Alors le comportement du syst` eme d´ epend uniquement de la contre r´ eaction . La pr´ ecision avec laquelle le montage ´ electronique refl´ etera la fonction de transfert du syst` eme en boucle ferm´ ee d´ epend uniquement de la pr´ ecision des composants qui r´ ealisent F (s) . Peut-on faire abstraction du courant ou de la tension dans un montage ? En r` egle g´ en´ erale. les seules solutions sont : • De concevoir un montage dont la sortie se comporte comme un g´ en´ erateur de tension parfait . le courant et la tension. alors que les traits de la figure 7. 1 ainsi. – KG(s) la fonction de transfert du syst` eme.1 – Sch´ ema de base d’un syst` eme asservi. (Y (s) repr´ esente alors cette tension).

il faut alors connecter sur cette sortie uniquement des montages dont l’imp´ edance d’entr´ ee est infinie (sortie ` a vide). il sera beaucoup plus simple d’utiliser un amplificateur d´ elivrant une tension qu’un amplificateur d´ elivrant un courant.3 par “r´ eseau de mixage” et “r´ eseau de pr´ el` evement” ? Le r´ eseau de pr´ el` evement doit reporter la grandeur de sortie ` a l’entr´ ee du circuit de r´ eaction .1 et la figure 7. De mˆ eme. Plusieurs points restent cependant ` a pr´ eciser. Les amplificateurs op´ erationnels : AOP 87 • Si il n’est pas possible de r´ ealiser une imp´ edance de sortie nulle. 7. dans le cas pr´ esent. • si il n’est pas possible de r´ ealiser une imp´ edance de sortie infinie. 87 . il faut alors connecter sur cette sortie uniquement des montages dont l’imp´ edance d’entr´ ee est nulle (sortie court-circuit´ ee).3 – La contre r´ eaction avec masse commune.4). Ensuite. c’est ` a dire plus pr´ ecis´ ement : • soit la diff´ erence de deux tensions : r´ eseau de mixage de tensions. qui d´ elivre un courant ` a sa sortie. Fig.3). 7. Pour cette raison. 2 Sauf si la sortie n’est pas connect´ ee : c’est une situation que l’on s’interdira. 2 ainsi le courant de sortie ne d´ epend pas de qui y est branch´ e . Dans ce cadre. comment r´ ealiser les circuits not´ es dans les figures 7. Fig. il devient donc possible de confondre la figure 7.2.2 et 7. qui d´ elivre une tension ` a sa sortie . • soit la diff´ erence de deux courants : r´ eseau de mixage de courants.2 devient la suivante (figure 7.7. le seul r´ eseau facilement r´ ealisable est celui de pr´ el` evement de tension (figure 7.4 – R´ eseau de pr´ el` evement de tension. si on veut s’int´ eresser au seul courant de sortie en faisant abstraction de la tension de sortie (Y (s) repr´ esente alors ce courant). o` u la masse commune est repr´ esent´ ee par un trait gras. les seules solutions sont : • De concevoir un montage dont la sortie se comporte comme un g´ en´ erateur de courant parfait . Le r´ eseau de mixage doit r´ ealiser la diff´ erence de deux signaux. D’abord utiliser deux fils ´ electriques pour chaque signal est trop coˆ uteux : il est beaucoup plus simple d’utiliser une masse commune ` a tous les circuits : la figure 7.

• une simple interconnexion r´ ealise une somme de courants. 7. la plupart des amplificateurs op´ erationnels sont compens´ es en fr´ equence de fa¸ con qu’ils se comportent comme des filtres passe-bas du premier ordre. Pr´ esentation des amplificateurs op´ erationnels int´ egr´ es Malheureusement. 7.5. Dans ce cas. les plus simples d’entre eux (ceux que nous ´ etudierons) pr´ esentent cinq connexions (figure 7. il n’est pas possible de r´ ealiser simplement ni l’un ni l’autre . Le sch´ ema ´ electrique (figure 7. illustr´ ee par la figure 7. 7. Un dernier point ` a pr´ eciser : que choisir pour G(s) ? Le plus simple serait ´ evidemment de choisir G(s) = 1. L’amplificateur op´ erationnel doit se comporter comme un amplificateur de tension diff´ erentielle dont la r´ esistance d’entr´ ee est infinie et la r´ esistance de sortie nulle.7) : 88 . Son gain statique K doit ˆ etre positif. Le gain statique doit ˆ etre aussi grand que possible. • une diff´ erence de deux tensions ayant une masse commune n´ ecessite un amplificateur diff´ erentiel . Nous aboutissons donc ` a la r´ eaction parall` ele de tension (pr´ el` evement de tension de sortie.qui permet de r´ ealiser simplement les r´ eactions parall` eles de courant et de tension. le seul param` etre utile pour le quadripˆ ole de r´ eaction est sa tension de sortie ` a vide : c’est ce que repr´ esente iciF (s).l’amplificateur op´ erationnel int´ egr´ e . Fig. Qu’` a cela ne tienne : un r´ eseau de mixage de tension sera donc inclus dans le circuit int´ egr´ e. Nous allons maintenant ´ etablir le cahier des charges du circuit miracle . Par contre.6 – Sch´ ema ´ electrique de la r´ eaction parall` ele de tension.2. quelque soient les signaux d’entr´ ee. Il est malheureusement impossible de construire un tel circuit : le gain faiblit toujours ` a partir d’une certaine fr´ equence des signaux d’entr´ ee. mixage des tensions d’entr´ ee). de fa¸ con ` a pouvoir n´ egliger 1 devant les expressions en K.5 – R´ eaction parall` ele de tension. il est possible de contrˆ oler comment cet affaiblissement op` ere : pour des raisons de simplicit´ e.6) est l’image du sch´ ema th´ eorique de la figure 5.88 7. Cela signifierait que le gain KG(s) est constant. pour tout s.2 Pr´ esentation des amplificateurs op´ erationnels int´ egr´ es Il existe de nombreux types d’amplificateurs op´ erationnels . Fig.

1 Amplificateur op´ erationnel aliment´ e sous tension sym´ etrique Un amplificateur op´ erationnel est aliment´ e sous tension sym´ etrique si la somme Vcc+ + Vcc− des tensions d’alimentation est nulle.2. 89 .3.2. figure 7. alors Vsat est l’ordre de 12V. les bornes admissibles pour la diff´ erence de tension Vcc+ − Vcc− entre les deux tensions d’alimentation Vcc+ et Vcc− . 7. 89 • les deux entr´ ees ‘-’ et ‘+’. et´ e con¸ cu de fa¸ con ` a r´ ealiser simplement la contre L’amplificateur op´ erationnel int´ egr´ e. La tension de la sortie d’un amplificateur op´ erationnel est alors limit´ ee ` a l’intervalle suivant : −Vsat + Vcc+ + Vcc− Vcc+ + Vcc− < vs < Vsat + 2 2 C’est une g´ en´ eralisation de l’intervalle pr´ esent´ e au §7.2. connect´ ees ` a deux sources de tensions .7.6. Un amplificateur op´ erationnel est dit en r´ egime non satur´ e |vs | < V sat en r´ egime satur´ e vs = +Vsat ou vs = −Vsat Remarque : La distinction entre les deux r´ egimes ‘satur´ e’ et ‘non satur´ e’ est tr` es importante car l’amplificateur op´ erationnel s’y comporte de fa¸ con radicalement diff´ erente. cette diff´ erence doit ˆ etre comprise entre 5V et 36V.2 Amplificateur op´ erationnel aliment´ e sous tensions dissym´ etriques Un amplificateur op´ erationnel est aliment´ e sous tensions dissym´ etriques si la somme Vcc+ + Vcc− des tensions d’alimentation n’est pas nulle. Les connexions d’alimentations sont n´ ecessaires pour alimenter les composants internes de l’amplificateur . pour chaque amplificateur op´ erationnel particulier. La tension de la sortie d’un amplificateur op´ erationnel est alors limit´ ee ` a l’intervalle suivant : −Vsat vs Vsat Vsat est appel´ ee tension de saturation de la sortie .2. Les amplificateurs op´ erationnels : AOP • les deux connexions d’alimentation VCC + et VCC − . Les entr´ ees ‘+’ et ‘-’ correspondent ` a l’entr´ ee du montage et l’entr´ ee de la contre r´ eaction : ceci correspond exactement ` a la figure 7. Souvent. Fig. pour la plupart des amplificateurs op´ erationnels. Son branchement est imm´ ediat. respectivement appel´ ees entr´ ee inverseuse et entr´ ee non-inverseuse . on utilise Vcc+ = 15V et Vcc− = -15V. 7. • la sortie S. c’est une caract´ eristique sp´ ecifique ` a chaque amplificateur op´ erationnel. Pour la calculer.7 – Repr´ esentation symbolique d’un AOP. les constructeurs sp´ ecifient.7.7. voir le §7. 7. Quand l’amplificateur op´ erationnel est aliment´ e par une tension sym´ etrique de 15V. a ´ r´ eaction parall` ele de tension.

Un point de fonctionnement de l’amplificateur op´ erationnel est sp´ ecifi´ e par les valeurs des trois courants i+. on peut utiliser la repr´ esentation habituelle (figure 7.8) qui omet ces connexions d’alimentation. i+ + i− = 0 .90 7.7). Fig.1 In´ equations caract´ erisant le r´ egime non satur´ e Un amplificateur op´ erationnel est en r´ egime non satur´ e si la tension de sortie v´ erifie (cas g´ en´ eral pour une alimention sym´ etrique ou non) : −Vsat + Vcc+ + Vcc− Vcc+ + Vcc− < vs < Vsat + 2 2 7. v+ − v− = Zed i+ • L’imp´ edance Zed est sup´ erieure ` a 1MΩ. Tant que l’on ne s’int´ eresse pas aux courants dans les broches d’alimentation.1 Mod´ elisation des entr´ ees Entr´ ee diff´ erentielle • Les deux ´ equations sont : 1. 2.3 Mod´ elisations d’un amplificateur op´ erationnel en r´ egime non satur´ e Le v´ eritable sch´ ema d’un amplificateur op´ erationnel fait apparaˆ ıtre cinq connexions (voir figure 7. L’amplificateur op´ erationnel est consid´ er´ e comme un hexapˆ ole : son comportement est donc d´ ecrit par 3 ´ equations : • 2´ equations d´ ecrivant le comportement des 2 entr´ ees.3. Mod´ elisations d’un amplificateur op´ erationnel en r´ egime non satur´ e 7.2 7. Ne pas confondre cette imp´ edance d’entr´ ee avec celle d’un montage comprenant un amplificateur op´ erationnel.3.2. Deux in´ equations caract´ erisent le r´ egime non satur´ e. 7. i+ = 0 . Ne pas essayer de faire un bilan des courants en s’y r´ ef´ erant. i− = 0 • Cette mod´ elisation est d´ eduite de la pr´ ec´ edente en prenant Zed = ∞. 2. • 1´ equation d´ ecrivant le comportement de la sortie.3. vs . v− . 7. is et des trois tensions v+ .3. 7.3. 90 .2 Imp´ edances d’entr´ ees infinies • Les deux ´ equations sont : 1.2. i−.8 – Une autre repr´ esentation d’un amplificateur op´ erationnel.

3. L` a encore. associ´ e avec un filtre passe-bas de pulsation de coupure wCBO .3 7. Remarquons que cette expression ne fait pas apparaˆ ıtre les conditions initiales : elles sont implicitement prises ´ egales ` a z´ ero. d´ epend de la dynamique des signaux d’entr´ ee . A0BO est le gain statique en boucle ouverte de l’amplificateur op´ erationnel. il disparaˆ ıt.3 Gain infini Cette mod´ elisation qui pr´ esente l’int´ erˆ et de la simplicit´ e ne fait pas apparaˆ ıtre la grandeur vs dans l’´ equation de comportement : v+ = v− ceci ne facilite pas la compr´ ehension des montages . l’´ equation de la sortie fait apparaˆ ıtre la variable de Laplace3 : Vs (s) = A0BO wCBO Vcc+ + Vcc− 1 (V+ (s) − V− (s)) − Zs (s)Is (s) + s + wCBO 2 s on peut faire apparaˆ ıtre la transform´ ee de Laplace ABO (s)dugainenboucleouverte : ABO (s) = A0BO wCBO s + wCBO Zs (s) est la transform´ ee de Laplace de l’imp´ edance de sortie de l’amplificateur op´ erationnel et a une valeur voisine de 100Ω. de plus.3. Le dernier terme est l’influence des tensions d’alimentation : sous alimentation sym´ etrique. fini et ne d´ epend pas de la dynamique des signaux d’entr´ ee : vs = A0BO (V+ − V− ) − Zs (s)is (s) + Vcc+ + Vcc− 1 2 s L’imp´ edance de sortie Zs est assimil´ ee ` a une r´ esistance. cette imp´ edance de sortie n’est pas purement r´ esistive. Ne pas confondre l’imp´ edance de sortie de l’amplificateur op´ erationnel avec l’imp´ edance de sortie d’un montage contenant un amplificateur op´ erationnel. 7.3. 7.3.1. Les amplificateurs op´ erationnels : AOP 91 7.1 Mod´ elisation de la sortie Gain variable Le gain en boucle ouverte d’un amplificateur op´ erationnel n’est pas constant.2 Gain constant fini Cette mod´ elisation est une simplification de la pr´ ec´ edente pour laquelle on consid` ere que le gain est constant. c’est ` a dire que cet amplificateur op´ erationnel est un amplificateur de tension de gain statique A0BO .7. 7. 3 91 . 5 et est sup´ erieur ` a 10 .3. cette mod´ elisation ´ etant trop sommaire.3. En fait. le dernier terme est l’influence des tensions d’alimentation et disparaˆ ıt dansle cas d’une alimentation sym´ etrique.3. donc de fr´ equence de coupure fcBO = wCBO /2π .4 Mod´ elisations classiques d’un amplificateur op´ erationnel Les quatre cas sont trait´ es dans le tableau 7. des renseignements importants sont perdus : notamment la stabilit´ e du r´ egime non satur´ e ne peut pas ˆ etre montr´ ee. wCBO est la pulsation de coupure de l’amplificateur op´ erationnel.3.

de la figure 7. et l’influence des tensions d’alimentation.1 – Mod´ elisation classique d’un AOP. Amplificateur op´ erationnel de gain constant A0BO . expressions d´ ecrivant le comportement d’un montage qui incluent le gain statique A0BO . i− = 0 . 7. 2 Amplificateur op´ erationnel “id´ eal” Equations D´ efinition C’est la mod´ elisation la plus brutale d’un ami+ = 0 .Zs is + Vcc+ +Vcc− . la stabilit´ e V + = V− .92 7. Ces limites sont les r´ esultats obtenus en consid´ erant l’amplificateur id´ eal. On peut identifier : CBO – A0BO → K . Comme A0BO est g´ en´ eralement tr` es grand devs = A0BO (V+ − V− ). la stabilit´ e du r´ egime non satur´ e. alimentation sym´ etrique Equations D´ efinition C’est cette mod´ elisation qui permet de d’´ etablir i+ = 0 . tage. fluence des imp´ edances d’entr´ ee et de sortie de l’amplificateur op´ erationnel sur celles d’un monV+ − V− = Zed i+ . alimentation non sym´ etrique Equations D´ efinition Elle sera utilis´ ee pour mettre en ´ evidence l’ini+ + i− = 0 . Mod´ elisations d’un amplificateur op´ erationnel en r´ egime non satur´ e Amplificateur op´ erationnel de gain variable ABO (s) imp´ edances d’entr´ ee infinies. imp´ edance de sortie nulle. Cette mod´ elisation correspond exactement au vs = A0BO (V+ (s) − V− (s)) comportement de l’amplificateur op´ erationnel wCBO o` u : ABO (s) = A0BO s+w . L’imp´ edance de sortie est consid´ e r´ e e comme nulle.3. car la plus trompeuse aussi : les entr´ ees inverseuse et non inverseuse jouent le i− = 0 . du montage ne peut pas ˆ etre montr´ ee. 92 . vant les autres grandeurs. imp´ edances finies. C BO Amplificateur op´ erationnel de gain constant A0BO . on consid` ere la limite de ces expressions quand A0BO → ∞.6. on obtient des i+ = 0 . i− = 0 . imp´ edances d’entr´ ee infinies. alimentation sym´ etrique Equations D´ efinition En utilisant cette mod´ elisation. plificateur. mˆ eme rˆ ole : avec cette mod´ elisation. vs = A0BO (V+ − V− ) . Tab. wCBO – s+ w → G(s) .

• wCBO est la pulsation de coupure (C) en boucle ouverte (BO). Il lui correspond f1BO = w1BO /2π . c’est cette derni` ere valeur qui est le plus souvent fournie par les constructeurs. 7.3.5 Remarques Ze est l’imp´ edance diff´ erentielle d’entr´ ee. et est g´ en´ erallement comprise entre 100kΩ et 10MΩ . En fait. Faire r´ eagir la sortie sur l’entr´ ee ne se fait pas n’importe comment ! En effet. en fonction des conditions initiales). Cette tr` es grande valeur de A0BO impose de faire r´ eagir la sortie sur l’entr´ ee inverseuse pour que vs ne parte pas en saturation : comme le laisse supposer la pr´ esentation en §7.1. Les amplificateurs op´ erationnels : AOP 93 7.1 Fr´ equence de coupure fcBO en boucle ouverte d’un amplificateur op´ erationnel La fr´ equence de coupure en boucle ouverte d’un amplificateur op´ erationnel fcBO est une valeur de l’ordre du Hertz.7. associ´ e avec un filtre passebas de pulsation de coupure wCBO . L’expression de ABO (s) montre qu’un amplificateur op´ erationnel est un amplificateur de tension de gain statique A0BO . qui est la pulsation de gain unit´ e en boucle ouverte. Ne pas confondre l’imp´ edance de sortie de l’amplificateur op´ erationnel avec l’imp´ edance de sortie d’un montage contenant un amplificateur op´ erationnel. c’est ` a dire ind´ ependantes du montage dans lequel est ins´ er´ e l’amplificateur op´ erationnel. fr´ equence de gain unit´ e en boucle ouverte . Ce n’est pas parce qu’un montage est math´ ematiquement stable qu’il va effectivement fonctionner ! Il faut s’assurer (entre autres). La figure 7. l’amplificateur op´ erationnel est con¸ cu pour fonctionner dans une boucle ferm´ ee : on ne peut pas envisager de montage stable en r´ egime non satur´ e sans faire r´ eagir la tension de sortie sur l’entr´ ee. ne pas la confondre avec l’imp´ edance d’entr´ ee du montage dans lequel apparaˆ ıt l’amplificateur op´ erationnel . cette imp´ edance de sortie n’est pas purement r´ esistive. c’est le produit A0BO fcBO .3. Ceci ne signifie pas que les montages contenant des amplificateurs op´ erationnels ont un gain infini ! Le gain d’un montage est une expression faisant intervenir en premi` ere importance la valeur des composants passifs du montage. ou diminue jusqu’` a −Vsat . L’allure du module du gain en boucle ouverte |ABO (s)|dB est celle d’un filtre passe-bas du premier ordre. Le mod` ele de comportement de la sortie n’est plus valable : il faut mod´ eliser l’amplificateur op´ erationnel en saturation pour d´ ecrire le comportement du montage. ´ echanger les entr´ ees ‘-’ et ‘+’ rend instable un montage stable : l’amplificateur op´ erationnel part en saturation (c’est ` a dire que sa tension de sortie augmente jusqu’` a Vsat . qui intervient dans l’expression des fr´ equences de coupure des montages. donc de fr´ equence de coupure fcBO = wCBO /2π 7.6 Etude du gain ABO (s) w BO CBO ABO (s) = A0BO s+w C • ABO (s) est la transform´ ee de Laplace du gain en boucle ouverte : “BO” • A0BO est la gain statique (0) en boucle ouverte (BO) . c’est une valeur qui n’est pas connue avec pr´ ecision (d’ailleurs il est inutile qu’elle le soit) qui est de l’ordre de 105 . A0BO est le gain en boucle ouverte de l’amplificateur op´ erationnel . Ces trois grandeurs sont caract´ eristiques de l’amplificateur op´ erationnel. 93 . que jamais durant son fonctionnement l’amplificateur op´ erationnel n’entrera en saturation. comme on le verra par la suite. En fait.3. Zs est l’imp´ edance de sortie de l’amplificateur op´ erationnel et a une valeur voisine de 100Ω.6.9 fait apparaˆ ıtre w1BO .

equence de coupure en boucle ouverte • la pulsation de coupure en boucle ouverte wCBO . celles-ci sont a ` la page C). Mod´ elisations d’un amplificateur op´ erationnel en r´ egime non satur´ e Fig. 7. • l’imp´ edance de sortie Zs .1 Gain en boucle ouverte ` a fr´ equence nulle A0BO et fr´ equence de coupure en boucle ouverte fCBO La courbe qui donne le gain en boucle ouverte en fonction de la fr´ equence des signaux (large-signal differential voltage amplification versus frequency) apparaˆ ıt ` a la figure 12.6.3. Nous pouvons relever sur cette courbe : 94 . Cette courbe a l’allure d’un filtre passe-bas du premier ordre (comparer avec la figure 7. fonction de la diff´ erence Vcc+ − Vcc− des tensions d’alimentation Vcc+ et Vcc− . 7. on a : f1BO = fCBO A0BO A2 0BO − 1 ≈ wCBO A0BO wCBO 2 w2 + wC BO Comme on a : wCBO 2 2 w1 + wC BO BO =1 7.7 Comment obtenir les caract´ eristiques d’un amplificateur op´ erationnel ? Les principales caract´ eristiques d’un amplificateur op´ erationnel sont : • le gain en boucle ouverte ` a fr´ equence nulle A0BO .2 Relation entre f1BO .3. ou la fr´ fCBO . • la tension de saturation Vsat.3.9).94 7.9 – Diagramme de gain de bode d’un Filtre passe-bas 1er ordre. Elles sont obtenues en consultant les tables et figures ´ edit´ ees par le constructeur du composant (pour l’amplificateur op´ erationnel que vous utilisez en projet. 7. • l’imp´ edance d’entr´ ee diff´ erentielle Zed .3. les tableaux fournissent g´ en´ eralement des renseignements compl´ ementaires pour une tension d’alimentation particuli` ere.7. La plupart des caract´ eristiques peuvent ˆ etre d´ eduites des courbes . fcBO et A0BO |ABO (w)| = A0BO Il suffit de r´ esoudre en w1BO : A0BO Il vient : w1BO = wCBO De mˆ eme.

7.4 Tension de saturation Vsat La tension de saturation Vsat est fonction de la diff´ erence des tensions d’alimentation Vcc+ − Vcc− .2 Imp´ edance de sortie Zs Comme la valeur de l’imp´ edance de sortie a peu d’influence sur le comportement des montages (voir §7. on suppose que l’imp´ edance des entr´ ees est infinie. • Exemple 1. 95 • le gain en boucle ouverte dans la bande passante.10 – Montage non inverseur.4. composant TL074 aliment´ e entre -6V et +6V ⇒ Vsat = 5V.1 Le montage non inverseur On consid` ere que l’imp´ edance des entr´ ees de l’amplificateur op´ erationnel est infinie.3. La prendre alors ´ egale ` a z´ ero. • Exemple 2.3).3. 7. 95 .7. Les amplificateurs op´ erationnels : AOP • la fr´ equence f1BO : environ 3MHz .3 Imp´ edance d’entr´ ee diff´ erentielle Zed Cette valeur est pr´ esent´ ee dans les tableaux. identique au gain en boucle ouverte ` a fr´ equence 5 nulle A0BO : environ 2 10 .4. Rechercher aussi dans les tableaux les entr´ ees large-signal differential voltage amplification (A0BO ) et unity-gain bandwidth (f1BO ). 7. les constructeurs fournissent une courbe donnant (pour une r´ esistance de sortie donn´ ee) la valeur maximum de la tension de sortie en fonction de la demie diff´ erence des tensions d’alimentation (figure 10 “maximum peak output voltage versus supply voltage”). sous le nom ‘Input Resistance’ . Fig.6.7. Pour chaque composant.3.5V.1).7.3. 7.4 Montages utilisant la contre r´ eaction parall` ele de tension Ces montages utilisent directement la structure illustr´ ee par la figure 7. composant TL074 aliment´ e entre -14V et +14V ⇒ Vsat = 12. le montage non inverseur (§7. Il est alors possible d’exploiter cette hypoth` ese en supprimant de la mise en ´ equation les inconnues correspondantes. 7. elle a pour valeur 1012Ω. 7. Cette technique est d´ ecrite sur un montage particulier. elle n’est souvent pas mentionn´ ee. 7. La fr´ equence de coupure en boucle ouverte fCBO est donn´ ee par la relation f1BO = fCBO A0BO : d’o` u: fCBO ≈ 15Hz .8 Mise en ´ equation ‘r´ eduite’ Souvent.7.4.

sous r´ eserve qu’elle soit tr` es sup´ erieure ` a l’imp´ edance de sortie de l’amplificateur op´ erationnel. mettre en ´ evidence le gain statique du montage G0N I .4.11 – Montage suiveur. Tous les r´ esultats du montage non inverseur se retrouvent. la r´ esistance R se trouve donc directement branch´ ee sur la sortie . • gain en boucle ouverte constant A0BO = 105 .96 7. sortie ` a vide . puis la mise en ´ equation ‘r´ eduite’ en exploitant l’hypoth` ese de la valeur infinie des imp´ edances d’entr´ ee. sa pulsation de coupure wcN I . 2. 7. 96 . • Caract´ eriser par deux relations ce montage et calculer son gain en tension : 1.2 Le montage suiveur C’est le montage non-inverseur dans lequel on a choisi µ = 1 . en consid´ erant le gain en boucle ouverte fini et ´ egal ` a A0BO . elle n’a pas d’influence sur la tension de sortie. en consid´ erant le gain en boucle ouverte infini . 7.3 Influence des imp´ edances d’entr´ ee et de sortie (montage suiveur) Amplificateur op´ erationnel : • imp´ edance d’entr´ ee diff´ erentielle : ZE = 100k Ω . 3. Exercice • faire le bilan des inconnues et ´ ecrire le syst` eme d’´ equations . en consid´ erant le gain en boucle ouverte variable .4. en prenant µ = 1. • calculer les expressions : du gain en tension. imp´ edance de sortie non nulle ZS = 100Ω.4. • obtenir deux relations qui caract´ erisent le quadripˆ ole . Quel est l’int´ erˆ et de ce montage ? 7. Fig. et la valeur du produit G0N I wcN I . Montages utilisant la contre r´ eaction parall` ele de tension Travail demand´ e • Faire la mise en ´ equation compl` ete.

1.5 7. rBE . une imp´ edance de sortie ZS . de la transimp´ edance.12 – Adjonction d’un transistor de sortie. du potentiel vE ? 4 Voir l’exercice A.4 Adjonction d’un transistor de sortie Le courant maximum de sortie des amplificateurs op´ erationnels reste de l’ordre de quelques dizaines de milliamp` eres : pour augmenter cette valeur. • les param` etres d’un transistor (β . entr´ ee court-circuit´ ee . • ce montage convient-il pour r´ ealiser un amplificateur de courant ? • on dispose une r´ esistance RL sur la sortie : calculer l’expression du gain en tension . 7. gain en courant. Les amplificateurs op´ erationnels : AOP de l’imp´ edance de sortie. sortie court-circuit´ ee . Fig.5.4. cette caract´ eristique n’existe plus avec l’adjonction du transistor .1 Montages bas´ es sur la contre r´ eaction de courant L’amplificateur op´ erationnel consid´ er´ e comme amplificateur de transimp´ edance • Mettre en ´ equation le montage en supposant que l’amplificateur op´ erationnel pr´ esente une imp´ edance d’entr´ ee diff´ erentielle Zed . imp´ edance d’entr´ ee.4. imp´ edance de sortie. 97 . sortie ` a vide . il paraˆ ıt donc logique d’adjoindre un transistor de puissance. du gain en tension. entr´ ee non connect´ ee . et un gain en tension en boucle ouverte A0BO . Plusieurs remarques : • la sortie d’un amplificateur op´ erationnel peut aussi bien fournir qu’absorber un courant . • Quelles sont les ´ equations qui caract´ erisent ce quadripˆ ole ? • Quel sont les expressions du gain en courant. 97 7. sortie en court-circuit .7. imp´ edance d’entr´ ee. VBE 0 ) ne sont pas connus avec pr´ ecision : il faut donc 4 r´ ealiser un montage qui limite leur influence . page 129. 7.

7. 7. Mettre en ´ equation en supposant le gain en boucle ouverte infini.3 Le montage inverseur sommateur On consid` ere l’imp´ edance des entr´ ees de l’amplificateur op´ erationnel ∞.98 7. en consid´ erant le gain en boucle ouverte fini et ´ egal ` a A0BO .13 – Amplificateur de transimp´ edance.2 Le montage inverseur • On consid` ere que l’imp´ edance des entr´ ees de l’amplificateur op´ erationnel est infinie. et la valeur du produit G0IN V wcIN V .5. 7.5. • Caract´ eriser par deux relations ce montage et calculer son gain en tension : 1. en consid´ erant le gain en boucle ouverte infini . 7. Fig.15 – Le sommateur inverseur. en consid´ erant le gain en boucle ouverte variable . Montages bas´ es sur la contre r´ eaction de courant Fig. 3. Ce montage est une extension du montage pr´ ec´ edent : il suffit de faire β = 0 pour retrouver le montage inverseur. mettre en ´ evidence le gain statique du montage G0IN V . 7.14 – Le montage inverseur. • Faire la mise en ´ equation ‘r´ eduite’ en exploitant l’hypoth` ese de la valeur infinie de l’imp´ edance d’entr´ ee. Fig.5. 98 . 2. sa pulsation de coupure wcIN V .4 Le montage d´ erivateur inverseur On consid` ere l’imp´ edance des entr´ ees de l’amplificateur op´ erationnel ∞.5. 7.

– La d´ eriv´ ee de vE par rapport au temps : dvE = Asignal wsignal cos(wsignal t) + Abruit wbruit cos(wbruit t) dt – Le montage d´ erivateur augmente l’importance relative du bruit. c’est ` a dire qu’un signal al´ eatoire lui est superpos´ e: vE = Signal + Bruit Le bruit a une amplitude plus faible que le signal. mˆ eme si vE = 0.16 – Le d´ erivateur inverseur. En pratique.1 Le montage int´ egrateur Mise en ´ equation de l’int´ egrateur pur On consid` ere l’imp´ edance des entr´ ees de l’amplificateur op´ erationnel ∞. mais une pulsation plus importante : le montage d´ erivateur l’amplifie.2 Le probl` eme particulier du montage int´ egrateur pur L’expression de la sortie vS montre que si le signal vE pr´ esente une composante continue.5.4. Les amplificateurs op´ erationnels : AOP 99 Fig.5.7. la sortie vS ira inexorablement en saturation.5. dans la r´ ealit´ e. 7. 7.1 Le probl` eme particulier du montage d´ erivateur Malheureusement. 7. Fig.17 – Montage int´ egrateur.5. C’est pourquoi il est tr` es peu utilis´ e. 7.5. il y aura saturation : en continu.5 7. 99 .5. le signal vE (t) est toujours bruit´ e. 7. Nous pouvons avoir une id´ ee de ce ph´ enom` ene en supposant signal et bruit sinuso¨ ıdaux : vE = Asignal sin(wsignal t) + Abruit sin(wbruit t) avec : – Asignal > Abruit et wsignal < wbruit .

6. en valeur absolue. inf´ erieur ` a 5mA. • un courant trop important peut d´ etruire le composant. 100 . 7. • les courants de polarisation d’entr´ ee . L’existence d’une telle valeur est importante : elle fixe les valeurs minima des imp´ edances du montage.100 7. vE 1 + vE 2 + Gmd (vE 1 − vE 2 ) 2 7. • la tension de d´ ecalage d’entr´ ee .18 – Amplificateur diff´ erentiel. C’est pourquoi le montage int´ egrateur pur n’est jamais utilis´ e seul. Pour les amplificateurs usuels. l’amplificateur op´ erationnel est donc virtuellement en boucle ouverte. L’amplificateur diff´ erentiel est dit “´ equilibr´ e” si Gmc = 0. Ce n’est qu’int´ egr´ e dans un montage plus complet qu’il est en pratique utilisable.6 L’amplificateur diff´ erentiel Fig. 7. • Gmd est le gain en mode diff´ erentiel. D´ efauts des amplificateurs op´ erationnels l’imp´ edance de la capacit´ e C est infinie. 7. En supposant l’amplificateur id´ eal. le courant de sortie doit ˆ etre. par ´ echauffement local excessif.6.6 D´ efauts des amplificateurs op´ erationnels Nous examinons ` a pr´ esent les principaux d´ efauts des amplificateurs op´ erationnels : • la limitation du courant de sortie . montrer que la tension de sortie peut s’exprimer de la fa¸ con suivante : vs = Gmc o` u: • Gmc est le gain en mode commun . • la vitesse de balayage finie.1 Limitation du courant de sortie Le courant de sortie d’un amplificateur op´ erationnel est limit´ e: • l’imp´ edance de sortie augmente avec la valeur du courant de sortie .5.

7. apparaˆ ıssent dans les entr´ ees inverseuse et non inverseuse des courants appel´ es courants de polarisation d’entr´ ee. Pour des amplificateurs de bas de gamme cette limite sup´ erieure est aux alentours de 100kΩ . • Pour limiter l’influence des courants de polarisation : il faut choisir des imp´ edances «pas trop importantes» pour les composants du montage. Eq2.2.6. Les amplificateurs op´ erationnels : AOP 101 7. 7. • le courant de polarisation de l’entr´ ee inverseuse est ´ egale au courant de polarisation de l’entr´ ee non inverseuse. cette diff´ erence s’appelle courant de d´ ecalage d’entr´ ee.2 Effet des courants de polarisation sur le montage inverseur • Quelle est l’expression de vs ? • Remarquer qu’un gain infini en boucle ouverte ne supprime pas de d´ efaut. 7. 7.6. • le courant de polarisation de l’entr´ ee inverseuse et le courant de polarisation de l’entr´ ee non inverseuse sont diff´ erents .2. v+ = v− . • Compenser ces d´ efauts. i+ = Ip+ . la mod´ elisation est la suivante : Eq1. En premi` ere approximation : • les courants de polarisation d’entr´ ee sont constants . lorsque ce dernier est r´ ealis´ e avec des transistors bipolaires.1 Mod´ elisation des courants de polarisation constants Pour un amplificateur op´ erationnel de gain infini.6.2. i− = Ip− .3 Compensation des courants de polarisation d’entr´ ee dans le montage inverseur Quelle valeur donner ` a R3 pour annuler le terme ind´ esirable ? 101 . En deuxi` eme approximation : • les courants de polarisation d’entr´ ee sont constants . Eq3.6.2 Courants de polarisation d’entr´ ee L’´ etage d’entr´ ee d’un amplificateur op´ erationnel est un amplificateur diff´ erentiel .

il se peut mˆ eme que l’amplificateur op´ erationnel soit satur´ e.3 Tension de d´ ecalage d’entr´ ee • Si on r´ ealise l’exp´ erience ci-dessus.6. En r´ ealit´ e. La mod´ elisation d’un tel amplificateur op´ erationnel est la suivante : Eq1. Eq3. • Pr´ esence d’une tension de d´ ecalage d’entr´ ee. si le gain en boucle ouverte est infini : v+ − v− − EdE = 0 . i+ = Ip+ . Eq2. D´ efauts des amplificateurs op´ erationnels 7. Eq2.6.6. Mod´ elisation de la tension de d´ ecalage d’entr´ ee : • Pour un amplificateur de bas de gamme.6. |EdE | < 5mV. L’origine de ce d´ efaut est l’existence d’une tension de d´ ecalage d’entr´ ee non nulle.1 Effet des d´ efauts cumul´ es sur le montage inverseur • Le montage est d´ ej` a compens´ e pour des courants de d´ ecalage d’entr´ ee constants et ´ egaux. quelle est la tension vs que l’on observe ? • En supposant l’amplificateur id´ eal. on obtient : vs = 0.4. si il est fini : vs = A0BO (v+ − v− − EdE ). on ne peut pas r´ epondre. 7. pour un amplificateur op´ erationnel r´ eel.4 D´ efauts pr´ ec´ edents cumul´ es Nous consid´ erons un amplificateur op´ erationnel id´ eal pr´ esentant les deux d´ efauts : • Pr´ esence de courants de polarisation d’entr´ ee constants .102 7. • L’´ equation de la sortie est la suivante : Eq1. v+ − v− − EDE = 0 . • Quelle est l’expression de vs ? 102 . Avec toutes les autres mod´ elisations. i− = Ip− . 7. la valeur observ´ ee n’est pas nulle .

quelque soit le choix.7. page 90 .4.2 Mod´ elisation de l’entr´ ee d’un amplificateur op´ erationnel Les mod´ elisations possibles comprennent celles d´ ecrites au §7.6.5 Vitesse finie de balayage de la sortie La vitesse de balayage de la sortie est la vitesse de mont´ ee ou de descente de la sortie de l’amplificateur op´ erationnel.4. Si on impose un ´ echelon d’amplitude E ` a l’entr´ ee.3 Mod´ elisation de la sortie d’un amplificateur op´ erationnel Le comportement de la sortie d’un amplificateur op´ erationnel est toujours r´ egi par une ´ equation et une in´ equation. que l’on soit en r´ egime satur´ e ou non satur´ e.3. 7. Celle-ci est finie.7 7.2 Compensation • Quelle est l’expression de vs ? • Pour quelle valeur de λ le montage est-il compens´ e? • Quelle est la condition sur Rg pour que cette compensation puisse ˆ etre r´ ealis´ ee ? 103 7.1). et s’exprime en V /µs. quelle est l’expression de vs ? La pente ` a l’origine est G0N I wcN I E .1 L’ampli op´ erationnel en r´ egime satur´ e Caract´ erisation du r´ egime satur´ e Un amplificateur op´ erationnel est dit satur´ e si : vs = +Vsat ou vs = −Vsat 7.7. Suivant ce r´ esultat. on obtient toujours deux ´ equations. Dans la r´ ealit´ e ceci est faux : la pente maximum est une caract´ eristique d’un amplificateur op´ erationnel r´ eel. Nous allons mettre en ´ evidence ce d´ efaut en prenant l’exemple du montage non inverseur (§7.7. on consid` ere les imp´ edances d’entr´ ee infinies. que l’on soit en r´ egime satur´ e ou non satur´ e. 7.7.6.2. Les amplificateurs op´ erationnels : AOP 7. 103 . G´ en´ eralement. une pente quelconque peut ˆ etre atteinte : il suffit de choisir E en cons´ equence.

3. Condition R´ egime Satur´ e R´ egime non satur´ e Equation vs = −Vsat vs = Vsat vs = A0BO (v+ − v− ) In´ equation v+ − v− < v+ − v− > |vs | < Vsat A0BO −Vsat A0BO Vsat A0BO Tab.2 – Amplificateur dont le gain est ∞ en r´ egime non satur´ e. 7.104 7. 7.2 Amplificateur dont le gain est fini en r´ egime non satur´ e Vsat En pratique.3. 104 . 7.1 Amplificateur dont le gain est infini en r´ egime non satur´ e Condition R´ egime Satur´ e R´ egime non satur´ e Equation vs = −Vsat vs = Vsat v+ = v− In´ equation v+ − v− < 0 v+ − v− > 0 |vs | < Vsat Tab.1 Exemples de fonctionnement en r´ egime satur´ e Le trigger de Schmitt On consid` ere l’imp´ edance des entr´ ees de l’amplificateur op´ erationnel ∞. et que le gain en r´ egime non satur´ e est ∞.7. 7.8.7. la valeur A est faible (< 0. le comportement en r´ egime non satur´ e est seulement transitoire.8. 7. Exemples de fonctionnement en r´ egime satur´ e Remarquons que si le montage est instable.3 – Amplificateur dont le gain est fini en r´ egime non satur´ e.1mV) : c’est pourquoi la mod´ elisation simplifi´ ee qui consiste 0BO a consid´ ` erer A0BO infini est souvent adopt´ ee.8 7.

105 . • Calculer la p´ eriode T en fonction de R. ´ • Etablir l’expression litt´ erale de la p´ eriode (ou de la fr´ equence) d’oscillation. 7.8. C et µ. quels sont ils ? • Quelles sont les tensions prises par la sortie y2 ? ´ • Etablir la condition sur R1 et R2 pour que cet oscillateur fonctionne . ´ • Etablir l’expression litt´ erale des extrema des tensions y1 et y2 .7. Les amplificateurs op´ erationnels : AOP ´ Evolution de la sortie VS en fonction de la tension d’entr´ e e VE : 105 7.8.3 G´ en´ erateur de tension triangulaire ´ Etude : • Ce montage est contitu´ e de deux montages ´ el´ ementaires .2 Oscillateur ` a trigger de Schmitt • Montrer que la sortie de ce montage oscille .

106 7.8. Exemples de fonctionnement en r´ egime satur´ e 106 .

8. c’est ` a dire que l’on peut connecter directement ` a une sortie plusieurs entr´ ees. Fig. les sorties ont toutes les mˆ emes caract´ eristiques d’imp´ edance et de niveau logique .1 R´ ealisation de fonctions logiques par des transistors bipolaires Les portes logiques ´ el´ ementaires peuvent ˆ etre r´ ealis´ ees grˆ ace ` a des transistors bipolaires . ceux-ci doivent fonctionner en commutation. Niveaux logiques : • Faux quand la tension (d’entr´ ee. Fig.2 et 8.Chapitre 8 Les circuits int´ egr´ es num´ eriques Ce chapitre n’a pas pour but d’´ etudier la logique. 8. de sortie) est voisine de z´ ero .2 – Porte NON. • Quelle que soit la fonction logique r´ ealis´ ee. mais de pr´ esenter les caract´ eristiques ´ electriques des circuits int´ egr´ es de la s´ erie TTL standard et de la s´ erie CMOS CD4000. D’o` u l’id´ ee de r´ ealiser des assemblages de transistors et de r´ esistances tels que : • Quelle que soit la fonction logique r´ ealis´ ee. il faut calculer chaque composant de fa¸ con que les niveaux logiques de la sortie d’une porte soient adapt´ es aux niveaux logiques d’entr´ ee des portes suivantes. • Si on veut combiner ces portes ´ el´ ementaires.3 am` enent (entre autres) les probl` emes suivants : • Les entr´ ees ne se comportent pas toutes de la mˆ eme fa¸ con (par exemple les deux entr´ ees de la porte non-et) . Fig. 8.3 – Porte NON-OU.1. 8.1 – Porte NON-ET. 107 . les entr´ ees ont toutes les mˆ emes caract´ eristiques d’imp´ edance et de niveau logique . Les montages 8. de sortie) est voisine de la tension d’alimentation . • Les entr´ ees et les sorties sont compatibles. • Vrai quand la tension (d’entr´ ee. 8.

multiplexeurs. D). • MSI (Middle Scale Integration ) : de 100 ` a 1 000 composants. S (Schottky) en voie de disparition au profit de AS (Advanced Schottky). ou exclusif. ce qui permet de r´ ealiser des m´ emoires de faible capacit´ e (< 1kbit). les montages utilisant des composants discrets ne sont employ´ es que lorsqu’un circuit int´ egr´ e ne peut pas ˆ etre utilis´ e. 108 . 8. ils existent en plusieurs s´ eries : L (Low Power) et H (High Speed) aujourd’hui disparues. JK. PMOS. Les circuits int´ egr´ es TTL ne n´ ecessitent qu’une seule tension d’alimentation ` a 5V (±5%) (±10% pour certaines s´ eries) et leur consommation ne d´ epend pas de la fr´ equence des signaux (tout au moins jusqu’` a 1 MHz) . et des circuits combinant logique et bascules (compteurs.. · · · ) qui int` egrent les transistors bipolaires (NPN uniquement) et les r´ esistances. registres a ` d´ ecalage. d´ emultiplexeurs ).2. . • LSI (Large Scale Integration) : de 1 000 ` a 10 000 composants. la plus ancienne (les premiers circuits int´ egr´ es TTL datent des ann´ ees 60) permettent de r´ ealiser des circuits int´ egr´ es comportant jusqu’` a 10000 composants (LSI). les circuits p´ eriph´ eriques qui entourent les processeurs. le degr´ e d’int´ egration a ´ et´ e codifi´ e de la fa¸ con suivante : • SSI (Small Scale Integration ) : jusqu’` a 100 composants. Les circuits int´ egr´ es num´ eriques Il est ´ evidemment int´ eressant d’int´ egrer cet assemblage sur une mˆ eme pastille : on obtient un circuit int´ egr´ e .108 8. · · · ). On trouve les fonctions logiques plus complexes (additionneurs. codeurs. les circuits m´ emoire. leur consommation augmente fortement avec la fr´ equence des signaux et avec la capacit´ e de la charge. 32 et 64 bits (MC68000 : environ 68000 transistors ). les premiers microprocesseurs 8 bits (Z80 : 8000 transistors ). S. La technologie TTL. avec la mˆ eme consommation que les circuits int´ egr´ es CMOS . Les technologies MOS et d´ eriv´ ees. c’est ` a dire principalement quand le courant ou la tension commut´ es sont trop importants. ainsi.1 Les circuits int´ egr´ es num´ eriques Degr´ e d’int´ egration Un circuit int´ egr´ e peut regrouper sur une mˆ eme pastille jusqu’` a six millions de composants .2 8.2. · · · 8. Les circuits int´ egr´ es CMOS (Complementary MOS) ne n´ ecessitent qu’une seule tension d’alimentation pouvant varier entre 3V et 18V .2 Les principales technologies Les principales technologies utilis´ ees ` a pr´ esent sont : • La technologie TTL (Transistor-Transistor Logic) et ses d´ eriv´ ees (TTL LS.2. NMOS. • la technologie MOS (Metal Oxyde Semiconductor) et ses nombreux d´ eriv´ es (CMOS.) qui int` egrent les transistors ` a effet de champ et les r´ esistances. Les circuits int´ egr´ es HCMOS (High speed CMOS) sortis ` a partir de 1983 ont des temps de propagations comparables avec les circuits int´ egr´ es TTL LS. LS (Low Power Schottky) et ALS (Avanced Low power Schottky). d´ ecodeurs. multiplicateurs.. comparateurs. · · · • VLSI (Very Large Scale Integration ) : ` a partir de 10 000 composants : les processeurs 16. Ce degr´ e d’int´ egration permet de r´ ealiser toutes les fonctions bool´ eennes ´ el´ ementaires (portes) et les bascules les plus simples (bascules RS. plus r´ ecentes que la TTL (les premiers circuits int´ egr´ es CMOS datent du d´ ebut des ann´ ees 70) pr´ esentent l’avantage d’une consommation beaucoup plus faible (quasiment nulle au repos). mais l’inconv´ enient d’un temps de propagation plus grand.

8. TTL L et TTL H pratiquement sorties en mˆ eme temps (mˆ eme ´ etat de l’art) refl` etent ces choix. • S´ erie 54 AS et 74 AS : s´ eries Advanced Schottky. La tol´ erance sur cette tension est.3.1 – Circuits int´ egr´ es comprenant 4 portes non-et ` a 2 entr´ ees Une famille technologique repr´ esente l’´ etat de l’art ` a un instant donn´ e. dans chaque famille. 8.25 ?W 1. on distingue les diff´ erents types d’entr´ ee et de sortie suivants : 109 . 8.3 8.1 Les circuits int´ egr´ es logiques TTL Caract´ eristiques g´ en´ erales Les circuits int´ egr´ es TTL existent actuellement en deux familles (famille 54 et famille 74) et.25mW ≈0 1. • Famille 74 : 0◦ C ` a 70◦ C. ils sont moins sensibles ` a la capacit´ e de la charge. consid´ A erons diff´ erentes r´ ealisations d’un circuit int´ egr´ e comportant quatre portes non-et : Technologie TTL Standard TTL L TTL H TTL LS TTL S TTL ALS TTL AS CMOS (repos) CMOS (` a 1kHz) CMOS (` a 1MHz) HCMOS (repos) HCMOS (1Mhz) R´ ef´ erence du circuit SN 7400 SN 74L00 SN 74H00 SN 74LS00 SN 74S00 SN 74ALS00 SN 74AS00 CD 4011 UB CD 4011 UB CD 4011 UB 74HC00 74HC00 Temps de propagation 10ns 30ns 4.5mW 25mW 3mW 33mW 1mW 10mW ≈0 1. • S´ erie 54 LS et s´ erie 74 LS : s´ eries Low power Schottky. Toutes ces s´ eries fonctionnent sous une seule tension d’alimentation. Dans chaque s´ erie. • S´ erie 54S et 74 S : s´ eries Schottky. • S´ eries 54 ALS et 74 ALS : s´ eries Advanced Low power Schottky.5ns 9. de valeur nominale 5V. suivant les circuits. en plus de 5 s´ eries. dont : • S´ erie 54 et s´ erie 74 : s´ eries standard. Les familles 54 et 74 diff` erent principalement sur la gamme des temp´ eratures de fonctionnement ` a l’air libre : • Famille 54 : -55◦ C ` a 125◦ C. ` titre de comparaison.5ns 3ns 4ns 2ns ≈ 60ns ≈ 60ns ≈ 60ns 8ns 8ns Consommation par porte 10mW 1. Leur tension d’alimentation peut varier entre 4V et 6V.5mW Tension d’alimentation 5V ±5% 5V ±5% 5V ±5% 5V ±5% 5V ±5% 5V ±5% 5V ±5% 3V ` a 18V 3V ` a 18V 3V ` a 18V 4V ` a 6V 4V ` a 6V Tab. Les circuits int´ egr´ es num´ eriques 109 de plus. suivant les s´ eries de ±5% ou de ±10%. Ainsi les familles TTL standard. et un choix dans le compromis rapidit´ e/consommation.

8 V (niveau logique ‘0’ en TTL Standard). D1 est bloqu´ ee. 8.4) . 8. T2 et T3 sont satur´ es. c’est ` a dire ` a un niveau logique ‘1’. le potentiel VB 1 est alors inf´ erieur ` a ≈ 1. Le constructeur garantit que : courant d’entr´ ee : 0 < iI < 40 µA (pour la TTL Standard). Les circuits int´ egr´ es logiques TTL Diff´ erents types de sortie : • Sortie deux ´ etats dite ‘totem pole’. • Sortie 3 ´ etats (non trait´ e dans ce cours). (b) Valeur logique “un” ` a l’entr´ ee L’entr´ ee I est au niveau logique ‘1’ en TTL Standard (vE > 2. Par convention.110 Diff´ erents types d’entr´ ee : • Entr´ ee ordinaire. Remarquer les conventions de sens des courants d’entr´ ee et de sortie : ils sont tous deux positifs quand le courant entre dans le circuit (voir figure 8.0 V). ce qui bloque T4 . La tension vO est donc ‘proche’ de 0V. La saturation de T2 abaisse le potentiel de son collecteur. en tout cas insuffisant pour polariser T2 et T3 qui sont bloqu´ es. dans la suite nous supposerons que GND = 0V. 8. Fig.4 – Sch´ ema de principe d’un inverseur TTL. c’est ` a dire ` a un niveau logique ‘0’.3.4 V. • Le second d´ esigne une valeur particuliere du courant ou de la tension : ‘H’ pour le niveau haut. 110 . • Entr´ ee trigger de Schmitt. nous nous restreignons ` a l’´ etude des circuits int´ egr´ es de la s´ erie 74 Standard. et ‘L’ pour le niveau bas. qui comprend 6 inverseurs identiques. Dans le reste de ce paragraphe. • Sortie collecteur ouvert. Le blocage de T2 sature T4 . ou tout au moins < 0. (a) Valeur logique “z´ ero” ` a l’entr´ ee L’entr´ ee I est connect´ ee ` a la masse. La d´ esignation des courants et des tensions utilise un double indice : • Le premier est ‘I’ pour un courant ou une tension d’entr´ ee.2 Principe de fonctionnement de l’inverseur TTL Etude du circuit 7404. et ‘O’ pour un courant ou une tension de sortie . La diode D1 conduisant. La tension vO est donc ‘proche’ de 5V.3. Le constructeur garantit que : courant d’entr´ ee : -1.6 mA < iI < 0 (pour la TTL Standard).

1 Charge nominale d’entr´ ee TTL L’entrance d’une entr´ ee TTL (fan-in) est le nombre de charges nominales d’entr´ ees ´ equivalent ` a cette entr´ ee.5.5 – Caract´ eristique de transfert d’un inverseur TTL. figure 8. Sortie ` a 1 : VOHmin < vO < Vcc avec VOHmin = 2.3.8.2mA .0V Sortie ` a 0 : 0 < vO < VOLmax avec VOLmax = 0.5). • Au niveau logique 1 : 40µA.4V Ces tensions caract´ erisant les niveaux logiques sont respect´ ees par pratiquement tous les circuits int´ egr´ es TTL standard. 8.3 Caract´ eristique de transfert d’un inverseur et niveaux logiques TTL La caract´ eristique de transfert est le graphe de la tension de sortie vO en fonction de la tension d’entr´ ee vI . une entr´ ee ayant une entrance ´ egale ` a 2 pr´ esente des courants d’entr´ ee : • Au niveau logique 0 : -3. 111 .3. certains circuits ` a entr´ ee dite “` a trigger de Schmitt” ont un comportement d´ efini quelque soit la tension de leurs entr´ ees (voir en §8.4V . Entr´ ee ` a 0 : 0 < vI < VILmax avec VILmax = 0. Fig. Les niveaux logiques sont les plages de tensions correspondant aux valeurs bool´ eennes 0 et 1. de plus. Les circuits int´ egr´ es num´ eriques 111 8. Remarquer que le comportement n’est pas sp´ ecifi´ e par les constructeurs si le potentiel ‘vI ’ d’une entr´ ee n’est pas dans l’une des deux plages de tension qui d´ efinissent les niveaux logiques. Entr´ ee ` a 1 : VIHmin < vI < Vcc avec VIHmin = 2. 8. Cependant.8V .4. 8.3. les constructeurs assurent le bon fonctionnement des circuits si les changements de niveaux d’entr´ ee sont r´ ealis´ es ‘assez rapidement’ (moins de 20ns pour la s´ erie TTL Standard) .3. Par exemple. nous nous placerons toujours dans le cas le plus d´ efavorable.4 Caract´ eristiques ´ electriques des entr´ ees et des sorties TTL Dans ce manuscrit.

8.3 – Sortie TTL nominale.2 Sortie TTL nominale Niveau logique 0 1 ´ Equation vOL = 0.6 – Porte 7414 : Entr´ ee ` a trigger de Schmitt.4V vOH Vcc Tab. Les caract´ eristiques ´ electriques d’une entr´ ee ` a trigger de Schmitt sont identiques ` a celles d’une entr´ ee ordinaire. une les entr´ ees ` a trigger de Schmitt sont utilis´ ees pour : • Signaux bruit´ es ou variant lentement (par rapport au temps de commutation) . 112 . La sortance d’une sortie TTL (fan-out) est le nombre de charges nominales d’entr´ ees qu’elle peut conduire.8 V VIHmin = 2V VIH Vcc Cas r´ eel -1.3. une entr´ ee ` a trigger de Schmitt a un comportement parfaitement d´ efini quelque soit la valeur de son potentiel.4V In´ equation 0 iOL IOLmax = 16 mA iOHmax = −400µA iOH 0 Cas r´ eel 0 vOL 0.3. compos´ e de six inverseurs dont l’entr´ ee est un trigger de Schmitt : Fig. 8. • Multivibrateurs.6 mA iIH = 40µ A 8. Un simple calcul montre qu’une sortie TTL nominale pr´ esente une sortance ´ egale ` a 10. .2 – Charge nomimale d’entr´ ee TTL 8.5 Entr´ ee ` a trigger de Schmitt Contrairement ` a une entr´ ee ordinaire. 8. 8. Principalement.4V vOH = 2.3.6mA iIL 0 0 iIH 40µA Tab.4V 2. Les circuits int´ egr´ es logiques TTL In´ equation 0 VIL VILmax = 0.4.112 Niveau logique 0 1 ´ Equation iIL = −1.6 pr´ esente la caract´ eristique du circuit 7414. Par exemple. la figure 8.

6 Sortie collecteur ouvert Une sortie est dite ‘` a collecteur ouvert’ quand son ´ etage de sortie est constitu´ ee d’un seul transistor dont l’´ emetteur est ` a la masse et dont le collecteur est le signal de sortie. la r´ esistance fournit un niveau logique 1 ` a l’entr´ ee.4V In´ equation 0 iON IONmax = 40 mA 0 vOFF 15V Cas r´ eel 0 vON 0 iOFF 0.4V iOFF = 2. on peut transmettre ainsi sur quelques m` etres jusqu’` a 250 kHz. 8. Le rˆ ole de la r´ esistance R est le suivant : quand la sortie est ` a l’´ etat OFF. le transistor de sortie supporte une tension collecteur-´ emetteur sup´ erieure ` a 5V : jusqu’` a 15V pour le circuit 7416 (six inverseurs ` a sortie collecteur ouvert). Ainsi. 8. ainsi que pour d’autres circuits tels que le comparateur LM393.4 – Sortie TTL ` a collecteur ouvert (Exemple du 7416).3. et en aucun cas ne peut en fournir. Les circuits int´ egr´ es num´ eriques 113 8.1 Caract´ eristiques d’une sortie TTL ` a collecteur ouvert Etat ON OFF ´ Equation vON = 0.6. (b) Transmission de signaux logiques : Transmettre sur plusieurs m` etres ne peut pas ˆ etre r´ ealis´ e par une sortie ` a deux ´ etats (Totem Pole) et une entr´ ee ordinaire : la liaison serait trop sensible aux parasites.6.4V 250µA Tab.2 Quelques exemples d’utilisation des sorties ` a collecteur ouvert (a) Interface de “puissance” (par exemple relais) Ce dispositif permet commander en tout ou rien une charge consommant jusqu’` a 40mA sous 15V. 113 . Ceci am` ene les remarques suivantes : • Il faut qu’un montage ext´ erieur au circuit int´ egr´ e` a collecteur ouvert fournisse le courant qui sera absorb´ e par la sortie .8. Une solution classique est d’associer une sortie ` a collecteur ouvert avec une entr´ ee ` a trigger de Schmitt : on montre que cette association est moins sensible aux parasites que la pr´ ec´ edente . Fig. 8. Remarque : un relais est ´ electriquement compos´ ee d’une r´ esistance et d’une inductance en s´ erie.3. une sortie ` a collecteur ouvert ne peut qu’absorber du courant.3.7 – Sortie collecteur ouvert. 8. • Pour certains circuits int´ egr´ es TTL. Cette sortie se distingue de la sortie ’Totem pole’ par l’absence du transistor T4 .

9 – Sortie ` a l’´ etat OFF.10 – Sortie ` a l’´ etat ON. • La s´ erie 74 HCT xx.114 8. et les niveaux logiques CMOS de la s´ erie CD 4xxx .4. Les circuits int´ egr´ es logiques CMOS (famille CD 4xxx) Fig. et les niveaux logiques TTL. 8. Un probl` eme classique est celui du calcul de cette r´ esistance : en effet. caract´ eris´ ee par une tension d’alimentation entre 2V et 6V. objet de l’´ etude ci-dessous . 8. Exercice : quelle condition doit v´ erifier R pour que l’entr´ ee soit au niveau bas ? Fig. • La s´ erie 74 C xx.8 – Sortie collecteur ouvert/ entr´ ee trigger de Schmitt. elle doit ˆ etre suffisamment importante pour que la sortie ` a l’´ etat ON puisse imposer un niveau logique 0. 114 Quatre s´ eries de circuits int´ egr´ es logiques CMOS existent : . caract´ eris´ ee par une tension d’alimentation de 5V ±10%. 8. Exercice : quelle condition doit v´ erifier R pour que l’entr´ ee soit au niveau haut ? Fig. et suffisamment faible pour imposer un niveau logique 1 quand la sortie est ` a l’´ etat OFF. • La s´ erie 74 HC xx. en voie de disparition . 8.4 Les circuits int´ egr´ es logiques CMOS (famille CD 4xxx) • La s´ erie CD 4xxx.

• Consommation proportionnelle ` a la fr´ equence des signaux.1 Caract´ eristiques g´ en´ erales des circuits int´ egr´ es logiques CD4xxx Les caract´ eristiques g´ en´ erales ont ´ et´ e pr´ esent´ ees au §8.2. Dans la suite du cours. Sortie analogique.11 – Sch´ ema de principe d’un inverseur CMOS. Suivant les circuits. Le premier est ‘I’ pour un courant ou une tension d’entr´ ee. rappelons-les bri` evement : • Tension d’alimentation entre 3V et 18V . Le second d´ esigne un valeur particuliere du courant ou de la tension : ‘H’ pour le niveau haut. • Imp´ edance des entr´ ees tr` es importante : typiquement 1012 Ω. et ` a la capacit´ e de la charge . 8.2 8. Sortie deux ´ etats dite ‘Totem pole’. 1 C’est un circuit CMOS qui comprend 6 inverseurs identiques. 115 . • Temps de propagation d’une simple porte : 60ns.3. Le plus courant.2 pour les circuits TTL pour les sens des courants d’entr´ ee et de sortie : ils sont tous deux positifs quand le courant entre dans le circuit. 3. 2. De la mˆ eme fa¸ con.4. Entr´ ee analogique. 2. Entr´ ee trigger de Schmitt (non trait´ e dans ce cours).4. vous avez VSS =-5V). Fig. l’entr´ ee dite ‘ordinaire’. pour une charge non capacitive. on peut rencontrer trois types diff´ erents de sortie : 1. et ‘O’ pour un courant ou une tension de sortie . 2. 3. 8. nous avons repris les conventions d´ efinies au §8. mais capacit´ e non n´ egligeable : 5pF. Les circuits int´ egr´ es num´ eriques 115 8.8. nous supposerons que VSS = 0 (En projet. on peut rencontrer trois types diff´ erents d’entr´ ee : 1.4. et ‘L’ pour le niveau bas.1 Principe de fonctionnement de l’inverseur CMOS ´ Etude du circuit CD 40691 Pour simplifier. Sortie 3 ´ etats (non trait´ e dans ce cours). La d´ esignation des courants et des tensions utilise un double indice : 1.2 .

T2 est alors satur´ e et T1 bloqu´ e : la tension vO est donc ‘proche’ de VSS . Ces caract´ eristiques sont de plusieurs natures.4. 116 . ou tout au moins ` a une tension ‘suffisamment proche’ : c’est un niveau logique 0. 8.12 – Caract´ eristique de transfert d’un inverseur CMOS. 8. c’est ` a dire ` a un niveau logique 1.5V et 18V. les constructeurs garantissent des caract´ eristiques pour ‘VDD − VSS ’ compris entre 4. Les niveaux logiques sont les plages de tensions correspondant aux valeurs bool´ eennes 0 et 1. Les circuits int´ egr´ es logiques CMOS (famille CD 4xxx) (a) Valeur logique ‘z´ ero’ ` a l’entr´ ee L’entr´ ee ‘I’ est connect´ ee ` a VSS . Les circuits logiques CMOS de la famille CD 4xxx doivent ˆ etre aliment´ es sous une tension ‘VDD − VSS ’ comprise entre 3V et 18V. En fait. (b) Valeur logique ‘un’ ` a l’entr´ ee L’entr´ ee ‘I’ est connect´ ee ` a VDD . c’est une courbe avec hyst´ eresis (que nous n’´ etudions pas dans ce cours) . Si le circuit est correctement aliment´ e. ou tout au moins ` a une tension ‘suffisamment proche’ : c’est un niveau logique 1. c’est ` a dire ` a un niveau logique 0. La caract´ eristique de transfert d´ epend de la valeur de ‘VDD − VSS ’ : • Pour VDD − VSS <4V. c’est une courbe analogue ` a celle pr´ esent´ ee ci-dessous.3 Caract´ eristique de transfert d’un inverseur et niveaux logiques CMOS La caract´ eristique de transfert est le graphe de la tension de sortie vO en fonction de la tension d’entr´ ee vI . T1 est alors satur´ e et T2 bloqu´ e : la tension vO est donc ‘proche’ de VDD . Si le circuit est correctement aliment´ e. Fig.116 8. • Pour VDD − VSS >4V.4.

elle fournit un courant : iOH est donc n´ egatif .5V) Les constructeurs garantissent deux types de condition. condition “forte” C2. Une condition “faible” : Niveau logique 0 1 Condition VSS vIL VSS + 0.3. 8.4.9(VDD − VSS ) vIH VDD 4.4.2 Niveaux logiques des sorties CMOS (pour VDD − VSS 4. Une condition “forte” : Niveau logique 0 1 Condition VSS vIL VSS + 1V + 0. 117 . 8.4.45(VDD − VSS ) VSS + 0. quand une sortie est au niveau logique 0. Les entr´ ees v´ erifient la condition ‘forte’ : Niveau logique 0 1 Condition VSS vOL VSS + 0.3 Courants maxima de sortie Quand une sortie est au niveau logique 1. condition “faible” Pour une tension d’entr´ ee en dehors de ces intervalles.1(VDD − VSS ) VSS − 1V + 0.6 – Niveaux logiques CMOS. suivant que les entr´ ees v´ erifient les conditions ‘forte’ ou ‘faible’ : C1. les constructeurs ne garantissent rien : cependant.8 – Tension de sortie CMOS.9(VDD − VSS ) vOH VDD Tab.5V) 117 Tab.7 – Tension de sortie CMOS. Les circuits int´ egr´ es num´ eriques 8.1 Niveaux logiques des entr´ ees CMOS (pour VDD − VSS La tension d’une entr´ ee peut v´ erifier deux types de condition : C1. 8. condition “forte” C2.8.3. Les entr´ ees v´ erifient la condition “faible” : Niveau logique 0 1 Condition VSS vOL VSS + 0. condition ‘faible” 8.3.1(VDD − VSS ) VSS + 0. Les valeurs maxima d´ ependent : • De la tension d’alimentation VDD .55(VDD − VSS ) vIH VDD Tab.55(VDD − VSS ) vOH VDD Tab.45(VDD − VSS ) VSS + 0. ils assurent le bon fonctionnement des circuits si les changements de niveaux d’entr´ ee sont r´ ealis´ es ‘assez rapidement’ (moins de 60ns). elle absorbe un courant : iOL est donc positif. 8. 8.5 – Niveaux logiques CMOS.

et des courbes pr´ ecisent leurs valeurs minima et typique. au contraire. Une r` egle classique consiste ` a v´ erifier que le courant de sortie reste dans les intervalles suivants : VDD − VSS 5V 10V 15V Sortie ` a 0 iOL 0 iOL 0 iOL 0 1mA 2. des tableaux indiquent des valeurs particuli` eres de ces courants. Les constructeurs ne fournissent pas d’expression analytique exprimant ces courants en fonction des param` etres ci-dessus .9 – Intervalle des valeurs du courant de sortie d ?un circuit CD4xxx 118 . Les circuits int´ egr´ es logiques CMOS (famille CD 4xxx) • De la tension des entr´ ees.5mA 1 iOH 0 iOH 0 iOH 0 Tab. 8. • De la temp´ erature du circuit.5mA -6.5mA 6.5mA Sortie ` a -1mA -2.4.118 8. ` a l’int´ erieur d’un niveau logique .

Chapitre 9

R´ egulateurs de tension int´ egr´ es
9.1 Introduction

` partir du secteur alternatif, comment obtenir une source de tension continue de tr` A es faible r´ esistance interne, qui d´ elivre une tension constante ? Le redressement du secteur alternatif monophas´ e, mˆ eme filtr´ e par des capacit´ es de forte valeur, fournit une tension dont le taux d’ondulation est trop important : il faut adjoindre un ´ etage qui r´ egule la tension. Deux techniques largement r´ epandues permettent d’obtenir une tension r´ egul´ ee : • Utilisation d’un circuit int´ egr´ e r´ egulateur de tension (pour un courant jusqu’` a 10A environ) ; • R´ ealisation d’une alimentation ` a d´ ecoupage (pour un courant sup´ erieur ` a 1A). Dans ce chapitre, nous nous limitons ` a l’´ etude des circuits int´ egr´ es r´ egulateurs de tension fixe.

9.2

R´ egulateurs 78xx et 79xx
• S´ erie 78xx pour les tensions positives ; • S´ erie 79xx pour les tensions n´ egatives.

Les r´ egulateurs de tension fixe se divisent en deux s´ eries :

“xx” d´ esignant la valeur de la tension r´ egul´ ee : ainsi par exemple le 7805 est un r´ egulateur 05V (voir caract´ eristiques ` a partir de la page 165), et le 7912 un r´ egulateur de tension -12V. Il existe de nombreux mod` eles r´ egulant une tension de sortie entre 5V et 24V, et pouvant d´ elivrer un courant jusqu’` a 1.5A. Tous ces r´ egulateurs comportent notamment : • Un limiteur du courant de sortie (protection contre les court-circuits), • Un disjoncteur thermique (protection contre une temp´ erature excessive). L’utilisation de ces circuits est extrˆ emement simple : en effet, ils ne comportent que trois broches : • Entr´ ee non r´ egul´ ee (ENR), • Sortie r´ egul´ ee (SR) et • Masse (M). esente les courants et tensions r´ eels dans des r´ egulateurs de tension fixe positive ou La figure 9.1 repr´ n´ egative. IE est le courant d’entr´ ee du r´ egulateur, IS le courant de sortie, et IM le courant ` a travers la broche de masse, appel´ e courant de maintien ; c’est une valeur qui reste de l’ordre de quelques mA pour tous les 119

120

9.2. R´ egulateurs 78xx et 79xx

Fig. 9.1 – Courants et tensions dans un r´ egulateur de tension fixe. mod` eles, quelque soient la tension d’entr´ ee et le courant de sortie. Pour les deux types de r´ egulateurs, on a: IE = IM + IS Remarquons que pour les r´ egulateurs de tension n´ egative 79xx, le courant de sortie IS rentre dans le r´ egulateur, tandis que le courant d’entr´ ee IE sort du r´ egulateur. VE est la tension d’entr´ ee du r´ egulateur : pour que celui-ci fonctionne correctement, il faut que cette tension soit au minimum 2V ` a 3V sup´ erieure ` a la tension nominale de sortie. Par exemple, pour le r´ egulateur 7805, la tension d’entr´ ee minimum est ´ egale ` a 7V. De plus, la tension d’entr´ ee ne doit pas d´ epasser une valeur de l’ordre de 25V (destruction du r´ egulateur). VS est la tension de sortie du r´ egulateur : les fabricants la garantissent ` a ±5% de la tension nominale pour une certaine plage de la tension d’entr´ ee et du courant de sortie. La r´ esistance de sortie du r´ egulateur est de l’ordre de 0.02Ω. Un montage classique ` a base de r´ egulateurs de tension fixe est le suivant :

Fig. 9.2 – Alimentations continues r´ egul´ ees ` a base de r´ egulateurs de tension fixe. On distingue les composants suivants : • Les deux ponts redresseurs P1 et P2, chacun ´ etant aliment´ e par le secondaire d’un transformateur monophas´ e; • Les condensateurs de filtrage basse fr´ equence C1 et C4 : ce sont des condensateurs de forte valeur (de 1000µF ` a plus de 22000µF), qui filtrent les tensions redress´ ees ; • Les condensateurs de filtrage haute fr´ equence C2, C3, C5 et C6 : ces condensateurs doivent pr´ esenter une faible imp´ edance ` a haute fr´ equence : on choisira des condensateurs au tantale ou au mylar, dont les valeurs sont sup´ erieures ou ´ egales ` a 0.33µF pour C2 et C5 et ` a 1µF pour C3 ou C6. 120

9. R´ egulateurs de tension int´ egr´ es

121

9.2.1

Puissance dissip´ ee par un r´ egulateur 78xx
P = V E I E − V S IS

Cette puissance P est ´ egale ` a: Cette expression peut ˆ etre ´ ecrite sous la forme : P = VE (IM + IS ) − VS IS = VE IM + (VE − VS )IS En pratique, VE IM est le plus souvent n´ egligeable devant (VE − VS )IS .

9.3

Mod´ elisation d’un r´ egulateur de tension fixe (78xx)
• • • • • Tension d’entr´ ee sup´ erieure ` a la tension d’entr´ ee minimum Tension d’entr´ ee inf´ erieure ` a la tension d’entr´ ee maximum Courant de sortie inf´ erieur ` a sa valeur maximum Courant de sortie positif ou nul Puissance dissip´ ee inf´ erieure ` a la puissance maximum → VE > VEmin → VE > VEmax → IS > ISmax → IS 0 → P < Pmax

Domaine de validit´ e:

Fig. 9.3 – Sch´ ema ´ equivalent d’un r´ egulateur de tension positive 78xx. Le r´ egulateur de tension positive est consid´ er´ e comme un quadripˆ ole : son fonctionnement est caract´ eris´ e par deux relations faisant intervenir les courants IE et IS ` a travers l’entr´ ee et la sortie, et les tensions ` a l’entr´ ee et ` a la sortie VE et VS : I E = IS + IM VS = VS0 − Rint IS o` u IM , VS0 et Rint sont des param` etres caract´ eristiques ` a un r´ egulateur ; en premi` ere approximation, ils peuvent ˆ etre consid´ er´ es constants. Par exemple, ils valent pour le r´ egulateur 7805 : IM = 5mA, VS0 = 5V, et Rint = 0.02Ω. Les valeurs qui d´ elimlitent le domaine de validit´ e des ´ equations pr´ ec´ edentes valent, pour le r´ egulateur 7805 : VEmin = 7V, VEmax = 25V, Ismax = 1.5A, Pmax suivant le boˆ ıtier et les conditions d’utilisation.

9.4

Montage pour courants importants

Nous allons maintenant pr´ esenter un montage, figure 9.4, admettant un courant de sortie plus important, grˆ ace ` a l’utilisation d’un transistor de puissance, capable d’ˆ etre travers´ e par plus de 1.5A, et pouvant dissiper une forte puissance. Ce montage n’est pas prot´ eg´ e contre les court-circuits. L’´ etude de ce montage est l’objet de l’exercice A.6.1 : r´ egulateur int´ egr´ e de tension 7805, page 132.

121

sans protection contre les court-circuits. 9.4.4 – Montage pour courant fort.122 9. Montage pour courants importants Fig. 122 .

1. ainsi que sa phase φ par rapport ` a u(t) . (a) Que devient le syst` eme d’´ equations ? (a) En d´ eduire la r´ esistance d’entr´ ee du montage. (d) la r´ esistance de sortie. retrouver ces r´ esultats en utilisant la notation complexe. (c) u(t) = 0 et v (0) = E . et son gain en courant. 123 . (f ) le gain en tension. (b) la r´ esistance d’entr´ ee.2 Quadripˆ ole ´ les relations de comportement du quadripˆ ole.1 Exercices sur les chapitres 2 & 3 Transformation de Laplace [1] Mettre en ´ equation le circuit et exprimer V (s) (transform´ ee de Laplace de v (t)) en fonction de U (s) (transform´ ee de Laplace de u(t)) et de v (0) (valeur de v (t) ` a t=0).1. l’entr´ ee ´ etant en court-circuit . l’entr´ ee ´ etant ouverte . son gain en tension.1 A. [2] Donner l’expression de v (t) dans les cas suivants : (a) u(t) = E et v (0) = 0 . la sortie ´ etant ouverte . (d) u(t) = Ecos(ωt) et v (0) = 0 . (e) le gain en courant. A. la sortie ´ etant en court-circuit . [3] Sur la sortie est branch´ e un dipˆ ole constitu´ e d’une r´ esistance R3 .Annexe A Exercices A. la sortie ´ etant en court-circuit . la sortie ´ etant ouverte . (c) la r´ esistance de sortie. [1] Ecrire [2] D´ eduire de ces deux relations : (a) la r´ esistance d’entr´ ee. donner l’amplitude du r´ egime permanent de v (t). dans ce dernier cas. (b) u(t) = E et v (0) = E .

3 Nullateurs et Norateurs [1] Soit le quadripˆ ole suivant : ´ (a) Ecrire les deux ´ equations qui le caract´ erisent .1. Le constructeur pr´ ecise les contraintes suivantes : • Vref • IImin vI iI VImax IImax .1.124 A. (b) Quelle est son imp´ edance de sortie ? (c) Quelle est son imp´ edance d’entr´ ee ? [3] Consid´ erons ce nouveau quadripˆ ole : ´ (a) Ecrire les deux ´ equations qui le caract´ erisent .1. (b) Quelle est son imp´ edance de sortie ? (c) Quelle est son imp´ edance d’entr´ ee ? [2] Le quadripˆ ole est compl´ et´ e de la fa¸ con suivante : ´ (a) Ecrire les deux ´ equations qui le caract´ erisent . (b) Quelle est son imp´ edance de sortie ? (c) Quelle est son imp´ edance d’entr´ ee ? A. 124 .4 R´ egulateur de tension int´ egr´ e On consid` ere le circuit int´ egr´ e TL431 dont le sch´ ema ´ equivalent est le suivant : Une utilisation classique de ce circuit int´ egr´ e (encore appel´ e ‘Zener ajustable’) est la conception de r´ egulateur de tension de faible puissance. Exercices sur les chapitres 2 & 3 A.

µ. Quel est l’intervalle des valeurs de iS qui peut ˆ etre assur´ e pour une telle tension VE ? (h) Calculer la valeur de µ et les valeurs num´ eriques de cet intervalle pour VEmin = 8V. RE . (1 + µ)Vref (f ) Exprimer iS en fonction de vE . [1] Quelles sont les ´ equations ind´ ependantes qui caract´ erisent ce quadripˆ ole ? [2] On consid` ere le quadripˆ ole suivant : (a) Bilan des inconnues et mise en ´ equation. VImax = 36V.2. IImin = 1mA et IImax = 100mA. Exercices 125 avec : Vref = 2. vS et iS ) qui caract´ erisent ce quadripˆ ole ? (c) Quelle est sa r´ esistance de sortie ? (d) En prenant uniquement en compte les contraintes sur vI .1 Exercices sur le chapitre 5 Diode lin´ earis´ ee [1] Faire le bilan des inconnues et des ´ equations. (i) Idem. A. [6] Retrouver les conditions des questions 3 et 4.2 A. avec vS = 5V. quel est l’intervalle des valeurs permises pour µ ? (e) Quel est l’intervalle des valeurs permises pour iI ? On pourra introduire IIM = inf Pmax . Vref . iE . RE = 100Ω. (g) Le circuit est aliment´ e par un g´ en´ erateur fournissant une tension vE variant entre VEmin et VEmax (avec Vref < VEmin < VEmax ). De plus. la puissance dissip´ ee ne doit pas exc´ eder Pmax = 0. IImax . R et iI . VEmax = 12V.4W. ` quelle condition la diode est-elle bloqu´ [3] A ee ? ` [4] A quelle condition la diode est-elle passante ? [5] Transformer le montage de fa¸ con ` a faire apparaˆ ıtre un g´ en´ erateur de tension. (b) Quelles sont les ´ equations ind´ ependantes (entre vE .A. 125 . R = 27k Ω et vS = 3. ´ [2] Ecrire les ´ equations.5V.75V.

et U la tension aux bornes de RL .126 A. [1] Diviser le montage en un dipˆ ole d’entr´ ee comprenant le potentiom` etre et en un dipˆ ole de sortie comprenant la r´ esistance RL et le transistor T. [1] Comment choisir R pour que l’on ait toujours VL VZ 0 ? [2] Pour cette question et les suivantes. [3] Mettre en ´ equation le dipˆ ole de sortie : bilan des inconnues. on choisit R = 560Ω. dans le pire des cas. La diode Zener est caract´ eris´ ee par VZ 0 = 6.3. β = 199 et rBE = 0. le transistor T est caract´ eris´ e par VBE 0 = 0.3. Les deux r´ esistances λRP et (1 − λ)RP forment un potentiom` etre : λ est un param` etre pouvant varier entre 0 et 1 et RP = 1k Ω. [4] 126 . la puissance dissip´ ee dans la r´ esistance R ? [4] Quelle est. – RLmin < RL < RLmax .2 Montage Collecteur Commun La tension E est constante et vaut 10V . et ´ ecrire le syst` eme d’´ equations.1 Exercices sur le chapitre 6 Montage Emetteur Commun [1] Mettre en ´ equation le montage. sans hypoth` ese sur l’´ etat du transistor .3 A.2 Diode Zener – Emin < E < Emax . dans le pire des cas. On note IB la valeur du courant dans la base du transistor.7V. des ´ equations.2. Exercices sur le chapitre 6 A. dans le pire des cas ? [3] Quelle est. avec Emin = 15V et Emax = 18V . Quelle est la tension maximum VLmax .3. [2] Pour quelles valeurs de EBB le transistor est-il bloqu´ e? [3] Pour quelles valeurs de EBB le transistor est-il actif ? [4] Pour quelles valeurs de EBB le transistor est-il satur´ e? A. [2] Mettre en ´ equation le dipˆ ole d’entr´ ee en utilisant le th´ eor` eme de Th´ evenin ou de Norton.1V et RZ 0 = 4Ω. avec RLmin = 400Ω et RLmax = ∞. la puissance dissip´ ee dans la diode Zener ? A.

(b) Quelle condition doit v´ erifier VB pour que le transistor soit actif ? (c) Exprimer dans ce cas la relation litt´ erale liant VB et IB . [4] On r´ eunit les deux sous-ensembles. [3] On consid` ere maintenant le deuxi` eme sous-ensemble (transistor T. (b) Pour quelle valeur IBM de IB la puissance est-elle maximum ? (c) En d´ eduire l’´ equation en λ dont la solution λM rend P maximum. quelle est la condition sur RL pour T soit actif ? 127 . E et de IB .3 Etude d’un g´ en´ erateur de courant constant [1] D´ ecomposer le montage en deux dipˆ oles. (c) Conclusion : quelle est l’influence du gain du transistor dans le montage collecteur commun ? A. (b) Mettre le dipˆ ole de sortie sous la forme d’un g´ en´ erateur de tension. (a) Dans le dipˆ ole de sortie. on consid` ere que λ a une valeur telle que le transistor [5] A T soit actif.A. et dans les suivantes. (a) Bilan des inconnues et mise en ´ equation.3. [6] On assimile la puissance dissip´ ee dans le transistor ` a l’expression VCE IC . λ. (a) Bilan des inconnues et mise en ´ equation. RL . Exercices (a) Quelle est la condition sur λ pour que le transistor T soit bloqu´ e? (b) Montrer que le transistor T ne peut pas ˆ etre satur´ e. [7] (a) Que deviennent les expressions de ICM et de PM si on consid` ere β 1? (b) Que devient l’´ equation de la question 6-c si on consid` ere que RP est n´ egligeable devant (β + 1)RL ? Donner dans ce cas l’expression de la solution λM ∞ . r´ esistances RB et RL ). (c) R´ esoudre le syst` eme complet. (d) Quelle est l’expression de cette puissance maximum PM et du courant de collecteur ICM correspondant ? (e) Application num´ erique : valeurs de IBM . (a) R´ esoudre en VB . exprimer toutes les inconnues en fonction de IB . PM . l’un comprenant la diode Zener Z et la r´ esistance R. [2] On ´ etudie tout d’abord le sous-ensemble constitu´ e de la diode Zener Z et de la r´ esistance R. (b) Quelle condition doit v´ erifier VB pour que la diode Zener soit passante ? (c) Exprimer dans ce cas la relation litt´ erale liant VB et IB . ICM pour RL = 50Ω. (b) Application num´ erique . Pour quelle valeur de λ la puissance dissip´ ee dans le transistor est-elle maximum ? On proc´ edera de la fa¸ con suivante : (a) Calculer la valeur litt´ erale de la puissance P dissip´ ee dans le transistor T en fonction de β . 127 ` partir de cette question.

• rBE1 = rEB2 = r. ´ (b) Ecrire les ´ equations. (c) Simplifier le syst` eme obtenu en ´ eliminant les courants d’´ emetteur de T1 et de T2 et les tensions base-´ emetteur de T1 et de T2 . (d) D´ eduire des r´ esultats pr´ ec´ edents deux ´ equations caract´ eristiques du quadripˆ ole. [1] (a) Faire le bilan des inconnues. on supposera que les transistors sont actifs. IM ] o` u IM est une constante strictement positive.128 A. et qu’ils poss` edent les mˆ emes grandeurs caract´ eristiques que les diodes : • VBE 01 = VEB 02 = V0 .4 Amplificateur push-pull On ´ etudie le montage suivant : On suppose que les diodes D1 et D2 sont identiques. et les diodes passantes. [2] (a) Exprimer v en fonction de i. On suppose que les transistors T1 et T2 pr´ esentent un gain courant infini. Exercices sur le chapitre 6 A. [3] L’amplificateur est dit ´ equilibr´ e si vS = 0 pour i = 0 et iS = 0.3. Quelles sont les conditions sur i ? 128 . (a) Quelle est la condition d’´ equilibrage ? (b) Que deviennent alors les ´ equations caract´ eristiques ? [4] En supposant l’amplificateur ´ equilibr´ e: (a) Etablir les in´ equations sur i et i qui garantissent que les diodes sont passantes et les transistors actifs. • R´ esistance dynamique : r. (d) Exprimer le courant de collecteur de T1 et le courant de collecteur de T2 en fonction de i et de iS . (b) Quelle est l’imp´ edance d’entr´ ee du montage ? (c) Exprimer vS en fonction de iS et de i. (b) On veut garantir que iS puisse parcourir l’intervalle [−IM .3. et lin´ earis´ ees : • Tension de seuil V0 . Dans tous le probl` eme.

vE est un signal sinuso¨ ıdal de pulsation ω . [2] (a) Pour quelles valeurs de VE le transistor est-il bloqu´ e? (b) Montrer que le transistor n’est jamais satur´ e. • E = 15V. VCC = 15V. ´ (b) Ecrire les ´ equations du quadripˆ ole. 129 .12 • Amplificateur op´ erationnel : Ze = ∞ . A0BO = 104 . RS =100Ω.A. Exercices [5] Application num´ erique : RB = 10k Ω. sous la forme V S = Gv (RL )VE + V0 .99 ? A. [3] Une r´ esistance R3 est branch´ ee entre A et B.N. (c) Expression du gain en tension complexe. (b) IM = 1mA. V0 = 0.4. • Transistor T : VBE 0 =0. (d) Quelle relation entre R2 et R3 doit ˆ etre v´ erifi´ ee pour que Ze puisse s’´ ecrire sous la forme d’une r´ esistance R et d’une inductance L en s´ erie ? Exprimer alors R et L en fonction de R3 et de C. [1] Faire le bilan des inconnues et ´ ecrire le syst` eme d’´ equations.2 Etude d’un filtre On consid` ere l’amplificateur op´ erationnel id´ eal . [2] (a) En d´ euire les ´ equations du montage. [4] En supposant l’amplificateur ´ equilibr´ e: (a) Calculer I0 pour que l’amplificateur soit ´ equilibr´ e. en d´ eduire les ´ equations du nouveau quadripˆ ole. Quel est l’intervalle de variation permis pour i ? 129 A. [3] En supposant que VE est tel que le transistor T n’est pas bloqu´ e: (a) Exprimer VS en fonction de VE .7V et r = 10Ω. V sat = 12V .4. (a) En utilisant les r´ esultats de la premi` ere partie. et de la fr´ equence de coupure. (b) Quelle est la condition sur RL pour que Gv (RL) 0.4 A. [1] Identifier les deux quadripˆ oles composant le montage ci-dessus et donner le nom de chaque quadripˆ ole.7V. figure 7. (b) Ceci change-t-il le comportement de la sortie du montage ? (c) Calculer l’imp´ edance d’entr´ ee Ze du montage. (c) Quelle est l’influence des param` etres de l’amplificateur op´ erationnel et des param` etres du transistor sur la relation entre VE et VS ? Comment seraient modifi´ ees les ´ equations si on consid´ erait que rBE > 0? A.1 Exercices sur le chapitre 7 Montage suiveur avec transistor (Voir Chapitre 7.β = 50 et rBE = 0 .

(a) Construire dans ce cas le diagramme de vS en fonction de vE . (b) Montrer que la transform´ ee de Laplace du gain en tension du montage Gλ (s) peut s’´ ecrire sous la forme : β Gλ (s) = 1 λ − α − ABO (s ) o` u α et β sont des expressions adimentionnelles ne d´ ependant que de R1 et de R2 . • AOP pr´ esente des imp´ edances d’entr´ ees infinies. (e) vE = 0. (d) Montrer que l’on peut exprimer Gλ (s) en fonction de β . et un gain en tension d´ ependant de la dynamique des 5 signaux : A0BO = 10 .3 Stabilit´ e d’un montage • R1 = 3k Ω. Montrer que cette ´ etude met en ´ evidence une valeur critique λc . [1] (a) Mettre en ´ equation en utilisant la transform´ ee de Laplace. • On a 0 < λ < 1. Dans le cas o` u vS se stabilise.130 A.4. D´ eterminer pour λ < λc puis pour λ > λc le r´ egime permanent de la sortie vS . [2] On consid` ere λ = 0.5 et E = 3V. R2 = 7k Ω et R = 10k Ω. (b) On soumet au montage le signal suivant : Construire le chronogramme de vS . fcBO = 1Hz et Vsat = 10V. λ. et ω1BO = A0BO ωcBO . Exercices sur le chapitre 7 A. λc . Dans le cas o` u vS ne se stabilise pas . 130 . calculer le temps pendant lequel l’amplificateur op´ erationnel n’est pas satur´ e. ´ (c) Etudier la stabilit´ e du montage en fonction de λ.2 et E = 1V. Quelle est l’allure de la r´ eponse en fonction de λ ? Applications num´ eriques : λ = 0. puis λ = 0.4. calculer le temps de r´ eponse pour atteindre 90% de la valeur finale. (f ) On soumet ce montage ` a un ´ echelon de tension vE = −E .5.

l’amplificateur op´ erationnel est consid´ er´ e comme id´ eal. Donner l’expression du courant A. k3 et k4 .1 (a) Exprimer uS en fonction de Vref . Exercices 131 Fig.4 Convertisseurs Num´ eriques → Analogiques Dans cet exercice.A. A.5. A.1 Exercices sur le chapitre 8 Interfaces TTL [1] Prise en compte d’un bouton poussoir. (b) Inconv´ enients de ce montage ? [2] R´ eseau R-2R : (a) Montrer que les valeurs des courants i1 ` a i4 ne d´ ependent pas de la position des interrupteurs It1 ` a It4 . (b) Quelle est la r´ epartition des courants dans le r´ eseau suivant ? Quelle est la r´ esistance ´ equivalente ? (c) D´ eduire de la question pr´ ec´ edente la r´ epartition des courants dans le r´ eseau R-2R. ainsi que sa r´ esistance ´ equivalente. 131 . k1 . k2 . [1] Soit le montage de la figure A.5 A.4.1 – CNA.

6.6. Comme une sortie du 7404 est incapable de commuter cette tension et ce courant. [1] Le r´ egulateur est aliment´ e sous VE = 10V et sa sortie est branch´ ee sur une charge qui absorbe un courant de 1A. on utilise un circuit dont la sortie est a collecteur ouvert : ` On n´ egligera le courant de fuite de la sortie collecteur ouvert ` a l’´ etat ‘OFF’. Rint = 0.132 A.4V et β = 750.4V et β = 750. quelles sont les valeurs ` a adopter pour R ? A. quelles sont les valeurs ` a adopter pour R ? [3] Pour pouvoir disposer d’un courant de sortie plus important. Le r´ egulateur peut-il dissiper la puissance demand´ ee ? 1 Mˆ eme si cet exercice est d´ edi´ e au chapitre 8. un montage Darlington fonctionnant en bloqu´ e/satur´ e est intercal´ e entre la sortie du 7404 et le moteur : D´ ecrire le fonctionnement de ce montage et placer la diode roue libre. il fait n´ eanmoins appel aux notions abord´ ees au §4.5A. Sachant que les caract´ eristiques du transistor Darlington PNP sont VBE 0 = 1.1 Exercices sur le chapitre 9 R´ egulateur int´ egr´ e de tension 78051 On consid` ere un r´ egulateur int´ egr´ e de tension de type 7805 dont les caract´ eristiques sont : VSO = 5V.6 A. Exercices sur le chapitre 9 Comment fonctionne ce dispositif ? Quelle est sa table de v´ erit´ e ? Comment choisir R ? Quel est le d´ efaut de ce montage ? Comment y rem´ edier ? [2] On d´ esire alimenter un moteur ` a courant continu (charge inductive) consommant 0.2A sous 15V ` a partir d’un signal TTL. (a) Quelle est la puissance dissip´ ee par le r´ egulateur ? (b) La temp´ erature de l’air ambiant autour du r´ egulateur est de 25◦ C. chapitre 4 132 . et que le moteur absorbe 2A sous 15V.02Ω et IM = 5mA quand 7V < VE < 25V et 0 IS 1.5. Quelles doivent ˆ etre les caract´ eristiques de cette diode ? Sachant que les caract´ eristiques du transistor Darlington NPN sont VBE 0 = 1. D´ ecrire le fonctionnement de ce montage et placer la diode roue libre.

ne peut pas remplir son rˆ ole seul. On lui ajoint donc un transistor de puissance PNP comme indiqu´ e au chapitre 6. pour IS = 3A. Les caract´ eristiques de ce transistor sont VEB 0 = 0. Montrer que. Le r´ egulateur. la r´ esistance thermique RθCR entre le boˆ ıtier et le radiateur ´ etant n´ eglig´ e. ce montage ne peut fonctionner ` a vide (IS = 0).7. La temp´ erature TC du boˆ ıtier est alors : TC = TA + PRθCA o` u: TA est la temp´ erature de l’air ambiant (◦ C) . pour IS = 3A. A.5A. (c) Quelle est. dont la sortie est limit´ ee ` a 1. Quelle est la puissance maximum dissipable par le r´ egulateur ` a cette temp´ erature du boˆ ıtier ? Quelle doit ˆ etre la r´ esistance thermique du radiateur ? [2] On veut maintenant alimenter une charge qui consomme 3A sous 5V.A. Exercices 133 (c) Le r´ egulateur est maintenant fix´ e sur un radiateur de r´ esistance thermique RθCA (unit´ e : ◦ C/W). [3] La r´ esistance R a maintenant une valeur de 10Ω.N : IS = 3A. (a) Jusqu’` a quelle valeur de IR le transistor est-il bloqu´ e? (b) Dans l’hypoth` ese o` u T est actif. § 6. sans la r´ esistance R (c’est ` a dire une r´ esistance R infinie). la puissance dissip´ ee par le transistor ? Quelle doit ˆ etre la r´ esistance thermique d’un radiateur fix´ e sur ce transistor pour que la temp´ erature de son boˆ ıtier ne d´ epasse pas 75◦ C ? 133 .7V et β = 50. exprimer VS et IR en fonction de IS . la puissance dissip´ ee par le r´ egulateur ? Quelle est la temp´ erature de ◦ sa jonction (TA =25 C) ? Doit-on lui adjoindre un radiateur ? (c) Quelle est. P : Puissance dissip´ ee (W). On veut que la temp´ erature du boˆ ıtier soit inf´ erieure ` a 75◦ C (l’air ambiant est toujours ` a ◦ 25 C).

Exercices sur le chapitre 9 134 .6.134 A.

vous aurez ` a concevoir vos montages et ` a les calculer.1). Fig. La mise en œuvre sera r´ ealis´ ee sur un r´ eseau ferroviaire miniature. Il donnera lieu ` a la r´ edaction d’un rapport manuscrit qui sera rendu ` a la fin de votre derni` ere s´ eance.Annexe B Projet d’´ electronique : R´ egulation de vitesse d’un MCC B.2) pour un petit moteur ` a courant continu (Figure. La dur´ ee du projet est de 15H (4 s´ eances de 3 modules horaires). Signaux et Syst` emes (EI1). – Automatismes . B.2 – Principe de base d’une r´ egulation. B. Fig.1 – Mod` ele Fleishmann d’une locomotive diesel. 135 . Il fait appel aux connaissances suivantes : – Actionneurs ´ electriques . Electronique ´ evidemment (EI2).1 Introduction Ce projet consiste ` a concevoir et exp´ erimenter une r´ egulation de vitesse (Figure. B.2 Composants et connectique utilis´ es pour le projet – 1 circuit int´ egr´ e 7808 (r´ egulateur int´ egr´ e de tension positive 8V) . Ce n’est pas un (long) TP : en TP. B. les montages et la valeur des composants vous sont impos´ es : dans ce projet. B.

– – – – – – – – – – – 1 1 1 8 1 1 1 1 1 2 1 r´ esistance de 1. B. potentiom` etre de 20kΩ (avec une r´ esistance de 10kΩ sur le curseur) : Fig. r´ esistances de 10kΩ ou (7 r´ esistances de 10kΩ + 1 r´ esistance de 9. circuit contenant deux r´ esistances et une diode Z´ ener 7. circuit int´ egr´ e CD4040 (compteur asynchrone 12 bits) . diode de commutation BY252 ou BY255 .09kΩ) . B.5 – R´ eseau ferroviaire. – – – – 2 condensateurs de 560pF . r´ esistance de 82. r´ esistances de 475kΩ .5kΩ . 10 rouges.2.4 – Potentiom` etre. r´ esistance de 121kΩ . 136 . Fig. transistor BD680 (Darlington PNP) . r´ esistance de 4. r´ esistance de 40kΩ . 50 cordons bleus. B. la voie est aliment´ ee ` a travers une r´ esistance de 22Ω. 10 verts et 10 noirs . circuit int´ egr´ e CD4082 (2 porte ET ` a 4 entr´ ees) . En outre. r´ esistance de 20kΩ . circuit int´ egr´ e LM393 (double comparateur) . vous disposez directement ` a partir de la table (figure B.6) d’une tension n´ egative de (−5V ).75kΩ .136 – – – – – – – – 1 1 1 1 1 1 1 1 B. Le circuit ferroviaire : Pour prot´ eger le moteur de la locomotive contre une ´ eventuelle surtension.78kΩ . Composants et connectique utilis´ es pour le projet circuit int´ egr´ e TL074 (quadruple amplificateur op´ erationnel) .3 – Circuit ` a diode Zener.5V cˆ abl´ ees comme suit : Fig. circuit int´ egr´ e CD4066 (quadruple interrupteur analogique) . 20 cavaliers. r´ esistance de 5kΩ . r´ esistance de 162kΩ .

. B. Commencer par lire compl` etement le texte du projet pour avoir une vue d’ensemble. Laissez la locomotive sur la table.. La rampe. 8. rep´ erer soigneusement les connexions vers les alimentations et la locomotive. L’actionneur.. Les signaux MV et IC.. R´ ealisation de l’asservissement. 9. 2.6 – Les alimentations de la table...3 ´ Etapes de la r´ ealisation ˆ ´ NE PAS CABLER SOUS TENSION : VOUS POURRIEZ DETRUIRE LES COMPOSANTS PAR APPLICATION D’UNE TENSION TEMPORAIRE INCORRECTE. de fa¸ con ` a signaler de suite tout mat´ eriel manquant.. 7.. 137 . Inhibition de l’alimentation du moteur. Le circuit final est complexe.. ne d´ ecˆ ablez pas votre montage. ` la fin de chaque s´ A eance. Aussi vous est-il demand´ e de le concevoir ´ etape par ´ etape. R´ ealisation des alimentations. 4. Pour chaque partie. le projet est constitu´ e de 9 ´ etapes : 1. 6. Compteur CD4040.2006 Groupe : . Projet d’´ electronique : R´ egulation de vitesse d’un MCC 137 Fig.4 Pr´ eliminaire : “Alimention ` a tension constante” – Commencer par faire l’inventaire des composants et de la connectique de votre carton. B. Vos Noms : .. Justifiez votre r´ eponse a l’aide des ´ ` equations du moteur ` a courant continu. – Identifiez votre carton en remplissant l’´ etiquette auto-collante qui vous est fournie de la fa¸ con suivante : Ann´ ee 2005. – Profitez-en pour mesurer le courant moyen dans le moteur en mont´ ee et en descente.B. 5. Table : . – Alimenter le r´ eseau ferroviaire sous tension constante par le g´ en´ erateur Tektronix. B. 3. Ne pas d´ epasser 18V : Vous risquez de d´ etruire le moteur de la locomotive – Constater qu’une telle alimentation n’assure pas une vitesse constante. Mesure de la vitesse. faire un sch´ ema complet en indiquant le num´ ero des broches des circuits int´ egr´ es. Signal horloge.. Outre les pr´ eliminaires et la conclusion.

La r´ esistance de l’induit d´ epend-elle de la position du rotor. montrer que la p´ eriode du signal de sortie s’´ ecrit sous la forme : 1+µ T = 2RC ln 1−µ – Concevoir un g´ en´ erateur de tension carr´ ee de p´ eriode environ 150µs. faire l’´ etude th´ eorique (mettre en ´ equation. Fig. Mettre en ´ equations. en l’occurrence un 7808. B. dont l’AOP est suppos´ eˆ etre aliment´ e sous tensions sym´ etriques. Fig. Comme montr´ e sur la figure (B.5. en alimentant le circuit par un ohmm` etre (tenir compte de la r´ esistance de 22Ω en s´ erie).2. Premi` ere ´ etape : “r´ ealisation de l’alimentation +8V ” – Mesurer aussi la r´ esistance de l’induit. Le signal sera t-il toujours carr´ e ? Justifier ? Calculer la tension de saturation de l’amplificateur op´ erationnel (que vous prendrez parmi les quatre du TL074). et de la position de la locomotive sur le r´ eseau ? En d´ eduire le courant maximum au d´ emarrage.138 B. ` partir des alimentations de la table et du r´ A egulateur de tension int´ egr´ e (le 7808).5 Premi` ere ´ etape : “r´ ealisation de l’alimentation +8V ” L’id´ ee de base est d’utiliser un r´ egulateur int´ egr´ e de la s´ erie µA7800.7 – Plaquette du 7808. Vous prendrez : µR1 = (1 − µ)R1 = 10k Ω et C = 560pF . Faire ensuite le montage et mesurer les tensions obtenues. Relever alors la nouvelle allure de la sortie ainsi que la nouvelle valeur de la p´ eriode. B. B. 138 . le 7808 est mont´ e sur une plaquette comprenant deux condensateurs de filtrages. Sa r´ ealisation n’utilisera qu’un seul composant actif : un amplificateur op´ erationnel. le montage va ˆ etre aliment´ e entre “Vcc− = −5V ” et “Vcc+ = +8V ”.8. dans chaque ´ etape nous pr´ esentons le r´ esum´ e des caract´ eristiques du composant utilis´ e dans l’´ etape en question. page 105).6 Deuxi` eme ´ etape : “R´ ealisation d’un signal horloge” – En vous basant sur le principe d’un oscillateur de Schmitt (§ 7. B.8 – G´ en´ eration d’un signal horloge. cˆ abler et v´ erifier les caract´ eristiques du g´ en´ erateur. v´ erifier les in´ egalit´ es) d’une source d´ elivrant une tension de +8V . – En pratique. Remarque : Dans la suite.7). pour avoir en sortie “+8V”.

2 2 des entr´ ees : environ 1012 Ω (entr´ ees de type JFET). Fig. : −Vsat + Vcc+ + v− Vsat + Vcc+ + . – Calculer les conditions th´ eoriques sur les tensions des sorties.8 Quatri` eme ´ etape : “La rampe” Consid´ erer les sorties O0 ` a O5 du CD4040. . Fig. – Imaginez un montage utilisant six r´ esistances de valeur R. – V´ erifier que les tensions d’alimentations sont acceptables par les circuits CMOS de la famille CD4xxx et que les niveaux du signal H sont compatibles avec les niveaux logiques de l’entr´ ee d’horloge. 2R. Vcc− Vcc− l’entr´ ee non-inv. et mesurez-les.1 Caract´ eristiques du TL074 : quadruple AOP. 16R et 32R de fa¸ con a obtenir une tension ´ ` egale ` a: VSS + – R´ ealiser le montage avec R=5kΩ. 8R. • Tension d’alimentation : 5V • Tension de • Tension de • Imp´ edance 30V . B. l’entr´ ee d’horloge ´ etant le signal H (figure B.10 – G´ en´ eration d’une rampe. 4R. B.9). B.B.9 – Etude d’un CD4040. Elles forment un nombre ‘n’ compris entre 0 et 63. voir page 157.6. Projet d’´ electronique : R´ egulation de vitesse d’un MCC 139 B. 139 n (VDD − VSS ) 63 .7 Troisi` eme ´ etape : “Compteur CD4040” – Alimenter le compteur CD4040 (voir caract´ eristiques et brochage page 171) entre (VSS = −5V ) et (VDD = +8V ) et le cˆ abler de fa¸ con qu’il compte continuellement. : −Vsat + Vcc+ + v+ Vsat + Vcc+ + 2 2 Vcc− Vcc− l’entr´ ee inv. Vcc+ − Vcc− Pour les caract´ eristiques compl` etes. Les calculs des ´ etapes suivantes utiliseront ces tensions mesur´ ees B.

ne pas alimenter le moteur. Cet actionneur est un hacheur . – Rappelez-vous que le but du projet est de r´ ealiser un asservissement de vitesse.9. en fonction de la valeur de la tension continue d´ elivr´ ee par le montage potentiom´ etrique aliment´ e entre −5V et +8V : – Quand le signal RAMPE est ` a un potentiel inf´ erieur ` a cette tension continue. – Sinon. Cinqui` eme ´ etape : “Actionneur” – Modifier le montage en introduisant une r´ esistance de 10kΩ de fa¸ con ` a obtenir une tension RAMPE ´ egale ` a 63 n VSS + (VDD − VSS ) 79 79 – Relever la tension RAMPE ainsi obtenue. → Attention : le moteur est une charge inductive (Ne pas confondre la diode de commutation et la diode Zener : se tromper de diode peut d´ etruire le composant). B. – Mettre en ´ equation et v´ erifier toutes les in´ egalit´ es. → ´ etudier le comparateur LM393 . → interrupteur “de puissance” : transistor darlington PNP BD680 . Indications : → s’inspirer d’un montage vu en TD .9 Cinqui` eme ´ etape : “Actionneur” Fig. celui-ci sera aliment´ e entre −5V et +8V . prise sur la voie de droite du g´ en´ erateur TEKTRONIX . B. On prendra pour valeur maximale du courant moteur celle calcul´ ee au d´ emarrage dans l’´ etape pr´ eliminaire. O` u apparaˆ ıt l’image de la vitesse sur le chronogramme pr´ ec´ edent ? Que se passe-t’il si le signal de commande est ` a sa valeur maximale ? 140 .11 – Actionneur. alimenter le moteur sous une tension de 18V . → v´ erifier que la tension d´ elivr´ ee par le montage potentiom´ etrique est compatible avec la gamme des tensions du comparateur . – Fondamental pour comprendre les ´ etapes suivantes : relever la forme de la tension aux bornes du moteur et la justifier. Il est indispensable de disposer d’un capteur de vitesse. → l’arrˆ et doit ˆ etre obtenu quand le potentiom` etre est en but´ ee dans le sens de rotation trigonom´ etrique .140 B.

B. • MV (Mesure Vitesse). • Tension de l’entr´ ee non-inverseuse : GN D vin+ VCC .12 – R´ ealisation des signaux IC et MV. qui est au niveau logique 1 quand 60 n 63. qui est au niveau logique 1 quand n est ´ egal ` a 63. forment un nombre ‘n’ compris entre 0 et 63. • Type de la sortie : collecteur ouvert (voir cours) . engendrer les signaux logiques suivants : • IC (Inhibition Commande). voir page 155.B. Projet d’´ electronique : R´ egulation de vitesse d’un MCC 141 B. rappelons-le. si vin+ < vin− . et ` a la tension aux bornes du moteur.9. 4V (Voir page 214 pour le montage). Relever les chronogrammes de MV et IC . consid´ erons les six sorties O0 ` a O5 du compteur CD4040. • Gain en courant : β = 750 . • Caract´ eristique de la sortie ` a l’´ etat OFF : iout = 0 . les situer par rapport au signal RAMPE. • Tension ´ emetteur collecteur maximum : environ 80 V . voir page 174. 0 • Caract´ eristique de transfert : si vin+ > vin− . En utilisant le circuit CD4082 (voir caract´ eristiques et brochage page 174). Vout 30V .9. la sortie est ` a l’´ etat OFF . et ` a z´ ero dans le cas contraire. et ` a z´ ero dans le cas contraire . Fig. qui. B. • Tension de l’entr´ ee inverseuse : GN D vin− VCC . • Tension d’alimentation : 5V VCC − GN D 30V . 141 . GN D • Caract´ eristique de la sortie ` a l’´ etat ON : Vout = GN D .10 Sixi` eme ´ etape : “les signaux MV et IC” De nouveau.2 Caract´ eristiques du LM393 : double comparateur Pour les caract´ eristiques compl` etes. • Courant de collecteur maximum : environ 4 A . B.1 Caract´ eristiques du BD680 ou BD680A : transistor darlington PNP Pour les caract´ eristiques compl` etes. • Ce Darlington ´ etant ` a deux transistors : VEB 0 = −1. iout 20mA . aliment´ e entre −5V et +8V . la sortie est ` a l’´ etat ON .

dont vous n’utiliserez qu’un quart. B. La mesure de cette tension sera r´ ealis´ ee par un ´ echantillonneur-bloqueur dont le principe est indiqu´ e sur la figure (B.142 B.1 ´ Etude de l’interrupteur analogique CD4066 : ◦ Etude th´ eorique : quel signal logique utiliser pour r´ ealiser l’´ echantillonnage de la vitesse ? Le CD4066.15). modifier le montage de la cinqui` eme ´ etape de fa¸ con ` a ne pas alimenter le moteur quand le signal IC est au niveau logique 1. 2k Ω et C = 560pF .11 Septi` eme ´ etape : “Inhibition de la commande du hacheur” ` l’aide du deuxi` A eme comparateur du LM393 et sans aucun autre composant suppl´ ementaire. Fig. Septi` eme ´ etape : “Inhibition de la commande du hacheur” B.13 – Inhibition de la commande. B. ou plus pr´ A ecisement. sera aliment´ e avec VSS = −5V et VDD = +8V .12 Huiti` eme ´ etape : “Capteur de vitesse” ` quels instants peut-on faire la mesure de vitesse. Mettre en ´ equation et v´ erifier toutes les in´ egalit´ es. la mesure de l’image ´ electrique de la vitesse ? Fig.12. B. vous prendrez R = 4.14 – Image de la vitesse ´ electrique. B. 142 .11.

comment peut-on y rem´ edier (en d’autres termes. – Construire un amplificateur diff´ erentiel avec un amplificateur op´ erationnel et quatre r´ esistances pr´ esentant un gain de mode commun Gmc nul. • Chaque entr´ ee E0 . en utilisant quel composant) ? Compl´ eter alors le montage. et un gain en mode diff´ erentiel Gmd =47. 1 2 L’interrupteur n◦ i est ouvert L’interrupteur n◦ i est ferm´ e 143 . – Le bon fonctionnement de l’asservissement apparaˆ ıt nettement pour les tr` es faibles vitesses. B. Si Ei est au niveau logique 12 . Fig. E3 est une entr´ ee logique CMOS (voir cours) .· · · . Utiliser le quatri` eme amplificateur op´ erationnel du TL074 mont´ e en suiveur. • Les bornes Y0 . B. Y3 . – Que se passe-t-il si on branche un oscilloscope (imp´ edance d’entr´ ee : 1MΩ) sur la sortie Z ? – En supposant l’inductance de l’induit n´ egligeable.2 Caract´ eristiques du CD4066B : quadruple interrupteur analogique Pour les caract´ eristiques compl` etes. – Le compl´ eter avec un amplificateur op´ erationnel (pas d’autre composant) de fa¸ con ` a supprimer l’inconv´ enient constat´ e. Z3 ne sont pas des entr´ ees ou des sorties logiques .5 (s’inspirer du montage vu en cours). voir page 176. B. entre Yi et Zi existe une r´ esistance.15 – Circuit ´ echantillonneur-bloqueur. la r´ esistance entre Yi et Zi est typiquement 60Ω (` a 25◦ C.13 Neuvi` eme ´ etape : “R´ ealisation de l’asservissement avec correcteur proportionnel” Le montage potentiom´ etrique d´ elivre maintenant la consigne de vitesse. – Constater que ce montage dans l’´ etat actuel ne permet pas de m´ emoriser fiablement la vitesse. – Ne pas connecter directement la consigne sur une entr´ ee de l’amplificateur diff´ erentiel. pour une tension d’alimentation de 15V). Projet d’´ electronique : R´ egulation de vitesse d’un MCC 143 ◦ Etude pratique : dans le sh´ ema de principe (figure. VSS Zi VDD . Z0 . · · · . le courant dans Yi et Z i est au maximum de 200nA (` a 25◦ C. d´ eterminer et tracer l’´ evolution de la tension Z au cours du temps .· · · .15). – Utiliser l’amplificateur diff´ erentiel comme correcteur proportionnel. • Conditions sur les tensions Yi et Zi : VSS Yi VDD . quelles sont les extrema de la tension Y ? Sont-ils acceptables par le CD 4066 ? Si c’est non.12. pour une tension d’alimentation de 15V) .B. B. dont la valeur d´ ependant du niveau logique de l’entr´ e e Ei correspondante : Si Ei est au niveau logique 01 . la situer en fonction de MV.

Quand vous avez termin´ e: Faites constater le fonctionnement correct ` a l’un des enseignants . 144 . B.13. Neuvi` eme ´ etape : “R´ ealisation de l’asservissement avec correcteur proportionnel” Fig. Ensuite. enlevez l’´ etiquette du carton.2).144 B.16 – Correcteur proportionnel. – Proposer un sch´ ema g´ en´ eral regroupant les sch´ emas ´ electroniques des neuf ´ etapes selon le mod` ele pr´ esent´ e en figure (B. et rangez le dans la r´ eserve. d´ ecˆ ablez votre montage.

Annexe C Caract´ eristiques Famille Diodes de redressement : BY251 ` a BY255 Diodes Zener BZX55 Transistors faible puissance : BC107 ` a BC109 Transistor de moyenne puissance : le 2N1711 Un transistor de puissance : le BU508AF Les transistors Darlington BD677 ` a BD 682 Circuit int´ egr´ e contenant 4 AOP : le TL074 R´ egulateurs de tension 78xx Le double comparateur LM393 Le compteur binaire asynchrone 12 bits : le CD4040 Double porte ET ` a 4 entr´ ees : le CD4082 Quadruple interrupteur analogique : le CD4066 Tab. C.1 – Tableau r´ ecapitulatif. Localisation (Pages) de 146 ` a 146 de 147 ` a 148 de 149 ` a 150 de 151 ` a 152 de 153 ` a 154 de 155 ` a 156 de 157 ` a 164 de 165 ` a 167 de 168 ` a 170 de 171 ` a 173 de 174 ` a 175 de 176 ` a 178 145 .

Caract´ eristiques Fig. 1.5 15.0 5.375"(9. 3-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD CHARACTERISTICS VRRM VRMS VDC I(AV) IFSM VF IR CJ TRR R JA TJ TSTG 1.04 ounce. 3. IR=1. solderable per MIL-STD-750.1 1. RATING AND CHARACTERISTIC CURVES BY251 THRU BY255 NOTES: MEDIUM CURRENT PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE .0 UNITS Volts Volts Volts Amps Fig. derate current by 20%.0 Amperes FEATURES DO-201AD  High surge current capability  Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O  Low leakage  Void-free molded in DO-201AD plastic package  Fig. Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method) Maximum Instantaneous Forward Voltage TJ=25 at 3.25A.C. resistive or inductive load. 60 Hz. 2.375"(9.0 1000 40 2. 1-FORWARD CURRENT DERATING CURVE High current operation of 3 Amperes at TA=95 Fig. 5-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS .0 -50 to +150 -50 to +150 Volts Volts A A PF A /W 100.200 to 1300 Volts CURRENT .5mm) Lead Length at TA=95 Peak Forward Surge Current 8. Irr=0. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.Board mounted.0 volts. Method 2026 146 SYMBOLS BY251 BY252 BY253 BY254 BY255 Polarity: Color band denotes cathode Mounting Position: Any Weight: 0. For capacitive load. 4-TYPICAL JUNCTION CHARACTERISTICS Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward Rectified Current . 2-MAXIMUM PEAK FORWARD SURGE CURRENT with no thermal runaway  Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228 MECHANICAL DATA Case: JEDEC DO-201AD Molded plastic Terminals: Plated axial leads.3.146 BY251 THRU BY255 1. Thermal Resistance From Junction to applied at Ambient 0.0A TJ=100 Maximum DC Reverse Current TA=25 at Rated DC Blocking Voltage TA=100 Typical Junction capacitance (Note 2) TJ=25 Typical Reverse Recovery Time (Note 3) Typical Thermal Resistance (Note 1) Operating Junction Temperature Range Storage Temperature Range C.5mm) lead length P.0 Amps 600 420 600 3.0A.1 gram MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified. 200 140 200 400 280 400 800 560 800 1300 910 1300 Fig.

03 0.07 0.28 2.12 0.7 12.1 < 0.vishay.1 < 0.6 12.4 10.03 0. 1.5 2.5 0.03 0.03 0.12 0.1 < 0.04 0.4 13.5 2.03 0. BZX55F.6 7.1 < 0.1 < 0.1 < 0.5 8..04 0.04 0.1 < 0.2 7.05 -0.04 0.12 0.03 0. Max Unit BZX55C51 BZX55C56 BZX55C62 BZX55C68 BZX55C75 1) BZX55-Series Vishay Semiconductors C.8 20.02 0.65 to + 175 °C 175 °C PV/VZ mA 500 mW BZX55C12 Value Unit BZX55C11 Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization -0.03 0.12 0..04 0.1 < 0.5 < 0.11 0.VISHAY Vishay Semiconductors Electrical Characteristics BZX55C.1 19.2 6.04 0.03 0.8 6.5 0.1 < 0.5 2.1 < 0.2 23.8 18.07 0.6 28.11 0.1 < 0.1 15..4 11.1 < 0.9 32 35 38 41 46 50 54 60 66 72 79 www.11 0.5 0. 16-Apr-04 Rev.5 0.7 9.02 -0.1 < 0.06 -0.05 -0. ± 3% of VZnom < 220 < 220 < 220 < 220 < 220 < 500 < 600 < 700 < 700 < 1000 < 1000 < 1000 < 1500 5 5 5 5 5 2.03 0.04 0.4 • • • • • BZX55C3V6 BZX55C3V9 BZX55C4V3 BZX55C4V7 BZX55C5V1 BZX55C5V6 BZX55C6V2 BZX55C6V8 BZX55C7V5 BZX55C8V2 BZX55C9V1 BZX55C10 Symbol PV BZX55C13 BZX55C15 BZX55C16 BZX55C18 BZX55C20 BZX55C22 IZ Tj Tstg .1 < 0.08 -0.03 0..1 4.05 0.06 0.11 0.1 3.5 3.1 10 11 12 13 15 16 Mechanical Data Packaging Codes/Options: TR / 10 k per 13 " reel.5 2.5 0.8 15.03 0.06 -0.12 0.03 0.04 0.04 0.4 4.05 -0.1 < 0.06 -0.11 0.04 0.56 2.12 1 1 1 1 1 0.03 0.03 0.com 2 Absolute Maximum Ratings Tamb = 25 °C. TL = constant Electrical Characteristics Tamb = 25 °C.5 2.5 2.1 28 31 34 37 40 44 48 52 58 64 70 25. Caract´ eristiques BZX55-Series VISHAY Zener Diodes Zener Voltage IZT TKVZ IZK Dynamic Resistance Test Current Temperature Coefficient Test Current Reverse Leakage Current @ VR Features V min BZX55C2V4 BZX55C2V7 BZX55C3V0 BZX55C3V3 94 9367 IR @ Tamb = 25 °C mA µA 1 < 50 IR @ Tamb = 150 °C %/K max -0. unless otherwise specified Parameter Test condition Forward voltage IF = 200 mA Document Number 85604 Document Number 85604 Rev.12 0.com 1 www.5 2.08 V < 100 1 1 1 1 1 < 10 <4 <2 <2 <2 < 50 < 40 < 40 < 40 < 40 1 1 1 1 1 1 max 2.04 0.8 25.8 3. f = 1 kHz f = 1 kHz Ω mA min < 85 < 85 < 85 < 85 < 85 < 85 < 75 < 60 < 35 <25 < 10 <8 <7 <7 < 10 10.1 < 0.11 0.1 < 0.5 V Min Typ. unless otherwise specified Parameter Test condition Junction ambient l = 4 mm.6 17.1 < 0.3.9 8.1 < 0.5 0.8 4.7 8.6 11.05 0.2 5.8 5.12 0.3 16.12 0.5 0.08 0. TL = 25 °C Z-current Junction temperature Storage temperature range Thermal Characteristics < 80 < 80 < 80 < 80 < 80 < 90 < 90 < 110 < 125 < 135 < 150 < 200 < 250 Other tolerances available on request: BZX55A.5 9.1 < 0.1 < 0.09 0.11 0.05 -0.8 BZX55C24 BZX55C27 Symbol RthJA 300 K/W Value Unit BZX55C30 BZX55C33 BZX55C36 BZX55C39 BZX55C43 BZX55C47 Symbol VF 1.1 < 0. ± 1% of VZnom.2 9.04 -0.12 0. 30 k/box Case: DO-35 Glass Case Weight: approx.1 < 0.09 -0. 125 mg 147 22.4 7 7.08 -0.7 4 4.1 <2 <2 <2 <2 <2 <5 <5 <5 < 10 < 10 < 10 < 10 < 10 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 Tamb = 25 °C.6 < 600 < 550 < 450 < 200 < 150 < 50 < 50 < 50 < 15 < 20 < 20 14.1 21. IZK. 1. unless otherwise specified Parameter Test condition Power dissipation l = 4 mm.9 3..04 0.4 6 6.12 0.04 0.1 < 0.5 2.1 < 0.5 0.02 0.2 3.1 < 0.09 -0.3.1 < 0.08 -0.vishay. Partnumber Range1) VZ @ IZT rzjT @ rzjK @ IZT.1 0.6 5 5.5 < 0. 16-Apr-04 147 . 30 k/box TAP / 10 k per Ammopack (52 mm tape).12 0.05 -0.4 3.12 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 <1 < 0.8 7.12 0.3 < 26 < 30 < 40 < 50 < 55 < 55 < 70 < 70 < 90 < 110 < 110 < 170 < 170 < 220 < 220 < 600 < 600 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 < 600 5 < 600 5 < 600 5 < 600 5 < 600 5 2.1 < 20 < 10 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <2 <2 1 1 1 1 2 3 5 6.

0 –2 x 10–4/K –4 x 10–4/K 0 300 TL=constant 0.9 I F – Forward Current ( mA) 200 IZ – Z-Current ( mA) l l 0 Tj – Junction Temperature (°C ) 15 20 25 30 V Z – Z-Voltage ( V ) 35 95 961 1 RthJA –Therm. 16-Apr-04 Document Number 85604 Rev.01 RthJA=300K/W T=Tjmax–Tamb 10 i ZM =(–VZ+(V Z2+4rzj x T/Zthp)1/2)/(2rzj) 100 101 tp – Pulse Length ( ms ) 102 1 0 20 95 9601 0 5 V Z – Z-Voltage ( V ) 10 15 25 0 5 10 15 20 25 95 9598 V Z – Z-Voltage ( V ) Fig. 6 Diode Capacitance vs.com 5 C.001 0 0 95 9605 BZX55-Series Vishay Semiconductors 50 40 30 20 10 0 0. Z-Voltage 1000 1000 200 Tj =25°C 150 V R=2V 100 Tj =25°C 100 tp/T=0.1 tp/T=0.148 BZX55-Series VISHAY VISHAY 100 10 Tj =25°C 1 0.Resist.5 tp/T=0.8 1. 1. 16-Apr-04 www. Z-Voltage www. Ambient Temperature Fig. Forward Voltage Fig. Junction Temperature 1000 600 500 10 I Z=1mA 100 5mA 10 10mA Ptot=500mW Tamb=25°C 0 0 10 V Z – Z-Voltage ( V ) 20 30 50 4 P tot –Total Power Dissipation ( mW) 100 r Z – Differential Z-Resistance ( Ω ) 200 I Z=5mA IZ – Z-Current ( mA) 95 9602 Tamb – Ambient T emperature(°C ) 95 9600 TK VZ –Temperature Coefficient of VZ ( 10–4 /K) VZ –VoltageChange ( mV ) CD – Diode Capacitance ( pF ) Zthp –ThermalResistance for PulseCond. 7 Forward Current vs. 10 Differential Z-Resistance vs. 2 Total Power Dissipation vs. 4 Typical Change of Working Voltage vs.6 0.3. 5 Temperature Coefficient of Vz vs. Z-Voltage Fig.2 TK VZ =10 x 10–4/K 8 x 10–4/K 6 x 10–4/K 4 x 10–4/K 2 x 10–4/K 500 Ptot=500mW Tamb=25°C 400 1.4 0. Z-Voltage Fig.vishay. Lead Length 100 15 80 60 40 20 0 –5 0 40 95 9604 Fig.1 1.05 1 10–1 95 9603 100 I Z=5mA 50 tp/T=0.(K/W) 148 5 8 12 V Z – Z-Voltage ( V ) 400 300 1 16 20 95 9606 Tj =25°C 0 5 10 15 V Z – Z-Voltage ( V ) 20 25 0 0 40 80 120 160 200 Fig.0 95 9607 Vishay Semiconductors Typical Characteristics (Tamb = 25 °C unless otherwise specified) 1. 8 Z-Current vs.01 0. Z-Voltage Fig.2 Single Pulse 10 tp/T=0. Caract´ eristiques 4 .3 V Ztn=V Zt/V Z(25°C) 1. 9 Z-Current vs.vishay.3. 11 Thermal Response Fig. 1 Thermal Resistance vs.2 V F – Forward Voltage ( V ) 0.02 tp/T=0.1 0.8 –60 60 120 180 240 95 9599 VZtn – Relative VoltageChange 100 0.Junction/ Ambient ( K/W) 0 5 10 15 20 l – Lead Length ( mm ) Fig. 3 Typical Change of Working Voltage under Operating Conditions at Tamb=25°C Fig. 1.com Document Number 85604 Rev.

PNP complement: BC177. BC109 PINNING DESCRIPTION emitter base 3 collector. 149 QUICK REFERENCE DATA SYMBOL VCBO BC107 BC108. BC108. VCE = 5 V 110 110 200 IC = 10 mA.C. BC109 VCEO BC107 BC108. MAX. f = 100 MHz 100 450 800 800 − MHz − − 45 20 200 300 V V mA mW BC107.1 Simplified outline (TO-18. BC108. handbook. 50 30 V V UNIT collector-emitter voltage open base − − peak collector current total power dissipation Tamb ≤ 25 °C IC = 2 mA. 3 BC107. DESCRIPTION NPN transistor in a TO-18. connected to the case DATA SHEET • Low voltage (max. SC04 1997 Sep 03 2 149 . SOT18 metal package. VCE = 5 V. Caract´ eristiques DISCRETE SEMICONDUCTORS Philips Semiconductors Product specification NPN general purpose transistors FEATURES • Low current (max. 45 V). halfpage 1 3 2 2 MAM264 1 Fig. BC109 ICM Ptot hFE DC current gain BC107 BC108 BC109 fT transition frequency M3D125 PARAMETER collector-base voltage open emitter CONDITIONS − − MIN. SOT18) and symbol. 100 mA) PIN 1 2 APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. BC109 NPN general purpose transistors 1997 Sep 03 Product specification Supersedes data of 1997 Jun 03 File under Discrete Semiconductors.

IB = 5 mA base-emitter saturation voltage base-emitter voltage collector capacitance emitter capacitance transition frequency noise figure BC109B. VCB = 20 V IE = 0.7 kHz IC = 200 µA.5 mA IC = 100 mA. BC109B BC108C. BC109C noise figure BC107A.5 9 − − − − IC = 0. BC108A BC107B. VCE = 5 V − 40 100 90 150 270 hFE − − open collector 20 V 45 V open base 30 V 50 V collector cut-off current IE = 0. VCB = 20 V. VBE decreases by about 2 mV/K with increasing temperature. VCB = 5 V. BC109C − hFE DC current gain BC107A. UNIT MIN. BC109B BC108C.5 V. VBEsat decreases by about 1. VEB = 5 V IC = 10 µA. f = 1 MHz IC = ic = 0. VCE = 5 V 110 200 420 − − − − 550 − − − 100 − − − 180 290 520 90 200 700 900 620 − 2.150 Philips Semiconductors Product specification Philips Semiconductors Product specification NPN general purpose transistors CHARACTERISTICS Tj = 25 °C unless otherwise specified. IB = 0. Caract´ eristiques 1997 Sep 03 4 . BC108B. SYMBOL ICBO − − IEBO emitter cut-off current DC current gain BC107A. 2. BC109 VEBO emitter-base voltage BC107 BC108. BC108C BC109B. RS = 2 kΩ.5 K/mW fT VALUE UNIT Ce collector-emitter saturation voltage IC = 10 mA. note 1 IC = 2 mA. C. note 2 IE = ie = 0. BC108A BC107B. BC109 IC collector current (DC) ICM peak collector current IBM peak base current mV mV mV mV mV mV pF pF MHz dB dB dB 150 3 1997 Sep 03 Ptot total power dissipation Tstg storage temperature Tj junction temperature Tamb operating ambient temperature THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER Rth j-a thermal resistance from junction to ambient Rth j-c thermal resistance from junction to case Note 1. note 2 IC = 10 mA. BC108A BC107B. B = 200 Hz − − − − Tamb ≤ 25 °C − −65 − −65 +150 °C 175 °C +150 °C 300 mW 200 mA 200 mA 100 mA 5 V 6 V IC = 2 mA. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board. − − − MAX.7 mV/K with increasing temperature. note 1 IC = 100 mA. BC109C Notes 1. f = 1 kHz.5 mA. IC = 10 mA. f = 30 Hz to 15. f = 1 MHz IC = 10 mA. BC108. − − − BC107. Tj = 150 °C PARAMETER CONDITIONS MAX. VCE = 5 V. f = 100 MHz IC = 200 µA. VCB = 10 V. IB = 0. BC109C VCEsat VBEsat VBE Cc CONDITIONS note 1 0. VCE = 5 V. VEB = 0. RS = 2 kΩ. IB = 5 mA. MIN. BC109 VCEO collector-emitter voltage BC107 BC108. BC108B. 15 15 50 − − − 220 450 800 250 600 − − 700 770 6 − − 4 10 4 UNIT nA µA nA VCBO collector-base voltage BC107 BC108. CONDITIONS open emitter SYMBOL PARAMETER TYP. BC109 LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). BC108.2 F K/mW F 0. VCE = 5 V. BC108B. VCE = 5 V. BC109 NPN general purpose transistors BC107.

halfpage 3 2 3 1 MAM317 Fig. Caract´ eristiques DISCRETE SEMICONDUCTORS Philips Semiconductors Product specification NPN medium power transistor FEATURES • High current (max. DESCRIPTION NPN medium power transistor in a TO-39 metal package.C. 500 mA) PIN 1 2 APPLICATIONS • DC and wideband amplifiers.8 100 70 300 − V V A W UNIT MHz 2N1711 NPN medium power transistor 1997 May 28 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors. VCE = 10 V. halfpage 2 2N1711 PINNING DESCRIPTION emitter base 3 collector. connected to case DATA SHEET • Low voltage (max. SC04 1997 May 28 2 151 . book. MAX. VCE = 10 V IC = 50 mA. f = 100 MHz − MIN. 1 handbook.1 Simplified outline (TO-39) and symbol. 151 QUICK REFERENCE DATA SYMBOL VCBO VCEO ICM Ptot hFE fT DC current gain transition frequency M3D111 PARAMETER collector-base voltage collector-emitter voltage peak collector current total power dissipation open base CONDITIONS open emitter − − − Tamb ≤ 25 °C IC = 150 mA. 75 50 1 0. 50 V).

SYMBOL PARAMETER ICBO collector cut-off current IEBO emitter cut-off current hFE DC current gain VCEsat collector-emitter saturation voltage IC = 150 mA. note 1 IC = 50 mA.3 − 25 − − 80 mV V MHz pF pF 35 75 35 100 40 − − 70 5 nA 10 µA IE = 0. note 1 VBEsat base-emitter saturation voltage fT transition frequency Cc collector capacitance Ce emitter capacitance Note 1. Caract´ eristiques 1997 May 28 . VEB = 5 V IC = 10 µA. MAX. VCE = 10 V IC = 10 mA. VEB = 0. UNIT SYMBOL PARAMETER VCBO collector-base voltage VCEO collector-emitter voltage VEBO emitter-base voltage IC collector current (DC) ICM peak collector current IBM peak base current Ptot total power dissipation Tstg storage temperature Tj junction temperature 152 CONDITIONS in free air 58. VCE = 10 V. CONDITIONS open emitter − − − − − − Tamb ≤ 25 °C − − − −65 − −65 +150 °C 200 °C +150 °C 3 W 1. note 1 IC = 500 mA. IB = 15 mA.152 Philips Semiconductors Product specification NPN medium power transistor 2N1711 LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). VCB = 60 V. MAX. δ ≤ 0.1 mA. note 1 IC = 10 mA. VCE = 10 V. VCE = 10 V IC = 0. VCE = 10 V.7 W Tcase ≤ 100 °C Tcase ≤ 25 °C 0. Pulse test: tp ≤ 300 µs. f = 1 MHz 10 nA MIN.3 K/W 219 K/W VALUE UNIT CONDITIONS IE = 0. VCE = 10 V. IB = 15 mA. Tamb = −55 °C IC = 150 mA. VCE = 10 V. VCB = 60 V − − − 20 − − − − 300 − 500 1. f = 100 MHz IE = ie = 0. C. Tamb = 150 °C IC = 0. note 1 IC = 150 mA. UNIT 3 Tamb operating ambient temperature THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER Rth j-a thermal resistance from junction to ambient Rth j-c thermal resistance from junction to case CHARACTERISTICS Tamb = 25 °C unless otherwise specified.02. f = 1 MHz IC = ic = 0.5 V. VCB = 10 V.8 W 200 mA 1 A 500 mA 7 V 50 V open base open collector 75 V MIN.

high-speed switching npn transistors in a fully isolated SOT199 envelope.5 0. MAX.5 A.5 A.Cfb = 4 nF IB(end) = 1.0 V. f = 16kHz Collector-emitter voltage peak value Collector-emitter voltage (open base) Collector current (DC) Collector current peak value Total power dissipation Collector-emitter saturation voltage Collector saturation current Fall time 4.0 10 1. TYP.SOT199 PIN CONFIGURATION PIN DESCRIPTION c b VCEsat VBEsat hFE IEBO VCEOsus 1 base 2 collector VBE = 0 V.200 July 1998 2 Rev 1. Caract´ eristiques Philips Semiconductors Product specification Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU508AF Silicon Diffused Power Transistor BU508AF GENERAL DESCRIPTION Ths = 25 ˚C unless otherwise specified SYMBOL Visol CONDITIONS VBE = 0 V Cisol TYP. VCE = VCESMmax. 3. -IBM = 2. IB = 1. UNIT Capacitance from T2 to external f = 1 MHz heatsink Repetitive peak voltage from all three terminals to external heatsink PARAMETER CONDITIONS ISOLATION LIMITING VALUE & CHARACTERISTIC MIN. 153 July 1998 1 Rev 1.5 0. UNIT MHz pF LIMITING VALUES CONDITIONS VBE = 0 V Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134) SYMBOL PARAMETER 6. QUICK REFERENCE DATA R.5 A. UNIT ts tf Ths = 25 ˚C unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER Transition frequency at f = 5 MHz Collector capacitance at f = 1MHz Switching times (16 kHz line deflection circuit) Turn-off storage time Turn-off fall time CONDITIONS IC = 0.7 - µs µs VCESM VCEO IC ICM IB IBM Ptot Tstg Tj Ths ≤ 25 ˚C Collector-emitter voltage peak value Collector-emitter voltage (open base) Collector current (DC) Collector current peak value Base current (DC) Base current peak value Total power dissipation Storage temperature Junction temperature -65 - 1500 700 8 15 4 6 34 150 150 V V A A A A W ˚C ˚C THERMAL RESISTANCES CONDITIONS without heatsink compound with heatsink compound in free air 35 TYP. MAX. L = 25 mH Collector-emitter saturation voltages IC = 4. IC = 0 A Collector-emitter sustaining voltage IB = 0 A.7 1500 700 8 15 34 1. 7 125 MAX.25 A TYP.7 2. 700 6 TYP. VCE = VCESMmax VBE = 0 V. ≤ 65 % . MAX.200 . VCE = 5 V 3 1 3 2 emitter case isolated DYNAMIC CHARACTERISTICS e fT CC MIN.8 UNIT K/W K/W K/W SYMBOL PARAMETER Rth j-hs Junction to heatsink Rth j-hs Junction to heatsink Rth j-a Junction to ambient 1 Measured with half sine-wave voltage (curve tracer).Lc 1 mH.1 A.4 A. primarily for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. IB = 1. 1.0 2. 2500 UNIT V High voltage. IB = 2 A DC current gain IC = 100 mA.VCE = 5 V VCB = 10 V ICsat = 4. -VBB = -4 V. 13 MAX. MAX.6 A f = 16 kHz ICsat = 4. clean and dustfree SYMBOL PARAMETER - 22 - pF STATIC CHARACTERISTICS Ths = 25 ˚C unless otherwise specified SYMBOL ICES ICES PARAMETER Collector cut-off current 1 CONDITIONS MIN.C.0 1.6 A Base-emitter saturation voltage IC = 4.H.5 A. Tj = 125 ˚C Emitter cut-off current VEB = 6.1 30 UNIT mA mA mA V V V - VCESM VCEO IC ICM Ptot VCEsat ICsat tf Ths ≤ 25 ˚C IC = 4. LB = 6 µH.5 A.0 - V V A A W V A µs 153 SYMBOL case PINNING . IC = 100 mA.

0E-05 1E-03 1.6. Typical DC current gain.6 Horizontal Oscilloscope IB IBend t 0. parameter IC July 1998 3 Rev 1.9.11.1 1 IB/A 10 C. Fig.154 Philips Semiconductors Product specification Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU508AF Silicon Diffused Power Transistor BU508AF ICsat + 50v 90 % 1 0.7 10 % tf ts 1 0. Test circuit for VCEOsust. parameter IC/IB BU508AD Fig.8 LB D. parameter IC VCESAT/V 10 Fig.01 0 P D tp D= tp T T 0.3. VCEsat = f (IB). parameter D = tp/T Normalised Power Derating 120 110 100 90 80 70 PD% with heatsink compound 154 + 150 v nominal adjust for ICsat 1.0E+1 6V IC / A 30-60 Hz 10 t/s Fig.5A 200 60 50 IC = 3A 100 IBend 12nF 0. Switching times waveforms.U.200 July 1998 4 Rev 1. hFE = f (IC) parameter VCE Fig. Fig. Fig.1. VBEsat = f (IB). Typical collector-emitter saturation voltage.200 . BY228 40 30 20 10 0 0 VCE / V min -VBB 0.2 t 1.1 1 t 0.9 VCESAT / V 10 BU508AD Zth K/W bu508ax 100-200R IC 0.2 0.5 Vertical 0.5.1 0 .8. Oscilloscope display for VCEOsust.7.001 1. VCEsat = f (IC). Fig. Normalised power dissipation.4. Switching times definitions. Switching times test circuit. Typical base-emitter saturation voltage.02 0. Zth j-hs = f(t).6 0 1 2 3 VCEOsust IB / A 4 0 20 40 60 80 Ths / C 100 120 140 Fig.4 IC / mA VBESAT / V 1.0E-07 1.IBM 1R 0. Transient thermal impedance.10. Typical collector-emitter saturation voltage. PD% = 100⋅PD/PD 25˚C = f (Ths) BU508AD TRANSISTOR ICsat 100 h FE BU508AD IC t DIODE IB t IBend 10 1 IC = 6A 20us 26us 64us IC = 4.1 0.1 0. Fig.5A VCE t 1 0.4 0.2.5 0.1 0.05 0.8 0.3 0.T.0E-01 100R 0.2 250 1 1mH IC = 6A IC = 4. Caract´ eristiques Fig.1 IC = 3A 1 IC/A 10 0.

BD678A. BD679.= 230 Ω ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Value NPN PNP 60 60 5 4 6 0.1 40 -65 to 150 150 V A A A W o o Safe Operating Areas Uni t BD681 BD682 100 100 V V Derating Curve Symbol BD677/A BD678/A 80 80 BD680/A BD679/A Parameter V CBO Collector-Base Voltage (IE = 0) V CEO Collector-Emitter Voltage (I B = 0) V EBO Emitter-Base Voltage (I C = 0) IC Collector Current I CM Collector Peak Current IB Base Current P t ot Total Dissipation at T c ≤ 25 C o T stg Storage Temperature C C Tj Max. INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM hf e for BD677/678/679/680/681/682 I C = 1. BD679A and BD681 are silicon epitaxial-base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec SOT-32 plastic package. 0.5 2. BD680A and BD682 respectively.12 100 o C/W C/W COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Symb ol I CBO I CEO I EBO Collector-Emitter Sustaining Voltage Emitter Cut-off Current (I C = 0) V EB = 5 V Collector Cut-off Current (IB = 0) V CE = half rated V CEO Collector Cut-off Current (IE = 0) V CE = rated V CBO V CE = rated V CBO Parameter Test Cond ition s T C = 100 C o ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 oC unless otherwise specified) Min. Caract´ eristiques BD677/677A/678/678A/679/679A/680/680A/681/682 THERMAL DATA o BD677/A/679/A/681 BD678/A/680/A/682 R t hj-ca se R t hj. Max.amb Thermal Resistance Junction-case Thermal Resistance Junction-ambient Max Max 3.NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTON CONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE V CEO(sus )∗ 3 2 1 APPLICATION ■ LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT SOT-32 V CE(sat )∗ Collector-Emitter Saturation Voltage I C = 50 mA for BD677/677A/678/678A for BD679/679A/680/680A for BD681/682 60 80 100 2.2 2 0.5 A I B = 30 mA for BD677A/678A/679A/680A IB = 40 mA IC = 2 A for BD677/678/679/680/681/682 I C = 1.5 A V CE = 3 V for BD677A/678A/679A/680A V CE = 3 V IC = 2 A 155 V BE ∗ DC Current G ain h FE∗ Base-Emitter Voltage DESCRIPTION The BD677.5 2 Un it mA mA mA mA ■ ■ ■ ■ SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP . BD680.5 2.5 A V CE = 3 V f = 1MHz 1 ∗ Pulsed: Pulse duration = 300 µs. Typ .= 7K Ω R 2 T yp.8 2.C. BD677A. duty cycle 1. September 1997 1/6 2/6 155 . O perating Junction Temperature For PNP types voltage and current values are negative.5 % R 1 Typ.5 A V CE = 3 V for BD677A/678A/679A/680A V CE = 3 V IC = 2 A Small Signal Current Gain I C = 1. They are intended for use in medium power linar and switching applications The complementary PNP types are BD678.5 750 750 V V V V V V V for BD677/678/679/680/681/682 I C = 1.

156 BD677/677A/678/678A/679/679A/680/680A/681/682 DC Current Gain (PNP type) Base-Emitter On Voltage (NPN type) Base-Emitter On Voltage (PNP type) BD677/677A/678/678A/679/679A/680/680A/681/682 DC Current Gain (NPN type) Collector-Emitter Saturation Voltage (NPN type) Collector-Emitter Saturation Voltage (PNP type) Freewheel Diode Forward Voltage (NPN types) Freewheel Diode Forward Voltage (PNP types) 156 Base-Emitter Saturation Voltage (PNP type) Base-Emitter Saturation Voltage (NPN type) C. Caract´ eristiques 3/6 4/6 .

TL071, TL071A, TL071B, TL072 TL072A, TL072B, TL074, TL074A, TL074B LOWĆNOISE JFETĆINPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS
SLOS080J − SEPTEMBER 1978 − REVISED MARCH 2005 SLOS080J − SEPTEMBER 1978 − REVISED MARCH 2005

TL071, TL071A, TL071B, TL072 TL072A, TL072B, TL074, TL074A, TL074B LOWĆNOISE JFETĆINPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

C. Caract´ eristiques

D Low Power Consumption D Wide Common-Mode and Differential
description/ordering information (continued)
ORDERING INFORMATION
TA Tube of 50 PDIP (P) Tube of 50 Tube of 25 Tube of 75 Reel of 2500 Tube of 75 SOIC (D) Reel of 2500 Tube of 50 Reel of 2500 SOP (NS) SOP (PS) Reel of 2000 Reel of 2000 Reel of 2000 Reel of 2000 TSSOP (PW) Tube of 90 Reel of 2000 Tube of 50 PDIP (P) 0°C to 70°C PDIP (N) Tube of 50 Tube of 25 Tube of 75 Reel of 2500 6 mV Tube of 75 SOIC (D) Reel of 2500 Tube of 50 Reel of 2500 SOP (PS) SOP (NS) PDIP (P) PDIP (N) Reel of 2000 Reel of 2000 Tube of 50 Tube of 50 Tube of 25 Tube of 75 Reel of 2500 3 mV SOIC (D) Tube of 75 Reel of 2500 Tube of 50 Reel of 2500 SOP (NS) Reel of 2000 10 mV TL074CN TL071CD TL071CDR TL072CD TL072CDR TL074CD TL074CDR TL074CNSR TL071CPSR TL072CPSR TL072CPWR TL074CPW TL074CPWR TL071ACP TL072ACP TL074ACN TL071ACD TL071ACDR TL072ACD TL072ACDR TL074ACD TL074ACDR TL072ACPSR TL074ACNSR TL071BCP TL072BCP TL074BCN TL071BCD TL071BCDR TL072BCD TL072BCDR TL074BCD TL074BCDR TL074BCNSR TL074BC 072BC 071BC TL074AC T072A TL074A 072AC 071AC T074 TL074C TL074 TL071 T072 T072 TL072C TL071C TL072CP PDIP (N) TL071CP VIOmax AT 25°C PACKAGE† ORDERABLE PART NUMBER

D Low Noise

Voltage Ranges

TOP-SIDE MARKING TL071CP TL072CP TL074CN

D Low Input Bias and Offset Currents D Output Short-Circuit Protection D Low Total Harmonic Distortion

. . . 0.003% Typ

D D D D D

Vn = 18 nV/√Hz Typ at f = 1 kHz High Input Impedance . . . JFET Input Stage Internal Frequency Compensation Latch-Up-Free Operation High Slew Rate . . . 13 V/µs Typ Common-Mode Input Voltage Range Includes VCC+

description/ordering information

The JFET-input operational amplifiers in the TL07x series are similar to the TL08x series, with low input bias and offset currents and fast slew rate. The low harmonic distortion and low noise make the TL07x series ideally suited for high-fidelity and audio preamplifier applications. Each amplifier features JFET inputs (for high input impedance) coupled with bipolar output stages integrated on a single monolithic chip.

The C-suffix devices are characterized for operation from 0°C to 70°C. The I-suffix devices are characterized for operation from −40°C to 85°C. The M-suffix devices are characterized for operation over the full military temperature range of −55°C to 125°C.

TL071ACP TL072ACP TL074ACN

157
On products compliant to MILĆPRFĆ38535, all parameters are tested unless otherwise noted. On all other products, production processing does not necessarily include testing of all parameters.

TL071BCP TL072BCP TL074BCN

TL074B † Package drawings, standard packing quantities, thermal data, symbolization, and PCB design guidelines are available at www.ti.com/sc/package.

Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.
Copyright  2005, Texas Instruments Incorporated

PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters.

POST OFFICE BOX 655303

• DALLAS, TEXAS 75265

1

2

POST OFFICE BOX 655303

• DALLAS, TEXAS 75265

157

158

TL071, TL071A, TL071B, TL072 TL072A, TL072B, TL074, TL074A, TL074B LOWĆNOISE JFETĆINPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS
SLOS080J − SEPTEMBER 1978 − REVISED MARCH 2005 SLOS080J − SEPTEMBER 1978 − REVISED MARCH 2005

TL071, TL071A, TL071B, TL072 TL072A, TL072B, TL074, TL074A, TL074B LOWĆNOISE JFETĆINPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS
TL072, TL072A, TL072B D, JG, P, PS, OR PW PACKAGE (TOP VIEW) 1 2 3 4 5 6 7 8

description/ordering information (continued)

TL071, TL071A, TL071B D, P, OR PS PACKAGE (TOP VIEW) 1 2 3 4 5 6 7 8

ORDERING INFORMATION
ORDERABLE PART NUMBER TL071IP TL072IP TL074IN TL071ID TL071IDR TL072ID TL072IDR 1 2 3 4 5 7 6 8 9 10 TL074ID TL074IDR TL072MJGB TL072MUB TL072MFKB TL074MJB TL074MWB TL074MWB TL071 FK PACKAGE (TOP VIEW) TL074MJB TL072MFKB TL072 FK PACKAGE (TOP VIEW) TL072MUB TL072MJGB TL074I TL072I TL071I TL072 U PACKAGE (TOP VIEW) TL074IN TL072IP TL071IP TOP-SIDE MARKING

TA Tube of 50 Tube of 50 Tube of 25 Tube of 75 Reel of 2500 Tube of 75 Reel of 2500 Tube of 50 Reel of 2500 Tube of 50 Tube of 150 Tube of 55 Tube of 25 Tube of 25

VIOmax AT 25°C

PACKAGE†

TL074A, TL074B D, J, N, NS, OR PW PACKAGE TL074 . . . D, J, N, NS, PW, OR W PACKAGE (TOP VIEW) 1 2 3 4 5 6 7 14 13 12 11 10 9 8

PDIP (P)

OFFSET N1 IN− IN+ VCC−

NC VCC+ OUT OFFSET N2

1OUT 1IN− 1IN+ VCC−

VCC+ 2OUT 2IN− 2IN+

PDIP (N)

−40°C to 85°C

6 mV

SOIC (D)

1OUT 1IN− 1IN+ VCC+ 2IN+ 2IN− 2OUT

4OUT 4IN− 4IN+ VCC− 3IN+ 3IN− 3OUT

CDIP (JG)

6 mV

CFP (U)

NC 1OUT 1IN− 1IN+ VCC−

NC VCC+ 2OUT 2IN− 2IN+

−55°C to 125°C

LCCC (FK)

CDIP (J)

9 mV

CFP (W)

NC OFFSET N1 NC NC NC

4 5 6 7

3 2 1 20 19 18 17 16 15

NC 1OUT NC V CC+ NC

4 5 6 7

3 2 1 20 19 18 17 16 15

3 2 1 20 19 18 4 5 6 7 8 17 16 15 14 9 10 11 12 13

NC

NC

NC − No internal connection

symbols
TL071 OFFSET N1 IN+ IN− OFFSET N2 + OUT − IN− − IN+ TL072 (each amplifier) TL074 (each amplifier) + OUT

C. Caract´ eristiques

POST OFFICE BOX 655303

• DALLAS, TEXAS 75265

3

4

V CC− NC OFFSET N2 NC

POST OFFICE BOX 655303

V CC− NC 2IN+ NC

• DALLAS, TEXAS 75265

2IN− 2OUT NC 3OUT 3IN−

NC IN− NC IN+ NC

NC VCC+ NC OUT NC

NC 1IN− NC 1IN+ NC

8

14 9 10 11 12 13

NC 2OUT NC 2IN− NC

1IN− 1OUT NC 4OUT 4IN− 1IN+ NC VCC+ NC 2IN+
8 14 9 10 11 12 13

LCCC (FK) Tube of 55 TL074MFKB TL074MFKB † Package drawings, standard packing quantities, thermal data, symbolization, and PCB design guidelines are available at www.ti.com/sc/package.

TL074 FK PACKAGE (TOP VIEW)

158

4IN+ NC VCC− NC 3IN+

TL071, TL071A, TL071B, TL072 TL072A, TL072B, TL074, TL074A, TL074B LOWĆNOISE JFETĆINPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS
SLOS080J − SEPTEMBER 1978 − REVISED MARCH 2005 SLOS080J − SEPTEMBER 1978 − REVISED MARCH 2005

TL071, TL071A, TL071B, TL072 TL072A, TL072B, TL074, TL074A, TL074B LOWĆNOISE JFETĆINPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

C. Caract´ eristiques

schematic (each amplifier)

absolute maximum ratings over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)†

VCC+

IN+ 64 Ω 128 Ω OUT 64 Ω

IN−

C1

18 pF

Supply voltage (see Note 1): VCC+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 V VCC− . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −18 V Differential input voltage, VID (see Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30 V Input voltage, VI (see Notes 1 and 3) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±15 V Duration of output short circuit (see Note 4) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Unlimited Package thermal impedance, θJA (see Notes 5 and 6): D package (8 pin) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97°C/W D package (14 pin) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86°C/W N package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80°C/W NS package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76°C/W P package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85°C/W PS package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95°C/W PW package (8 pin) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 149°C/W PW package (14 pin) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113°C/W U package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 185°C/W Package thermal impedance, θJC (see Notes 7 and 8): FK package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.61°C/W J package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15.05°C/W JG package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14.5°C/W W package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14.65°C/W Operating virtual junction temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C Case temperature for 60 seconds: FK package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260°C Lead temperature 1,6 mm (1/16 inch) from case for 10 seconds: J, JG, or W package . . . . . . . . . . . . 300°C Storage temperature range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65°C to 150°C

TL071 Only

All component values shown are nominal.

COMPONENT TYPE TL071 22 28 4 2 2 2 44 56 6 4 4 4 TL072 TL074

Resistors 11 Transistors 14 JFET 2 Diodes 1 Capacitors 1 epi-FET 1 † Includes bias and trim circuitry

POST OFFICE BOX 655303

ÁÁÁ ÁÁÁ ÎÎÎ
• DALLAS, TEXAS 75265
5 6

ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ

159

1080 Ω

1080 Ω

VCC−

OFFSET N1

OFFSET N2

† Stresses beyond those listed under “absolute maximum ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under “recommended operating conditions” is not implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability. NOTES: 1. All voltage values, except differential voltages, are with respect to the midpoint between VCC+ and VCC−. 2. Differential voltages are at IN+, with respect to IN−. 3. The magnitude of the input voltage must never exceed the magnitude of the supply voltage or 15 V, whichever is less. 4. The output may be shorted to ground or to either supply. Temperature and/or supply voltages must be limited to ensure that the dissipation rating is not exceeded. 5. Maximum power dissipation is a function of TJ(max), θJA, and TA. The maximum allowable power dissipation at any allowable ambient temperature is PD = (TJ(max) − TA)/θJA. Operating at the absolute maximum TJ of 150°C can affect reliability. 6. The package thermal impedance is calculated in accordance with JESD 51-7. 7. Maximum power dissipation is a function of TJ(max), θJC, and TC. The maximum allowable power dissipation at any allowable case temperature is PD = (TJ(max) − TC)/θJC. Operating at the absolute maximum TJ of 150°C can affect reliability. 8. The package thermal impedance is calculated in accordance with MIL-STD-883.

COMPONENT COUNT†

POST OFFICE BOX 655303

• DALLAS, TEXAS 75265

159

TL074B LOWĆNOISE JFETĆINPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS SLOS080J − SEPTEMBER 1978 − REVISED MARCH 2005 SLOS080J − SEPTEMBER 1978 − REVISED MARCH 2005 TL071.5 1012 120 TL071AC TL072AC TL074AC AVD B1 ri CMRR kSVR ICC Supply current (each amplifier) Supply-voltage rejection ratio (∆VCC±/∆VIO) Common-mode rejection ratio Input resistance Unity-gain bandwidth Large-signal differential voltage amplification 50 25 75 ±11 ±12 ±12 MIN 10 13 100 MAX 3 5 200 18 65 3 −12 to 15 200 100 100 1. § Input bias currents of an FET-input operational amplifier are normal junction reverse currents. No load 25°C 25°C 25°C 80 80 RL ≥ 2 kΩ 25°C Full range 25°C ±11 ±12 ±12 ±10 35 15 3 1012 86 86 1. TA = 25°C TA = 25°C VIC = VICRmin. VO = 0.4 TYP ±13. ‡ Full range is TA = 0°C to 70°C for TL07_C.4 25°C 25°C 2. Pulse techniques must be used that will maintain the junction temperature as close to the ambient temperature as possible. VCC = ± 9 V to ±15 V. ‡ All characteristics are measured under open-loop conditions with zero common-mode voltage. TL071B. unless otherwise specified. TL072 TL072A.5 VOM Maximum peak output voltage swing 3 5 18 65 3 −12 to 15 200 100 100 1. TL071A. VIC = VICRmin.4 TYP TL071BC TL072BC TL074BC ±13.5 1012 120 IIB 50 25 75 80 ±11 ±12 ±12 MIN 6 2 7.5 V 65 18 5 100 20 200 50 Full range 25°C Full range 25°C αV IO VO = 0. Temperature coefficient of input offset voltage Input offset current Input bias current§ Common-mode input voltage range Maximum peak output voltage swing Large-signal differential voltage amplification Unity-gain bandwidth Input resistance Common-mode rejection ratio Supply-voltage rejection ratio (∆VCC ± /∆VIO) Supply current (each amplifier) PARAMETER VIO αV IO IIO IIB VICR VOM AVD B1 ri CMRR kSVR ICC electrical characteristics. RS = 50 Ω IIO Input bias current‡ VO = 0 Input offset current VO = 0 Temperature coefficient of input offset voltage Input offset voltage VO = 0. No load Input offset voltage VO = 0. C. TL074B LOWĆNOISE JFETĆINPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS V V pA nA pA nA Ω dB dB mV UNIT µV/°C V/mV MHz mA dB electrical characteristics. VO = 0 VO = 0 RL = 10 kΩ RL ≥ 10 kΩ RL ≥ 2 kΩ VO = ±10 V.4 2. which are temperature sensitive. as shown in Figure 4.5 2. TEXAS 75265 .5 7 ±10 VICR Common-mode input voltage range 100 MAX 200 2. RS = 50 Ω VO = 0. TL071B. TL074. TL074A.5 ±13. RS = 50 Ω 25°C 3 6 TYP MAX MIN TEST CONDITIONS† TA‡ TL071M TL072M TYP 3 TL074M MAX 9 15 mV µV/°C pA nA pA nA V UNIT 6 8 2 20 100 MAX 3 5 200 18 65 3 −12 to 15 200 100 100 1. as shown in Figure 4.4 2. TL071A. VO = 0. TL07_BC and is TA = −40°C to 85°C for TL07_I. 160 7 8 10 7 ±10 80 VO1/VO2 Crosstalk attenuation AVD = 100 25°C 120 120 dB † Input bias currents of an FET-input operational amplifier are normal junction reverse currents. RS = 50 Ω VO = 0. TL074. unless otherwise specified. TL072B. TL072 TL072A. VCC± = ±15 V (unless otherwise noted) PARAMETER MIN VIO Full range 9 18 5 65 100 20 200 50 25°C RL = 10 kΩ RL ≥ 10 kΩ RL ≥ 2 kΩ VO = ±10 V.4 2.5 80 80 200 −12 to 15 ±13. TEXAS 75265 POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS. which are temperature sensitive. Caract´ eristiques POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS. Pulse techniques must be used that maintain the junction temperature as close to the ambient temperature as possible.5 ±13.160 TL071. TL074A.5 200 V/mV MHz Ω dB dB mA −12 to 15 ±13. RS = 50 Ω VO = 0. VCC = ±9 V to ±15 V. VCC± = ±15 V (unless otherwise noted) VO1/ VO2 Crosstalk attenuation AVD = 100 † All characteristics are measured under open-loop conditions with zero common-mode voltage. Full range is TA = −55°C to 125°C.5 50 25 1012 75 ±12 ±12 ±10 3 80 120 TL071I TL072I TL074I TYP MIN 3 5 2 100 MAX 2 5 200 7 ±11 18 65 −12 to 15 200 100 100 1.TL07_AC. TL072B. RS = 50 Ω VO = 0.5 ±11 ±12 ±12 ±10 35 15 3 1012 86 86 1.5 25 15 1012 70 ±12 ±12 25°C ±10 25°C 25°C 25°C 25°C Full range Full range 25°C 70 120 TL071C TL072C TL074C TYP TA‡ MIN 25°C 25°C 25°C Full range Full range Full range Full range 25°C ±11 RS = 50 Ω RS = 50 Ω RL ≥ 2 kΩ TEST CONDITIONS† VO = 0.

PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION VI IN− OUT N2 N1 100 kΩ + IN+ Figure 3.01 Phase shift 0. f = 1 kHz THD Total harmonic distortion VIrms = 6 V. Caract´ eristiques operating characteristics. CL = 100 pF. Unity-Gain Amplifier • DALLAS. RL = 2 kΩ. TL071A. TL074A.01 pA/√Hz AVD Large-signal differential voltage amplification 4 µV 18 nV/√Hz VOM Maximum output voltage 20% vs Frequency vs Free-air temperature vs Load resistance vs Supply voltage vs Free-air temperature vs Frequency vs Frequency vs Free-air temperature vs Free-air temperature vs Free-air temperature vs Supply voltage vs Free-air temperature vs Free-air temperature vs Free-air temperature vs Frequency vs Frequency vs Time vs Elapsed time 0. RS ≤ 1 kΩ. 7 8 9 10 11 12 12 13 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 In Equivalent input noise current RS = 20 Ω. VCC± = ±15 V. 6. See Figure 1 tr Rise-time overshoot factor VI = 20 mV. TL074. TEXAS 75265 161 .003% Normalized phase shift CMRR ICC PD Normalized slew rate Vn 10 kΩ THD VO − VO + RL CL = 100 pF Output voltage Equivalent input noise voltage Total harmonic distortion Large-signal pulse response VI 1 kΩ Total power dissipation Supply current Common-mode rejection ratio Normalized unity-gain bandwidth 0.1 µs 13 8 13 V/µs TYP MAX MIN TYP MAX UNIT ALL OTHERS PARAMETER TEST CONDITIONS Table of Graphs FIGURE 4 SR Slew rate at unity gain VI = 10 V. Gain-of-10 Inverting Amplifier TL071 1. TEXAS 75265 9 10 POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS.5 kΩ VCC− − VO CL = 100 pF RL = 2 kΩ Figure 1. TL074A.003 % 0. TL072B.TL071. Input Offset-Voltage Null Circuit POST OFFICE BOX 655303 − + 161 Figure 2.1 20% 18 4 0. TL071B. TL072 TL072A. RL ≥ 2 kΩ. RL = 2 kΩ. CL = 100 pF. See Figure 1 f = 1 kHz Vn Equivalent input noise voltage RS = 20 Ω f = 10 Hz to 10 kHz 5. TL074B LOWĆNOISE JFETĆINPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS C. TL074B LOWĆNOISE JFETĆINPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS SLOS080J − SEPTEMBER 1978 − REVISED MARCH 2005 SLOS080J − SEPTEMBER 1978 − REVISED MARCH 2005 TL071. TL071B. TL074. f = 1 kHz AVD = 1. TL071A. TA = 25°C TYPICAL CHARACTERISTICS TL07xM MIN 5 IIB Input bias current vs Free-air temperature 0. TL072B. TL072 TL072A.

2 1 −75 −50 −25 ±10 ±10 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ 0.5 0 −75 TA − Free-Air Temperature − °C VOM − Maximum Peak Output Voltage − V VOM VOM VOM − Maximum Peak Output Voltage − V VOM VOM − Maximum Peak Output Voltage − V ±7. TL071B. TL072 TL072A.5 ±5 ±2.5 0 0 2 4 6 8 10 TA − Free-Air Temperature − °C 10 k 100 k f − Frequency − Hz Figure 4 MAXIMUM PEAK OUTPUT VOLTAGE vs FREQUENCY ±15 MAXIMUM PEAK OUTPUT VOLTAGE vs SUPPLY VOLTAGE 1000 400 200 100 40 20 10 4 2 12 |VCC±| − Supply Voltage − V 14 16 ±12. TL074B LOWĆNOISE JFETĆINPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS TYPICAL CHARACTERISTICS† MAXIMUM PEAK OUTPUT VOLTAGE vs FREQUENCY MAXIMUM PEAK OUTPUT VOLTAGE vs FREE-AIR TEMPERATURE ±15 RL = 10 kΩ ±12. Caract´ eristiques POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS.5 TA = 125°C ±7.5 VOM VOM − Maximum Peak Output Voltage − V 0 100 10 M 4M 10 M 40 k 100 k 400 k 1 M f − Frequency − Hz 1k 1M 0 10 k Figure 6 Figure 7 † Data at high and low temperatures are applicable only within the rated operating free-air temperature ranges of the various devices. TL071B.4 VCC± = ±15 V VO = ±10 V RL = 2 kΩ 0 10 0. TL074.5 RL = 2 kΩ ±10 TYPICAL CHARACTERISTICS† MAXIMUM PEAK OUTPUT VOLTAGE vs LOAD RESISTANCE 100 INPUT BIAS CURRENT vs FREE-AIR TEMPERATURE VCC± = ±15 V ±12.5 ±2. TL072B. TL074A.1 ±2.7 1 2 RL − Load Resistance − kΩ 4 7 10 Figure 9 LARGE-SIGNAL DIFFERENTIAL VOLTAGE AMPLIFICATION vs FREE-AIR TEMPERATURE 25 50 75 TA − Free-Air Temperature − °C 100 125 Figure 11 • DALLAS.5 VCC± = ±15 V RL = 2 kΩ See Figure 2 ±10 TA = −55°C ±10 ±7. TL074.01 −75 125 0 100 1k 1M 10 M −50 −25 0 25 50 75 100 ÎÎÎÎÎ VCC± = ±10 V ±7.5 VCC± = ±15 V See Figure 2 −50 −25 0 25 50 75 100 125 VCC± = ±5 V ±5 ±5 IIIB− IB Input Bias Current − nA 0.5 1 ±5 ±2. TL072 TL072A.5 ±7.5 ±12. C.5 VCC± = ±10 V ±7. POST OFFICE BOX 655303 ÁÁ ÁÁ ÁÁ ÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ 0.5 AVD A VD − Large-Signal Differential Voltage Amplification − V/mV VOM VOM − Maximum Peak Output Voltage − V VOM VOM − Maximum Peak Output Voltage − V ±2.162 TL071.5 VCC± = ±15 V TA = 25°C See Figure 2 ±15 ±15 VCC± = ±15 V RL = 10 kΩ TA = 25°C See Figure 2 ±12.1 0. TEXAS 75265 11 12 ÁÁ ÁÁ ÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ 10 k 100 k f − Frequency − Hz ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÁÁ ÁÁ ÁÁ 162 Figure 5 Figure 8 MAXIMUM PEAK OUTPUT VOLTAGE vs FREQUENCY ±15 ±15 RL = 10 kΩ TA = 25°C TA = 25°C ±12. TL074A.5 VCC± = ±15 V RL = 2 kΩ TA = 25°C See Figure 2 ±10 Figure 10 † Data at high and low temperatures are applicable only within the rated operating free-air temperature ranges of the various devices.5 ±5 ±5 VCC± = ±5 V ±2.5 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 0 0. TL074B LOWĆNOISE JFETĆINPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS SLOS080J − SEPTEMBER 1978 − REVISED MARCH 2005 SLOS080J − SEPTEMBER 1978 − REVISED MARCH 2005 TL071. TL071A. TL072B. TL071A. TEXAS 75265 .

TL072B.2 1 0.2 0 100 125 75 0 2 4 6 8 10 TA = 25°C No Signal No Load 2 TYPICAL CHARACTERISTICS† SUPPLY CURRENT PER AMPLIFIER vs SUPPLY VOLTAGE LARGE-SIGNAL DIFFERENTIAL VOLTAGE AMPLIFICATION AND PHASE SHIFT vs FREQUENCY 106 88 105 87 VCC± = ±5 V to ±15 V RL = 2 kΩ TA = 25°C 0° 45° 85 86 104 Differential Voltage Amplification 102 135° 84 90° AVD A VD − Large-Signal Differential Voltage Amplification 1 −50 −25 0 25 50 1M CMRR − Common-Mode Rejection Ratio − dB 83 −75 ICC I CC ± − Supply Current Per Amplifier − mA 101 Phase Shift Phase Shift 103 12 |VCC±| − Supply Voltage − V 14 16 100 1k 10 k 100 k f − Frequency − Hz Normalized Phase Shift PD PD − Total Power Dissipation − mW Normalized Unity-Gain Bandwidth 0.1 1 Phase Shift 0. TL074A.2 1. POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS. TL072 TL072A. 14 POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS.6 1. TL071B.9 ÁÁ ÁÁ 1 10 180° 10 M Figure 15 TOTAL POWER DISSIPATION vs FREE-AIR TEMPERATURE VCC± = ±15 V No Signal No Load TL074 150 125 100 75 50 TL072 TL071 50 75 100 125 163 .6 0.97 125 ICC I CC ± − Supply Current Per Amplifier − mA 0.4 0.7 −75 25 −50 TA − Free-Air Temperature − °C Figure 16 Figure 17 † Data at high and low temperatures are applicable only within the rated operating free-air temperature ranges of the various devices.4 1. TL074. TEXAS 75265 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 163 Figure 12 Figure 14 2 1. TL074.99 TA − Free-Air Temperature − °C SUPPLY CURRENT PER AMPLIFIER vs FREE-AIR TEMPERATURE 250 VCC± = ±15 V No Signal No Load 225 200 175 NORMALIZED UNITY-GAIN BANDWIDTH AND PHASE SHIFT vs FREE-AIR TEMPERATURE 1. TL071A.TL071. TL071A. TL074B LOWĆNOISE JFETĆINPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS SLOS080J − SEPTEMBER 1978 − REVISED MARCH 2005 SLOS080J − SEPTEMBER 1978 − REVISED MARCH 2005 TL071.2 0 −75 −50 −25 0 25 50 75 TA − Free-Air Temperature − °C 100 125 25 0 −75 −50 −25 0 −25 0 25 50 75 100 TA − Free-Air Temperature − °C Figure 13 † Data at high and low temperatures are applicable only within the rated operating free-air temperature ranges of the various devices.8 1.8 VCC± = ±15 V RL = 2 kΩ f = B1 for Phase Shift 0.4 1. TL072B. TL071B.6 0.4 Unity-Gain Bandwidth 1.98 0.2 1 0.3 1.01 1 0. TL074B LOWĆNOISE JFETĆINPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS C.8 1.6 1.8 0. TEXAS 75265 13 ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ 0. Caract´ eristiques TYPICAL CHARACTERISTICS† COMMON-MODE REJECTION RATIO vs FREE-AIR TEMPERATURE 89 VCC± = ±15 V RL = 10 kΩ 1.8 0.03 1. TL072 TL072A. TL074A.02 1.

5 1 1.5 2 2. TL072B.10 40 VCC± = ±15 V RL = 2 kΩ CL = 100 pF VCC± = ±15 V AVD = 10 RS = 20 Ω TA = 25°C 1 20 Normalized Slew Rate − V/µ s 10 0 Vn V nV/ Hz n − Equivalent Input Noise Voltage − nV/Hz 0 125 10 40 100 400 1 k 4 k 10 k f − Frequency − Hz 40 k 100 k 0.95 ÎÎÎ ÎÎÎ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ 30 0.90 VO V O − Output Voltage − mV 0. TL074A.04 0 0. TL071A.1 0.2 0. TL071A.15 1. TL074.4 4 Output 2 VCC± = ±15 V AVD = 1 VI(RMS) = 6 V TA = 25°C VCC± = ±15 V RL = 2 kΩ CL = 100 pF TA = 25°C 0. Caract´ eristiques POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS.5 t − Time − µs 3.05 164 Figure 22 POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS.85 −75 −50 −25 0 25 50 75 100 TA − Free-Air Temperature − °C Figure 18 Figure 19 TOTAL HARMONIC DISTORTION vs FREQUENCY VOLTAGE-FOLLOWER LARGE-SIGNAL PULSE RESPONSE 6 1 0.001 100 −6 0 0. TEXAS 75265 ÁÁ ÁÁ ÁÁ ÁÁ 0.01 −2 Input 0. TL072B. TL071B.1 VCC± = ±15 V RL = 2 kΩ TA = 25°C 0. TL072 TL072A. TL074. TL072 TL072A.4 0.164 TL071. TEXAS 75265 . TL071B.004 −4 THD − Total Harmonic Distortion − % VI and VO − Input and Output Voltages − V Figure 20 C.7 TYPICAL CHARACTERISTICS OUTPUT VOLTAGE vs ELAPSED TIME NORMALIZED SLEW RATE vs FREE-AIR TEMPERATURE 50 1. TL074A. TL074B LOWĆNOISE JFETĆINPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS TYPICAL CHARACTERISTICS EQUIVALENT INPUT NOISE VOLTAGE vs FREQUENCY 28 24 Overshoot 20 90% 16 12 8 4 10% tr 0 0.5 t − Elapsed Time − µs 1.3 0.6 0.5 3 400 1k 4 k 10 k f − Frequency − Hz 40 k 100 k Figure 21 15 16 ÁÁÁ ÁÁÁ −4 0. TL074B LOWĆNOISE JFETĆINPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS SLOS080J − SEPTEMBER 1978 − REVISED MARCH 2005 SLOS080J − SEPTEMBER 1978 − REVISED MARCH 2005 TL071.

. . . VI: µA7824C . . and also can be used as the power-pass element in precision regulators. . . . Caract´ eristiques schematic INPUT D 3-Terminal Regulators D Output Current up to 1. . Tstg . .ti. . . . . . . . . . . . . . . θJA. . . . . short shoulder (KCS) PowerFLEX (KTE) µA7824C † Package drawings. . . . and use in critical applications of Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet. . . . . . . . 150°C Lead temperature 1. . standard warranty. . . . . . . Each of these regulators can deliver up to 1. The maximum allowable power dissipation at any allowable ambient temperature is PD = (TJ(max) − TA)/θJA. short shoulder (KCS) PowerFLEX (KTE) 8 TO-220 (KC) TO-220. and TA. . . . . . . . . In addition to use as fixed-voltage regulators. . .µA7800 SERIES POSITIVEĆVOLTAGE REGULATORS ą SLVS056K − MAY 1976 − REVISED APRIL 2005 SLVS056K − MAY 1976 − REVISED APRIL 2005 µA7800 SERIES POSITIVEĆVOLTAGE REGULATORS ą C. . . . . . . Texas Instruments Incorporated This series of fixed-voltage integrated-circuit voltage regulators is designed for a wide range of applications.5 A of output current. PowerFLEX is a trademark of Texas Instruments. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65°C to 150°C † Stresses beyond those listed under “absolute maximum ratings” may cause permanent damage to the device. . . . Production processing does not necessarily include testing of all parameters. . . . . TJ . .5 A D Internal Thermal-Overload Protection KTE PACKAGE (TOP VIEW) D High Power-Dissipation Capability D Internal Short-Circuit Current Limiting D Output Transistor Safe-Area Compensation KC (TO-220) PACKAGE (TOP VIEW) COMMON COMMON OUTPUT COMMON INPUT OUTPUT COMMON INPUT KCS (TO-220) PACKAGE (TOP VIEW) OUTPUT description/ordering information COMMON OUTPUT COMMON INPUT 165 ORDERABLE PART NUMBER Reel of 2000 Tube of 50 Tube of 20 Reel of 2000 Tube of 50 Tube of 20 Reel of 2000 Tube of 50 Reel of 2000 Tube of 50 Tube of 20 Reel of 2000 Tube of 50 Tube of 20 Reel of 2000 Tube of 50 µA7824CKC µA7824CKTER µA7824C µA7815CKCS µA7815C µA7815CKC µA7815CKTER µA7815C µA7812CKCS µA7812C µA7812CKC µA7812CKTER µA7812C µA7810CKC µA7810C µA7810CKTER µA7810C µA7808CKCS µA7808C µA7808CKC µA7808CKTER µA7808C µA7805CKCS µA7805C µA7805CKC µA7805CKTER µA7805C TOP-SIDE MARKING PACKAGE PowerFLEX (KTE) TO-220 (KC/KCS) Copyright  2005.com/sc/package. . . . . . . . . . . . . . . . . These are stress ratings only. . θJP is defined as the thermal resistance between the die junction and the bottom of the exposed pad. such as QFN. . . . . TO-220. . symbolization. . . . . short shoulder (KCS) PowerFLEX (KTE) 15 TO-220 (KC) NOTE 1: Maximum power dissipation is a function of TJ(max). . . . . The internal current-limiting and thermal-shutdown features of these regulators essentially make them immune to overload. . . . . . These applications include on-card regulation for elimination of noise and distribution problems associated with single-point regulation. . . . . . . . . . . . 35 V Operating virtual junction temperature. . . . . . . . . 260°C Storage temperature range. . JESD 51-5 qJC 3°C/W 17°C/W qJA 23°C/W 19°C/W qJP‡ 3°C/W 10 0°C to 125°C TO-220 (KC) PowerFLEX (KTE) 12 TO-220 (KC) TO-220. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . PRODUCTION DATA information is current as of publication date. . . . . . . . . TEXAS 75265 1 2 POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS. . . . . . . . . . . . thermal data. . . . or PowerFLEX. . 40 V All others . . Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments standard warranty. . . . . . . . . standard packing quantities. PowerPAD. . . . . . . . . and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under “recommended operating conditions” is not implied. . . . Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability. these devices can be used with external components to obtain adjustable output voltages and currents. . . Operating at the absolute maximum TJ of 150°C can affect reliability. . . POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS. and PCB design guidelines are available at www. short shoulder (KCS) PowerFLEX (KTE) package thermal data (see Note 1) BOARD High K. . ‡ For packages with exposed thermal pads. . . . . .6 mm (1/16 inch) from case for 10 seconds . . . . TO-220. . . . . . . . TEXAS 75265 165 . . . . . . . . . JESD 51-5 High K. . . . . . . . . . . 24 TO-220 (KC) Please be aware that an important notice concerning availability. . . . . . COMMON absolute maximum ratings over virtual junction temperature range (unless otherwise noted)† ORDERING INFORMATION TJ VO(NOM) (V) PACKAGE† PowerFLEX (KTE) 5 TO-220 (KC) Input voltage. . . . .

5 µA7800C series 0 125 VI = 11.5 750 2. IO = 5 mA to 1. 25°C TEST CONDITIONS 10.2 72 12 4 0.2 A mA mA Input voltage regulation Ripple rejection Output voltage regulation Output resistance Temperature coefficient of output voltage Output noise voltage Dropout voltage Bias current Bias current change Short-circuit output current Peak output current VI = 12. PD ≤ 15 W 25 TJ† 25 µA7808C µA7810C µA7812C µA7815C µA7824C TYP 8 MAX UNIT µA7808C electrical characteristics at specified virtual junction temperature. Output resistance IO = 250 mA to 750 mA f = 1 kHz Temperature coefficient of output voltage electrical characteristics at specified virtual junction temperature. IO = 500 mA (unless otherwise noted) MAX 8.33-µF capacitor across the input and a 0.2 55 MIN 9.1-µF capacitor across the output. All characteristics are measured with a 0.5 14.5 V.5 V to 28 V VI = 14 V to 20 V f = 120 Hz IO = 250 mA to 750 mA f = 1 kHz IO = 5 mA f = 10 Hz to 100 kHz IO = 1 A VI = 13 V to 23 V.5 V to 25 V VI = 11 V to 17 V 30 V 28 IO = 5 mA to 1 A.5 V to 23 V. Thermal effects must be taken into account separately. VI = 10 V.7 7.4 160 80 160 80 mV Ω mV/°C µV V 8 1 0.5 V to 28 V IO = 5 mA to 1 A Output voltage mA PARAMETER TEST CONDITIONS VI = 12. 200 100 mV Ω mV/°C µV V mA MAX 10. IO = 500 mA (unless otherwise noted) µA7810C TYP 10 10 7 2 71 12 4 0.5 V to 21. Thermal effects must be taken into account separately.5 17.2 5.33-µF capacitor across the input and a 0.2 78 50 100 V Bias current UNIT Dropout voltage IO = 1 A IO = 5 mA f = 10 Hz to 100 kHz IO = 250 mA to 750 mA f = 1 kHz Ripple rejection VI = 10.5 V to 25 V IO = 5 mA to 1 A 0°C to 125°C 25°C 25°C 450 2. PD ≤ 15 W Input voltage regulation VI = 7 V to 25 V VI = 8 V to 12 V Ripple rejection 166 • DALLAS.1-µF capacitor across the output. PD ≤ 15 W VI = 12. Thermal effects must be taken into account separately. Caract´ eristiques POST OFFICE BOX 655303 POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS.016 −0.5 27 1.75 5 TYP 25°C 0°C to 125°C 25°C f = 120 Hz 25°C 0°C to 125°C 0°C to 125°C 25°C 25°C 25°C 0°C to 125°C 25°C 25°C 0°C to 125°C µA7805C PARAMETER VI = 7 V to 20 V.8 52 2 4. TJ† 25°C IO = 5 mA to 1 A. IO = 500 mA (unless otherwise noted) TJ† MIN 4.018 −1 70 2 4.5 12.1 40 2 4. IO = 5 mA to 1.4 10.5 A 38 30 VI = 10.3 0.5 A A † Pulse-testing techniques maintain the junction temperature as close to the ambient temperature as possible. VI = 14 V. TEST CONDITIONS Output voltage IO = 5 mA to 1 A.5 200 100 mV dB V UNIT Output noise voltage IO = 5 mA f = 10 Hz to 100 kHz Dropout voltage IO = 1 A Bias current Bias current change VI = 7 V to 25 V IO = 5 mA to 1 A Short-circuit output current Peak output current † Pulse-testing techniques maintain the junction temperature as close to the ambient temperature as possible.5 A 0°C to 125°C 25°C 0°C to 125°C 25°C 0°C to 125°C 0°C to 125°C 25°C 25°C 25°C 0°C to 125°C 25°C 25°C 400 2.3 8.5 mA mA A † Pulse-testing techniques maintain the junction temperature as close to the ambient temperature as possible. IO = 5 mA to 1.5 mA mA mA mV dB V UNIT VI Input voltage Output current IO TJ Operating virtual junction temperature electrical characteristics at specified virtual junction temperature. All characteristics are measured with a 0. TEXAS 75265 3 4 Output voltage regulation VI = 8 V to 18 V.1-µF capacitor across the output.33-µF capacitor across the input and a 0. C.3 8 1 0.017 −1. All characteristics are measured with a 0.3 Output voltage 0°C to 125°C 25°C f = 120 Hz 0°C to 125°C Input voltage regulation A °C Output voltage regulation Output resistance Temperature coefficient of output voltage Output noise voltage MAX 5. TEXAS 75265 .5 V to 25 V. VI = 17 V.6 6 2 55 25°C 0°C to 125°C 0°C to 125°C 25°C 25°C 25°C VI = 10.8 4.5 mV 3 1 62 15 5 0.6 9.25 Bias current change mV Short-circuit output current Peak output current dB 100 50 Ω mV/°C µV V 8 1.166 µA7800 SERIES POSITIVEĆVOLTAGE REGULATORS ą SLVS056K − MAY 1976 − REVISED APRIL 2005 SLVS056K − MAY 1976 − REVISED APRIL 2005 µA7800 SERIES POSITIVEĆVOLTAGE REGULATORS ą recommended operating conditions MIN µA7805C 7 PARAMETER MIN 7.

33-µF capacitor across the input and a 0. POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS.33-µF capacitor across the input and a 0.5 V to 27 V.5 V to 30 V.4 14.4 10 3 55 12 4 0.4 1 0. Thermal effects must be taken into account separately. IO = 5 mA to 1.5 150 mA mA 480 240 mV Ω mV/°C µV V mA MAX 25 25.5 A 120 mV Input voltage regulation 240 VI = 27 V to 38 V VI = 30 V to 36 V 25°C 0°C to 125°C 25°C 0°C to 125°C 0°C to 125°C 25°C 25°C 25°C 0°C to 125°C 25°C 50 12.6 8 1 0.1-µF capacitor across the output.C.5 350 mA Short-circuit output current mA Bias current change VI = 27 V to 38 V IO = 5 mA to 1 A 8 mA Bias current V Dropout voltage IO = 1 A µV Output noise voltage mV/°C Temperature coefficient of output voltage IO = 5 mA f = 10 Hz to 100 kHz Ω Output resistance 120 mV IO = 250 mA to 750 mA f = 1 kHz Output voltage regulation 240 71 dB Ripple rejection f = 120 Hz VI = 28 V to 38 V. PD ≤ 15 W 0°C to 125°C 12 12.018 −1 75 2 4. TEXAS 75265 5 6 POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS.8 electrical characteristics at specified virtual junction temperature.1-µF capacitor across the output.5 V to 28.2 A † Pulse-testing techniques maintain the junction temperature as close to the ambient temperature as possible. Caract´ eristiques µA7800 SERIES POSITIVEĆVOLTAGE REGULATORS ą SLVS056K − MAY 1976 − REVISED APRIL 2005 SLVS056K − MAY 1976 − REVISED APRIL 2005 µA7800 SERIES POSITIVEĆVOLTAGE REGULATORS ą electrical characteristics at specified virtual junction temperature.1-µF capacitor across the output.5 V to 30 V IO = 5 mA to 1 A Short-circuit output current Peak output current 25°C 2.5 230 mA mA 8 mA V µV mV/°C Ω 150 mV 300 70 dB 150 mV 300 15. VI = 23 V.5 A Output resistance IO = 250 mA to 750 mA f = 1 kHz Temperature coefficient of output voltage Output noise voltage IO = 5 mA f = 10 Hz to 100 kHz Dropout voltage IO = 1 A Bias current Bias current change VI = 14.5 V.5 25°C TYP MAX UNIT PARAMETER TEST CONDITIONS 25°C 0°C to 125°C 25°C f = 120 Hz 25°C 0°C to 125°C 0°C to 125°C 25°C 25°C 25°C 0°C to 125°C 25°C 0°C to 125°C µA7812C TJ† MIN 23 22. IO = 5 mA to 1. All characteristics are measured with a 0. TEXAS 75265 167 .1 A † Pulse-testing techniques maintain the junction temperature as close to the ambient temperature as possible. TEST CONDITIONS Output voltage IO = 5 mA to 1 A. Thermal effects must be taken into account separately. 167 TJ† MIN 14.5 11. PD ≤ 15 W Input voltage regulation VI = 17.6 V Output voltage VI = 27 V to 38 V.5 V to 30 V VI = 16 V to 22 V Ripple rejection Output voltage regulation VI = 15 V to 25 V. Thermal effects must be taken into account separately. IO = 500 mA (unless otherwise noted) PARAMETER TEST CONDITIONS Output voltage IO = 5 mA to 1 A.33-µF capacitor across the input and a 0.028 −1. All characteristics are measured with a 0. IO = 5 mA to 1.25 11 3 54 12 4 0. PD ≤ 15 W Input voltage regulation VI = 14.1 A † Pulse-testing techniques maintain the junction temperature as close to the ambient temperature as possible.5 V to 30 V IO = 5 mA to 1 A Short-circuit output current Peak output current 25°C 2.5 V to 30 V VI = 20 V to 26 V Ripple rejection Output voltage regulation VI = 18.2 480 240 mV dB V UNIT PARAMETER VI = 14. IO = 500 mA (unless otherwise noted) TJ† MIN 11.75 V 15 15.5 A Output resistance IO = 250 mA to 750 mA f = 1 kHz Temperature coefficient of output voltage Output noise voltage IO = 5 mA f = 10 Hz to 100 kHz Dropout voltage IO = 1 A Bias current Bias current change VI = 17. IO = 500 mA (unless otherwise noted) µA7824C TYP 24 18 6 66 12 4 0.5 170 2 4. VI = 19 V. IO = 5 mA to 1 A. Peak output current 25°C 2.019 −1 90 2 4. electrical characteristics at specified virtual junction temperature.3 1 0. All characteristics are measured with a 0. VI = 33 V.6 TYP MAX UNIT 25°C 0°C to 125°C 25°C f = 120 Hz 25°C 0°C to 125°C 0°C to 125°C 25°C 25°C 25°C 0°C to 125°C 25°C 0°C to 125°C µA7815C VI = 17.

symbolization. 25 nA Typ Low Input Offset Current . MOS. 2 V to 36 V − Tested to 30 V . P. LM293A LM393. . . 0. OR PW PACKAGE (TOP VIEW) 1 2 3 4 5 6 7 TOP-SIDE MARKING LM393P D 1OUT 1IN− 1IN+ GND 8 D D VCC 2OUT 2IN− 2IN+ NC 1OUT NC VCC NC D D 3 2 4 5 6 7 8 14 9 10 11 12 13 15 16 17 1 20 19 18 LM393AP LM393A L393A L393A M8_‡ LM293P D NC 1IN− NC 1IN+ NC NC GND NC 2IN+ NC NC 2OUT NC 2IN− NC D D − Max Rating . . D. ‡ The actual top-side marking has one additional character that designates the assembly/test site. TEXAS 75265 . LM293. Current drain is independent of the supply voltage. . V-Suffix Devices Low Supply-Current Drain Independent of Supply Voltage . thermal data. 2 mV Typ Common-Mode Input Voltage Range Includes Ground Differential Input Voltage Range Equal to Maximum-Rated Supply Voltage . . OR P PACKAGE LM293A . LM193 † Package drawings. DGK. . The LM393 and LM393A are characterized for operation from 0°C to 70°C. The LM193 is characterized for operation from −55°C to 125°C. .168 LM193.ti. . LM293A LM393. On all other products. Operation from dual supplies also is possible as long as the difference between the two supplies is 2 V to 36 V. . . LM2903V DUAL DIFFERENTIAL COMPARATORS D Single Supply or Dual Supplies D Wide Range of Supply Voltage description/ordering information (continued) ORDERING INFORMATION TA PDIP (P) Tube of 75 SOIC (D) Reel of 2500 Reel of 2000 Tube of 150 TSSOP (PW) Reel of 2000 Reel of 2500 Tube of 50 Tube of 75 SOIC (D) 2 mV SOP (PS) TSSOP (PW) MSOP/VSSOP (DGK) PDIP (P) 5 mV −25°C to 85°C 2 mV 30 V 30 V SOIC (D) MSOP/VSSOP (DGK) SOIC (D) MSOP/VSSOP (DGK) PDIP (P) SOIC (D) 7 mV −40°C to 125°C 7 mV 32 V 30 V SOP (PS) TSSOP (PW) MSOP/VSSOP (DGK) SOIC (D) TSSOP (PW) 2 mV 32 V SOIC (D) TSSOP (PW) CDIP (JG) −55°C to 125°C 5 mV 30 V LCCC (FK) SOIC (D) 30 V Reel of 2500 Reel of 2000 Reel of 2000 Reel of 2500 Tube of 50 Tube of 75 Reel of 2500 Reel of 2500 Tube of 75 Reel of 2500 Reel of 2500 Tube of 50 Tube of 75 Reel of 2500 Reel of 2000 Reel of 2000 Reel of 2500 Reel of 2500 Reel of 2000 Reel of 2500 Reel of 2000 Tube of 50 Tube of 55 Reel of 2500 LM193 . . Copyright  2004. D OR DGK PACKAGE LM393. LM393A. standard warranty. .com/sc/package. Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments standard warranty. The LM2903 is characterized for operation from −40°C to 125°C. . . OR PW PACKAGE LM2903 . PS. . . D.5 V more positive than the input common-mode voltage. Production processing does not necessarily include testing of all parameters. . The LM293 and LM293A are characterized for operation from −25°C to 85°C. Caract´ eristiques POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS. D. . PS. D OR JG PACKAGE LM293 . and CMOS description/ordering information 168 On products compliant to MILĆPRFĆ38535. LM2903V DUAL DIFFERENTIAL COMPARATORS SLCS005S − JUNE 1976 − REVISED OCTOBER 2004 SLCS005S − JUNE 1976 − REVISED OCTOBER 2004 LM193. . P. LM293A MD_‡ LM2903P LM2903 L2903 L2903 MA_‡ L2903V L2903V L2903AV L2903AV LM193JG LM193FK These devices consist of two independent voltage comparators that are designed to operate from a NC − No internal connection single power supply over a wide range of voltages. . DGK. . . DGK. and VCC is at least 1.4 mA Typ Per Comparator Low Input Bias Current . . . . all parameters are tested unless otherwise noted. ±36 V Low Output Saturation Voltage Output Compatible With TTL. production processing does not necessarily include testing of all parameters. C. . The outputs can be connected to other open-collector outputs to achieve wired-AND relationships. standard packing quantities. and use in critical applications of Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet. LM393A. and PCB design guidelines are available at www. LM2903. TEXAS 75265 1 2 POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS. 3 nA Typ (LM193) Low Input Offset Voltage . . FK PACKAGE (TOP VIEW) 0°C to 70°C MSOP/VSSOP (DGK) PDIP (P) 5 mV 30 V SOP (PS) LM393DR LM393PSR LM393PW LM393PWR LM393DGKR LM393AP LM393AD LM393ADR LM393APSR LM393APWR LM393ADGKR LM293P LM293D LM293DR LM293DGKR LM293AD LM293ADR LM293ADGKR LM2903P LM2903D LM2903DR LM2903PSR LM2903PWR LM2903DGKR LM2903VQDR LM2903VQPWR LM2903AVQDR LM2903AVQPWR LM193JG LM193FK LM193DR LM293 MC_‡ L393 M9_‡ LM393D LM393 L393 Tube of 50 LM393P VIOmax AT 25°C MAX VCC PACKAGE† ORDERABLE PART NUMBER LM193 . LM2903. Non-V Devices − Tested to 32 V . LM393A . Texas Instruments Incorporated PRODUCTION DATA information is current as of publication date. LM293. Please be aware that an important notice concerning availability. .

. . . . 300°C Storage temperature range. θJA (see Notes 4 and 5): D package . . . . . . . POST OFFICE BOX 655303 POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS. . . . . . .LM193. . . TJ . . . . . LM2903V DUAL DIFFERENTIAL COMPARATORS SLCS005S − JUNE 1976 − REVISED OCTOBER 2004 SLCS005S − JUNE 1976 − REVISED OCTOBER 2004 LM193. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VI (either input) . . . . . . . . . . . . . . . 5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 0 to VCC − 2 25°C 25°C Full range 25°C VID = −1 V VID = −1 V VCC = 5 V VCC = 30 V Full range 25°C 25°C 6 0. . . . . . . . . . . . . . . . . Short circuits from outputs to VCC can cause excessive heating and eventual destruction. . . IO . . . . . . 20 mA Duration of output short-circuit to ground (see Note 3) . . . . .61°C/W JG package . . . . . . . . . . . . 150°C Case temperature for 60 seconds: FK package . . . . . . . . . . 14. . These are stress ratings only. . . . . . . . . . LM393A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Low-level output voltage Low-level output current VID = 1 V 200 0. . . . . . .4 V to 11. . . TEXAS 75265 3 4 absolute maximum ratings over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)† Supply voltage. . . . . . .5°C/W Operating virtual junction temperature. . . All voltage values. . . . . . . −65°C to 150°C ICC Supply current RL = ∞ mA Full range 2. . . . . 7. . . . . . .5 V. . . . Maximum power dissipation is a function of TJ(max). . . . . . . . . . . . . θJC (see Notes 6 and 7): FK package . LM2903. . . . . . 97°C/W DGK package . . . . . . VID (see Note 2) . . 95°C/W PW package . . . . VOL = 1.8 1 150 50 200 0. . VCC = 5 V (unless otherwise noted) LM293 LM393 TYP 2 MAX 5 mV 9 5 −25 50 250 −250 −400 nA nA UNIT IN+ IN− VCC = 5 V to 30 V. . . . VO . . . . . . . .5 V. .4 V. . . . . . . . . . . . . . and TA. . . . . . . . . . with respect to IN−. . . . . . . . 4. . . . . . . . . . . Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability. All characteristics are measured with zero common-mode input voltage. . . . . . LM393A. . . . . . The upper end of the common-mode voltage range is VCC+ − 1. . . . . 260°C Lead temperature 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . and for LM393 is 0°C to 70°C.6 mm (1/16 inch) from case for 60 seconds: JG package . . . . . . . IOL = 4 mA. . . . . . . . . . . 6. . . . unless otherwise specified. . . . . . . . . . . . 169 • DALLAS. . . . . .8 1 GND VOL IOL IOH VCC = 15 V. . The maximum allowable power dissipation at any allowable case temperature is PD = (TJ(max) − TC)/θJC. . . . . . . . 2. . . . . . 3. .4 V. . . . . Maximum power dissipation is a function of TJ(max). . . . . . . . † Stresses beyond those listed under “absolute maximum ratings” may cause permanent damage to the device. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Caract´ eristiques symbol (each comparator) OUT PARAMETER MIN 25°C 2 9 3 −25 25 100 −100 −300 0 to VCC − 1. . . . . . . . . VCC (see Note 1) . . . . TEXAS 75265 169 . . . . . . . . . . . . . 172°C/W P package . ‡ The voltage at either input or common-mode should not be allowed to go negative by more than 0. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . LM293. . . . . . and TC. 36 V Differential input voltage. . .4 V schematic (each comparator) 80-µA Current Regulator IIO 10 µA COMPONENT COUNT IIB Input bias current 80 µA Input offset current 10 µA 60 µA IN+ OUT VICR Epi-FET Diodes Resistors Transistors 1 2 2 30 Common-mode input voltage range‡ V IN− AVD Large-signal differential-voltage amplification High-level output current VOH = 30 V. . . . . . . .1 150 50 1 400 700 V/mV nA µA mV mA 0. . . . . . . . . . .5 0 to VCC − 2 50 5 Full range 25°C Full range 25°C Full range 25°C Full range VCC VIO Input offset voltage TYP MAX TEST CONDITIONS TA† LM193 MIN electrical characteristics at specified free-air temperature. . . . . . . θJC.5 † Full range (MIN or MAX) for LM193 is −55°C to 125°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . but either or both inputs can go to 30 V without damage.3 V. Unlimited Package thermal impedance. . . . . . . . LM293A LM393. . . . LM2903V DUAL DIFFERENTIAL COMPARATORS C. . . . .4 V VO = 1. 5. . . . . . Operating at the absolute maximum TJ of 150°C can affect reliability. . . . . . . . . . . . . The package thermal impedance is calculated in accordance with MIL-STD-883. . . . . . . . . . . . . . . . . . LM2903. . . . . . . VIC = VIC(min) VO = 1.3 V to 36 V Output voltage. . . . . . . 149°C/W Package thermal impedance. . . . . . . . . . The maximum allowable power dissipation at any allowable ambient temperature is PD = (TJ(max) − TA)/θJA. . except differential voltages. . . . VO = 1. . . . . . . . . . . . 36 V Output current. . . . Tstg . . . Operating at the absolute maximum TJ of 150°C can affect reliability. . . . . . . . −0. . . . . . . . . . . . . LM293. . . . . for LM293 is 25°C to 85°C. . θJA. . . . and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under “recommended operating conditions” is not implied. . . . . 85°C/W PS package . . . . . . . . LM293A LM393. . . . .1 1 400 700 6 0 to VCC − 1. . . . . . . . . . . VID = 1 V Current values shown are nominal. . . . . . . . . . . Differential voltages are at IN+. . . . . . . . . . . . . . ±36 V Input voltage range. . . are with respect to GND. . . . . NOTES: 1. . . The package thermal impedance is calculated in accordance with JESD 51-7.5 2. . . . . . VO = 1. RL ≥ 15 kΩ to VCC VOH = 5 V. . . .

4 V to 11. IOL Low-level output current VOL = 1.4 V VICR Common-mode input voltage range§ V AVD VID = 1 V VID = 1 V VID = −1 V Large-signal differential-voltage amplification VCC = 15 V.4 V.8 1 mA mV 400 µA High-level output current 50 nA 200 V/mV Large-signal differential-voltage amplification 25°C 25°C nA IIB Input bias current VO = 1. ‡ VCC MAX = 30 V for non-V devices and 32 V for V-suffix devices. VCC = 5 V (unless otherwise noted) MAX 2 mV 4 50 200 −250 −500 nA nA UNIT PARAMETER TEST CONDITIONS VIO Input offset voltage VCC = 5 V to 30 V.5 0 to VCC − 2 25 100 0. See Note 8 TTL-level input step 1.4 V. TEXAS 75265 . NOTE 8: The response time specified is the interval between the input step function and the instant when the output crosses 1.4 V.4 V to 11.8 1 150 50 1 400 700 6 0. All characteristics are measured with zero common-mode input voltage. 170 PARAMETER Response time mA VCC = 30 V Full range 2. VID = 1 V VOL VID = −1 V VCC = 5 V Low-level output voltage IOL = 4 mA. LM393A.4 V −250 nA IIO Input offset current VO = 1.5 0 to VCC − 2 25 100 0. VO = 1. µs C.5 V. switching characteristics. LM393A. VIC = VIC(min) MIN 25°C 1 Full range 25°C Full range 25°C Full range 25°C Full range 25°C 25°C Full range 25°C Full range 25°C 25°C TYP LM293A LM393A PARAMETER TEST CONDITIONS TA† electrical characteristics at specified free-air temperature. The upper end of the common-mode voltage range is VCC+ − 1.5 V VICR Common-mode input voltage range§ 0 to VCC − 2 50 AVD 0. LM293.5 2. VCC = 5 V. VOH = 30 V. The upper end of the common-mode voltage range is VCC+ − 1. but either or both inputs can go to 30 V without damage. LM293A LM393. LM293. RL ≥ 15 kΩ to VCC VOH = 5 V.5 V. VO = 1. RL ≥ 15 kΩ to VCC V/mV 50 1 400 700 mV mA 1 nA µA IOH High-level output current VOH = 5 V. TA = 25°C TEST CONDITIONS LM193 LM293.5 † Full range (MIN or MAX) for LM2903 is −40°C to 125°C. TEXAS 75265 5 6 POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS. VO = 1.3 V. LM2903. § The voltage at either input or common-mode should not be allowed to go negative by more than 0. and for LM393A is 0°C to 70°C. but either or both inputs can go to 30 V (32 V for V-suffix devices) without damage. unless otherwise specified.170 LM193. LM293A LM393. § The voltage at either input or common-mode should not be allowed to go negative by more than 0. unless otherwise specified. VID = 1 V IOL = 4 mA. VO = 1.5 V.3 ¶ CL includes probe and jig capacitance.3 V.8 150 0 to VCC − 1. LM2903V DUAL DIFFERENTIAL COMPARATORS electrical characteristics at specified free-air temperature.5 † Full range (MIN or MAX) for LM293A is 25°C to 85°C. VIC = VIC(min) IIO Input offset current VO = 1.5 V. VCC = 5 V (unless otherwise noted) LM2903 MIN 2 15 5 200 −25 −250 −500 0 to VCC − 1.3 UNIT 0.4 V. LM2903. LM293A LM393.4 V IIB Input bias current VO = 1.1 Full range 25°C Full range 25°C VID = −1 V VCC = 5 V VCC = MAX 25°C 6 0.4 V 50 mV VIO Input offset voltage VCC = 5 V to MAX‡.4 V.1 1 IOH VOH = VCC MAX. Caract´ eristiques POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS. CL = 15 pF¶.1 −25 50 5 7 TYP MAX MIN TYP 1 LM2903A TA† UNIT MAX 25°C Full range 25°C Full range 25°C Full range 25°C Full range 2 4 5 150 −25 −400 0 to VCC − 1. LM2903V DUAL DIFFERENTIAL COMPARATORS SLCS005S − JUNE 1976 − REVISED OCTOBER 2004 SLCS005S − JUNE 1976 − REVISED OCTOBER 2004 LM193. VCC = 15 V. VOL = 1. VID = −1 V VOL IOL Low-level output current Low-level output voltage 150 700 6 0. ICC Supply current RL = ∞ ICC Supply current RL = ∞ mA Full range 2. LM393A LM2903 TYP 100-mV input step with 5-mV overdrive RL connected to 5 V through 5.1 kΩ. All characteristics are measured with zero common-mode input voltage.

Schmitt-trigger action in the clock input makes the circuit highly tolerant to slower clock rise and fall times. IDD LIMITS category MSI HEF4040BP(N): HEF4040BD(F): HEF4040BT(D): 16-lead DIL. HEC 171 Fig. Each counter stage is a static toggle flip-flop.1 Functional diagram.C. IC04 January 1995 2 171 . please also download: • The IC04 LOCMOS HE4000B Logic Family Specifications HEF. plastic (SOT38-1) 16-lead DIL. A HIGH on MR clears all counter stages and forces all outputs LOW. Caract´ eristiques INTEGRATED CIRCUITS Philips Semiconductors Product specification 12-stage binary counter DESCRIPTION HEF4040B MSI DATA SHEET The HEF4040B is a 12-stage binary ripple counter with a clock input (CP). plastic (SOT109-1) ( ): Package Designator North America See Family Specifications HEF4040B MSI 12-stage binary counter January 1995 Product specification File under Integrated Circuits. independent of CP. The counter advances on the HIGH to LOW transition of CP. ceramic (cerdip) (SOT74) 16-lead SO. PINNING CP MR O0 to O11 clock input (HIGH to LOW edge-triggered) master reset input (active HIGH) parallel outputs APPLICATION INFORMATION Some examples of applications for the HEF4040B are: • Frequency dividing circuits • Time delay circuits Fig. For a complete data sheet.2 Pinning diagram. • Control counters FAMILY DATA. an overriding asynchronous master reset input (MR) and twelve fully buffered outputs (O0 to O11). HEC • The IC04 LOCMOS HE4000B Logic Package Outlines/Information HEF.

3 Logic diagram.23 ns/pF) CL (0.42 ns/pF) CL (0.16 ns/pF) CL (0. TYP.55 ns/pF) CL (0.28 ns/pF) CL (1.55 ns/pF) CL (0.16 ns/pF) CL (1.23 ns/pF) CL (0. HIGH 15 Minimum MR pulse width.55 ns/pF) CL dissipation per package (P) TYPICAL EXTRAPOLATION FORMULA VDD V 5 10 15 AC CHARACTERISTICS VSS = 0 V. (MHz) CL = load cap. 10 5 10 5 10 5 10 5 HEF4040B MSI TYPICAL EXTRAPOLATION FORMULA see also waveforms Fig. TYP. For other loads than 50 pF at the nth output. (MHz) fo = output freq. Tamb = 25 °C.42 ns/pF) CL (0. MAX.172 Philips Semiconductors Product specification Philips Semiconductors Product specification 12-stage binary counter HEF4040B MSI 12-stage binary counter VDD V SYMBOL 50 tWCPH 20 40 tWMRH 30 20 40 tRMR 30 20 10 fmax 15 25 10 20 15 10 20 30 50 15 20 10 ns ns ns ns ns ns ns MHz MHz MHz 30 15 ns 25 ns MIN.0 ns/pF) CL (0. HIGH 15 Recovery time for MR 15 Maximum clock pulse frequency Fig.0 ns/pF) CL (0.55 ns/pF) CL (0. use the slope given. Minimum clock pulse width. MAX.16 ns/pF) CL (0. Dynamic power 105 + + + + + + (0. input transition times ≤ 20 ns VDD V SYMBOL TYPICAL FORMULA FOR P (µW) 400 fi + ∑ (foCL) × VDD2 2 000 fi + ∑ (foCL) × VDD2 5 200 fi + ∑ (foCL) × VDD2 where fi = input freq. Caract´ eristiques January 1995 4 . 15 Note 1.4 172 MIN.16 ns/pF) CL + + + + + + + + + (0.16 ns/pF) CL (0.23 ns/pF) CL 45 35 85 40 30 35 15 10 35 15 10 90 40 30 60 30 20 60 30 20 3 40 ns 6 ns 60 ns 9 ns 120 ns 10 ns 40 ns 6 ns 60 ns 9 ns 120 ns 10 ns 60 ns 22 ns 80 ns 29 ns 180 ns 63 ns 20 ns note 1 30 ns note 1 70 ns note 1 20 ns note 1 30 ns note 1 70 ns note 1 60 ns 22 ns 80 ns 29 ns 170 ns 58 ns 70 ns 27 ns 90 ns 34 ns 210 ns 78 ns (0. (pF) ∑ (foCL) = sum of outputs VDD = supply voltage (V) Propagation delays CP → O0 5 HIGH to LOW 10 tPHL 15 5 LOW to HIGH 10 tPLH 15 On → On + 1 5 HIGH to LOW 10 tPHL 15 5 LOW to HIGH 10 tPLH 15 MR → On 5 HIGH to LOW 10 tPHL 15 Output transition times 5 HIGH to LOW 10 tTHL 15 5 LOW to HIGH 10 tTLH 15 C.28 ns/pF) CL January 1995 (0.55 ns/pF) CL (0.23 ns/pF) CL (0.23 ns/pF) CL (0. CL = 50 pF.

C. minimum MR and CP pulse widths.4 Waveforms showing propagation delays for MR to On and CP to O0. January 1995 173 . Caract´ eristiques Philips Semiconductors Product specification 12-stage binary counter HEF4040B MSI 173 5 Fig.

HEC HEF4082BP(N): HEF4082BD(F): HEF4082BT(D): Fig. • The IC04 LOCMOS HE4000B Logic Family Specifications HEF. Caract´ eristiques Fig. IC04 . ceramic (cerdip) (SOT73) 14-lead SO.3 Logic diagram (one gate). plastic (SOT108-1) ( ): Package Designator North America 174 January 1995 FAMILY DATA. The outputs are fully buffered for highest noise immunity and pattern insensitivity of output impedance.174 INTEGRATED CIRCUITS Philips Semiconductors Product specification Dual 4-input AND gate DESCRIPTION The HEF4082B provides the positive dual 4-input AND function. 14-lead DIL. plastic (SOT27-1) 14-lead DIL. HEC • The IC04 LOCMOS HE4000B Logic Package Outlines/Information HEF. HEF4082B gates DATA SHEET For a complete data sheet. please also download: Fig. Product specification File under Integrated Circuits.1 Functional diagram. IDD LIMITS category GATES See Family Specifications January 1995 2 HEF4082B gates Dual 4-input AND gate C.2 Pinning diagram.

MAX.0 ns/pF) CL 45 ns 17 ns + (0. input transition times ≤ 20 ns SYMBOL 65 tPHL.23 ns/pF) CL 125 ns 38 ns + (0.28 ns/pF) CL 60 ns 9 ns + (0. (MHz) fo = output freq. (MHz) CL = load capacitance (pF) ∑ (foCL) = sum of outputs VDD = supply voltage (V) 6700 fi + ∑ (foCL) × VDD 2 16 800 fi + ∑ (foCL) × VDD 2 3 VDD V Dynamic power 5 dissipation per 10 package (P) 15 January 1995 175 .42 ns/pF) CL 120 ns 10 ns + (1.16 ns/pF) CL 30 60 ns 19 ns + (0. TYPICAL EXTRAPOLATION FORMULA VDD V Propagation delays 5 In → On 10 15 Output transition times 5 HIGH to LOW 10 15 5 LOW to HIGH 10 15 175 TYPICAL FORMULA FOR P (µW) 1500 fi + ∑ (foCL) × VDD 2 where fi = input freq. Caract´ eristiques Philips Semiconductors Product specification Dual 4-input AND gate HEF4082B gates AC CHARACTERISTICS VSS = 0 V.42 ns/pF) CL 120 ns 10 ns + (1.55 ns/pF) CL TYP.0 ns/pF) CL 40 ns 6 ns + (0. CL = 50 pF.C.28 ns/pF) CL 30 60 ns 9 ns + (0. Tamb = 25 °C. tPLH 25 60 tTHL 30 20 60 tTLH 20 40 ns 6 ns + (0.

When E is connected to VDD a low impedance bidirectional path between Y and Z is established (ON condition). ceramic (cerdip) (SOT73)) HEF4066BT(D): 14-lead SO. PINNING HEF4066BP(N): 14-lead DIL. The HEF4066B is pin compatible with the HEF4016B but exhibits a much lower ON resistance. DATA SHEET For a complete data sheet. plastic (SOT108-1) ( ): Package Designator North America APPLICATION INFORMATION An example of application for the HEF4066B is: • Analogue and digital switching E0 to E3 Y0 to Y3 Z0 to Z3 enable inputs input/output terminals input/output terminals HEF4066B gates Quadruple bilateral switches January 1995 Product specification File under Integrated Circuits. HEC 176 Fig. C.3 Schematic diagram (one switch). Fig. When E is connected to VSS the switch is HEF4066B gates disabled and a high impedance between Y and Z is established (OFF condition).2 Pinning diagram. IC04 Fig. HEC • The IC04 LOCMOS HE4000B Logic Package Outlines/Information HEF. In addition the ON resistance is relatively constant over the full input signal range. plastic (SOT27-1) HEF4066BD(F): 14-lead DIL. Each switch has two input/output terminals (Y/Z) and an active HIGH enable input (E). Caract´ eristiques January 1995 2 . please also download: • The IC04 LOCMOS HE4000B Logic Family Specifications HEF.1 Functional diagram.176 INTEGRATED CIRCUITS Philips Semiconductors Product specification Quadruple bilateral switches DESCRIPTION The HEF4066B has four independent bilateral analogue switches (transmission gates).

5 Typical RON as a function of input voltage. +25 +85 CONDITIONS En at VDD Iis = 200 µA VSS = 0 V 5 ON resistance 10 RON 15 ‘Δ’ ON resistance 5 between any two 10 ΔRON channels 15 OFF state leakage 5 current.4 Fig. any 10 IOZ channel OFF 15 En input voltage 5 LOW 10 VIL 15 VDD V SYMBOL Quiescent device 5 current 10 IDD 15 Input leakage current at En 15 ± IIN Fig. MAX.25 1 V − 200 nA − − nA En at VSS − − nA 5 − Ω see Fig. − − − − − − − − − − − − − − − − − − 6. CONDITIONS VDD V SYMBOL 5 ON resistance 10 RON 15 5 ON resistance 10 RON 15 177 Tamb (°c) −40 MAX.0 7.4 Test set-up for measuring RON.0 15. in this case there is no limit for the voltage drop across the switch.50 2 V Iis = 10 µA see Fig. Caract´ eristiques Philips Semiconductors Product specification Philips Semiconductors Product specification Quadruple bilateral switches HEF4066B gates Quadruple bilateral switches HEF4066B gates RATINGS Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134) P max. but the voltages at Y and Z may not exceed VDD or VSS.C. no VDD current will flow out of terminals Y.4 V.0 µA 2.0 30.0 2.5 µA VSS = 0.0 4.4 10 − Ω Vis = VSS to VDD 25 − Ω En at VDD 50 155 Ω see Fig. MAX. If the switch current flows into terminal Z.75 2 V 4.4 50 160 Ω Vis = VSS 115 340 Ω En at VDD 60 175 Ω see Fig. 1. all valid input combinations.9 2.0 µA VI = VSS or VDD En at VSS or VDD NOTE 1.4 65 200 Ω Vis = VDD 120 365 Ω En at VDD 40 115 Ω see Fig. To avoid drawing VDD current out of terminal Z.0 − 300 1000 nA 4. 3 January 1995 4 January 1995 177 . when switch current flows into terminals Y. 100 mW Power dissipation per switch For other RATINGS see Family Specifications DC CHARACTERISTICS Tamb = 25 °C MIN. MAX. 80 245 Ω Vis = VSS to VDD 350 2500 Ω En at VDD TYP. the voltage drop across the bidirectional switch must not exceed 0.

symmetrical about 1⁄2 VDD). (2) VSS = 0 V. RL = 1 kΩ. symmetrical about 1⁄2 VDD). CL = 50 pF to VSS.25 0. En = VDD. Tamb = 25 °C. 8. 7.= -50 dB. enable 5 input to output 10 15 OFF-state 5 feed-through 10 15 ON-state frequency 5 response 10 15 Fig. Vis = 1⁄2 VDD(p-p) (sine-wave.178 Philips Semiconductors Product specification Philips Semiconductors Product specification Quadruple bilateral switches HEF4066B gates Quadruple bilateral switches HEF4066B gates AC CHARACTERISTICS (1). (MHz) fo = output freq. Vis = 1⁄2 VDD(p-p) (sine-wave. input transition times ≤ 20 ns TYP. Vis = VDD and RL to VSS for tPHZ and tPZH. E n ( B ) = V DD . 20 log -------V is 5 January 1995 5 4. Dynamic power dissipation per 10 package (P) note 3 15 5 5 10 5 5 80 65 60 80 70 70 40 20 15 45 20 15 0. 7. RL = 10 kΩ to VSS.6 MHz note 9 MHz MHz MHz note 8 MHz mV mV note 7 mV MHz MHz note 6 MHz % % note 5 % 30 ns 40 ns note 4 90 ns 30 ns 40 ns note 4 80 ns 140 ns 140 ns note 4 160 ns 120 ns 130 ns note 4 160 ns 10 ns Notes 1. CL = 15 pF to VSS. see Fig. CL = 15 pF. Vis = 1⁄2 VDD(p-p) (sine-wave.7 C. 2. whichever is assigned as output. Vis = 1⁄2 VDD(p-p) (sine-wave. Caract´ eristiques January 1995 6 . CL = 5 pF. Vis = VSS and RL to VDD for tPLZ and tPZL. see Figs 6 and 11. RL = 10 kΩ to VSS. Vos is the output voltage at a Y or Z terminal. CL = 50 pF to VSS. crosstalk is Vos  (peak value). En = VDD. see Fig. V os (B) . RL = 1 kΩ. 20 log -------V is 9. 6. Vis = VDD (square-wave). 20 log -----------------V is ( A ) 7. VDD V TYPICAL FORMULA FOR P (µW) where VDD V SYMBOL Propagation delays fi = input freq. RL = 1 kΩ.04 − 1 − − 50 − − 1 − − 90 − MHz Fig.= -50 dB.6. fis = 1 kHz. see Fig.7. symmetrical about 1⁄2 VDD). En = VSS. En = VDD (square-wave). RL = 10 kΩ. symmetrical about 1⁄2 VDD). 8. see Fig. RL = 10 kΩ. E n (A) = V SS . (MHz) CL = load capacitance (pF) ∑ (foCL) = sum of outputs VDD = supply voltage (V) Vis → Vos 5 HIGH to LOW 10 tPHL 15 5 LOW to HIGH 10 tPLH 15 Output disable times En → Vos 5 HIGH 10 tPHZ 3. En = VDD. En = VDD (square-wave).04 0. 5. whichever is assigned as input. V os . LOW 10 tPLZ 15 Output enable times En → Vos 5 HIGH 10 tPZH 15 5 LOW 10 tPZL 15 Distortion. 10 ns note 3 20 ns 10 ns 10 ns 20 ns 10 100 fi + ∑ (foCL) × VDD 2 10 3 500 fi + ∑ (foCL) × VDD 2 5 800 fi + ∑ (foCL) × VDD 2 MAX. see Fig. 15 178 V os . CL = 5 pF. see Figs 6 and 10.= -3 dB. Vis is the input voltage at a Y or Z terminal. sine-wave 5 response 10 15 Crosstalk between 5 any two channels 10 15 Crosstalk.

Tome 1. [Leta.P. [Man.] Ph. Tome 2.] Albert Paul Malvino. de Ruyter. Hart. “Electronique.] R. Le Cam. F.] D. “Les circuits int´ egr´ es analogiques.] J. [Bes-b. Garderet.] Bogdan Grabowski. K. [May. “Le transistor ` a jonctions en commutation”.] [10] P. Key. Editions Radio. “Principes d’´ electronique”. convertisseurs ` a r´ esonance ”. Forest “Alimentation ` a d´ ecoupage.] R.Bibliographie [Bes-a. Besson. Tome 2.] C. Letarq.] R.] Ph. Mange. G.] P. “Technologie des composants ´ electroniques. Besson. McGraw-Hill. “Analyse et synth` ese des syst` emes logiques”. [Fer. [Mal. Tome 1. 179 . “Physique des composants actifs ` a semi conducteurs”. [Gar-b. [Grab. Lyon-Caen. Ferrieux. Editions Radio. Connaissance et pratique”. May´ e. [LC. Garderet “Electronique”. “Technologie des composants ´ electroniques. C. [Gar-a. [Cam et al. “Les fonctions de l’Electronique”. “Circuits int´ egr´ es logiques”.