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Fsica III
Indice
Introduccin ......................................................................................................................................... 2 Velocidad de arrastre. ......................................................................................................................... 5 Densidad de corriente elctrica. ......................................................................................................... 6 Resistencia, resistividad y conductividad............................................................................................ 8 Dependencia de la resistividad de los metales con la temperatura. ................................................ 11 Ley de OHM ...................................................................................................................................... 13 Resistividad - Comportamiento de los tomos ................................................................................. 14 Conduccin en semiconductores ......................................................................................................18 Semiconductores tipo-n y tipo-p. ..................................................................................................19 Intercambios de energa en un circuito elctrico ..............................................................................21 Fuerza Electromotriz ......................................................................................................................... 23 Calculo de la corriente en un circuito ................................................................................................26 Algunos circuitos simples .................................................................................................................. 27 Diferencias de potencial .................................................................................................................... 28 Resistencia equivalente - Resistencia en serie y en paralelo........................................................... 29 Resistencia equivalente de un conjunto de resistencias en serie ............................................... 29 Resistencia equivalente de un conjunto de resistencias en paralelo ........................................... 31 Ejemplo de resolucin de circuitos aplicando la Ley de Ohm ...................................................... 32 Redes elctricas Leyes de Kirchhoff ..............................................................................................34 La regla de los nodos o primera Ley de Kirchhoff ........................................................................ 35 La regla de las mallas o segunda Ley de Kirchhoff ...................................................................... 35 Resolucin de circuitos mediante la aplicacin de las Leyes de Kirchhoff .................................. 36 Ejemplo de resolucin de circuitos ...............................................................................................36 Circuitos RC Caga y descarga del condensador ........................................................................... 38
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Fsica III
Hasta ahora hemos tratado principalmente la electrosttica, es decir los efectos de cargas estacionarias. Comenzaremos ahora a considerar el movimiento de los portadores de carga, la conduccin elctrica. Ya vimos que el campo elctrico es nulo en el interior de un conductor,
r E = 0,
conductor, por ejemplo conectndolo a una batera o una fuente, los portadores de carga del conductor se movern, y se establecer una corriente elctrica. Veremos los efectos de corrientes estacionarias e investigaremos modelos que nos ayuden a comprender la conduccin elctrica en la materia. Un conductor es un material en el cual algunas de las partculas cargadas se pueden mover libremente, estas partculas son los portadores de carga del conductor. Por ejemplo si pensamos en un metal como una estructura de iones positivos localizados en posiciones de red fijas, y entre stos se distribuyen los electrones libres. La carga del conjunto de los electrones libres es igual y opuesta a la carga del conjunto de los iones, resultando un material neutro. Los electrones de un metal pueden moverse entre la red de iones, y constituyen los portadores de carga de un metal. Los electrones libres en un conductor metlico aislado, tal como trozo de alambre de cobre, se encuentran en movimiento irregular como las molculas de un gas encerrado en un recipiente. No tienen ninguna direccin de movimiento definida a lo largo del alambre. Si hace pasar un plano hipottico a travs del alambre, la rapidez con la cual pasan electrones a travs de l de derecha a izquierda, es misma que la rapidez con la cual pasan de izquierda a derecha; rapidez neta es cero. Si los extremos del alambre se conectan a una batera, se establece campo elctrico
r E
r E.
r E
Decimos que se ha establecido una corriente elctrica ,si pasa una carga neta una seccin transversal cualquiera del conductor en el tiempo constante, es:
por
t,
la corriente, supuesta
i=
q t
La unidad en el sistema internacional ser el Amper , definido como
[i] = [q] = [coul ] = [Amp] , se le ha dado el nombre de amperio en honor a Andr [t ] [seg ]
Marie Ampre (1775-1836).
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Si la velocidad de flujo de carga no es constante al transcurrir tiempo, la corriente vara con el tiempo y estar dada por:
i=
dq dt
aun cuando el rea de la seccin transversal ser distinta en diferentes puntos. De la misma manera, la velocidad con la cual el agua (supuesta incompresible) fluye a travs una seccin transversal cualquiera de un tubo, es la misma aun cuando cambie la seccin El agua fluye ms aprisa en donde el tubo es de menor seccin y ms lentamente en donde su seccin es mayor, tal manera que el caudal, medido por ejemplo en litros / minuto cambia. Esta constancia de la corriente elctrica se deduce del hecho de que la carga debe conservarse; bajo las condiciones de rgimen estable supuestas, ni se acumula continuamente en ningn punto conductor ni se pierde continuamente en ningn punto. Usando expresiones ya vistas no hay "fuentes" ni "sumideros" de carga La existencia de un campo elctrico dentro de un conductor no contradice lo que se explicamos anteriormente, ya que antes considerbamos aislado al conductor y que no se conservaba expresamente una diferencia de potencial entre dos puntos cualesquiera de l.. El campo elctrico que obra sobre los electrones en un conductor no produce una aceleracin neta, debido a los choques entre los electrones y los tomos (en rigor, los iones) que constituyen el conductor. Esta disposicin de los iones, junto con las fuerzas intensas de resorte de origen elctrico,- se llaman la red. El efecto total de estos choques es transformar energa cintica de los electrones que aceleran en energa de vibracin de la red. Los electrones adquieren una velocidad de arrastre constante media
vd , en direccin
r E.
Se puede
hacer una analoga con una bola que rueda por una escalinata muy larga y no con una bola que cae libre desde la misma altura. En el primer caso, la aceleracin causada por el campo (gravitacional) es contrarrestada efectivamente por los efectos retardadores de los choques con los escalones de tal manera que, condiciones adecuadas, la canica baja por la escalera con una aceracin media cero, esto es, a velocidad media constante. Aun cuando en los metales los portadores de carga son los electrones, en los electrlitos o en los conductores gaseosos los portadores de carga pueden ser tambin iones positivos, negativos o ambos. La corriente elctrica es una magnitud escalar, y aunque no es vectorial, comnmente se habla de la direccin de una corriente, indicando con esto la direccin en que fluyen los portadores de carga positivos Se necesita adoptar una convencin para asignar las direcciones de las corrientes porque las cargas de signos opuestos se mueven en direcciones opuestas en un campo dado. Una carga positiva que se mueve en una direccin es equivalente, para casi los efectos externos, a una carga negativa que se mueve en direccin opuesta. Por consiguiente, por
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simplicidad y para establecer a uniformidad algebraica, suponemos que todos los portadores de
carga son positivos y dibujamos las flechas de la corriente en el sentido en que se moveran tales cargas. Si los portadores de carga negativos, simplemente se mueven en sentido contrario a las
flecha de la corriente. Hay casos, como en el efecto may, que ya veremos en el cual tiene mucha importancia el signo de los portadores de carga en los efectos externos, en estos a corriente elctrica I es una magnitud escalar, y aunque no es vectorial, comnmente se habla de la direccin de una corriente, indicando con esto la direccin en que fluyen los portadores de carga positivos por alto la convencin y tomaremos en cuenta la situacin real. En las figuras vemos los distintos casos que se nos presentan
Figura 1
Figura 2
En la figura 1 se muestran portadores de carga positivos movindose hacia la derecha, mientras que en la Figura 2 vemos portadores de carga negativos movindose hacia la izquierda. En la Figura 1 los portadores de carga positivos que se mueven hacia la derecha tienden a hacer que la parte derecha del alambre sea ms positiva y la parte izquierda ms negativa. En la Figura 2 los portadores de carga negativos que se mueven hacia la izquierda tienden a hacer que la parte derecha sea ms positiva y la izquierda ms negativa. Es decir que el movimiento de portadores en ambas figuras produce el mismo resultado, y por tanto el sentido de la corriente es en las dos el mismo, hacia la derecha. La corriente
cantidad macroscpica, como la masa de un objeto, o la longitud de varilla. Una magnitud microscpica relacionada con la anterior la densidad de corriente conjunto.
r j
Es un vector y es la
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Cuando se aplica a un conductor un campo elctrico externo, ste ejerce una fuerza sobre cada uno de los portadores de carga del conductor produciendo su movimiento a travs del material. (Las partculas que no son portadores se desplazan ligeramente, pero continan ligadas en su s posiciones de la red inica.) Si sobre los portadores de carga no actuaran otras fuerzas, un campo elctrico constante producira sobre ellos una aceleracin constante. Sin embargo, los portadores de carga interaccionan con las dems partculas del material, y el efecto combinado de estas interacciones y el campo elctrico aplicado hace que los portadores se muevan a velocidad constante, Veremos ahora la relacin entre la corriente
vd
en un alambre de seccin
suponiendo que
es la densidad de portadores de
la carga de cada
En la figura
vd
, de
forma que todos los portadores que hay en el cilindro de longitud de de la superficie
dl
pasan a travs
en un tiempo
dt
En condiciones de flujo estacionario, estos portadores son reemplazados por los del siguiente cilindro a la izquierda, de manera que no vara la carga neta en el tramo de alambre. La longitud del cilindr
dl
ser
dl = vd dt
nAdl = nAv d dt
,
El nmero de portadores de carga en el cilindro es y todos ellos pasan por la superficie que pasa a travs de la superficie
en un tiempo
dt , el valor de la carga dQ
en un tiempo
dt ,es
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dQ = nAdlq
= nAv
dtq
como
i=
dQ dt
, podemos escribir
i =
dQ = nAv d q dt
,
, o sea
i = nAv d q
vd
r j.
i anterior es
la
de un conductor. Para describir el flujo de carga en puntos del interior de un conductor debemos usar la densidad de corriente la densidad de corriente del conductor
r j . Si la densidad de corriente es uniforme, el modul de j es igual a la corriente i dividida por el rea A de la seccin
i i = nAvd q obtenido nos queda A , sustituyendo el valor de i nAvd q j= = = nvd q , que podemos expresar en forma vectorial A A j=
r r j = nv d q
La densidad de corriente apunta en la misma direccin que contra de
vd
vd
r j
coincide con el
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r Si un conductor posee ms de un tipo de portadores de carga, existir una contribucin a j por cada tipo de portadores. Si tuvisemos dos tipos de portadores de carga, a y b ,
tendramos que escribir
r r r j = na vda qa + nb vdb qb
r j debidas a
y
portadores de distinto signo apuntan en la misma direccin. Consideremos la densidad de corriente en una solucin salina en la que los portadores son iones con carga
+e
e.
S i el medio es neutro las densidades de ambos tipos de iones son iguales. Tomaremos el eje
r r x en la direccin del campo, E = Ei , con lo que la velocidad de arrastre es r r vd = vd + i para los iones positivos, y vd = vd i para los iones negativos,
vd + y v d
velocidad de arrastre de los iones positivos tiene la direccin del campo, y la velocidad de arrastre de los iones negativos tiene direccin opuesta al campo. La componente
de
Como ambos factores son positivos las contribuciones de ambos tipos de iones a lo son. Por tanto, el sentido de la corriente
r j
r j
tambin tanto
para portadores positivos como negativos. De nuevo vemos que el efecto externo de los portadores
La ecuacin
r r j = nvd q
j=
i A
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Si la velocidad de arrastre de los portadores vara, como se ve en la figura, la densidad de corriente variar en la misma forma
i a travs de una superficie dada puede obtenerse mediante la integral r de superficie de la densidad de corriente j
r r i = j dS
Por lo tanto podemos decir que la corriente a travs de una superficie es el flujo de la densidad de corriente a travs de dicha superficie.
i y dividiendo:
R=
V i
las unidades de la
esta en volts e
El nombre de resistencia elctrica es apropiado, ya que es una medida de la oposicin que ejerce un trozo de material al flujo de carga a travs de l. Si un trozo de un material tiene mayor resistencia, la misma diferencia de potencial producir una corriente menor. En los circuitos se aade a menudo resistencia para limitar o controlar la corriente. El flujo de carga a travs de un conductor se compara a nudo con el flujo de agua a travs de un tubo, el cual se debido a que hay una diferencia de presin entre los extremos tubo, establecida, por ejemplo, con una bomba. Esta diferencia presin se puede comparar con la diferencia de potencial establecida entre los extremos de una resistencia mediante una batera.
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El de agua (digamos m3/ seg.) se compara con la corriente ( amp). La rapidez de flujo del agua para una diferencia de dada depende de la naturaleza del tubo. Es largo o corto? Es angosto o ancho? Est vaco o lleno de algo, por ejemplo, grava? Estas caractersticas del tubo son anlogas a la resistencia de un conductor. Relacionada con la resistencia est la resistividad
material y no de una muestra especial del material. Para materiales istropos, que son los materiales cuyas propiedades, elctricas en este caso, no varan con la direccin que se tome en el material, se la define como
cuarzo fundido es aproximadamente de 10' Ohm-m. Pocas propiedades fsicas pueden medirse entre mrgenes tan amplios de valores. En la tabla siguiente vemos una lista de algunos valores para metales comunes. Resistividad 20C ohm-m Aluminio Plata Cobre Hierro Carbono 2.8x10-8 1.6x10-8 1.6x10-8 1.0x10-7 3.5x10-5 a Coeficiente temperatura 3.9x10-3 3.8x10-3 3.9x10-3 5.0x10-3 -5x10-4 de Densidad Punto de fusin C 2.7 10.5 8.9 7.8 1.9 659 960 1080 1530 3500
1 d dT
d dT
temperatura, los valores que aqu se consignan son para 20C. Para el cobre = 3.9 X 10-'/C) la resistividad aumenta en 0.39 x 100 para un aumento de temperatura de 1 C cerca de 20C. Ntese que a para el carbn es negativa, o sea, que la resistividad disminuye al aumentar la temperatura. Considrese un conductor cilndrico de seccin transversal corriente constante
A,
longitud
secciones transversales del cilindro son superficies equipotenciales, la intensidad campo elctrico y la densidad de corriente sern constantes en todos, los puntos en el cilindro y tendrn los valores:
E =
V l
j =
i A
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E j
Pero
V i
=
es la resistencia
R
A l
V i
A l
R =
V,i y
l a
R son cantidades macroscpicas, que se aplican a un cuerpo a una regin extensa en particular. Las cantidades microscpicas correspondientes son E, j y ; stas tienen sus
valores particulares en cada punto de cuerpo. Las cantidades macroscpicas estn relacionadas entre s por medio de la ecuacin de la ecuacin
y las
r r i = j dS
r r Vab = Edl
b a
La integral en la ecuacin de la corriente es una integral de superficie, que se debe obtener en una seccin transversal cualquiera del conductor. La integral en la ecuacin de la diferencia de potencial es una integral de lnea que se debe efectuar siguiendo una lnea arbitraria trazada a lo largo del conductor, uniendo dos superficies equipotenciales cualesquiera, designadas superficie equipotencial terminal negativa. La resistencia de un conductor entre
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ab
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r r E d l r r j d S
A,
longitud
y los puntos
se reduce a:
R =
El l = jA a
ya vista
V,i y R
mediciones elctricas en objetos conductores reales. Son las cantidades que se leen en los medidores. Las cantidades microscpicas
E, j y
nos ocupamos del comportamiento fundamental de la materia, como ocurre ordinariamente en el campo de la fsica del estado slido. Ms adelante nos ocuparemos apropiadamente del punto de vista atmico de la resistividad de un metal y no de la resistencia de una muestra de metal. Las cantidades microscpicas son tambin importantes cuando estamos interesados en el comportamiento interior de objetos conductores de forma irregular.
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Como generalmente para los metales slo aparece una ligera curvatura en la grfica de frente a
T , podemos escribir
0
donde
[1 +
(T T 0
)]
es la resistividad a la temperatura T , 0 la resistividad a una temperatura de referencia T 0 y es el llamado coeficiente trmico de la resistividad. Es decir,
en un rango limitado de temperaturas podemos aproximar la ligera curvatura de la grfica de
T0 . En
algunos materiales representativos La dependencia de la resistividad de los metales con la temperatura figura vemos el comportamiento tpico en este rango altura se aparta
A estas bajas temperaturas la resistencia de un metal depende fuertemente de las pequeas cantidades de impurezas que contenga. Realmente en la practica, las medidas de resistividad a bajas temperaturas se usan a menudo o para determinar la cantidad de impurezas que contiene un metal. En algunos metales aparece un hecho sorprendente cuando son enfriados a muy baja temperatura: su resistencia se anula completamente. figura siguiente Este comportamiento se muestra en la
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El fenmeno fue descubierto en 1911 por H. Kamerlingh Onnes (1853-1926), y se conoce como superconductividad. Hoy da la superconductividad constituye una activa rea de investigacin en fsica, y cada vez es mayor su importancia en ingeniera.
Todas las experiencias llevadas a cabo parecen indicar que la resistencia de los materiales en el estado superconductor es realmente cero; una vez que se establecen corrientes en un circuito superconductor cerrado, persisten sin disminuir durante muchas semanas, aun cuando no haya batera en el circuito. Si la temperatura se eleva ligeramente sobre el punto superconductor, las corrientes se anulan inmediatamente.
Ley de OHM
Para muchos conductores, la corriente a travs de un trozo del conductor es directamente proporcional a la diferencia de potencial aplicada entre los extremos del mismo, de forma que su resistencia es independiente de caso podemos escribir
V = Ri
El nombre de Ley de Ohm esta ecuacin es posiblemente algo errneo porque el rango de validez de esta ecuacin est en ocasiones demasiado limitado como para garantizarlo utilizando la palabra ley. No se trata de un hecho fundamental en la naturaleza, como por ejemplo lo es la ley de Coulomb. Por el contrario se trata de una expresin emprica que describe con precisin el comportamiento de muchos materiales en el rango de valores de
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Los materiales que cumplen la ley de Ohm se denominan hmicos, y los que no la cumplen
V con respecto a i ,
es una
frente a
no es una
para diversos metales. Estos clculos no son sencillos, pero cuando se han efectuado, los
En un metal, los electrones de valencia no estn ligados tomos individuales sino que tiene libertad para moverse dentro la red y se llaman electrones de conduccin. En el cobre hay uno de estos electrones por cada tomo, los veintiocho restantes estn ligados ncleos de cobre formando corazones inicos. La distribucin de velocidades de los electrones de conduccin correctamente aplicando la fsica cuntica. considerar solamente una velocidad media slo se puede describir
para el cobre
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v es igual a 1.6x10
mueven los electrones estn completamente azar, como las de las molculas de un gas confinado en un depsito. Los electrones chocan constantemente con los corazones inicos del conductor, esto es, interactan con la red, sufriendo a menudo cambios repentinos en la rapidez y direccin. Estos choques concuerdan a los choques de las molculas de un gas confinado en depsito. Lo mismo que en el caso de los choques moleculares describir los choques del electrn con la red mediante un recorrido libre medio
, siendo
choques consecutivos, se puede demostrar que los choques entre electrones ocurren muy pocas veces y tienen poco efecto en la resistividad. En un cristal metlico ideal a 0 K no ocurriran choques electrn-red segn pronostica la fsica cuntica, esto es,
(b) pueden existir impurezas, esto es, tomos extraos. (c) los cristales pueden contener imperfecciones en la red, tales como filas de tomos
faltantes y tomos desalineados. En vista de lo anterior, no es sorprendente que la resistividad de un metal se pueda aumentar de las siguientes maneras: (a) elevando su temperatura, (b) agregando pequeas cantidades de impurezas, (c) sometindolo a esfuerzos severos, por ejemplo, estirndolo a travs de una hilera, para aumentar el nmero de imperfecciones de la red. Cuando se aplica un campo elctrico a un metal, los electrones modifican su movimiento irregular de tal manera que son arrastrados lentamente en direccin opuesta a la del campo, con una velocidad media de arrastre la velocidad efectiva media
v mencionada anteriormente.
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La figura sugiere la relacin entre estas dos velocidades. La lnea llena es una trayectoria irregular posible seguida un electrn cuando no se aplica un campo; el electrn avanza de
r hubiese aplicado un campo elctrico E . Notamos que el electrn es arrastrado constantemente hacia la derecha, terminando en y y no y . v Se puede calcular la velocidad de arrastre d de los electrones en del campo elctrico aplicado r E y de vd y . Cuando se aplica campo a un electrn que est inicialmente en reposo,
experimenta fuerza ley de Newton:
r r F = eE
eE a = m
Consideremos a un electrn que ha chocado precisamente contra un corazn ion. El choque, en general, destruir momentneamente tendencia del arrastre y el electrn tendr una verdadera direccin desordenada despus de este choque. Al siguiente choque, la velocidad del electrn habr cambiado a:
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vd = a , v
siendo v
El movimiento del electrn a travs del conductor es anlogo a la velocidad constante con que cae una piedra en el agua. Contra la fuerza gravitacional fuerza resistente viscosa que es proporcional a la velocidad. piedra es constante. sobre la piedra se opone una As pues, la velocidad final de la
Podemos expresar a
vd
y combinarla con la
vd =
j eE = ne mv
de donde
E =
jm v ne 2
E j
llegamos a:
E 1 jm v mv = = j j ne 2 ne 2
v y no dependen del campo elctrico aplicado E . En tal caso, no depender de E , lo cual es el criterio para saber si un dependen de la distribucin de material obedece la ley de Ohm. Las cantidades v y
de Ohm si es que podemos demostrar que velocidades de los electrones de conduccin. Vemos que esta distribucin queda afectada slo ligeramente al aplicar un campo elctrico aun cuando sea relativamente grande, puesto que es del orden de
Esta ecuacin se puede considerar como la afirmacin de que los metales obedecen la ley
10 8 cm
vd
Podemos estar seguros de que cualesquiera que sean valores de se aplica un campo elctrico. As pues, nuestra ecuacin de elctrico
el cobre a 20C) cuando no hay un campo elctrico, se conservan casi sin cambio cuando
a partir de esta
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Conduccin en semiconductores
Anteriormente habamos dividido los materiales en dos clases dependiendo de su conductividad elctrica: conductores y aislantes. Existe un tercer tipo, los semiconductores, cuya conductividad es intermedia entre la de los conductores y la de los aislantes. Los semiconductores juegan un papel esencial en la tecnologa moderna. Son los materiales usados para fabricar dispositivos electrnicos como diodos, transistores y circuitos integrados.. Pues bien, la densidad de portadores es el factor clave para controlar la conductividad de un semiconductor. C o n d u c c i n e n s e m i c o n d u c t o r e s p u r o s . Los semiconductores estn formados por elementos de las columnas centrales de la tabla peridica, entre los que el silicio es el ms comn. Estudiaremos el silicio como nuestro semiconductor representativo. El silicio
(Z = 14)
formando un slido, cada uno tiene cuatro vecinos ms prximos. En siguiente figura mostramos una representacin en dos dimensiones de la red cristalina tridimensional del silicio;
+ 4e
En el silicio puro casi todos estos electrones estn ligados a sus respectivos iones a temperatura ambiente, pero las fluctuaciones de energa trmica hacen que algunos de ellos se encuentren libres. Es decir, una pequea fraccin de los tomos de silicio est trmicamente
1012
se encuentra
ionizado, es decir una fraccin muy pequea.) Los electrones liberados trmicamente sern Adems de los electrones libres, los semiconductores tienen portadores de carga positivos. En la figura anterior vemos que si un electrn se libera de su sitio en el slido, deja atrs una
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posicin donde falta un electrn. Esta falta de electrn se llama hueco, y un campo elctrico aplicado puede hacer que un hueco se mueva a travs del slido en la direccin del campo. De esta forma un hueco es un portador de carga positivo. Un hueco movindose en un semiconductor, debido a un campo elctrico aplicado, es similar a una burbuja movindose hacia arriba desde e el fondo de una piscina debido al campo gravitatorio de la tierra; la burbuja sube a travs del agua, aunque realmente el agua est cayendo conforme la burbuja sube. En lugar de hablar del agua cayendo resulta ms apropiado hablar de la burbuja subiendo, pensamos en termino de la falta de agua (la burbuja) en ve; considerar el agua subiendo.
1012 tomos. En consecuencia, la 11 resistividad del silicio a temperatura ambiente es del orden de 10 veces mayor que la de los
metales. Sin embargo, la densidad de portadores en un semiconductor puede aumentarse considerablemente introduciendo ciertas impurezas en el material. Consideremos el efecto de la incorporacin de tomos de fsforo en silicio. El fsforo
(Z = 15)
valencia, uno ms que el silicio. Si se introduce una pequea cantidad de fsforo en el silicio slido, algunos lugares normalmente ocupados por los iones silicio (con carga ocupados por iones fsforo (con carga
+ 4e ) sern ahora
Cuatro de los cinco electrones de valencia de cada tomo de fsforo estarn ligados al ion de fsforo (en la misma disposicin de los electrones alrededor de los iones de silicio), y el electrn restante est siempre prcticamente libre a temperatura ambiente. Por tanto esencialmente cada tomo de la impureza de fsforo cede un portador de carga negativo, electrn libre al material.
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(Z = 13) tiene
tres electrones de valencia, uno menos que el silicio. Si se introduce una pequea cantidad de aluminio en silicio slido, algunos lugares normalmente ocupados por iones silicio pasarn a estar ocupados por iones aluminio (con carga
A temperatura ambiente el hueco, formado por la falta de un electrn de valencia en el aluminio, est prcticamente siempre libre, de forma que casi todos los iones aluminio tienen cuatro electrones a su alrededor, como los de silicio. A temperatura ambiente el hueco, formado por la falta de un electrn de valencia en el aluminio, est prcticamente siempre libre, de forma que casi todos los iones aluminio tienen cuatro electrones a su alrededor, como los de silicio. El tomo de aluminio acepta un electrn del material, y ahora el material tiene un portador de carga en forma de hueco. Esencialmente cada tomo de aluminio produce un hueco en el material. Cuando se introduce a propsito una impureza en un material que era puro se dice que el material est dopado. Por ejemplo, cuando se introduce fsforo en silicio puro, el material resultante es silicio dopado-con fsforo. Como hemos visto, el silicio dopado con fsforo contiene un exceso de portadores de carga negativos. Este tipo de material se denomina semiconductor tipo n; refirindonos a la carga negativa de los portadores, en este caso electrones. El silicio dopado con aluminio es un semiconductor tipo p; o sea a la carga positiva de los portadores, los huecos. Para calificar un semiconductor corno tipo n o tipo p, la concentracin debe ser suficientemente alta como para que la densidad de electrones libres o huecos debe ser mucho mayor que la densidad de portadores en el material puro.
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La figura muestra un circuito que consiste en una batera conectada con una caja cerrada, es decir no sabemos y para este primer anlisis no importa que hay adentro, sino solo su comportamiento al relacionarla con el exterior . Por los alambres de conexin pasa una corriente i constante y existe una diferencia de potencial constante
Vab
b . La caja podra
La terminal
b,
dq * Vab
El principio de conservacin de la energa nos dice que esta energa se transforma dentro de la caja, de energa potencial elctrica a alguna otra forma Qu cosa ser esa otra forma? Ello depende del contenido de la caja. Entonces en un tiempo dentro de la caja es:
dt
la energa
dU
transformada
dU = dqV
ab
= idtV
ab
P =
dU dt
= iV
ab
Si el artefacto que est dentro de la caja es un motor, la energa aparece casi toda como trabajo mecnico hecho por el motor; si artefacto es un acumulador que se est cargando, la energa aparece casi toda como energa qumica almacenada en esa segunda batera. Si el artefacto es una resistencia, aseguramos que la energa aparece como calor en la resistencia. Para darse cuenta de ello, consideremos una piedra de masa m que cae desde una altura
la piedra
cae en el vaco, o bien -para muchos fines prcticos el aire, esta energa se transforma en energa cintica de la piedra. Pero si la piedra cae en el agua, su velocidad al cabo de cierto 'tiempo se hace constante, lo cual significa que la energa cintica ya no aumenta. La
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energa potencial de que continuamente se dispone conforme cae la piedra aparece entonces como energa trmica en la piedra y en el agua circundante. Es la fuerza viscosa de arrastre del agua, semejante a la friccin y que obra en la superficie de la piedra, la que evita que sta acelere, y es en esta superficie en donde aparece la energa trmica. El paso de los electrones a travs de la resistencia es muy semejante al de la piedra a travs del agua. Los electrones avanzan con una velocidad constante de arrastre transmite a la resistencia como calor. En una escala microscpica
vd
por consiguiente no ganan energa cintica. La energa potencial elctrica que pierden se esto puede interpretarse considerando que los choques de los electrones con la red aumentan la amplitud de ls vibraciones trmicas de la red, en una escala macroscpica esto corresponde a un aumento de temperatura. Este efecto, que es termodinmicamente irreversible, se llama calentamiento por efecto Joule. Para una resistencia tenemos:
P = Vi
V = Ri
combinando ambas
P = Ri
V 2 P = R
P = Vi
P = Ri
V 2 P = R
se aplican solamente
a la transformacin de energa elctrica en energa calrifica a en una resistencia, estas son las que se conocen como de Joule. Esta ley es en definitiva una manera particular de escribir el principio de la conservacin de la energa para el caso especial en el cual energa elctrica se transforma en energa calorfica. La unidad de potencia la podemos deducir de:
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Fsica III
Fuerza Electromotriz
Para que en un circuito elctrico exista una corriente continua, el circuito debe contener un componente que acte como fuente de energa elctrica. Estos componentes se llaman fuentes de fuerza electromotriz, abreviado fem. Una fuente de fuerza electromotriz proporciona a los portadores de carga la energa elctrica necesaria para que realicen su trayecto a travs del circuito. En nuestro estudio captulo no nos ocuparemos de cmo estn construidos o de los detalles de su funcionamiento, sino que nos dedicaremos a describir sus caractersticas elctricas y a explorar su utilidad en circuitos elctricos. La batera produce esa corriente estable al mantener una diferencia de potencial aproximadamente constante entre sus terminales. El terminal que est a mayor potencial se denomina terminal positivo, y el terminal que est a menor potencial se denomina terminal negativo. Por tanto, el sentido de la corriente fuera de la batera (a travs de la resistencia) va desde el terminal positivo al terminal negativo, y el sentido de la corriente en el interior de la batera va del terminal negativo hacia el positivo. Dos importantes magnitudes que caracterizan una batera son su fem resistencia interna
y. su
es
En el circuito exterior a la fem los portadores positivos de carga se moveran en la direccin que muestran las flechas representadas por sentido de las manecillas del reloj.
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Una fuente de fem debe ser capaz de hacer trabajo sobre portadores de carga que penetren a ella. En el circuito anterior, el efecto de la fuente es mover las cargas pos de un punto de bajo potencial, la terminal negativa, a travs fuente a un punto de elevado potencial, la terminal positiva. Realiza un trabajo similar al de una bomba mediante la cual el agua se puede subir un lugar de bajo potencial a otro de elevado potencial. En la circuito pasa carga cantidad debajo
dq
en un tiempo
dt
de bajo potencial y sale de ella en su extremo de elevado potencial. La fuente debe hacer una
dW
sobre los portadores de carga (positiva) para forzarlos que vayan al punto
dW dq
Si una fuente de fem hace trabajo sobre un portador de carga, debe haber una
transmisin de energa dentro de la fuente. Por ejemplo, en una batera se transforma energa qumica en elctrica. Podemos describir una fuente de fem como un dispositivo en el cual se transforma, en forma reversible, energa qumica, mecnica o de otra forma, en energa elctrica. La energa qumica proporcionada por la batera en el circuito anterior se almacena en los campos elctricos y magnticos que rodean al circuito. Esta energa almacenada no aumenta porque se est gastando al transformarse en calor por el efecto Joule en la resistencia con la misma rapidez con que es abastecida. Los campos elctrico y magntico juegan el papel de intermediarios en el proceso de transmisin de energa, funcionando como depsitos de almacenamiento. El dibujo siguiente un smil gravitacional del circuito, en el mismo, la fuente de fem hace trabajo sobre los portadores de carga. Esta energa, almacenada temporalmente como energa de campo electromagntico, aparece al fin de cuentas como calentamiento por el efecto Joule en la resistencia
El hombre, al levantar las bolas de boliche del piso al anaquel, hace trabajo sobre ellas. Esta energa queda almacenada temporalmente como energa en el campo gravitacional
Las bolas ruedan lentamente por el anaquel, cayendo por el extremo derecho a un cilindro lleno de aceite viscoso. Se hunden hasta el fondo a velocidad constante, y son extradas mediante un mecanismo adecuado que no se muestra en la figura. Despus van rodando por el piso hacia la izquierda. La energa que proporciona la persona al sistema aparece al fin de cuentas como calor
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en el fluido viscoso. La energa que proporciona la persona viene de su propia energa interna, qumica. La circulacin de las cargas en el circuito, se suspender a la larga si la batera no carga, la circulacin de las bolas de boliche en el dibujo se suspender a la larga si la persona no recupera con alimentos su provisin de energa interna. La figura muestra un circuito que contiene dos bateras, ideales A y B, una resistencia R y un motor elctrico ideal que opera levantando un peso. Las bateras se conectan de tal manera que tienden a mandar cargas por el circuito en direcciones opuestas; la direccin definitiva de la corriente queda determinada por B, que proporciona la mayor diferencia de potencial.
La energa qumica en B se est consumiendo continuamente, apareciendo la energa en las tres formas mostradas a la derecha. La batera A se est "cargando" mientras que la batera B se est descargando. Nuevamente, los campos elctrico y magntico que rodean al circuito obran como intermediarios. Las transformaciones de energa en este circuito son:
T ra b a jo p ro d u cid o e n la re siste n cia
E n e rg a q u m ic a to m a d a d e B
E n e rg a q u m ic a a lm a c e n a d a en A
T ra b a jo hecho por el m o to r
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dt aparecer una cantidad de energa dada por la expresin: dW = i 2 Rdt en la resistencia del circuito anterior como calor por el efecto Joule. Durante ese mismo tiempo se habr movido una carga dq = idt a travs de la fuente de fem, y sta
habr hecho un trabajo sobre esa carga dado por la siguiente expresin
dW = dq = idt
De acuerdo con el principio de la conservacin de la energa, el trabajo hecho por la fuente debe ser igual al calor generado por el efecto Joule, o sea,
dW = idt = i 2 Rdt
Despejando la corriente tenemos
idt = i 2 Rdt i = i 2 R = iR
i=
Tambin podemos derivar esta ecuacin considerando que, para que el potencial elctrico tenga un verdadero significado, es preciso que un punto dado no pueda tener ms que un solo valor del potencial en un momento dado. Si comenzamos en un punto cualquiera del circuito de la figura, e imaginariamente seguimos todo el circuito el una direccin cualquiera, sumando algebraicamente los cambios de potencial encontrados, debemos llegar al mismo potencial cuando regresemos al punto de partida. En otras palabras, la suma algebraica de los cambios de potencial que se
Va
manecillas del reloj. Al pasar por la resistencia hay un cambio de potencial de valor
iR . El
signo menos indica que la parte superior de la resistencia tiene un potencial mayor que la parte inferior, lo cual debe ser cierta porque los portadores de carga positiva se mueven por s mismos del potencial alto al potencial bajo. Al atravesar el acumulador de abajo. hacia arriba hay un aumento de potencial de valor
portadores de carga, lo que quiere decir que los mueve de un punto de bajo potencial a un punto de potencial elevado. Aadiendo la suma algebraica de los cambios de potencial al potencial obtenerse el mismo valor
Va
debe
Va
, o sea:
V a iR + = V a
Ing. Arturo R. Castao
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iR + = 0
Expresin esta que no depende del valor de
Va
algebraica de los cambios de potencial al recorrer un circuito completo es cero. Estas dos maneras de encontrar la corriente en circuitos simples, basadas en la conservacin de la energa y en el concepto de potencial son completamente equivalentes porque las diferencias de potencial se definen en funcin del trabajo y energa. Si bien lo volveremos a ver ms adelante, el enunciado de que la suma de los cambios de potencial que se encuentran al seguir un circuito completo es cero se llama segunda ley de Kirchhoff; o tambin teorema de la trayectoria o de las mallas. Siempre debe tenerse presente que este teorema es simplemente una manera particular de enunciar el principio de la conservacin de la energa en circuitos elctricos. Veamos las reglas para encontrar las diferencias de potencial en cualquier circuito; estas reglas se deducen del anlisis anterior.
iR
; en el sentido contrario es
+ iR
; en el sentido contrario es
de vista de las energas sera mejor hacerlo, porque es una parte inherente del aparato. La figura muestra la resistencia interior regin del espacio.
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V b + ir iR = V b
o sea,
+ ir iR = 0
i
se obtiene
despejando la corriente
i =
r + R
Diferencias de potencial
Veamos como calcular la diferencia de potencial entre dos puntos en un circuito. En el circuito siguiente calculamos la entre la diferencia de potencial entre los puntos
, es decir
V ab = V a V b
c r1 a r2 b
1
i
Para encontrar esta relacin comencemos en el punto pasando a travs de la resistencia en los puntos
contra la corriente. Si
Vb
Va
, respectivamente, tenemos:
V b Ri r1 i + 1 = V a
Ing. Arturo R. Castao
de donde
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V ab = V a V b = Ri r1 i + 1
Resumiendo podemos decir: Para encontrar la diferencia de potencial entre dos puntos cualesquiera en un circuito se comienza en un punto cualquiera y se recorre el circuito hasta llegar al otro punto, siguiendo cualquier trayectoria y se suman algebraicamente los cambios de potencial que se encuentren. Esta suma algebraica ser la diferencia de potencial. Este procedimiento es similar al que sirve para encontrar la corriente en un circuito cerrado, salvo que en este caso las diferencias de potencial se agregan en una parte del circuito y no en todo el circuito.
La diferencia de potencial entre dos puntos cualesquiera no puede tener ms que un solo valor; as pues, debemos obtener el mismo resultado para todas las trayectorias que conecten estos puntos
resistencias es el valor de una nica resistencia que reemplazada por la combinacin produce el mismo efecto externo. Para producir el mismo efecto externo que la combinacin, la resistencia
nica debe transportar la misma corriente que la combinacin cuando la diferencia de potencial entre sus extremos sea igual que en sta.
Es decir, combinacin,
R eq =
V
V i
, donde
R eq
R1 , R 2 y R 3
conectadas en
serie. Las lneas rectas de conexin indican alambres de resistencia despreciable. Tambin se muestra la variacin del potencial en la direccin correspondiente al sentido de la corriente. Vamos a decir que dos o ms resistencias estn conectadas en serie cuando la corriente que circula por ellas es la misma.
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V
Vemos que la diferencia de potencial entre los extremos de la combinacin es igual a la suma de las diferencias de potencial entre extremos de cada resistencia:
V = V1 + V 2 + V 3
Puesto que estn en serie, debe pasar la misma corriente por las tres resistencias, de forma que
V 1 = iR 1 V 2 = iR 2 V 3 = iR 3
V = V 1 + V 2 + V 3 = iR 1 + iR 2 + iR 3 V = i (R 1 + R 2 + R 3 ) V = R1 + R 2 + R 3 i
R eq =
V = R 1 + R 2 + R 3 R eq = R 1 + R 2 + R 3 i
R eq = R 1 + R 2 + R 3 ,
puede reemplazar a las tres
resistencias, manteniendo el mismo efecto externo. Generalizando podemos decir que para resistencias conectadas en serie
R eq =
i =1
Ri
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Donde
R eq = R 1 + R 2 + R 3
R1 V
i1
R2
i2
i3
R3
La corriente
i = i1 + i 2 + i 3
como la diferencia de potencial en los bornes de cada resistencia es nos queda:
i1 =
V R1
i2 =
V R2
i3 =
V R3
reemplazando ser
i = i1 + i 2 + i 3 =
V V V + + R1 R2 R3
1 1 1 1 i 1 1 + + = + + i =V R R R R V R R 2 3 2 3 1 1
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Req =
V i
1 1 1 1 = + + R R eq R R 2 3 1
ser
1 = R eq
i =1
1 Rn
Req
1 1 1 1 = + + R R eq R R 2 3 1
R3 V R1 R2 R4 R5 R7 R6
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i3 i4
R5
R6
R3 i2 V R 1 R2 R4 R56 i3
Donde
1 1 1 = + R56 R5 R6
R7
i1
R3
R4
Donde
R 34 R 1
R 56
1 1 1 = + R34 R3 R4
R 7
i1
i1
Donde
Req
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i1 =
V Req
conociendo el valor de
i1
V34 = R34i1
restantes como:
V56 = R56 i1
Conociendo las diferencias de potencial, podemos calcular las corrientes sobre las resistencias
V34 R3 V i4 = 56 R6 i2 =
V34 R4 V i5 = 56 R5 i3 =
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Corriente de rama, es una corriente auxiliar para el calculo, nace en un nodo y termina en otro
Malla es cualquier camino conductor cerrado que se pueda distinguir en el circuito, esta formada por ramas, pero una rama puede pertenecer a distintas mallas.
i
i
entrantes
= isalientes
Por convencin consideramos con signo positivos a las corrientes entrantes a un nodo y con signo negativo a las salientes, podemos escribir entonces que para cada nodo del circuito se cumple que
=0
V = 0
= Ri
para escribir las ecuaciones originadas por la regla de las mallas debemos tener presente dos principios ya vistos:
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iR
; en el sentido contrario es
+ iR
; en el sentido contrario es
n 1 , siendo n
el numero
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V1 V2
R3
R4
R5
R6
Identificamos los nodos, y planteamos todas las corrientes que circulan por el mismo
R1
R2 i3
V1
i1 V2 i2
R3 R4
i4
i5
R5
R6
Podemos identificar tres nodos y cinco corrientes en el circuito, estas cinco corrientes son las que debemos hallar, vemos adems que las resistencias
Podemos calcular
1 1 1 = + R 45 R4 R5
R2
R1
V1
i1 V2 i2
R3 i3 R45
2
Trabajamos con este circuito, en el vemos dos nodos independientes, en consecuencia planteamos la ecuacin de nodos en el nodo
1 , haciendo
i=0
, ser
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, recorremos las
mallas segn el sentido que indica la flecha, este sentido es arbitrario, pero debe mantenerse para
R1
V1
i1
R3 V2 i2
R45
R6
Planteamos las ecuaciones de mallas, en la malla en la malla
Ri
ser: ser:
V 1 V 2 = R 1 i1 + R 3 i 2 + R 6 i1 V 2 = R 3 i 2 + R 2 i 3 + R 45 i 3
Tenemos entonces un sistema formado por tres ecuaciones y tres incgnitas que se puede resolver por cualquier mtodo. Nos queda hallar el valor de las corrientes
i4
V 45 = R 45 i 3 , V i 4 = 45 R4
y entonces ser
i5 =
V 45 R5
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a S
R
b C
circular. Realizamos nuestro anlisis aplicando los principios de la conservacin de la energa En un tiempo
dq = idt
, que
dW = dq
debe ser igual a la energa que aparece como calor por el efecto Joule sobre la resistencia durante el tiempo
dU R = i 2 Rdt
q2 dU C = d 2C ,
2
q2 dq = i Rdt + d 2C , realizamos la derivacin y nos queda como q dq = i 2 Rdt + dq , dividiendo todos los miembros por dt C
q dq dq = i2R + C dt dt
, pero
i=
dq dt
= iR +
q C
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Vemos que esta ecuacin tambin responde a la regla de las mallas. Esta ecuacin presenta dos
q variables, la carga
entonces escribimos
y la corriente elctrica
i=
dq , dt
= R
dq q + dt C
ecuacin diferencial, para poder resolver esta ecuacin debemos separar variables, de manera que queden en cada miembro de la igualdad
dq q =R + dt C
dq q = dt R RC
dq q = dt R RC Rdq dt =
Rdq dt q = Rdt RC
q q Rdt = dt RC C
q Rdq = dt + dt C
Multiplico y divido por -1
dq q C C
= dt
Rdq = dt q + C
Rdq = dt q C
dq RC = dt (q C )
dq 1 = dt (q C ) RC
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1 dq = dt (q C ) RC 0 0
1 q C ln = t RC C
Derivando esta funcin encontramos la ecuacin de la corriente
i del circuito
dq (t ) i (t ) = = e dt R
Vemos algunos grficos de estas funciones
t RC
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i (t ) en el instante t = 0 es igual
t , entonces i 0
i =
La cantidad
RC
exponente no debe tener dimensiones y se llama la constante de tiempo capacitiva del circuito. Es que tarda el condensador en aumentar su carga en un factor
(1 e )
1
de su valor de
equilibrio, equivalente al sesenta y tres por ciento del valor total. Supongamos ahora que el interruptor tiempo
durante un
tal que
t >> RC b
, veamos como cambia en funcin del tiempo la carga
El condensador ha quedado totalmente cargado para todos los fines prcticos. Entonces el interruptor
se pasa a la posicin
cerrado en
iR +
q = 0 C
i= dq dt
podemos escribir la ecuacin diferencial
Si reemplazamos por
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dq q R + = 0 dt C
cuya solucin es
q (t ) = q 0 e
t RC
, siendo
q0
la carga inicial del condensador , la constante de tiempo capacitiva aparece igual que en el
q dq i= = 0 e RC dt RC
el signo negativo pone de manifiesto que la corriente circula en sentido contrario a la del proceso de carga. Como la carga inicial anterior y quedar
q0
es
q0 = C
t
, lo cual
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