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Technische Information / technical information

IGBT-Module IGBT-Modules

FS450R12KE3
vorlufige Daten preliminary data

Hchstzulssige Werte / maximum rated values


Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral It value Isolations Prfspannung insulation test voltage tp= 1ms VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125C RMS, f= 50Hz, t= 1min. Tvj= 25 C Tc= 80C Tc= 25C tp= 1ms, Tc= 80C Tc= 25C; Transistor VCES IC, nom IC ICRM Ptot VGES IF IFRM It VISOL 1200 450 600 900 V A A A

kW

+/- 20

450

900

35

k As

2,5

kV

Charakteristische Werte / characteristic values


Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sttigungsspannung collector emitter saturation voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazitt input capacitance Rckwirkungskapazitt reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current IC= 450A, VGE= 15V, Tvj= 25C IC= 450A, VGE= 15V, Tvj= 125C IC= 18mA, VCE= VGE, Tvj= 25C VGE= -15V...+15V f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V VGE= 0V, Tvj= 25C, VCE= 600V VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25C VCEsat VGE(th) QG Cies Cres ICES IGES min. 5,0 typ. 1,7 2,0 5,8 max. 2,15 t.b.d. 6,5 V V V

4,3

32

nF

1,5

nF

mA

400

nA

prepared by: MOD-D2; Mark Mnzer approved: SM TM; Wilhelm Rusche

date of publication: 2002-10-28 revision: 2.0

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DB_FS450R12KE3_2.0 2002-10-28

Technische Information / technical information


IGBT-Module IGBT-Modules

FS450R12KE3
vorlufige Daten preliminary data

Charakteristische Werte / characteristic values


Transistor Wechselrichter / transistor inverter
IC= 450A, VCC= 600V Einschaltverzgerungszeit (induktive Last) turn on delay time (inductive load) VGE= 15V, RG= 1,6, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 1,6, Tvj= 125C IC= 450A, VCC= 600V Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) VGE= 15V, RG= 1,6, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 1,6, Tvj= 125C IC= 450A, VCC= 600V Abschaltverzgerungszeit (induktive Last) turn off delay time (inductive load) VGE= 15V, RG= 1,6, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 1,6, Tvj= 125C IC= 450A, VCC= 600V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse Ausschaltverlustenergie pro Puls turn off energy loss per pulse Kurzschlussverhalten SC data Modulinduktivitt stray inductance module Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip Tc= 25C VGE= 15V, RG= 1,6, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 1,6, Tvj= 125C IC= 450A, VCC= 600V, L= 80nH VGE= 15V, RG= 1,6, Tvj= 125C IC= 450A, VCC= 600V, L= 80nH VGE= 15V, RG= 1,6, Tvj= 125C tP 10s, VGE 15V, TVj 125C VCC= 900V, VCEmax= VCES - LCE di/dt Eon Eoff ISC LCE RCC/EE tf 0,13 0,16 33 s s mJ td,off 0,55 0,65 s s tr 0,09 0,10 s s td,on 0,25 0,30 s s min. typ. max.

65

mJ

1800

20

nH m

1,1

Charakteristische Werte / characteristic values


Diode Wechselrichter / diode inverter
Durchlassspannung forward voltage Rckstromspitze peak reverse recovery current IF= 450A, VGE= 0V, Tvj= 25C IF= 450A, VGE= 0V, Tvj= 125C IF= 450A, -diF/dt= 5200A/s VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125C Sperrverzgerungsladung recovered charge IF= 450A, -diF/dt= 5200A/s VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125C Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF= 450A, -diF/dt= 5200A/s VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125C Erec 21 39 mJ mJ Qr 45 85 C C IRM 315 405 A A VF 1,65 1,65 2,15 t.b.d. V V

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IGBT-Module IGBT-Modules

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vorlufige Daten preliminary data

Charakteristische Werte / characteristic values


NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Nennwiderstand rated resistance Abweichung von R100 deviation of R100 Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value Tc= 25C Tc= 100C, R100= 493 Tc= 25C R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] R25 R/R P25 B25/50 min. typ. 5 max. k %

-5

20

mW

3375

Thermische Eigenschaften / thermal properties


Innerer Wrmewiderstand; DC thermal resistance, junction to case; DC bergangs Wrmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Hchstzulssige Sperrschichttemp. maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor Wechelr. / transistor inverter Diode Wechselrichter / diode inverter pro Modul / per module Paste= 1W/m*K / grease= 1W/m*K RthJC RthCK Tvj max Tvj op Tstg 0,005 0,060 0,100 K/W K/W K/W

150

-40

125

-40

125

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties


Gehuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance distance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlsse terminal connection torque Gewicht weight Schraube / screw M5 M 3 Al2O3 12,7 mm

10,0

mm

225

Nm

Anschlsse / terminals M6

Nm

910

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes.

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IGBT-Module IGBT-Modules

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vorlufige Daten preliminary data

Ausgangskennlinie (typisch) output characteristic (typical)


900 750 600 IC [A] 450 300 150 0 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0
Tvj = 25C Tvj = 125C

IC= f(VCE) VGE= 15V

2,5

3,0

3,5

Ausgangskennlinienfeld (typisch) output characteristic (typical)


900
Vge=19V

IC= f(VCE) Tvj= 125C

750 600 IC [A] 450 300 150 0 0,0 0,5

Vge=17V Vge=15V Vge=13V Vge=11V Vge=9V

1,0

1,5

2,0

2,5 VCE [V]

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

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IGBT-Module IGBT-Modules

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vorlufige Daten preliminary data

bertragungscharakteristik (typisch) transfer characteristic (typical)


900 750 600 IC [A] 450 300 150 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10
Tvj=25C Tvj=125C

IC= f(VGE) VCE= 20V

11

12

13

Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) forward caracteristic of inverse diode (typical)


900 750 600 IF [A] 450 300 150 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VF [V] 1,4 1,6

IF= f(VF)

Tvj = 25C Tvj = 125C

1,8

2,0

2,2

2,4

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Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical)


140 120 100 E [mJ] 80 60 40 20 0 0 150 300
Eon Eoff Erec

Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)


VGE=15V, RG=1,6, VCE=600V, Tvj=125C

450 IC [A]

600

750

900

Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical)


180 160 140 120 E [mJ] 100 80 60 40 20 0 0 2 4 6
Eon Eoff Erec

Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)


VGE=15V, IC=450A, VCE=600V, Tvj=125C

8 RG []

10

12

14

16

18

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vorlufige Daten preliminary data

Transienter Wrmewiderstand Transient thermal impedance


1

ZthJC = f (t)

ZthJC [K/W]

0,1

0,01

Zth : IGBT Zth : Diode

0,001 0,001

0,01

0,1 t [s]

10

i ri [K/kW] : IGBT i [s] : IGBT ri [K/kW] : Diode i [s] : Diode

1 25,22 6,499E-02 42,03 6,499E-02

2 30,23 2,601E-02 50,43 2,601E-02

3 3,42 2,364E-03 5,67 2,364E-03

4 1,13 1,187E-05 1,87 1,187E-05

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA)


1200 1050 900 750 IC [A] 600 450 300 150 0 0 200 400 600 VCE [V] 800
IC,Chip IC,Chip

VGE=15V, RG=1,6 , Tvj=125C

1000

1200

1400

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IGBT-Module IGBT-Modules

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Gehusemae / Schaltbild Package outline / Circuit diagram

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