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Introduccin Densidad de Estados (DeE) Funcin de distribucin de Fermi-Dirac Densidad de portadores en semiconductores intrnsecos. Nivel de Fermi Semiconductores extrnsecos: tipo p y tipo n Densidad de portadores en semiconductores extrnsecos Nivel de Fermi en semiconductores extrnsecos
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Electrnica de dispositivos
Introduccin
Objetivo Calcular la densidad de portadores en semiconductores puros y poco dopados Motivo Poder determinaran los comportamientos caractersticos tensin/corriente de los dispositivos Esquema
Concepto: Equilibrio trmico Es el estado en que un proceso es acompaado por otro, igual y opuesto (estado dinmico), mientras que el sistema se mantiene a la misma temperatura, sin intercambios de energa con el exterior.
Tema 2: Semiconductores intrnsecos y extrnsecos 2/13
Electrnica de dispositivos
Densidad de estados
Definicin La densidad de estados es el nmero de estados electrnicos posibles por unidad de volumen y por unidad de energa. En un metal (los electrones son libres):
N (E ) =
8m
2 h2
[1]
Apndice C K. Kano
Puede considerarse como una funcin continua en E Est expresin tambin ser vlida para un semiconductor cristalino (electrones quasi-libres, ligados a un potencial peridico) Para adaptarla, hemos de introducir EC, EV y m*
Nn (E ) = N p (E ) =
8m
2 2 h
2 2 h p n
[2]
8m
[3]
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Electrnica de dispositivos
f (E ) = e
1
E EF kT
+1
[4]
f(E) es la probabilidad que un estado de energa E est ocupado, EF es el nivel de Fermi, k es la constante de Boltzmann y T es la temperatura absoluta.
http://jas2.eng.buffalo.edu/applets/education/semicon/fermi/functionAndStates/functionAndStates.html
Comentarios Un estado con energa E>EF tendr mas posibilidades de ser ocupado a mayor temperatura. A una temperatura T, la probabilidad de ocupacin disminuye si aumenta la energa Para cualquier T, la probabilidad de encontrar un electrn con una energa EF es 1/2. A T=0, la probabilidad de encontrar un electrn con E>EF es 0 y con E<EF es 1 Si la probabilidad de encontrar un electrn es f(E), la probabilidad de no encontrarlo es 1-f(E) Aproximacin de Boltzmann (facilitar los clculos posteriores)
electrones fC (E ) = f (E )
[5] [6]
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huecos
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Densidad de portadores
2m kT E EF n = Nn (E ) fC (E ) dE = ... = NC exp C N con 2 = C EC kT h
n 2 3 2
[7]
[8]
semiconductor Si Ge GaAs
Electrnica de dispositivos
n p = NC NV e
E E C V kT
=n np =n
2 i
Eg
2 i
[9]
2kT ni = 2 2 h
(m m )
n p
EF =
EC + EV kT NV ln + 2 2 NC
[11]
ni(Si,300K)=1.451010cm-3
EC E F=E i Eg
Eg
[14]
EV
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Semiconductores extrnsecos
Los semiconductores extrnsecos se forman aadiendo pequeas cantidades de impurezas a los semiconductores puros. El objetivo es modificar su comportamiento elctrico al alterar la densidad de portadores de carga libres. Estas impurezas se llaman dopantes. As, podemos hablar de semiconductores dopados. En funcin del tipo de dopante, obtendremos semiconductores dopados tipo p o tipo n. Para el silicio, son dopantes de tipo n los elementos de la columna V, y tipo p los de la III II III IV V VI
p
Tema 2: Semiconductores intrnsecos y extrnsecos
n
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ionizacin completa
Tipo p
En general, los elementos de la columna III convierten al Si en tipo p. Estos elementos tienen tres electrones de valencia en su ltima capa y se les llama impurezas aceptoras.
estados localizados (cargas fijas)
ionizacin completa
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n0 p0 = ni2
[15]
Dependencia de la concentracin de portadores con la temperatura
[16]
1 2
De ambas:
n0 = ND N A ND N A 2 + + ni 2 2
2
n0 N D
tipo n n0 ND tipo p p0 NA
p0 n0
ni2
ND
[18]
p0 N A
ni2
NA
[19]
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= n0 [20] = p0 [21]
EC EF Ei EV
EC E F-E i Eg Ei EF EV Eg E i-E
http://jas2.eng.buffalo.edu/applets/education/semicon/fermi/bandAndLevel/fermi.html
http://jas2.eng.buffalo.edu/applets/education /semicon/fermi/levelAndDOS/index.html
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Electrnica de dispositivos
Ejemplo
Sea una muestra de silicio a 300K. a) Calcule la densidad de portadores intrnsecos. b) Calcule la densidad de electrones y huecos si se dopa con fsforo en una concentracin de 1017 cm-3. c) Calcule la posicin de los niveles de Fermi intrnseco y extrnseco. a) Utilizando la ecuacin [9]:
ni2 = NC NV e
Eg kT 1.12 eV 86.2 10
6
eV K -1 300K
ni 1010 cm 3
2 n i p0
ND
= (10
10
cm 3 )
10 cm
17
= 10 3 cm 3
c) El nivel de Fermi intrnseco se localizar en el centro de la banda prohibida. El extrnseco: n N EF Ei = kT ln 0 kT ln D ni ni 1017 1 = 86.2 eV K 300 K ln 10 10 17 10 = 0.025 eV ln 10 = 0.403 eV 10
Tema 2: Semiconductores intrnsecos y extrnsecos
EC EF Ei EV E g= 1.12eV
0.403 eV
E g/2 = 0.56 eV
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f (E ) = e
1
E EF kT
Eg
+1
n p = ni2
ni(Si,300K)=1.451010cm-3
En semiconductores extrnsecos:
n0 p0 = ni2
semiconduc tor tipo n n N EF E i = kT ln 0 kT ln D ni ni ni2 n0 ND y p0 ND
Tema 2: Semiconductores intrnsecos y extrnsecos
Electrnica de dispositivos
Varias tcnicas:
Durante el crecimiento Difusin Implantacin inica
Estudiaremos:
Aplicaciones Sistemas/mtodos/tecnologas Teora Ejemplos
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