Quando o transistor empregado como comparador a

...............................................

tenso de referncia aplicada ao emissor e a amostra a

...............................................

base.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
A corrente drenada pelo coletor do transistor comparador

...............................................

depende da diferena entre amostra e emissor (que estabele-

...............................................

cem o VBE do transistor).

...............................................
...............................................
...............................................

Controle

...............................................
O elemento de controle interpreta o sinal proveniente do

...............................................

comparador e efetua a correo de forma a manter a tenso

...............................................

de sada constante.

...............................................
...............................................

A figura abaixo mostra os componentes do bloco de con-

...............................................
...............................................

trole.

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
O transistor de controle sofre variaes na tenso coletor-

...............................................

emissor (VCE) de forma que a tenso de sada seja sempre

...............................................

constante.

...............................................
...............................................

Princpio de funcionamento

...............................................
...............................................

O princpio de funcionamento pode ser analisado sob dois

aspectos distintos:

...............................................
...............................................
...............................................

Funcionamento com a variao na tenso de entrada;

...............................................
...............................................

Funcionamento com variao na corrente de carga.

...............................................
...............................................

66
SENAI-PR

...............................................

a ) Variao na tenso de entrada

...............................................
Sendo tomadas como condio inicial de valores apre-

...............................................
...............................................

sentados na figura.

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
Quando ocorre um aumento na tenso de entrada e ten-

...............................................

so na base de T1 (tenso entre coletor de T2 e terra) tende a

...............................................

se elevar momentaneamente, fazendo com que a tenso de

...............................................

sada tambm aumente.

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Entretanto, a elevao na tenso de sada faz com que a

...............................................

tenso fornecida da base De T2 pelo circuito de amostragem

...............................................

se eleve, resultando numa elevao de tenso VBE do transis-

...............................................

tor comparador.

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...............................................
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...............................................
...............................................
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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
67
SENAI-PR

A tenso VBET2 mais elevada provoca uma corrente de

...............................................

base maior no transistor T2 e consequentemente ocorre um

...............................................

aumento na corrente drenada pelo coletor desse transistor.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Com o aumento na corrente de coletor de T2 o seu VCE

...............................................

que havia aumentado diminui novamente fazendo com que a

...............................................

tenso na base do transistor de controle ao valor bem prximo

...............................................

do original.

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Resumindo

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...............................................

Correo na tenso de base T1

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
Se, por outro lado, a tenso de entrada diminui, o com-

...............................................
...............................................

portamento do circuito :

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
68
SENAI-PR

...............................................

b) Variao da corrente de carga

...............................................
Sero tomados como condio inicial o circuito e os va-

...............................................
...............................................

lores apresentados na figura a seguir.

...............................................
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...............................................
...............................................
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...............................................
...............................................
...............................................
O aspecto mais importante a considerar na anlise do

...............................................

comportamento frente s variaes de corrente que enquanto

...............................................

a tenso de entrada for constante, a queda de tenso em R1,

...............................................

tambm ser constante.

...............................................
...............................................
...............................................

A partir disto pode-se dizer:

...............................................
VE CONSTANTE VR1 CONSTANTE IR1 CONSTANTE

...............................................
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...............................................
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...............................................
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...............................................

Supondo que a resistncia da carga caia para 20.

...............................................
...............................................

Inicialmente os 500 mA entregues pela fonte circulando

sobre 20 de carga provocam uma tenso de sada de 10V.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

VS = IRL . RL

...............................................

VS = 0,5A . 20 = 10V

...............................................
...............................................
69
SENAI-PR

Existe, portanto uma tendncia da tenso de sada em

...............................................
...............................................

cair de 12 V para 10 V.

...............................................
Entretanto, assim que a tenso cai abaixo de 12V verifi-

...............................................
...............................................

ca-se que:

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
Como a corrente que entra em R1 constante verifica-se:

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...............................................

A maior corrente de base ampliada por T1, aumentan-

...............................................

do a corrente de carga e elevando a tenso de sada ao seu

...............................................

valor nominal.

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...............................................
70
SENAI-PR

Conclui-se que com a reduo da resistncia de carga

...............................................

existe uma tendncia de queda na tenso de sada que

...............................................

corrigida pelo prprio circuito.

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Quando a resistncia de carga aumenta, o raciocnio

...............................................
...............................................

inverso (acompanhe observando).

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
Circuitos adicionais utilizados nas fontes reguladas

...............................................
...............................................

Alm dos componentes utilizados nas configuraes

...............................................

simples de fontes reguladas, pode-se acrescentar outros com-

...............................................

ponentes ou mesmo circuitos cujo objetivo melhorar as ca-

...............................................

ractersticas de funcionamento.

...............................................
...............................................
...............................................

Alguns exemplos so:

...............................................
O uso de transistores em configurao DARLINGTON;

...............................................
...............................................

Circuito para limitao da corrente de curto circuito.

...............................................
...............................................
...............................................

A configurao DARLINGTON

...............................................
A configurao Darlington, mostrada na figura ao lado,

...............................................

corresponde a uma forma de ligao entre 2 transistores que

...............................................

adquire caractersticas singulares.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
71
SENAI-PR

O funcionamento da configurao darlington pode ser

compreendido a partir da anlise de um circuito simples.

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...............................................
...............................................
...............................................

O resistor RB fornece uma corrente de base IB1 ao tran-

...............................................
...............................................

sistor T1.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
Esta corrente amplificada por T1, gerando uma corren-

...............................................
...............................................

te de coletor TE1 com valor de IC1 = (1 . IB1).

...............................................
Admitindo-se que IE1 = IC1 conclui-se que 1 . IB1

...............................................
...............................................
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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

A corrente IE1 aplicada a base de T2, portanto IB2 = 1 . IB1

...............................................
...............................................

O transistor T2 amplifica esta corrente de base, gerando

...............................................

uma corrente na carga que corresponde a IC2 = IB2 . 2 ou seja

...............................................

IC2 = (IB1 . 1) . 2

...............................................
o

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72
SENAI-PR

Como a corrente de carga a corrente de coletor pode-

...............................................
...............................................

se dizer:

...............................................
ICARGA = IB1 . 1 . 2

...............................................
...............................................

Operando a equao para obter IB1 tem-se:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Isto significa que uma carga de grande corrente pode

...............................................

ser controlada atravs de uma corrente centenas de milhares

...............................................

de vezes menor.

...............................................
...............................................

A seguir esto apresentados dois exemplos de

...............................................
...............................................

acionamento de uma carga de 2A atravs:

...............................................
a) De um transistor com = 50

...............................................
...............................................

b) De dois transistores de = 50 em configurao darlington.

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...............................................

Pelo resultados se verifica que a configurao darlington

a corrente de controle muito menor.

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...............................................
...............................................

73
SENAI-PR

A figura seguinte mostra o diagrama de uma fonte regu-

...............................................

lada simples usando transistores ligados na configurao

...............................................

darlington.

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...............................................
...............................................

Como vantagens fundamentais da utilizao da configu-

...............................................
...............................................

rao darlington tem-se:

...............................................
As variaes de corrente no zener em funo da car-

...............................................

ga so menores, o que aumenta a estabilidade da ten-

...............................................

so de sada.

...............................................
...............................................

Menor dissipao de potncia do zener.

...............................................
...............................................

Deve-se levar em conta que a tenso de sada ser

...............................................

VS = VZ - ( VBE1 + VBE2).

...............................................
...............................................

Existem no mercado transistores que so na verdade

dois transistores ligados em configurao darlington.

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...............................................
...............................................
...............................................

A nica forma de identificar se um transistor darlington

...............................................
...............................................

ou no consultando o manual do fabricante.

...............................................
...............................................

Limitao de corrente de carga

...............................................
Uma fonte regulada pode ser dotada de um circuito que

...............................................

se destina a limitar a corrente mxima de carga e de curto

...............................................

circuito.

...............................................
...............................................
74
SENAI-PR

O circuito do estgio regulador com limitao de corrente de carga est apresentado na figura a seguir:

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Observando o circuito verifica-se que a corrente de car-

...............................................
...............................................

ga circula atravs de R2 (figura abaixo).

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...............................................
A queda de tenso neste resistor, portanto, proporcio-

...............................................

nal a corrente de carga:

...............................................

VR2 = IRL . R2

...............................................
...............................................

A tenso sobre R2 est aplicada a juno BE de T3.

...............................................
...............................................

A medida que a corrente de carga aumenta a tenso

...............................................

sobre o resistor R2 se aproxima da tenso de conduo de

...............................................

juno BE, surge uma corrente de base em T3.

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75
SENAI-PR

A corrente de base T3 amplificada por (IC3 = IB3 . ).

esta corrente IC3 circula atravs de juno BE de T2.

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...............................................

A corrente de base em T2 provoca a circulao de IC2.

...............................................

Uma vez que a corrente que entra atravs de R1 constante,

...............................................

toda a corrente que circula em T2 (IC2) deixa de circular no

...............................................

transistor de potncia.

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...............................................

Quanto maior for a corrente de carga, mais corrente ser

desviada do transistor de potncia atravs de T2.

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...............................................
...............................................

Em um determinado momento no ser mais possvel aumentar a corrente de carga devida a corrente desviada por T2.

...............................................
...............................................
...............................................

Uma vez que a corrente mxima de carga limitada,

...............................................

tambm fica limitada a corrente se houver um curto circuito na

...............................................

sada de fonte.

...............................................
...............................................

O valor do limite de corrente estabelecido atravs de

...............................................

R2 e os transistores do circuito de proteo normalmente so

...............................................

de germnio.

...............................................
...............................................

Este circuito pode ser utilizado tanto em fontes reguladas simples como em fontes com comparador.

...............................................
...............................................
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...............................................

76
SENAI-PR

A figura a seguir mostra um circuito completo de uma

...............................................

fonte regulada com comparador, utilizando a configurao

...............................................

darlington e com limitao de corrente de sada.

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77
SENAI-PR

...............................................
MULTIVIBRADOR BIESTVEL

...............................................
...............................................
...............................................

Introduo

...............................................
Hoje vivemos a era dos aparelhos digitais. Cada dia mais

...............................................

populares, os relgios digitais, aparelhos de som laser e ou-

...............................................

tros j fazem parte de nossas vidas.

...............................................
...............................................

Os relgios e outros aparelhos digitais so baseados em

...............................................

circuitos eletrnicos digitais empregando centenas ou at mes-

...............................................

mo milhares de transistores que funcionam apenas nas regi-

...............................................

es de saturao e corte.

...............................................
...............................................

Um dos circuitos mais utilizados nos aparelhos digitais

...............................................
...............................................

o multivibrador biestvel.

...............................................
Este fascculo visa primeiramente revisar os conceitos

...............................................

de saturao e corte, para ento apresentar o funcionamento

...............................................

dos multivibradores biestveis. Estudando o multivibrador

...............................................

biestvel voc estar comeando a trilhar o caminho da ele-

...............................................

trnica digital.

...............................................
...............................................
...............................................

Saturao e corte

...............................................
A saturao e o corte so as regies de operao do

...............................................

transistor situadas respectivamente, na parte superior e inferi-

...............................................

or da reta de carga.

...............................................
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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

O corte corresponde mais exatamente situao em

...............................................

que a corrente de base zero. Como conseqncia tem-se

...............................................

uma corrente de coletor apenas de fuga (ICEO) que muito pe-

...............................................

quena, situando-se na faixa dos microamperes em tempera-

...............................................

turas normais.

...............................................
78
SENAI-PR

Com IB igual a zero e IC igual a ICEO a queda de tenso no

...............................................

resistor praticamente nula, de forma que o VCE do transistor

...............................................

a igual a de tenso de alimentao do circuito.

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Quando o transistor est em corte o seu comportamen-

...............................................

to similar ao de um interruptor que est desligado, cortando

...............................................

a corrente no circuito.

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...............................................
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...............................................
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...............................................
...............................................

Um transistor em corte se comporta

...............................................

como um interruptor desligado.

...............................................
...............................................

A saturao, por outro lado, corresponde a situao em

...............................................

que a tenso VCE menor que a tenso VBE. Para transistores

...............................................

de silcio a saturao alcanada quando VCE cai a valores

...............................................

inferiores a 0,6V.

...............................................
...............................................

A figura abaixo mostra um circuito com um transistor de

...............................................
...............................................

silcio que est na regio de saturao.

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...............................................
...............................................
...............................................
79
SENAI-PR

A saturao alcanada atravs do aumento da corren-

...............................................

te de base at que a queda de tenso no resistor de coletor

...............................................

atinja praticamente o valor da tenso de alimentao.

...............................................
...............................................

No circuito da figura anterior um aumento ainda maior da

...............................................

corrente de base levaria o transistor de silcio ainda mais para

...............................................

a saturao. A saturao completa dos transistores de silcio

...............................................

acontece quando VCE 0,3 V.

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...............................................

De forma geral, a saturao de transistores de silcio (de

sinal) ocorre quando a VBE do transistor ultrapasse os 0,7 V.

...............................................
...............................................
...............................................

A nvel de circuito um transistor saturado completamen-

...............................................

te, se comporta de forma semelhante a um interruptor fecha-

...............................................

do, de forma que a corrente de coletor limitado pela alimen-

...............................................

tao e o valor de RC Ic SAT = Vcc /RC.

...............................................
...............................................

As figuras a seguir comparam o comportamento de um

interruptor fechado e de transistor saturado no mesmo circuito.

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...............................................
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...............................................
...............................................

1,17 mA

...............................................
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...............................................
...............................................

Conforme mostram as figuras anteriores a semelhana

...............................................

entre transistor saturado interruptor fechado pratica-

...............................................

mente perfeito, desde que a saturao do transistor seja com-

...............................................

pleta.

...............................................
...............................................
80
SENAI-PR

...............................................
Um transistor completamente saturado se comporta
com um interruptor fechado.

...............................................
...............................................
...............................................

Existem circuitos , chamados de circuitos digitais, que

s utilizam transistores em corte ou saturao. Pela analogia
com o comportamento das chaves, estes circuitos so tambm denominados de circuitos de chaveamento.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Circuitos digitais ou de chaveamento so aqueles que

s empregam transistores (ou outros componentes)
nos estados de corte ou saturao.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Assim, os circuitos eletrnicos podem ser divididos em

dois grandes grupos:

...............................................
...............................................

circuitos analgicos = aqueles em que os componentes ativos podem estar em qualquer condio de funcionamento. So exemplos de circuitos analgicos
os amplificadores, as fontes reguladas, etc.
circuitos digitais = so aqueles em que os componentes ativos trabalhame em chaveamento.

...............................................
...............................................
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...............................................
...............................................
...............................................

Um transistor pode ser conectado a um circuito de forma que esteja cortado, ora saturado.

...............................................
...............................................
...............................................

O comando do estado do transistor depende fundamentalmente da corrente de base. A figura a seguir mostra o circuito em que o transistor pode estar cortado ou saturado (e
em nenhuma outra situao intermediria).

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...............................................
...............................................

100

...............................................

1k

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...............................................
...............................................
81
SENAI-PR

Enquanto a chave estiver na posio A tem-se:

...............................................
...............................................

VBE = 0

...............................................

IB = 0

...............................................

IC = ICEO (praticamente 0)

...............................................

VCE = VCC

...............................................
...............................................
...............................................

CORTE

...............................................
Se a chave passar para a posio B tem-se:

...............................................

IB = VCC - VBE

...............................................

RB

...............................................

IB = 203A

...............................................
...............................................

IC = 203A . 100

...............................................

IC = 20A

...............................................
...............................................

Mas com IC est limitado ao valor mximo de

...............................................

ICMX = Vcc = 12A; tem-se:

...............................................
...............................................

RC

...............................................
A
IB = 203

...............................................

A
IC = ICMX = 12

...............................................

VCE OV

...............................................

SATURAO

...............................................
...............................................

importante observar a importncia do valor de RB para

...............................................

que a saturao seja atingida. Se RB fosse de 150k os resul-

...............................................

tados no seriam desejados.

...............................................
...............................................
...............................................

IB = VCC - VBE

...............................................

RB
IB = 12 - 0,6 /150K

...............................................

IB = 76A

...............................................

IC = 76A . 100

...............................................

IC = 7600A

...............................................

VRC = 76A . 1 k

...............................................

VRC = 7,6V0

...............................................
...............................................
...............................................

VCE = 4,4V REGIO ATIVA

...............................................
82
SENAI-PR

Ento, um circuito transistorizado pode funcionar como

chaveador desde que seja corretamente polarizado para tal.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

O multivibrador biestvel

...............................................
um circuito eletrnico em que a sada (ou sadas) so-

...............................................
...............................................

mente podem assumir dois estados distintos.

...............................................
O circuito do multivibrador biestvel, ou FLIP - FLOP como

...............................................

tambm conhecido, composto basicamente por dois tran-

...............................................

sistor polarizados de forma a funcionarem em chaveamento.

...............................................
...............................................

Este circuito construdo de tal forma que sempre se

...............................................
...............................................

tenha:

...............................................
Um transistor saturado;

...............................................
...............................................

Outro transistor cortado.

...............................................
...............................................

Pode-se dizer que o FLIP FLOP como uma balana de

...............................................

comparao em que um peso maior do que o outro, de for-

...............................................

ma que as duas situaes possveis seriam as mostradas nas

...............................................

figuras.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Funcionamento do multivibrador biestvel

...............................................
...............................................

O estudo do funcionamento dos vibradores biestveis

...............................................
...............................................

pode ser analisado em duas partes distintas:

...............................................
a)

condio assumida na alimentao

...............................................
...............................................

b)

troca de estados

...............................................
83
SENAI-PR

Isto permite estudar o que ocorre a partir do momento

...............................................

em que se aplica tenso ao circuito e depois deste estado

...............................................

inicial.

...............................................
...............................................
...............................................

Condio assumida na ligao

...............................................
A figura abaixo mostra o circuito do multivibrador biestvel.

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...............................................
...............................................

Observao:

...............................................
Existe tambm um circuito de multivibrador biestvel que

...............................................

utiliza duas tenses de alimentao, uma positiva e outra ne-

...............................................

gativa. Porm, atualmente, se d preferncia aos circuitos com

...............................................

uma s alimentao.

...............................................
...............................................

Antes de passar anlise do funcionamento do

...............................................

multivibrador necessrio observar alguns aspectos impor-

...............................................

tantes, relativos ao seu circuito.

...............................................
...............................................

1) As bases dos dois transistores esto polarizadas por

...............................................
...............................................

corrente de base constante.

...............................................
RC2 + RB1 resistncia de base de T1

...............................................
...............................................

R C1 + R B2 resistncia de base de T2

...............................................
...............................................

2) A tenso para cada um dos resistores de base de

cada transistor provm do coletor do outro transistor.

...............................................
...............................................
...............................................

a tenso do coletor de T1 alimenta a base de T2 atra-

...............................................
...............................................

vs de RB2

...............................................
84
SENAI-PR

 a tenso do coletor de T2 alimenta a base de T1 atra-

...............................................
...............................................

vs de RB1

...............................................
As figuras abaixo ilustram estas condies.

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...............................................
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...............................................
...............................................
...............................................

Este tipo de ligao tem uma particularidade. Quando

...............................................
...............................................

um transistor satura, obriga o outro a cortar.

...............................................
Por exemplo, se T1 est saturado comporta-se pratica-

...............................................

mente como uma chave fechada colocando a zero (ou 0,3V

...............................................

) a tenso entre base e emissor de T2.

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

A tenso de 0,3V aplicada a RB2 insuficiente para ali-

...............................................

mentar a base T2, de forma que quando T1 satura obriga T2 a

...............................................

cortar.

...............................................
...............................................

Por sua vez, T2 cortado se comporta como uma chave

...............................................

aberta, ficando com a tenso de coletor prximo ao valor da

...............................................

tenso de alimentao.

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...............................................
85
SENAI-PR

A tenso alta no coletor de T2 provoca uma corrente atra-

...............................................

vs de RB1 que mantm T1 saturado. O prprio circuito man-

...............................................

tm esta condio estvel sem a necessidade de interfern-

...............................................

cia externa.

...............................................
...............................................
...............................................

Em resumo neste tipo de ligao:

...............................................
...............................................

T1 satura T2 corta

...............................................
...............................................

T2 satura T1 corta

...............................................
importante tambm observar que os dois transistores

...............................................
...............................................

tm o emissor ligado ao mesmo resistor RE.

...............................................
Isto tambm provoca uma amarrao entre os transistores, o que pode ser mostrado na figura a seguir.

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

A queda de tenso no resistor de emissor depende das

...............................................
...............................................

correntes nos dois transistores:

...............................................
...............................................

VRE = RE (IE1 + IE2)

...............................................
Se a corrente de transistor T1 aumenta, a queda de ten-

...............................................
...............................................

so em RE tambm aumenta.

...............................................
Aumentando VRE a diferena de tenso entre a base 2 e

...............................................
...............................................

o emissor diminui, ou seja:

...............................................
IB1

IE1

VRE

...............................................

VBE2

...............................................
...............................................

O que faz com que:

...............................................
IB2

IC2

...............................................

IE2

...............................................
86
SENAI-PR

O aumento da corrente IC de um transistor provoca uma

...............................................

diminuio na corrente IC do outro transistor, de forma que a

...............................................

soma das correntes no resistor de emissor mantm um valor

...............................................

praticamente constante.

...............................................
...............................................

No momento em que a alimentao ligada circulam

duas correntes no circuito:

...............................................
...............................................
...............................................

uma para a base de T1 atravs de RC2 e RB1

...............................................
...............................................

outra para a base de T2 atravs de RC1 e RB2

...............................................
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...............................................
...............................................
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...............................................
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...............................................
...............................................
...............................................

Como normalmente RC1 = RC2 e RB1 = RB2 as duas correntes para as bases so iguais.

...............................................
...............................................
...............................................

Considerando-se que praticamente impossvel que os

...............................................

dois transistores tenham o mesmo ganho vamos admitir que

...............................................

T2 tem ganho um pouco maior que T1. Logo pode-se afirmar:

...............................................
...............................................

IB2 = IB1

...............................................

T2 > T1

...............................................

IC2 > IC1

...............................................
...............................................

Circular uma maior corrente em T2 de forma que o VCET2

comear a cair mais rapidamente que o VCE de T1.

...............................................
...............................................
...............................................

Como os dois transistores esto amarrados pelas ba-

...............................................

ses e pelo emissor, a queda rpida em VCET2 faz com que

...............................................

VCET1 comece a aumentar.

...............................................
87
SENAI-PR

...............................................

VCET2 | logo VCET1 |

...............................................
Um efeito refora o outro, pois logo que VCET1 comea a

...............................................
...............................................

subir fora-se que:

...............................................
VCET1 |

...............................................

VCET2 |

...............................................
...............................................
...............................................

Em resumo cria-se um crculo fechado.

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
O processo prossegue at que o VCET2 atinja o valor m-

...............................................

nimo (ficando saturado) e o VCET1 atinja o valor mximo (fican-

...............................................

do cortado).

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...............................................

A figura abaixo mostra a condio do circuito aps a ligao, considerando que T2 tem ganho maior que T1.

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As tenses no circuito seriam, por exemplo:

...............................................
VCE1 =0,3V

VRE = 1V

VC1 = 1,3V

...............................................
...............................................

(entre Coletor de T1 e Terra)

...............................................
VCE2 = 11V

VRE = 1V

VC2 = 12V

...............................................
...............................................

88
SENAI-PR

As tenses VBE dos dois transistores sero:

...............................................
...............................................

VBET2 0,7 a 0,75V

...............................................

(tenso para saturao)

...............................................
...............................................

VBET1 0,3V

...............................................

(uma vez que a tenso no coletor de T2 apenas 0,3V

...............................................
...............................................

maior que a dos emissores)

...............................................
Se o transistor T1 tivesse mais ganho que T2 a situao

...............................................
...............................................

seria inversa:

...............................................
T1 > T2 na ligao: T1 saturado, T2 saturado

...............................................
...............................................

Isto significa que, na partida, sempre ser o transistor de

...............................................

maior ganho que ir saturar . se os dois tiverem ganhos iguais

...............................................

ou muito prximos ser impossvel prever quem ir saturar ou

...............................................

cortar.

...............................................
...............................................

Uma vez que um dos transistores satura e o outro corta,

...............................................

a situao dos transistores permanecer estvel enquanto no

...............................................

houver algum estmulo externo.

...............................................
...............................................

Ao ser alimentado um multivibrador biestvel

...............................................

assume um estado estvel que no se altera

...............................................

sem uma interferncia externa.

...............................................
...............................................

Uma forma de alterar o estado do multivibrador biestvel

...............................................

seria curtocircuitar momentaneamente base e emissor do tran-

...............................................

sistor saturado.

...............................................
...............................................

Fazendo isto se teria (supondo T2 inicialmente saturado):

...............................................
...............................................

VBE2 = 0

IC2 = 0

...............................................

VCE2 |

o que provocaria VCE1 |

...............................................

at que T1 atingisse a saturao.

...............................................
...............................................

Como o circuito amarrado uma vez que T1 sature, o

...............................................

prprio circuito manteria a nova situao indefinidamente,

...............................................

mesmo que o curto em T2 seja eliminado.

...............................................
...............................................
89
SENAI-PR

Por est razo que o circuito chamado de biestvel

...............................................

ou que tem os dois estados estveis. Uma vez que o circuito

...............................................

assume uma condio, permanece nela se no houver uma

...............................................

interferncia externa.

...............................................
...............................................

Mtodos de disparo do multivador biestvel

...............................................
...............................................

O multivador biestvel no teria aplicao prtica se no

...............................................

houvesse uma forma de alterar o seu estado atravs de im-

...............................................

pulsos eltricos.

...............................................
...............................................

Existem algumas maneiras atravs das quais se pode

...............................................

fazer com que haja uma troca de estados, ou seja, fazer com

...............................................

que se invertam as situaes de corte e saturao de transis-

...............................................

tores.

...............................................
...............................................
Esta troca de estados denominada de transio ou dis-

...............................................
...............................................

paro.

...............................................
...............................................
TRANSIO ou DISPARO a denominao empregada

...............................................

para a troca de estados em um dispositivo eletrnico.

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...............................................
...............................................

Existem vrios mtodos para provocar uma transio

em um biestvel, dentre os quais sero analisados dois:

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...............................................
...............................................
...............................................

a) disparo pelo emissor

...............................................
b) disparo pela base

...............................................
...............................................

Os dois mtodos de disparos que sero analisados so

...............................................

denominados de simtricos porque provocam a transio qual-

...............................................

quer que seja o estado inicial, assumido pelo multivibrador

...............................................

biestvel.

...............................................
...............................................

a) Disparo pelo emissor

...............................................
...............................................

A transio do multivibrador biestvel pode ser provocada

...............................................

atravs dos emissores dos transistores, acrescentando-se um

...............................................
...............................................

90
SENAI-PR

capacitor ao circuito original, atravs do qual sero aplicados

...............................................

os pulsos que provocaro a transio.

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...............................................

O circuito formado por CE e RE um diferenciador que

...............................................

dar origem a pulsos de tenso nos emissores dos transisto-

...............................................

res quando for aplicada uma onda quadrada na entrada (con-

...............................................

forme figura abaixo).

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A razo pela qual esses pulsos diferenciadores provo-

...............................................

cam a transio no biestvel pode ser compreendida toman-

...............................................

do como ponto de partida que T1 est saturado e T2 cortado

...............................................

(figura abaixo).

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91
SENAI-PR

Quando se aplica uma transio positiva ao capacitor, a

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corrente de carga circula atravs de RE.

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Com o acrscimo da corrente do capacitor a tenso no

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resistor sofre um aumento instantneo.

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A diferena de tenso entre base e emissor do transistor

...............................................

que est saturado diminui devido ao acrscimo na tenso do

...............................................

emissor.

...............................................
...............................................

T1 antes do pulso

...............................................

T1 durante do pulso

...............................................
...............................................

VB1 = 1,75V

...............................................

VB1 = 1,7V

...............................................
...............................................

VE = 1V

...............................................

VE |

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92
SENAI-PR

Logo:

...............................................

VBE = 0,75V

...............................................

VBE |

...............................................
...............................................

Dependendo da amplitude da agulha no emissor, o VBE

...............................................

do transistor saturado levado a zero fazendo com que o tran-

...............................................

sistor saia da saturao para o corte. O outro transistor que

...............................................

estava cortado levado a saturao.

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...............................................

Os grficos da figura ilustram o comportamento do cir-

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cuito.

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A transio de subida na entrada provoca o disparo do
biestvel fazendo um a troca de estados.

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93
SENAI-PR

A transio de descida descarrega o capacitor, provo-

...............................................

cando um pulso negativo no resistor do emissor. Este decrs-

...............................................

cimo na tenso dos emissores no altera o estado biestvel

...............................................

porque provoca um aumento no VBE do transistor que est

...............................................

saturado.

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Pelo que foi descrito, verifica-se apenas as transies

positivas do pulso de entrada provocam a troca de estados do
multivibrador.

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Os grficos da figura mostram uma srie de impulsos

de entrada e o comportamento do multivibrador.

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94
SENAI-PR

O ideal seria que a transio de um estado para o outro

...............................................

fosse instantnea, com tempos de subida e descida pratica-

...............................................

mente nulos.

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...............................................

Entretanto, o transistor que est saturado, tem um gran-

...............................................

de acmulo de portadores na base, o que faz com que seja

...............................................

necessrio algum tempo para que saia de saturao para o

...............................................

corte. O resultado desta carga armazenada na base do tran-

...............................................

sistor saturado a causa da demora para a ocorrncia da

...............................................

transio completa.

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A velocidade de transio pode ser aumentada acrescentando-se um capacitor em paralelo com cada um dos
resistores de base do multivibrador. Estes capacitores so
denominados de capacitores de acelerao ou comutao.

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95
SENAI-PR

A figura mostra o circuito do biestvel com os capacitores

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de comutao.

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Estes capacitores provocam a retirada rpida das car-

...............................................

gas armazenadas na base do transistor saturado causando

...............................................

uma diminuio nos tempos de subida e descida das transi-

...............................................

es.

...............................................
...............................................
Os capacitores de comutao permitem

...............................................

uma transio mais rpida entre os estados no

...............................................

multivibrador biestvel.

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...............................................
...............................................

B) Disparo pela base

...............................................

O circuito de disparo pela base utiliza-se de uma rede

diferenciadora acrescida de um diodo em cada transistor.

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96
SENAI-PR

O circuito de gatilhamento composto pelos capacitores

C3 e C4, diodos D1 e D2 e resistores RD1 e RD2.

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...............................................

Considerando T1 saturado e T2 cortado, as tenses nos

transistores so (considerando VCC = 12V e VRE = 1V):

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A tenso no coletor de T1 est presente no ctodo de D1

e a tenso no coletor de T2 est presente no ctodo de D2.

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Observando atentamente, verifica-se que o diodo D1 est

...............................................

praticamente em conduo enquanto o diodo D2 est comple-

...............................................

tamente bloqueado.

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97
SENAI-PR

Nesta situao, a alta polarizao inversa de D2 impede

...............................................

que qualquer impulso chegue a base de T2 (transistor corta-

...............................................

do) . J o diodo D1 (conectado base do transistor saturado)

...............................................

est praticamente em conduo.

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...............................................

Quando for aplicado um impulso entrada de disparo,

ele ser direcionado apenas para o transistor saturado.

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...............................................

Nos circuitos de disparo, pela base,

...............................................

o impulso de disparo sempre

...............................................

enviado base do transistor que est saturado.

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necessrio analisar como o transistor saturado reagir ao impulso de disparo. Tomando como ponto de partida as
condies do transistor saturado, conforme mostra a figura.

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Durante a subida do pulso de disparo, a tenso do ponto

...............................................

A (figura anterior) torna-se mais positiva. Gera-se uma agulha

...............................................

positiva no ctodo de D1 devido a corrente de carga do capacitor

...............................................

atravs de RD1.

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98
SENAI-PR

O diodo D1 que estava quase conduzindo, recebe um

...............................................

impulso positivo no ctodo, o que faz com que ele fique

...............................................

mais polarizado inversamente.

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...............................................

Conclui-se que a transio positiva no disparo no alte-

...............................................
...............................................

ra a condio do circuito.

...............................................
Na transio negativa, a corrente do capacitor circula em
sentido contrrio, gerando um pulso negativo no ctodo de D1.

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O pulso negativo no ctodo de D1 coloca D1 em condu-

...............................................

o, de forma que provoca um pulso negativo na base de T1,

...............................................

reduzindo instantaneamente a tenso de base e levando T1 ao

...............................................

corte.

...............................................
...............................................
Resumindo:

...............................................
...............................................

O pulso negativo passa atravs de D1, chega a base

...............................................

e leva T1 da saturao ao corte.

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Logo, a cada transio negativa do pulso de disparo

o transistor saturado ir para o corte e vice versa,
caracterizando uma troca de estados de biestvel.

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...............................................

A figura a seguir mostra o comportamento da tenso nos

coletores de T1 e T2 para uma srie de pulsos aplicados ao
circuito de disparo pela base.

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99
SENAI-PR

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Comparando a forma de onda de entrada e do coletor de

...............................................

T1 ou T2, verifica-se que 4 pulsos de entrada (4 transies po-

...............................................

sitivas e 4 negativas) na entrada provocam 2 pulsos no coletor

...............................................

de T1 e 2 pulsos no coletor de T2.

...............................................
...............................................

A sada de um dos coletores fornece pulsos cuja fre-

...............................................

qncia exatamente a metade da freqncia dos pulsos de

...............................................

disparo.

...............................................
...............................................

A freqncia dos pulsos no coletor de um dos

transistores do multivibrador, a metade
da freqncia dos pulsos de disparo.
O multivibrador biestvel um divisor
de freqncias por 2.

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...............................................

Esta uma das aplicaes mais

...............................................

usadas do multivibrador biestvel.

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
100
SENAI-PR

...............................................

MULTIVIBRADOR MONOESTVEL

...............................................
...............................................
...............................................

Introduo

...............................................
Este fascculo tratar do multivibrador monoestvel. Voc

...............................................

no conhece o circuito, mas certamente j esteve as voltas

...............................................

com ele.

...............................................
...............................................

Quando voc vai, noite, visitar um amigo que mora em

...............................................

um prdio de apartamentos, os corredores esto escuros.

...............................................

Voc imediatamente procura a chave que aciona luz das

...............................................

escadarias . quando voc aciona a chave, as lmpadas

...............................................

acendem e aps algum tempo voltam a apagar, permanecendo

...............................................

apagadas a menos que algum volte a acionar a chave.

...............................................
...............................................

Pois o circuito que comanda estas lmpadas se

comporta exatamente como multivibrador monoestvel.

...............................................
...............................................
...............................................

O objetivo deste fascculo que voc entenda como

...............................................

funciona o circuito bsico capaz de executar este tipo de

...............................................

trabalho.

...............................................
...............................................
...............................................

Multivibrador monoestvel

...............................................
O multivibrador monoestvel um

...............................................

circuito que possui um estado estvel

...............................................

(permanente) e outro semi- estvel que dura

...............................................

apenas algum tempo.

...............................................
...............................................

O circuito monoestvel permanece

...............................................

no seu estado estvel enquanto no houver

...............................................

um estmulo externo. Quando h um pulso

...............................................

de disparo o circuito troca de estado

...............................................

durante algum tempo e depois retorna

...............................................

sozinho ao estado estvel.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Impulso de disparo

...............................................
...............................................
101
SENAI-PR

O tempo de permanncia no estado instvel (tempo T

...............................................

na primeira figura acima) depende dos valores dos

...............................................

componentes do circuito.

...............................................
...............................................

A figura a seguir mostra um circuito tpico do multivibrador

...............................................

monoestvel alimentado apenas por uma tenso CC (existem

...............................................

monoestveis com alimentao simtrica).

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...............................................
...............................................

importante observar que este circuito possui apenas

...............................................

um elo de realimentao, puramente resistivo, entre o coletor

...............................................

T2 e a base de T1. O outro elo de realimentao ocorre atravs

...............................................

de um capacitor.

...............................................
...............................................

O capacitor C1 um elemento fundamental no circuito

...............................................

monoestvel, razo pela qual se faz necessrio relembrar

...............................................

alguns conceitos relativos ao potencial relativo.

...............................................
...............................................

Supondo que tenha a terra

...............................................

de um circuito eletrnico e um

...............................................

capacitor com uma ddp de 10V,

...............................................

conforme mostra a figura.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
102
SENAI-PR

O terra , por definio, o potencial de referncia de

...............................................
...............................................

qualquer circuito.

...............................................
Se o lado A do capacitor carregado for conectado ao terra,

...............................................

o lado B ter um potencial de 10V positivo em relao ao terra.

...............................................
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...............................................
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...............................................
...............................................

Por outro lado, se o lado B do capacitor (lado positivo)

for conectado ao terra o lado A ficar 10V negativos em relao
ao terra.

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...............................................
...............................................

Uma vez revisado este aspecto pode-se ento passar

...............................................

anlise nos princpios de funcionamento do multivibrador

...............................................

monoestvel.

...............................................
...............................................

Como no possvel garantir o estado inicial do

...............................................

monoestvel a partir da alimentao, ser tomada como ponto

...............................................

de partida a condio

...............................................

estvel. Esta condio

...............................................

, na figura a seguir, T2

...............................................

saturado e T1 cortado.

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...............................................
103
SENAI-PR

Admitindo-se que a corrente de emissor do transistor

...............................................

saturado (T2) provoque uma queda de tenso de 1V, as tenses

...............................................

do circuito em relao ao terra, na condio estvel, seriam

...............................................

as mostradas na figura abaixo.

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...............................................
...............................................

Os pontos importantes a observar so:

...............................................

T2 :

...............................................

VE = 1V

...............................................

VB = 1,7V

...............................................

VC = 1,3V

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

T1 :

...............................................

VE = 1V

...............................................

VB = 1,3V

...............................................

VC = 10V

...............................................
...............................................
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...............................................
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...............................................
...............................................
104
SENAI-PR

 A corrente de base necessria para a saturao de T2

...............................................
...............................................

(IB2) fornecida atravs de RB2.

...............................................

A tenso V BE de T 1 (0,3V) muito pequena para

...............................................

provocar a conduo na juno BE de T1, o que

...............................................

garante que T1 permanea cortado.

...............................................
...............................................

Este estado estvel e permanecer inalterado enquanto

...............................................

no houver um disparo. Alguns autores de livros de eletrnica

...............................................

denominam o estado estvel de monoestvel como estado

...............................................

de repouso.

...............................................
...............................................
...............................................

Um multivador monoestvel permanece no estado

...............................................

de repouso enquanto no receber um impulso

...............................................

de disparo externo.

...............................................
...............................................
...............................................

Os grficos da figura abaixo mostram as condies das

...............................................

duas bases e dois coletores dos transistores do circuito em

...............................................

relao ao terra.

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105
SENAI-PR

...............................................

Disparo do monoestvel

...............................................
O disparo responsvel pela passagem do monoestvel

...............................................
...............................................

para o estado semi- estvel.

...............................................
Antes de estudar o comportamento do disparo
fundamental observar a condio de C1 no circuito.

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...............................................
...............................................

A ddp no capacitor de 8,3V (+10V de um lado e +1,7V

do outro). O lado A 8,3V positivos em relao ao lado B ou
o lado B negativo 8,3V em relao ao lado A.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Para disparar o monoestvel so possveis vrias

maneiras, dentre elas:

...............................................
...............................................
...............................................

Um impulso positivo emissor dos transistores

...............................................

Um impulso negativo na base do transistor saturado

...............................................
...............................................

Um impulso positivo nos emissores pode ser obtido

...............................................

atravs de um cir-

...............................................

cuito diferenciador,

...............................................

de forma semelhante

...............................................

ao usado nos bies-

...............................................

tveis.

...............................................
...............................................

A figura a se-

...............................................

guir mostra o mono-

...............................................

estvel com o capa-

...............................................

citor acrescentado

...............................................

para a entrada do

...............................................

pulso de disparo.

...............................................
...............................................
106
SENAI-PR

Na transio positiva o diferenciador provoca um impulso

...............................................

positivo nos emissores dos transistores. O sbito aumento na

...............................................

tenso do emissor faz com que V BE de T 2 caiai

...............................................

instantaneamente a zero.

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O transistor T2 passa instantaneamente da saturao

para o corte, de forma que o seu VCE aumente rapidamente. A
tenso alta no coletor de T2 provoca uma corrente de base em
T1 que satura (comportando-se como chave). O circuito troca
de estado.

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107
SENAI-PR

Como o impulso de disparo de curta durao, o circuito

...............................................

tenderia a voltar imediatamente ao seu estado estvel.

...............................................

Entretanto, ao saturar o transistor T1 conecta o lado A do

...............................................

capacitor aos emissores.

...............................................
...............................................
...............................................

O lado B do capacitor fica aproximadamente

...............................................

8V negativos em relao aos emissores

...............................................

dos transistores.

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...............................................

Como o lado B do capacitor est conectado base de

T2, a base de T2 fica negativa em relao ao emissor.

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108
SENAI-PR

A tenso negativa na base mantm T2 em corte mesmo

...............................................

aps o trmino do impulso de disparo. O circuito permanece

...............................................

no estado semi-estvel, tambm denominado de ativado

...............................................

(figura abaixo).

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O tempo que o monoestvel permanece ativado,

...............................................

depende do capacitor C1 e do resistor RB2, porque assim que

...............................................

T1 satura, C1 comea a carregar positivamente atravs de R B2

...............................................

(figura a seguir).

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109
SENAI-PR

A corrente de carga do capacitor comea a reduzir o

...............................................

potencial negativo do lado B de C1 e tambm da base de T2.

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Aps algum tempo, o potencial do lado B do capacitor

chega a zero e comea a tornar-se positivo novamente.

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Quando o lado B do

...............................................

capacitor atinge um potencial de

...............................................

1,5V aproximadamente, a base de

...............................................

T2 = 0,5V positivo em relao ao

...............................................

emissor, T2 comea a conduzir

...............................................

novamente, cortando T 1 . O

...............................................

circuito volta instantaneamente ao

...............................................

estado estvel. Os grficos da

...............................................

figura mostram as tenses em

...............................................

relao ao terra durante um ciclo

...............................................

completo do monoestvel.

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...............................................
110
SENAI-PR

O tempo de permanncia ativado independente da

...............................................

largura do impulso de disparo, dependendo apenas ao tempo

...............................................

C1 leva para carregar aps o disparo.

...............................................
...............................................

Como o tempo de carga de C1 depende do seu valor e

...............................................

da resistncia que limita a carga, a equao que define o tempo

...............................................

de permanncia no estado semi estvel :

...............................................
...............................................
...............................................

Tempo no estado semi-estvel T = 0,69 . R . C

...............................................
...............................................
...............................................

Se, na equao, R usado em M e C em F, a resposta

...............................................
...............................................

da equao dada em segundos.

...............................................
Outro mtodo de disparo levar um impulso negativo

...............................................
...............................................

base do transistor saturado (figura a seguir).

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...............................................
Esta forma de disparo semelhante a utilizada para o
disparo simtrico do biestvel, provocando a transio na
borda de descida do impulso do disparo.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

comum aparecer no

...............................................

multivibrador monoestvel

...............................................

um capacitor de acelerao,

...............................................

conforme mostra a figura

...............................................

abaixo, cuja a funo

...............................................

diminuir os tempos de

...............................................

transio do circuito.

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...............................................
111
SENAI-PR

...............................................

MULTIVIBRADOR ASTVEL

...............................................
...............................................
...............................................

Introduo

...............................................
Nos fascculos anteriores foram estudados os

...............................................

multivibradores biestveis e monoestveis. no ensaio desses

...............................................

circuitos foi utilizado um gerador de onda quadrada para a

...............................................

obteno dos impulsos de disparo.

...............................................
...............................................

Este fascculo tratar do multivibrador astvel cuja

...............................................

principal utilizao justamente gerar uma onda quadrada

...............................................

semelhante a fornecida pelo gerador de funes para os

...............................................

ensaios anteriores.

...............................................
...............................................

O astvel largamente empregado nesta funo,

...............................................

principalmente em circuitos digitais como relgios,

...............................................

calculadoras, etc., o que demonstra a importncia de

...............................................

compreender o seu funcionamento e conhecer as suas

...............................................

caractersticas.

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...............................................
...............................................
...............................................

Multivibrador astvel

...............................................
O multivibrador astvel um circuito que possui dois

...............................................

estados semi-estveis. Em outras palavras, o circuito assume

...............................................

uma condio durante algum tempo e depois passa para o

...............................................

outro estado durante outro intervalo de tempo. Isto ocorre sem

...............................................

a necessidade de estmulos externos.

...............................................
...............................................
...............................................

O multivibrador astvel um circuito eletrnico em

...............................................

que existe uma constante troca de estado dos transistores

...............................................

sem a necessidade de estmulos externos.

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...............................................

112
SENAI-PR

A figura mostra o circuito tpico de um multivador astvel.

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...............................................

Princpio de funcionamento do multivador astvel

...............................................
...............................................

No possvel prever o estado inicial do astvel aps a

...............................................

alimentao. Por esta razo sero tomadas como condies

...............................................

iniciais:

...............................................
...............................................

T1 saturado e T2 cortado

...............................................

Capacitores C1 e C2 descarregados (figura abaixo)

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...............................................

O transistor T2 cortado se comporta como um interruptor

...............................................

aberto. O lado 0 do capacitor C1 est conectado ao plo

...............................................

positivo da fonte atravs de RC2 e o lado C ao terra atravs da

...............................................

juno base-emissor de T1. O capacitor C1 comea a se

...............................................

carregar.

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...............................................
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...............................................
...............................................
113
SENAI-PR

A figura mostra o caminho percorrido pela corrente de

...............................................

carga C1, representando T2 (cortado) como um interruptor

...............................................

aberto.

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...............................................

Como os resistores de coletor tm valor baixo

(tipicamente centenas de ohms ou alguns k) e a juno base
emissor em conduo tambm, a carga de C 1 ocorre
rapidamente. A tenso no coletor do transmissor cortado atinge
rapidamente o valor de Vcc.

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114
SENAI-PR

O lado C de C1 negativo 9,3V em relao ao lado D.

...............................................
...............................................

O transistor T1 saturado, por sua vez, conecta o lado A

...............................................

de C 2 ao terra. Como o lado B de C2 est conectado a

...............................................

alimentao atravs de RB2 inicia-se um processo de carga

...............................................

de C2.

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...............................................

A figura a seguir mostra o caminho percorrido pela

...............................................

corrente de carga de C2, representando T1 saturado com uma

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chave fechada.

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Como a resistncia RB2 tem valor alto (tipicamente

...............................................

dezenas ou centenas de k) o processo de carga ocorre

...............................................

lentamente, conforme mostra a figura.

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A medida que o tempo passa o lado B do capacitor vai

lentamente se tornando positivo em relao ao lado A .

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115
SENAI-PR

Como o lado B de C2 est conectado base de T2,

...............................................

quando a tenso no capacitor atingir 0,5V, T2 comea a sair

...............................................

do corte para a saturao.

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A medida que T2 satura C1 tem o seu lado D conectado

...............................................

ao terra. Lado C de C1 (negativo 9,3V em relao a D) aplica

...............................................

um potencial negativo base de T1.

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116
SENAI-PR

Com a base tornando-se negativa, T 1 que estava

...............................................
...............................................

saturado cortado instantaneamente.

...............................................
Com a troca entre os transistores saturado e cortado,
os circuitos de carga dos capacitores se alteram.

...............................................
...............................................
...............................................

As duas figuras a seguirem comparam os circuitos de

...............................................

carga iniciais dos capacitores (T1 saturado e T2 cortado) e

...............................................

aps a troca (T1 cortado e T2 saturado).

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A corrente de carga rpida de C2 atravs de T2 completa

...............................................

a saturao de T2 (levando VBET2 a 0,7V) enquanto o potencial

...............................................

negativo da base de T1 mantm T1 cortado.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
117
SENAI-PR

As duas primeiras figuras abaixo mostram o

...............................................

comportamento das tenses de base de T1 e T2 e as duas

...............................................

ltimas figuras abaixo mostram o comportamento dos

...............................................

coletores.

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A medida que C2 se carrega (lentamente), a tenso

negativa da base que mantm T2 cortado vai desaparecendo.

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118
SENAI-PR

Quando a tenso na base base de T2 torna-se positiva

...............................................

0,5V, o transistor comea a conduzir T2, que estava cortado,

...............................................

satura, fazendo com que a base de T1 recebe o potencial

...............................................

negativo acumulado em C1.

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119
SENAI-PR

O processo se repete sucessivamente, sem que seja necessrio um impulso externo

(figura a seguir).

As formas de onda nos coletores so mostradas a seguir.

120
SENAI-PR

O tempo que cada um dos transistores permanece em corte depende da resistncia e

da capacitncia associadas a sua base.
Se os dois resistores de base forem iguais e os dois capacitores tambm, a forma de
onda ser simtrica, ou seja, os tempos de corte e saturao de cada transistor sero iguais.

Se os componentes associados base de um dos transistores forem diferentes dos

associados base do outro, a simetria deixa de existir.

121
SENAI-PR

O tempo de corte de cada transistor dado pela

...............................................
...............................................

equao:

...............................................
TCORTE T1 = 0,69 . RB1 . C1

...............................................

TCORTE T2 = 0,69 . RB2 . C2

...............................................
...............................................

Ento, a freqncia de oscilao pode ser determinada

...............................................
...............................................

por:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
Realizando a diviso 1 /0,69 tem-se a equao final:

...............................................
...............................................

FREQNCIA DO ASTVEL

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Se os valores de R estiverem em M e os de C em F, a

...............................................
...............................................

resposta ser a freqncia em Hertz (Hz).

...............................................
Se o multivibrador for simtrico (RB1 = RB2 e C1 = C2) , a

...............................................
...............................................

equao pode ser reduzida para:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
Correo de flanco de subida dos pulsos

...............................................
...............................................

de

...............................................

subida da forma de

...............................................

onda dos coletores

...............................................

exponencial, porque

...............................................

corresponde a carga

...............................................

dos capacitores atravs

...............................................

dos

...............................................

flanco

resistores

de

...............................................

coletor.

...............................................
...............................................
...............................................
122
SENAI-PR

Este arredondamento na subida dos pulsos nos coletores

...............................................

pode ser eliminado acrescentando um diodo e um resistor ao

...............................................

circuito.

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...............................................
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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Quando T1, por exemplo, vai para o corte, a tenso do

nodo de D1 torna-se mais positiva que o ctodo. O diodo D1
corta.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

A figura mostra a situao logo aps o corte de T1,

apresentando o diodo D 1 e o transistor cortados como
interruptores abertos.

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...............................................
...............................................

Conforme mostra a figura, a corrente de carga de C2

...............................................

no circula mais atravs do resistor de coletor RC1 (circulando

...............................................

atravs de R). Com isto, a tenso no coletor do transistor sobe

...............................................

para VCC assim que o transistor corta.

...............................................
...............................................
123
SENAI-PR

A figura abaixo mostra as formas de onda nos coletores

...............................................
...............................................

dos transistores com correo.

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...............................................
Este tipo de onda quadrada muito utilizada nos circuitos
digitais, onde recebe o nome de clock (relgio).

...............................................
...............................................
...............................................

comum, tambm, encontrar multivibradores astveis

com um resistor de emissor comum aos dois transistores.

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...............................................
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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Este resistor propicia uma transio mais rpida entre

os estados de saturao e de corte do transistor.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

124
SENAI-PR

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE

...............................................
...............................................

JUNO JFET

...............................................
...............................................
Os transistores bipolares (estudados nos captulos

...............................................

anteriores) so dispositivos controlados por corrente, isto , a

...............................................

corrente de coletor controlada pela tenso ou pelo campo

...............................................

eltrico. So os chamados transistores de efeito de campo

...............................................

ou simplesmente FET (do ingls Field-Effect Transistor).

...............................................
...............................................

A grande vantagem do FET sobre o transistor bipolar

...............................................

sua altssima impedncia de entrada (da ordem de dezenas a

...............................................

centenas de Megaohm) alm de ser um dispositivo de baixo

...............................................

rudo.

...............................................
...............................................
O primeiro tipo a ser estudado denominado JFET

...............................................
...............................................

(Juction Field-Effect Transistor).

...............................................
...............................................
...............................................

Aspectos construtivos do JFET

...............................................
O JFET um dispositivo unipolar (o que significa que

...............................................

apenas um tipo de portador,

...............................................

eltron

...............................................

responsvel pela corrente

...............................................

controlada). Fisicamente,

...............................................

podem ser encontrados dois

...............................................

tipos de JFET: JFET Canal

...............................................

N e JFET Canal P. Na figura

...............................................

a seguir, tem-se o aspecto

...............................................

construtivo e o smbolo de

...............................................

cada um deles.

...............................................

ou

lacuna,

...............................................
Aspectos construtivos

...............................................

e smbolos dos JFETs

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
125
SENAI-PR

O JFET formado por trs terminais fonte (source)

...............................................

por onde os eltrons entram, dreno (drain) de onde os

...............................................

eltrons saem e porta (gate) que faz o controle da passagem

...............................................

dos eltrons.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Construo do JFET

...............................................
O aspecto construtivo mostrado na figura anterior,

...............................................

utilizado apenas para fins didticos. Na prtica, extremamente

...............................................

complicado o processo de dopagem nos dois lados de um

...............................................

substrato. A figura a seguir mostra, atravs de uma geometria

...............................................

simples e prtica, o esquema de construo (desenho

...............................................

simblico) de um JFET canal N.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Geometria Prtica de um JFET (canal N)

...............................................
Nosso estudo ser feito sobre o JFET canal N. O
funcionamento do JFET canal P complementar, o que
significa que, no estudo deste, deve-se considerar as correntes

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

e tenses de forma invertida.

...............................................
...............................................
...............................................

Funcionamento do JFET

...............................................
O princpio de funcionamento do JFET bem simples.
O objetivo controlar a corrente iD que circula entre a fonte e
o dreno. Isto feito aplicando-se uma tenso na porta.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

126
SENAI-PR

Com o potencial de porta igual a zero, ou seja, VG = 0 ou

...............................................

VGS = 0, aplicando-se uma tenso entre o dreno e a fonte (VD

...............................................

ou VDS) surgiu uma corrente iD como a indicada na figura abaixo.

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...............................................

Corrente entre dreno e fonte

...............................................
...............................................
...............................................

Curvas de drenos

...............................................
Com uma pequena tenso entre dreno e fonte vDS, a

...............................................

regio N funciona como uma resistncia, , com a corrente iD

...............................................

aumentado linearmente com vDS. Mas, conforme a tenso VDS

...............................................

aumenta, aparece uma tenso entre a fonte e a regio da porta,

...............................................

polarizando reversamente essa juno. Isso faz com que a

...............................................

camada de depleo aumente, estreitando o canal, o que

...............................................

aumenta a resistncia da regio N, fazendo com que diminua

...............................................

a taxa de crescimento de iD como se v na figura.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Aumento da camada de depleo e estreitamento do canal

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

127
SENAI-PR

A partir de um certo valor de vDS, ocorre estrangulamento

...............................................

do canal (estreitamento mximo), fazendo com que a corrente

...............................................

iD permanea praticamente constante. Essa tenso chamada

...............................................

de tenso de estrangulamento ou pinch off (V po ) e

...............................................

corresponde tenso mxima de saturao do JFET. A

...............................................

corrente de dreno para VGS = 0, no seu ponto mximo,

...............................................

denominada corrente de curto-circuito entre dreno e fonte

...............................................

ou drain-source shorted current (IDSS) e corresponde

...............................................

corrente mxima de dreno que o JFET pode produzir.

...............................................
...............................................

O grfico da figura abaixo apresenta a curva caracterstica

...............................................

de sada de um JFET (iD x vDS) para VGS = 0V. Este grfico

...............................................

denominado curva de dreno.

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...............................................
...............................................
...............................................

Curva de dreno para VGS = 0V

...............................................
...............................................
Aplicando-se entre porta e fonte uma tenso de

...............................................

polarizao reversa (VGS1 < 0), haver um aumento na camada

...............................................

de depleo, fazendo com que o estrangulamento do canal

...............................................

ocorra para valores

...............................................

menores de VDS e iD. O

...............................................

mesmo

para

...............................................

outros valores negativos

...............................................

de VGS, conforme mostra

...............................................

a figura.

...............................................

ocorre

...............................................
...............................................
...............................................

Curvas de dreno de um JFET

...............................................
...............................................
128
SENAI-PR

Portanto, para cada valor de VGS, obtm-se uma curva

...............................................

caracterstica de dreno, at que ele atinha a tenso de corte

...............................................

= Vp na qual iD praticamente zero.

...............................................
...............................................

importante observar que, para qual JFET, a tenso de

...............................................

corte VP igual, em mdulo, tenso de estrangulamento do

...............................................

canal ( Vpo).

...............................................
...............................................
...............................................

Vp = Vpo

...............................................
O fato de VGS ser negativo, faz com que a corrente atravs

...............................................

da porta (iG) seja desprezvel, garantindo uma altssima

...............................................

impedncia de entrada (ZE).

...............................................
...............................................

Essa resistncia pode ser calculada atravs da tenso

...............................................

mxima VGS que causa o corte do JFET (com VDS = 0 ) e da

...............................................

corrente de porte de corte IGSS.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Note que h uma grande semelhana entre as curvas

...............................................

de dreno do JFET e a curva caracterstica de sada do transistor

...............................................

bipolar, tendo, inclusive, as regies: corte, saturao, ativa,

...............................................

e de ruptura.

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...............................................
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...............................................
...............................................
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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Regies das curvas de dreno

...............................................
...............................................
129
SENAI-PR

Nesta figura, esto representados alguns dos parmetros

...............................................
...............................................

do JFET encontrados nos manuais tcnicos:

...............................................
...............................................
IDSS = corrente mxima que o JFET pode produzir, na

...............................................

qual ocorre o estrangulamento do canal quando

...............................................

VGS = 0.

...............................................
...............................................

Vpo = tenso mxima de saturao ou de estrangula-

...............................................
...............................................

mento (pinch off).

...............................................
Vp = tenso na qual ocorre o corte de dispositivo.

...............................................
...............................................

BVDSS = tenso de ruptura do dispositivo para VGS = 0.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Curva de transferncia

...............................................
A curva de transferncia ou de transcondutncia

...............................................

mostra como iD varia em funo da tenso VGS aplicada

...............................................

porta, conforme mostra a figura.

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...............................................
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...............................................
...............................................
...............................................

Curva de transferncia

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
130
SENAI-PR

Note que um de seus pontos IDSS, isto , esta curva

...............................................

obtida para o maior valor de VDS indicado na curva de dreno.

...............................................

Porm, como na regio ativa da curva de dreno a variao VDS

...............................................

causa uma variao muito pequena em iD, esta curva pode

...............................................

ser considerada vlida para qualquer valor de VDS nesta regio.

...............................................
...............................................

Esta curva um trecho de parbola que tem como

...............................................
...............................................

equao:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
a curva de

...............................................

transferncia. Assim, a partir desta equao, possvel obt-

...............................................

la. Esta equao vlida para qualquer JFET, pois deduzida

...............................................

a partir das caractersticas fsicas de funcionamento do

...............................................

dispositivo.

...............................................

Alguns fabricantes no fornecem

...............................................
O JFET um dispositivo com tolerncias muito

...............................................

elevadas. Por isso, os manuais fornecem as curvas tpicas

...............................................

(ou mdias) de dreno e de transferncia, ou valores mximos

...............................................

e mnimos para o par IDSS e Vp, o que resultaria numa curva de

...............................................

transferncia com duas parbolas, sendo uma para valores

...............................................

mximos e outra para valores mnimos.

...............................................
...............................................
...............................................

Exemplo:

...............................................
Para o JFET BF245A,

...............................................

o manual do fabricante

...............................................

fornece

...............................................

as

seguintes

...............................................

curvas e dados:

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
131
SENAI-PR

Assim, com os dados mximos e mnimos de IDSS e Vp e

...............................................

atravs da equao da curva de transferncia, as duas

...............................................

parbolas podem ser traadas, como mostradas a seguir:

...............................................
...............................................
...............................................

Pontos da parbola mnima:

...............................................
...............................................
...............................................
para VGS = 0,3V ID = 0,32mA

...............................................

para VGS = 0,1V ID = 1,28mA

...............................................
...............................................
...............................................

Pontos da parbola mxima:

...............................................
...............................................
...............................................
para VGS = 6V ID = 0,41mA

...............................................

para VGS = 3V ID = 2,54mA

...............................................

para VGS = 1V ID = 5mA

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Isto quer dizer que os processos de polarizao devem

...............................................

se apoiar nas curvas tpicas ou levar em conta essa tolerncias,

...............................................

de forma a se obter o ponto timo de operao do transistor.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

132
SENAI-PR

1) O que tenso de estrangulamento?

............................................................................................................................
.............................................................................................................................
...........................................................................................................................
2) Qual o significado de IDSS?
............................................................................................................................
.............................................................................................................................
...........................................................................................................................
3) O que tenso de corte?
............................................................................................................................
.............................................................................................................................
...........................................................................................................................
4) Qual a relao entre a tenso de estrangulamento e a tenso de corte?
............................................................................................................................
.............................................................................................................................
...........................................................................................................................
5) Pesquise um manual de JFET e faa o levantamento dos principais
parmetros do BF256C.
............................................................................................................................
.............................................................................................................................
...........................................................................................................................
6 ) Determine a impedncia de entrada BF256C.
............................................................................................................................
.............................................................................................................................
...........................................................................................................................
133
SENAI-PR

...............................................

MOSFET

...............................................
...............................................

O nome MOSFET vem da abreviao Metal Oxide

...............................................

Semiconductor Field Effect Transistor (Transistor de Efeito

...............................................

de Campo Metal-xido-Semicondutor). Isto porque, na sua

...............................................

construo, o contato metlico do terminal de porta separado

...............................................

do substrato por uma camada isolante do dixido de silcio

...............................................

((SiO2).

...............................................
...............................................

Por ter a porta isolada do substrato, a impedncia de

...............................................

entrada do MOSFET ainda maior que a do JFET, fazendo

...............................................

com que a corrente da porta seja praticamente nula.

...............................................
...............................................

O surgimento do MOSFET representou um grande

...............................................

avano tecnolgico por ser de fabricao muito simples, ter

...............................................

alto desempenho (alta impedncia da entrada e baixo rudo), e

...............................................

propiciar integrao em larga escala, isso , pelo fato de possuir

...............................................

tamanho muito reduzido (cerca de 20 vezes menor que o

...............................................

transistor bipolar), permite que um grande nmero de

...............................................

transistores sejam produzidos num mesmo circuito integrado.

...............................................
...............................................

Existem dois tipos de MOSFETs que sero estudados

...............................................

neste captulo: MOSFET de acumulao e MOSFET de

...............................................

depleo.

...............................................
...............................................
...............................................

MOSFET de acu-

...............................................

mulao

...............................................
Na figura ao lado

...............................................

tem a construo e os

...............................................

smbolos do MOSFET de

...............................................

acumulao.

...............................................
...............................................
...............................................

Aspectos construtivos e

...............................................

simbologias do MOSFET de

...............................................

Acumulao

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
134
SENAI-PR

Como pode-se observar, o MOSFET pode apresentar o

...............................................

substrato disponvel ou curto circuitado internamente com o

...............................................

terminal de fonte, como mais comumente encontrado.

...............................................
...............................................

Tomando-se como exemplo, o MOSFET canal N,

...............................................

aterrando-se o substrato P e aplicando-se uma tenso

...............................................

positiva porta, surge um campo eltrico entre porta e

...............................................

substrato que atrai para a regio prxima porta uma curta

...............................................

quantidade de eltrons. Se este campo eltrico for suficiente

...............................................

grande, a quantidade de eltrons atrados ser responsvel

...............................................

pela formao de um canal (ou uma ponte) entre os terminais

...............................................

de dreno e fonte, como mostra figura.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

MOSFET de acumulao canal N com camada de inverso

...............................................
...............................................

Embora o material prximo porta seja do tipo P (cujos

...............................................

portadores so lacunas), o campo eltrico faz com que no

...............................................

canal os eltrons tornem-se majoritrios, criando uma

...............................................

camada de inverso denominada canal N.

...............................................
...............................................

Com um aumento de tenso na porta, uma maior

...............................................

quantidade de eltrons atrada, alargando o canal, diminuindo

...............................................

sua resistncia e permitindo que circule uma corrente maior

...............................................

entre dreno e fonte.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
135
SENAI-PR

...............................................

Curvas caractersticas

...............................................
A figura abaixo mostra as curvas de dreno (iD x vDS) e a

...............................................

curva de transferncia (i D x VGS) para um MOSFET de

...............................................

acumulao canal N. Note que para VGS < VT, a corrente iD

...............................................

praticamente zero. A partir de VT, denominada tenso de

...............................................

liminar (threshold voltage), o aumento de corrente mais

...............................................

intenso, indicando a diminuio na resistncia entre dreno e

...............................................

fonte. Normalmente encontram-se MOSFETs com

...............................................

especificao de VT de 1 a 4V.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Curvas caractersticas do MOSFET de acumulao canal N

...............................................
...............................................
...............................................

MOSFET de depleo

...............................................
Neste dispositivo existe um canal na regio abaixo do

...............................................

dixido de silcio com o

...............................................

mesmo tipo de dpagem das

...............................................

regies de dreno e fonte,

...............................................

sendo que a concentrao

...............................................

de dopantes no canal um

...............................................

pouco

menor que nas

...............................................

regies de dreno e fonte,

...............................................

conforme

...............................................

est

esque-

...............................................

matizado na figura ao lado.

...............................................
Aspectos construtivos e

...............................................

simbologias do MOSFET de

...............................................

depleo

...............................................
136
SENAI-PR

Assim como no MOSFET de acumulao, no MOSFET

...............................................

de depleo podem-se ter ou no disponveis os terminais de

...............................................

substrato.

...............................................
...............................................
...............................................

Tomando-se como exemplo o MOSFET canal N, com

...............................................

VGS = 0 o dispositivo permite a passagem de corrente entre

...............................................

dreno e fonte, visto que j existe um canal formado. Ao aplicar-

...............................................

se uma tenso negativa porta (VGS < 0), surge um campo

...............................................

eltrico que atrai para a regio prxima porta uma certa

...............................................

quantidade de lacunas. Como a corrente no substrato tipo N

...............................................

formada por eltrons (portadores majoritrios), esta regio

...............................................

de lacunas cria uma camada de depleo que aumenta a

...............................................

resistncia do canal, como mostra a figura (a).

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

MOSFET de depleo canal N

...............................................
Aplicando-se uma tenso positiva porta ( VGS > 0), surge

...............................................

um campo eltrico que atrai para esta regio uma certa

...............................................

quantidade de eltrons. O efeito deste fenmeno semelhante

...............................................

a uma dopagem maior nesta regio, o que reduz a resistncia

...............................................

do canal, como se v na figura acima (b)

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Curvas caractersticas

...............................................
A figura a seguir, mostra as curvas de dreno (iD x VDS) e

...............................................

a curva de transferncia (iD x VGS) para um MOSFET de

...............................................

depleo canal N. Note que, para VGS 0, este dispositivo

...............................................

funciona de modo semelhante ao JFET e, para VGS > 0 ele

...............................................

funciona como um MOSFET de acumulao, mas com corrente

...............................................

inicial maior que zero (IDSS).

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
137
SENAI-PR

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
Curvas caractersticas do MOSFET de depleo canal N

...............................................
...............................................

A curva de transferncia um trecho de parbola que

tem como equao a mesma empregada para o JFET:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Aplicaes do MOSFET

...............................................
...............................................

Circuitos digitais

...............................................
O MOSFET muito utilizado na fabricao dos circuitos

...............................................

integrados de portas lgicas, registradores e memrias, entre

...............................................

outros. Isto se justifica pelo fato desse dispositivo dissipar

...............................................

baixssima potncia e, tambm, por possibilitar a integrao

...............................................

em larga escala (ocupa uma pequena rea semi-condutora).

...............................................
...............................................

Inicialmente, analisaremos o MOSFET de acumulao

canal N funcionando como chave DC, mostrado na figura.

...............................................
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...............................................

MOSFET como chave DC

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138
SENAI-PR

Para este circuito, analisaremos as seguintes situaes:

...............................................
...............................................

Se VE = VGS = 0, o transistor corta, pois VGS < VT e,

...............................................
...............................................

portanto, VS = VDS = VDD

...............................................
Se VE = VGS = VDD, para um valor adequado de RD, o
transistor satura e, portanto, VS = VDS(sat) 0V

...............................................
...............................................
...............................................

Para a implementao de circuitos lgicos utiliza-se,

...............................................

basicamente, o MOSFET como chave. Porm, como o resistor

...............................................

ocupa uma rea muito grande no circuito integrado, ele

...............................................

substitudo por um MOSFET atuando como resistor de carga.

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...............................................
...............................................

Exemplos

...............................................
...............................................

a) Porta inversora (NOT)

...............................................
O circuito da figura abaixo representa uma porta inversora

...............................................
...............................................

utilizando apenas MOSFET canal N.

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Porta inversora

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Este circuito semelhante no apresentado na figura

...............................................

anterior a esta, onde Q1 funciona como chave e Q2 como

...............................................

resistor de carga (RD). Como porta e dreno esto curto-

...............................................

circuitados em Q2, VDS2 = VGS2. Portanto este transistor sempre

...............................................

est conduzindo, garantindo a condio de VGS2 > VT2. Apesar

...............................................

da relao VDS2 /iDS2 no ser linear (vide curva VDSQ = VGSQ da

...............................................

ltima figura apresentada neste captulo), Q2 cumpre seu

...............................................

objetivo, que limitar a corrente iD1, funcionando como um

...............................................

resistor.

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...............................................
139
SENAI-PR

Tendo-se como base a anlise feita para o circuito da

...............................................

figura apresentada anteriormente, e considerando-se nvel

...............................................

lgico 1 = VDD e nvel lgico 0 = 0V, tem-se as seguintes tabelas-

...............................................

verdade correspondentes:

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...............................................
...............................................
...............................................
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b) Porta NAND

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...............................................

O circuito da figura a seguir funciona como uma porta

NAND utilizando apenas MOSFET canal F.

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...............................................

Porta NAND

...............................................
...............................................

Neste circuito Q1 e Q2 funcionam como chave e Q3 como

resistor de carga. A anlise deste circuito anloga a da
porta inversora, com a condio de que a sada Y igual a 0V
somente quando os dois transistores estiverem saturados.
Portanto, as tabelas-verdade deste circuito ficam assim
representadas:

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140
SENAI-PR

...............................................

Lgica CMOS (MOS Complementar)

...............................................
Neste tipo de circuito, os transistores atuam sempre em

...............................................

pares complementares, isto , um transistor MOSFET canal

...............................................

N. Isto confere ao circuito maior velocidade e menor dissipao

...............................................

da potncia.

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...............................................
...............................................

Exemplo:

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...............................................

Porta inversora CMOS

...............................................
O circuito da figura a seguir representa uma porta inversa

...............................................

CMOS, sendo Q1 e Q2 um par complementar (MOSFET canal

...............................................

N e MOSFET canal P, respectivamente).

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...............................................

Porta inversora CMOS

...............................................
Neste circuito, se VE = VDD Q1 satura (VGS1 > VT1) e Q2
corta ( VGS2 < VT2), portanto, VS 0V, ocorre o inverso, ou seja,
Q1 corta e Q2 satura, portanto, VS VDD. Considerando-se VE
como entrada A e VS como sada Y, tem-se a mesma tabelaverdade do circuito da porta inversora MOSFET:

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...............................................
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141
SENAI-PR

...............................................

Amplificadores de pequenos sinais

...............................................
A anlise feita no captulo anterior para os amplificadores

...............................................

de pequenos sinais como JFET totalmente compatvel com

...............................................

a de amplificadores com MOSFET do tipo depleo. Portanto,

...............................................

para amplificador o MOSFET autopolarizado, o modelo

...............................................

simplificado e as expresses so as seguintes:

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...............................................
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...............................................

Modelo simplificado do amplificador

...............................................
Condutncia de transferncia ou transcondutncia:

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...............................................
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...............................................

Impedncia de entrada total ZET

...............................................
...............................................

ZET = RG

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Impedncia de sada total vista pela carga ZST

...............................................
...............................................
...............................................

ZST = RD

...............................................
Ganho de tenso total sem carga AvT

...............................................
...............................................
...............................................

AvT = gfs . RD

...............................................
A vantagem do amplificador com MOSFET que sua

...............................................

impedncia de entrada ainda mais alta que a do JFET, podendo

...............................................

ser considerada infinita, o que o torna mais sensvel a pequenos

...............................................

sinais, principalmente por tambm ter alta imunidade a rudos.

...............................................

Por isso, ele muito utilizado como buffer (ou excitador).

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

142
SENAI-PR

1) Esboce as curvas de dreno e de transferncia para um MOSFET de

acumulao canal P.
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............................................................................................................................
...........................................................................................................................
2) Por que no pode-se utilizar a autopolarizao no MOSFET de
acumulao?
...........................................................................................................................
............................................................................................................................
...........................................................................................................................
3) Qual a desvantagem em se utilizar a polarizao por realimentao de
dreno no MOSFET de acumulao?
...........................................................................................................................
............................................................................................................................
...........................................................................................................................
4) Esboce as curvas de dreno e de transferncia para um MOSFET de
depleo canal P.
...........................................................................................................................
............................................................................................................................
...........................................................................................................................
5) Quais as vantagens de se utilizar a polarizao com VGS = 0 no MOSFET
de depleo?
...........................................................................................................................
............................................................................................................................
...........................................................................................................................
6)

Quais as vantagens na utilizao da tecnologia CMOS na fabricao

de circuitos integrados digitais?

...........................................................................................................................
............................................................................................................................
...........................................................................................................................

143
SENAI-PR

...............................................

ENCAPSULAMENTO

...............................................
...............................................

Os componentes semi- condutores de um circuito, tais

...............................................

como diodos e transistores, dissipam uma determinada

...............................................

potncia nas junes em forma de calor.

...............................................
...............................................

Em muitos casos a quantidade de calor gerada nas

...............................................

junes chega a provocar a elevao da temperatura externa

...............................................

do encapsulamento do componente. Para evitar a destruio

...............................................

do componente, muito importante que as junes no atinjam

...............................................

a temperatura de fuso.

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...............................................

A temperatura das junes de um componente

semicondutor depende fundamentalmente da relao:

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Quando a mesma quantidade de calor gerada nas

...............................................

junes e transferida para o exterior, atravs do

...............................................

encapsulamento, a temperatura das junes se mantm

...............................................

estvel.

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...............................................
...............................................

Quando a quantidade de calor transferido atravs do

encapsulamento menor que a gerada nas junes, existe

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...............................................

uma elevao da temperatura.

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Em resumo, pode-se dizer:

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...............................................
...............................................
144
SENAI-PR

...............................................
Para que a temperatura de um componente se

...............................................

mantenha estvel, a quantidade de calor

...............................................

transferido para o ambiente deve ser

...............................................

igual a quantidade gerada nas junes.

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...............................................
...............................................

Isto faz com que o encapsulamento passe a ter uma

...............................................

grande importncia, pois, atravs do encapsulamento que o

...............................................

calor transferido das junes para o exterior.

...............................................
...............................................

material

utilizado

para

construo

do

...............................................

encapsulamento sempre apresenta uma certa oposio ao

...............................................

fluxo de calor. Esta oposio denominada de resistncia

...............................................

trmica.

...............................................
...............................................

Resistncia trmica a oposio que um material

...............................................

apresenta ao fluxo de calor.

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...............................................

A resistncia trmica pela notao Rth expressa em

C/ W (graus centgrados por watt).

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...............................................
...............................................

Quanto menor a resistncia trmica do encapsulamento

...............................................

entre a juno geradora de calor e o meio ambiente, mais

...............................................

facilmente o calor dissipado.

...............................................
...............................................

Por

esta

razo,

alguns

transistores

tem

...............................................

encapsulamento metlico enquanto que outros tem o

...............................................

encapsulamento plstico.

...............................................
...............................................

A seguir, esto apresentados alguns tipos de

...............................................

encapsulamentos com suas caractersticas fsicas e trmicas,

...............................................

alm de um exemplo de transistor para cada tipo.

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...............................................

145
SENAI-PR

...............................................

Encapsulamento T0 1

...............................................
Caractersticas

...............................................

Corpo cilndrico, totalmente metlico.

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Resistncia trmica

...............................................

Da juno at o ambiente: R Rthja = 290C /W

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Exemplo tpico

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Transistor AC188

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...............................................

Observao

...............................................

290C /W significa que a temperatura de juno se eleva

...............................................

290C por Watt de potncia dissipada pelo transistor.

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...............................................

Encapsulamento T0 32

...............................................
Caractersticas

...............................................

Corpo elstico, apresentando uma placa metlica em

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...............................................

uma das faces.

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Resistncia trmica

...............................................

Rthja = 110C /W

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...............................................

Exemplo tpico

...............................................

Transistor BD135

...............................................
146
SENAI-PR

...............................................

Encapsulamento T0 3

...............................................
Caractersticas

...............................................

Corpo totalmente metlico, eletricamente ligado ao

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...............................................

coletor.

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...............................................
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Resistncia trmica

...............................................

Rthja = 60C /W

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...............................................

Exemplo tpico

...............................................

Transistor 2N3055

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...............................................
...............................................

Dissipadores de calor

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...............................................

Os dissipadores de calor so dispositivos metlicos

acoplados aos semi-condutores com o objetivo de facilitar a
transferncia de calor gerado no interior do componente para
o meio ambiente.

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147
SENAI-PR

A necessidade do uso de dissipadores surge sempre

...............................................

que a capacidade de transferncia de calor do prprio

...............................................

encapsulamento no for suficiente.

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...............................................

Os dissipadores tem a propriedade de reduzir a

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resistncia trmica entre a fonte de calor (juno) e o ambiente,

...............................................

facilitando a transferncia de calor.

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Tomando como base o transistor AC188 pode-se

...............................................

compreender como os dissipadores atuam. O transistor AC188

...............................................

apresenta uma resistncia trmica de 290C /W entre a juno

...............................................

e o ambiente.

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...............................................

A maior parte desta resistncia trmica ( 80%) se deve

...............................................

a dificuldade em transferir o calor do encapsulamento para o

...............................................

ar ambiente.

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...............................................

Utilizando-se um dissipador preso ao transistor, a rea

de dissipao do calor aumenta consideravelmente.

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Com o aumento da rea de dissipao e resistncia

trmica total entre a juno e o ar diminui.

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...............................................

148
SENAI-PR

Usando um dissipador de calor a resistncia trmica do

...............................................

transistor AC 188 pode cair de 290C/W at valores tais como

...............................................

70C /W ou menos.

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...............................................

Isto significa que, usando um dissipador, se poderia

...............................................

utilizar o transistor AC188 dissipando 4 vezes mais potncia,

...............................................

sem elevar a sua temperatura.

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...............................................
...............................................
...............................................

Tipos de dissipadores

...............................................
Existe no comrcio uma grande variedade de formas e

...............................................

dimenses de dissipadores, com uma ampla gama de valores

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de resistncia trmica. A figura abaixo mostra um tipo de

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dissipador de utilizao muito comum.

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Montagem do transistor no dissipador

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Existem dissipadores com formato prprio para cada tipo

de transistor, de forma que a fixao seja simples e prtica.

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...............................................

A figura abaixo mostra um transistor do T0 3 fixado em

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um dissipador adequado.

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149
SENAI-PR

No caso dos transistores cujo coletor est em contato

...............................................

eltrico com o encapsulamento, podem ocorrer duas situaes

...............................................

de montagem:

...............................................
...............................................

O coletor do transistor pode ficar em contato com o

dissipador ( quando o dissipador est eletricamente

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...............................................
...............................................

isolado do circuito).

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...............................................
O coletor do transistor no pode ficar em contato com
o dissipador.

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...............................................

No primeiro caso, o transistor fixado diretamente sobre

...............................................

o dissipador. A figura a seguir mostra um detalhe de montagem

...............................................

de um transistor de alta potncia diretamente no dissipador.

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Quando o transistor tiver que ser isolado do dissipador

...............................................

usa-se um fino isolante de mica, que apresenta uma baixa

...............................................

resistncia trmica (tipicamente entre 2 a 3,5C /

...............................................

W). Usa-se ainda arruelas de passagem isolantes

...............................................

para que os parafusos de fixao no toquem no

...............................................

dissipador.

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A figura mostra um detalhe de montagem

...............................................

de um transistor tipo TO- 3 isolado do dissipador.

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150
SENAI-PR

Formas para melhorar a transferncia de calor

...............................................
...............................................

Algumas providncias podem ser tomadas para melhorar

...............................................

a transferncia de calor entre a juno geradora e o ambiente,

...............................................

tais como:

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...............................................

Estabelecer a maior rea de contato possvel entre o

...............................................
...............................................

semi condutor e o dissipador.

...............................................
Ajustar firmemente o componente ao dissipador,
atravs dos parafusos.

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...............................................
...............................................
...............................................

Untar as regies de contato entre componente e mica

...............................................

e entre mica e dissipador com graxa de silicone,

...............................................

eliminando as bolhas de ar que aumentam a resistncia

...............................................

trmica.

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...............................................
...............................................

Usar dissipadores enegrecidos.

...............................................
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Aumentar a rea do dissipador.

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...............................................

Posicionar o dissipador de forma que na montagem

final as aletas fiquem na posio vertical.

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...............................................

Usar refrigerao forada, atravs de ar com

...............................................

ventiladores, gua ou leo circulante por dentro dos

...............................................

dissipadores.

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...............................................

Afastar os dissipadores e semi condutores de

elementos que tambm aqueam , tais como
transformadores e resistores de potncia.

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151
SENAI-PR

...............................................
NOES BSICAS SOBRE CIRCUITOS
INTEGRADOS

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...............................................
...............................................

O circuito integrado, normalmente denominado de CI,

...............................................

um conjunto de circuitos eletrnicos, com finalidades definidas,

...............................................

apresentados em uma nica cpsula (figuras a seguir).

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...............................................

So aplicados nos equipamentos eletrnicos com o

...............................................

objetivo de reduzir o tamanho, custo e o consumo de potncia,

...............................................

permitindo ainda maior facilidade de manuteno.

...............................................
...............................................

Processo de fabricao

...............................................
...............................................

Basicamente, os projetos e desenhos de um circuito

...............................................

integrado so elaborados em escala centenas de vezes maior

...............................................

que o circuito original, sendo depois miniaturizados, por

...............................................

processos pticos, at o tamanho real.

...............................................
...............................................

Atravs de sucessivas exposies e deposies de

...............................................

material semicondutor, os componentes so formados e

...............................................

interligados dando origem a um circuito completo.

...............................................
...............................................

A seguir esto relacionados algumas etapas da

fabricao de um CI.

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...............................................
...............................................

Elaborao do projeto, em escala ampliada, iniciando o

processo de confeco de integrados.

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...............................................

152
SENAI-PR

Armazenamento do desenho no computador para auxiliar

o projeto e refazer o desenho na sua forma final.

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...............................................

Desenho reduzido forma de mscara e reproduzido

centenas de vezes em uma placa de trabalho de vidro.

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Em um ambiente isento de impurezas, dezenas de

...............................................

bolachas espelhadas de silcio so colocadas num recipiente

...............................................

de quartzo para serem, depois, introduzidas em um forno onde

...............................................

sofrero a oxidao da superfcie, prevenindo, assim, a

...............................................

infiltrao de tomos estranhos em reas no dopadas.

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153
SENAI-PR

Etapas da bolacha at o CI

154
SENAI-PR

A figura abaixo mostra o corte lateral em um integrado,

...............................................

salientando as vrias camadas que compem uma pastilha.

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As tcnicas de fabricao atuais permitem a produo

...............................................

de um circuito integrado, para uma mquina de calcular, com

...............................................

o equivalente a 30.000 transistores em uma placa de rea

...............................................

menor que 1cm.

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...............................................

Este processo denominado de integrao em larga

escala (LSI Large Scale Integration).

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...............................................
...............................................

Nota

...............................................

J no ano de 1986, chega ao mercado o esperado super

...............................................

chip, os primeiros circuitos integrados (CIs) com linhas de 1

...............................................

micron de espessura. Esses chips de aproximadamente

...............................................

0,3cm contm mais de um milho de transistores quatro

...............................................

vezes o nmero existente nos chips atuais, de 265 K de

...............................................

memria.

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...............................................

Encapsulamento

...............................................
...............................................

Os circuitos integrados, fabricados em pequenas

...............................................

lminas de material semicondutor, necessitam de terminais

...............................................

de conexo com o exterior, de forma que possam receber

...............................................

tenses de alimentao, sinais de controle, enviar sinais de

...............................................

sada, etc.

...............................................
...............................................

A conexo entre a pequena pastilha que constitui o

...............................................

circuito integrado e o circuito exterior realizada atravs de

...............................................

pinos no seu encapsulamento.

...............................................
155
SENAI-PR

A figura abaixo mostra como se realiza a conexo entre

os pinos de encapsulamento e o circuito integrado.

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Tipos de encapsulamento

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...............................................

Existem vrios tipos de encapsulamento para circuitos

integrados.

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Atualmente existem trs tipos que so utilizados com

maior freqncia:

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Encapsulamento circular multiterminal.

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Encapsulamento em linha dupla DIL.

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Encapsulamento plano.

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A identificao dos pinos de um CI sempre deve ser feita

com base no manual ou folheto do fabricante.

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156
SENAI-PR

Confiabilidade dos circuitos integrados

...............................................
...............................................

Os circuitos integrados caracterizam-se por serem

...............................................
...............................................

dispositivos de alta confiabilidade.

...............................................
Alguns fatores que contribuem para que os CIs tenham

...............................................
...............................................

essa caracterstica so:

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Reduo do nmero de interligaes ente os

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componentes.

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Funcionamento em baixas tenses.

Controle contnuo do processo de fabricao.

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Cuidados de montagem

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Os CIs so fabricados de materiais semi-condutores,

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sensveis ao calor. Nas ocasies em que forem soldados

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diretamente aos circuitos necessrio tomar cuidados

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especiais para evitar a danificao por processo de

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aquecimento.

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Soquetes

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Os soquetes so dispositivos usados para evitar a

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soldagem de componentes diretamente aos circuitos. Os

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soquetes so soldados aos circuitos e o componente

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encaixado posteriormente. A figura mostra um circuito integrado

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encaixado no seu soquete.

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A figura mostra alguns

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tipos de soquetes para CIs.

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SENAI-PR