Amplicadores de Potencia

J.I.Huircan
Universidad de La Frontera
January 30, 2012
Abstract
Los amplicadores de potencia son convertidores que transforman la
energa de la fuente en seal de potencia de salida. Estos pueden ser tipo
clase A, AB, B y C. Los cuales tienen distintos parmetros de eciencia
y uso.
1 Introduccin
Un amplicador de potencia convierte la potencia de una fuente de corriente
continua (Polarizacin V
CC
de un circuito con transitores) a potencia de salida
en forma de seal, lo cual es controlado usando una seal de entrada. Si sobre la
carga se desarrolla una gran cantidad de potencia, el dispositivo deber manejar
una gran excursin en voltaje y corriente. Los puntos de operacin deben estar
en un rea permitida de voltaje y corriente que asegure la mxima disipacin,
(SOA, Safe Operating Area). Se deben considerar los voltajes de ruptura y efec-
tos trmicos permitidos en los dispositivos de estado slido, las caractersticas
no lineales en el funcionamiento y usar los parmetros para gran seal del dis-
positivo. La curva de la Fig. 1 muestra las caracteristicas de emisor y colector
de un transistor delimitada por el SOA, que est denido por la P
CEMAX
. [1].
CE
v
C
i
CE Max
V
CE Max
P
C Max
I
B
I =0
SOA
Figure 1: Area Segura de Operacin del Transistor.
La corriente i
C
y el voltaje V
CE
no podrn sobrepasar los mximos indicados.
1
2 Clasicacin de los amplicadores de potencia
Existen cuatro clasicaciones bsicas de amplicadores de potencia: A, AB, B
y C. En clase A, el amplicador est polarizado de tal forma que la corriente
por el colector uye durante el ciclo completo de la seal de entrada. Para clase
AB, la polarizacin del amplicador es de tal forma que la corriente de colector
solamente uye para un lapso menor a los 360
o
y mayor a los 180
o
de la onda
correspondiente. Para el funcionamiento en clase B, la corriente I
C
uir solo
durante 180
o
de la onda de entrada. Finalmente, para funcionamiento en clase
C, el dispositivo conducir durante un periodo inferior a los 180
o
correspondiente
a la onda de entrada. La Fig. 2, muestra el comportamiento del dispositivo en
las distintas clases.
Clase A
i
C
Clase B
Cl ase AB
Clase C
v
BE
2

Conduccin >
Conduccin <
Figure 2: Comportamiento para clase A, AB, B, C.
Los amplicadores tipo AB y B usan conguraciones transistorizadas lla-
madas push-pull. Cada uno de estos amplicadores posee caractersticas de
eciencia y distorsin distintos, por lo cual, sus aplicacin ser a distintas reas.
3 Relaciones bsicas en los amplicadores de po-
tencia
Para el anlisis de los amplicadores de potencia se requiere de relaciones aso-
ciadas a su funcionamiento y desempeo. Como el amplicador de potencia
convierte la potencia de CC de la fuente de alimentacin en una seal de po-
tencia en la carga, la eciencia de este proceso est dada por
=
P
L(CA)
P
CC
(1)
2
Donde es la eciencia, P
L(CA)
, es la potencia media de seal en la carga y
P
CC
, la potencia media de salida en la fuente de alimentacin.
La potencia media disipada en el dispositivo de amplicacin, considerando
un transistor bipolar como dispositivo de potencia, ser
P
CE
= P
CC
P
L
(2)
Donde P
CE
es la disipacin media de colector, P
L
es la potencia total, es
decir, P
L
= P
L(DC)
+ P
L(CA)
.
Para la determinacin de las potencias se usar (3), donde p es la potencia
instantnea, v e i son el voltaje y la corriente instantneos.
p = vi (3)
Sean v e i formas de onda periodica, con componente continua (la cual puede
ser cero) y una componente de corriente alterna, no necesariamente sinusoidal
v = V
DC
+v
CA
(4)
i = I
DC
+i
CA
(5)
Luego la potencia media en un periodo T ser
P =
1
2
_
2
0
p d!t
= V
DC
I
DC
+
1
2
_
2
0
v
CA
i
CA
d!t (6)
" P
CC
" P
CA
Donde, P
CC
es la contribucin de la componente continua y P
CA
es la
contribucin de la componente alterna a la potencia media. Considerando
v
CA
= V
m
cos !t y i
CA
= I
m
cos !t; reemplazando en la ecuacin (6), se tiene
P = V
DC
I
DC
+
1
2
_
2
0
[(V
m
cos !t) (I
m
cos !t)] d!t =
= V
DC
I
DC
+
V
m
I
m
2
= V
DC
I
DC
+
V
m
I
m
2
(7)
Como 2 =
p
2
p
2; entonces
P = V
DC
I
DC
+
V
m
I
m
p
2
p
2
= V
DC
I
DC
+V
rms
I
rms
(8)
Cuando un seal de corriente peridica tiene componente continua se expresa
el valor rms de la forma de onda como
3
I
rms
=
_
I
2
DC
+I
2
1rms
+I
2
2rms
+::: +I
2
nrms
(9)
Donde I
DC
, es la componente continua de la seal, I
1rms
es el primer ar-
mnico de la seal, I
nrms
es el nsimo armnico de la seal. Para el caso de
una seal sinusoidal con componente continua ser
I
rms
=
_
I
2
DC
+I
2
rms
(10)
4 El amplicador Clase A
En operacin clase A, el amplicador reproduce toda la seal de entrada, la
corriente de colector es distinta de cero todo el tiempo, lo cual se considera muy
ineciente, ya que para seal cero en la entrada, se tiene un I
CQ
> 0, luego el
transistor disipa potencia.
4.1 Amplicador Emisor comn
Sea la conguracin de emisor comn de la Fig. 3a, la cual funciona en clase
A. Por simplicicidad se hace la resistencia de emisor R
E
= 0. Se selecciona R
L
para mxima potencia de salida, lo que implica que la recta de carga de CA
debe pasar por la curva P
CEMAX
. El circuito equivalente de CC y CA se indica
en la Fig. 3b-c.
v
i
R
B
R
L
V
CC
(a)
V
CC
R
L
i =
C
(c)
(b)
v
CE
R
L
V
CEQ
R
L
I
CQ +
+
_
R
L
i =
C
v
CE
R
L
V
CC
R
L
+
_
Figure 3: (a) Emisor Comn. (b) CC. (c) CA.
Dependiendo del diseo, las rectas de carga estarn en dos puntos de op-
eracin Q; los cuales se intersectan con la curva P
CEMax;
de acuerdo a la Fig.
4a, se observa que I
C2
ser la mxima corriente permitida para i
C
y V
CE1
ser el
mximo voltaje permitido para v
CE
: El ptimo elegido ser el punto de reposo
Q
1
, debido a que I
C1
< I
C2
, lo cual implica una menor corriente de colector,
menor distorsin y una menor corriente de base requerida para obtener I
C
. Para
4
que la realizacin sea factible, V
CE1
debe ser menor que V
CEO
, as se tomar
que V
CE1
= V
CC
. Lo cual puede no ser necesariamente efectivo para otras
conguraciones en clase A.
CE
v
C
i
CQ
I
CE Max
V
CE Max
P
C Max
I
Q
CEQ
V
CE
v
C
i
CQ
I
CE Max
P
Q
CEQ
V
(a) (c)
CE
v
C
i
C
I
CE
V
CE Max
P
1
C
I
2
Q
2
Q
1
CE
V
1 2
(b)
C Max
I =
CC
V
L
R
CC
V
CE Max
V =
Figure 4: (a) Distintos puntos Q. (b) Punto. Q para mxima excusin simtrica.
(c) Excursin de la corriente y el voltaje.
Para valores arbitrarios I
CMax
y V
CEMax
, el punto Q estar dado por la
tangente a la curva P
CEMax
, en las coordenadas I
CQ
=
I
CMax
2
y V
CEQ
=
V
CEMax
2
de acuerdo a la Fig. 4b. Se asume que la seal de entrada puede
manejar el transistor entre el corte y la saturacin, de esta forma para una
variacin en la corriente de base, se tiene la variacin en la corriente de colector,
y una variacin en la potencia. La recta de carga de CA tiene la misma pendiente
que la recta de carga de CC. En la Fig. 4c, se observan la onda de corriente i
C
y v
CE
: Note que la excursin ser simtrica, as de acuerdo se tiene I
CQ
=
V
CC
2R
L
y V
CEQ
=
V
CC
2
.
La Fig. 5, muestra las formas de onda a travs del tiempo i
C
, v
CE
, p
CC
,
P
CE
y P
L
.
La onda de potencia instantnea de la fuente p
CC
, estar dada por el pro-
ducto V
CC
i
C
y tiene la misma forma que i
C
. P
CE
= i
c
v
CE
. Note que la forma
de onda de P
CE
tiene una frecuencia el doble de las otras formas de onda.
4.1.1 Determinacin de la Eciencia
La potencia en la carga ser
P
L
= I
2
Crms
R
L
(11)
Luego de acuerdo a (9), considerando que la corriente tiene componente
continua y alterna, se tiene
5
t
i

C
t
v

CE
I
CMax
I
CMax
2
I =
CQ
V
CE Max
V
CE Max
2
V =
CEQ
t
p

CC
P =V I
CC CQ CC
V
CC
2
R
L
V
CC
2
Figure 5: Curvas de i
C
, v
CE
y p
CC
.
P
L
=
_
_
_
I
2
CQ
+
_
I
CQ
p
2
_
2
_
_
2
R
L
= I
2
CQ
R
L
+
I
2
CQ
2
R
L
=
_
V
CC
2R
L
_
2
R
L
+
_
V
CC
2R
L
_
2
2
R
L
(12)
Entonces
P
L
=
V
2
CC
4R
L
+
V
2
CC
8R
L
(13)
P
L(CC)
" " P
L(CA)
Por otro lado, la potencia promedio entregada por la fuente ser
P
CC
= V
CC
I
CQ
=
V
2
CC
2R
L
(14)
Como la potencia disipada en el transistor debe ser la potencia de la fuente
menos la potencia en la carga, se tiene
P
CE
= P
CC
P
L
=
V
2
CC
2R
L

_
V
2
CC
4R
L
+
V
2
CC
8R
L
_
=
V
2
CC
4R
L

V
2
CC
8R
L
(15)
6
Finalmente, la eciencia estar dada por
=
V
2
CC
8R
L
V
2
CC
2R
L
= 0:25 (16)
La eciencia de este amplicador es baja, 25%, esto debido principalmente
a que se mantiene una corriente de reposo en la carga, la cual no es usada
(desperdiciada).
4.2 Conguracin emisor comn con transformador de acoplo
Sea el circuito de la Fig. 6a. Una forma de mejorar la eciencia del amplicador
clase A es usar el acoplo de la carga mediante un transformador. Cmo es eso?
R
L
V
CC
R
L
VCC
(a) (b)
'
N
p
N
s
N
p
N
s
R =
L
'
R
L
2
2
Figure 6: (a) Amplicador acoplado por transformador. (b) Equivalente.
Para CC y CA se obtienen los circuitos equivalentes de la Fig .7.
V
CC
R
L
i =
C
(a)
(b)
'
V =V
CEQ
v =
CE
CC
v
CE
R
L
'
V
CEQ
R
L
'
I
CQ +
+
_
Figure 7: Equivalentes de CC y CA
Al considerar el acoplamiento la recta de carga en CC pasa por V
CEQ
= V
CC
,
pues R
CC
= 0, luego la recta de carga de CA corta el eje del voltaje en un valor
V
CEMax
= 2V
CC
. Como consecuencia de esto, cuando no hay seal, no existir
corriente por el colector.
7
CE
v
C
i
CQ
I
CEMax
V
CE Max
P
CMax
I
Q
CEQ
V CC
=V
CC
=2V
CC
V
L
R '
= CQ
I
+
t
i

C
t
v

CE
I
CMax
I
CMax
2
I =
CQ
V
CE Max
V
CE Max
2
V =
CEQ
t
p

CC
P = V I
CC
CQ CC
V
CC
R
L
V
CC
'
(a) (b)
Figure 8: Rectas de carga de CC y CA.
4.2.1 Determinacin de la Eciencia
La potencia en la carga ser
P
L
= I
2
Crms
R
0
L
(17)
Como slo la carga recibe componente alterna, la corriente efectiva ser la
amplitud sobre
p
2; luego
P
L
=
_
I
CQ
p
2
_
2
R
0
L
(18)
Como I
CQ
=
V
CC
R
0
L
, as
P
L
= P
L(CA)
=
V
2
CC
2R
0
L
(19)
Dado que la potencia media de la fuente es P
CC
= V
CC
I
CQ
, entonces
P
CC
= V
CC
V
CC
R
0
L
=
V
2
CC
R
0
L
(20)
Finalmente, la eciencia de la conversin ser
=
P
L(CA)
P
CC
=
V
2
CC
2R
0
L
V
2
CC
R
0
L
= 0:5
Finalmente, la potencia disipada por el transistor ser
P
CE
= P
CC
P
L
=
V
2
CC
R
0
L

V
2
CC
2R
0
L
=
V
2
CC
2R
0
L
8
Note que solo existe P
L
= P
L(CA)
.
Example 1 Sea el amplicador clase A de la Fig.8, sabiendo que a la carga
R
L
se le entrega una potencia de 2 [W] :Considere la realcin de transformacin
n:1. Calcular la potencia de la fuente P
CC
y I
CQ
para que el transistor trabaje
en clase A:
Dado que el rendimiento es el 50%, se tiene
0:5 =
P
L(CA)
P
CC
=
2 [W]
P
CC
P
CC
= 4 [W]
Como P
L(CA)
=
V
2
CC
R
0
L
=
20
2
R
0
L
= 2 [W], entonces R
0
L
= 100 [] : Adems, como
P
L
=
_
I
CQ
p
2
_
2
R
0
L
;
2 [W] =
_
I
CQ
p
2
_
2
100 []
I
CQ
= 0:2 [A]
4.3 Amplicador con resistencia de emisor
Una variacin del amplicador considera R
E
6= 0; de acuerdo a la Fig. 9a.
R
L
VCC
N
p
N
s
R
E
R
2
R
1
CE
v
C
i
CQ
I
CE Max
V
CEMax
P
C Max
I
Q
CEQ
V
CC
=V
Recta de carga de CC
Recta de carga de CA
(a) (b)
Figure 9: (a) Ampilcador con R
E
:(b) Rectas de carga amplicador modicado.
Para esta situacin se tiene que la recta de CC no es del todo innita dado
el valor de R
E
como se indica en la Fig. 9b. La recta de CA ser lvemente
modicada. Sin embargo, el rendimiento permanece igual.
Example 2 Sea el amplicador de la Fig.10, determine la potencia en la carga,
la potencia entregada por la fuente y la potencia disipada por el transistor. Con-
sidere la relacin de transformacin n : 1, R
E
= 1 [] ; R
L
= 8 [] :
9
R
L
+10[V]
n:1
R
E
R
2
R
1
C
E
Figure 10: Amplicador con R
E
y C
E
.
Para CC, se tiene
10 [V ] = I
CQ
1 [] +V
CEQ
Para CA,
v
CE
= i
C
R
0
L
i
C
=
v
CE
R
0
L
+
V
CEQ
R
0
L
+I
CQ
La maxima excursin se dar cuando cuando
V
CEQ
= I
CQ
R
CA
= I
CQ
R
0
L
Luego reemplazando I
CQ
en la recta de carga de CC, se tiene 10 [V ] =
V
CEQ
R
0
L
1 [] +V
CEQ
; as se obtiene
V
CEQ
=
10 [V ]
1[]
R
0
L
+ 1
=
10 [V ]
1
8
+ 1
= 8:88 [V ]
I
CQ
=
10 [V ]
1 [] +R
0
L
=
10 [V ]
8 [] + 1 []
= 1:11 [A]
Para el clculo de las potencias se tiene
P
L(CA)
= I
2
Crms
R
0
L
=
_
I
CQ
p
2
_
2
R
0
L
=
I
2
CQ
2
R
0
L
= 4:93 [W]
P
CC
= V
CC
I
CQ
= 10 [V ] 1:11 [A] = 11:11 [W]
La potencia disipada por el transistor ser
P
CE
=
V
2
CC
2R
0
L
= 6:25 [W]
10
5 El amplicador Clase B
En esta operacin, se usa un transistor para amplicar el ciclo positivo de la
seal de entrada, mientras un segundo dispositivo se preocupa del ciclo negativo.
La conguracin se conoce como push-pull.
R
L
V
CC
N
p
N
s
+
1
N
p
2
+
Q
1
Q
2
Figure 11: Amplicador clase B.
Se requieren dos transistores para producir la onda completa. Cada tran-
sistor se polariza en al punto de corte en lugar del punto medio del intervalo
de operacin. Si el voltaje de entrada es positivo, de acuerdo a la conexin
del transformador se tiene que Q
1
conduce y Q
2
est en corte. Si el voltaje de
entrada es negativo Q
1
no conduce y Q
2
conduce. Esto permitir obtener la
onda de salida de acuerdo a la Fig.12.
R
L
V
CC
N
p
N
s
+
1
N
p
2
Q
1
Q
2
+
_
+
_
R
L
V
CC
N
p
N
s
+
1
N
p
2
Q
1
Q
2
+
_
+
_
(a)
(b)
Figure 12: Conduccin de los transistores.
La corriente de colector es cero cuando la seal de entrada es cero, por lo
11
tanto el transistor no disipa potencia en reposo. En CC, el V
CEQ
= V
CC
, y en
CA, la variacin de i
C
ser solo positiva, considerando que la recta de carga es
i
C
=
v
CE
R
0
L
+
V
CEQ
R
0
L
+I
CQ
; de la curva se tiene que I
CQ
= 0, luego para i
C
= 0,
la recta corta en v
CE
= V
CC
, de acuerdo a la Fig.13.
CE
v
C
i
CE Max
V
CE Max
P
C Max
I
Q
CC
V
CC
=V
C Max
I
2
2
CC
V
R
=
L
'
Figure 13: Rectas de Carga CA y CC del amplicador clase B.
Al considerar seal positiva en la base, el v
CE
disminuye a partir de V
CC
como se muestra en la Fig.14.
CE
v
C
i
CE Max
V
CE Max
P
C Max
I
Q
CC
V
CC
=V
C Max
I
2
2
Es ta curva cor r es ponde a un transistor (Q1)
Figure 14: Variacin en torno al punto de operacin
De la curva dada en la Fig. 13, se obtiene
I
CMax
=
V
CEMax
R
0
L
=
V
CC
R
0
L
Luego, la potencia en la carga ser nuevamente la indicada en (11). En este
caso, cada transistor opera durante un semi-ciclo, por lo tanto, el valor efectivo
de la onda ser
I
CMax
2
: As, la potencia total en la carga por cada transistor ser
P
L
=
_
I
CMax
2
_
2
R
0
L
=
_
V
CC
2R
0
L
_
2
R
0
L
=
V
2
CC
4R
0
L
(21)
12
t
i

C
I
CMax
t
i

C
t
1
iC
2
I
CMax
I
CMax
I
CC
I
CC Promed io
Figure 15: Curvas de corriente.
Luego, la potencia total en la carga suministrada por ambos transistores
P
L(CA)
=
V
2
CC
2R
0
L
(22)
Para determinar la potencia entregada por la fuente P
CC
, se requiere de-
terminar la corriente media consumida, la cual se llamar I
CC
. De acuerdo
a la Fig. 15, la onda de corriente producida sera la superposicin de los dos
semiciclos aportados por la conduccin de los dos transistores.
I
CC
=
1

_

0
I
CMax
sin(!t) d!t
=
I
CMax

_

0
sin(!t) d!t =
2I
CMax

As se tiene que
P
CC
= V
CC
2I
CMax

= V
CC
2

V
CC
R
0
L
=
2V
2
CC
R
0
L
= 0:636
V
2
CC
R
0
L
(23)
Finalmente, se tiene el redimiento
=
V
2
CC
2R
0
L
2V
2
CC
R
0
L
=

4
= 0:785 (24)
Lo que corresponde a un 78.5% de eciencia en la conversin. Por otro lado,
la potencia disipada por el colector ser
13
P
CE
=
V
2
CC

2
R
0
L
5.1 Amplicador de Simetra Complementaria
Sea el circuito de la Fig. 16 que corresponde a un amplicador de simetria
complementaria. La carga ser de acoplamiento directo.
v
i
+V
CC
-V
CC
R
L
v
o
+
_
Figure 16: Amplicador de simetra complementaria, con acoplamiento directo.
Cuando la seal de entrada es positiva, el voltaje en el emisor de Q
1
es
levemente menor que en la entrada, haciendo conducir este y dejando en corte
Q
2
. Cuando el voltaje de entrada es negativo, conduce Q
2
, quedando en corte
Q
1
, como se muestra en la Fig. 17.
v
i
+V
CC
-V
CC
R
L
v
o
+
_
+
_
v
i
+V
CC
-V
CC
R
L
v
o
+
_
+
_
Q
1
Q
2
Q
1
Q
2
Figure 17: Funcionamiento del simetra complementaria.
6 El problema de la distorsin
El problema de la conguracin es que la onda de salida tiene distorsin debido
a que los transistores no empiezan a conducir inmediatamente, dado que la seal
14
en la base debe sobrepasar el umbral V
BE
: El semi-ciclo de la salida no es una
sinusoide perfecta.
t
v (t)

o
Figure 18: Distorsin de la onda de salida.
La versin propuesta en [3] para el amplicador con transformador se mues-
tra en la Fig. 19. Para este caso en CC, se tiene la base polarizada a travs de
V
BB
y R
B
.
R
L
V
CC
N
p
N
s
+
1
N
p
2
R
B
+
V
BB
+
Figure 19: Modicacin para atenuar la distorsin.
En rigor puede ser implementada de acuerdo al circuito de la Fig.20 se con-
sidera que R
1
R
2
entregan un voltaje en la base en torno a V
BEON
. Lo cual
permite la conduccin del transistor al inicio de la onda de entrada.
R
L
V
CC
N
p
N
s
+
1
N
p
2
R
1
R
2
+
Figure 20: Disminucin de la distorsin.
Para este caso, la conduccin de ambos transistores ser mayor a 180

; lo
que hace que su funcionamiento sea llamado Clase AB.
15
V
BB
=
R
1
R
1
+R
2
V
CC
I
B
=
V
BB
V
BE
R
1
jjR
2
=
V
BB
V
BE
R
B
Esta red resitiva puede ser modicada usando un diodo, el cual permitir
obtener el voltaje requerido para la base del transistor.
R
1
R
2
R
1
D
1
V
CC
V
CC
V
BB
+
_
V
BB
+
_
Figure 21: Red de polarizacin.
7 Amplicadores Clase AB
Se dice que este amplicador posee un comportamiento en clase A y clase B [2].
En este amplicador, el funcionamiento del dispositivo de potencia es mayor a
los 180

y menor a 360

:
El amplicador de simetra complementaria puede ser modicado de acuerdo
al esquema indicado en la Fig. 22. Para lo cual se requiere que
V
BB
2
= V
BE
=
V
EB
: lo que asegure que ambos transistores queden al borde de la conduccin.
v
i
+V
CC
-V
CC
R
L
v
o
+
_
V
BB
+
+
2
V
BB
2
Figure 22: Amplicador Clase AB de simetra complementaria.
Luego un pequeo voltaje positivo hara que conduzca ale transistor NPN,
de forma anloga el transistor funcionar con un pequeo voltaje negativo en
la entrada.
16
De acuerdo a esto se indican las variantes de la Fig. 23, esto permite que
los transistores entren en operacin al recibir la seal de entrada.
v
i
+V
CC
-V
CC
R
L
v
o
+
_
R
1
R
2
R
1
R
2
v
i
+V
CC
-V
CC
R
L
v
o
+
_
R
1
R
2
R
1
R
2
(a)
(b)
v
i
+V
CC
R
L
v
o
+
_
R
1
D
1
R
1
D
2
-V
CC
(c)
Figure 23: Modicacin del amplicador con simetra complementaria (a) Di-
visor de voltaje. (b) alternativo. (c) con diodos.
8 Amplicador de simetria complementaria con
acoplamiento capacitivo
El circuito de la Fig.24 ser un amplicador de simetra complementaria con
acoplamiento capacitivo. Para este caso se tiene que la alimentacin de cada
transistor es
V
CC
2
y la carga ser R
L
.
v
i
+V
CC
R
L
v
o
+
_
Figure 24: Amplicador de simetra complementaria con acoplamiento capaci-
tivo.
De esta forma a partir de las relaciones del clase B push-pull, (22), (23) y
(24) , reeemplazando V
CC
por
V
CC
2
y R
0
L
por R
L
, se puede determinar
17
P
CC
=
2V
2
CC
4R
L
P
L
=
V
2
CC
8R
L
P
CE
=
V
2
CC

2
4R
L
Luego el rendimiento ser
=
V
2
CC
8R
L
2V
2
CC
4R
L
=

4
= 0:785
8.1 Modicacin del amplicador de simetria complemen-
taria con acople capacitivo
Debido a que este amplicador trabaja con una sola fuente, es posible modi-
carlo de acuerdo a la Fig. 25a-b.
v
i
+V
CC
R
L
v
o
+
_
R
1
R
2
R
1
R
2
v
i
+V
CC
R
L
v
o
+
_
R
1
D
1
R
1
D
2
(a)
(b)
Figure 25: (a) Modicacin con malla resistiva. (b) Usando diodos.
9 Conclusiones
Se han planteado algunos conceptos bsicos de amplicadores de potencia. Las
magnitudes ms importantes a considerar son la eciencia, la potencia en la
carga y la potencia disipada en el transistor. Cada una de las conguraciones
tiene un rendimiento diferente, es importante determinar las magnitudes asoci-
adas a las variables de tal forma de ocupar las ecuaciones adecuadas tanto para
anlisis como para diseo.
18
References
[1] Cuttler, P. (1972). Linear Electronics Circuits, McGraw-Hill.
[2] Savant, Roden, Carpenter (1993). Diseo Electrnico. Addison-Wesley.
[3] Rashid, M. (2000). Circuitos Microelectrnicos, Anlisis y Diseo. Thomson.
[4] Cirovic, M, Harter, J.(1987) Electronics Devices, Circuits and Systemas,
Englewood Clis, N.J. : Prentice-Hall
[5] Dede, E, Espi, J (1983) Diseo de Circuitos y Sistemas Electrnicos, Mar-
combo
19