Transistor de unin bipolar

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Transistor de unin bipolar. El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.

Contenido

1 Estructura 2 Funcionamiento

o o

2.1 Control de tensin, carga y corriente 2.2 El Alfa y Beta del transistor

3 Tipos de Transistor de Unin Bipolar

o o

3.1 NPN 3.2 PNP

4 Regiones operativas del transistor 5 Historia 6 Teora y Modelos Matemticos

o

6.1 Anlisis en continua

6.1.1 El modelo Ebers-Moll

6.2 Modelo en pequea seal

6.2.1 Parmetros h

7 Vase tambin 8 Enlaces externos

Estructura

Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor. La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran . El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor. El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso. Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms

simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base. Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.

Funcionamiento

Caracterstica idealizada de un transistor bipolar. En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin basecolector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base. La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.

Control de tensin, carga y corriente

La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo). En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll.

El Alfa y Beta del transistor

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor comn est representada por o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia de corriente base comn, . La ganancia de corriente base comn es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN):

Tipos de Transistor de Unin Bipolar

NPN

El smbolo de un transistor NPN. NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector. La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.

El smbolo de un transistor PNP. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo

Regiones operativas del transistor

Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa:

corriente del emisor = ( + 1)Ib ; corriente del colector= Ib Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal. Regin inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los

BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo. Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:

corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0) De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero. Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

corriente de colector corriente de emisor = corriente maxima, (Ic Ie = Imax) En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando el transistor esta el saturacin, la relacin lineal de amplificacin Ic=Ib (y por ende, la relacin Ie=(+1)Ib ) no se cumple. De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un cable, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy prxima a cero. Como se puede ver, la regin activa es til para la electrnica analgica (especialmente til para amplificacin de seal) y las regiones de corte y saturacin, para la electrnica digital, representando el estado lgico alto y bajo, respectivamente.

Historia

Replica del primer transistor. El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de 1947 en la Bell Telephone Company por John Bardeen y Walter Brattain bajo la direccin de William Shockley. La versin de

unin, inventada por Shockley en 1948, fue durante tres dcadas el dispositivo favorito en diseo de circuitos discretos e integrados. Hoy en da, el uso de BJT ha declinado en favor de la tecnologa CMOS para el diseo de circuitos digitales integrados.

Teora y Modelos Matemticos

Anlisis en continua
El modelo Ebers-Moll Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operacin normal son determinadas por:

Modelo Ebers-Moll para transistores NPN

Modelo Ebers-Moll para transistores PNP

La corriente interna de base es principalmente por difusin y

Dnde:

es la corriente de emisor. es la corriente de colector. es la ganancia de corriente directa en configuracin base comn. (de 0.98 a 0.998)

es la corriente de saturacin inversa del diodo base-emisor (en el orden de 1015 a 1012 amperios) es el voltaje trmico 300 K). es la tensin base emisor. W es el ancho de la base. (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente

La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor, debido a que el valor de T es muy cercano a 1,0. En el transistor de unin bipolar una pequea variacin de la corriente base-emisor genera un gran cambio en la corriente colector-emisor. La relacin entre la corriente colector-emisor con la base-emisor es llamada ganancia, o hFE. Un valor de de 100 es tpico para pequeos transistores bipolares. En una configuracin tpica, una seal de corriente muy dbil circula a travs de la unin base-emisor para controlar la corriente entre emisor-colector. est relacionada con a travs de las siguientes relaciones:

Eficiencia del emisor: Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier regin del transistor estn expresadas ms abajo. Estas ecuaciones estn basadas en el modelo de transporte de un transistor de unin bipolar.

Dnde:

es la corriente de colector. es la corriente de base. es la corriente de emisor. es la ganancia activa en emisor comn (de 20 a 500) es la ganancia inversa en emisor comn (de 0 a 20) es la corriente de saturacin inversa (en el orden de 1015 a 1012 amperios) es el voltaje trmico 300 K). es la tensin base-emisor. es la tensin base-colector. (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente

Modelo en pequea seal

Parmetros h

Modelo de parmetro h generalizado para un BJT NPN. Reemplazar x con e, b o c para las topologas EC, BC y CC respectivamente. Otro modelo comnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de parmetro h. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unin bipolar y permite un fcil anlisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado para desarrollar modelos ms exactos. Como se muestra, el trmino "x" en el modelo representa el terminal del BJT dependiendo de la topologa usada. Para el modo emisor-comn los varios smbolos de la imagen toman los valores especficos de:

x = 'e' debido a que es una configuracin emisor comn. Terminal 1 = Base Terminal 2 = Colector Terminal 3 = Emisor iin = Corriente de Base (ib) io = Corriente de Colector (ic)

Vin = Tensin Base-Emisor (VBE) Vo = Tensin Colector-Emisor (VCE)

Y los parmetros h estn dados por:

hix = hie - La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia del emisor re). hrx = hre - Representa la dependencia de la curva IBVBE del transistor en el valor de VCE. Es usualmente un valor muy pequeo y es generalmente despreciado (se considera cero). hfx = hfe - La ganancia de corriente del transistor. Este parmetro es generalmente referido como hFE o como la ganancia de corriente continua (DC) in en las hojas de datos. hox = hoe - La impedancia de salida del transistor. Este trmino es usualmente especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a impedancia.

Como se ve, los parmetros h tienen subndices en minscula y por ende representan que las condiciones de anlisis del circuito son con corrientes alternas. Para condiciones de corriente continua estos subndices son expresados en maysculas. Para la topologa emisor comn, un aproximado del modelo de parmetro h es comnmente utilizado ya que simplifica el anlisis del circuito. Por esto los parmetros hoe y hre son ignorados (son tomados como infinito y cero, respectivamente). Tambin debe notarse que el modelo de parmetro h es slo aplicable al anlisis de seales dbiles de bajas frecuencias. Para anlisis de seales de altas frecuencias este modelo no es utilizado debido a que ignora las capacitancias entre electrodos que entran en juego a altas frecuencias.

TRANSISTOR FET
TRANSISTOR FET (Introduccin).
Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

2) Explicacin de la combinacin de portadores.

Puesto que hay una tensin positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirn desde el surtidor al drenador (o viceversa segn la configuracin del mismo), aunque hay que notar que tambin fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unin canal puerta, esta polarizado inversamente. En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batera y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma. Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una regin con empobrecimiento de cargas libres

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos.

3) Explicacin de sus elementos o terminales.

Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Smbolos grficos para un FET de canal N

Smbolos grficos para un FET de canal P

Fundamento de transistores de efecto de campo:

Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones. Su estructura y representacin se muestran en la tabla.

Modelo de transistor FET canal n

Modelo de transistor FET canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta estn polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturacin de la unin PN. La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de deplexin afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexin y depende de la tensin inversa (tensin de puerta).

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS. ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS

3. ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la caracterstica V-I (se trata de un dispositivo simtrico).

La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL N, lo que sigmifica que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario.

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar: APLICACIN Aislador o separador (buffer) PRINCIPAL VENTAJA USOS Impedancia de entrada alta y Uso general, equipo de medida, de salida baja receptores Sintonizadores de FM, equipo para Amplificador de RF Bajo ruido comunicaciones Baja distorsin de Receptores de FM y TV,equipos para Mezclador intermodulacin comunicaciones Facilidad para controlar Amplificador con CAG Receptores, generadores de seales ganancia Instrumentos de medicin, equipos de Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada prueba

Troceador Resistor variable por voltaje Amplificador de baja frecuencia Oscilador Circuito MOS digital

Ausencia de deriva Se controla por voltaje Capacidad pequea de acoplamiento Mnima variacin de frecuencia Pequeo tamao

Amplificadores de cc, sistemas de control de direccin Amplificadores operacionales, rganos electrnicos, controlas de tono Audfonos para sordera, transductores inductivos Generadores de frecuencia patrn, receptores Integracin en gran escala, computadores, memorias

Siempre nos va a interesar estar en la regin de saturacin, para que la nica variable que me controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la tensin de puerta.

Ecuacin de Shockley:

ID=IDSS(1VGS/Vp)2

Donde:

Vp es la tensin de puerta que produce el corte en el transistor FET. IDSS es la corriente mxima de drenador que circula por el transistor, al aumentar VDS, cuando la polarizacin de la puerta es VSG= 0 vol

PARAMETROS DEL FET La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de sumidero Vds como de la puerta Vgs. Como la unin est polarizada inversamente, suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir: Ig = 0 e Id = (Vds, Vgs) En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas (en el grfico, son

horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para pequeos incrementos de Vds y Vgs en esta forma

El parmetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de la pendiente de la curva. Que como en el grfico, dicha pendiente es cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy grande). El parmetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la separacin vertical entre las caractersticas que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio. 4) TCNICAS DE MANUFACTURA.
Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un material semiconductor slido cristalino (generalmente germanio, silicio, arseniuro de galio) con diferentes contaminaciones, que permite regular la circulacin de una corriente elctrica mediante una corriente de control, mucho menor. El primer transistor se cre en los laboratorios Bell (Estados Unidos de N.A.) en 1947, partiendo de una oblea de germanio, gracias a los trabajos de William Shockley, John Bardeen, y Walter Brattain, por lo cual recibieron el premio Nobel. En el ao 1954, la firma Texas Instruments de Estados Unidos, fabric el primer transistor de silicio, lo cual baj los costos y permiti, gracias a nuevas tcnicas de fabricacin, su comercializacin a gran escala. Han reemplazado en la mayora de las aplicaciones a los tubos vlvulas electrnicas, en los circuitos de radio, audio, etc. permitiendo la fabricacin de equipos porttiles e inmunes a vibraciones y de bajo consumo de energa (en los primeros tiempos se llamaba a los equipos transistorizados de "estado slido" o "frios").

Como se indic con anterioridad, el JFET es un dispositivo de tres terminales, siendo una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos. En nuestra explicacin sobre el transistor BJT se utiliz el transistor npn a lo largo de la mayor parte de las secciones de anlisis y diseo, con una seccin dedicada a los efectos resultantes de emplear un transistor pnp. Para el transistor JFET el dispositivo de canal-n aparecer como el dispositivo predominante, con prrafos y secciones dedicadas a los efectos resultantes del uso de un JFET de canal-p. La construccin bsica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas en material tipo p. El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante contacto hmico a la terminal denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de contacto hmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (Q). Por tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los extremos del canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p. En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarizacin. El resultado es una regin de agotamiento en cada unin, como se ilustra en la figura siguiente, que se parece a la misma regin de un diodo bajo condiciones sin polarizacin. Recurdese tambin que una regin de agotamiento es aquella regin carente de portadores libres y por lo tanto incapaz de permitir la conduccin a travs de la regin.

Transistor de unin de efecto de campo (JFET). Muy pocas veces las analogas son perfectas y en ocasiones pueden ser engaosas, pero la analoga hidrulica de la figura siguiente proporciona un sentido al control del JFET en la terminal de compuerta y a la conveniencia de la terminologa aplicada a las terminales del dispositivo. La fuente de la presin del agua puede semejarse al voltaje aplicado del drenaje a la fuente, el cual establecer un flujo de agua (electrones) desde el grifo o llave (fuente). La "compuerta", por medio de una seal aplicada (potencial), controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje". Las terminales del drenaje y la fuente estn en los extremos

opuestos del canal-n, como se ilustra en la figura anterior, debido a que la terminologa se define para el flujo de electrones.

Analoga hidrulica para el mecanismo de control del JFET. VGS = 0 V, Vds cualquier valor positivo En la figura siguiente se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a travs del canal y la compuerta se ha conectado en forma directa a la fuente para establecer la condicin VGS = 0 V. El resultado es que las terminales de compuerta y fuente se hallan al mismo potencial y hay una regin de agotamiento en el extremo inferior de cada material p, semejante a la distribucin de las condiciones sin polarizacin de la figura del transistor FET. En el instante que el voltaje vDD ( = VDS) se aplica, los electrones sern atrados hacia la terminal de drenaje, estableciendo la corriente convencional ID con la direccin definida de la figura siguiente la trayectoria del flujo de carga revela con claridad que las comentes de fuente y drenaje son equivalentes (ID = Is). Bajo las condiciones que aparecen en la figura siguiente, el flujo de carga es relativamente permitido y limitado nicamente por la resistencia del canal-n entre el drenaje y la fuente.

JFET en la regin VGS = 0 V y VDS > 0 V. Es importante observar que la regin de agotamiento es ms ancha cerca del extremo superior de ambos materiales tipo p. La razn para el cambio en la anchura de la regin se puede describir mejor con la ayuda de la figura siguiente. Suponiendo una resistencia

uniforme en el canal-n, la resistencia del canal puede dividirse en las partes que aparecen en la figura siguiente. La corriente ID establecer los niveles de voltaje a travs del canal, como se indica en la misma figura. El resultado es que la regin superior del material tipo p estar inversamente polarizada alrededor de los 1.5 V, con la regin inferior inversamente polarizada slo en los 0.5 V. Recurdese, la explicacin de la operacin del diodo, que cuanto mayor sea la polarizacin inversa aplicada, mayor ser la anchura de la regin de agotamiento, de aqu la distribucin de la regin de agotamiento que se muestra en la figura siguiente. El hecho de que la unin p-n est inversamente polarizada en la longitud del canal da por resultado una corriente de compuerta de cero amperes, como se ilustra en la misma figura. El hecho que iG = O A es una importante caracterstica del JFET.

Variacin de los potenciales de polarizacin inversa a travs de la unin p-n de un JFET de canal n. 5) Explicacin de su encapsulado e identificacin de sus terminales. La fabricacin de varios de estos dispositivos conectados en diversas configuraciones en una misma oblea de silicio, permiti crear los circuitos integrados o chips, base de todos los aparatos electrnicos modernos. Conectados de manera apropiada, permite amplificar seales muy dbiles, convertir energa, encender o apagar sistemas de elevada potencia, crear osciladores desde frecuencias bajas hasta frecuencias de radio, etc. Segn sea el orden de los materiales que forman las junturas, existen los transistores tipo NPN PNP, los cuales, en disposiciones circuitales apropiadas permiten crear una enorme cantidad de circuitos para diversos fines, ya que se complementan pues funcionan con sentidos opuestos de circulacin de corriente. En la actualidad, existen una gran variedad de transistores, de efecto de campo o FET (el electrodo de control acta por medio de campo elctrico), los tipo unijuntura, los MOS o de xido metlico (variante de los FET), y otras variaciones como los VMOS (usados para controlar grandes potencias y tensiones), etc. Existe una innumerable cantidad de diseos, especializados para alta potencia, bajo ruido elctrico, alta frecuencia, alta ganancia de corriente, alta tensin, aplicaciones de conmutacin, etc.