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Unit EAN1
Electronique analogique
Protocoles de laboratoire
3
3 3 3 4 5 5 6
2 Mesures et analyses DC
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Rsistance interne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Gnrateur quivalent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Caractristique de charge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Mesures AC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Analyse des rsultats . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9
9 9 9 9 10 10
3 Mesures et analyses AC
3.1 3.2 3.3 3.4 Pralables . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Prvisions thoriques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Mesures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Analyse des rsultats . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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11 11 12 12
15
15 15 15 15 16 16 16 18
19
19 19 20 20 20
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Source de courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6 Amplicateur inverseur
6.1 6.2 6.3 Cblage et alimentation d'un AO Caractristiques du LF 356 Amplicateur inverseur 6.3.1 6.3.2 6.3.3 6.3.4 Analyse Mesures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
25
25 25 26 26 26 27 27
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
29
29 29
1 Quelques informations
1.1 Programme du laboratoire EAN
Laboratoire EAN1 : 52 priodes = 13 sances
Initiation Spice / Matlab Mesures et analyse DC Mesures et analyse AC Mesure et modlisation d'une diode Circuits transistors A.O. : entre l'idal et ralit Priodes 12 8 8 8 8 8 Priodes 8 8 8 8 Sances 1-3 4-5 6-7 8-9 10-11 12-13 Sances 1-2 3-4 5-6 7-8 Semaines Semaines
1 Quelques informations
4. une description de l'exprience comprenant les schmas et les calculs pralables ; 5. la simulation correspondante avec schmas et rsultats graphiques ou calculs ; 6. la prsentation des mesures eectues doit tre prcise et complte ; celle-ci doit se faire en donnant : a) le schma de branchement des instruments ; b) le type et la prcision des instruments non-standard ; c) les graphes dcoulant des mesures ; 7. les tableaux de mesures sont viter car dans la plupart des cas on peut
dont
analyse critique des rsultats thoriques, simuls et exprimentaux, ceux-ci doivent tre prsents dans un tableau comparatif ;
l'analyse doit tre claire, prcise, argumente et aussi complte que possible ; sitions d'amlioration de la manipulation ;
10. la manipulation se termine en rappelant la date et l'heure de la n du travail et doit tre signe par les exprimentateurs.
TITRE DE LA MANIPULATION
1) 2)
Objectifs Description
Schmas Calculs
3)
Simulation
Schma de simulation Rsultats de simulation
4)
Mesures
Schmas de mesures Liste des appareils non-standard et de leur prcision Graphes et rsultats des mesures 5) 6)
Remarque
gression du travail, il est vident que des erreurs y apparaitront. Dans ce cas, il sut de sparer ce qui est erron par deux lignes horizontales et de bier ce qui est incorrect. L'usage intensif de la gomme n'apporte rien, bien au contraire.
dans cette partie que vous devrez faire preuve d'imagination, de crativit et d'esprit critique. C'est donc ici qu'apparatra votre personnalit et que vous montrerez votre
Ce point est susamment important pour que, dans l'apprciation de votre travail, il soit prpondrant par rapport aux autres. Vous devrez donc, pour viter une
vrier que les hypothses formules expliquent numriquement les rsultats obtenus. En particulier, une remarque telle que : Les
dirences observes sont dues au fait que le modle ne concide pas avec la ralit n'a aucun intrt si vous ne prcisez pas o se situent ces dirences et quels sont leurs eets.
sera surpondre
sera sanctionn par une insusance. lments considrs travail eectu prsentation et structure description et calculs simulation qualit des mesures analyse des rsultats apport personnel + Symboles Apprciations excellent trs bien bien susant passable insusant mauvais Note 6.0 5.5 5.0 4.5 4.0 3.5
3.0
1 Quelques informations
Comme dj dit, l'valuation de votre travail n'est pas chose aise et elle est particulirement subjective. C'est pourquoi, si vous prouvez le sentiment d'avoir t injustement not, il est de votre devoir de le dire et d'en discuter. Une bonne argumentation peut montrer une meilleure connaissance de la manipulation que ne l'a laiss accroire votre rapport.
H (j ) =
1 1 + j
avec
= RC
Une illustration de l'tude des rponses frquentielle et indicielle est donne la gure 1.1. On notera que les points exprimentaux sont bien mis en vidence et qu'ils ne doivent pas tre relis entre eux. Les courbes qui sont traces rsultent du modle thorique du circuit. On retiendra donc le point important suivant :
10
10 frquence [Hz]
10
10
= 15 sec
u2(t)
1 Quelques informations
2 Mesures et analyses DC
Caractristiques du multimtre HP34401A
RV M = 10 M, fmax = 100 kHz, RAM = 0.1 , fmax = 5 kHz
2.1 Introduction
Dans ce qui suit, vous apprendrez mesurer et modliser un mme quadriple de quatre manires direntes. Chacune de celles-ci possde ces avantages et inconvnients ; vous de les dcouvrir.
Udc = 10 [V ]. Icc
du quadriple.
Uco
et le courant de court-circuit
2. Quels sont les gnrateurs de Thvenin et de Norton quivalents de ce circuit ? 3. Quelle est la puissance maximum que peut fournir ce circuit la charge
RL ?
RL
variable.
1. Dessinez le schma de l'ensemble avec les instruments de mesure ; comment choisissez-vous leur emplacement ? 2. Comme charge variable, utilisez un potentiomtre logarithmique de quelques dizaines de k. Relevez au moins dix points rgulirement rpartis entre 0 et
Uco .
2 Mesures et analyses DC
3. Ouvrez un chier Matlab (par exemple, portez-y directement les mesures de Tracez les points 4. Avec l'aide de la bleau). 5. Que valent
thev.m) et aprs l'avoir initialis U et I ainsi que celles de Uco et Icc . mesurs avec plot(U, I, 'or'). fonction polyfit, calculez puis tracez la droite passant au
mieux parmi les points mesurs et donnez son quation (informations au ta-
Uthv , Rthv
et
Inrt
2.5 Mesures AC
Dans le cas o l'on ne peut pas mesurer une droite de charge complte ou courtcircuiter la sortie du diple, on peut obtenir sa rsistance interne en la mesurant en alternatif. Pour cela : 1. Redessinez le schma de la gure 2.1 en prcisant o vous placez les instruments de mesure ; justiez votre choix. 2. Servez-vous d'un condensateur lectrolytique de quelques connexion
F.
Cblez le cir-
3. Choisissez une frquence et une tension du gnrateur AC qui vous paraissent raisonnables ; justiez votre choix. 4. Cblez votre circuit et mesurez
Uac
et
Iac ;
calculez
Rout .
5. La mesure dpend-elle de la tension du gnrateur DC ? de la frquence et/ou de l'amplitude du gnrateur AC ? Pourquoi ? 6. Vriez votre rponse.
C Iac Udc
Circuit rsistif
Uac
Ug,ac
Dure
1 sance
10
3 Mesures et analyses AC
Caractristiques du multimtre HP34401A
RV M = 10 M, fmax = 100 kHz, RAM = 0.1 , fmax = 5 kHz
Objectifs
3.1 Pralables
1. Servez vous d'un botier correspondant ce circuit et d'une rsistance maquette. 2. Avec le multimtre, mesurez la valeur exacte de votre rsistance. 3. Les bobines et les condensateurs des maquettes ont t mesurs avec un RLCmtre. Ces valeurs sont portes dans le tableau 3.1 ; tirez-en celles correspondant votre maquette. 4. Relevez la valeur de la rsistance interne du gnrateur de tension et celle de l'impdance d'entre de l'oscilloscope.
R = 82
que vous placerez entre les bornes prvues cet eet. Notez le numro de votre
Maquettes
frlc = 1 kHz
0, 0 , ?
11
3 Mesures et analyses AC
3. Sachant que la bobine et le condensateur ont t mesurs la frquence
frlc =
1 kHz
et que les facteurs de pertes srie et parallle sont dnis comme suit
Ds
Rs Rs = , Xs L
Dp
Xp 1 = Rp CRp
recherchez et dessinez les modles de la bobine et du condensateur. 4. Dessinez le circuit lectrique complet avec le gnrateur, la bobine et le condensateur rels et l'oscilloscope. Que valent alors dB. 5. Crez un chier Matlab en suivant le modle propos dans la gure 3.1. 6. Observez, analysez et commentez la rponse frquentielle thorique du ltre.
H (0)et H () ?
Exprimez-les en
3.3 Mesures
La ralit est parfois plus complexe qu'on ne le pense. Dans ce qui suit, vous verrez apparatre le phnomne de rsonance (attendu) et celui d'antirsonance (inattendu) d la ralisation de la bobine. 1. Quel est le signal adquat pour mesurer une rponse frquentielle ? Choisissez son amplitude maximum et la frquence de 10 kHz. Reliez le gnrateur votre circuit. Avec l'oscilloscope, observez les signaux d'entre et de sortie. Laissez l'oscilloscope branch sur la sortie. 2. l'aide du voltmtre AC, mesurez les tensions d'entre et de sortie du quadriple en choisissant des frquences qui mettent bien en vidence le comportement du circuit. 3. Crez un chier
mesures.txt
valeurs mesures de la frquence et des tensions d'entre et de sortie. 4. Avec Matlab, tracez le Bode d'amplitude mesur
Hmes (f )
et observez rguli-
rement les rsultats obtenus an de vous assurer de la qualit de vos mesures. 5. Veillez avoir
liers que sont les passages par un maximum ou un minimum. Compltez vos mesures si ncessaire.
12
bobine noyau ajustable dans son pot en ferrite et son blindage, c) la bobine seule.
13
3 Mesures et analyses AC
2. Proposez un modle plus complet de la bobine et vriez vos hypothses avec une simulation Spice. 3. tablissez un tableau comparatif des rsultats obtenus avec une estimation de leur prcision. 4. Commentez et concluez.
Dure
1 sance
14
la reprsenterez par des modles linaires et exponentiel. Pour bien comprendre les informations concernant les mesures faire et les graphes tracer, commencez par lire attentivement les paragraphes 4.2.1 et 4.2.2.
4.1.1 Pralables
1. Dessinez le schma d'un circuit srie comprenant un gnrateur de tension une rsistance
Udc ,
et une diode
D =1N4148.
2. Choisissez l'emplacement des instruments de mesure vous permettant de mesurer la caractristique de la diode ; justiez votre choix. 3. Choisissez une rsistance
100 [mA].
4.1.2 Mesures
Cblez votre circuit sur une plaque de montage et modiez la valeur de la tension
Udc
ID
entre
10 [A]
et
100 [mA].
Puis :
1. Relevez la tension
UD
ID
).
2. Relevez la valeur de la rsistance interne du voltmtre puis, pour les deux points extrmes de vos mesures, calculez le courant consomm par le voltmtre et valuez l'imprcision ainsi cause sur la mesure de
ID .
4.1.3 Graphes
Portez vos mesures dans un chier Matlab, puis :
15
ID = 5
mA et 50 mA.
Vj
et la rsistance dynamique
rd = UD /ID
ID = Is eUD /nVT 1
avec :
(4.1)
ID UD Is n VT T k q
courant traversant la diode tension mesure aux bornes de la diode courant de saturation inverse facteur technologique compris entre 1 et 2 (diode Si)
= kT /q =
potentiel thermique
26 mV si T = 300 [K]
16
0.2 [V ]),
ID = Is eUD /nVT
(4.2)
On dit alors que le courant augmente exponentiellement avec la tension applique la diode ou, de manire quivalente, que la tension aux bornes de la diode crot comme le logarithme du courant :
UD = n VT ln
ID Is
= 2.3 n VT log
ID Is
(4.3)
Cette loi, valable pour des courants pas trop levs, fait que, dans un diagramme semi-logarithmique, le graphe
log ID = f (UD )
(4.4)
ID 100mA
10mA
URs
1mA
p n
Rs/2
UD UD
Rs/2
Cependant, lorsque le courant traversant une diode relle est lev, on doit encore tenir compte d'une chute de tension ohmique due la rsistance de liaison entre la diode idale et les ls de connexion (gure 4.1). La chute de tension mesure aux bornes d'une diode relle est alors dcrite par :
UD = n VT ln
ID + Rs ID Is
(4.5)
17
rd =
dUD n VT = dID ID
(4.6)
Partant des points mesurs et ports sur le graphe semi-logarithmique : 1. Tracez la main une asymptote valable pour les faibles courants. 2. partir de la pente de l'asymptote et de l'quation 4.4, calculez le facteur technologique
n.
URs ?
Tirez-en la valeur
Rs . Imod
va-
5. Calculez et tracez la courbe du modle trouv l'aide d'un courant riant de manire continue entre
10 [A]
et
100 [mA]
Imin = 10e-6 ; Imax =100e-3 ; % [I] = [A] Imod = logspace(log10(Imin),log10(Imax),200) ; Umod = n*Vt*log(Imod/Is) + Rs*Imod ; semilogy(Ud,Id,'o',Umod,Imod) ; % [I] = [A]
6. Portez sur le graphe les valeurs des paramtres
Is , n, Rs .
Is , n, Rs
Vj
et
rd trouvs pour les deux modles linaires. Calde rd pour les courants moyens ID = 5 et 50 mA.
Dure
1 sance
18
IC
= 0.1mA et 10mA ;
UBE
IC
= 1mA et 10mA ;
Voltage ) pour
la tension de saturation
UCE sont donnes ces deux informations ? UCE, sat (Collector Emitter Saturation (pour quelle valeur de ?) ;
que peut dissiper le transistor.
IC
Pmax
Analysez et commentez ces valeurs par rapport celles utilises dans le modle linaire.
RC
RB
VCC UC RE UE
VBB
19
VCC = 12 V , RE = 0.82 k , RB =
calculez :
8.2 k , RC = 6.2 k .
1. Considrant les valeurs des composants et a) le point de fonctionnement : i. les courants ii. iii.
VBB = 1.5 V ,
le transistor ;
IC, sat
et la tension
VBB, sat ;
UB , UE , UC VBB
:
au point de saturation.
UE (VBB )
et
UC (VBB ) ;
5.2.2 Simulation
1. Avec Spice, aprs avoir choisi un transistor circuit de la gure 5.1 en variant
P N 100A
ou
BCW 60B ,
simulez le
VBB
2. Sur une mme gure et trois graphes distincts, tracez les courants
courant
= IC /IB .
IC (VBB ), IC ,
de fonctionnement du transistor. Observez et commentez. 3. Sur une deuxime gure, tracez sur un mme graphe les caractristiques de transfert sions
UB (VBB ), UE (VBB ) et UC (VBB ). Avec le curseur, mesurez les tenUBE et UCE lorsque VBB = 1.5 V et 3 V. Ajoutez la main les segments
5.2.3 Mesures
1. Cblez le circuit de la gure 5.1 avec mable) et
VCC = 12 V
(alimentation DC program-
VBB = 1.5 V
2. Mesurez avec soin (4 chires signicatifs) les tensions de ces valeurs, dduisez thoriques. 3. Tout en variant
VCC , VBB , UB , UE
et
UC ;
IB , IC , IE
et
VBB
VBB ,
20
mesures = load('mesure_tensions.txt') ; VBB = mesures(( :,1) ; UB = mesures( :,2) ; UE = mesures(( :,3) ; UC = mesures( :,4) ;
b) Tracez vos mesures dans un mme graphe (sans relier les points entre eux). Sur cette gure, tracez la main les caractristiques thoriques. c) Des valeurs des tensions, dduisez les courants
IB , IC , IE ; calculez le gain . Sur une nouvelle gure, tracez les trois graphes (subplot(3,1,k)) IC , IB , en fonction de VBB .
et
UCE
lorsque
VBB = 3 V
2. Analysez et commentez l'ensemble des rsultats. Remplissez le tableau comparatif ci-dessous et concluez. Modle linaire transistor actif : Spice Mesures Fabricant
VBB = 1.5 V, IC =
UBE UCE
transistor satur :
VBB = 3.0 V, IC =
UBE UCE
VBB = 1.5 V
et
RC
RL
Rout
RC = RL . = 250 et VA = 100 V , RC = 10 k ?
calculez
I0
et la rsistance de sortie de
IC (RC ) ;
en particulier, que
IC
lorsque
21
IC
lorsque
la main
RC le transistor saturera-t-il ? Comment voluera le couRC sera suprieur RC, sat ? Sur le graphe prcdent, esquissez IC (RC ) pour RC > RC, sat . IC (URC )
pour
les parties active et sature du fonctionnement du transistor. Vous dcouvrirez alors que cette caractristique est constitue de deux segments de droite reprsentant chacune une source linaire de tension ou de courant dont vous donnerez les paramtres.
5.3.2 Simulation
1. Dans Spice, dessinez votre circuit en notant que la valeur tance variable 2. Utilisez
RC
{Rvar} de la Parameters.
rsis-
Rvar entre 1 et 30k par incrment de 100 . Lancez la simulation et tracez IC en fonction de URC . l'aide du curseur, marquez IC (URC = 0 V ) et IC (URC = 10 V ).
pour varier parez avec la rsistance de sortie thorique et estimez la valeur de par le modle Spice.
DCsweep
VA
utilise
5.3.3 Mesures
1. Cblez votre circuit avec environ pour 2. Lorsque
VBB
1.5 V
RC .
de
collecteur
RC = 0, mesurez avec soin (4 chires signicatifs) le courant IC , les tensions VBB et URB . Tirez-en le courant IB et le gain . IC
et la tension
3. Tout en variant la rsistance de collecteur, mesurez avec soin (4 chires signicatifs) le courant de collecteur colonnes directement dans un chier
URC
0.5V (relevez au moins une quinzaine de points). Portez ces rsultats sur deux
mesure_courant.txt
IC (URC )
Ilin = IC(1 :end-...), Ulin = URC(1 :end-...), extrayez les points reprsentant la partie linaire de la caractristique mesure ; utilisez polyfit
pour calculer l'quation de la droite passant au mieux par ces points.
22
polyval,
polyfit ?
Tirez-en le modle
Rout ,
VA
et
IC ;
puis rem-
I0
Rout
RC,sat
VA
Dure
2 sances
23
24
6 Amplicateur inverseur
Objectifs
Se familiariser avec l'amplicateur oprationnel et apprendre tre critique par rapport aux modles
VCC Masse
VCC 100nF 3
8 1
5 4
7 6 4
LF 356 2 3
100nF
Masse VEE
Fig. 6.1: Cblage et alimentation d'un AO
VEE
VCC = +12 V
et
VEE = 12 V ,
quelles
25
6 Amplicateur inverseur
2. Des spcications de l'amplicateur oprationnel LF356 fournies par le constructeur, tirez les valeurs moyennes du gain
A0 ,
de la frquence de transition
fT = GBW , de la variation limite SR, du taux de rjection du mode commun CMRR. Quelles sont les valeurs maximums de la tension de dcalage Uos et 0 des courants de polarisation IB 25 C ?
3. Tenant compte de ces valeurs, quel est le modle linaire thorique
Aao,th (jf )
finv,th
A.
4. Esquissez cette rponse temporelle ; que vaut sa pente l'origine ? 5. Commentez ces pentes par rapport au SR lorsque le signal d'entre vaut 0.1 V ou 1 V.
6.3.2 Simulation
Dans Spice, dessinez votre circuit (sans les capacits de dcouplage) avec un gnrateur de type
Vpulse.
in, in-
et
out.
Dans Probe,
db(V(out)/V(in-)) ; db(V(out)/V(in)) ;
A0 , fao
et
fT .
A0
et
fao ,
fT
? Commentez.
Aao,sim (jf )
26
Ainv,sim (jf ).
Ainv,th (jf )
et commentez.
Uout,max = 1 V . Mesurez son temps caractristique. Que vaut la tension de dcalage sur Uout ? Calculez la valeur de Uos du modle
lorsque
Uout,max = 10 V .
4. Observez les dirences et commentez. Si, en cours de simulation, Spice annonce des problmes de convergence, placez une capacit de 0.1pF en parallle avec la rsistance de raction.
6.3.3 Mesures
Cblez un amplicateur de gain 10, puis eectuez les mesures qui suivent. 1. Choisissez un signal (forme et amplitude) vous permettant de bien mesurer le SR de l'AO. Que vaut-il et quelle est sa particularit ? 2. Aprs avoir ramen l'amplitude de la tension de sortie environ 1 V, mesurez la constante de temps de votre amplicateur ; quel signal utilisez-vous ? 3. Pour mesurer la rponse frquentielle de votre amplicateur, quel signal (forme et amplitude) utilisez-vous ? 4. Mesurez quelques points de la rponse frquentielle l'aide de l'oscilloscope. Mesurez exactement sa frquence de coupure. Portez ces points sur le diagramme de Bode trac avec Spice. 5. Quelle est la bande passante de votre amplicateur ? 6. Observez les eets du SR sur un signal sinusodal. partir de quelle frquence estimez-vous que la sinusode est dforme ? Comparez la valeur thorique. Pour l'ensemble des mesures, observez et commentez les signaux intressants.
Dure
2 sances
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6 Amplicateur inverseur
28
29
Parameter
Maximum Repetitive Reverse Voltage Average Rectified Forward Current Non-repetitive Peak Forward Surge Current Pulse Width = 1.0 second Pulse Width = 1.0 microsecond Storage Temperature Range Operating Junction Temperature
Value
100 200 1.0 4.0 -65 to +200 175
Units
V mA A A C C
Tstg TJ
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES: 1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C. 2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
PD RJA
Characteristic
Power Dissipation Thermal Resistance, Junction to Ambient
Max
1N/FDLL 914/A/B / 4148 / 4448 500 300
Units
mW C/W
Electrical Characteristics
Symbol
VR VF
Parameter
Breakdown Voltage Forward Voltage 1N914B/4448 1N916B 1N914/916/4148 1N914A/916A 1N916B 1N914B/4448
Test Conditions
IR = 100 A IR = 5.0 A IF = 5.0 mA IF = 5.0 mA IF = 10 mA IF = 20 mA IF = 20 mA IF = 100 mA VR = 20 V VR = 20 V, TA = 150C VR = 75 V VR = 0, f = 1.0 MHz VR = 0, f = 1.0 MHz IF = 10 mA, VR = 6.0 V (60mA), Irr = 1.0 mA, RL = 100
Min
100 75 620 630
Max
Units
V V mV mV V V V V nA A A pF pF ns
IR
Reverse Current
720 730 1.0 1.0 1.0 1.0 25 50 5.0 2.0 4.0 4.0
CT
trr
Typical Characteristics
160
Ta=25 C
120
T a= 25 C
150
100
80
140
60
130
40
120
20
110 1 2 3 5 10 20 30 50 100
10
20
30
50
70
100
GENERAL RULE: The Reverse Current of a diode will approximately double for every ten (10) Degree C increase in Temperature
550
750
Ta= 25 C
Ta= 25 C
450
500
700
650
400
600
350
550
300
500
250
Forward Current, I F [m A]
Typical Characteristics
(continued)
1.6
900
Ta= 25 C
800
1.4
700
1.2
600
Ta= 25 C
1.0
500
Ta= +65 C
400
0.8
300 0.6 10 20 30 50 100 200 300 500 800 0.01 0.03 0.1 0.3 1 3 10
0.90
TA = 25 C
Ta = 25 C
3.5
0.85
3.0
2.5
0.80
2.0
1.5
0.75 0 2 4 6 8 10 12 14
1.0 10 20 30 40 50 60
500
500
400
400
DO-35
Current (mA)
300
300
200
IF(
AV )
- A VE
R AG
SOT-23
E RE C
200
TIFIE
D CU
R RE
100
NT -
mA
100
0 0 50 100
o
150
0 0 50 100 150
o
200
Ambient Temperature ( C)
Temperature [ C]
N
PN100 PN100A
C C B
MMBT100 MMBT100A
TO-92
E
SOT-23
Mark: NA / NA1
Parameter
Value
75 45 6.0 500 -55 to +150
Units
V V V mA C
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES : 1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C. 2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
PD RJC RJA
Characteristic
Total Device Dissipation Derate above 25C Thermal Resistance, Junction to Case Thermal Resistance, Junction to Ambient PN100A 625 5.0 83.3 200
Max
*MMBT100A 350 2.8 357
Units
mW mW/C C/W C/W
Electrical Characteristics
Symbol Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BVCBO BVCEO BVEBO ICBO ICES IEBO Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage* Emitter-Base Breakdown Voltage Collector Cutoff Current Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current IC = 10 A, IB = 0 IC = 1 mA, IE = 0 IE = 10 A, IC = 0 VCB = 60 V VCE = 40 V VEB = 4 V 75 45 6.0 50 50 50 V V V nA nA nA
ON CHARACTERISTICS
hFE DC Current Gain IC = 100 A, VCE = 1.0 V IC = 10 mA, VCE = 1.0 V IC = 100 mA, VCE = 1.0 V* IC = 150 mA, VCE = 5.0 V* VCE(sat) VBE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage IC = 10 mA, IB = 1.0 mA IC = 200 mA, IB = 20 mA* IC = 10 mA, IB = 1.0 mA IC = 200 mA, IB = 20 mA* 100 100A 100 100A 100 100A 80 240 100 300 100 100 100 450 600 350 0.2 0.4 0.85 1.0 V V V V
Typical Characteristics
Typical Pulsed Current Gain vs Collector Current
400
Vce = 5V 125 C
300
25 C
200
- 40 C
0.2
100
0.1
125 C - 40 C
0 10
500
400
Typical Characteristics
(continued)
1 0.8 0.6 0.4 0.2 0.1 1 10 100 I C - COLLECTOR CURRENT (mA) 300
- 40 C 25 C 125 C
= 10
Cib Cob
0.1 25
150
0.1 0.1
100
300
600 500 400 300 200 100 0 0 25 50 75 100 TEMPERATURE ( o C) 125 150
SOT-23 TO-92
200
300
December 2001
100 dB
Features
Advantages n Replace expensive hybrid and module FET op amps n Rugged JFETs allow blow-out free handling compared with MOSFET input devices n Excellent for low noise applications using either high or low source impedance very low 1/f corner n Offset adjust does not degrade drift or common-mode rejection as in most monolithic amplifiers n New output stage allows use of large capacitive loads (5,000 pF) without stability problems n Internal compensation and large differential input voltage capability
Uncommon Features
LF155/ LF355
j Extremely
Units
5 2.5 20
12 5 12
50 20 12
V/s MHz
rate
j Wide gain
Applications
n n n n Precision high speed integrators Fast D/A and A/D converters High impedance buffers Wideband, low noise, low drift amplifiers
bandwidth
j Low input
noise voltage
Simplified Schematic
00564601
DS005646
www.national.com
LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357
(Note 1)
If Military/Aerospace specified devices are required, contact the National Semiconductor Sales Office/Distributors for availability and specifications. LF155/6 Supply Voltage Differential Input Voltage Input Voltage Range (Note 2) Output Short Circuit Duration TJMAX H-Package N-Package M-Package Power Dissipation at TA = 25C (Notes 1, 8) H-Package (Still Air) H-Package (400 LF/Min Air Flow) N-Package M-Package Thermal Resistance (Typical) JA H-Package (Still Air) H-Package (400 LF/Min Air Flow) N-Package M-Package (Typical) JC H-Package Storage Temperature Range Soldering Information (Lead Temp.) Metal Can Package Soldering (10 sec.) Dual-In-Line Package Soldering (10 sec.) Small Outline Package Vapor Phase (60 sec.) Infrared (15 sec.) 215C 220C 215C 220C 260C 260C 260C 300C 300C 300C 23C/W 65C to +150C 23C/W 65C to +150C 23C/W 65C to +150C 160C/W 65C/W 160C/W 65C/W 130C/W 195C/W 160C/W 65C/W 130C/W 195C/W 560 mW 1200 mW 400 mW 1000 mW 670 mW 380 mW 400 mW 1000 mW 670 mW 380 mW 150C 115C 100C 100C 115C 100C 100C LF256/7/LF356B LF355/6/7
See AN-450 Surface Mounting Methods and Their Effect on Product Reliability for other methods of soldering surface mount devices. ESD tolerance (100 pF discharged through 1.5k) 1000V 1000V 1000V
DC Electrical Characteristics
(Note 3) Symbol VOS VOS/T TC/VOS IOS Parameter Input Offset Voltage Average TC of Input Offset Voltage Change in Average TC with VOS Adjust Input Offset Current Conditions Min RS =50, TA =25C Over Temperature RS =50 RS =50, (Note 4) TJ =25C, (Notes 3, 5) TJTHIGH 5 0.5 3 20 20 LF155/6 Typ 3 Max Min 5 7 5 0.5 3 20 1 LF256/7 LF356B Typ 3 Max Min 5 6.5 5 0.5 3 50 2 LF355/6/7 Typ 3 Max 10 13 mV mV V/C V/C per mV pA nA Units
www.national.com
LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357
DC Electrical Characteristics
(Note 3) Symbol IB RIN AVOL Parameter Input Bias Current Input Resistance Large Signal Voltage Gain Output Voltage Swing Input Common-Mode Voltage Range Common-Mode Rejection Ratio Supply Voltage Rejection Ratio (Note 6)
Conditions Min TJ =25C, (Notes 3, 5) TJTHIGH TJ =25C VS = 15V, TA =25C VO = 10V, RL =2k Over Temperature
LF155/6 Typ 30
Typ 30 10
12
Max 200 8
200
50 25
200
200
12 10 11
85 85
13 12
+15.1 12 100 100
12 10 11
85 85
13 12 15.1
12 100 100
12 10
+10 80 80
13 12
+15.1 12 100 100
V V V V dB dB
DC Electrical Characteristics
TA = TJ = 25C, VS = 15V Parameter Supply Current LF155 Typ 2 Max 4 LF355 Typ 2 Max 4 LF156/256/257/356B Typ 5 Max 7 LF356 Typ 5 Max 10 LF357 Typ 5 Max 10 Units mA
AC Electrical Characteristics
TA = TJ = 25C, VS = 15V LF155/355 Symbol SR Parameter Slew Rate Conditions Typ LF155/6: AV =1, LF357: AV =5 GBW ts en Gain Bandwidth Product Settling Time to 0.01% Equivalent Input Noise Voltage (Note 7) RS =100 f=100 Hz f=1000 Hz in Equivalent Input Current Noise Input Capacitance f=100 Hz f=1000 Hz 25 20 0.01 0.01 3 15 12 0.01 0.01 3 15 12 0.01 0.01 3 pF 2.5 4 5 1.5 5 LF156/256/ 356B Min 7.5 LF156/256/356/ LF356B Typ 12 50 20 1.5 LF257/357 Units Typ V/s V/s MHz s
CIN
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DISADVANTAGES
NPO ceramic
DA generally low, but may not be specified Limited to small values (10 nF)
Polystyrene
0.001% to 0.02%
Damaged by temperature > +85 C Large case size High inductance Damaged by temperature > +105 C Large case size High inductance Relatively expensive Large size High inductance Limited availability Available only in small capacitance values Large size DA limits to 8-bit applications High inductance Large size DA limits to 8-bit applications High inductance
MOS
0.01%
Polycarbonate 0.1%
Polyester
0.3% to 0.5%
>0.2%
>0.003%
Poor stability Poor DA High voltage coefficient Quite large Low values (<10 nF) Expensive
Aluminum electrolytic
High
Tantalum electrolytic
High
High leakage Usually polarized Poor stability Poor accuracy Inductive Quite high leakage Usually polarized Expensive Expensive Poor stability Poor accuracy