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Fachgebiet Gerhard-Mercator Universitt Duisburg

Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und


Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik


H F T






Vorlesung

Hochfrequenz Elektronik


Prof. Dr.- Ing. Klaus Solbach
Fachgebiet Hochfrequenztechnik









Basis: Lehrbuch von E. Voges Hochfrequenztechnik, Band 1, Hthig Verlag

Ergnzungen: Zinke, Brunswig
Hochfrequenztechnik 2, Springer Verlag

W.Bchtold
Mikrowellentechnik, Vieweg




WS 1. Semester, Kapitel: 1, 2, 3, 4, 5, 6

SS 2. Semester, Kapitel: 7, 8, 9, 13



Weitere Materialien
- Hilfsbltter / Formelsammlung
- Liste der Druckfehler bzgl. Lehrbuch
- Simulationen, Versuche ( Seminar, Praktikum )
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Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik
1 Bipolartransistor 1-1

H F T
1.1 Herstellungsprozess
UV-Licht
Grundprozess der Planartechnik auf Silizium am Beispiel eines eindiffundierten
pn-bergangs in einer n-Epitaxieschicht auf einem n
+
-Substrat
Aufbau Stand: 1980

p
+
-Basis
n-Kollektor
n
+
-Substrat
n
++
-Emitter
Emitter-
kontakt
Basis-
kontakt
SiO
2
Kollektorkontakt
d
L
x
d
b
w
Dimensionierung:
- Basis-Schicht dnn 1 , 0
b
d m (Grenzfrequenz)
- Emitter-Breite schmal 1 L m (Grenzfrequenz)
- Fingerlnge gro [ ] = w mm (HF-Leistung)
n
+
- Substrat
n Epitaxieschicht
Bor-Diffusion, T=1400K
p-Dotierung
Foto-
maske
mit
Struktur
Fotolack
SiO
2
0,2 mm
1 m
0,1 m
10 m
0,1 mm
SiO
2
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1 Bipolartransistor 1-2

H F T
Stand: 1999
Der neue Transistor BFP 520 in
B6HP
plus
- Technologie eignet sich
besonders fr rauscharme
hochverstrkte Empfangsstufen in der
Mobilfunktechnik. Darber hinaus ist
er fr Oszillatoren mit einer
Ausgangsleistung von 10mW bis 15
GHz einsetzbar.
Der Querschnitt durch einen SIEGE
Baustein zeigt die Komplexitt der
Technologie mit zwei Metallisierungsebenen.
Die Gold Arsen Rckseite und die Titan
Platin Gold - Metallisierung auf der
Oberseite gewhrleistet eine hohe
Zuverlssigkeit.
Leistungstransistor
Struktur der Emitter- und Basismetallisierung eines bipolaren Hochfrequenztransistors
mit fingerfrmigen Emitter- und Basisbereichen und Ballastwiderstnden zur
Stromstabilisierung. (Nach einem Werkbild Siemens AG, Halbleiterwerk, Mnchen,
Silizium npn-Planartransistor BFT 98 fr Leistungs-Breitbandverstrker bis 1 GHz)
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1 Bipolartransistor 1-3

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Eindimensionales Modell
Vertikaler Schnitt, zunchst Vernachlssigung von L und w
E-B-Strecke:
Diode in Fluss-Richtung
B-C Strecke:
Diode in Sperr-Richtung
U
be
U
cb
I
e
I
c
n
n
+
n
++
x
1
x
x
2
x
3
x
4
p
+
d
b
Achtung:
Zhlpfeile beachten!
Schaltung: Gemeinsamer Pol fr HF-Ein- und Ausgang ist Basis
Basis-Schaltung
E
C
U
Ein
U
Aus
B

I
e
I
e
I
e
I
c
E C
+ + +
_ _ _
R R G
I
b
B
I
pe
I
br
I
c0
Bild
Schematische Darstellung der
Stromkomponenten in einem npn-
Transistor mit Emitterergiebigkeit ,
Transportfaktor (Rekombination
bei Diffusion durch Basis),
Rekombination (R) injizierter
Minorittstrger und Generation (G)
von Ladungstrgern in der Basis-
Kollektor-Sperrschicht
Effekte: Rekombination in Emitter und Basis ,
Diffusion durch BasisSchicht =
nb
nb
D L
Sperrschicht E-B dnn
Sperrschicht B-C weit Raumladungszone
Thermische Erzeugung von Elektron-Loch-Paaren
Kollektor-Reststrom
co
I
Wirkungsweise:
Substrat
Querschnitts-
Flche L w A =
Emitter
Basis
Kollektor
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1 Bipolartransistor 1-4

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1.2 Stromverstrkung
Basis-Schaltung
co e c
I I I + = 999 , 0 ... 95 , 0 =
Emitter-Schaltung

+ =
1
co
b E c
I
I I

=
1
E
>> 1
Gleichstrom und NF (bei Wechselspannungs-Kurzschluss)
Kurzschluss-Stromverstrkung
Kennlinien
6
4
2
0
0 0,2 0,4
6
4
2
0
0 10 20 30 40 50
I
e
/mA I
e
/mA
U
be
/V
U
cb
/V
(a)
U
cb
= 20 V
I
e
= -6 mA
-4 mA
-2 mA
I
c0
I
c
= - I
e

50
25
0
0 0,2 0,4
6
4
2
0
0 10 20 30 40 50
I
b
/ A I
c
/mA
U
be
/V
U
ce
/V
(b)
U
ce
= 20 V
I
b
= 60 A
40 A
20 A
I
c
= I
e

E

+
-
+
-
I
b
U
be
U
ce
I
c
I
e
I
e
U
be
U
cb
I
b
I
c
+
- +
-

Diode in
Flussrichtung
Diode in Sperr-Richtung mit
Verschiebung um
e
I bzw.
b E
I
Ein-Ausgangskennlinien eines npn-Transistors in Basisschaltung (a) und in
Emitterschaltung (b) mit 99 , 0 = ; 99 =
E

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1 Bipolartransistor 1-5

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Ladungstrgerverteilung in Basis- Schicht
x
2
x
3
x
n
b
(x)
(2)
(3)
(1)
Verteilung der injizierten Elektronendichte ) (x n
b
in der Basiszone.
(1): Rekombination vernachlssigt
(2): mit Rekombination
(3): mit eingebautem Driftfeld
Diffusionszeit
nb
b
b
D
d

2
2
ohne Driftfeld, reine Diffusion
"! "
3 / 1 ... 2 / 1
1 2
2
'
m
) (m
b b


mit Driftfeld, m = 4 ... 6
Steuerwirkung
b
<<
f
1
, stationre Verhltnisse

b
d klein, gro (Elektronen, NPN)
x
2
x
3
x
n
b
(x)
I
Diff
stationr
Qualitativer Verlauf von ) (x n
b
zu einem
Zeitpunkt t fr T
b

keine Steuerwirkung von
b
I auf
c
I
) ( ) cm 10 (
2
3 15
x n
b

0
) 0 (
b
n
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1 Bipolartransistor 1-6

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1.3 Kleinsignal Ersatzschaltung
- Gleichstrom Arbeitspunkt :
b
I ,
c
I ,
ce
U ,
be
U
- Relativ kleine Wechsel Signale :
Differentielle Strme, Spannungen
Leitwerte = Ableitung der Kennlinien am Arbeitspunkt
Linearisierung
- Berechnung mit Phasoren :
b
I ,
ce
U etc.
Typische Schaltung Wechselstrom-Arbeitsgerade
R
Last
+U
B
Dr
U
ce
Ic
AP
U
ce
I
c
U
be
I
c
Ersatzschaltbilder
Gleichstrom und Grosignal (SPICE) Kleinsignal
B
I
c
I
e
E
A
r
I
c
A
f
I
e
C
C
B
E
C
c
C
es
C
eD
I
e
I
C
I
b
I
e
r
e
r
c
r
b
I'
e
r
cs
=
Gegengeschaltete Dioden mit
gesteuerten Stromquellen
=
Differentielle Impedanzen,
Phasenverschiebung
Steigung
Last
R
1
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1 Bipolartransistor 1-7

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Elemente der Kleinsignal-Ersatzschaltung
(a) Differentieller Emitter-Basis-Widerstand
e e e
eb
e
i A q
T k
I q
T k
I
U
r

=
I
U
I
U
Sperr-
Richtung
Fluss-
Richtung
Mit Diodencharakteristik
) 1 (
0
=
T
U
U
e I I
,
q
T k
U
T

=

e
r klein bei
e
i
gro
(b) Diffusionskapazitt
eD
c
Ladungsspeicherung in Basis-Zone, Ursache fr Diffusion
Praktisch blich:
e
r <<
eD
c
1
1 <<
b

(c) Sperrschichtkapazitt
eS
c
Sperrschicht wirkt wie Plattenkondensator parallel zu
e
r ,
Verschiebungsstrom in
eS
c trgt nicht zur Diffusion bei
keine Steuerwirkung auf
c
I
Kapazitiver Nebenschlu von
e
r fhrt zu Reduzierung von
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1 Bipolartransistor 1-8

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(d) Basisbahnwiderstand
b
r
a)
Verlauf der Stromlinien von
b
I in der
Basis eines Planartransistors
b) Verteilung der Emitterstromdichte
ber der Breite L der Emitterzone Emitter
I
b
Basis
Kollektor
d
b
L
W
L
i
e
(a)
(b)
w
L
A
d
b
D
w d
L
r
A
b
b b

D : Randeffekt
E
"
"
"
!
"
"
"































I
Rand
I
Mitte
B
U
Zus.
I
U
Kennlinie
der Basis-
Emitter- Diode
I
Rand
I
Mitte
U
D
U
Zus
R
Fenster fr
Basiskontakt
Fenster
fr Emitter-
kontakt
Emitter-
Maschenstruktur
Basis-Insel SiO
2
m 33
m 126
m 5 , 1
Optimierung
(kleinstes
b
r ) :
Randlnge
maximieren
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1 Bipolartransistor 1-9

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(e) Differentieller Sperrwiderstand
c
r
Gesperrte Basis-Kollektor-Diode (hochohmig)
(f) Sperrschichtkapazitt
c
c
Weite Sperrschicht der gesperrten Diode, d.h. kleine Kapazitt
Dennoch:
c
c
r
c
1
>> bei HF, d.h.
c
r kann vernachlssigt werden
10
9,0
8,0
7,0
6,0
5,0
4,0
3,0
2,0
1,0
0
100 150 200 300 400 500 600 800 1000
Output Admittance versus Frequency
U
ce
= 6V
I
c
=1,5mA
+jb
ce
g
ce
(g) Serienwiderstand
cs
r
Substrat und nichtausgerumte Kollektorstrecke, entspricht rein ohmschem
Widerstand, nicht spannungsabhngig / nur Geometrie- und Dotierungsabhngig
(h) Stromgesteuerte Stromquelle
Steuerwirkung,
komplexe Stromverstrkung :
Phase und Betrag frequenzabhngig
f (MHz)
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1 Bipolartransistor 1-10

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1.4 - Frequenzabhngigkeit der inneren Stromverstrkung
c b e
=
e
: Emitter RC Glied:
C
es
r
e
I'
E
I
E
e
e
es e E
E
c r j I
I

=
+
=
!
1
1

e
klein, falls
e
i gro

Re
Im
1
Basis-Laufzeit-Effekt:

Diffusion wegen Ladungskonzentrations- Unterschied


Vor nderung des Diffusionsstromes wird nderung der Ladungsmenge in
Basis-Zone bentigt
Umladung der Diffusionskapazitt
eD
c
RC-Zeitkonstante
eD e b
c r =
b
b
j

+

1
1
: Gleichstrom Stromverstrkung
Genauer : Mit Driftfeld und Diffusions-Laufzeit
'
'
'
1
1
b
jm
b
b
e
j



+
=
zustzliche Phasendrehung

Re
Im
1
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1 Bipolartransistor 1-11

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Basis-Kollektor-Laufzeiteffekt:

Laufzeit der Elektronen mit Sttigungs-Geschwindigkeit


s
v :
s
c
c
v
d
=
Elektronen am Ort x sind phasenverschoben mit
s
v
x
j
c
e I x I

=
0
) (
Gesamtstrom durch Summe aller Strme ber den Laufraum
)
2
(
) (
2
0
0
c
j
d
s c
c
si e I
v
dx
x I I
c
c

C
2

=
unbrauchbarer
Bereich
( ) 2 /
C
si
In der Praxis werden Transistoren so ausgewhlt, dass
2 <<
c
,
d.h. 1 )
2
(
c
si

, es bleibt nur Phasendrehung
2
c
j
c
e

damit:

c b e
=
)
2
(
'
' '
) ( 1
c
b
m j
e b
e
j

+ +

"! "
Eck-Kreisfrequenz
e b
Eck

+
=
'
1
da Realteil = Imaginrteil
Nur RC-Glied-Faktor :

Re
Im
1
Eck

Wirksame Zeitkonstante
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1 Bipolartransistor 1-12

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Transistor-Kurzschluss-Stromverstrkung
der Basis-Schaltung:
c
c
r
cs
r
b
I
e
I
c
I
b
B
C
c e
j / c I
I
c
E
Umwandlung
in
(...)
'
)) (
'
( 1 Nenner
) ( 1
1
) ( 1 ) ( 1


j
cs b c e b cs b c
KS
e
c
e
r r c j j r r c j I
I
cs
r
b
r
c
c
e
b
j

+ +

+ +

=
+ +

=
+ + + +
" " " " " " ! " " " " " "
Eck-Frequenz der Basis-Schaltung
)) ( (
1
'
cs b c e b
r r c + + +
=

Emitter-Schaltung: Nherung!
c
c
r
cs
rb
Ie
Ic
Ib
C
c e
j / c I
Ic
E
0 0
B
) ) ( ( 1 1
) (
) (
'
)
2
' '
(
2
' ' '
1
1
" " " " " " ! " " " " " "
cs
r
e
r
c
c
e
b
c
b
m j
cs e c b e b
KS E
b
c
r r c m j
e
I
I
c
+ + +
+
+ + + + + +

Eck-Kreisfrequenz der Emitter-Schaltung



) 1 (
E
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1 Bipolartransistor 1-13

H F T

100
10
1
1/10
1/100
3dB=
T
f Transitfrequenz = Stromverstrkungs-Bandbreite-Produkt
(Gain-Bandwidth Product)
) (
2
1
2
' ' '
cs e c
c
b e b
T T
r r c m
f
+ + + + +
=



HF-Transistoren
T
sehr hoch, ca. 5 ... 10Arbeitsfrequenz

Dnne Basis-Zone
b
d :
Technologie-Problem !
Kurze Basis-Kollektor-
Sperrschicht:
Durchbruchspannung nimmt ab, d.h.
maximale Betriebsspannung niedrig

cs
r klein:
Hohe Dotierung in Substrat

e
r klein: Stromdichte
e
i gro,
Begrenzung durch berschwemmung der
Basis. Bei gegebenem Transistor:
c
I bzw.
E
I optimieren
log
( ) 1
KS
=
E

Eck-Frequenz

log ( )
KS E

log
KS

( )
KS E

KS

Eck-Frequenz
E

1
Beispiel: 999 , 0 =
2
1
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1 Bipolartransistor 1-14

H F T
10 20 40
10
20
30
40
50
60
f
T
/GHz
I
C
/mA
U
ce
=2V
1V
0,5V
Transitfrequenz
T
f des Transistors BFP 520 in Abhngigkeit vom Strom. Man erkennt den
groen Aussteuerbereich bis 40 mA.

c
I niedrig :
e
i klein,
e
sehr gro,
T
f klein

c
I grer :
e
fllt ab,
T
f steigt

c
I zu gro : Basis berschwemmt, Basisaufweitung,
b
steigt und wird dominant,
T
f fllt
[Siemens AG]
Transitfrequenz versus Strom
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1 Bipolartransistor 1-15

H F T
1.5 Leistungsverstrkung
c
c
c e
j / c I
2 1
e
I I
I

=
1
U
2
U
2
I
1
I
G
U
c T
L
1
c
Z

=
G
U
Verstrker
L
Z
A
Z
b G
r Z =
b
r
G
Z
a) Kleinsignalverstrker mit Ein- und Ausgangswiderstand
E
Z bzw.
A
Z
b) Vereinfachte Ersatzschaltung zur Berechnung der maximalen
Leistungsverstrkung
m
G
Leistungsverstrkung
} Re{
} Re{
2
1
2
2
G
L
Ein
Aus
p
Z I
Z I
P
P
V

= =
I
R I P R =
2
X j
Blindleistung
Nherungen: 0
e
r ,
Ein- und Ausgang sind entkoppelt, d.h. keine Impedanznderung
am Eingang durch
L
Z
T
j

1
(ohne Phasenterm !)
Sinnvolle Nherung zur Vereinfachung der
folgenden Rechnung
Emitterschaltung mit
Anpassung am Eingang
T Eck

(a) (b)
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1 Bipolartransistor 1-16

H F T
Leistungsanpassung Maximal-Verstrkung
m
G (G fr gain)

b G
r Z =

A L
Z Z = , mit Maschenumlauf: bei
2 1
I I I
e
=

!
0
1 2 2
2

=
c c c
c j
I
c j
I
c j
I
U

) 1 (
1
1
1
/ 1
2
2
T
c
T
c c
A
j c j
j
c j c j I
U
Z
T
j

+
+
=

=
+
0 und
T

mit
0 1
gilt:
c T
A
c
Z

1
fr

<
>
1
1
T
T

1
Gltigkeits-
bereich
A
Z ist reell, nicht
c
c j
1
!
Damit wird fr
1 <
T

2 2
2
1
~
4

c b
T
m
c r
G

Schwing Grenzfrequenz
m
f fr 1 =
m
G ,
Steigung:
Dekade
dB 20
log
m
logG
c b
T
m
c r
f



4
1

L c
c
~
L r
b

1
~

2
~ L c r
c b

Fingerbreite L klein halten !
Kollektor
L
W
B
a
s
i
s
E
m
i
t
t
e
r
r
b
bc c b
c r =
mglichst
klein halten
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1 Bipolartransistor 1-17

H F T
Fundamentale Erkenntnisse
(a) Lnge w der Finger geht nicht ein in
T
f und
m
f

Durch Vergrerung von w wird der Gesamtstrom vergrert (bei konst.


e
i ),
damit HF-Leistung
Leistungstransistor hat groe Finger-Lnge, d.h. groe Flche
(b) Probleme:
-
Lange Finger wirken als Serieninduktivitt (Reduzierung von
T
f und
m
f !), daher
Unterteilungen (Gitter) bzw. Parallelschaltung (Interdigital-Struktur),
Mehrfach Bondverbindung zum Gehuse-Kontakt
- Mit steigendem w sinken alle Impedanzen des inneren Transistors
(
w
r
b
1
~ ,
w c w
c
1
~
1

, etc.)
Fr Anpassung bzw.
m
G wird dann das Transformationsverhltnis grer mit w
w
r
Z

b
Ein
~
2
= bzw.
w
Z

c T
c
Aus
~
1
2

Mit Z = Systemwiderstand (oft 50).


Nach Kapitel 4.1.6, Vorl. HHFT1 steigen damit Verluste und fllt die Bandbreite
einer geeigneten Resonanz-Transformationsschaltung.
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1 Bipolartransistor 1-18

H F T
Vergleich von Ersatzschaltbildern fr Kleinsignal / HF
(a) Physikalisch abgeleitet
- Ersatz der Diodenstrecke durch differentielle Elemente (Widerstnde,
Kapazitten), Stromverstrkung frequenzabhabhngig.
- Alle Elemente physikalisch berechenbar, Aufbau des Ersatzschaltbildes
gibt innere Wirkungsweise wieder
- Kleinsignal-Grenzen physikalisch begrndbar
- Elemente frequenzunabhngig auer Stromverstrkung
- Elemente abhngig von Gleichstrom-Arbeitspunkt
c
e0
c
c
r
cS
r
c
r
e
c
eS
r
b
I
e
'
I
e
I
c
I
b

I
e
E
B
C
(b) Giacoletto-Ersatzschaltbild
- Ausgehend von mebaren Dreipoleigenschaften des ueren Transistors
- -Schaltungen mit physikalisch sinnvoll angeordneten Elementen
minimaler Anzahl
-
Alle Elemente frequenzunabhngig, gltig bis
2

f
f
- Elemente abhngig von Gleichstrom-Arbeitspunkt
c
b'e
c
b'c
r
b'c
r
bb'
c
bc
r
b'e
g
m
U
b'e
B
E
C
B
'
r
ce
U
b'e
[aus Zinke / Brunswig Hochfrequenztechnik 2 ]
Fachgebiet Gerhard-Mercator Universitt Duisburg
Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik
2 Feldeffektransistor 2-1

H F T
2.1 Aufbau von GaAs -MESFET
GaAs

Hhere Elektronenbeweglichkeit als Si
FET

Steuerung der Majorittstrgerzahl im Kanal
MESFET

Steuerung durch Schottky-Dioden-Sperrschicht
(Dicke des Kanals Drain-Source)
hochohmige epitaktische Schicht
semiisolierendes GaAs-Substrat
n-epit. Schicht
3 17
D
cm 10

N m 2 , 0
Au / Ge
m 1 L
<
S D
G
S D G
n
++
-Source n-Kanal n
++
-Drain
m 1 L
<
semiisolierendes GaAs-Substrat
SiO
2
Querschnitt durch einen epitaxialen GaAs
MESFET mit abgesenktem Gate
Querschnitt durch einen GaAs- MESFET mit
ionenimplantiertem n-Kanal und
inonenimplantierten Drain- und Source-
Gebieten
Gatelnge m 1 .... m 1 , 0 L
Ionenimplantation: Gate-Metallisierung als Maske fr Source- und Drain -
Implantation
geringe Abstnde
geringe parasitre Bahnwiderstnde
D
S
G S
m 100
Anschludrhte
zum Gehuse
Kontaktstruktur eines
ionenimplantierten GaAs -
MESFET mit m 2 , 1 L und
m 300 w (Siemens
GaAs-FET CFY 12 fr
Kleinsignalverstrker bis ca.
10 GHz Mittenfrequenz)
Fachgebiet Gerhard-Mercator Universitt Duisburg
Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik
2 Feldeffektransistor 2-2

H F T
2.2 Kennlinien
- Steuerung des Kanals
- Tiefe t(x)der Sperrschicht ortsabhngig
innerer FET
x = 0 x = L x
Sperrschicht
n-Kanal
D G S
d U(x)
f(x)
U
xG
U
SG
= -U
GS
U
DS
- Abschnrung des Kanals bei
XG off inch p
U U =
) (
- Zweidimensionales Modell : Elektronen flieen in x- Richtung
Sperrschicht
mit Feld E
y
Kanal
mit E
x
= -dU / dx
t(x)
d - t(x)
E
y
E
x

U
GS
< 0
Nherung einer langsamen
nderung von t(x) mit
berwiegender Feldkomponente
y
E in der Sperrschicht und
berwiegendem Feld
x
E im
Kanal
Leitwert-Belag des Kanals = Funktion (x)
Integration ber x : Gesamtleitwert (ohne Sttigung)
[ ]

+ = =
2
3
2
3
) ( ) (
3
2
) , (
0 GS D DS GS D
p
DS GS DS DS DS
U U U U U
U
U G U U I I

mit
0
G = Leitwert des offenen Kanals (t(x)= 0)
D
U = Diffusionsspannung
Achtung: Vor Erreichen der Abschnrung des Kanals tritt Sttigung der
Driftgeschwindigkeit
D
v ein
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2 Feldeffektransistor 2-3

H F T
n-Si
Sttigung
cm/s
10 2
7

0 10 20 30
E
S
(n-GaAs)
n-GaAs
durch Streuung von
Elektronen auf zweites
Energie-Niveau
E
S
(n-Si)
E
v
D
Kein Abfall von
D
v : Im Kanal
tritt stationrer Zustand wegen
sehr kurzer Kanal-Lnge nicht
auf. Daher keine Besetzung der
Energie-Niveaus mit hherer
Masse, die zu geringerer
Beweglichkeit fhren.
Linearisierung:
E v
n D
= fr
S
E E <
S D
v v = fr
S
E E

Bei Erreichen von


s
E im Kanal (zuerst Drain-seitig) Keine Steigerung des
Gesamt-Stromes durch
DS
U mehr mglich, da Ladungstrgerdichte
D
N nur
noch mit
S
v im Querschnitt ) ) ( (
S
L t d w driftet
I
I
Sttigung
E
S
,v
S
d - t(L)
Sttig.
v < v
S
v
S
w
S
I
" "! " "
t Querschnit
S S D
L t d w v N q ) ) ( ( =
( )
p
DSS GS D
u
U U U
S
U G
+
1
0
-
Effekt tritt bei HF-FET auf, da Kanal kurz ist
x
E hoch wird
- Bei FET mit langem Kanal tritt Sttigung des Drain-Stroms auf wegen Abschnrung
des Kanals (Leitwert fllt mit steigender Spannung)
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2 Feldeffektransistor 2-4

H F T
50
40
30
20
10
0
0 1 2 3 4 5 6
mA
V
U'
DS
I
DS
U'
GS
=
0 V
-0,5
-1
-1,5
-2
-2,5
Gemessene Kennlinien eines
ionenimplantierten GaAs-MESFET
(Siemens CFY 12) mit
10
D S
R R
Anstieg des
DS
I im Sperrbereich Substrat-Strom und Early-Effekt
(Verkrzung der Basis-Diffusionszone durch
Sperrzonen-Ausweitung)
Moderner HEMT ( m 2 , 0 )
Drain Current vs.
Drain to Source Voltage
0
1,5 3,0
20
100
40
60
80
Drain to Source Voltage, U
DS
(V)
D
r
a
i
n

C
u
r
r
e
n
t
,

I
D
S

(
m
A
)
U
GS
= 0V
-0,2V
-0,4V
-0,6V
-0,8V
20
40
60
0
-2,0 -1,0 0
Gate to Source Voltage, U
GS
(V)
U
DS
=2V
Drain to Source vs.
Gate to Source Voltage
D
r
a
i
n

C
u
r
r
e
n
t
,

I
D
S

(
m
A
)
Anstieg des
DS
I im Sperrbereich Vergleichsweise niedrige Ausgangsimpedanz des
idealen HEMT
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2 Feldeffektransistor 2-5

H F T
2.3 Kleinsignal-Ersatzschaltung
-
-
Ableitung von differentiellen Gren aus stationren Kennlinien fr Niederfrequenz-
Verhalten
Wegen ) , (
DS GS DS DS
U U I I = totales Differential:
DS
D
AP
DS
DS
GS
AP
GS
DS
DS
U
g
U
I
U
S
U
I
I

=
"! " "! "
itwert Ausgangsle
Steilheit
-
Ersatzschaltbild bei <
GS
U 0 (Sperr-Vorspannung)
I
DS
S
S
U
GS
D
g
d
U
DS
S
G
I
GS
=0
U
GS
= -U
SG
S
- Kleinsignalverstrker in Sttigung betrieben

S
S S =
1
1 0,5
0,5
0
0
p
GS D
g
U
U U
u

=
x
=
S
u
1
0,3
0,1
0 S
/ G S Bezogene Steilheit
0
G
S
S
im
Sttigungsbereich als Funktion der
normierten Gate-Spannung
G
u mit der
normierten Driftsttigungsspannung
S
u als Parameter. Das eingetragene x
gilt fr den Modell-FET nach Gl. (?)
mit 0 =
GS
U .

S
S kleiner als
0
G ,
L
G
1
~
0

L S
S
1
~ , langer Kanal
) (
'
L f S
S
, kurzer Kanal (HF- FET), Grenordnung 50 mS
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2 Feldeffektransistor 2-6

H F T
Ergnzung HF-Verhalten
innerer
Transistor
Substrat
d
w
L
D G S
U s
r
gs
R
S
R
D
R
G
C
dsb
C
gd
C
gs
U
(a) Sperrschichtkapazitt der Gate-Diode zur Source-Seite hin:
Abhngig von Sperrschicht-Tiefe t(x), wegen gesteuertem Kanal nur erster Teil der
Gesamtkapazitt wirksam
d
L
w C
gs
3 ... 2
(b) Ladewiderstand der Gate-Source-Kapazitt
0
1
G
r
gs

(c) Sperrschichtkapazitt der Gate-Diode zum Drain hin:
gs gd
C C < wegen Kanal-Wirkung
kritisch, da Rckkopplung !
(d) Im ueren Transistor:
Bahnwiderstnde der ungesteuerten Halbleiterbereiche

D
R ,
S
R (auch bei Gleichstrom-Betrachtung !)
Gate-Finger
G
R : Lngswiderstand des Kontaktes mit Leiterbahn
(Skin-Effekt!)
Gehuse-Anschlsse: Bond Drhte, induktiv
g
L ,
s
L ,
d
L
Substrat-Kapazitt:
dsb
C
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2 Feldeffektransistor 2-7

H F T
S
S
U
GS
g
d U
GS
c
gs
c
dsb
c
gd
Innerer FET
R
g
R
d
r
gs
R
s
D G
S S
(1mS)
(0,05)
(20) (5)
(0,01)
(10)
(1)
(5)
L
Gehuse
Groschreibung:
Elemente gelten auch
bei Gleichstrom
Hochfrequenz-Ersatzschaltung eines typischen GaAs- MESFET mit beispielhaften
Werten fr die einzelnen Elemente (Widerstnde in , Kapazitten in pF, mS 20
S
S ,
ps 5
S
). Zuleitungsinduktivitten und Gehusekapazitten sind nicht bercksichtigt.
Komplexe Steilheit
S
S fr nicht zu hohe Frequenzen:
Laufzeit der Elektronen unter dem Gate
D v
L
S

,
{
x
DS
E
L
U
n
D v
bzw.
s
v
L
S

(Sttigung)
Phasenverschiebung des Drain-Stromes um
S
oder fr 1 <<
s
quivalent als
U
GS
U
G
S
RC-Glied-Wirkung mit Faktor
s
j + 1
1
Steuerwirkung nur durch Teilspannung U der Gate-Source Ladeschaltung
s GS
j U
U
+
=
1
1
, mit
gs gs g
c r =
Gesamtwirkung: gesteuerte Stromquelle
GS S
U S
mit
g s S
S
j j S
S
+

+
=
1
1
1
1
) ( 1
1
g S
j + +

Beispiel: CFY10: ps 2 55 . 4 pF 45 . 0 =
g
ps 5
s

S
j
S
e U S


oder
S
S
j
U S
+

1
1
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Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
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2 Feldeffektransistor 2-8

H F T
Vereinfachung der Ersatzschaltung
(a) Zusammenfassung
g G s gs
r R R r = + +
(b) Gegenkopplung durch
s
R bercksichtigen:
S'
S
U
GS
D
g
d
S
G
U
GS
r
gs
c
gs
c
gd
= 0
R
S S GS S
R U S
G
U
Nherungen:
0
G
R
0
d
g
s s
S S
0
gd
C
) 1 ( ) 1 (
S S GS S S GS S GS S GS G
R S U R S U R U S U U + + = +
Steilheit des ueren Transistors geringer um den Faktor
G
gs
U
U
S S
S
S
R S
S
S
+
=
1
'
S'
S
U
G
D
g
d
S
G
I
1
U
G
r
g
c
g
I
2
c
gd
=
1
U
2
U
Vereinfachte Ersatzschaltung
des ueren Transistors
Achtung: Gegenkopplung durch Emitter-Widerstand
bzw. Source-Widerstand in Verstrker-
schaltungen zur Arbeitspunktstabilisierung
gegen Temperatur-Einflsse oder Exemplar-
Streuung
HF-Kurzschluss
0 =
G
R
0 =
d
g
Last
Z
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2 Feldeffektransistor 2-9

H F T
Grenzfrequenz der Kurzschluss-Stromverstrkung
In Source-Schaltung
0
1
2
2
=
=
U
KS
I
I

+
+
=
gd
g g
g
c j
r c j
c j
U I

1
1 1
, ) (
'
1 2 gd S
c j S U I =
gd
gd S
KS
c j
c j S
g
r
g
c j
g
c j

=
+ 1
'
Vernachlssigungen:
Sehr weitgehend ' '
'
1 ,
1 ,
S s
S S gd
g g g g gd
S S
S c
r c c c

<< <<
<< = <<

g
S
KS
c j
S

'

1
!
=
KS
bzw. 0 dB
g 1 S
j / ' C I S
I
2
I
1
f
1
(Steigung = -1)
f log
KS
log
0
reiner
Blindstrom

g
S
T
c
S
f
'
2
1

mit
S S
S
S R
S
S
S
+
=
1
'
Bei Transitfrequenz ist
2 1
I I = , d.h. der Eingangs-Blindstrom ist gleich dem
Kurzschlustrom
Transitfrequenz wird wesentlich von Gate-Kapazitt begrenzt.
Da
d
L
g
c ~ ist
L T
f
1
~
Gate-Lnge bestimmt
T
f
T
f
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2 Feldeffektransistor 2-10

H F T
Leistungsverstrkung mit vereinfachter Ersatzschaltung
Beseitigung der Rckwirkung: mit
gd res
p
c
L
2
1

Neutralisation der Rckwirkung


Wirkung des Transistors nur in
Vorwrtsrichtung

Unilaterale Verstrkung
" " & " " % $

" " & " " % $

gd
j C Y =
0! = Y
C
gd
C
gd
L
p
LC-Kreis kann weggelassen werden,
allerdings nur fr
res

Anpassung:
S'
S
U
G
g
d U
g
r
g
c
g
I
2
U
G
r
g
g
2
g
1
C
L

=
d Last
g Y =
Eingang konjugiert
komplexe (Resonanz-
abstimmung),
Ausgang reell
Eingangsleistung
g
G
E
r
U
P
4
2
=
"! "

= 0
=
2
1
U
2
1
U
U
(Effektivwertzeiger)
Ausgangsleistung
d
g S
d
A
g
U S
g
I
P
4
2
2
'
2
2

= =
I
2
1
I
2
1
I
r
g
f
2
1
G g
/U U
"! "
Resonanz bei 0
2
1
1
=
+ +
+
=
g
g
c j g
c j g
G g
j r
r
U U

2
1
)
1
1 ( + =
g g
G
c r j
U

Resonanz-berhhung siehe Vorlesung GET A


(unendlich bei 0 =
g
r )
mit
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2 Feldeffektransistor 2-11

H F T
Damit maximale unilaterale Verstrkung
( ) ( )
2 2 2
2 2 2
2 2
2
1 1
1
4
S S S
g g
d g g
S
E
A
u
S R
c r
g r c
S
P
P
G

+ +
+
= =
Nherung fr inneren Transistor:
S
g

1
1
<
<

, damit quadratische Terme << 1 und vernachlssigt


0
S S
S R
Unter Verwendung von
T
(Transit-Kreisfrequenz)
d gs
T
d g g
S
u
g r g r c
S
G
2
2
2 2
2
4 4

= Vergleich mit Bipolartransistor:


c b
T
m
c r
G
2
2


=
u
G fllt quadratisch mit Frequenz ab
2
1
f
(Steigung = -2)
f log
U
G log
0
Schwing-Grenzfrequenz fr 1 =
u
G
d gs
T
u u
g r
f

= =
2
2


Ziel fr HF- FET daher: Hohe Transitfrequenz und kleine
g
r (bzw.
gs
r ) und
d
g
Wie in Bipolartransistoren:
Kanalbreite w bestimmt Leistung (Strme), nicht jedoch
T
f und
u
f oder
u
G
da
2
1
1
1
1
1
~
~
~
~
~
L
u
L u
L T
L d
w gs
G
w g
L r

Gate-Lnge entscheidend !
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3 Zweitorparameter 3-1

H F T


3.1 Leitwertparameter

Schaltungs-Simulationen (siehe Kapitel 1 und 2)
Physikalisches Modell: Gro- und Kleinsignale,
Groer Frequenzbereich , parasitre Elemente und Zeitkonstanten
frequenzunabhngig.
Black-Box- Charakterisierung ohne physikalische Interpretation oder Bestimmung
von Ersatzschaltung:

Zweitor-Parameter

[ ]
[ ]
[ ]
[ ]
[ ] a
H
h
y
z
-Matrix , Streuparameter [ ] S

Prinzip: Fr eine Frequenz werden Spannungen und Strme an den Klemmen des
Zweitores gemessen ( S-Parameter: Wellengren )


Im Gegensatz zur Nachrichtentechnik (Systemtheorie):

Stoantwort, Sprungantwort (Zeitbereichsbeschreibung)
Kein Zweitor: Vierpol mit 3
unabhngigen Strmen und Spannungen

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3 Zweitorparameter 3-2

H F T


Zweitore


Tor 1 Tor 2
I
2
I
2
I
1
I
1




Zusammenfassung von 2 Strmen und
Spannungen, d.h. nur noch 2 unabhngige
Spannungen und Strme,
oder:
Zusammenfassung von je 2 Klemmen eines
4-Pols zu zwei Toren, wobei Hin- und
Rckstrme an den Torklemmen gleich sind
Daraus folgt: Leistungen flieen in die Tore wie bei Zweipolen
Innere Elemente werden beschrieben durch uere Torgren
(Spannung und Strom)

) (
) (
), (
), (
2
2
1
1
t i
t u
t i
t u
lineare Differentialgleichungen (Lineares Zweitor)


Zeitinvariantes Zweitor


konstante Koeffizienten der DGL oder bei harmonischer Anregung:
Phasoren
2 1 2 1
, , , I I U U lineare algebraische Gleichungen,
z.B. Leitwertform

+ =
+ =
2
22
1
21
2
2
12
1
11
1
U y U y I
U y U y I

Zwei Gleichungen mit vier
Unbekannten, hier,
2 1
, U U unabhngige
Variable (whlbar)



Achtung: y, Y, z ist komplex gemeint auch ohne Unterstrich
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3 Zweitorparameter 3-3

H F T


Matrixschreibweise

2
1
22 21
12 11
2
1
U
U
y y
y y
I
I
,
( ) ( ) ( ) U y I =


"y-Parameter"
"Leitwertparameter", Einheit : Siemens (US-Schreibweise: oder mho bzw. mmhos)

lineares
Zweitor
1
1' 2'
2
Y
L
Y
G
1
U
2
U
G
I
2
I
1
I


Zweitor
'
1 1 und
'
2 2 mit Generator
(Kurzschluss-Strom
G
I , Innenleitwert
G G G
B j G Y + =
) und Last
L L L
B j G Y + =


Die Parameter haben im einzelnen folgende Bedeutung


0
0
1
1
11
2
= =
= U
U
I
y
Kurzschluss-Eingangsleitwert
0
0
2
1
12
1
= =
= U
U
I
y
Kurzschluss-Rckwrtssteilheit
0
0
1
2
21
2
= =
= U
U
I
y
Kurzschluss-Vorwrtssteilheit

0
0
2
2
22
1
= =
= U
U
I
y
Kurzschluss-Ausgangsleitwert

Messungen:
Bei festem Arbeitspunkt, fester Frequenz
Wechselstromkurzschluss ( Kondensator ), Vektorvoltmeter - Messung von
U
und I

Achtung:
Diese Messung kann zu erheblichen Messfehlern fhren bei
Mikrowellenfrequenzmessungen, sowie zu Instabilitt (Schwingen von Transistoren)

Nur bis f < 1GHz , sonst S-Parameter !
milli Mehrzahl

Fachgebiet Gerhard-Mercator Universitt Duisburg


Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
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3 Zweitorparameter 3-4

H F T





entspricht etwa Verlauf der komplexen
Stromverstrkung

entspricht etwa Rckwirkungskapazitt
f
re
im
y
21

C
12
1
2


Vorwrts-Steilheit nimmt
mit Frequenz ab

Rckwrts-Steilheit nimmt
mit Frequenz zu
Beispiel: Bipolartransistor

11
y
21
y
22
y

12
y


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3 Zweitorparameter 3-5

H F T


Zweitorgleichungen knnen durch Ersatzschaltungen dargestellt werden;
Beweis durch Knotengleichung

= 0 I

a )
Ersatzschaltung fr die
Leitwertparameter mit zwei
gesteuerten Quellen

y
12
U
2
I
1
U
1
y
11
I
2
y
21
U
1
y
22 U
2
I
1
U
1
y
11
+y
12
I
2
(y
21
-y
21
)U
1
U
2
y
22
+y
12
-y
21
(a)
(b)

b )
quivalente
Ersatzschaltung mit einer
gesteuerten Quelle am
Ausgang
b ) : Fr Transistor gnstigere Version, da "physikalischer" als a )



Vergleich mit physikalischem Ersatzschaltbild:
Minimal - Anzahl von Elementen = 4 Stck !
Alle Elemente sind frequenzabhngig
Keine Extrapolation oder Vereinfachung mglich, da keine Kenntnisse der
physikalischen Zusammenhnge aus Elemente-Werten bei nur einer Frequenz


Zur Interpretation , z.B.
12
y entspricht Rckwirkungskapazitt , sind
Frequenzverlufe ntig
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Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik

3 Zweitorparameter 3-6

H F T


3.2 Verstrkerkenngren

Berechnung von Schaltungen kombinieren immer

Zweitor-Gleichungen
Beschaltungsgleichungen


(a) Eingangsleitwert
Beschaltung am Ausgang mit

L L
Last
B j G
U
I
Y + = =
2
2

Zweitorgleichung Nr.2
2
22
1
21
2
U y U y I + =
2
U Y
Last
=
1
21
U y ) (
22
2
y Y U
Last
+ =
22
21
y Y
y
Last
+

1
2
U
U
=

Zweitorgleichung Nr.1
1
1' 2'
2
Y
L 1
U
2
U
2
I
1
I
(Y)


2
12
1
11
1
U y U y I + =
1
2
12 11
1
1
U
U
y y
U
I
+ = =
E
Last
Y
y Y
y y
y =
+

22
21 12
11

Wirkung der Rckwrtssteilheit:
Last
Y " schlgt durch"

11
y Y
E

) (
Last
Y f = ,


fr 0
12
= y gilt
11
y Y
E
= (Rckwirkungsfrei, unilateral)
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Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik

3 Zweitorparameter 3-7

H F T


(b) Ausgangsleitwert
Gefragt ist:
2
I , falls
2
U angelegt wird
Die Quelle am Eingang still legen
- = = 0
G
U Kurzschluss
- = = 0
G
I Leerlauf
lineares
Zweitor
Y
G
2
U
G
I
2
I
Z
G
G
U

-
Wirkung des Generators durch
G
Z bzw.
G
Y erhalten
-
A
Y - Berechnung wie (a), jedoch Vertauschungen
ji ij
y y
,
jj ii
y y
;i=1 j=2
G Last
Y Y

11
12 21
22
y Y
y y
y Y
G
A
+

= , fr 0
21
= y gilt
22
y Y
A
=
(c) Stromverstrkung
1
2
I
I
V
i
=


12 21 22 11
21
) ( y y Y y y
Y y
V
Last
Last
i
+
=

Kurzschluss-Stromverstrkung
11
21
y
y
V
Last
Y
i
=



(d) Spannungsverstrkung
1
2
U
U
V
u
=

Last
u
Y y
y
V
+

=
22
21


Leerlauf-Spannungsverstrkung
22
21
0
y
y
V
Last
Y
u
=
=

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3 Zweitorparameter 3-8

H F T


(e) Leistungsverstrkung

Wirkleistung P = Re {
*
I U }
Eintor
I
U


P > 0 :
P < 0 :

P Eintor nimmt auf
P Eintor gibt ab

Leistungsverstrkung fragt nach

1) (Tor Eingang am ng Wirkleistu ne Aufgenomme
2) (Tor Ausgang am ng Wirkleistu Abgegebene
=
E
A
P
P


I
1
U
1
Y
E


E E E
G U U Y U I U P = = =
2
1
*
1
*
1
*
1 1
} Re{ } Re{

mit
2
1
*
1 1
U U U = und
E E E
jB G Y =
*



Last Last A
G U U Y U I U P = = =
2
2
*
2
*
2
*
2 2
} Re{ )} ( Re{

mit
Last
Y U I =
2 2


Y
Last
=
G
Last
+ jB
Last
I
2
U
2

Damit
,
E
Last
V
E
A
p
G
G
U
U
P
P
V
u
= =
2
2
1
2
2


} Re{
22
12 21
11
2
22
2
21
y Y
y y
Last
Last
p
Last
y
G
Y y
y
V
+

+
=




- Betriebsleistungsverstrkung
p
V

Abhngig von Lastadmittanz
Bei beliebiger Anpassung bzw. Fehlanpassung
Ohne Bercksichtigung von Instabilitt
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3 Zweitorparameter 3-9

H F T


3.3 Stabilitt

Gedankenexperiment

- Zweitor ohne uere Generator-
Spannung bzw. Strom
- Eine winzige Spannung
1
U bei
Frequenz sei vorhanden
(durch Einschaltsprung angeregt oder
Rauschvorgang)
1
1' 2'
2
Y
L
1
U
2
U (Y) Y
G




1
U bewirkt durch Spannungsverstrkung
Last
u
Y y
y
U V U U
+
= =
22
21
1 1 2



2
U bewirkt durch Rckwirkung ) 0 (
12
y
G
u
Y y
y
U V U U
+
= =
11
12
2
'
2
'
1


Schwingungsbedingung, d.h. die Schwingung mit kann sich selbst erhalten durch

'
1 2 1
U U U , wenn

'
1 1
U U = , d.h.

) )( (
1
22 11
12 21
Last G
Y y Y y
y y
+ +

=
Durch Umformen in Ausdrcke mit
E
Y oder
A
Y folgt

entweder 0 = +
G E
Y Y oder 0 = +
Last A
Y Y

Kompensation der Admittanzen nach Real- und Imaginrteil


Resonanz bzgl. Blindleitwert



Achtung:
Negativer Leitwert
E
G oder
A
G ntig !
(
G
G und
Last
G > 0,
normale passive Leitwerte )
jB
G
Y
G
Y
E
G
G
< 0
G
E
< 0

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3 Zweitorparameter 3-10

H F T


Unter normalen Bedingungen, d.h. passiver Beschaltung des Zweitors, bleibt das Zweitor
stabil, wenn:

=
Last
E
Y y
y y
y G
22
12 21
11
Re

=
G
A
Y y
y y
y G
11
12 21
22
Re

>0 und


>0

Absolut stabil, wenn
A
G > 0 und
E
G > 0 fr
beliebige passive
G
Y und
Last
Y , d.h. die
Leitwertparameter entscheiden:
jB
G
passiv


(a)
Sonderfall Kurzschluss, d.h.
Last
Y und
G
Y verlangt

> =
> =
0 } { Re
0 } { Re
22 22
11 11
g y
g y
Notwendige Bedingungen

Ausreichende Bedingungen durch Realteilbildung (b)

E
G

=
Last
Y y
y y
g
22
12 21
11
Re
Erweitern mit
*
22
) (
Last
Y y +


2
22
2
22
* *
22 12 21
11
) ( ) (
)} ( { Re
Last Last
Last
B b G g
Y y y y
g
+ + +
+
=




2
22
2
22
22 12 21 22 12 21
11
) ( ) (
) }( Im{ ) }( { Re
Last Last
Last Last
B b G g
B b y y G g y y
g
+ + +
+ + +
=



Weiter mit Umordnung, Erweiterung mit Nenner und quadratischer Ergnzung
entsprechend


( ) ( ) ( ) ( )
4
2
2
2 2
c c
b a b a c b a + + = + + +

ausmultiplizieren und
sortieren
y

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3 Zweitorparameter 3-11

H F T



( ) ( ) { } = + + +
11
2
22
2
22
1
g
G g B b G
Last Last E
{ } { }
2
11
2
12 21
2
12 21
11
22
2
12 21
11
22
4
Im
2
1
Re
2
1
g
y y
y y
g
b B y y
g
g G
Last Last

)
,

|
|

\
|
+ +

|
|

\
|
+



Falls Bedingung (a) gilt ( 0
11
> g ), ist linke Seite fr absolute Stabilitt mit 0 >
E
G
immer grer Null. Grenzfall ist 0 =
E
G :


Dann ist Gleichung Kreisgleichung
entsprechend:

( ) ( )
2 2 2
0 c b y a x + =
y
x
a
b
G
E
= 0
G
E
< 0
c


Die x-y-Ebene ist die Lastadmittanz-Ebene (
Last
Y -Ebene)

Alle Punkte innerhalb des Kreises fhren auf 0 <
E
G und umgekehrt

Alle Punkte auf dem Kreis fhren auf 0 =
E
G

Kreismittelpunkt bei { }
12 21
11
22
Re
2
1
y y
g
g a G
M
Last
+ = =
{ }
12 21
11
22
Im
2
1
y y
g
b b B
M
Last
+ = =

Radius
2
11
2
12 21
4g
y y
c =
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3 Zweitorparameter 3-12

H F T


Schaltung ist absolut stabil, wenn der Kreis vollkommen in der linken Halbebene der
Lastadmittanz liegt:
G
E
< 0
passive Last
G
Last
jB
Last


Keine passive Last kann innerhalb des
Kreises liegen, d.h. zu 0 <
E
G fhren !
Bedingung: - a > c, mit c > 0 (wegen Bedingung (a))

d.h. a < 0 und 1 >

=
c
a
K (Stabilittsfaktor)
Alle Bedingungen zusammen, auch analoge Ableitung fr
A
G und
G
Y
sind notwendig und ausreichend:


{ }
0 , 0 , 1
Re 2
22 11
12 21
12 21 22 11
> > >

= g g
y y
y y g g
K


aus
0 >
E
G oder
0 >
A
G

aus
0 >
E
G

aus
0 >
A
G


Bedeutung der Kreis-Abbildung: (entsprechend fr
A
G )

Die linke Halbebene der Eingangsadmittanz
E
Y hat 0 <
E
G
Diese Halbebene wird in die Innenflche des Kreises abgebildet
Der Kreis liegt in der Lastadmittanz-Ebene
Last
Y

Linke Halbebene von
E
Y wird in eine Kreisflche auf der
Last
Y - Flche abgebildet


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3 Zweitorparameter 3-13

H F T



Fr alle
Last
Y - Punkte, die innerhalb des Kreises liegen, ist die Bedingung fr
absolute Stabilitt nicht erfllt

Dies bedeutet aber nicht, da das Zweitor tatschlich instabil ist
und schon schwingen kann! (Nur potentiell instabil)

Instabilitt / Schwingungsbedingung bentigt zustzlich:

Last A
Last A
G E
Last E
B B
G G
B B
G G
oder

> - Zeichen: berschuss fhrt zum Hochschwingen d.h. Amplitude der Schwingung
steigt an , siehe Kapitel 13

Konjugiert komplexe Anpassung, wie blicherweise ntig fr maximale
Verstrkung erfllt die Schwingungsbedingung
Problem in Praxis:
Generator- und Lastadmittanz werden ber Leitungen transformiert,
Resultierende Admittanz wird damit stark frequenzabhngig (je nach Leitungs-
impedanz und Lnge)

es findet sich oft eine Frequenz, bei der die Schwingbedingung erfllt ist
Betrachtung ber groen Frequenzbereich ntig

Beispiel
I
II
b
a
c
c
a
-1
-2
-3
+1
-1
-2
+1 +2
G
L
/mS
B
L
/mS
potentiell instabil,
d.h. diese Lastleitwerte
vermeiden!
passive
Lastleitwerte
G
L
> 0
b

Abbildung der linken
E
Y - Halbebene auf die
L
Y - Ebene fr zwei Stze der
Leitwertparameter
(I : absolute Stabilitt, II: potentielle Instabilitt fr
L
Y im schraffierten Kreisbereich)
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Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
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3 Zweitorparameter 3-14

H F T


Darstellung in Reflexionsfaktor-Ebene ( Smith-Chart )


G G
r Y

G L
G L
G
Y Y
Y Y
r
+

=
L
Y = Wellenleitwert (siehe HHFT, Kapitel 6)

Konforme Abbildung:
- Kreis mit 0 <
A
G bleibt auch Kreis in der
G
r - Ebene
- Rechte Halbebene mit 0 >
G
G wird in das Innere des Einheitskreises transformiert
1 <
G
r

Y
G
-Ebene
jB
G
G
G
G
G
> 0
G
A
< 0

G
A
< 0
M
R
G
G
> 0
1
G
= r
j
-j
1 -1
r
G
-Ebene

2 2
*
) (


=
ii
jj ii
i
s
s s
M
2 2
21 12

=
ii
i
s
s s
R

=
Last
G
r
r
i
fr
fr
2
1


siehe Kapitel 4 !
Beispiel
[Hochfrequenztechnik 2]
Zur Eingangsanpassung
gewhnlich
*
11
s r
G

Problembereich etwa
2 GHz-4 GHz: Bei
Eingangsanpassung wird
Ausgangsleitwert 0 <
A
G .
Wenn dann
ausgangsseitig ebenfalls
angepasst wird,
d.h.
A Last
G G = und
A Last
B B = wird genau
die Schwingbedingung
erfllt !

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3 Zweitorparameter 3-15

H F T



Leistungsverstrkung- Definitionen
( a )
Betriebsleistungsverstrkung
E
A
p
P
P
V ) he tatschlic ( =
Klemmenleistungsgewinn G
Power Gain G
( ) { }
{ }
E
Last
u
E
Last
p
G
G
v
G U
G U
I U
I U
V =


=
2
2
1
2
2
*
1 1
*
2 2
Re
Re

) (
Last
Y f = , keine Funktion von
G
Y !

( b )

Gewinn G = tatschliche Ausgangsleitung / verfgbare Generatorleistung

bertragungsgewinn
T
G
Transducer Gain
T
G

Gv
A
P
P
G =

=


Vorteil gegenber Schaltung ohne
Verstrker , Generator direkt an Last
angepasst

Verfgbare Generatorleistung
Gv
P bei konjugiert komplexer Anpassung des
Generators durch Lastimpedanz = Eingangsimpedanz*
U
G
R
G
-X
G
Z
E
P
GV
Z
G
R
G
X
G
=

U
G
R
G
R
G
G
2
1
U
je

wegen Resonanzkompensation
von Blindanteilen
} Re{ 4
2 2
2
1
G
G
G
G
Gv
Z
U
R
U
P = = xx)

bzw.
} Re{ 4
2
G
G
Gv
Y
I
P = fr Stromquelle
Y
G
I
1
I
G
xx) U und I sind Effektivwertzeiger
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3 Zweitorparameter 3-16

H F T


Abgegebene Ausgangsleistung
2
2
2
2
2
Last
Last
Last A
Y
G
I R I P = =
G
Last

I
2
jB
Last
R
Last

I
2
jX
Last
=

Parallel-Serien-Umwandlung
2 2 2
Last
Last
Last Last
Last
Last
Y
G
B G
G
R =
+
=
Damit { } 4 Re 4
2 2
2
2
2 2
2
2

= =
Last G
G Last
G
Last G
Last
Gv
A
Y I
G G I
Y
Y I
G I
P
P
G

( )
G Last
Y Y f , =
Mit Definitionsgleichung der Y- Parameter
und Beschaltungsgleichung
G G
Y U I I + =
1 1
wird
( )( )
2
12 21 22 11
2
21
4
y y Y y Y y
G G y
G
Last G
G Last
+ +
=

- Realisiert wird G nur, wenn am Eingang tatschlich
Gv
P aufgenommen wird,
d.h.
G E
Y Y =
*
(Anpassung !)
- Dann ist G V
p
=
- Ansonsten wegen Fehlanpassung ist aufgenommene Eingangsleistung
Gv E
P P < ,
so dass gilt:
p
V G
mit
rck
P P P
Gv E
=
P
A
P
E
P
Gv
Verstrker
P
rck
Last

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3 Zweitorparameter 3-17

H F T


Maximale Leistungsverstrkung
max p m
V G =
(Maximum Available Gain MAG)

bei Anpassung am Eingang
G E
Y Y =
*

und Ausgang
Last A
Y Y =
*
gleichzeitig

2 Wege:

(a)

Maximierung von ) , (
Last G
Y Y G fhrt auf
2 komplexe =4 reelle, nichtlineare Gleichungen:

Opt Last
Opt G
Last Last G G
Y
Y
B
G
G
G
B
G
G
G
0 ; 0 ; 0 ; 0
(b)
Zuerst Maximierung von ) (
Last p
Y V durch
Opt Last
Last
p
Last
p
Y
B
V
G
V
=

0 ; 0

Dann mit
Opt Last
Y in Anpassungsbedingung am Eingang durch
*
) (
E Opt G Opt Last E
Y Y Y f Y = =

siehe 3.2 (a)


konjugiert komplexe Anpassung
Ergebnisse:

{ }
11
12 21
22
2
Im
g
y y
b B
Opt Last
+ = ,
{ }
22
12 21
11
2
Im
g
y y
b B
Opt G
+ = ,
1
2
2
11
12 21
= K
g
y y
G
Opt Last
,
1
2
2
22
12 21
= K
g
y y
G
Opt G
,

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3 Zweitorparameter 3-18

H F T


Reelle Leitwerte nur, wenn absolute Stabilitt gesichert,
1 und 0 , 0
22 11
> > > K g g d.h.

Leistungsanpassung nur bei absolut stabilen Zweitoren


Andernfalls fhrt konjugiert komplexe Anpassung automatisch auf Erfllung der
Schwingbedingung
Trotz potentieller Instabilitt kann ein Zweitor verstrken, bei entsprechender
Fehl-Anpassung


Einsetzen der optimalen Admittanzen in Gewinn
) 1 (
2
12
21
max
= = K K
y
y
V G
p m


ms
G : maximaler stabiler Gewinn (bei K =1)
(Maximum Stable Gain MSG)
Potentielle Instabilitt kann zur Erhhung der Verstrkung genutzt werden bei Wahl der
Anpassung nahe der Schwingbedingung
f
V
p

Parameter:
Verschiedene Anpassungs-
Einstellungen bzw.
Rckkopplungen
Probleme : - Starke Toleranzempfindlichkeit, Alterung, Temperatur etc.
- Starke Frequenzabhngigkeit

Fazit: Sehr wenig praktisch brauchbar
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3 Zweitorparameter 3-19

H F T


Sonderfall: Rckwirkungsfreie Nherung 0 wobei
!
12
22 21
12 11
=

y
y y
y y

Damit gilt:
22 11
; y Y y Y
A E
= =

Anpassung:
22
*
22 11 11
*
11
; jb y Y jb g y Y
Last G
= = =


22 11
2
21
2
22
2
11
22 11
2
21
2
*
22 22
*
11 11
2
21
0
4 16
4
0 ) )( (
4
22
2
11
2
12
g g
y
g g
g g y
y y y y
G G y
G
g g
G Last
y
m
=

=
+ +

=
=


(Unilateral Transducer Power Gain
max TU
G )
Beispiel-Transistor:
73 94
0
12
= > =
= y
m m
G G

12
y wirkt hier als Mitkopplung
(Gegenkopplung ebenso mglich)



Problem bei realen Schaltungen:
12
y kann durch Umgebung (Streukapazitt !) und
Messkpfe stark verndert werden

( )
12
y G
m
kann stark schwanken
Gesucht: Robustes Ma fr Leistungsverstrkung

Weg: Kompensation der Rckwirkung (Neutralisation)

n
1
1 1'
2'
2
1
U 2
U
2
I
1
I
jB
2
' U
1
' U
n / '
2
I
[ ] y

n
1
n / '
2
I
2
' I
Durchflutung =0


Zweitor mit uerem Netzwerk aus Blindleitwert jB und idealem Transformator
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3 Zweitorparameter 3-20

H F T


Inneres Zweitor 1- 2 hat 0
12
y
uere Beschaltung mit jB und bertrager:

0 d.h. , 0
'
1
0
2
'
1 '
12
'
1
= = =
=
I
U
I
y
U

durch Einspeisung von
n
I
'
2
in Eingang mit passender Amplitude und Phase:
Knotengleichung

= 0
i
I am Eingang ergibt
+
'
1
I 0
1
'
2
= I
n
I
; mit 0
'
1
= I
) (
2 12 1
'
2
U y I
n
I
= =


Phase von
'
2
I durch Blindleitwert B eingestellt,

Betrag von
n
I
'
2
durch bertragerverhltnis n angepasst
Gesamtes neues Zweitor:
g Rckwirkun keine 0
'
22
'
21
'
11

y y
y


echtes Unilaterales Zweitor
Maximale unilaterale Verstrkung (Unilateral Power Gain U)
Mit neuen y-Parametern und bei konjugiert komplexer Anpassung
an Ein- und Ausgang



u
G

'
22
'
11
2
'
21
4 g g
y

=




0
12
=

y
m
G


Fachgebiet Gerhard-Mercator Universitt Duisburg
Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik

3 Zweitorparameter 3-21

H F T


Ausdruck mit Y-Parametern des ursprnglichen Zweitors (stimmt fr 0
'
12
= y berein)

{ } [ ]
12 21 22 11
2
12 21
Re 4 y y g g
y y
G
u

=



Unilaterale Verstrkung berechnen auch fr Zweitor mit 0
'
12
y ,
d.h. Neutralisation und Neubildung der Leitwertmatrix nicht ntig
Zur Realisierung der unilateralen Verstrkung ist Neutralisation immer ntig

Vergleich verschiedener Leitungsverstrkungsmae:

Fr K >1 : MAG bzw.
m
G
Fr K <1 : MSG bzw.
ms
G

2
21
s
=Gewinn fr
Last L G
Z Z Z = = (z.B. = 50
L
Z ), immer kleiner als optimal
zu hohen Frequenzen quadratischer Abfall
2
1
~
f
G
Geschenk der Physik:
Bei hohen Frequenzen, wo dringend der Gewinn optimiert werden muss, ist Betrieb
mit konjugiert komplexer Anpassung ohne Neutralisation mglich und nicht viel
schlechter als mit Neutralisation
Paradox: HF-Transistoren haben besonderes hohe Verstrkung bei tiefen Frequenzen
1 2 4 6 810 2 4 10
2
40
30
20
10
0
f /GHz
Gewinn/dB
f
max
MSG
G
Tumax
U
MAG
2
21
s

Invarianz-Eigenschaften
Gilt auch bei verlustfreier Beschaltung eines
neutralisierten Zweitors, z.B. Streukapazitt
und Gehuse-Blindwiderstnde oder
Streukapazitt von Mess-Sonden
Fachgebiet Gerhard-Mercator Universitt Duisburg
Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik

3 Zweitorparameter 3-22

H F T


3.4 Zusammenschaltungen

Zusammenschaltung von Zweitoren

Komplexe Netzwerke
5 verschiedene Mglichkeiten (Serien, Parallel, Kette , gemischt)
J eweils dazu passende Zweitorparameter
2
U [ ] h
[ ] ' h
1
' U
2
' U
1
' ' I
1
I
2
I
2
' I
1
' I
2
' ' I
2
' ' U
1
' ' U
1
U
2
U
[ ] H
[ ]' H
1
' U
2
' U
1
I
2
I
2
' I
1
' I
2
' ' I
2
' ' U
1
' ' U
1
' ' I
1
U
2
U
[ ] Z
[ ] ' Z 1
' U
2
' U
2
' ' I
1
I
2
I
2
' I
1
' I
2
' ' I
2
' ' U
1
' ' U
a) b) c)
Stromverstrker-
Matrix [ ] h
Spannungsverstrker-
Matrix [ ] H
Widerstands-
Matrix [ ] Z

1
U
2 1
' U U =
2
' U
1
I 2
I
2 1
' I I =
2
' I
1 2 = 1 ' 2 '
[ ] a [ ] ' a
Kettenmatrix

Kettenschaltung von
zwei Zweitoren
0 U
1
U
B
U Ausgleich
I
[ ] Y
[ ] ' Y

Durchverbindung
Leitwert-
Matrix

Voraussetzung: Zweitor-Bedingung bzgl. gleicher Klemmenstrme
der Tore bleibt gltig

Gefahr: Ohne Durchverbindung knnen beide Zweitore unterschiedliche
Spannungen zwischen Klemmen
'
1und ' 2 aufbauen;
bei Verschaltung Ausgleichsstrme
ungleiche Torstrme
Fachgebiet Gerhard-Mercator Universitt Duisburg
Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik

3 Zweitorparameter 3-23

H F T


Beispiel: Zweitor mit Gegenkopplung durch Leitwert von 2 nach 1
Y
[ ] Y
[ ] Y
Y
=
Parallelschaltung
von Zweitoren

Analyse mit y-Parametern
1
U 2
U
[ ] Y
[ ]' Y 1
' U
2
' U
2
' ' I
1
I
2
I
2
' I
1
' I
2
' ' I
2
' ' U
1
' ' U

Parallelschaltung von zwei
Zweitoren und Beschreibung durch
Leitwertparameter
Wegen Parallelschaltung gilt
' '
2
' '
1
'
2 2
'
1 1
;
;
U U
U U U U
= =
= =


'
2 2
' '
2
'
1 1
' '
1
; I I I I I I + = + =

Mit Definitionsgleichung der y-Parameter
=
' '
1
I = + = +
'
1 1
' '
2
' '
12
' '
1
' '
11
I I U y U y
+ +
' '
2 12
' '
1 11
U y U y

' '
2
' ' '
1
'
12 11
U y U y +
( ) ( )
' '
2
'
12 12
' '
1
'
11 11
U y y U y y + + + =
=
' '
2
I ( ) ( )
' '
2
'
22 22
' '
1
'
21 21
U y y U y y + + + =

Durch Koeffizientenvergleich:

+ +
+ +
=

' '
2
' '
1
'
22 22
'
21 21
'
12 12
'
11 11
' '
2
' '
1
U
U
y y y y
y y y y
I
I


[ ] [ ]
'
y y +

Resultierende Matrix ist Summe der beiden Leitwertmatrizen

Fachgebiet Gerhard-Mercator Universitt Duisburg
Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik

4 Streuparameter 4-1

H F T


Probleme mit y Parametern bei hohen Frequenzen f 100 MHz
Kurzschluss Induktivitt
Instabilitt von Transistoren bei Abschluss mit Blindwiderstnden
jB
G
kritische
Blindwiderstnde
Typische Stabilittskreise
Bei Eintritt in Bereich
der potentielle Instabilitt

Zuleitungen erforderlich
Leitungseigenschaften (Lnge ,
L
Z )

Neues Konzept seit den 50er J ahren

Streuparameter

Hier nur fr lineare Schaltungen
Kleinsignal (harmonische Signale)

Zweitor-Charakterisierung

Zweitor
Z
A
Z
E
Z
L
Z
L
Z
1
Z
2
a
1
b
1
a
2
b
2
I
2
(0)
U
2
(0)
I
1
(0)
U
1
(0)
Bezugsebene
1 2

Beschaltung mit Leitungen, Wellenwiderstand
L
Z
Abschluss der Leitungen mit
L
Z (also kein Leerlauf oder Kurzschluss !)

Frequenzunabhngig, da Leitung den
L
Z -Abschlusswiderstand identisch transformiert
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4 Streuparameter 4-2

H F T


4.1 Streuparameter

Wellengren
i
a ,
i
b (i=Tor)


) ( ) (
1
) (
) ( ) (
1
) (
z I Z z U
Z
z b
z I Z z U
Z
z a
i L i
L
i
i L i
L
i

+ +
= =
= =



+
+ = U U U
+
= I I I
Hin Rck
Gesamt Einzel

) (z a
i
=hinlaufende Welle am Ort z, zugehrig ) ( , ) ( z I z U
i i
+ +


) (z b
i
=rcklaufende Welle am Ort z, zugehrig ) ( ), ( z I z U
i i



Normierung auf
L
Z fhrt auf Leistung der fortschreitenden Welle
(ortsunabhngig, falls verlustlose Leitung):


2
2
2
2
2
) (
) (
) (
) ( ) (
) (
) (
z b
Z
z U
z P
z I Z z a
Z
z U
z P
L
L
L
= =
= = =

+
+
+
U, I Effektivwertzeiger

Mit Bezug auf Gesamt Spannung ) (z U und Gesamt Strom ) (z I

+
+ = U U U ,
+
= I I I
und wegen Leitungsgleichungen
+ +
= I Z U
L

(fr jede fortschreitende Welle)

= I Z U
L


wird


b Z U U U U U I Z U
a Z U U U U U I Z U
L L
L L
2 2
2 2
= = + + =
= = + + = +
+ +
+ + +

Umgekehrt gilt:
) (z U
i
( ) ) ( ) ( z b z a Z
i i L
+ =
) (z I
i
( ) ) ( ) (
1
z b z a
Z
i i
L
=

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Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik

4 Streuparameter 4-3

H F T


Messung der Streuparameter

Richtkoppler

1 2
3
4
entkoppelt
Z
L
Z
L
Z
L
Z
L
Z
e,
Z
o

1 2
4 3
4 /
2 /
L
Z
entkoppelt
2 /
L
Z
1 3
4 2
entkoppelt
Vorwrtskoppler
L
Z
L
Z

Bei idealer Anpassung (symmetrischer Rckwrtskoppler)

=
0 0
0 0
0 0
0 0
44 43 42 41
34 33 32 31
24 23 22 21
14 13 12 11
k jd
k k
jd jd
k jd
s s s s
s s s s
s s s s
s s s s
S

mit 1
2 2
= + k d (Leistungserhaltung, Verlustlosigkeit)
Nach Trennung von vor- und rcklaufenden Wellen
Messung der Amplitude und Phase der Wellen
Empfnger mit I / Q Verarbeitung
Voltmeter oder Leistungsmesser reicht nicht !
Bei sehr hohen Frequenzen bzw. mit einfachen Mitteln:
6-Tor Richtkoppler mit Leistungsmessung

Leistungsmessung

Zustzliche Betrags-
Information als Ersatz fr
Phase:
Gleichungssystem lsen
2
0 L e
Z Z Z =
Rckwrtskoppler
3dB-Hybridring
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Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
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4 Streuparameter 4-4

H F T


Richtkoppler-Analyse

Symmetrie-Ebene
Alle Feldzustnde knnen zusammengesetzt
werden aus den Komponenten
Gegentakt-
(odd)
Gleichtakt- Welle
(even)
l
2 4
3 1

gekoppelte
Leitungen
Symmetrie-Ebene
Z
L
Z
L
Z
L
Z
L
Streifenleitungs-
Koppler

V 1
1
+ = U
V 1
3
+ = U V 1
1
+ = U V 1
3
= U

Symmetrische Streifenleitung,
hnlich Koaxialleitung
Wellenwiderstand jeder Leitung

+
+
= =
o
o
o
o
odd
I
U
I
U
Z

+
+
= =
e
e
e
e
even
I
U
I
U
Z Abkrzungen

o
e
Z
Z

Speisung am Tor 1: Gleichtakt- +Gegentakt- Welle zulaufend
+ +
+ =
=
o e
1
V 2
U U
U
+ +
=
=
o e
3
V 0
U U
U

An beiden Toren fallen Wellen ein, an Tor 3 heben sich beide Wellen auf,
an Tor 1 konstruktive berlagerung

Leitungstransformation ( siehe HHFT 1 )

4

= l

=
2
2
even
odd
L ein
Z
Z
Z Z
;
L
Z : Abschluss Impedanz

Reflexionsfaktoren

L Z
Z
L Z
Z
e
Z
Z
s
L
e
L
e
+

=
2
2
11
L Z
Z
L Z
Z
o
Z
Z
s
L
o
L
o
+

=
2
2
11
Ersatzschaltbild fr beide
Wellentypen
4 /
Z
odd
oder
Z
even
Z
L
Z
Ein

magnetische Wand elektrische Wand
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Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
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4 Streuparameter 4-5

H F T


Anpassungsbedingung:
o e
s s s
11 2
1
11 2
1
11
0 + = =

wegen Aufteilung der Speisewelle auf
+ + +
= + U U U
o e


4 2 2 2 2 2 2 4 2 2 2 2 2 2
2 2 2 2 2 2 2 2
) )( ( ) )( (
| ) )( ( ) )( ( 0
2 2 2 2
L e L L o o e L o L L e o e
L e L o L o L e
L L Z
Z
L Z
Z
L Z
Z
L Z
Z
Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z
Z Z Z Z Z Z Z Z
Z Z Z Z Z
L
e
L
o
L
o
L
e
+ + + =
+ + + =
+ + + =


2 4
) (
o e L
Z Z Z =
2
L o e
Z Z Z =

Auslaufende Welle am Tor 3 :
o e
s s s
11 2
1
11 2
1
31
=
(bei Speisung an Tor 1)

wegen Gegenphasigkeit der Odd Welle

( )
( ) 1
1
2 2 2
2
2
2
2 2
2 2
2 2 2 2
2 2 2 2
4 2 2 2 2 2 2
4 2 2 2 2 2 2 4 2 2 2 2 2 2
2 2
2 2
2 2
2 2
31
+

=
+

=
+

=
+ + +
+ + +
=
=
+

=
o
e
o
e
Z
Z
Z
Z
o e
o e
L o L e
L o L e
L o L L e o e
L e L L o o e L o L L e o e
L o
L o
L e
L e
Z Z
Z Z
Z Z Z Z
Z Z Z Z
Z Z Z Z Z Z Z
Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z Z
Z Z
Z Z
Z Z
Z Z
s


Mit
o e
Z Z > wird 1 > = Z
o
e
Z
Z


0
1
1
2
2
31
>
+

=
Z
Z
s
=d
Z
1
0,5
0
-20 dB
-6 dB

Mit 1
2 2
= + k d und jd s =
21
:


1
2
1
2
2
31 21
+
= =
z
z
j s j s

Z

31
s
21
s
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Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
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4 Streuparameter 4-6

H F T


Grundschaltung der Leitungskoppler
Messung von vor- und rcklaufender Welle auf Zweidraht- Leitung
U
I
U
1
R
1
N
1
N
2
U
2
1
1
I
k
b
a
Leitung, Z
L

) (
1
1
1
1
1
1 1
+
= = = U U
Z N
R
I
N
R
R I U
L
K


) (
1 1
2 2
2
+
+ = = U U
N N
U U
wegen
L L
Z
U
I
Z
U
I

+
+
= = und
+
= I I I
Wahl der Bauelemente so, da c
N Z N
R
L
= =
2 1
1
1
:
( )
( )
+
+
+ =
=
U U c U
U U c U
2
1

U
1
U
2
U
1
+U
2
+

Addition der Spannungen

=
= +
2 1
2 1
U U
U U ( )
( )
+ +
+ +

+ +
U U U U c
U U U U c

+
=
=
U c
U c
2
2
b
a
~
~


Reflexionsfaktor
a
b
r = Gleichrichtwerte von
1
U und
2
U verwenden
U
U


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Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik

4 Streuparameter 4-7

H F T


Neu gegenber Leitwert-Matrix: Bezugsebenen Festlegung auf den Leitungen
Zweitor
1 2
0 0
1
z
2
z
1
z
2
z
( ) z I
( ) z U
Bezugsebene

2 2
1 1
) 0 ( , ) 0 (
) 0 ( , ) 0 (
2 . 2 2 . 2
1 . 1 1 . 1
z j
versch
z j
versch
z j
versch
z j
versch
e b b e a a
e b b e a a
+
+
= =
= =



Auswirkung:
Messung wird auf festgelegte geometrische Bezugsebene kalibriert
Bei Schaltungsaufbau mit Leistungslngen mssen alle
Streuparameter in Phase verschoben werden. z.B.

1
2
11
. 1
. 1
. 11
) 0 (
Z j
versch
versch
versch
e s
a
b
s
+
= =


(Smith Chart, Verschiebung zur Last hin)

Achtung: Bei Schaltungsaufbau mit anderen Leistungswellenwiderstnden mssen
alle Streuparameter komplex transformiert werden, z.B. bei Messung
3
1
11
= s mit = 50
L
Z wird in Anwendung mit Leitung =100
L
Z die
Reflexion verschwinden 0
100
1 1
=
=
L
Z
s
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4 Streuparameter 4-8

H F T


Linearer Zusammenhang zwischen den Wellen bei linearen Zweitoren:
Lineares Gleichungssystem

2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
a s a s b
a s a s b
+ =
+ =

( ) ( ) ( ) a S b
a
a
s s
s s
b
b
=

2
1
22 21
12 11
2
1

Schreibweise:
ij
s , komplex und frequenzabhngig

Signalflussdiagramm, ( siehe Zinke, Brunswig, Seite 265 ff. )
s
21
b
2
a
1
b
1
s
12
a
2
s
22
s
11

Definitionsgleichungen

0
1
1
11
2
=
=
a
a
b
s

Reflexionsfaktor Tor 1 bei Anpassung an Tor 2
(es existiert sowohl Spannung als auch Strom !)

0
1
2
21
2
=
=
a
a
b
s

bertragungsfaktor von Tor 1 nach Tor 2
bei Anpassung Tor 2,

0
2
1
12
1
=
=
a
a
b
s

s.o. Umkehrung der Richtung
0
2
2
22
1
=
=
a
a
b
s
Reflexionsfaktor Tor 2 bei Anpassung an Tor 1
(
L G
Z Z = , nicht konjugiert komplexe
Anpassung der Eingangsimpedanz !)

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4 Streuparameter 4-9

H F T


Zweitor
1 2
G
U
1
b
1
a
2
b
L
Z
11
s
21
s
L
Z
1 2 21 1 1 11
/ ; / a b s a b s = =

Zweitor
1 2
1
b
2
a
2
b
L
Z
22
s
12
s
L
Z
2 1 12 2 2 22
/ ; / a b s a b s = =


Anpassung der Last an
den Bezugswiderstand
(Wellenwiderstand der
Ausgangsleitung
keine rcklaufende
Welle)
Leistungen
Verfgbare Leistung des Generators
G
P bei Anpassung des Generatorwiderstands
G
Z an
den Leitungswellenwiderstand
L
Z
L G
Z Z =
L
Z
L
Z
G
U
+
= U U 2 /
G

+
=U
G
U
2
, da keine rcklaufende Welle ( 0 =

U )

Gv
L
P a
Z
U
P = = =
+
+
2
1
2
1


An Last mit
L Last
Z Z = luft nur die auslaufende Welle, die die abgegebene Leistung fhrt:
L
Z
A
P
L Last
Z Z =
2
b
2
a
A
P


2
2
2
2
b
Z
U
P
L
A
= =


Damit = = =
=
Gv
A
a
P
P
a
b
s
0
2
1
2
2
2
21
2
Gewinn (G)

rckwrts
2
12
G s =


in Vorwrtsrichtung bei Wellen-
widerstandsabschlssen
(nicht maximal !)
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4 Streuparameter 4-10

H F T


4.2 Zweitorkenngren

Kenngren, z.B. fr Verstrker aus Streuparametern, statt Leitwertparameter

Statt Ein- , Ausgangsleitwert:

Ein- , Ausgangs-Reflexionsfaktoren
[ ] s Last
Z
Last
r
E
r
1 2
1
a
1
b
2
a
2
b
1
a
1
b
2
a
2
b
[ ] s
A
r
G
r
G
Z
1 2
a) b)

Zur Berechnung der Ein- und Ausgangsreflexionen
E
r und
A
r


Betrieb a):
2
2
1
1
,
b
a
Z Z
Z Z
r
a
b
Z Z
Z Z
r
L Last
L Last
Last
L E
L E
E
=
+

= =
+

=

Betrieb b):
1
1
2
2
,
b
a
Z Z
Z Z
r
a
b
Z Z
Z Z
r
L G
L G
G
L A
L A
A
=
+

= =
+

=

Mit Hilfe der Streuparameter-Gleichung zu berechnen:
) (
1
Last 22
Last 12 21
11
Last
E
Z f
r s
r s s
s r
=

+ =

s
21
a
1
b
1
s
12
s
22
s
11
r
Last

) (
1
11
12 21
22
G
G
G
A
Z f
r s
r s s
s r
=

+ =

s
21
b
2
s
12
a
2
s
22
s
11
r
G


Vernachlssigung der Rckwirkung (unilaterale Nherung )


11
s r
E

22
s r
A

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Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik

4 Streuparameter 4-11

H F T


Stabilittsuntersuchungen
Absolute Stabilitt, wenn

{ }
{ } 0 ) ( Re
0 ) ( Re
Last
> =
> =
G A A
E E
Z Z R
Z Z R
; fr alle passiven
Last
Z und
G
Z
Smith Chart
Reflexionsfaktor - Ebene
+j
-j
+1 -1 Re
Im
r-Ebene
0
L
=
Z
R
Einheitskreis

d.h.

<
<
1
1
A
E
r
r


fr alle Last- und Generator Abschlsse

<
<
1
1
G
Last
r
r

Stabilittskreise (wenig gebruchliche Form )
Betrachtung zunchst nur Eingangsseite,

Abbildungsgleichung
Last 22
Last 12 21
11
1 r s
r s s
s r
E

+ =

Last
r innerhalb Kreis mit Radius 1


Erste Bedingung aus Grenzfall 0
Last
= r (bzw. 0 =
G
r )



1
11
< s
(bzw. 1
22
< s )
0 >
L
Z
R
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4 Streuparameter 4-12

H F T



Durchfhrung der konformen Abbildung des Last-Kreises 1
Last
= r in Kreis des
Eingangs-Reflexionsfaktors
(In Stufen durchzufhren, siehe Buch)
Re
r
E
-Ebene
|r
L
|=1
|r
L
|<1 fr |s
22
|<1
Im
|r
E
|=1
|r
E
|<1
MP
Potentiell
instabil



Darstellung:

Welche
E
r ergeben sich, wenn alle passiven
Last
r zugelassen werden

Im Beispiel :
Last
r im schraffierten Bereich fhren zu 1 =
E
r , d.h. Schaltung
potentiell instabil fr diese
Last
r . Daher ist die Schaltung nicht
absolut stabil.


Absolute Stabilitt :
Last-Kreis 1
Last
= r liegt vollstndig innerhalb
Eingangsreflexionsfaktor-Kreis 1 =
E
r


d.h. 1 < + MP (Ausgangsgleichung)

Mit den Ergebnissen fr MP und wird daraus:



2
22
12 21
2
22
*
22 12 21
11
1
1
1
0
s
s s
s
s s s
s
MP

<



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4 Streuparameter 4-13

H F T


Damit
2
22
12 21
1
1 0
s
s s

< , darf niemals >1 sein



bzw. 1
1
2
22
12 21
<
s
s s
oder
2
22 12 21
1 s s s <

weitere Umformung der Ausgangsgleichung:

1
2
1
12 21
2
22
2
11
2
21 12 22 11
>
+
=
s s
s s s s s s
K

Stabilittsfaktor wie mit Leitwertparametern

Die gewhlte Abbildung passt nicht zu der in Kapitel 3.
Vergleich auf Basis Leitwerte fr Absolut stabile Zweitore:
GE <0
passive Last
G
Last
jB
Last
GE <0
G
Last
jB
Last
Ebene -
Last
Y
Ebene -
E
Y

Kapitel 3
Keine passive Last kann zu negativen
Eingangsleitwerten fhren
Kapitel 4
J ede passive Last fhrt zu positivem
Eingangsleitwert

Passende Abbildung ist mglich, siehe Zinke, Brunswig
Re
r
L
-Ebene
|r
L
|=1
r
L
Re
|r
E
|=1
M
i
R
i
-1 +1
+j
-j
Potentiell instabil
bei |s
22
|>||
Potentiell instabil
bei |s
22
|<||

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4 Streuparameter 4-14

H F T


Leistungsverstrkung:

Maximal bei Anpassung
*
E G
r r = und
*
Last A
r r =

Leistungsanpassung nur bei absoluter Stabilitt, da andernfalls gerade die
Schwingbedingung durch Anpassung erfllt wird
bzw. nur dann 1 <
G
r und 1
Last
< r bei Anpassung


Vergleichbares Ergebnis zu Kapitel 3 mit Hilfe von Stabilittsfaktor


) 1 (
2
12
21
= K K
s
s
G
m

{ }
12
21
12
21
12
21
Re
1
2
1
2
s
s
s
s
s
s
u
K
G

=


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4 Streuparameter 4-15

H F T




Stabilittskreise in der: a) Eingangs- und b) Ausgangsimpedanzebene fr einen GaAs-
MES-FET-Chip (CFY 10, Siemens AG). Zum Vergleich sind fr diesen Chip
*
11
s und
*
22
s
angegeben. Der instabile Bereich liegt jeweils innerhalb der Stabilittskreise.
Innerhalb Stabilittskreis g <0, jedoch absolute Gre entscheidend fr Schwingfhigkeit
keine Aussage ber absolute Gre
a)
Abbildung:
Fr welche
G
r
wird 1 >
A
r ?
1 >
E
r
G
r -Ebene
G
r s =
*
11
:
Anpassung, falls
0
12
= s
L
r -Ebene
b)
1 >
A
r
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4 Streuparameter 4-16

H F T


4.3 Transmissonsmatrix

Kettenschaltung
Wie bei konventionellen Zweitorparametern spezielle Definition der Matrix fr
Kettenschaltung

+ =
+ =
2 22 2 21 1
2 12 2 11 1
b T a T a
b T a T b


2
2
1
1
b
a
T
a
b



Verknpfung von Eingangsgren mit
Ausgangsgren ber T- Matrix



Kettenschaltung durch Produkt
[ ] T 1 2
1
a
1
b
2
a
2
b
'
1
a
'
1
b
'
2
a
'
2
b
[ ] ' T
1' 2' =



Kettenschaltung
Transmissionsmatrizen

'
2
'
2 '
'
1
'
1
2
2
1
1
b
a
T T
a
b
T
b
a
T
a
b


'
1 2
'
1 2
a b
b a
=
=

'
2
'
2 '
'
1
'
1
b
a
T
a
b


Elemente der Transmissionsmatrix aus den Gleichungen zu bestimmen:

0
2
1
11
2
=
=
b
a
b
T

Anregung an Tor 2, Abschlu Tor 1 mit
G
r so, dass 0 =
A
r

21
22
11 12
s
s
s s =

Schwierige Einstellung mit Tuner fr jede
Einzelfrequenz:
a T


Tuner
fr r
G
r
G
Kurzschluss
a
1
b
1
a
2
b
2
a
2


1. Tuner einstellen
auf 0
2
= b
2. Messung von
2
a
und
1
b bei dieser
Einstellung
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4 Streuparameter 4-17

H F T



Speisung an Tor 1,
Abschluss von Tor 2 durch
Wellenwiderstand

21
11
0
2
1
12
2
s
s
b
b
T
a
=
=
=


T
a
1
b
1
a
2
b
2
a
2
=0
Z
L
b
1
a
1

Weitere T-Parameter ebenso bestimmbar

Messtechnisch: Messung von S-Parametern leichter, daher Umrechnung von
( S ) ( T ) gnstig

Fr weitere Verschaltungsarten (Parallelschaltung etc.) existieren weitere Wellen-
Matrizen, jedoch ungebruchlich, da rechnergesttzte Verfahren meist intern auf der
Basis von konventionellen Zweitor-Matrizen arbeiten
(Umrechnung von Streuparametern in z-, y-, H-, a-Matrizen , siehe Kapitel 3)

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4 Streuparameter 4-18

H F T


4.4 Passive N-Tore

Schaltungen mit mehreren Toren

J e Wellentyp ein Tor
(Leistungen teilen sich auf verschiedene Wellen auf)

J edes Tor besitzt eigenen Normierungswiderstand
(Wellenwiderstnde verschiedener Wellentypen, unterschiedliche Leitungen)

Nichtausbreitungsfhige Wellen (innerhalb des N-Tores eventuell erzeugt) knnen
vermieden werden, wenn die Tore (Bezugsebenen) weit genug hinausgeschoben sind;
ansonsten imaginre Bezugswiderstnde benutzen

Weiterhin Normierung auf Wellenleistung orientiert
a
1
b
1
lineares,
zeitinvariantes
n-Tor
Z
1
Z
2
Z
n
a
2
b
2
a
n
b
n
1
2
n

Bild 4.12
Lineares, zeitinvariantes n-Tor mit Wellengren
i
a ,
i
b , Bezugsebenen 0 =
i
z und
Wellenwiderstnden
i
Z der Anschlussleitungen
) (
1
) (
i i
i
i i
z U
Z
z a
+
= ; ) (
1
) (
i i
i
i i
z U
Z
z b

=

Hohlleiter:
Bzw. alle Nicht-TEM Leitungen

) ( ) ( z E z U - Feldstrke

Fi i
Z Z - Feldwellenwiderstand



der Eigenwellen

2 2
konst.
i i i i
a P a P = =
+ +

2 2
konst.
i i i i
b P b P = =



konstant aus Querschnittsintegral der
Strukturfunktion
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4 Streuparameter 4-19

H F T


Definitionsgleichungen
n nn n n n
n n
n n
a s a s a s b
a s a s a s b
a s a s a s b
+ + + =
+ + + =
+ + + =

2 2 1 1
2 2 22 1 21 2
1 2 12 1 11 1


) ( ) ( ) ( a S b =

n n
Matrix

n 1 Spaltenvektor

Messvorschrift bzw. Bedeutung der Parameter


i m a
i
i
ii
m
a
b
s
=
=
, 0



k m a
k
i
ik
m
a
b
s
=
=
, 0


Eingangsreflexionsfaktoren, wenn alle Tore auer
dem gerade betrachteten mit dem
Wellenwiderstand abgeschlossen sind



bertragungsfaktoren, wenn alle Tore auer dem
Anregungstor mit dem Wellenwiderstand
abgeschlossen sind



Passive N Tore, Besondere Eigenschaften

( a ) Reziprozitt bedeutet symmetrische Streumatrix


ki ik
s s = bzw.
T
S S ) ( ) ( =

bertragung von Tor i nach Tor k ist gleich
(Vertauschung von Generator und Last)

Das Tor darf dabei unsymmetrisch sein, d.h.

kk ii
s s
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4 Streuparameter 4-20

H F T


Beispiel fr reziprokes, unsymmetrisches Zweitor

2
2' 1'
1 1:



22 11
y y aber
21 12
y y =

22 11
s s aber
21 12
s s =
Transponierung: Vertauschung von Zeilen und Spalten

22 12
21 11
22 21
12 11
s s
s s
s s
s s
T
, so dass aus

T
S S = folgt
21 12
s s =

Reziprozitt nur, wenn: kein magnetis. Ferrit oder Plasma ( Ionosphre ) oder
gesteuerte Bauelemente

( b )
Verlustlosigkeit bedeutet, dass die gesamte einfallende Leistung

=
=
n
i
i ges
a P
1
2

auch wieder abgegeben wird


= =
=
n
i
i
n
i
i
b a
1
2
1
2
) (
aus ein
P P =

mit
*
2
i i i
a a a = wird

( ) ( ) ( ) ( )
* *
b b a a
T T
=


( )
n
T
n
a a a
a
a
a

2 1
2
1
=




Achtung:
) ( ) ( ) ( ) (
1 2 2 1
M M M M Kommutativgesetz gilt nicht, daher Reihenfolge beachten!
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4 Streuparameter 4-21

H F T


Mit

( )
( )
* * * *
) ( ) ( ) ( ) ( ) (
) ( ) ( ) ( ) ( ) (
S a a S b
S a a S b
T T T T
= =
= =

wird
* * *
) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( a S S a a a
T T T
=

Durch Vergleich der linken Seite wird
Unitre Matrix ) (S ) ( ) ( ) ( E S S
* T
=

=
1 0 0 0
0 1 0 0
0 0 1 0
0 0 0 1
) (

E
oder

=
m i
m i
s s
n
k
km ki
fr 1
fr 0
1
*


Produkt einer Spalte mit konjugiert komplexen Wert einer anderen Spalte

Aus Unitaritt und Reziprozitt folgen praktisch wichtige Eigenschaften von
Hochfrequenz-Bauelementen:

Beispiel 1: Verlustfreies, reziprokes Zweitor

=
m i
m i
s s
k
km ki
fr 1
fr 0
2
1
*
liefert 3 Gleichungen
*
21 21
*
11 11
: 1 s s s s m i + = = 1
2
21
2
11
= + = s s
*
22 22
*
12 12
: 2 s s s s m i + = = 1
2
22
2
12
= + = s s
*
22 21
*
12 11
: 2 , 1 s s s s m i + = = 0 =
*
21 22
*
11 12
: 1 , 2 s s s s m i + = = 0 =
Leistungs-
Erhaltungs-
Bedingung
ki ik
s s = liefert
21 12
s s =

Zusammengenommen wird damit

22 11
s s = Achtung: Nicht
22 11
s s = !
Nicht symmetrisch !

2
22
2
11 12 21
1 oder
1
s
s s s

= =





z.B. Wellenwiderstandssprung



identisch nach
*
- Operation
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4 Streuparameter 4-22

H F T


2.Beispiel:
Symmetrische Leitungsverzweigung mit 3 Toren
Z
L
Z
L
Z
L
l
Tor 1
Tor 3
Tor 2


Serien- Leitungsverzweigung
(gleiche Wellenwiderstnde)



Wegen Symmetrie :

33 22 11
s s s = =


Welle auf Tor 1
zulaufend erzeugt
1
U
U
2
U
3
U
1
Z
L
Z
L
1
2Z
L

3
1
2
2
11
=
+

=
L L
L L
Z Z
Z Z
s
L L
L L
Z a S Z a
Z b Z a U U U
1 11 1
1 1 1 1 1
3
4
) 1 ( = + =
+ = + =
+

Welle an Tor 2 und 3 ablaufend
L
L
L
Z a U
Z b U
Z b U
1 1
3 3
2 2
3
2
2
1
= =

=
=

1
3
31 21
1
2
1 3 2
3
2
3
2
a
b
s s
a
b
a b b
= = = =
= =

Durch zyklisches Vertauschen der Tore (reihum) wird wegen der Symmetrie
23 13
12 32
3
2
3
2
s s
s s
= =
= =
Fr Vorzeichen Bezugspfeile beachten!
d.h. alle j i s
ij
= fr ,
3
1

) (
3
1
3
2
3
2
3
2
3
1
3
2
3
2
3
2
3
1
S =


Leitungslnge =0, d.h. Bezugsebene
in der Verzweigung
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4 Streuparameter 4-23

H F T


Fazit:

Das Dreitor ist verlustfrei , da

=
m i
m i
s s
k
km ki
1
0
3
1
*


z.B.
9
9
9
4
9
4
9
1
2
31
2
21
2
11
1
= + +
= + + s s s


Von 1W an Tor 1:
9
1
W reflektiert,
9
4
W nach Tor 2,
9
4
W nach Tor 3

Das Dreitor ist reziprok, da

ji ij
s s =

Berechnung von
ij
s aus
ii
s :

2
2
1 2
ii ij
s s =

kann leicht bestimmt werden
Aber: Das Dreitor ist nicht angepasst !

Aus

=
m i
m i
s s
k
km ki
1
0
3
1
*
und
ki ik
s s =

folgt Widerspruch, falls 0 =
ii
s angenommen wrde
(allseits Anpassung bei Abschluss der Tore mit
L
Z )
Siehe Aufgabe 4.7

Falls Anpassung wichtig:
(a) Zustzliche Beschaltung mit Verlustwiderstnden R (d.h. Aufgabe der
Verlustlosigkeit)
Z
L
Z
L
Z
L
R
R
R

3/4Z
L
3/4Z
L
R
res
=Z
L
3Z
L

Mit
L
Z R 3 =
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4 Streuparameter 4-24

H F T


(b) Aufgabe der Reziprozitt, aber Erhaltung der Verlustlosigkeit:
Nichtreziproke Schaltung Zirkulator
Z
2
Z
3
Z
1
nicht-
reziprokes
Dreitor
1
2
3


Nichtreziprokes, verlustfreies Dreitor
Mit Anpassung gibt: 0
33 22 11
= = = s s s
Unitaritt ergibt:

1
1
1
2
23
2
13
2
32
2
12
2
31
2
21
= +
= +
= +
s s
s s
s s
(1)
0
13
*
12 23
*
21 31
*
32
= = = s s s s s s (2)

Fr bertragung von Tor 1 zum Tor 2 (willkrlich festgelegt), d.h. 0
21
s folgt aus (2)

0
23
= s
und aus (1) folgt

1
13
= s

Ebenso: 0
12
= s und 1
13
= s

0
31
= s und 1
21
= s


=
0 0
0 0
0 0
32
21
13
s
s
s
S , mit 1
32 21 13
= = = s s s

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4 Streuparameter 4-25

H F T



3. Beispiel : Viertore
Angepasst , d.h.

0
44 33 22 11
= = = = s s s s

Reziprok:
ki ik
s s =

Unitaritt ergibt 10 Gleichungen
4-Tor
4
1
3
2



1
1
1
1
2
44
2
24
2
14
2
43
2
23
2
13
2
42
2
32
2
12
2
41
2
31
2
21
= + +
= + +
= + +
= + +
s s s
s s s
s s s
s s s
(1)
0
0
*
24 23
*
14 13
*
34 32
*
14 12
*
43 42
*
13 12
*
34 31
*
24 21
*
43 41
*
23 21
*
42 41
*
32 31
= + = + = +
= + = + = +
s s s s s s s s s s s s
s s s s s s s s s s s s
(2)

Lsung ohne Widerspruch in (1) und (2) durch Ansatz:

0
32 23 41 14
= = = = s s s s

In (2) bleiben brig:


34 13 24 12
*
34 31
*
24 21
bzw. 0 s s s s s s s s = = + (3a)

34 24 13 12
*
43 42
*
13 12
bzw. 0 s s s s s s s s = = + (3b)

Nach Division (3a) durch (3b)

k s s
s
s
s
s
= = =
13 24
24
13
13
24
(Abkrzung)

Sowie nach Einsetzen in (3a)
d s s = =
13 24
(Abkrzung)
Reziprozitt genutzt

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Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik

4 Streuparameter 4-26

H F T


Lsung von Gleichung (3a)

Reelle Normierung von
0
34 43 21 12
j
e d s s s s = = = =
durch Wahl der Bezugsebenen

z.B. symmetrisches Viertor mit
gekoppelten Leitungen der Lnge l

4 3
2
1
l
Leitung
von Tor 1 nach Tor 2

Fr die bertragung von Tor 1 nach Tor 3 und von Tor 2 nach Tor 4 ergibt sich aus
Gleichung (1)

2
2
21 42 24
2
21 31 13
1
1
1
d k
s s s
s s s
= =

= =
= =

bzw. 1
2 2
= + d k

Phasenbeziehung durch Gleichung (3a), (3b)
0 ) (
31
*
24
*
= +

s
d e k
s
e k d
j j
Annahme: symmetrisches Viertor, daher
31 24
s s =

d.h.
j j
e e =

= oder
2

) ( n

so dass
jk s s s s = = = =
42 24 31 13
oder jk

S-Matrix vollstndig bestimmt, ohne Kenntnis des konkreten Aufbaus der Schaltung:

=
0 0
0 0
0 0
0 0
d jk
d jk
jk d
jk d
S





Richtkoppler ,

einzige Lsung des Gleichungssystems fr
symmetrische Anordnung

l= 0 oder
l= n
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4 Streuparameter 4-27

H F T


Schaltung eines Richtkopplers ( Directional Coupler ) aus konzentrierten Bauelementen,
siehe Seite 4-6

Tor 1
Z
L
Z
L
Z
L
Z
L
10
1
10
1
U
1
U
2
U
I
Tor 4
Tor 2
Tor 3


Beispiel mit
L
Z R C = =
1 10
1



Achtung:
Aufbau ist unsymmetrisch, so
dass
31 24
s s =
Entspricht
k = dB 20
dB 045 , 0

= d
1
4
2
3

Streumatrix (nherungsweise)

=
0 0
0 0
0 0
0 0
d k
d k
k d
k d
S


mit reellen d und k, da keine
Leitungen und keine
Blindelemente benutzt
werden.
Verlustlosigkeitsbedingungen erfllt:

Gl. (3a), (3b) 0 ) ( = + d k k d und 0 ) ( = + d k k d

Gl. (1) 1
2 2
= + k d , d.h.
2
2 d k =





1 01 , 0 9897 , 0 +
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5 Anpassung 5-1

H F T

H F T


Leistungen mit Wellengren ausgedrckt:

Allgemein
Z
La
r
Last
Z
L
a b

Hinlaufende Welle
2
a P =
+

Rcklaufende Welle
2
b P =


Reflexionsfaktor
a
b
r =
Last

An Last abgegebene Leistung
( )
2
Last
2 2 2
Last
1 r a b a P P P = = =
+


Zweitor mit Last
Z
Last
P
A
Z
L
a
1
b
1
Z
G
P
E
U
G
a
2
b
2
1
2

Ausgangsleistung
( )
2
Last
2
2
2
2
2
2 2 2
1 r b a b P P P
A
= = =
+

Eingangsleistung
2
1
2
1
b a P
E
=

Bestimmung von
1
a :

(a) Generator mit Bezugswiderstand abgeschlossen,
bzw. mit angepasster Leistung (= reflexionsfrei)
Z
L
a
G
Z
G
U
G
U
1

nur vorlaufende Welle
G
a aus
L G
L
G
Z Z
Z
U U
+
=
1
und
= =
L
G
Z
U
a
1
Quellwelle

jedoch keine Leistungsanpassung des Generators !
auf Last hinlaufend, von
Zweitor auslaufend
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5 Anpassung 5-2

H F T

H F T


(b)

Leistungsanpassung des Generators
(konjugiert komplexe Last)
Z
*
G
a
1
Z
G
U
G
b
1
r
G
r
*
G

Merke:
Reflexionsfaktor von Z ist r , dann ist
*
r der
Reflexionsfaktor von
*
Z
Quellwelle
G
a wird reflektiert mit
*
G
r

* '
G G
r a b =

Reflektierte Welle
'
b wird reflektiert am Generator-Innenwiderstand mit
G
r

* ' '
G
r b a =

d.h. vorlaufende Welle ist berlagerung von Quellwelle und Zusatzwelle
G
r b
1


G G
r b a a + =
1 1


Mit
*
1 1 G
r a b = wird daraus


2
1
*
1 1 G G G G G
r a a r r a a a + = + = bzw.




2 1
1
G
G
r
a
a

= =

Wahre auslaufende Welle bei Leistungsanpassung des
Generators

Faktor 1
1
1
2
>

G
r
bedeutet berhhen bei konjugiert komplexer Anpassung
gegenber Reflexions-Anpassung

gesamte Welle
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5 Anpassung 5-3

H F T

H F T


Damit Eingangsleistung bei Leistungsanpassung des Generators gleich verfgbare
Generatorleistung

Gv E
P P =
2
1
2
1
b a =
( )
2 2
1
2
*
2
1
2
1
1
G G
r a r b a = =

( )
( ) ( )
2
2
2 2
2 2
1
1 1
1
G
G
G G
G G
r
a
r r
r a

=


=

Leistungsgewinn
Gv
A
P
P
G = damit


( )
( )( )
2 2
Last 2
2
2
1
1
2
2
2
Last
2
2
1 1
1
2
G
G
r
r r
a
b
a
r b
G
G
=



Zusammenhang zwischen
2
b und
G
a ber S-Matrix und Beschaltungsgleichung zu
bestimmen:


2 Last 2 1 1
; b r a b r a a
G G
= + = } Beschaltung

2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
a s a s b
a s a s b
+ =
+ =

)
`

S-Matrix

Durch Elimination wird

( )( )
G G G
r r s s s r s r
s
a
b
Last 12 21 11 22 Last
21 2
1 1
= , sodass


( )( )
( )( )
2
Last 12 21 11 22
2 2 2
21
1 1
1 1
G G G
G Last
r r s s r s r s
r r s
G


=



Im Folgenden benutzt:
2 2 2
) ( ) ( b a b a =
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5 Anpassung 5-4

H F T

H F T


Leichter berschaubar und nherungsweise richtig:
Rckwirkungsfreie Nherung mit 0
12
= s

2
Last 22
2
Last
2
21
11
2
'
1
1
1
1
r s
r
s
r s
r
G
G
G

=


Achtung:
'
G ist nur Nherung, ungleich echtem unilateralen Gewinn
u
G , da z.B. bei
Neutralisation auer 0
'
12
= s auch alle anderen Streuparameter verndert
wrden

Aufspaltung in 3 Faktoren

Last 0
'
G G G G
G
=


2
21
s =Gewinn bei Reflexionsanpassung

2
11
2
1
1
G
G
G
r s
r
G

= =Leistungsanpassungsfaktor fr Eingang

2
Last 22
2
Last
Last
1
1
r s
r
G

= =Leistungsanpassungsfaktor fr Ausgang

Maximaler Gewinn bei Leistungsanpassung,
d.h. konjugiert komplexer Anpassung (Absolut stabiles 2-Tor)
r
Last
s
22
r
G
s
11
s
11
0
s
21
s
22

Rckwirkungsfreies
Zweitor:

22
11
s r
s r
A
E
=
=

Anpassung:
*
22
*
11
; s r s r
Last G
= =
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5 Anpassung 5-5

H F T

H F T


Praktische Durchfhrung der Anpassung:
Z
G
S
11
T
r
a
n
s
f
o
r
-
m
a
t
i
o
n
s
-
Z
w
e
i
t
o
r
r'
G
r
G
= 0
Beispiel



C
L


Transformationsweg
(a) Reflexionsangepasster Generator
0 : ) 50 z.B. , ( = =
G L G
r Z Z
(b)
*
11
'
s r
G
=

+j
-j
-1 +1
s
11
r
G
r'
G
r-Ebene
L
C

Gewinn bei Anpassung

( ) ( )
( ) ( )
2
11
2
2
* *
11 11
2
2
11
2
1 1
1
1 1
1
1
1
s r
r
r s r s
r
r s
r
G
G
G
G G
G
G
G
Gm

=




2
11
1
1
s
G
Gm

= und ebenso
2
22
Last
1
1
s
G
m

=

Interpretation: (hier bzgl. Eingang; Ausgangsseite analog)

Bei S-Parameter-Messung mit Reflexionsanpassung (
L G
Z Z = ) des Generators wird
ein Teil der verfgbaren Generatorleistung
2
a vom Zweitor reflektiert
2 2
11
2
a s b = ,
d.h. nicht aufgenommen. Nur die aufgenommene Leistung ( )
2
11
2
Ein
1 s a P = wird
weiterverstrkt.
Das Transformationsnetzwerk sorgt fr vollstndige Aufnahme der verfgbaren
Leistung; der Faktor ( )
2
11
1 s wird durch
m G
G weggekrzt.
1
11
*
s r
G
=
*
11 G
r s =
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5 Anpassung 5-6

H F T

H F T


Gewinn bei Fehlanpassung


Zunchst ideale Anpassung:
L
Z Z =
Last
und
*
22 Last
s r =
Fr bestimmtes Transformations-Zweitor 0 bei
'
Last
= r G
m L

s
22
Z
Last
Trafo
G
L
Zwei-
tor
r
Last
r'
Last

Falls
Last
Z jetzt abweicht von
L
Z :

|
.
|

\
|
=
2
'
Last
1 r G G
m L L

Kreise mit konstantem
Gewinnabfall

konst. =
m L
L
G
G

r'
Last
-Ebene
-0,5dB
-1dB
-2dB
0dB
s
22
*
-j
+j
-1 +1

Transformations-Zweitor macht konforme Abbildung der
'
Last
r -Kreise im Kreis der
Last
r -Ebene
Kreismittelpunkt versetzt,
jedoch auf dem Vektor
*
22
s


( ) g s
s g
d

=
1 1
2
22
22



( )
( ) g s
s g
R


=
1 1
1 1
2
22
2
22


mit
m L
L
G
G
g =
r
Last
-Ebene
-0,5dB
s
ii
*
-j
+j
-1 +1
0dB
-1dB
-2dB
d
i
R
i

Reflexionsanpassung der Last
Leistungsanpassung
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6 Komponenten 6-1

H F T

H F T


Richtkoppler, Ringhybrid

Richtkoppler mit gekoppelten Leitungen siehe Kapitel 4.1
Einfacher Aufbau, unkritische Leitungsdimensionen, geeignet fr
Streifenleitungstechnik:
1
3
4
2
4 /
2 / Z
Z
Z
Z
Z
Z
Z
2 / Z
Substrat


3 dB-Hybrid-Koppler mit
Mikrostrip-Leitungen
(a) Anpassung an Tor: Eingangsimpedanz =Z (Wellenwiderstand der
Anschlussleitungen), falls alle anderen Tore mit Z abgeschlossen sind

Fr Anregung an Tor 1 mit Phasor
+
1
U (zulaufende Welle mit Spannung U ) und bei
Frequenz so, dass die Leitungslngen gerade gleich
4

gilt:

(b) An Tor 3 kein Signal ) 0 (
3
= U , d.h. Tor 3 ist entkoppelt, und die Leistung der
einfallenden Welle an Tor 1 teilt sich auf die Tore 2 und Tor 4 auf mit

+
= =
1
2
1
4 2
U U U , d.h. 3 dB-Teilung
auslaufende Wellen
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6 Komponenten 6-2

H F T

H F T


(c) Phasoren

2
U und

4
U sind um 90 gegeneinander phasenverschoben; dies entspricht
der theoretischen Forderung auf Grund der Verlustlosigkeit des Viertores
(Kapitel 4.4)

Beweis durch Annahme der Entkopplung von Tor 3 0
3
= U ; daher darf hier ein
Kurzschluss gesetzt werden:
Transformation ber
4

ergibt Leerlaufbelastung an Tor 1 und 4 , d.h. die Leitungen


von 1 nach 3 und von 4 nach 3 drfen weggelassen werden.

Rest-Schaltung

Tor 4 belastet durch Z,
4

-Transformation ergibt:



Tor 1 Tor 2
Tor 4
Z
2 / Z
Z
Z
Z

Z =Wellenwiderstand
Tor 2 belastet mit
2
||
Z
Z Z =
Tor 1 belastet mit ( )
2
2
2 1
Z Z
Z = d.h. mit Z
Anpassung !




- Wegen Z Z || an Tor 2 :

- Wegen Anpassung an Tor 1:
Leistungsteilung 1:1

Gesamte einfallender Leistung wird am
Tor 2 und 4 gegeben

- Wegen Lnge
4

von Tor 1 nach Tor 2:



- 90 Phasenverschiebung
- Wegen Lnge
4

von Tor 2 nach Tor 4:



- 90 Phasenverschiebung

d.h. an Tor 4 Gesamtphasenverschiebung relativ zu Tor 1 ( )
+
1
U : - 180
Trafo
4

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6 Komponenten 6-3

H F T

H F T


Spannungen daher

2
,
2
,
1
4
1
2 1
+

+
+
= =
U
U
U
j U U

berprfung der Voraussetzung 0
3
= U :
Richtig, falls Kurzschluss-Strom 0
3
=
K
I

(a) Spannung
+
1
U erzeugt ber die Leitung von Tor 1 nach Tor 3 den
Kurzschluss-Strom
) 1 (
3K
I

4 / , Z
+
1
U
) 1 (
3K
I
Tor 1 Tor 3
z


Mit z I Z j z U z U
K
sin cos ) (
) 1 (
3 3
+ =

(aus Gl. 5.32, Vorlesung HHFT 1)

( )
) 1 (
3 4 K L
I Z j U =



bzw.
Z j
U
I
K
+
=
1
) 1 (
3

(b) Ebenso erzeugt

4
U ber die Leitung von Tor 4 nach Tor 3 den
Kurzschluss-Strom
) 4 (
3K
I

2
4
) 4 (
3
Z
K
j
U
I

= und mit
2
1
4
+

=
U
U

Z j
U
I
+

=
1
) 4 (
3
so dass tatschlich

0
) 4 (
3
) 1 (
3
= +
K K
I I

Wegen der Symmetrie der Schaltung bleiben diese Eigenschaften erhalten, wenn das
gespeiste Tor gewechselt wird
Vertauschung von gekoppelten und entkoppelten Toren

Siehe Collin Grundlagen der Mikrowellentechnik S. 318ff
0
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6 Komponenten 6-4

H F T

H F T


Ferrit-Bauelemente

Ferrite:
Keramische oder einkristalline Metaloxid.
x
O Fe ) (
3 2

20 5
r

1000 1
r

0 keine Wirbelstrme, keine Feldverdrngung

Hochfrequenzeigenschaften

- Magnetisches Dipolmoment B m (rotierende Ladungen)
- Auer angelegtes Magnetfeld 0 H bewirkt Drehmoment
o
B H m D x =
Przessionsbewegung (Kreisel)
0

B
m

0
H



Przession eines Elektrons in einem
Magnetfeld 0 H


0 0
H = ,
m
A
kHz
2 . 35 2 = Gyromagnetisches Verhltnis

Frequenz der Przessionsbewegung ~Magnetfeld
0
H im Material
Funktion (Wechselfeld)

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6 Komponenten 6-5

H F T

H F T


-
0
H im Material: Abhngig von Form des Ferrit
Entmagnetisierungsfaktor zwischen 0 und 1,

0 0
<
r


- Dmpfung der Przessionsbewegung bewirkt Ausrichtung aller magnetischen Dipole
in 0 H -Richtung

- berlagerung durch Hochfrequenz-Wechselfeld ) ( H senkrecht zu 0 H :
Anstoen des Kreisels
Zerlegung von linear polarisiertem H in zwei zirkulare Komponenten
=

linksdrehend rechtsdrehend
+
H

resultierend

- Eine Komponente untersttzt die Przessionsbewegung, die andere dreht gegenlufig

- Das rotierende magn. Dipolmoment bildet rotierende Magnetisierung, d. h.

= H M M
r
) 1 (

mit Resonanz in
+
r
(Aufschaukeln wegen gleicher Drehrichtung) und flachem
Verlauf in

r
(gegenlufige Drehrichtungen) als Funktion des Magnetfeldes (feste
Frequenz ) oder als Funktion des Frequenz (festes Magnetfeld)


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6 Komponenten 6-6

H F T

H F T





Real- und Imaginrteil von
+
r
und

r

als Funktion von

r
mit einer
Dmpfungskonstanten )
1
( 01 . 0
s
=
und =
m
. ( ist fest,
r
d.h.
0
H

wird ber die Resonanz durchgestimmt.)

Das Bild zeigt den Resonanzverlauf von


+
r
und } Re{

r
, 0 } Im{

r

1. Anwendung :

Faraday-Rotation durch unterschiedliche makroskopische
Permeabilitten der beiden Zirkularkomponenten einer linear
polarisierten Welle, z.B. im Rund-Hohlleiter
Drehung der resultierenden Polarisation der Hohlleiterwelle

Siehe Aufgabe 6.5
Achtung : Drehung der Polarisation ist nichtreziprok, d.h. bei
Durchlaufen in Gegenrichtung wird aus Linksdrehung
eine Rechtsdrehung
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6 Komponenten 6-7

H F T

H F T


2. Anwendung: YIG-Resonator

Durchgangsresonator mit YIG-
Kugel zwischen orthogonalen
Koppelschleifen und Abstimmung
ber ein Magnetfeld
0
H
- Orthogonale Leiter sind magnetisch entkoppelt (geringe kapazitive Kopplung)

- Kugelfrmiger Ferrit aus Yttrium-Eisen-Granat
12 5 3
O Fe Y



- Magnetfeld
0
H legt Przessionsfrequenz
r
auf Signalfrequenz

m
A
H
kHz f
r
0
2 , 35 =
- Rotierende Magnetisierung
+
M mit hoher Amplitude kann zerlegt werden in zwei
lineare Komponenten



=

- Kopplung zwischen den Leiterschleifen durch passende
Magnetisierungskomponenten
y
M mit 90-Phasenverschiebung

Nur bei
r
ausgeprgt Bandfilter hoher Gte ) 10000 ( Q mit elektronischer
Steuerung

Einkristallstruktur
(Q) Quadratur sin t M
y

(I) Inphase cos t M
x

+
M

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6 Komponenten 6-8

H F T

H F T


3. Anwendung: Zirkulator


Schema eines Y-Zirkulators in
Streifenleitungstechnik
Ferritscheibe mit leitenden Deckelflchen ist Resonator mit speziellem Hohlleiter-
Schwingungs-Moden hnlich Streifenleiter-
2

-Resonator bei Resonanzfrequenz


e



Feldverlufe der Schwingung eines Resonators aus einer oben und unten metallisierten
Ferritscheibe ohne angelegtes Magnetfeld (a) und bei einem Magnetfeld fr 30-Drehung
der Feldverteilung (b)


Drehung der Resonator-Feldverteilung wegen:

- Zerlegung des Feldes in zwei gegenlufig rotierende Drehfelder
- J edes dieser Felder besitzt zunchst die selbe Resonanzfrequenz
+
= =
e e e

- Magnetfeld
0
H senkt
+
e
gegenber

durch
+
>
r r

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6 Komponenten 6-9

H F T

H F T


- Resonanzverschiebung ergibt Phasenverschiebung, siehe R-L-C-Schwingkreis

I
U
Resonanz
f
-90
90


- Phasenverschiebung bedeutet fr Drehfelder eine Vor- oder Zurckstellung des
Zeigers

resultierend
+
e

keine Phasen-
verschiebung

gedrehte
Resultierende
nicht verschoben
Phasenverschoben (gedreht)


- Bei Einstellung von
0
H so, dass Phasenverschiebung gerade 60, dreht die
resultierende Feldverteilung um 30, so dass die Nullstelle der elektrischen Feldstrke
am Tor 3 auftritt

Tor 3 ist isoliert
Kopplung nur zwischen Tor 1 und 2

Zyklisches Vertauschen wegen Symmetrie

=
0 1 0
0 0 1
1 0 0
S Nichtreziprok!

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7 Rauschen 7-1

H F T

H F T


7.1 Funkbertragung

Strabstand

N
S
S
r
= =
) f Band im ( tung Rauschleis
) f Band im ( tung Signalleis


Regelplan
[ ] N S S log 10 log 10 dB
r
=
Rx-Zusatz-
Rauschen
Umwelt-
Rauschen
Tx-Rauschen
Rx
G
Rx
G
S
N
Tx
Aus
breitung
Tx
Ausgang
Rx
Eingang
Verstrkung
im Empfnger

Der Strabstand nimmt ab

Rauschen im Ton, Schnee im Bild, Bit-Error
x
T
x
R
Signal
Signal
+
Rauschen
Wellenausbreitung
Umwelt-
Rauschen
Elektronisches
Zusatz-Rauschen
S
r
S
E
r
S
A
r
S
Signal
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Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik

7 Rauschen 7-2

H F T

H F T


7.2 Rauschgren

Statistische Beschreibung

Schar-Mittelwerte
0 2 1
bei , ) ( , ) ( t t t U t U =
> < ) (
0
t U
k

gleich mit
zeitl. Mittelwert jeder Einzelfunktion
> < = > < ) ( ) (
1 0
t U t U
k


Ergodische Vorgnge &
Stationre Vorgnge (unabhngig von
0
t )


+

=

0
0
) (
1
lim ) (
t
t
dt t u t u Linearer Mittelwert


u(t)
t

0 ) ( = t u

+

=

0
0
) (
1
lim ) (
2 2
t
t
dt t u t u Quadratischer Mittelwert
(Schwankungsquadrat)


u
2
(t)
t

0 ) (
2
> t u
Rauschleistung an Widerstand

R
t u
P
) (
2
=

Effektivwert ) (
2
t u U
eff
=
R
P
u(t)

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7 Rauschen 7-3

H F T

H F T


Messung der Rauschleistung

f
R
Bandfilter
u(t)



Grenzwerte

R
t u
P f
) (
:
2
=
Gesamtes Spektrum
) (
) (
lim
2
0
f W
f
t U
u
f
=


Spektrale Leistungsdichte in V
2
/Hz, einseitig

Achtung: nicht Leistung im physikalischen Sinn, s.o.
Umgekehrt auch


= = df f w df f W t U
u u
) ( ) ( ) (
0
2


Einseitig: ) (t u { } ) cos( Re
n
t j
t U e U

+ = =

Zweiseitig: ( ) { } { }
t j t j t j t j
e U e U e U e U

+ = + =
*
*
2
1
2
1

Autokorrelation


+ = + =

dt t u t u t u t u
u u
) ( ) (
2
1
lim ) ( ) ( ) (

AKF = Faltung von u(t) mit sich selbst

Sonderfall > =< ) ( ) 0 (
2
t u
u u


Wiener-Khinchine-Theorem:

) (t u ) ( f U
Fourier-Paare



d e f w
f j
u u u

=
2
) (


df e w
f j
u u u


=


2
) (
hinter dem
Filter !
zweiseitig
Existiert nicht !
(u(t) hat unbegrenzte
Energie)
Zweiseitige
Leistungsdichte, wobei
) ( 2 ) ( f w f W
u u
=
f
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7 Rauschen 7-4

H F T

H F T


Zweitor Systemtheorie
Ein Aus
h(t)
V
u
( f )
u
1
(t) u
2
(t)

Zunchst nur fr Signale u(t), fr die
Fourier-Transformation existiert
) (t u ) ( f U ;
nicht gltig fr Rauschsignale
Zeitbereich:
' ) ' ( ) ' ( ) (
1 2
dt t t u t h t u


=
Faltung der Stoantwort mit dem Eingangssignal

' ' ' ) ' ' ' ( ) ' ' ( ) ' ( ) (
1 1 2 2
dt dt t t t h t h
u u u u
+ =



Doppelte Faltung der Eingangs AKF mit Stoantwort


Frequenzbereich:
) ( ) ( ) (
1 2
f U f V f U
u
= zunchst nicht gltig fr Rauschen

) ( ) ( ) (
1 2
2
f w f V f w
u u u
=


Fourier Paare:
) ( f V
u
) (t h
Gltig fr Rauschsignale, wenn Phasoren so eingefhrt werden, dass gilt

df f W f I df f W f U
I u
= = ) ( ) ( , ) ( ) (
df
f
f
w(f)

Effektiv-Wert des Signals im
Band 0 df
Phasen willkrlich annehmen,
aber danach wie mit normalen
komplexen Signalen rechnen
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7 Rauschen 7-5

H F T

H F T


berlagerung von ) (
1
t u und ) (
2
t u : Resultierende Rauschleistung ?

) ( ) ( 2 ) ( ) ( )) ( ) ( (
2 1
2
2
2
1
2
2 1
t u t u t u t u t u t u + + = +


Kreuzkorrelationsfunktion KKF

) ( ) ( ) (
2 1
2 1
+ = t u t u
u u
) (
2 1
f w
u u


Normiertes Kreuzspektrum


) ( ) (
) (
) (
2 1
2 1
2 1
f w f w
f w
f r
u u
u u
u u

=


Mit Rausch-Phasoren geschrieben: bertragung in den Frequenzbereich

2
2 1
U U + ( )( )
*
2 1 2 1
U U U U + + =

*
1 2
*
2 1
*
2 2
*
1 1
U U U U U U U U + + + =

*
1 2
*
2 1
2
2
2
1
U U U U U U + + + =

( )
*
2 1 2
*
1
U U U U + wird Null bei 90 Verschiebung von
2
U gegen
1
U
Autokorrelation von sin-Funktionen

mit
df w U U
df w U U
df W U
df W U
u u
u u
u
u
1 2
*
2 1
2 1 2
*
1
2
2
2
1
2
1
2
2
=
=
=
=
bei Frequenz f

Leistung des
Summensignals
Leistung 1 Leistung 2 = 0 unkorreliert
0 korreliert
Kreuzkorrelation
Einzel-Leistungen
= 1 voll korreliert

= 0 nicht korreliert
Kreuzspektrum
Diese Kreuzprodukte knnen Null werden
(unkorrelierte Spannungen)
Vllig andere Bedeutung des Produkts als
in herkmmlicher Schaltungsanalyse mit
Phasoren!
Bei Wechselstromanalyse nur zu Null
falls sin und cos
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7 Rauschen 7-6

H F T

H F T


Aufteilung in korrelierte und unkorrelierte Anteile

) ( ) ( ) ( ) (
1
'
2 2
+ + = t u t u t u

( )




) (
) (
) (
1 1
2 1



u u
u u
= Normierte KKF

Mit Rausch-Phasoren geschrieben
) ( ) ( ) (
1
'
2 2
f U f U f U + =


komplex

( ) f
f
2
1
2
*
1
) (
) ( 2
) (
1
2 1
U
U U
f W
f w
f
u
u u
= = =Korrelationskoeffizient
) ( f gibt den Anteil von ) (
2
f U wieder, der nach Amplitudenwichtung
(Streckung) und Phasenwichtung (Drehung) identisch mit ) (
1
f U ist.
Damit wird hufig geschrieben

2
1
'
2 1
2
2 1
U U U U U + + = +
2
'
2
2 2
1
1 U U + + =
df W df W
u
u
+ + =
'
2
1
2
1





Achtung: Phasen der Rausch-Phasoren gehen ein bei Berechnung von
Kreuzkorrelation
Rest, unkorreliert
Voll mit ) (
1
t u
korrelierter Teil
(nur zeitverschoben)
Vllig unkorreliert mit
1
U
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7 Rauschen 7-7

H F T

H F T


7.3 Rauschquellen

Thermisches Rauschen (Nyquist, Planck) von Widerstnden

= =
Y
Z
1
=
Z
Y


df Z T k U } Re{ 4 = df Y T k I } Re{ 4 = Rauschender
Widerstand
Spannungsphasor Stromphasor

Spektrale Leistungsdichte
) ( Funktion } Re{ 4
) ( Funktion } Re{ 4
f Y T k W
f Z T k W
i
u
=
=


Schwankungsquadrat ber Brandbreite f

f Y T k i
f Z T k u
=
=
} Re{ 4
} Re{ 4
2
2


Bei Anpassung: Verfgbare Leistung ber Bandbreite f
=
Z
*
Z U
2
U
X j X j - R
R
Annahme:
Nicht rauschend

f T k
Z
U
P
r
= =
} Re{
1
2
2
verfgbar

nicht von Z abhngig !
Frequenzbegrenzung wegen Endlichkeit der
Energie


1
4
) (

=
T k
f h u
e
f h R
f W
f
W
n
4kTR
hf > kT

h = Plancksche Konstante
GHz
f
K
T
f h
T k
21 = T k f h << im Mikrowellenbereich z.B. 50 K, 100 GHz
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7 Rauschen 7-8

H F T

H F T


Schrotrauschen
Diskrete Ladungstrger berqueren Potentialschwelle
Influenz eines Strompulses im Auenkreis
C
B
q
d
C
I
C
I
C

q
t
C

S
C
v
d
=

I
C
t
q I =
mittel
C
Spektrale Leistungsdichte


2
sin
2 ) (

=
c
c
c i
f
f
I g f W



( ) f W
i
C
2qI
f

fr
c
f

1
<< gilt Nhrung
c i
I g f W 2 ) ( Schottky-Formel

df I g r I
c
2 =
Achtung: Rauschen abhngig von Gleichstrom
c
I
Problem bei Grosignalbetrieb
I
C
U
C
t
I
0
I
ges
t



viele, unabhngige
Vorgnge mit Rate
Theorem von
Campbell
wegen AKF des Pulses si
2
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7 Rauschen 7-9

H F T

H F T


Schrotrauschen der pn Diode

Kennliniengleichung
) 1 ( = =
kT
qU
s s
kT
qU
s ges
e I I e I I


Stromkomponenten rauschen unabhngig

Schottky-Formel
ges i
W

+ = + = 1 2 2 2
kT
qU
s s
kT
qU
s
e I q I q e I q

q
kT
ges i
U I q W >> = fr , 2 : Fluss
0 fr , 2 << = U I q W
ges i
: Sperr
0 fr , 4 = = U I q W
ges i
: Rein passiv, thermodynam.
Gleichgewicht
I
ges
u
( ) u g
( ) 0 = u g



Vergleich mit thermischem
Rauschen des differentiellen
Leitwerts
DifferentiellerLeitwert:

>>
=
= = =
q
kT
U
kT
q
I
U
kT
q
I
e
kT
q
I
dU
dI
g
ges
s
kT
qU
s
ges
,
0 ,

Damit berechnetes thermisches Rauschen

>> =
= =
= =
i
i
q
kT
s
s
s
th
W
W
U qI
U qI
T k
q I T k
q T k W
2
, 4
0 , 4
4
4

Vergleich ergibt: - Stromlose Diode rauscht wie entsprechender differentieller
Leitwert bei Temperatur T
- Fluss-Diode rauscht mit quivalenter Temperatur
2
T
r
T =

df T k Diode P
v r 2
1
) ( = Anwendung als Rauschdiode
Diffusions-Strom
Sttigungs-Strom
Sonderflle
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7 Rauschen 7-10

H F T

H F T


1/f-Rauschen (Flicker noise)
= U
r
I
r
bzw.
(thermisch, Schrot)
konst.
f
1
log f
f
C
logW
r

quivalenz: Differentieller Leitwert rauscht mit
f
T
r
1
~


Bedeutung fr Hochfrequenz:

- Kleine HF-Signale detektieren Strabstand klein
HF-Verstrkung, ZF-Verstrkung ntig
- Oszillatoren schwingen unregelmig durch niederfrequente Verschiebungen des
Arbeitspunktes Phasen- und Amplituden-Rauschseitenbnder



Ursachen:

- Vorgnge in Oberflchen
- Stark Technologie-abhngig


Gleichstromabhngig hnlich Schrotrauschen
f
f
I K I
f
A
f r

=
0


Andere Rauschmechanismen:

- Sto-Ionisation (niederfrequent, FET)
- Kanal-Rauschen (FET)
kHz 100 kHz 1
c
f
bei Dioden , BPT, FET
Eckfrequenz
(corner frequency)
quivalente Rauschquellen

f
A
I
0
Gleichstrom
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7 Rauschen 7-11

H F T

H F T


7.4 Rauschende Zweitore

I
1
I
2
I
2
I
1
U
1
U
2
U
2
U
1
I
r1
I
r2
"Rauschendes
Zweitor"
Rausch-
Ersatzquelle
Rauschfreies
Zweitor
Schaltung (a)
(Y)
(Y)

Gedanken-Experiment

Ein- und Ausgang kurzgeschlossen:

- Rauschfreies Zweitor 0
1
= I , 0
2
= I
- Rauschendes Zweitor
1 1 r
I I = ,
2 2 r
I I =

Ein- und Ausgang leerlaufend:

- Rauschfreies Zweitor 0
1
= U , 0
2
= U
- Rauschendes Zweitor
1 1 r
U U = ,
2 2 r
U U =


Ersatz-Darstellungen:

6 verschiedene Varianten mit jeweils zwei Rausch-Spannungs- und/oder Rausch-Strom-
Quellen mglich, so dass unter beliebiger Beschaltung des Zweitores die wirklichen
Verhltnisse an den Klemmen reprsentiert

Mit
1 r
I und
2 r
I wird erweiterte Leitwert-Matrix

2
1
2
1
22 21
12 11
2
1
r
r
I
I
U
U
y y
y y
I
I
Gl. (7.56) / Schaltung (a)


mit , ) ( 2 , ,
2 1 2
*
1 1 1 1 1
df f w I I df W I df W I
i i r r r r r r
= = =

z.B. aus Messung bestimmen.
Modell
Wirklichkeit Eine von 6 mglichen Ersatz-Darstellungen
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7 Rauschen 7-12

H F T

H F T


Fr Transistor-Verstrker blich:
I
2
I
1
U
2
U
1
I
r (Y)
U
r

Schaltung (b) mit Rausch-
Ersatzquellen nur am
Eingang
r r
I U ,
Umrechnung

2 2
1
r
r
r
r
U
U
I
I
durch Vergleich der beiden Zweitor-Gleichungssysteme
mit Kettenparametern (siehe Kapitel 3.5)

7.56 Gl. aus (a) Schaltung
1 1
2
21
11
1 2
21
11
2
21
21 12 22 11
1
2
21
2
21
2
21
22
1

+ +

=
+ =
r r
r
I
y
y
I I
y
y
U
y
y y y y
I
I
y
I
y
U
y
y
U


(b) Schaltung
1
2
21
11
2
21
21 12 22 11
1
2
21
2
21
22
1

+ +

=
+ =
r
r
I I
y
y
U
y
y y y y
I
U I
y
U
y
y
U


Durch Vergleich der Glieder der Gleichungen:

2
21
1
r r
I
y
U =
2
21
11
1 r r r
I
y
y
I I =
Umformung der Ersatz-Darstellung bedeutet also:

Rausch-Ersatzquellen ndern sich

Korrelationen ndern sich, z.B.




2
2
2
21
11
1
*
2
*
21
*
1
r r r r r
I
y
y
I I
y
I U =


=0 , falls
2 r
I
und
1 r
I
0 , d.h.
r
U und
r
I sind korreliert, falls und
obwohl und
1 r
I und
2 r
I unkorreliert sind!
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7 Rauschen 7-13

H F T

H F T


Rauschwellen Beschreibung mit Streuparametern
Zweitor
mit
Rauschen
1 2
2' 1'
s
21
b
2
a
1
b
1
s
12
a
2
s
22
s
11
Tor 1
Tor 2
=
b
r1
b
r2

Zweitor Gleichungen

+ + =
+ + =
2 2 22 1 21 2
1 2 12 1 11 1
r
r
b a s a s b
b a s a s b

Leistung der Wellen

rck
2
hin
2
; P a P a = = a, b Effektivwerte

df f W P b
r
= = ) (
rausch
2


df f W b
r
= ) ( =
r
b Rausch-Phasor (Effektivwert) analog zu Spannungs- und
Strom-Phasoren, jedoch wirkliche Leistung

Beispiel: Leitung mit angepasstem Abschlusswiderstand
= =
a
r
Z
Z Z
Z Z


df f W U
u r
) ( =
Z T k W
u
4 = (thermisches Rauschen)



Wegen Anpassung:
2
r
r
a
df T k P
=
=


Rausch-Wellen
2 1
,
r r
b b treten aus den
Toren 1, 2 aus, falls keine Wellen
2 1
, a a
einfallen
(Analog zu Leerlauf / Kurzschluss)
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7 Rauschen 7-14

H F T

H F T


Allgemein: Wellenquelle (Index r fr Rauschen)
s
21
s
12
s
11
G rG
r a b b + =
rG
b
G
r
a


Zweitor
Wellenquelle mit auslaufender Leistung

2
rG
b P = und Reflexionsfaktor
G
r Verfgbare Leistung
2
2
1
1
G
rG v
r
b P

=
Beispiel: Passives Zweitor mit angepassten Leitungsabschlssen ( 0 =
G
r ) im thermischen
Gleichgewicht der Schaltung
s
21
b
2
a
r1
b
1
s
12
a
r2
s
22
s
11
b
r1
b
r2

Thermisches Gleichgewicht = Temperatur an allen Stellen gleich
Aufgenommene Leistung = Abgegebene Leistung

2
2
2
2
2
1
2
1
b a
b a
r
r
=
=


Fr Tor 1 gilt zusammen mit Zweitor-Gleichung:
{ } { } { }
2
1
*
1 2 12
*
1 1 11
*
2 1
*
12 11
2
1
2
2
2
12
2
1
2
11
2
1 2 12 1 11
2
1
Re 2 Re 2 Re 2
r
r r r r r r r r r
r r r
a
b a s b a s a a s s b a s a s
b a s a s b
=
+ + + + + =
+ + =
Unkorrelierte (unabhngige)
Quellen ergeben verschwindende
Kreuzprodukte
0
*
1 2
*
1 1
*
2 1
= = =
r r r r r r
b a b a a a

unkorreliert

1 2
1 1
2 1
r r
r r
r r
b a
b a
a a

aber
2 1 r r
b b
i.A. teil-korreliert
Signalflussdiagramm
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7 Rauschen 7-15

H F T

H F T


- Zusammen mit df T k a a
r r
= =
2
2
2
1

folgt: ( )
2
12
2
11
2
1
1 s s df T k b
r
=

Fr Tor 2 ebenso:
( )
2
21
2
22
2
2
1 s s df T k b
r
=


Daraus ist zu erkennen:

1. Verlustlose Zweitore rauschen nicht, da

=
n
k
m k i k
m i
m i
s s
1
*
1
0

(Gl. 4.40, Verlustlosigkeit)

2. Verlustbehaftete Zweitore rauschen mit einer quivalenten Temperatur
r
T T = wie
Widerstnde an den Toren

( )
2
2
1
ij ii r
s s T T =
( ) = 1 T T
r
, mit = Verlustfaktor des Zweitores

z.B. verlustbehaftete Leitung der Lnge l
( )
l l j
s s s s

= = = = e e , 0
21 12 22 11



( )
D
T T T
D
l
r
1
) 1 ( e 1
1
2
=
= =



Achtung: Ein / Ausgangs-Rauschen i.A. korreliert !

3. Eintore (mit 0
22 11
= = s s ) wirken wie Rauschquellen der verfgbaren Leistung
df T k P
r
=

, wobei die Fehlanpassung zwischen Innenwiderstand und Z durch


11
s bzw.
22
s beschrieben ist, so dass abgegebene Leistung reduziert wird



Wellenquelle:
2
0
2
G r G r
b b = (Urwellenquelle) ( )
2
1
g
r
Dmpfung, siehe HHFT 1 5.22
( )
2
1
ii r ab r
S P P =

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7 Rauschen 7-16

H F T

H F T


7.5 Rauschzahl eines Zweitores
Generator auf Bezugs-
Temperatur
0
T
) K 290 (
0
= T
Z
G
U
G
G
P
f kT P d
0 rG
=
Generator rauscht
rein thermisch
Wegen der bekannten verfgbaren Rauschleistung
rG
P wird als die Verstrkung des
Zweitores der Gewinn gewhlt (Kapitel 3)

E
A
E
A
P
P
P
P
G = =
) verfgbar (
) h tatschlic (
ist abhngig von
G
Z !
E
P ist
abhngig von
G
U und
G
Z fr Signal


unabhngig von
G
Z , nur abhngig von
0
T fr Rauschen

A
P ist abhngig von
G
Z und
Last
Z
Z
G
U
G
G
P
rG
P
Rauschendes
Zweitor
Gewinn G
Z
Last
T
0



G
P G P =
Signal


2 Rausch r rG
P P G P + =



Alle Gren frequenzabhngig, d.h. ) Freq. ( ,
2
f G W
r
=
Rauschzahl bei Frequenz f (Spektrale Rauschzahl, Spot noise figure)

0
2
0
2 0 2
1
auschen Generatorr s verstrkte
ng uschleistu Ausgangsra
T k G
W
df T k G
df W df T k G
P G
P P G
F
r r
eG
r rG

+ =

+
=

+
=
=


Summenbildung, da
Rauschbeitrge unkorreliert
Aus
2 r
W des
Zweitores bei
Last
Last
Z
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Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik

7 Rauschen 7-17

H F T

H F T


Andere Definitionen dieselbe Gleichung


0
2 0
Zweitor em rauschfrei bei ng uschleistu Ausgangsra
ors chen Zweit tatschli des ng uschleistu Ausgangsra
T k G
W T k G
F
r

+
= =


( )
( )
rA
rE
A
E
S
S
N
S
N
S
F = =


Abhngigkeit von
Last
Z :
2 r
W und
0
T k G aus Tor 2, d.h. aus Quelle mit Reflexionsfaktor
22
s
Gemeinsamer Anpassungsfaktor (siehe Kapitel 5.1)
L
L
L
r s
r
G
22
2
1
1

=

Damit ) (
Last
Z f F

quivalente Definition
eistung Generatorl verstrkte
istung Ausgangsle verfgbare
= F
mit
verfgbar
r verfgba
verfgbar
E
A
P
P
G =

Kettenschaltungen: Eingangsleistung der Folgestufe =
verfgbare Leistung der Vorstufe


) (
G
Z f F = , da der Zweitor-Gewinn G oder
v
G von
G
Z abhngt
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7 Rauschen 7-18

H F T

H F T


Rauschanpassung

Schaltung (b) mit rauschendem Generator auf Temperatur
0
T
Z
G
Zweitor
Rauschfrei
Z
Last
P
rE
I
r
f R kT
U
d 4
G 0
rG
=
U
r
P
rA
Generator

Rausch-
Quellen
) ( f j
Last E E E
Z X R Z = + =

Nur Rauschanalyse,
Signal-Leistung aus
Generator wird nicht
betrachtet !
Betrachtung nur auf Eingangs-Seite, abgegebene Leistung:

- Generator
2
2 2
) Generator (
E G
E
rG E E rE
Z Z
R
U R I P
+
= =
- Rauschquelle
2
2 2
) le Rauschquel (
E G
E
G r r E E rE
Z Z
R
Z I U R I P
+
+ = =
Rauschzahl entsprechend erster Definition:

ung auschleist Generatorr verstrkte
ng uschleistu Ausgangsra
= F
Bezug auf Eingang mglich, da Rauschquellen alle eingangsseitig; Zweitor-
Verstrkung
p
V krzt sich weg:


df R T k
Z I U df T k
U
Z I U U
) Generator ( P
.) Rauschg ( P ) Generator ( P
V Generatorrauschleistung
V Eingangsrauschleistung
F
G
G r r
rG
G r r rG
rE
rE rE
p
p
0
2
0
2
2 2
4
4 + +
=
+ +
=
+
=


=

Mit Aufspaltung

ir
ur ir
r
r r
K r K r r
W
w
I
U I
Z I Z U U
2
,
2
*
'
= = + =
K
Z : Korrelationswiderstand
df R T k
Z Z I U
df R T k
Z Z I U df R T k
F
G
K G
'
r
'
r
G
K G
'
r
'
r G
0
2
2 2
0
2
2 2
0
4
1
4
4
+ +
+ =
+ + +
=

rG
U und
r r
I , U
unkorreliert

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7 Rauschen 7-19

H F T

H F T


Daraus zu erkennen


Keine Lastabhngigkeit, obwohl ) Z ( f Z
Last E
=
Keine Abhngigkeit von Zweitor-Verstrkung, da alle Quellen eingangseitig;
physikalisch dennoch implizit Bercksichtigung der Verstrkung durch Gre der
Eingangs-Rauschquellen,
siehe Umrechnung der Rauschquellen von Schaltung (a) nach (b)

) Z ( f F
G
=
0
-X
K
X
G
F(R
G
, X
G
)
F(R
G
)
0
R
G
F(R
G
)
1/R
G
X
G
= -X
K
F
min
(R
G
)
opt
R
G

Umformung auf:
2
0
2
4
Opt
G G
G
r
min
Z Z
df T k R
I
F F + =
,
K G G
X j R Z
Opt Opt
=

( )
df T k
R R I
F
Opt
G K r
min
0
2
4
2
1
+
=
Mit quivalenz df G T k I
N r 0
2
4 = ,
N
G = quivalenter Rauschleitwert


G
G G
N min
R
Z Z
G F F
Opt
2

+ =
F = konst.
R
G
jX
G
-jX
K
R
Gopt

Kreise mit F = konstant in
der Generator-Impedanz-
Ebene
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7 Rauschen 7-20

H F T

H F T


Kreis-Abbildung der Rauschzahl-Gleichung


G
G G
N min
R
Z Z
G F F
Opt
2

+ = konstante Werte liegen auf Kreisen in der


g
Z -Ebene

Ableitung (siehe auch Collin Foundations for Microwave Engineering, Seite 725)

Kreisgleichung in x-y-Ebene, Kreis mit Mittelpunkt ( )
o
y , x
0
und Radius R:

( ) ( )
2 2
0
2
0
R y y x x = +
oder
( ) 0 2 2
2 2
0
2
0 0 0
2 2
= + + + R y x yy xx y x

In komplexer Ebene mit y j x z + = ,
0 0 0
y j x z + =

0
2
2
0
= R z z bzw.

( )( ) 0
2
0 0
= R z z z z
* *
bzw.


( ) 0
2 *
0 0 0
* *
0
*
= + R z z z z z z z z

Standardform der Kreisgleichung

Aufgabe

Den Kern
g
Opt
g g
R
Z Z
2

in die Standardform bringen: Z Z


g
= ,
Opt
Opt
g
Z Z =

( )( )
( ) ( )
*
*
Opt Opt Opt
* *
Opt
*
*
*
Opt
*
Opt
g
Opt
g g
Z Z
Z Z Z Z ZZ ZZ
Z Z
Z Z Z Z
R
Z Z
+
+
=
+

=

2
1
2
1


= konst. (Wert) = k
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7 Rauschen 7-21

H F T

H F T


Umgeformt

( ) 0
2
1
= + +
* *
Opt Opt Opt
* *
Opt
*
Z Z k Z Z Z Z ZZ ZZ

( ) ( ) 0 Z Z Z Z Z Z ZZ
*
Opt Opt 2
k
Opt
*
2
k
*
Opt
*
*
0
Z
*
0
Z
= + + +


2 0
k
Opt
Z Z + =
2 0
k
Opt
Z Z =
2 0
k * *
Opt
Z Z =
( )( )
2 0 2 0
k
*
k
Z Z
( ) ( )

}
0
{Z Re 2
*
0 0 2
k
2
2
k
*
0 0
Z Z Z Z + +

{ } ( ) ( ) ( ) 0 Re
2
2 0
*
0 0
*
0
* *
0
*
= +
k
Z k Z Z Z Z ZZ ZZ

Vergleich mit Standardform ergibt

( )
2
2 0
2
2 0
} Re{
k
k
g
Z k R
Z Z
Opt
=
+ =


Beispiel:
2
1
= k , 1 =
Opt
Z (ohne Dimensionen)

Kreis fr
x (bzw. R
g
)
jx
(bzw. jX
g
)
R
1 5/4
Z
opt
Z
0
2
1
= k

4
3
16
9
16
1
4
5
2
1
2
5
4
4
1
0
1
=
= =
= =
R
R
Z

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7 Rauschen 7-22

H F T

H F T

Kreise
F= konst.

Rauschanpassung und Leistungsgewinn-Anpassung
mit Streuparametern

Noise Figure Parameters
Noise figures as a function of
s
(source reflection coefficient) may be expressed as
2
0
2
2
0
min
1 ) 1 (
4 ) (

+ =
s
s
N
R F F
where
=
min
F minimum noise figure
=
N
R equivalent input noise resistance of the two port (normalized to Z = 50)
=
0
source reflection coefficient required for
min
F
The above equation my be used to describe a family of circles in the
s
plane.


35876E Opt. 100: Typical
N
R vs.
Frequency, Data for V V
CE
10 = ,
mA I
C
5 =
Leistungsanpassung mit unilateraler Nherung (Gl. 5.8)
G
G
G G
r s
r
r G
11
2
1
1
) (

=

35876E Opt. 100: Typical Circle of Constant Gain (bilateral) and Noise Figure at 2 GHz for
V 10 =
CE
V , mA 5 =
C
I
Fazit: Optimale Generator-Impedanz bzw. Reflexionsfaktor unterschiedlich fr kleines
Rauschen und grten Leistungsgewinn
Kreise G = konst.
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7 Rauschen 7-23

H F T

H F T


Temperaturabhngigkeit

Definition der Rauschzahl gilt fr
0
T T = im Generator und Zweitor.
Generator bei
0
T T T
G
= :
Z
G
U
rG

df R T k U
G G rG
4 = , df T k P
G Gv r
=
Zweitor mit Rauschzahl F (festgestellt bei
0
T ) kann bei gegebenem
G
Z ersetzt werden
durch :
Rausch-
freies
Zweitor
G
U
rErs.
Z
Last

df R F T k U
G G Ers r
) 1 ( 4 =
df F T k P
G v Ers r
) 1 ( =
Zusammenschaltung ergibt neue Rauschzahl bzgl.
G
T


) (
G
T F
( )
Gv r
v Ers r Gv r
P G
P P G

+
= =
uschen Eingangsra s verstrkte
ng uschleistu Ausgangsra


) 1 ( 1
) 1 (
0 0
+ =
+
= F
T
T
T
F T T
G G
G


nderung bei Betrieb des Zweitores mit
0
T T :

- Gewhnlich Reduzierung von
r
W bei Khlung, d.h. F fllt mit T, jedoch :

- Keine Proportionalitt der Rauschleistung des Zweitores, da neben thermischen
Rauschen auch Schrotrauschen etc.

F
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7 Rauschen 7-24

H F T

H F T


Rauschtemperatur

Die verfgbare Eingangsrauschleistung aus
G
Z und Zweitor

( ) ( )df F T T k P P
G Ersv r gv r
1
0
+ = +

kann gedacht werden als eine verfgbare, rein thermisch erzeugte Rauschleistung des
Generatorwiderstandes bei der System-Temperatur

0
) 1 ( T F T T
G S
+ =

Entsprechend kann dem Generator die wahre Temperatur
G
T und dem Zweitor die
Rauschtemperatur

0
) 1 ( T F T
r
=

zugeordnet werden.

Beispiel: Rauscharme Antennenverstrkung & Antenne

! 215 145 70
70 ) Empfang Satelliten (
145 290 ) 1 5 , 1 ( ) 1 (
0
0
T K K K T
K T
K K T F T
s
G
r
< = + =
=
= = =


Strabstand am Ausgang bei Signal-Leistung
Gv
P

G f T k
G P
S
s
Gv
r
A



s
T enthlt Zweitor-Rauschen bezogen auf Eingang des rauschfreien idealen
Zweitores; G krzt sich weg, d.h. der Strabstand des idealen Zweitores bleibt am
Ausgang erhalten.
s
T bercksichtigt das reale Zweitor bezogen auf den Ausgang durch Ableitung
aus der Rauschzahl F.
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7 Rauschen 7-25

H F T

H F T


7.6 Kettenschaltung - Rauschen

zwei rauschende Zweitore in Kette:
1. Stufe

Z
G
P
r1
G
i
P
rGv
U
GrG
Z
A
P
rGv
F
1
G
1
G
1v




v r
P
1


rGv v
P G
1

df T k P
P G
P G P
P G
P G P
F
rGv
rGv v
rGv v v r
rGv
rGv r
0
1
1 1
1
1 1
1
; =
+
=
+
=


v
G G F
1 1 1
, , messen mit Generatorimpedanz
G
Z !

P
r2
G
2
(P
r1v
+ G
1v
P
rGv
) = G
2
F
1
G
1v
P
rGv
F
2
G
2
P
r1v
+ G
1v
P
rGv

verfgbare
Rauschleistung
der 1. Stufe

Zunchst Betrachtung als Einzelstufe mit Generator:

df T k P
P G
P
P G
P G P
F
rGv
rGv v
r
rGv
rGv r
0
2
2
2
2 2
1
; 1 = + =
+
=


2 2
, G F messen mit Generatorimpedanz
A
Z !
Kettenschaltung
( )

v
G
F
rGv rGv
r
rGv v
rGv v v r
rGv v
r rGv v v r
P P G
P
F
P G
P G P
P G G
P P G P G
F
1
1
2
2
2
1
1
1 1
2 1
2 1 1 2
Stufe 1. der uschen Eingangsra s verstrkte
Stufe 2. der ng uschleistu Ausgangsra

+
=

+ +
=
=

v
G
F
F F
1
2
1
1
+ = Friis-Formel
fr zweite
Stufe bentigt
2. Stufe
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7 Rauschen 7-26

H F T

H F T


Rauschtemperatur der Kettenschaltung: mit Friis-Formel

( ) 1
1
1 1
2
1
1
+ = F
G
F F
v


und Vergleich mit Definition ( )
0
1 T F T
r
=

( ) ( ) ( )
0 2
1
0 1 0
1
1
1 1 T F
G
T F T F
v
+ =

2
1
1
1
r
v
r r
T
G
T T + =

Zwei etwa gleichwertige Stufen, Zweitor A (mit
A
F und
A
G )
und Zweitor B (mit
B
F und
B
G ) werden in Kette geschaltet.
Frage: Unter welcher Bedingung ist die Reihenfolge A-B besser als B-A

( ) ( )
B
B
A
A
G G A
B
B
A
B
A
B
A
B
A
B
A
B
A
B
A
G
F
G
F
G
F
G
F
G
F
F
G
F
F
G
F
F
G
F
F
A B
1
1
1
1
1
1
) 1 )( 1 (
1
|
1
1 1
1
1 1
umordnen |
1
1
1
1
1 |
1 1
1 1

<

<

+ <

+ <

+


d.h. diejenige Stufe zuerst, deren Rauschma

v
G
F
M
1
1
1

= am kleinsten ist.
Achtung: Vertauschung der Reihenfolge ohne weiteres nur, wenn beide Stufen
gleiche Ausgangsimpedanz besitzen !
Anwendung: In Empfngern wird gewhnlich nicht kleinste Rauschzahl F einer Stufe
sondern kleinst mgliches Rauschma M angestrebt; das fhrt i.a. zu
einem Kompromiss zwischen F und G (associated gain) durch Wahl
von
G
r .
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7 Rauschen 7-27

H F T

H F T


7.7 FET-Rauschen

Untersuchung der physikalisch wirksamen Quellen von Rauschstrmen ergibt:

Kanalrauschen:

Der Kanal ergibt Kleinsignal-Leitwert
D
g zwischen Drain und Source.
Thermisches Rauschen bei kleinen Spannungen
DS
U als

df g T k I
D rDS
4 =

Bei Sttigungsbetrieb

,
3
8
df S T k I
S rDS
= d. h. wie

Leitwert
S D
S g
3
2
'
=
1.
I
rDs
U
Gs
SU
Gs
g
d
G
S S
D


2. Induziertes Gate-Rauschen

Kanalrauschen induziert kapazitiv einen Kurzschluss-Rauschstrom
( )
2
2
3
4
T
df kTS I
S
rGS

= am Gate mit Transitfrequenz


gs
C
S
S
T
= .
Kanal- und Gate-Rauschstrme sind miteinander korreliert !


3. Wirksame Temperatur T ist mehrfach hhere Elektronentemperatur des Gitters.
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7 Rauschen 7-28

H F T

H F T


4. Alle ungesteuerten, widerstandsbehafteten Halbleiter-Bahnen und Kontakte rauschen
unkorreliert wie Widerstnde
R
G
innerer
FET
I
rGS
I
rDS
R
G G
R
S
Rauschfrei

Resultierende
Ersatzschaltung fr
rauschenden FET
Bei Vernachlssigung der Widerstands-Rauschbeitrge und
rGS
I kann Rauschzahl
nherungsweise bestimmt werden mit unilateraler Nherung fr das Zweitor
G
G
I
rDS
[ ] Y
P
rEv
P
rv
G
v
P
rEv
y
12
= 0

- Verfgbare Rauschleistung der Quelle df
G
S
T k
G
I
P
S
rDS
rv
22 22
2
3
2
4
= =
- Verfgbarer Zweitorgewinn

) 1 (
)} )( Re{(
2
2
11 2
22
2
21
*
11 22 22 11
2
21
G
G
y
G
G
G G
G
v
G G
G y
G y G y y y
G y
G
+
=
+ +
=

-
2
21
2
11
1
3
2
1
y
G S
G df T k
P G df T k
F
G
G
y
G S
v
rv v
+
+ =
+
=

mit
S gs
S y C j y
21 11
, und
G
R G
G
1
= ,
V
mA
10
S
S , 10
G
R
G S
G gs
R S
R C
F
2
) ( 1
3
2
1
+
+ 7 F fr tiefe Frequenzen
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7 Rauschen 7-29

H F T

H F T


Moderne Modelle der Rauscheigenschaften


- Rauschbeitrge durch Zuordnung von passenden Rauschtemperaturen zu allen
Widerstnden des Kleinsignal-Ersatzschaltbildes. Dabei treten unterschiedliche
Temperaturen auf fr intrinsische Elemente (innerer FET) mit
A r
T T und
A r
T T = fr
extrinsische Widerstnde;
=
A
T Ambient Temperature = Umgebungs- / Arbeitstemperatur.
Elementen, die keine Rauschbeitrge liefern, wird 0 =
r
T zugeordnet. Die einzelnen
Rauschbeitrge sind damit modelliert als thermisches Rauschen, d.h. wei und
unkorreliert.

- Zustzliche physikalische Quellen von Rauschen neben Kanalrauschen (
G gs
T R , und
D gs
T R , ) treten auf:

- Schrotrauschen des Gate-Leckstrom ) , (
p pgs
T R
- Stoionisation im Kanal (
im r im im
i C R , , )
-
f
1
Effekte (nichtweies Rauschen)


- Die einzelnen Quellen bzw. Elemente des Modells werden durch Anpassung der
Parameter an Medaten, (Rauschleistung, Korrelation, Rauschzahl, Impedanzabhngig,
etc.) bestimmt Parameter Fitting
Beispiel: Hetero FET, Dissertation van Waasen, 1998

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8 Leistungsverstrker 8-1

H F T

H F T


8.1 Betriebsarten

Transformatorgekoppelter Transistorverstrker in Emitterschaltung
G
'
R
L
R
L
' R
cB
U
bB
U
G
U
G
' U
be
U
ce
U
L
U
1 2
n : n
1 2
N : N
b
I
c
I

Transformatoren:
- Trennung Gleichstrom / Wechselstrom
- Keine Gleichleistung verloren an Lastwiderstand bzw.
Generatorwiderstand
- Anpassung Generator Verbraucher
-
2
1
'
n
n
G G
U U = ; ( )
2
'
2
1
n
n
G G
R R = ; ( )
2
'
2
1
N
N
L L
R R =

Arbeitsgeraden:
- Wirksamer Wechselstrom-Leitwert
- Scherung der nichtlinearen Kennlinien


Arbeitsgerade
be
U
b
I
0
b
I
bB
U
cm
I
c
I
0
c
I
rest
c
U
cB
U
ce
U
ce0
U
AP
Sttigungs-
bereich
Arbeits-
gerade
Sperr-
bereich
L
'
/ 1 R
b
I
0
b b
I I =


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Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik

8 Leistungsverstrker 8-2

H F T

H F T


Getrennte Betrachtung:
= 0
U
=
R
bB
U
bB
I
Arbeitsgerade
U
b
I
bB
I
bB
U
Diodenkennlinie
0
U
=

R
1
Arbeitspunkt
( )
bB bB
, I U

Linearisierung der Kennlinie um den
Arbeitspunkt (AP)
=
R
bB
u
b
i
c
i

G
' u
Gleichstromquelle ( )
0
U wirkt als
Wechselspannungskurzschluss
AP
b
g
b
i
be
u t
be b b
u g i =
Kleinsignalspannung
be
u

Maschengleichung fr Kleinsignal
be b G G b G G be
u g R u i R u U = =
' ' ' '

b G
G
be
g R
u
u
+
=
'
'
1





=
R
i I,
u U,


Stromsteuerung:
R ,
'
0
,
G
u U
R
u
G
i
'
sinusfrmig wie
'
G
u
Arbeitsgerade
G R
'
1
U
b
I
bB
I
bB
U
be
u
t
t
G
' u
Kennlinie
0
U
t
b
i
R
1

'
~
G b E
u i i = sinusfrmig wie
'
G
u Linearisierung bei Grosignal
Falls
'
G
R R =
=

be
u sinusfrmig wie
'
G
u selbst
Grosignal: ) (
be b
u g konst.

be
u nicht sinusfrmig
Wechselstrom
Gleichstrom
Maschengleichung
bB bB
U R I U =
= 0
mit ) (
bB bB
I f U =
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Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik

8 Leistungsverstrker 8-3

H F T

H F T


Arbeitspunkte, Arbeitsgeraden und Aussteuerungsgrenzen

- Verlusthyperbel ( )
max c ce m
I U P
- Maximalwert
cm o ce
I U ,
- Aussteuerungsverbot: Sperrbereich, Sttigungsbereich

Kennlinien

- Eingangsseitig
eb b
U vs I . , Parameter:
B c
U
- Ausgangsseitig
e c c
U vs I . , Parameter:
b
I
- Durchgangskennlinie: Bestimmte Betriebsart,
feste Arbeitspunkte etc.


Ausgangsgren vs. Eingangsgren, z.B.
E i
U vs I .
Durch Scherung der nichtlinearen Eingangs-Kennlinie wird Durchgangskennlinie
linearisiert.
b
I
0
b
I
bB
U
G
' u
be
U
G
' / 1 R
t
c
I
ce
U
AP
cB
U
b
I
L
' / 1 R
Sttigung
Sperr-
bereich
E
U
bB
U
c
I
0
c
I
( ) t u
G
'
t
( ) t i
c
t
Harmonische Aussteuerung


( )

t
c
i
t i I I
c c c
cos

+ =


( ) ( )

t
L
u t
ce
u
t R i U U
L c cB ce
=
= cos
'



( ): t f U
B c
kein Wechselanteil,
Batterie wirkt wie
Wechselspannungskurzschluss
( ) t R i U U t u
L c B c e c L
cos
'
= =
Transistor
Verstrker
Vorzeichenumkehr
gegenber
Steuerspannung
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8 Leistungsverstrker 8-4

H F T

H F T


Leistungen , Wirkungsgrad A-Betrieb

Vereinbarung bzgl. Leistungs-Flussrichtung
I
U

Leistungsaufnahme 0 > = I U P
Leistungsabgabe 0 < = I U P
Batterie (Versorgungsquelle)-Leistung, zeitlicher Mittelwert P
( ) ) Abgabe ( 0 ) ( cos

2
) ( ) (
2
1
) (
1
2
0
2
0 0
< = =
= =


c B c c c
B c
c B c c
T
B c
B
I U t d t i I
U
t d I U dt I U
T
P



Last-Leistung
) Aufnahme ( 0
2

) ( cos
2

) ( ) cos

)( cos

(
2
1
) ( )) ( ( ) (
2
1
' 2 2
0
2
' 2
'
2
0
2
0
>

=
= =


L c L c
c L c c L
A
R i
t d t
R i
t d t i t R i t d t i t u P



Transistor-Verlustleistung
m A B
L c c B c
c c ce B c c e C
e C
P P P t d t R i I U
t d t i I t u U t d I U P
!
2
0
2 ' 2
2
0
2
0
) ( cos

2
1
) ( ) ( ))( ( (
2
1
) (
2
1
= =
+ + = =




Der Transistor nimmt die Gleichstromleistung der Batterie auf abzglich der
abgegebenen Last-Leistung bei Aussteuerung

Wirkungsgrad (Eingangsleistung an Basis-Emitter 0
,
2
1
1

2
1

2
1
' ' 2

=

c
c
B c
L c
c B c
L c
B
A
I
i
U
R i
I U
R i
P
P

wegen Aussteuerungsgrenzen !
Damit m A P P max (Betrieb immer mit Vollaussteuerung);
m A P P
2
1
max (Betrieb variabel auch ohne Aussteuerung)
Zweipol
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8 Leistungsverstrker 8-5

H F T

H F T


A-Betrieb:

Linear-Betrieb (Erweiterung des Kleinsignalbetriebs) fr kleine
A
P
Anpass-Schaltung aus max. Gewinn
m
G hnlich Kleinsignal-Anpassung
fr kleine
A
P
Begrenzung der Ausgangsleistung bei gegebenem Transistor durch
Kollektor-Verlustleistungs-Grenze auf
m A
P P
2
1
bei allgemeinem
variablen Aussteuerzustand
Hohe
A
P : Maximale Ausgangsleistung nur bei Anpassung auf optimale
Arbeitsgerade (von
cm
I nach
0 ce
U )
Hhere Ausgangsleistung durch
- hheren Wirkungsgrad
- bei anderem Betriebsarten mit
Aussteuergrenzen, Arbeitspunkten
Transistoreigenschaften
Beschaltungen
A-Betrieb C-Betrieb
B-Betrieb
D, E-Betrieb
"Schalt-Betrieb"
C
I
C
I
C
I
t
t t
t t
t
t
t
( ) t u
G
' ( ) t u
G
'
( ) t u
G
'
( ) t u
G
'
E
U
E
U
E
U
E
U
( ) t i
C
( ) t i
C
( ) t i
C
( ) t i
C
f
2
f
2
( )

=
=
f
2
/ 2 / T
Lineare Betriebsarten Nichtlineare Betriebsarten mit hohem
Oberwellen-Anteil und Filterungs-
Beschaltung
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8 Leistungsverstrker 8-6

H F T

H F T


B-Betrieb: Verzerrungsarm durch Gegentaktanordnung
(oder komplementre Stufen)

G
R
L
R
cB
U
bB
U
G
U
be1
U
ce1
U
b1
I
c1
I
b2
I
c2
I
be2
U
ce2
U
T1
+U
B
-U
B
+U
be
R
L
bertrager
zur Anpassung
Komplementre
Transistoren
Gleiche Transistoren
Gleichstrme heben
sich auf in magn. Durchflutung
HF-Durchflutung etwa sin-frmig
( ) I


0
0
0 0 0 0
0
0
U
be1
U
ce1
U
be2 U
ce2
U
cB
U
cB
U
bB
U
bB
I
b1
I
b2
I
b2
I
b1
I
c2
I
c1
-1/R
L
'
-1/R
L
'
I
c2
I
c1
U
bB
U
E

t
(I
c1
- I
c2
)

t U
be1
U
be2
I
AB-Betrieb
Echter B-Betrieb
Verzerrung:
U
bB
=0

Symmetrischer Aufbau und Stromverlauf:
Betrachtung Einzel-Transistor / eine Hlfte reicht aus

t i t i I I
c c c c
sin

) (
1 1 1 1
= + =

, mit [ ]
2
, 0
T
t = ; Halbwelle

t u U t u U U
ce cB ce cB ce
sin ) (
1 1 1
= + = , Vollwelle wegen sinusfrmiger
Durchflutung
0
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8 Leistungsverstrker 8-7

H F T

H F T


Leistungen, Wirkungsgrad B-Betrieb


Batterie-Leistung fr Transistor
1
T

1
0
1
0
1

) ( sin

2
1
) (
2
1
c
cB
c cB
c cB
B
i
U
t d t i U
t d I U P
=
=
=



t
I
U
t
T 0

Ausgangsleistung am Transistor
1
T
4

) ( ) sin

)( sin (
2
1
) ( )) ( ( ) (
2
1
1 1
0
1 1
0
1 1
c ce
c ce
c ce
A
i u
t d t i t u
t d t i t u P

=
=
=


t
I
t
T 0
u
ce1

Verlustleistung in Transistor
1
T
A B
c c cB
c ce
ce
P P
t d t i t u U
t d I U P
=
=
=

0
1 1
0
1 1
) ( ) sin

)( sin (
2
1
) (
2
1

t
I
t
T 0
U
ce1
U
cB













t
T 0
( ) t P
ce
ce
/ he Gesamtflc P T =

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8 Leistungsverstrker 8-8

H F T

H F T


Wirkungsgrad:
4

4

=

= =
cB
ce
c cB
c ce
A
B
U
u
i U
i u
P
P
wegen Aussteuerungsgrenze
cB ce
U u ,
79 , 0

Verbesserung gegenber A-Betrieb, da
- Ohne Aussteuerung kein Strom bzw. keine Batterie- und
Verlustleistung
- Derselbe Transistor kann etwa ( ) ( ) 4 /
5 , 0 1
5 , 0
8 , 0 1
8 , 0
=

-fache Leistung
abgeben als im variablen A-Betrieb

C- Betrieb : kurze Strompulse durch Vorspannung, Filterung des Ausgangssignals
bB
U
G
R
L
R
cB
U
G
U ce
U
1 2
N : N
c
I
( ) t u
A E
C
E
L
2
L
1
L C
LC-Filter (Schwingkreis)

bB
U
tatschliche
Arbeitsgerade
be
U
c
I
cm
I
c
I
rest
c
U
cB
U
ce
U
ce0
U
f
2
( )
f ce
cos 1 u
Vorspannung
Stromfluwinkel 2 /
f
<
t t
L
R' / 1
Grundwelle
be
u
( ) t u
be
( ) t u
ce
t
c
i cm cm
I i
f
2
c1

i
( ) t i
c1

Fourier-
Komponente
(Grundwelle)

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8 Leistungsverstrker 8-9

H F T

H F T


Berechnung von Leistungen durch Zerlegung der Strompulse in Fourier-Reihe
Gleichanteil ) ( ) (
2
1
) ( ) (
2
1
2
0
t d t i t d t i I
f
f
c c c

= =
Grundschwingung

=
f
f
t d t t i i
c c

) ( ) cos( ) (
1

1

Oberschwingungen

=
f
f
t d t n t i i
c cn

) ( ) cos( ) (
1





Filter:
- Abstimmung auf
0
(Grundwellen-Verstrker ) auf
0
N
(Ver-N-facher-Schaltung)
- Hohe Gte bzw. ideales Filter lsst nur ausgewhlte Schwingung zu ; hier
Kurzschluss aller brigen Harmonischen:
R'
L
i(t)
u(t)
( ) Z
0
/
cn

i
0 1 2 3 4
n
u
0
/
0 1 2 3 4
Z/R'
L
Beispiel
mit N =2
In der Schaltung: Spannung ) (
'
t u
A
ist cos-frmig, obwohl Strom ) (t i
c
pulsfrmig ist *
(Grundwellenbetrieb)
t i R t u t u t u
c L ce A A
cos

cos cos ) (
1
' ' '
= = =

* und dabei ist der Strom ) (t i
c
unabhngig von der Kollektor-Spannung ) (t u
ce

angenommen (nur abhngig von Steuerstrom) d.h. der Transistor wird als hochohmige
Stromquelle betrieben, dieser Betrieb erfordert Einhaltung der Aussteuergrenzen !
Pulsfunktion gerade
) ( ) ( t i t i
c c
=
t
( ) t i
c
c1

i
c1
i f

f

0
c
I
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8 Leistungsverstrker 8-10

H F T

H F T


t
t
A
' u
f
2
0
0
2
2
2
U
ce
U
cB
U
be
U
bB
I
m
< I
cm
i
c
(t)
Abstimmung auf
Grundwelle
0
=
t


Batterie-Leistung

=
c B c B
I U P Produkt der Gleichanteile

Ausgangsleistung bei Grundwellen-Abstimmung
0
=
'
1 1 1

2
1
) ( ) cos )( cos

(
2
1
A c c c A
u i t d t u t i P = =



Wirkungsgrad

=
c cB
A c
B
A
I U
u i
P
P
'
1

2
1

Abschtzung fr 0
f

Wegen 1 cos t im Integralintervall wird
) ( cos ) (
1
2

1
t d t t i I i
f
f
c c c

= ; Vergleiche Gleichanteil und Grundschwingung !


Sodass
cB
A
U
u
'


Bei Grenzaussteuerung
0
'
2
1

ce cB A
U U u = = und 0
rest c
U 1 (100 %)


1
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8 Leistungsverstrker 8-11

H F T

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Genaue, allgemeine Rechnung mit Fourierkoeffizienten ergibt:
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0
0 45 90 135 180
f

cm c1
/

/
I i
p
p /
cm c1
/

I i
B A



Bezogener Wirkungsgrad
p

und
normierte Amplitude
cm c
I i /

1
der
Grundschwingung des Kollektor-
Wechselstroms in Abhngigkeit vom
Stromflusswinkel
f
fr eine lineare
Durchgangskennlinie
Problem: Ausgangsleistung 0 fr 1 bei gegebenem
cm
I
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8 Leistungsverstrker 8-12

H F T

H F T


Schalt-Betriebsarten

D-Betrieb

- bersteuerter C-Betrieb

- Kollektorstrom geht in Sttigung

- Kollektor-Stromquelle wird niederohmig Schalter Ein

- Rest-Kollektorspannung fllt auf Minimum

- Produkt von Kollektor-Strom und Kollektor-Spannung fllt auf Minimum
Kollektorverlustleistung klein

- bergnge zwischen Schalter Ein und Aus fhren noch relativ hohe
Spannung bei nicht verschwindendem Strom
Kollektorverlustleistung gro, aber zeitlicht eng begrenzt

- Filterung der Nutzfrequenz und Anpassung der Last ber Ausgangs-
Netzwerk

Steuerspannung
U
be
t
I
b
Netz-
werk
Last
I
c
U
ce
Ein Aus
U
ce
I
c
t
t
U
max
U
rest
T
i
max
i
sperr
bergnge

P
ce
t
bergnge
mittlere
Verlustleistung
sperr max
i u
rest max
u i
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8 Leistungsverstrker 8-13

H F T

H F T


- Verlustleistung des Transistors

=
T
c ce ce
dt I U
T
P
0
1

Idealer Schalter: 0 =
ce
P 1 =
Realer Schalt-Transistor: 0
max
Re
> =
i
R
rest
st

1 <
Sperrstrom >0 1 <
Konventionelles Netzwerk lsst bergnge zu
mit 0
c
I bei 0
ce
U 1 <
- Vergleich mit C-Betrieb :
Wirkungsgrad hoch auch bei sehr groen
f

- Anforderung an Transistor: Schnelle bergnge trotz Sttigung, hohe
Grenzdaten, geringe Kapazitten
Weitere Verbesserungen durch Sokal ( 1975 ):
Neue Betriebsart

E-Betrieb

Ziel:
Verfahren:
Reduzierung der Verlustleistung in Schalt-bergngen
Netzwerk so, dass bestimmtes Ein-Aus-Schaltverhalten entsteht;
dazu entscheidend wichtig eine groe Induktivitt zur Aufrechterhaltung
des Stromflusses aus der Batterie.
Active
Device
Switch
Load Network Load
From
Driver
Q
C2 L2
L1 C1 R
+Vcc
DC Power
Supply

Circuit diagram of simple member of the new class of high-efficiency amplifiers.
Aus IEEE J ournal of Solid-State Circuits, vol. SC-10, No. 3, J une 1975
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8 Leistungsverstrker 8-14

H F T

H F T


Moderne Betrachtung der Schaltung im Frequenzbereich:
- Lastimpedanz am Transistor L j R + fr
0
f
- Lastimpedanz am Transistor ' L j fr
0
2f
- Lastimpedanz am Transistor ' ' L j fr
0
3f , etc.
C
out
R
L
at f
0
at 2f
0
at 3f
0
(fundamental)
Device Load
X
cout
Z
L

Damit knnen ON und OFF-Schalterzustnde getrennt werden,
mit verzgertem und sanftem Anlauf bzw. Abfall der Strom- und Spannungs-Verlufe
gegeneinander verschoben
Time
Time
C
u
r
r
e
n
t

T
h
r
o
u
g
h

S
w
i
t
c
h
C
u
r
r
e
n
t

A
c
r
o
s
s

S
w
i
t
c
h
0
0
Switch
"off" State
Switch
"on" State
bergang
(a)
(b)

Ergebnisse: % 90 bei realen Verstrkern
(Sokal in 75 : % 96 = bei 3,9 MHz )
Andere Betriebsarten: Ebenfalls Verbesserung in durch gezieltes Harmonic Control
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8 Leistungsverstrker 8-15

H F T

H F T


8.2 Nichtlineare Verzerrungen

Durchgangskennlinie
y
x
x
0
y
0

a
3
a
2

a
1


) (x f y = , z.B. )

E A
U f U =
) (x f in Potenzreihe entwickelt,
Begrenzung auf kubische Terme


3
0 3
2
0 2
0 1 0
) (
) (
) (
x x a
x x a
x x a y y
+
+
+ =

Beispiel: Linear-Verstrker ( ohne Gleichanteil )
U
Ein
U
Aus
Ein Aus

3
3
2
2 1 E E E Aus
U a U a U a U + + =

mit 0
3
< a
0
2
= a : Gegentakt /
Symmetrisch
0
2
a : Realer Verstrker
Beispiel: Detektor-Kennlinie
U
D
I
D
U
Knick
U
D
I
D
a
2
a
1
I
D
U
D

2
2 1 D D D
U a U a I + =

(unsymmetrisch, entsprechende
Exponentialfunktion )
mit 0
3
a

Knick D
U U <<

Eingangsgren
Einton-Aussteuerung t A t x
1 1
cos ) ( =
Zweiton-Aussteuerung t A t A t x
2 2 1 1
cos cos ) ( + =
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8 Leistungsverstrker 8-16

H F T

H F T


Durchrechnung mit 3. Ordnung , Zweiton , 0
0
= x

) (t y ) (
1 0
t x a y + = ) (
2
2
t x a + ) (
3
3
t x a +
[ ] t A t A a y
2 2 1 1 1 0
cos cos + + =
[ ]
2
2 2 1 1 2
cos cos t A t A a + +
[ ]
3
2 2 1 1 3
cos cos t A t A a + +

mit
( ) 2 cos 1 cos
2
1
2
+ =
( ) cos 3 3 cos cos
4
1
3
+ =
( ) ( ) [ ] + + = cos cos cos cos
2
1

( ) ab b a b a 2
2 2 2
+ + = +
( ) b a ab b a b a
2 2 3 3 3
3 3 + + + = +


wird
t t A A a
t t A A a t A a t A a
t t A A a t A a t A a
t A a t A a
y t y
2 1
2
2
2
1 3
2
2
1
2
2 1 3 2
3 3
2 3 1
3 3
1 3
2 1 2 1 2 2
2 2
2 2 1
2 2
1 2
2 2 1 1 1 1
0
cos cos 3
cos cos 3 cos cos
cos cos 2 cos cos
cos cos
) (




+
+ + +
+ + +
+ +
=


Gleichrichtanteil

+ + + =
2
1
2
2 2 2
1
2
1 2 0
A a A a y : Gleichanteil
[ ]+ + +
2
2 1 3 2
3
3
1 3 4
3
1 1 1
cos A A a A a A a t : Grundwelle
[ ]+ + +
2
1 2 3 2
3
3
2 3 4
3
2 1 2
cos A A a A a A a t : Grundwelle
[ ] [ ]+ +
2
2 2 2
1
2
2
1 2 2
1
1
2 cos 2 cos A a t A a t : Erste Oberwelle
[ ] [ ]+ +
2
2 3 4
1
2
2
1 3 4
1
1
3 cos 3 cos A a t A a t : Zweite Oberwelle
( ) [ ] ( ) [ ]+ + +
2 1 2 2 1 2 1 2 2 1
cos cos A A a t A A a t : Mischprodukte
Summen-/Differenz-
Frequenz
( ) [ ] ( ) [ ]+ +
2
2 1 3 4
3
1 2 2
2
1 3 4
3
2 1
2 cos 2 cos A A a t A A a t : Intermodulation
in-Band
( ) [ ] ( ) [ ]+ + + +
2
2 1 3 4
3
1 2 2
2
1 3 4
3
2 1
2 cos 2 cos A A a t A A a t : Intermodulation
auer-Band

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Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik

8 Leistungsverstrker 8-17

H F T

H F T


Ausgangsprodukte der Durchgangskennlinie

Eingangsgre ) (t x eingesetzt in Durchgangskennlinie bei 0
0
= x

) ( ) ( ) ( ) (
3
3
2
2 1 0
t x a t x a t x a y t y + + + =
Zerlegung ergibt:

(a) Gleichanteil
( )
2
) 0 (
2
2
2
1 2
0
A A a
y y
+
+ = =

Beispiel: Detektor
Signal D D
P U
a
I ~
2
2 2
=


quadratischer Betrieb

(b) 1. Harmonische

Einton-Betrieb
(Grundwelle)

( )

+
+ =
4
2
3 ) (
2
2
2
1
3 1 1 1
A A
a a A y

[ ] t A a A a t y
y
gw 1
3
1 3 4
3
1 1
cos ) (
)
1
(


+ =
linearer
Bereich
Knick
Sttigungs-
bereich
y
A
1
0



Bei groer Amplitude
1
A tritt Sttigung/
Empfindlichkeitsverlust auf (da 0
3
< a )
Zweiton Betrieb

A
2
A
1
ZF
Strsignal
mit AM

1

2
HF-Band-Filter

Beispiel: Empfnger
Kreuzmodulations-Produkt

t A A a t y
KM 1
2
2 1 3 2
3
cos ) ( =

Ampl.-Mod.: ) cos(

2 2
t A A
NF
=

Bei extrem groer Amplitude
2
A tritt
bersteuerung/Sttigung durch das
Fremdsignal auf (Zustopfen, z.B. durch
benachbarte Sendestationen)
da 0
3
< a und berlagerung mit ) (t y
gw

Grundwelle
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8 Leistungsverstrker 8-18

H F T

H F T


(c) Oberwellen
bei Ein-oder
Zwei-Ton-Betrieb

( )
( )
2
2 cos ) (
2 cos ) (
2
2
2
1
2
1
2
2
2
2
=

=
=
n
t A t y
t A t y
a
a
ow
ow


( )
( )
3
3 cos ) (
3 cos ) (
2
3
2
1
3
1 4
4
3
3
=

=
=
n
t A t y
t A t y
a
a
ow
ow


(d) Mischprodukte
Differenzfrequenz ( )t A A a t y
ZF 2 1 2 1 2
cos ) ( =
Summenfrequenz ( )t A A a t y
SP 2 1 2 1 2
cos ) ( + =
A
m
p
l
i
t
u
d
e
ZF
Lokaloszillator

2
HF-Band-Filter
2
1
2
2

1
+
2

LO


Beispiel: Empfnger




Achtung: Eng benachbarte Signalfrequenzen
knnen niederfrequenten Wechselstrme in
Stromversorgung ziehen, die ungengend
gefiltert zu Strungen in anderen
Schaltungsteilen fhren knnen
Oberwellen und Mischprodukte
werden weggefiltert.
Zwischenfrequenz bei
ZF LO
=
1

wird weiterverarbeitet

Beispiel: Breitbandverstrker, z.B. Kabel-Fernsehen,

- mit Oktav-Band Mischprodukte auerhalb
- mit Mehroktav-Band Mischprodukte und Oberwellen fallen ins Band

1
-
2

2
500
MHz
1000
MHz
2
2
f
A
m
p
l
i
t
u
d
e Oberwelle Mischprodukt





Bandbreitenverhltnis 2
500
1000
=

Oktav
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8 Leistungsverstrker 8-19

H F T

H F T


(e) Intermodulation
(in-Band)

( )
( )t A A a t y
t A A a t y
IM
IM
1 2
2
2 1 3 4
3
2 1 1
2
1 3 4
3
2 cos ) (
2 cos ) (


=
=

2
A
m
p
l
i
t
u
d
e
A
m
p
l
i
t
u
d
e
2
1
-
2
2
2
-
1

zustzliche
Seitenbnder
Trger
Seitenband

Moduliertes HF-Signal (hier: Einseitenband) Verzerrte Modulation

Beispiel ( oben ) Signalverzerrung bei modulierten Trgern

2
A
m
p
l
i
t
u
d
e
A
m
p
l
i
t
u
d
e
2
1
-
2
2
2
-
1

ZF
kein HF- bzw. ZF-
Signal vorhaden

LO

ZF

LO 1 2 ZF
= ( ) 2


Beispiel (oben): Empfnger

mit starken Sendern im HF-Band
Erzeugung von Falschsignalen, ggf.
berdeckung von schwachen Signalen

Messung: Gleiche Amplituden A A A = =
2 1


( )t A a t y
IM 2 1
3
3 4
3
2 cos ) ( =
dritte Ordnung, daher
I
3
P Intercept Point 3
oder
TOI Third Order Intercept
Falsches Signal in HF- und ZF
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8 Leistungsverstrker 8-20

H F T

H F T


Dynamikbereich
10 log(P
E
/1mW)
=P
E
[dB
m
]
-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20
-40
-30
-20
-10
0
10
20
Steigung
wegen A 1
3
Steigung
wegen A
P
rA
P
A
[dB
m
]
1 dB
IP
3
Intercept Point
1
1
1. Harmonische
(
1
)
Intermodulation
(2
1
-
2
)
D
f
D
P
A 1dB
Kompressionspunkt
Gewinn (Leistungsverstrkung)

P
P
A
E
[
[
dB]
dB]
= 3
(Rauschfu, abhngig von Bandbreite)
D
f

Rauschfu ( Noise Floor ) Index A fr Ausgang !

[ ] ( ) [ ] ( )
[ ] ( )
[ ] [ ] ( ) Hz / log 10 dB 174 dB dB
mWs 10 4 log 10
Ws 10 4 log 10 log 10
m
s
1
18
1
21
0
f F G
f F G
f F G f T k F G dB P
s m rA
+ +
=
= =



f
D : Dynamikbereich ohne Intermodulationsprodukte ber der Rauschgrenze,
engl. Spurious Free Dynamic Range SFDR

[ ] [ ] [ ] ( )
m m 3 3
2
dB dB dB
rA f
P IP D =

D: Dynamikbereich Leistungsbereich zwischen Rauschfu und Kompressionspunkt

[ ] [ ] [ ]
m m 1
dB dB dB
rA dB A
P P D =
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8 Leistungsverstrker 8-21

H F T

H F T


Mittel zur Linearisierung von Durchgangskennlinien

Gegentakt von Verstrkern fr obere oder untere Halbwelle ( B )

- Kennlinien wegen Phasenumkehr der Aussteuerung
c2 c1
, I I
Ein
U
Transistor 1
Transistor 2

Polynomdarstellung x U y I y I
Ein c c
= = = , ' ,
2 1



( ) ( ) ( )
3
3
2
2 1
3
3
2
2 1
' x a x a x a y y
x a x a x a y y
o
o
+ + + =
+ + + =


- Durchflutung in Gegentakt-Trafo am Ausgang kombiniert die Strme mit
umgekehrten Vorzeichen


3
3 1
2 0 2 0 ' x a x a y y + + + =


quadratisches Glied verschwindet kubisches Glied bleibt


- Verbesserung(Linearisierung) durch Wegfall von quadratischem Glied, jedoch
bleibt kubisches Glied.
Gegenber Einzeltransistor-Verstrker (eine Hlfte der Schaltung)
Verbesserung, da Aussteuerung x nur
Einzel
x
2
1
, so dass



3
3
3
3
2
3
3
3
4 2
2 2
Einzel
Einzel Einzel
x a
x
a
x
a x a < =

=
Gegentakt Einzelstufe
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8 Leistungsverstrker 8-22

H F T

H F T


Gegenkopplung
Z
L
U'
1
U
1
U
2
k
u
U
2
k
u
V
u
Verstrker
Rckkoppler

Der Verstrker erzeugt neben der Grundschwingung
'
1
U V
u
noch ein Strsignal
3
U
durch nichtlineare Verzerrung (z.B. Oberwellen, Intermodulation, Mischprodukte):

3
'
1 2
U U V U
u
+ =

Das aussteuernde Signal am Eingang ist

( )
u u u u
u
u u u
u u u
u
k V
U
k V
V
U U
U U V k V U
U U k V U V U
U k U U
+
+
+
=
+ = +
+ =
=
1
1
1
, 1
,
3 1 2
3 1 2
3 2 1 2
2 1
'
1


Bei 1 >>
u u
V k wird
3
U stark geschwcht, whrend
1
U noch verstrkt wird,
falls 1 >>
u
V . Ergebnis wie bei Dmpfungsglied mit
Vk
d
+
=
1
1
, jedoch wird
3
U durch
'
1
U erst erzeugt (z.B.
2
'
1 2 3
U a U = ), so dass
3
U noch weiter gesenkt wird

Beispiel:
11
1
11
100
3 1 2
1 , 0
) dB 20 ( 100
+ =

=
=
U U U
k
V
u
u

so dass
beide frequenzunabhngig, ansonsten
) ( ), (
u u
V k fr Grundschwingung in
u u
u
V k
V
+ 1
und
) ' ( ), ' (
u u
V k fr Strsignalfrequenz in
u u
V k + 1
1

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8 Leistungsverstrker 8-23

H F T

H F T


Feed Forward Linearisierung


Eingang Ausgangs-
Leistung

+
-
(-)
Ampl.
f
Doppelton
IM3
IM3 IM3
kompensiert
Doppelton
kompensiert
Hilfsverstrker
fr IM3
(-)
(+)
Siehe auch:
Adaptive Nulling Loop Control for 1.7-GHz Feedforward Linearization Systems,
Eid E. Eid und Fadhel M. Ghannouchi,
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. Vol 45, NO. 1, J anuary 1997

Pre Distortion/Vorverzerrungs-Linearisierung


logP
A
logP'
A
logP'
A
+ =
logP
E
logP
E
logP'
E
Dekompression Kompression
Vorverzerrer
Leistungs-
Verstrker
Eingang
Ausgang
P
E
P'
A
P'
E
P
A
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8 Leistungsverstrker 8-24

H F T

H F T


Durchgangskennlinie bzgl. Leistungen ) (
Ein Aus
P f P =
- Linear bis zur Sttigung
- Nichtlinear mit Schwelle
: A- und Gegentakt-B-Betrieb
: C-und Schalt-Betrieb
P
Aus
P
Ein
30W
20W
10W
0
0 1W 3W
Kompression
A, B
C, D, E
Schwelle



Beispiel:




Sttigungsleistung
Aus
P
ca. 30W bei
Eingangsleistung
W 3
Ein
P (G=10)

P
Ein
(t)
t
Einhllende
NF
P
Aus
t
Kompression
t
Zeitbereich
A, B-Betrieb
mit Kompression
C, D, E-Betrieb

U
Ein
(f)
f
Trger
Seitenband
f
NF
U
Aus
(f)
f
Kompression
f
Frequenzbereich
nichtlineare Verzerrung
(sehr klein)
nichtlineare Verzerrung
(sehr gro)
Ursprngliches
Vergrertes

Spektrum

Auswirkung bei Winkelmodulation: keine
Fazit : Modulierte Signale mit Amplituden-Variation werden in nichtlinearen
Verstrkern massiv verzerrt, so dass das Ausgangsspektrum stark verbreitert
wird (Strung der Nachbarkanle !) und die demodulierten Signale (NF) viele
Oberwellen etc. enthalten.
z.B. auch QAM
Auswirkung bei Amplituden Modulation :
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9 Frequenzumsetzung 9-1

H F T


9.1 Frequenzumsetzung
Frequenzvervielfachung bei modulierten Trgern
Amplituden-Modulation AM

( ) ( ) ( ) ( ) t m t t x
NF
cos 1 cos + =


Ampl.
f

NF

NF
+
1
m/2


t
t
t
1
- 1
m
2
0

Phasen-Modulation PM ( ) ( ) ( ) t t t x
NF
+ = cos cos
Frequenz-Modulation FM ( ) ( ) ( ) [ ] t t t x
NF
+ = cos cos
Kennwert fr Hub:
(Frequenz-Modulation) = =
NF
m


Modulationsindex = (Phasenmodulation)
Spektrum
( )
( )
( ) ( ) ( ) + + +

+ +

+
+

t n t j t n t j
t j
t n t j
NF NF
n
NF
NF
n
e m J e m J e m J
e J f S

1 1 0

Ampl.
f
fr m gro
f
fr m klein
1
m/2
-m/2
t
t
NF-Schwingung
Trger
t
Ampl.
FM

Ampl.

1
Modulations-
Grad
fr m << 1 :
2
m

0
3
m
2
m

HF-Schwingung
NF-Schwingung
AM mit 1 = m
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9 Frequenzumsetzung 9-2

H F T


Vervielfachung an nichtlinearer Durchgangskennlinie

( ) ( ) ( ) + + + + = t x a t x a t x a y y
3
3
2
2 1 0


erzeugt n-te Harmonische durch das n-te Glied


( )
( ) ( ) ( ) [ ]
( ) ( ) [ ]
n
NF n
n
NF n
n
n n
t m t a
t m t a
t x a y


cos cos
cos 1 cos
+ =
+ =
=



Beispiel n = 2 (Verdopplung)

( )
( )
( )
( ) ( )

+ +

+
+
+
+
+
=
t t
m
t t m a
t t
m
t t
m m
a y
NF NF
NF
m
NF
m


2 2 cos
4
2 cos 2 cos
2
1
2 2 cos
1 4
2 cos
1
2 cos
4
2
2
2
2
2
2
2
2 2
2
2

Ampl.
f

NF

NF
+
1
m/2
Verdopplung
Ampl.
f
2
NF
2
NF
2 +
1
m/2
4
m
2

Fazit: - Verdopplung der Amplitude des ersten Seitenbandes
- Zustzliches Seitenband bei doppelter Frequenzablage, d.h. Oberwelle der
Modulations-Schwingung
Nach der AM-Demodulation lauter, aber auch verzerrt (klirren)
fr m << 1
AM:
PM/FM:
AM:
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9 Frequenzumsetzung 9-3

H F T


Groer Modulationsgrad 1 m , z.B. Rundfunk:

( )

+
+
+
+
t t t a y
NF
2 cos
1
1
2 cos
4
1 2
2
1
2 2


Vergleich mit ursprnglichem Signal

( )
NF
t
m
t + cos
2
cos

zeigt Erhhung des Modulationsgrades von

1 m auf
3
4
' = m

hnliches Verhalten bei Begrenzung auf Rechteck-Einhllende
2
0
-2
t
f
1
2/3
Ampl.

( ) ( )
,
( )

+
=
+ =
1
]
1

+ + + =
|
|

\
|

t t
m
t t t
T
t
t
NF
NF NF
NF


cos
4
' . bzw
2
4
2
1
3 cos
3
4
cos
4
1 cos rect 2 cos


Vervielfachung wirkt wie Begrenzung der Amplitude

Beispiel Frequenz / Phasenmodulation

( ) ( ) [ ]
( ) [ ] + + =
+ = =
t m n t n k
t m t a t x a y
NF n
n
NF n
n
n n


cos cos
cos cos


mit Trigonometrie ergibt
sich Reihendarstellung
n Trger-
frequenz
Modulationsfrequenz
bleibt erhalten
m n m = '
Erhhung des
Modulations-Faktors
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9 Frequenzumsetzung 9-4

H F T


Fazit:

- Bei Ver-n-fachung erhht sich der Modulations-Index ebenso
( )
( )


= = = n n n
n
m
NF NF
'
Ampl.
f

NF
+
1
m/2
2
m

Verdopplung
Ampl.
f
2
NF
2 +
1
m = Verdopplung
-m

- Keine Erzeugung von Modulationsoberwellen, auch nicht bei groem
Modulationsindex. D.h. die Vervielfachung erzeugt keine nichtlineare
Verzerrung der Frequenzmodulation
Verallgemeinerung

1. Bei m << 1
( )
( )
n n
n
P
n P
n
log 2 10 log 20
1
bzw.
d) (Seitenban Amplitude
d) (Seitenban Amplitude
2
uenz Trgerfreq che ursprngli
uenz Trgerfreq fache n
= =
= =



z.B. Verzehnfachung 10 = n oder 20 dB
2. Modulationen mit Amplituden-Modulationsanteil werden nichtlinear verzerrt
(zustzliche Modulationsfrequenzen), whrend reine Winkelmodulationen nur
linear verzerrt werden (nur Vernderungen in Amplitude und Phase, kann durch
lineares Netzwerk korrigiert werden)

im
re

Hub wird vervielfacht
Lautstrke erhht (nach Demodulation)
16-QAM


Nichtlineare Verzerrung!
(Spectral Regrowth)
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9 Frequenzumsetzung 9-5

H F T


9.2 Schottky-Dioden

Schottky-Diode:Metall-Halbleiter-bergang
n-dotierte Halbleiter hohe Elektronenbeweglichkeit
(Si oder GaAs) (gegenber Lchern)

Diffusionsspannung

GaAs - V 9 , 0 7 , 0
Si - V 7 , 0 5 , 0
D
U

Kennlinie

= 1 e
kT
qU
S
I I

1 , 1 1 = Idealittsfaktor
Wie PN-Diode, jedoch reine Majorittseitung (Elektronen)
Keine Diffusionskapazitt wie bei PN-Diode
keine verbundenen Speichereffekte
Differentieller Widerstand

( )
S
I I q
kT
dI
dU
U r
+
= =

) (
mit Sperrschichtkapazitt in Parallelschaltung
C
p
L
p
C(U) r(U)
r
b
= Bahnwiderstand




Gehuse Innere Diode

Grenzfrequenz


A = Kontaktflche
n-Epi-Schicht
n
+
-Substrat
r
b
C
sperr
oder
d

d (Epitaxieschicht nur so dick wie gerade ntig kleinster Bahnwiderstand

A
d
r
b

max

d
A
C

=
min

min max
1
c r
b
c

=
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9 Frequenzumsetzung 9-6

H F T



c
f = = =

2 2
1
min max
c r
b
dielektrische Relaxationsfrequenz des Materials der
) ( A f Epi-Schicht

Siehe auch Grenzfrequenzen von Transistoren bezglich Emitter-Lnge
(Kapitel 1.5)


Grenzfrequenz: Bahnwiderstand=kapazitiver Blindwiderstand

Optimierung:
Hohe Dotierung gro
c
gro

Problem: Impedanzniveau fllt, damit schwierige Anpassung
(verlustbehaftet, schmalbandig)
kleine Querschnittsflche A
z.B. = 10 m fr 100 GHz
(hnlich ursprnglicher Spitzendiode)

Gesamt-Ersatzschaltung inklusive
p
L und
p
C

- Grenzfrequenz nicht reduziert (siehe Kapitel 4.2.2 Manuskript HHFT 1)

- Verluste steigen mit fallendem Impedanzniveau

- Anpassung an Schaltungsimpedanz schmalbandiger

sehr kleine Gehuse, Beam Lead oder Chip/Whisker-Bauform fr sehr hohe
Frequenzen

1000
c
f GHz realisierbar
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9 Frequenzumsetzung 9-7

H F T


9.3 HF-Gleichrichter

Gleichrichtung
Schmalbandig
(wegen Resonanz-
transformation)
U
g
U
L
R
g
Trafo
R
g
<< Impedanz des Gleichrichters

Breitbandig
(geringerer Wirkungs-
grad durch Verluste in R)
U
g
R
L
R
g
C
Trenn
R = R
g

Ersatzschaltbild (Kleinsignal, ohne Gehuse)
R
L
C
Trenn
R
C(U)
C
r(U)
u
D
(t)
U
R
U
L
= Richtspannung
t u cos
r
b
P
HF
P
r
P
Richt



- Kondensator
Trenn
C trennt HF- und Gleichstromkreis

<< R
C
Trenn
1


- Kondesator C schliet HF kurz (nur Gleichpannung)
- R ergibt HF-seitig Zwangsanpassung
Nherungsbetrachtung ohne
b
r und ) (U c und
L
R R <<

nung Diodenspan cos ) ( + t u U t u
L D





da fr den Wechselanteil 0 =
L
U
da fr den Gleichanteil
L R
U U <<
Gleichanteil
= Richtspannng
Wechselanteil
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Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik

9 Frequenzumsetzung 9-8

H F T


Damit Stromverlauf durch die Diode

= 1 e e 1 e ) (
cos
T T
L
T
U
t u
U
U
S
U
U
S
I I t i


mit =
q
kT
U
T

26 mV @ T=300 K
Reihenentwicklungen fr 1 << x
x x
x
+ + + = 1 1 e mit
T
L
U
U
x =

+ + + =

t x t x x
t x

2 cos ) ( I 2 cos ) ( I 2 ) ( I e
21 1 0
cos
mit
T
U
u
x

=
Gleichanteil Wechselanteil
Gleichanteil (
t x cos
e

)
4
1
2
x
+ = ) ( I
n
x modifizierte Besselfunktion
sodass Gleichanteil von i(t)

+ + =

+
4
1
1
4
1
4
1
1
1
4
1
1 1
2
2 2
2
T
L
T
L
S
T
L
T
L
T
L
T
L
S
T
L
T
L
S
U
U
U
U
I
U
U
U
U
U
U
U
U
I
U
U
U
U
I I

Wegen der Beschaltung mit
L
R ist
L L
U R I =

+ =
2
4
1
T
L
T
L
L S L
U
U
U
U
R I U bzw.

1
4
1
2
L S
T
T
L
T
L
R I
U
U
U
U
U
mit

1
L S
T
R I
U
=konstant

gilt:
2
~ u U
L


quadratischer Betrieb des Detektors, siehe auch Polynom-Entwicklung der
Diodenkennlinie mit quadratischem Glied

Negative Spannung
L
U wegen gewhlter Dioden-Orientierung;
ebenso wie in Netzgleichrichter (Grosignal, linearer Betrieb)
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9 Frequenzumsetzung 9-9

H F T


Etwa quadratische Empfindlichkeit ber groen Leistungsbereich, auch oberhalb der
Leistung
T
U
P
W 10 8 , 6
50 2
1
6
2

=
T
U
U
P
T
= dBm 22
P
HF
U
L
= M 1
L
R
k 1
L
= R
quadratische
Empfindlichkeit
P
UT
1000
mV
10
1
0,1
0,01
-40 -20 0 20 dBm
100

fr die
T
U U =

gilt:


Begrenzung des Dynamikbereichs
nach unten durch Rauschen:
Bei tiefen Ausgangsfrequenzen
(Spektrum der Richtspannung,
Video-Frequenz)
Gleichrichterspannung
L
U in Abhngigkeit von HF
Leistung
HF
P fr einen typischen Gleichrichter mit
Schottky Dioden bei zwei verschiedenen Werten des
Lastwiderstandes
L
R

1/f-Rauschen
f
T
r
/T
0
40
dB
20
0
0,1 1 10 100 kHz
f
T
1
r
Eckfrequenz f
C
Thermisches
Rauschen ( T
r
= T
0
)




Spektrale Verteilung der
bezogenen Rauschtemperatur
o r
T T / einer typischen
Schottky Diode

mit
df T k f df const P
r verf r
= = / .
.

Minimum Detectable Gain (MDS) ist die HF-Leistung, fr die gilt:

Rauschleistung des Richtsignals = Gleichleistung R U
L
2

z.B. bei = M 1
L
R und Hz 40 0 = f (Tiefpass aus
L
R und C) ist
MDS 9 10 < H W = dBm 60
Typische Empfindlichkeiten im Bereich 1 GHz 100 GHz:
mW
V
1 , 0
mW
V
1
HF
=
P
U
L

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Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik

9 Frequenzumsetzung 9-10

H F T


9.4 berlagerungsempfang

Frhere Empfnger: Geradeaus-Empfang

- Verstrkung bei HF
- Detektion bzw. Demodulation bei HF

Probleme: geringe Verstrkung je Stufe,
geringe Stabilitt/Schwingneigung,
schwache Filterwirkung,
mehrkreisige abstimmbare Filter

Antenne
HF-
Signal




Hochfrequenz
3-5 Stufen
Audio / NF


berlagerungsempfnger (seit ca. 1930)


f
s
f
p
Mischer
Zwischenfrequenz
f
z
= f
p
- f
s
Audio
Lokal-
Oszillator


Vorteile: - Hauptteil der Filterung bei tiefer Zwischenfrequenz
- Hohe Verstrkung bei hoher Stabilitt in
Z
f
- Festfrequenz / nicht abzustimmende Filter bei
Z
f
- Schmale Bandbreite (
Q
f
f
0
= ), da
0
f tief bei gegebener Gte Q

- Abstimmung auf
S
f durch Wahl der berlagerungsfrequenz
P
f
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Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
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9 Frequenzumsetzung 9-11

H F T


Mischung an nichtlinearer Kennlinie durch Addition von zwei Tnen:

( ) ( ) t A t A t x
s S P P
cos cos ) ( + =

fhrt mit quadratischem Glied des Polynoms auf:

Zwischenfrequenz
(Differenzfrequenz)
t A A a t y
Z
S P s P Z
) cos( ) (
2

=

Summenfrequenz
t A A a t y
Sp
S P s P Sp
) cos( ) (
2

=

Allgemein entstehen durch hhere Glieder die Kombinationsfrequenzen
S P
f m f n , d.h. auch Zwischen- und Summenfrequenzen der Oberwellen der
beiden Signale. Mit sehr kleiner Signalamplitude
S
A fallen die Oberwellen
S
f m
vernachlssigbar klein aus, sodass nur Kombinationsfrequenzen
S P
f f n brig bleiben, bei denen ) (t y
Z
und ) (t y
Sp
proportional zu
S
A sind:


Lineare Mischung, obwohl die Mischerkennlinie nichtlinear sein muss!


Anders als bei Detektor, dessen Ausgangsspannung proportional zum Quadrat der
Eingangsspannung ist

Umsetzung auf Zwischenfrequenz
C Z
f f > (1/f-Eckfrequenz)

Mischung empfindlicher als Detektion / Gleichrichtung

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Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik

9 Frequenzumsetzung 9-12

H F T


9.5 Parametrische Rechnung

Neues Rechenverfahren, da
- Sehr starke Nichtlinearitten sehr umfangreiche Polynome bentigen
- Groe Pump-Amplitude bei kleiner Signalamplitude, sodass der Arbeitspunkt durch
Pump-Schwingung sehr weit verschoben wird;
Damit gelten die Koeffizienten der Polynomdarstellung nicht ber die gesamte Zeit der
Pumpschwingung
Parametrische Rechnung:
Die Polynomdarstellung der nichtlinearen Kennlinie ist fr alle Zeitpunkte der Pump-
Periode unterschiedlich:

Nherungsansatz (Kleinsignalansatz bezglich ) (t u )
( ) ( ) ( ) ) ( ) ( ) (
) (
) ( ) ( ) ( t i t u I t u
t u
dU
dI
t u I t u t u I
P
P
P P
+ = + = +
mit groer Pump-Spannung
P
u ,kleiner Signal-Spannung
S
u


Pump-Spannung
Arbeitspunkte
Kennlinie
I
U
t
t
1
t
2
t
4
t
3
t
0
t
4
t
0
t
3
t
1
t
2
t
4
t
0
t
3
t
1
t
2
U
I
d
d
t
T
p


I
U
t
( ) t i
( ) t u
t
( ) ( ) t u g
U
I
p
d
d
=
t

Differentieller Leitwert g
dU
dI
=
als Funktion der Zeit
) (t u
dU
dI
P

Zu jedem Augenblicks Arbeitspunkt:


Aussteuerung mit kleinem Signal
) (t u als berlagerung mit

) ( )) ( ( ) ( t u t u g t i
P
=

I(U)
U
nicht-
linearer
Widerstand
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9 Frequenzumsetzung 9-13

H F T


- ) (t i proportional zu ) (t u , d.h. linearer Vorgang
- berlagerungsprinzip fr kleine i u und gilt
- Zeitabhngiger Leitwert ist Paramter der Umsetzung

Phasor Darstellung: Periodische Pumpspannung mit
p
periodischer Leitwert )) ( ( t u g
p

) e )) ( (
mit , e )) ( (
(
2
1
t t u g g
g t u g
p p n
n
n p
d
t
p
n j
t
p
n j

=
=
=


) Funktion reelle )) ( ( da , (
*
t u g g g
p n n
=




Damit wird Signal Strom in Reihe entwickelt

)
`

\
|
= =

=
t
s
j
t
p
n j
u g t u t u g t i
n
n p

e e Re ) ( )) ( ( ) (

( ) ( )
... e e e
1 1 0
+ + +
+
+
t
p s
j t
p s
j
t
s
j
g g g




( ) ( )
( ) ( )
( ) ( ) ...} 3 cos 3 cos
2 cos 2 cos
cos cos cos {
3 3
2 2
1 1 0
+ + + +
+ + +
+ + + =
+
+
+
t g t g
t g t g
t g t g t g u
s p s p
s p s p
s p s p S








Wegen Kleinsignalansatz fr ) (t u treten keine Oberwellen von
s
auf


Produkte mit Kombinationsfrequenz
s p
f nf
Fourier- Reihe !
Phasor fr
Spannung bei
s

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9 Frequenzumsetzung 9-14

H F T



Trennung der Stromkomponenten durch Filter
U
sG
U
pG
I
s
I
p
I
U
I
Last
f
p
f
s
f
z
oder f
sp
f
f
p
f
z

f
z

f
sp
f
s

- Idealer Serien Schwingkreis lt nur Strom flieen bei Resonanzfrequenz
-
Signalgenerator liefert nur Stromkomponenete
t
s
j
s
I

e
- Pumpgenerator liefert nur Stromkomponente
t
p
j
p
I

e
-
Last
Z nimmt nur Stromkomponente auf
( ) t
s p
j
z
I

e , mit
z s p
= oder
( ) t
s p
j
sp
I
2
e , mit
sp s p
= 2
- Nichtlineares Element fhrt nur oben genannte Strme, da Knotengleichung verlangt

+ =

+
t
s p
j
sp
I
t
s p
j
z
I
t
p
j
s
j
p
t
s
I I I
) 2 (
e
) (
e
e e



d.h., die brigen Strme der Reihenentwicklung werden unterdrckt durch die Filter
Beschaltung

- Die Spannung U am nichtlinearen Element darf beliebige Spektralanteile besitzen,
jedoch fhren nur diejenigen Anteile zu Wirkleistungen, die auf entsprechende
Stromkomponenten wirken knnen. D.h. Wirkleistungs Umsatz am nicht linearen
Element nur bei

sp z p s
f f f f oder , ,
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9 Frequenzumsetzung 9-15

H F T


Kleinsignal Anteile allein, nur
z s
f f und Komponenten:

{ }
{ }
{ }, e e e e ) (
, e e e e
e e Re ) (
* *
2
1
* *
2
1
t
z
j t
z
j t
s
j t
s
j
t
z
j t
z
j t
s
j t
s
j
t
z
j t
s
j
z z s s
z z s s
z s
U U U U t u
I I I I
I I t i


+ + =
+ + =
+ =


Damit kann die Konversion der Spektralanteile berechnet werden:

) ( ) ( ) ( t u t g t i =

{ }
{ }
{ } { }
[
] ... e e e e e e e e
e e e e e e e e
e Re e Re
e e e e
e e e e e
*
1 1
*
1 1
*
1 1
*
1 1 2
1
0 0
* *
2
1
* *
2
1
+ + + +
+ + +
+ + =
+ +
= + +

+ + + +

t
z
j
t
p
j
t
z
j
t
p
j
t
s
j
t
p
j
t
s
j
t
p
j
t
z
j
t
p
j
t
z
j
t
p
j
t
s
j
t
p
j
t
s
j
t
p
j
t
z
j t
s
j
t
z
j t
z
j t
s
j t
s
j
t
p
n j
t
z
j t
z
j t
s
j t
s
j
z z s s
z z s s
z s
z z s s
n
n z z s s
U g U g U g U g
U g U g U g U g
U g U g
U U U U
g I I I I





Fr Abwrtsmischung mit
s p
f f > , d.h.
z p sp
f f f + = ,
z p s
f f f = und mit
*
n n
g g =


knnen beide Seiten zusammengefasst werden nach Spektralanteilen


{ } { }
( ) ( )
{ } { }
t
s
j t
s
j
t
z p
j t
z p
j
t
s
j t
s
j
z s
z z s s s
U g U g
U g U g U g I


e Re e Re
e e e Re e Re :
*
1 0
*
1 2
1
1 2
1
0
+ =
+ + =

+




oder
*
1 0 z s s
U g U g I + =

keine weiteren Komponenten
wegen Filterung
Rest vernachlssigt
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9 Frequenzumsetzung 9-16

H F T


{ } { }
( ) ( )
{ } { }
t
z
j t
z
j
t
s p
j t
s p
j
t
z
j
s z
s s z
t j
z z
U g U g
U g U g U g I
z



+ =
+ + =
+

e Re e Re
e e e Re e Re :
*
1
* *
0
*
1 2
1
1 2
1
0
*




oder
s z z
U g U g I + =
*
1
* *
0
*


Daraus die Konversionsmatrix ( ) g fr
s p z
f f f =


* *
0
*
1
1 0
*
z
s
z
s
U
U
g g
g g
I
I



- Strom Spannung Zusammenhang linear, wie bei linearem Zweitor

- Elemente der Matrix und der Spalten Vektor beziehen sich nicht auf verschiedene Tore
sondern auf verschiedene Frequenzen bei ein und demselben Tor (nichtlineares Element
ist Zweipol bzw. Eintor)

-
Amplitude der Pumpschwingung tritt nicht mehr auf; enthalten in den Koeffizienten
n
g

-
Die Diagonal Elemente der Konversionsmatrix beschreiben den Eigenwert bei
s
f
oder
z
f unter Kurzschluss der jeweils anderen Frequenzkomponente

- Die Nebendiagonal Elemente sind Kurzschlussstrom Steilheiten, die die Steuerung
(Umsetzung) von
s
I durch
z
U bzw.
z
I durch
s
U beschreiben (bei 0 bzw. 0 = =
z s
U U ).
Diese Steuerung ist analog zur gesteuerten Stromquelle in Feldeffekt Transistoren
(spannungsgesteuerte Stromquelle) mit dem Unterschied der verschiedenen Frequenzen
statt verschiedener Tore.

- Durch Zulassung weiterer Frequenzen in Strom des nichtlinearen Elements wird die
Konversionsmatrix entsprechend erweitert.


Kehrlage
Ampl.

*
z
I bedeutet :
( )
{ }
t
s p
j
z z
I t i

= e Re ) (
*

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9 Frequenzumsetzung 9-17

H F T


Wird
s p
f f < gesetzt, sodass ( )
s p z
f f f = , gilt

z
s
z
s
U
U
g g
g g
I
I
0
*
1
1 0



Wird ) (t U
p
als gerade Funktion um 0 = t angesetzt (willkrlich whlbar bei cos frmiger
Quellenspannung), so sind die Fourierkoeffizienten
n
g rein reell. Dadurch wird die
Konversionsmatrix symmetrisch und die Schaltung reziprok, d.h. Singal und
Zwischenfrequenz Gren vertauschbar.

Durch die parametrische Rechnung wird eine stark nichtlineare Schaltung mit einem Zweipol
berfhrt in eine Ersatzschaltung mit n linearen Zweipolen bei n verschiedenen Frequenzen;

Beispiel mit
z s
f f und (2 Frequenzen)
s
U
*
z
U
s
U
z
U
s
I
s
I
z
I
*
z
I
z 1
U g
s
*
1
U g
s
*
1
U g
0
g
0
g
0
g
*
0
g
*
z 1
U g
s
f
s
f
p s z
f f f =
s p z
f f f =

Ersatzschaltungen fr eine nicht lineare Kennlinie ) (U I I = bei parametrischer
Aussteuerung durch
p
f fr Kleinsignalkomponenten bei
' s
f
p s z
f f f = (a) und
' s
f
s p z
f f f = (b)


Diese Ersatzschaltungen fr das nichtlineare Zweipol Element sind in die Gesamt-
schaltungen einzufgen, so dass mit den Regeln der linearen Schaltungen / Zweitorparameter
die Eigenschaften berechnet werden knnen, z.B. Ein / Ausgangsimpedanz, Gewinn,
Rauschzahl, Stabilitt.

Achtung: eine Schaltung je Frequenz !

z
I bedeutet :
( )
{ }
t
s p
j
z z
I t i

= e Re ) (
Gleichlage
Ampl.

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9 Frequenzumsetzung 9-18

H F T


9.6 Abwrtsmischer mit FET

Additive Mischung an einem Transistor Pol

Empfangs-
antenne
R
L
u
p
Lokaloszillator
u
s



Problem: Lokaloszillator
Signal kann abgestrahlt
werden (Strung von anderen
Empfngern !)
LO Signal Entkopplung durch Additive Mischung an zwei verschiedenen Transitor Polen
Signal
u
Gs
f
z
f
p
f
s
R
L
u
p
Lokaloszillator



Additiv, da beide Signale
(S, P) dieselbe Steuergre
bilden; hier
GS
U
Mit Nherung fr Steilheit des FET

( ) t u
p
t
p

off
Pinch D
U U
0
GS
U
GS
U
0
G
D
U
t
p

f
2
( ) t S
S
S
S
rein sinusfrmig = g
1

Fourier Reihe wie in C Betrieb
(Gl. 8.2.1), mit:
m
I ersetzt durch
0
G ,
3 / 2 /
0 0 1
G G g
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9 Frequenzumsetzung 9-19

H F T


Ersatzschaltung
( )
GS
U t g
GS
U
Q
U
G
R
S
U
S
f
z
f
d
g
g
R
gd
C
DS
U
z
U
L
R
Last
U
Signal-Tor ZF-Tor
Transistor




Konversionsgewinn bei Anpassung
( )
( )
G L
G
GS
L GS
Sv
zFv
Cv
R R g
R
U
R U g
P
P
G
2
1 4
1
2
2
1 2
1
=

= =

z.B. mit
dB 8 25 , 6 : k 1 , mA 10
0
= = = = =
Cv L G
G R R G

Wegen Beschaltung mit idealen Parallelschwingkreisen:


( )
( )
! teile Spektralan anderen keine
cos
cos

+ =
+ =
s s GS s
z z DS Last
t U U
t U U




Damit Zerlegung in zwei getrennte ESB bei
s
und
z
:
S
U S
U
G
R
gd
C
S
I
d
g
z
U
gd
C
z
I
S 1
U g

Konversionsmatrix bei Resonanz der Schaltungen

z
s
d
z
s
U
U
g g
I
I
g
R
1
0
1


nichtreziprok!
Transistor bertrgt (verstrkt)
nur in eine Richtung
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9 Frequenzumsetzung 9-20

H F T


Problem der aktiven Mischer:

- Hoher Gleichstrom wegen Konversionsgewinn

- Hohes
f
1
Rauschen proportional zu Gleichstrom

Hohe Rauschzahl fr niedrige
z



Lsung: Passiver Betrieb, FET als Schalter

LO
p
U
( ) t g
( ) t g
0
G
0 t
0
G
U
p
/ 1
D
S


- Schaltungstechnik wie bei Dioden Mischer , s.u.

- Kein Gleichstrom an den Klemmen D S des passiven Zweipols
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9 Frequenzumsetzung 9-21

H F T


9.7 Abwrtsmischer mit Schottky Diode

Dioden Mischer mit Einfach-Diode:

- Signal, Lokal Oszillator mit ZF- Kreis in Reihe Trennung durch Parallelschwingkreis
- Alternativ: Parallelschaltung mit Trennung durch Serienschwingkreise, siehe Kapitel 9.5

a) Prinzipschaltung eines
Abwrtsmischers mit einer
Schottky Diode. Der
Vorspannungskreis wird durch
eine ausreichend hohe Induktivitt
fr Wechselstrme gesperrt.
s p
z
f f
f

= s
f
z
f
z
f
p
f
s p
2 f f
s p
f f +
p
2f
s p
3 f f
f
sG
I
s
G
s
U
s
f
z
U
p
U
D
U
L
0
U
p
f
z
G
pG
I

b) Spektrale Komponenten des
Spannungsverlaufes an der
Schottky Diode bei einer
Aussteuerung mit groer
Amplitude
p
U und einem
kleinen Signal bei der Frequenz
p s
f f < .

Harmonische der Pumpschwingung ( ... , 2 ,
P P
f f )
jedoch keine Oberwellen der kleinen Signal bzw. Mischfrequenz Schwingungen
Kleinsignal Diodenspannung:


{ }
t
z
j t
s
j
Z S D
U U t U

e e Re ) ( =
Konversionsmatrix:


S P
Z
S
Z
S
f f
U
U
g g
g g
I
I
>

fr
* *
0
*
1
1 0
*

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Hochfrequenztechnik Fakultt 5, Institut fr Nachrichten- und
Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Kommunikationstechnik

9 Frequenzumsetzung 9-22

H F T


mit

) ( e ) (
2
1
t d t g g
p n
t
p
jn
der gepumpten Diode

Bei niederohmigem Lokaloszillator: Spannungs Aussteuerung der Dioden-Kennlinie

t U U t U
p p p
cos

) (
0
+ =

sodass

( )

T
U
P
U
n
I
t d t n
U
I
g
P P
T
S
n
t
P
T
U
P
U
T
U
U
/

~
0
) ( ) cos( e
1
e
cos
0




( )
T P
U
U
T
S
U U I
U
I
g
T
/

~
e
0
0
0
=

) /

(
~
) /

(
~
0
0
T P
T P n
n
U U I
U U I
g g = , abhngig von Aussteuerung
P
U

!

( ) t g ( ) U g
t
p

t
p

p
U
U
T T
s
exp
U
U
U
I
0
g
0 = t
0 = t
p
u
0
U

Zeitverlauf g(t)
des Leitwertes
einer Schottky
Diode bei
harmonischer
Spannungs-
steuerung
( sin Anteil entfllt
wegen Symmetrie)
Siehe Kapitel 9.3
2,4
2,0
1,6
1,2
0,8
0,4
0
0 1 2 3
x
( ) x I
0
~
( ) x I
1
~
( ) x I
2
~
( ) x I
3
~
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9 Frequenzumsetzung 9-23

H F T


Berechnung der Zweitorgren mit Hilfe der ESB bei
z s
, mit reellen Leitwerten
z s
G G ,
sG
I
s
G
s
U
s
I
*
z 1
U g
Es
G
0
g
z
G
*
z
U
*
z
I
s 1
U g
Ez
G
0
g
s
f
z
f


Annnahme:
reell
1
0

g
g




Beschaltungsgleichungen


S S SG s
U G I I =


* *
Z Z Z
U G I =

plus Konversionsgleichungen ergibt Netzwerkgleichungen



ltungen Ersatzscha siehe
) ( 0
) (
*
0 1
*
1 0

+ + =
+ + =
Z Z S
Z S S SG
U g G U g
U g U g G I


ZF seitiger Eingangsleitwert:

SG
I Quelle ersetzen durch Leerlauf, da Speisung mit ZF allein
2. Konversionsgleichung
S Z Z
U g g U I + =
1 0
* *
, mit
*
0
1
Z
S
S
U
g G
g
U
+
= ergibt
0
2
1
0
g G
g
g
U
I
G
S Z
Z
EZ
+
= =
1
g tritt quadratisch auf, da
Konversion von
S Z
und
rckwrts
Z S

Signal seitiger Eingangsleitwert entsprechend

0
2
1
0
g G
g
g
U
I
G
S S
S
ES
+
= =
Abhngig von ZF seitigem
Abschluss
Absolute Stabilitt ) 0 , 0 ( > >
ES EZ
G G fr 0

S
Z
G
G
:

0
0
> g und 0
2
1
2
0
> g g


entfllt da
1

n n
g g
reale Last bzw.
Innen Leitwerte
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9 Frequenzumsetzung 9-24

H F T





) 4 ( /
/
eistung Generatorl verf.
istung Ausgangsle
Gewinn
2
2
S SG
Z Z
G I
G I
= =

( )( ) { }
2
2
1 0 0
2
1
4
g G g G g
g G G
G
Z S
Z S
+ +
= , Symmetrisch in
S
G und
Z
G

mit ( ) ( ) { }
2
1 0 0 1
*
/ g G g G g g G I I
Z S Z SG Z
+ + =


Verfgbarer Gewinn ( )
EZ Z
G G =

( ) ( ) { }
2
1 0 0 0
2
1
2
2
) 4 ( /
/
g G g g G g
g G
G I
G I
G
S S
S
S SG
Z Z
V
+ +
= = , nur abhngig von
S
G

Fr Diodenmischer (rein passiv) ist 1 <
V
G , daher

1
1
> =
V
V
G
L Konversionsverlust

Eingangsseitige Anpassung
ES S
G G = bei gleichzeitiger ZF Anpassung, d.h.

) (
opt Z ES opt S
G G G = und ) (
opt S EZ opt Z
G G G =

ergibt
min max
/ 1
V v m
L G G G = = =

mit
2
1
2
0
g g G G
op Z opt S
= = , nicht:
0
g !

wird
( )
2 2
1
2
1
2
) / 1 1 (
0
1
g g
G
g
g
m
+
= , nur abhngig von 1 /
0 1
< g g

< 1 Real : Zusatzverluste durch
b
R

Optimierung:



P
U

gro 1 /
0 1
g g
m
G maximal 1
0
U
opt S
G bzw.
opt Z
G einstellen auf z.B. 50 / 1
Pumpleistung wird nicht mit bilanziert !
( Zwischenschritt aus Kombination
von Beschaltungsgleichung mit
Netzwerkgleichungen)
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9 Frequenzumsetzung 9-25

H F T


Gebruchlichste Mischer:

Spiegelfrequenz nicht gesperrt,
berlapp
z

sp

( ) fix
p


z.B. wegen groer Bandbreite fr
S
und
niedriger ZF,
oder einfach nur wegen Vermeidung von
hochgtigen Filtern aus Aufwandsgrnden

- Mit
s p
f f > ist
s p Sp
f f f = 2
- Falls
s Sp
f f ist auch
s Sp
G G


Deshalb Mischer Ersatzschaltung mit 3 Toren
[ ] g
sp
f
s
f
z
f
z
G
*
z
U
*
z
I
sG
I
s
G
s
U
sp
U
sp
I
s
I
s sp
G G




Ersatzschaltung fr einen
Abwrtsmischer ) (
s p
f f > mit
Spiegelfrequenz
s p sp
f f f = 2
Zusammen mit den Beschaltungsgleichungen

Sp Sp Sp Z Z Z S S S SG
U G I U G I I U G I = = = , ,

gelten die drei parametrischen Gleichungen in Matrix Form (siehe bungsaufgabe 9.7)




Sp
Z
S
Sp
Z
S
U
U
U
g g g
g g g
g g g
I
I
I
*
0 1 2
*
1 0 1
*
2
*
1 0
*


Auswirkung des ungesperrten Spiegelfrequenz Tores ) 0 (
Sp
U



- Signalleistung wird in ZF und Spiegelfrequenz umgesetzt, d.h. Verlust von 3dB
fr das Nutz / ZF) Signal :
2
1
<
m
G !


- Sowohl ein Signal mit
S
als auch eines bei
Sp
wird in die ZF Lage umgesetzt,
d.h. Mehrdeutigkeit der Empfnger / Strungen, falls in beiden Lagen Signale sind
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9 Frequenzumsetzung 9-26

H F T


Rauschen



- Lineare Umsetzung : Rauschzahl Definition anwendbar

- Schrotrauschen als Hauptquelle:
=
U
I
d
d
r
I


,
g
T
k I
D
r
=
2
4
2

Obwohl durch Pumpsignal der Arbeitspunkt stark variiert (daher Rauschen nichtstationr !)
gilt quivalenz mit
0
g g = (zeitlich gemittelter differentieller Leitwert) und einheitlichen
Rauschtemperaturen an beiden Toren:

I
r1
I
r2

0 1
1 0
g g
g g
Tor 1 Tor 2
( ) 2 /
D
T
Mischer
z
G
z
f
s
G
s
f
( )
D
T



Rauschersatzschaltung eines
Abwrtsmischers fr 0 =
b
r
und gesperrter
Spiegelfrequenz mit
thermisch ) 2 / (
D
T
rauschendem Zweitor
Bei signalseitigem Kurzschluss folgt am ZF Ausgang

0 22 22
2
2
, } Re{
2
4 g y y
T
k I
D
r
= =



Entsprechend umgekehrt

0 11 11
2
1
, } Re{
2
4 g y y
T
k I
D
r
= =



Korrelation zwischen den beiden Quellen:

1 21
*
12 2
*
1
2 ) (
2
2 g T k y y
T
k I I
D
D
r r

= + = , mit
1 21 12
g y y = =

Differentieller
Leitwert beim
Arbeitspunkt
quivalente
Rauschtemperatur
der Diode


Beide Gleichungen Folge
der Annahme von
einheitlicher
Rauschtemperatur
rein reell !
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9 Frequenzumsetzung 9-27

H F T



Umrechnung auf zwei vorgeschaltete
Quellen
r r
I U , zur Berechnung der
Rauschzahl entspr. Kapitel 7.4

G
s
I
r
U
r
U
sG
Tor 1 Tor 2
Mischer

0 1
1 0
g g
g g


( )

1
]
1

+
+ + =
S
S S
S
D
G
g G
g
g G
G
g
T
T
F
0
2
1
2
0 0
0
2 1
2
1



Minimum in F fr reelles
S
G , da Korrelation der Rauschstrme rein reell:
F
G
s



S
G
F
1
~ fr kleine
S
G
S
G F ~ fr groe
S
G
Unter Verwendung des Konversionsverlustes L

( ) 1
2
1
0
+ = L
T
T
F
D



min
F fr
min
L , d.h. Rauschanpassung = Leistungsanpassung

-
Verlustfreier Mischer mit 1 1
min min
= = F L , wie fr jedes verlustfreie
(rauschfreie) Zweitor

-
Mischer mit ungesperrter Spiegelfrequenz 2
min
= L
( ) 2
2
2
0
+ = L
T
T
F
D

, d.h. dB 3 2
min
= = F

- bliche Realisierungen
real
L F ,
z.B. F = 4 fr reale Mischer mit Spiegelfrequenztor und Zusatzverlusten durch
b
R
- Kettenschaltung:
Nachfolgende Stufe geht stark ein
L F F F
ges
+ = ) 1 (
2 1
!
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9 Frequenzumsetzung 9-28

H F T


Gegentakt Mischer
1
2
3
4
( )
( ) t u
t u
p
s

( )
( ) t u
t u
p
s
+
1
i
2
i
( ) t i
z
z
G
( ) t u
p
( ) t u
s
2 /
p s
u u +
2 /
p s
u u
( ) t i
z
z
G
Z
Z
Z
Z
2 / Z
2 : 1

a) b) c)

Prinzip eines Gegentakt Diodenmischers (a), Ausfhrung mit Differentialbertrager (b) und
Kopplereigenschaften des Differentialbertragers (c)



Obere Diode ) (
1 P S
u u i +

Untere Diode ) (
2 P S
u u i + , wegen Spannugszhlpfeil und Diodeneinbau





Knotengleichung ) ( ) (
2 1 P S P S Z
u u i u u i i + + =


Ohne Signal:
bei gleichen Dioden

= 0
Z
i

Amplitudenschwankungen des Lokaloszillators
durch Brckenanordnung kompensiert



-
Wegen Gleichtakt / Gegentakt Speisung von
P
U und
S
U sind beide Tore entkoppelt,
solange die Dioden gleich sind Balancierter Mischer


- Mischprodukte (ZF) der Diodenstrme sind proportional zur Signalspannung, d.h.

) ( 2 ) ( ) ( ) ( ) (
2 1 2 1 S Z S Z S Z S Z S Z ges Z
U i U i U i U i U i i = + = =

die ZF Strme addieren sich konstruktiv im ZF Leitwert


-
Mischprodukte mit Oberwellen der Pumpschwingung
p
n , n = 2, 4, .... werden durch
Differenzbildung unterdrckt
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9 Frequenzumsetzung 9-29

H F T


Doppel Gegentakt Mischer
Signal
Geschaltetes
Signal
Schaltsignal
( ) t u
p
( ) t u
s
2 ( ) t u

U(t)
U
p
(t)
t
t
1
-1
T
p
2


a)
Prinzip eines Doppel
Gegentakt
Diodenmischers mit
Dioden Quartett und
Differentialbertragern

b)
Funktion des Doppel
Gegentakt
Diodenmischers als
Polarittsmodulator mit
zur Vereinfachung
rechteckfrmigem,
Schaltsignal ) (t u
p


- Die Pumpspannung schaltet jeweils 2 Dioden in Flussrichtung
oder s
u
s
u ( ) t u
=

- Dadurch periodisches Umpolen der Ausgangs Signalspannung
=
Eingangs-
signal
Pump-
signal
ZF-Signal
s

p
3
p
5
p s

s p
3
p s
+
s p
5
s p
3 +
s p
5 +


- Entkopplung von Signal und Pump Eingang gegeneinander und gegen ZF Ausgang
- Mischprodukte
p S
f n f , n = 1, 3, 5, ...
-
Lineare Umsetzung obwohl ) (t u
S
mit ) (t u
p
multipliziert wird
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9 Frequenzumsetzung 9-30

H F T


Lineare Verzerrungen in Mischern

Durch Pumpsignal wird Arbeitspunkt in weiten Grenzen variiert, damit wird die nichtlineare
Kennlinie bzgl. des kleinen Signals nichtstationr: Die Koeffizienten der Polynom
Darstellung der Kleinsignalgren an den Mischerdioden



... ) ( ) ( ) ( ) (
3
3
2
2 1 0
+ + + + = t u a t u a t u a I t i

sind selbst eine Funktion der Zeit. Trotzdem sind allgemeine Aussagen mglich

(a) Unbalancierter Mischer



alle Glieder der Polynomdarstellung sind wirksam; Erzeugung von Intermodulation etc.
wie bei Klasse A

(b) Gegentakt Mischer



Gegentakt unterdrckt Stromkomponenten aus geraden Polynomgliedern ) , , (
4 2
a a ;
Verbesserung der Linearitt und Gre des Aussteuerbereiches wie Klasse B
Augenblicks-
Arbeitspunkt
Kleinsignale
Resultierende
Kennlinie
( ) t i
( ) t u
( ) t u
( ) t I
p
( ) t i
( ) t i
( ) t i
( ) t u
( ) t u
( ) t u
D
I
D
U

Linearisierung der Kennlinie




Erzeugung von Oberwellen (ungerader Ordnung) und Intermodulationsprodukte dritter
Ordnung der Signale, Umsetzung in ZF und Spiegel sowie
p
n Lagen !

=
Signal
Ampl.
Pump-
Signal
Misch-
Signale
s

p
5
s p

s p
3
s p
+
s p
3 +

s
2
s
4
s
3
s
5

0
0
p
2
p
3
p
4
p
5
0
0
p s
3
s p
3 +


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13 Zweipoloszillatoren 13-1

H F T


Grundprinzip: Entdmpfung von verlustbehaftetem Schwingkreis bzw. Kompensation des
Verlustwiderstandes durch negativen Widerstand des aktiven Elements
Maschengleichung im Zeitbereich:
0
1
) ( = + +

dt i
C
i R R
dt
di
L
D

dt
d
L
,
1

0
2
2
2
= +

+ i
dt
di
L
R R
dt
i d
r
D
, mit
LC
r
1
2
=
Lsungsansatz: } Re{ } Re{ ) (
pt t t j
e I e e I t i = =

mit j p + = =komplexe Frequenz
} Re{ }, Re{
2
2
2
pt pt
e I p
dt
i d
e I p
dt
di
= =
0
2 2
= +

+
pt
r
pt D pt
e I e I p
L
R R
e I p = komplexe Schreibweise
0
2 2
= +

+
r
D
p
L
R R
p mit binomischer Formel:
Lsung:
L
C R R
j
L
R R
p
D
r
D

=
4
) (
1
2
2
2
1

Fr R R
D
> ist 0 > und die Zeitfunktion ) cos(

) ( t e I t i
t

= steigt
exponentiell an mit der Schwingfrequenz
L
C R R
D
r

=
4
) (
1
2

falls 1 <
r


Selbsterregung, auch aus der winzigsten Anfangsschwingung heraus,
z.B. Rauschen oder Betriebsspannungs-Einschaltsto
-R
D
jX
D
U(t) R
V
R
L

R
48 47 6

jX
L
4 4 4 3 4 4 4 2 1

48 47 6

"Load"
Verbraucher
Aktives Element
"Device"
48 47 6

R -R
D
i
L C
Serienschwingkreis jX
L
schwach frequenzabh.,
rein reell
R
D
> 0
frequenz-
unabhngig

vereinfacht
1
t
e
t
t
i(t)
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13 Zweipoloszillatoren 13-2

H F T


In Realitt kein exponentielles Wachstum ber alle Grenzen mglich, daher muss ( ) I R R
D D

= , d.h.
nichtlinear sein.
Der eingeschwungene Zustand, d.h. stationre, ungedmpfte Schwingung durch ( ) R I R
D



Idealisierte Betrachtung wie bei Grosignalverstrker:
Schwingkreis lsst nur monofrequenten Strom zu:
) cos(

) ( t I t i = , keine Oberwellen!

Leistungsumsatz damit nur durch passende Spannungskomponente ber dem aktiven Element
... ) 3 cos(

) 2 cos(

) cos(

) (
3 2 1
+ + + = t U t U t U t u

Maschenumlauf im
eingeschwungenen Zustand:

( ) { } 0

= + I R jX R I D
L

mit ( )
I
U
I RD

1
=
I
D
R
U

I
U


D R gemittelter Widerstand ber Aussteuerungsweite: Grosignalwiderstand
Schwingfrequenz
r OS
LC
= =
1
wegen 0 =
L
X
Schwingungsamplitude
OS
I

bei 0 =
L
X aus:
0 )

( = + R I R
OS
D , d.h. Kompensation der Verluste in R durch D R

Beispiel: Nichtlineare Kennlinie (van der Pol) dritter Ordnung:

3
) ( ) ( ) ( t i K t i R t U
D
+ =
( ) t U cos

1

(nicht ( ) t u )
( ) t I cos

1
I
U
R
D

=
i
u
i R
D

3
i K
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13 Zweipoloszillatoren 13-3

H F T


Mit ( ) t I t i cos

) ( = und ( ) x x x 3 cos cos 3


4
1
cos
3
+ = :
( ) ( ) t I
K
t I I
K
R t u
D
3 cos

4
cos

4
3
) (
3 2
+
)
`

+ =

Grosignalwiderstand bei Grundschwingung
2

4
3

( I
K
R
I
U
I R
D
D + = =



Schwingungsamplitude
( ) 0

= + R I R
OS
D
0

4
3
2
= + + R I
K
R
OS D
, d.h. ) (
3
4

2
R R
K
I
D OS
=

Ortskurvendarstellung der Einschwingbedingungen

Stabilitt

Ziel: Durch Strungen bewirkte nderung i soll wieder abklingen und dabei die ursprngliche
Schwingfrequenz einnehmen.
Prfung der Stabilitt durch Reihenentwicklung der Impedanzen des Kreises bezglich nderung
in p und I

, d.h.
( )
)
`

I I R
j X
D
L

nach


nach
weil:
konstant ist
abhngig, nicht von
abhngig,

nicht von
R
R
I X
D
L

43 42 1

Re
Im
R
( ) I R
D


D
R
R
OS
I


|
.
|

\
|
+ =
C
L j R Z

1
Load
( ) I R
D

= I
OS
,
OS
I


berschuss,
Amplitude steigt
:
D
R rein reell,
frequenzunabhngig,
nichtlinear

Load
Z : linear,
amplitudenunabhngig
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13 Zweipoloszillatoren 13-4

H F T


Aus ( ) 0

= + I R jX R D
L
(stationr) wird mit linearem Glied der Reihenentwicklung
( )
( )
( ) ( )
( )
0

= + + + i
I
I d
I R d
I R j
j d
dX
j jX R
OS
D
OS
D
OS
L
OS L




exp. Anstieg/Abfall und Amplitudennderung
Frequenznderung


Falls Ausgangspunkt der stationre Zustand, bleibt brig:
( )
( )
( ) 0

= + +

j
j d
dX
j i
I
I d
I R d
OS
L
OS
D


Erfllung gleichzeitig fr Realteil und Imaginrteil heit
Imaginrteil:
( )

=
d
dX
j j
j d
dX
j
L L



Realteil:

( )
0

= +

OS
L
OS
D
d
dX
i
I
I d
I R d
bzw.
( )
OS
L
OS
D
d
dX
j
I
I d
I R d
i



Fr stabilen Betrieb muss ein 0 > i zeitlich abklingen durch 0 < und
ein 0 < i zeitlich anklingen mit 0 >
d.h. Forderung: 0 <

bzw.
( )
0

<
OS
L
OS
D
d
dX
j
I
I d
I R d



Siehe Beispiel mit Serienschwingkreis:
0
zu Frequenz nder mit wachse nimmt
ab

tude Stromampli nder mit wachse nimmt


<

)
`

i X
I R
L
D


Aber:
Wenn
L
X ein Parallelschwingkreis ist, wird
0 <
OS
L
d
dX

und 0 >

, d.h. der Oszillator schwingt instabil!


0 =
Keine Abhngigkeit der Schwingfrequenz von der
Schwingamplitude
(Senkrechter Schnitt der beiden Kennlinien)
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13 Zweipoloszillatoren 13-5

H F T


Oszillatoren im Mikrowellenbereich besitzen oft komplizierte Resonanzgebilde (vor allem bei Hohlleiter-
Oszillatoren) mit periodischen oder hnlichen Impedanzverlufen entsprechend dem Leitungsresonator
und Zusatzdmpfung


B
U
Aktives Element
"Device", z. B.
Gunn-Element
oder Impatt-Diode
Leitungs-
Resonator
Blende
(Transform.)
zum
Verbraucher
L
G
Re
Im

L
Y
4

4
3
Parallelresonanzen
stabil
Serienresonanzen
instabil
Ersatzschaltung
Stabil bei Parallelresonanz!
D G
L
G
L
B
Beispiel
Duale Schaltung
mit Parallel-
schwingkreis:
Ersatz von
y Z
u I



Synchronisierung zur phasenstarren Anbindung an Referenzquelle oder Phasen-Modulation/Frequenz-
Modulation durch Einkopplung /Injektion einer Zusatzspannung
i
U in den Schwingkreis











Im eingeschwungenen Zustand (
OS i
f f ) ist der Oszillator gefangen/eingerastet auf Frequenz
i
f ,
allerdings kann Phasenverschiebung zwischen
i
U und I bestehen.

i
U
I
( ) I RD

( )
L L
jX R Z + =
Load
=
OS
f freilaufende Frequenz
=
i
f Synchronisierfrequenz
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13 Zweipoloszillatoren 13-6

H F T


Analyse mit Maschengleichung (
t j
e gekrzt)

( ) ( ) { }

j
i i Load i
D
i
e U Z I R I = +


( ) ( )

j
i i
D
i Load
e r I R Z + =


i
i
i
I
U
r

= und Strom im eingeschwungenen Zustand



t j
i
i
e I I

= bzw. ( ) t I t i
i i
cos

=

Realteil: ( ) cos

i i
D
L
r I R R + = Verschiebung des Device-Arbeitspunktes
Imaginrteil: ( ) sin
i i L
r X = Frequenzverschiebung gegenber Freilauf-Frequenz





Synchronisationsbereich
L
r
i
OS i
= = | | 2
min
max
syn

wegen
( ) ( ) L
d
dX
X X
OS
L
OS L i L


+ + = 2 0 fr kleine
OS i
=
und
i i L
r X = ) (
min
max


Im
Re
( ) I RD


i
I

i
I

steigt durch die


Synchronisations-Quelle
ber
OS
I


( )
L L
jX R Z + =
Load
OS OS
I ,

= I
L
R
Grenze der Synchronisierung
durch 1 sin ,
d.h.
i
i L
i L
r
X
X
=
)
`

=
) (
) (
90
min
max
max


Bei berschreiten von
max i
Im Kreis existieren
Bei Unterschreiten von
min i

OS
und
i

(Schwebung)
)
`


i
r

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13 Zweipoloszillatoren 13-7

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Zirk.
L
Z
i

Synchr.
Oszillator
Injektions-
Oszillator

- Abgegebene Oszillatorleistung
L i OS
R I P =
2

2
1

- Eingespeiste Synchronisationsleistung
L
i
i
R
U
P
2

2
1
=
bei Anwesenheit des aktiven Elements
oder bei Entkopplung mit Hilfe eines Zirkulators

- Gte
L
OS
OS L
K
ext
R
L
R
Z
Q

= = externe Gte:

K
Z aus verlustfreiem Resonator

L
R aus uerer Last (Verbraucher)


K
R aus uerer Last (Verbraucher)
fhrt zu Zieh-Gte

OS


Fazit
- Ausgangspunkt: Freilaufender, stabiler Oszillator
- Stabile Synchronisation mit 90 90
- Oszillatorstrom (bei Serienresonanz-Schaltung) steigt an
- Ausgangsleistung steigt an
- Synchronisationsbandbreite steigt mit der Injektionsleistung, fllt mit der externen Resonatorgte
- Sinnvoll nur, wenn
i
P <<
OS
P ; damit aber kleiner Ziehbereich << Bandbreite des Resonators
OS
i
ext
OS
Syn
P
P
Q
=

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13 Zweipoloszillatoren 13-8

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Rauschen

Ursachen
- Thermisches Rauschen der Widerstnde
- Elektronisches Rauschen des aktiven Elementes
Beschreibung durch Rausch-Spannungsquelle im Kreis, Rdf kT U
r r
4 =












Parametrische Betrachtung
- Rauschquelle bei tiefen Frequenzen
NF
f mit
r
T = konstant,
Sonderfall f 1 -Rauschen:
NF
r
f
T
1
=

- Umsetzung in Hochfrequenzbereich durch Aufwrtsmischung an dem durch die Oszillatorschwingung
gepumpten nichtlinearen Leitwert











mit Hilfe von
1
g
( ) ( ) t g U I
OS r r
cos NF
1
Bereich - HF
= , falls 0
NF
Load
= Z
zugeordnete
Rauschtemperatur
angenommene
Quelle
( )
D
D
D
du
di
t g =
D
U
D
i

t
t
() t g
D

0
g
OS
T 0
( )
( ) identisch! nicht
1
0
... cos
0
1
0
2 1 0
D
OS D
R
g
g
g
g t g g t g

<
)
`

+ + =

r
U
I
D
R
( )
Load
Z
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13 Zweipoloszillatoren 13-9

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Charakter des Rauschphasors
r
U , siehe Kapitel 7.2:
- Ersatzgre fr stochastisches Signal = Effektivwertzeiger
- Willkrlich gewhlte Phase des komplexen Zeigers

Fr gegenwrtige Betrachtung wichtig:
- Die ursprngliche Rauschgre hat nicht konstante Phase, sondern schwankt in Phase und
Betrag gleichzeitig
- Genauere Ersatzgre daher I/Q-Zerlegung:

Q I r r r
U j U U + =
mit gleich groen, nicht korrelierten Anteilen der Phase 0 (I) und Phase 90 (Q), so dass
t U t u
r r
cos ) (
I I
= bzw. ( ) t U t u
r r
sin
Q Q
= .

Das Spektrum der Aufwrtsmischung besteht daher aus zwei Stzen von Seitenbndern der
Oszillatorschwingung:

In-Phase-Rauschsignal
I r
U




Interpretation: Amplituden-Modulation des Trgers
OS
I

Quadratur-Phase-Rauschsignal
Q r
U




Interpretation: Frequenz/Phasen-Modulation


OS
I
NF OS
f f +
NF OS
f f
gleichphasig
gegenphasig
OS
I

Ersatzquelle fr
aufwrtsgemischtes Ursprung Aufwrtsmischung
NF-Rauschen
( )
( ) t g
U
OS
rL
cos
NF
1

0
g
rL
I
) (
Load
Z
Rauschsignal
1/f-Rauschen
NF
NF OS
f f
NF OS
f f +
OS
f
OS
I
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43 42 1

L
j R
g
+

+
43 42 1
0
1
0

Abgegebene Rauschleistung bei
NF OS
f f f =

3 2 1
L
K L
X
Z j R Z v
Load
+ = in der Nhe der Oszillatorfrequenz



r
P an
L
R abgegeben:

L rL r
R I P =
2
, =
rL
I Strom durch
Load
Z
wird durch Imaginrteil v
K
Z begrenzt
wird durch negativen Device-Leitwert 0
0
< g erhht (Verstrkung)


2
NF
2
2 2
0
2
1
2
Load
0
2
0
2
1
2
4
1
f Q
f T
k
X
R g g Rdf kT
R
Z
g
g g U
P
OS r
L
L r
L
r
r
=
|
|
.
|

\
|
+

=


fr konst. =
r
T :
2
NF
1
~
f
P
r









fr Rauschen - 1 f zustzlicher Faktor
NF
1 f
L
K
R
Z
Q
f
f
=

= , 2 v
OS
NF
Abfall her quadratisc
Dekade
dB 20
=

( ) ( ) f f f
OS
/ log
43 42 1

NF
f
|
.
|

\
|
Hz / mW 1
/
log
df P
r
Spektraldichte
[ ] z H / dB
m
( ) ( ) f f f
OS
/ log
log( ) 3
1
~
NF
r
f
P
2
1
~
NF
r
f
P
-Anteil f 1 weies Rauschen in NF
bei Bezug auf
die Trgerleistung
als dB
C
/Hz
Carrier
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13 Zweipoloszillatoren 13-11

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Betrachtung im Zeitbereich

Ausgangspunkt: - Schwingung mit
OS
I

bei
OS

- Maschengleichung ( ) ( )
r
D
L
U I R jX R I = +


- Quasi-eingeschwungener Zustand ( 0 = )
- Reihenentwicklung der Widerstandselemente
L
X und ( ) I RD


(wie bei Stabilittsbetrachtung)

( )
( )
t j
r
t j
r r
r
OS
L
OS
D
OS
r
e I I
e U U
I
U
j
j d
dX
j i
I
I d
I R d

HF
NF

=
=
= +
Imaginrteil
{
( ) ( ) t
r
I
U
I
U
d
dX
r OS
r
r r
OS
L
sin

Im

=
)
`

=
Frequenzmodulation: ( ) ( ) t
d
dX
r
r OS
L
r
sin

=


Realteil
( )
( ) ( ) t
I
U
I
U
i
I
I d
I R d
r OS
r r
OS
D
=
)
`

= cos

Re



Amplitudenmodulation: ( ) ( ) t
I
R
r
i
r OS
D
r

= cos

d
d


Spektrum: siehe oben

Phasen/Frequenz-Rauschen grer als
Amplitudenrauschen
OS

rHF

rHF

rNF

rNF OS
2

Ampl.
durch Mischung zum
Trger hin
Spektrum
des resultierenden Stroms
Bei starker Nichtlinearitt:
d
d
d
d
L
D X
I
R
>>