SFH 400, SFH 401, SFH 402

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

SFH 400 SFH 401 SFH 402

Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale
q Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Kathode galvanisch mit dem

Features
q q q q q

Gehuseboden verbunden
q Hohe Zuverlssigkeit q SFH 400: Gehusegleich mit SFH 216 q SFH 401: Gehusegleich mit

BPX 43, BPY 62

q SFH 402: Gehusegleich mit BPX 38,

Fabricated in a liquid phase epitaxy process Cathode is electrically connected to the case High reliability SFH 400: Same package as SFH 216 SFH 401: Same package as BPX 43, BPY 62 q SFH 402: Same package as BPX 38, BPX 65

BPX 65 Anwendungen q Lichtschranken fr Gleich- und Wechsellichtbetrieb q IR-Fernsteuerungen q Industrieelektronik q Messen/Steuern/Regeln Semiconductor Group 536

Applications q Light-reflecting switches for steady and varying intensity q IR remote control q Industrial electronics q For drive and control circuits

10.95

fet06092

fet06091

fet06090

SFH 400, SFH 401, SFH 402

Typ Type SFH 400 SFH 400-3 SFH 401 SFH 401-3 SFH 402 SFH 402-2 SFH 402-3

Bestellnummer Ordering Code Q62702-P96 Q62702-P784 Q62702-P97 Q62702-P787 Q62702-P98 Q62702-P789 Q62702-P790

Gehuse Package 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Glaslinse, hermetisch dichtes Gehuse, Anschlsse im 2.54-mm-Raster (1/10) 18 A3 DIN 41876 (TO-18) glass lens, hermetically sealed package, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10).

Grenzwerte (TC = 25 oC) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlastrom Forward current Stostrom, tp = 10 s, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wrmewiderstand Thermal resistance Wellenlnge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Symbol Symbol Top; Tstg Tj VR IF IFSM Ptot RthJA RthJC peak Wert Value 55 ... + 100 100 5 300 3 470 450 160 950 Einheit Unit
oC oC

V mA A mW K/W K/W nm

Semiconductor Group

537

SFH 400, SFH 401, SFH 402

Kennwerte (TA = 25 oC) Characteristics Bezeichnung Description Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 m A, tp = 20 ms Abstrahlwinkel Half angle SFH 400 SFH 401 SFH 402 Aktive Chipflche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipflche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberflche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top SFH 400 SFH 401 SFH 402 Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Kapazitt Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 s Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsflu Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or e, IF = 100 mA Symbol Symbol Wert Value 55 Einheit Unit nm

A LxB LxW

6 15 40 0.25 0.5 x 0.5

Grad deg. mm2 mm

H H H tr, tf

4.0 ... 4.8 2.8 ... 3.7 2.1 ... 2.7 1

mm mm mm s

Co

40

pF

VF VF IR

1.30 ( 1.5) 1.90 ( 2.5) 0.01 ( 1)

V V A

mW

TCI

0.55

%/K

Semiconductor Group

538

SFH 400, SFH 401, SFH 402

Kennwerte (TA = 25 oC) Characteristics Bezeichnung Description Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von , IF = 100 mA Temperature coefficient of , IF = 100 mA Symbol Symbol TCV TC Wert Value 1.5 + 0.3 Einheit Unit mV/K nm/K

Gruppierung der Strahlstrke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a steradian of = 0.01 sr Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 400 Strahlstrke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstrke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 s SFH SFH 400-3 401 SFH 401-3 SFH 402 SFH 402-2 SFH 402-3 Einheit Unit

Ie min

20

32

16

16

2.5

2.5

mW/sr

Ie typ.

300

320

220

190

40

30

40

mW/sr

Semiconductor Group

539

SFH 400, SFH 401, SFH 402

Radiation characteristics, SFH 400 Irel = f ()

Radiation characteristics, SFH 401 Irel = f ()

Radiation characteristics, SFH 402 Irel = f ()

Semiconductor Group

540

SFH 400, SFH 401, SFH 402

I e Radiant intensity ------------------------I 100 mA e Single pulse, tp = 20 s

Relative spectral emission Irel = f ()

= f ( IF)

Max. permissible forward current IF = f (TA)

Forward current IF = f (VF)

Permissible pulse handling capability IF = f (), TC = 25 oC, RthJC = 160 K/W, duty cycle D = parameter

Semiconductor Group

541