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GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

SFH 400 SFH 401 SFH 402

2.54mm spacing

0.45

4.8 4.6

1 0.9 .1
GEO06314

Chip position (2.7)

Cathode (SFH 480) Anode (SFH 216, SFH 231, SFH 400)

Radiant Sensitive area

5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g

5.6 5.3

0.45

(2.7)

Chip position

Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 (package) 1.1 .9 0

2.54 mm spacing

welded 14.5 12.5

Approx. weight 0.35 g

Chip position (2.7) 0.45

5.5 5.0

14.5 12.5

5.3 5.0

5.6 5.3
GET06013

Cathode (SFH 402, BPX 65) Anode (SFH 482) Approx. weight 0.5 g

2.54 spacing

4.8 4.6

Radiant sensitive area 1.1 .9 0 1.1 0.9

Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Semiconductor Group

1998-04-16

fet06092

fet06091

5.3 5.0 6.4 5.6

4.8 4.6

1 0.9 .1
5.6 5.3
GET06091

glass lens

fet06090

1.1 .9 0

SFH 400, SFH 401, SFH 402

Wesentliche Merkmale q Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Kathode galvanisch mit dem Gehuseboden verbunden q Hohe Zuverlssigkeit q SFH 400: Gehusegleich mit SFH 216 q SFH 401: Gehusegleich mit BPX 43, BPY 62 q SFH 402: Gehusegleich mit BPX 38, BPX 65 Anwendungen
q Lichtschranken fr Gleich- und

Features q Fabricated in a liquid phase epitaxy process q Cathode is electrically connected to the case q High reliability q SFH 400: Same package as SFH 216 q SFH 401: Same package as BPX 43, BPY 62 q SFH 402: Same package as BPX 38, BPX 65 Applications
q q q q

Wechsellichtbetrieb
q IR-Fernsteuerungen q Industrieelektronik q Messen/Steuern/Regeln

Photointerrupters IR remote control Industrial electronics For drive and control circuits

Typ Type SFH 400 SFH 400-3 SFH 401-2 SFH 401-3 SFH 402 SFH 402-3 SFH 402-2

Bestellnummer Ordering Code Q62702-P96 Q62702-P784 Q62702-P786 Q62702-P787 Q62702-P98 Q62702-P790 on request

Gehuse Package 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Glaslinse, hermetisch dichtes Gehuse, Anschlsse im 2.54-mm-Raster (1/10) 18 A3 DIN 41876 (TO-18) glass lens, hermetically sealed package, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10)

Semiconductor Group

1998-04-16

SFH 400, SFH 401, SFH 402

Grenzwerte (TC = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Description SFH 401: Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range SFH 400, SFH 402: Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlastrom Forward current Stostrom, tp = 10 s, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wrmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlnge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 mA, tp = 20 ms Abstrahlwinkel Half angle SFH 400 SFH 401 SFH 402 Aktive Chipflche Active chip area Symbol Symbol peak Wert Value 950 Einheit Unit nm Symbol Symbol Wert Value 55 ... + 100 Einheit Unit C

Top; Tstg

Top; Tstg

55 ... + 125

Tj VR IF IFSM Ptot RthJA RthJC

100 5 300 3 470 450 160

C V mA A mW K/W K/W

55

nm

6 15 40 0.25

Grad deg. mm2

Semiconductor Group

1998-04-16

SFH 400, SFH 401, SFH 402

Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Abmessungen der aktiven Chipflche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberflche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top SFH 400 SFH 401 SFH 402 Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Kapazitt Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 s Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsflu Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, Symbol Symbol Wert Value 0.5 0.5 Einheit Unit mm

LB LW

H H H tr, tf

4.0 ... 4.8 2.8 ... 3.7 2.1 ... 2.7 1

mm mm mm s

Co

40

pF

VF VF IR

1.30 ( 1.5) 1.90 ( 2.5) 0.01 ( 1)

V V A

mW

TCI

0.55

%/K

IF = 100 mA

Temperature coefficient of Ie or e, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von , IF = 100 mA Temperature coefficient of , IF = 100 mA

TCV TC

1.5 + 0.3

mV/K nm/K

Semiconductor Group

1998-04-16

SFH 400, SFH 401, SFH 402

Gruppierung der Strahlstrke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of = 0.01 sr Bezeichnung Description Symbol Symbol SFH 400 Strahlstrke Radiant intensity Ie min IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie max Strahlstrke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 s 20 Wert Value SFH SFH SFH SFH 400-3 401-2 401-3 402 32 10 20 16 2.5 SFH SFH 402-2 402-3 2.5 4 mW/sr mW/sr Einheit Unit

Ie typ.

300

320

120

190

40

40

40

mW/sr

Semiconductor Group

1998-04-16

SFH 400, SFH 401, SFH 402

Radiation characteristics, SFH 400 Irel = f ()


40 30 20

10

0 1.0

OHR01883

50 0.8 60

0.6

70

0.4

80 90

0.2 0

100

1.0

0.8

0.6

0.4

20

40

60

80

100

120

Radiation characteristics, SFH 401 Irel = f ()


40 30 20

10

0 1.0

OHR01884

50 0.8 60

0.6

70

0.4

80 90

0.2 0

100

1.0

0.8

0.6

0.4

20

40

60

80

100

120

Radiation characteristics, SFH 402 Irel = f ()


40 30 20

10

0 1.0

OHR01885

50 0.8 60

0.6

70

0.4

80 90

0.2 0

100

1.0

0.8

0.6

0.4

20

40

60

80

100

120

Semiconductor Group

1998-04-16

SFH 400, SFH 401, SFH 402


Ie = f (IF) Ie 100 mA

Relative spectral emission Irel = f ()


100 %
OHRD1938

Radiant intensity

Single pulse, tp = 20 s
e
10 2
OHR01037

Max. permissible forward current SFH 401, IF = f (TA)


350
OHR00486

e (100 mA)

rel

F mA 300
250 200 150

80

10 1
60

R thJC = 160 K/W

40

10
20

R thJA = 450 K/W


100 50

0 880

920

960

1000

nm

1060

10 -1 10 -2

10 -1

10 0

A F

10 1

20

40

60

80 C 100 TA , TC

Forward current, IF = f (VF) Single pulse, tp = 20 s


10 1 A
OHR01040

Permissible pulse handling capability IF = f (), TC = 25 C, RthJC = 160 K/W, duty cycle D = parameter
F
10 4 mA 5
OHR01937

Max. permissible forward current SFH 400, SFH 402, IF = f (TA)


350
OHR00395

tP D= tP T

F
T
D= 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1

F mA 300
250 200 150

10 0

typ.

max.

R thJC = 160 K/W

10 3 5

0.2 0.5

10

-1

R thJA = 450 K/W


DC 100 50

10 -2

1.5

2.5

3.5

4 V 4.5 VF

10 2 10 -5

10 -4

10 -3

10 -2

10 0

20

40

60

80

100 C 130 TA , TC

Semiconductor Group

1998-04-16