Captulo Nro.

6 Polarizaciones del Transistor

6.1. Circuitos de polarizacin y punto de operacin:
El circuito de la Fig.601, conocido como circuito de polarizacin fija, nos muestra una configuracin clsica de un circuito con un transistor NPN. Con la resistencia RB polarizamos la juntura baseemisor y limitamos la corriente de base a un valor de: (a) IB =

VCC VBE RB

VCC RB

Anlogamente, tenemos que:

(b) IC =

VCC VCE RC

Estas dos ecuaciones las podemos representar sobre las curvas caractersticas del transistor. Los ejes de coordenadas de las curvas son por un lado IC y el otro VCE, por lo tanto, si suponemos que IC = 0, VCE = VCC, lo que produce un punto sobre el eje de VCE y para VCE = 0, la corriente de colector vale IC = VCC / RC.

Figura Nro.601. Un circuito amplificador con un transistor npn. Uniendo ambos punto con una recta, conocida como la recta de carga, tenemos:

Figura Nro.602. La recta de carga dibujada sobre las curvas caractersticas del transistor.

La corriente de base corresponde a la ecuacin planteada anteriormente con lo cual se determina el punto Q conocido como el punto de operacin en dc (o esttico).

Figura Nro.603. Desplazamiento del punto Q con niveles crecientes de IB.

Figura Nro.604. Efecto de los niveles crecientes de RC sobre la recta de carga y el punto Q.

Figura Nro.605. Efecto de valores ms pequeos de VCC sobre la recta de carga y el punto Q.

6.2.- Circuito de polarizacin estabilizado por emisor:

Un defecto que presenta la Fig.601 es que el emisor est conectado directamente a tierra lo que limita fuertemente la amplitud de la seal de entrada antes de comenzar con una distorsin del ciclo negativo. Al incorporar una resistencia en el emisor se mejora este defecto y el circuito se conoce con el nombre de circuito de polarizacin estabilizado en emisor. Para calcular los dos extremos de la recta de carga debemos tomar en cuenta esta nueva resistencia, lo cual nos conduce a las siguientes ecuaciones: Para: VCE = 0 IC = VCC / RC + RE y para: IC = 0 VCE = VCC

Figura Nro. 606. Circuito de un transistor con con una resistencia en el emisor.

Para determinar la corriente de base podemos proceder de la siguiente manera:

Figura Nro.607. Circuito de un transistor con una resistencia en el emisor.

Recordando del Cp.3:

IC y tambin: IB

IE = IC + IB = IB + IB = (1+) IB

Luego, aplicando Kirchhoff a la red de la base tenemos: VCC = IB RB + VBE + RE (1+ ) IB = IB [RB + (1+ ) RE] +VBE De donde:

IB =

VCC VBE R B + (1 + ) R E

(c)

Ntese que la nica diferencia entre esta ecuacin para IB y la que se obtuvo para la configuracin de polarizacin fija (a) es el trmino ( + 1)RE. La ecuacin c) tambin puede derivarse del circuito serie de la Fig.608, cuyo clculo de la corriente de base dar el mismo que la ecuacin c). Obsrvese que, adems del voltaje de la base al emisor VBE, la resistencia RE se refleja de regreso al circuito de entrada de la base por un factor ( + 1). En otras palabras, la resistencia del emisor, que forma parte de la malla colector - emisor, aparece como( + 1)RE en la malla de la base - emisor. Debido que es normalmente 50 o ms, la resistencia del emisor aparenta ser mucho mayor en el circuito de la base. Por tanto, para la configuracin de la figura 609 Ri = ( + 1).RE (d)

Figura Nro.608. Red serie para determinar la ecuacin c).

Figura Nro.609. Valor reflejado de RE como impedancia de entrada Ri.

La ecuacin d) puede ser de utilidad en el anlisis de la configuracin que veremos a continuacin.

Para la malla colector-emisor, dibujada en la figura 610, aplicando Kirchhoff, podemos escribir VCC = ICRC + VCE + IERE Como IE IC, ordenando los trminos: VCE = VCC IC(RC + RE) Si llamamos VE el voltaje del emisor a tierra y su valor es: VE = IE RE Y el voltaje del colector a tierra, Vc, vale: VCE = VC VE De donde: O bien: partir de: VB = VCC IB RB O bien; Figura Nro.610. Malla ColectorEmisor El hecho de agregar la resistencia del emisor a la polarizacin, en dc, del BJT ofrece una mejor estabilidad, esto es, los voltajes y las corrientes de polarizacin, en dc, permanecen ms cerca de donde los fij el diseo del circuito frente a modificaciones de las condiciones externas, como la temperatura y el . Al aumentar la corriente de colector por la accin del semiciclo positivo de una seal alterna, tambin aumenta el voltaje sobre la resistencia del emisor, cuyo resultado tiende a disminuir la accin de la base durante el semiciclo positivo (existe una realimentacin negativa). Al conectar una capacidad en paralelo con la resistencia de emisor no se altera en absoluto el funcionamiento del circuito en dc pero para una seal alterna, el condensador representa un cortocircuito o por lo menos una muy baja impedancia, eliminando el efecto de realimentacin. VB = VBE + VE VC = VCE + VE VC = VCC ICRC

El voltaje en la base respecto a tierra puede determinarse a

Figura Nro.611. Bajo el punto de vista de ac, la resistencia RE tiene un efecto negativo. Para eliminar este problema se conecta una capacidad CE en paralelo con RE..

6.3.- Circuito de polarizacin por divisor de tensin:

Los circuitos que hemos analizado hasta la fecha, la corriente de colector en el punto de operacin Q, ICQ, y el voltaje colectoremisor, VCEQ, son una funcin de la ganancia de corriente del transistor (). Sin embargo, debido a que es sensible a la temperatura, especialmente para los transistores de silicio y de que el valor real de , por lo general, no est bien definido, lo mejor sera desarrollar un circuito que fuera menos dependiente o, de hecho, independiente de del transistor, tal como se muestra en la Fig.612, circuito conocido como polarizacin por divisor de tensin

Figura Nro.612. Circuito de un transistor npn con un divisor de tensin para polarizar a la base.

La seccin de entrada de la configuracin del divisor de tensin se representa por la red de la Fig.613. La resistencia Ri es la resistencia equivalente entre la base y tierra para el transistor con una resistencia de emisor RE. Tal como lo vimos anteriormente, la resistencia reflejada entre la base y el emisor est definida por Ri = (1+ ) RE.

Figura Nro.613. Circuito de entrada de la configuracin de polarizacin por divisor de tensin ( ver Fig. 612 ).

Si Ri es mucho mayor que la resistencia R2, la corriente IB ser mucho menor que I2, e I2 ser aproximadamente igual a I1. Si se acepta la aproximacin de que IB es esencialmente cero comparada con I1 I2, entonces I1 = I2 y las resistencias R1 y R2 pueden considerarse elementos en serie. El voltaje a travs de R2 que en realidad es el voltaje base, VB, puede calcularse mediante el uso de la regla del divisor de voltaje (de ah el nombre para la configuracin). Esto es:

VB = VCC

R2 R1 + R2

Debido a que Ri = (1+)RE RE, la condicin que definir, en caso que pueda aplicarse a la aproximacin, ser la siguiente: RE 10R2 En otras palabras, si RE es por lo menos 10 veces el valor de R2, la aproximacin podr aplicarse con un alto grado de precisin. Una vez determinado VB, el nivel de VE puede calcularse a partir de VE = VB VBE

IE =
y la corriente del emisor puede calcularse como: El voltaje del colectoremisor est determinado por: Como IE IC, podsemos escribir:

VE RE

VCE = VCC ICRC IERE VCE = VCC IC (RC + RE)

Es interesante hacer notar que en la secuencia de clculos, desde la ecuacin: RE 10R2 en adelante no aparece beta y que IB no fue calculada. El punto de operacin, Q, es, por lo tanto, independiente del valor de beta.

6.4.- Circuito de polarizacin por realimentacin de voltaje:

Un nivel mejorado de estabilidad tambin se obtiene mediante la introduccin de una trayectoria de realimentacin desde el colector a la base, circuito llamado polarizacin por realimentacin de voltaje, se muestra en la Fig.614. Aunque el punto Q no es totalmente independiente de beta (aun bajo condiciones aproximadas), la sensibilidad a los cambios en beta o a las variaciones en temperatura son normalmente menores que las encontradas en la configuracin de polarizacin fija o de polarizacin en emisor. De nuevo, el anlisis se har examinando en primer lugar la malla emisor-base y aplicando los resultados a la malla colectoremisor. La figura 615 muestra la malla base-emisor para la configuracin de realimentacin de voltaje. Aplicando Kirchhoff alrededor de la malla en el sentido que se indica, tenemos: VCC = ICRC + IBRB + VBE +IERE porque I C IC

Utilizando que IC = IB e IE = IC, agrupando los trminos tenemos: VCC VBE = IB(RC + RE) + IBRB Ordenando para IB tenemos para el punto de operacin Q:

IB =

VCC VBE RB + (RC + RE )

Figura Nro.614. Circuito de la configuracin de polarizacin para el con realimentacin de la tensin del colector.

Figura Nro.615. Malla circuito de la Fig.614

baseemisor

Para la malla colectoremisor, aplicando Kirchhoff a la respectiva malla, obtenemos el siguiente resultado, tomando en cuenta que la corriente IB es muy pequea comparada con IC y por la misma razn, IC IE VCC = IERE + VCE + ICRC agrupando, tenemos; y despejando VCE, nos queda: VCC = IC(RC + RE) + VCE VCE = VCC IC(RC + RE)

Esta expresin es igual la obtenida para las configuraciones de polarizacin en emisor y de polarizacin por divisor de voltaje.

6.5. La estabilizacin de la polarizacin:

La estabilidad de un sistema es una medida de la sensibilidad que presenta un circuito frente a las variaciones de sus parmetros. Cualquiera de los factores que intervienen en un circuito, determinando el punto de operacin, Q, al alterar su valor, modificar el punto de operacin, lo cual, en la mayora de los casos,

generar calor adicional y con ello, la variacin del punto se hara aun mayor. La corriente de colector IC es sensible a los siguientes parmetros: : se incrementa con el aumento en la temperatura |VBE| : decrece aproximadamente 7,5 mV por incremento de cada grado Celsius IC0 : duplica su valor por cada 10C de incremento en la temperatura La siguiente tabla se indica las variacines de estos tres parmetros con la temperatura para un transistor de silicio: T (C) IC0 (nA) VBE (V)
-------------------------------------------------------------------------------------------------3 65 0,2 x10 20 0,85

25 100 175

0,1 20,0 3 3,3x10

50 80 120

0,65 0,48 0,30

Como podemos apreciar la mayor variacin la experimenta la corriente inversa IC0, cerca de 200 veces en el rango de 20 a 100C. Para la misma variacin de temperatura, se incrementa de 50 a 80 y VBE cay de 0,65 a 0,48 Volt. Recuerde que IB es muy sensible al nivel de VBE. El efecto de los cambios en la corriente de fuga (IC0) y la ganancia de corriente () sobre el punto de operacin de un transistor en la configuracin de polarizacin fija, por ejemplo, se demuestra en las caractersticas de colector del transistor en las Fig.616a) y 616b). En ellas se evidencian la forma como cambian estas caractersticas desde una temperatura de 25C a una temperatura de 100C. Obsrvese que el incremento significativo en la corriente de fuga no solamente causa que las curvas se eleven sino que tambin existe un incremento en , segn se observa a travs del mayor espaciamiento entre las curvas.

Figura Nro.616. Cambios en el punto de operacin de un transistor en configuracin de polarizacin fija debido al cambio de la temperatura: a) 25C; b) 100C. Se puede especificar un punto de operacin mediante el dibujo de la recta de carga del circuito sobre la grfica de las caractersticas de colector y marcando un punto arbitrario, por ejemplo, IB = 30 A, en la interseccin de la recta de carga con la corriente de base. Debido a que el circuito de polarizacin fija proporciona una corriente de base cuyo valor depende aproximadamente del voltaje de la fuente de alimentacin (VCC) y de la resistencia de base (RB), ambos no se ven afectados por la temperatura o el cambio de la corriente de fuga o de beta, existiendo, por lo tanto, la misma magnitud de corriente de base a altas temperaturas, segn se indica en la Fig. 616 b). Se aprecia en la figura un cambio del punto de operacin a uno de mayor corriente de colector y de un menor voltaje colector-emisor. En cualquier caso, el nuevo punto de operacin puede no ser satisfactorio y ocasionar una distorsin considerable debido al cambio del punto de

operacin. Un mejor circuito de polarizacin es aquel que estabilizar o mantendr la polarizacin establecida inicialmente, de manera que el circuito puede utilizarse en un ambiente de temperatura variable. Existen expresiones matemticas para el factor de estabilidad para cada una de estas configuraciones, pero el sentido de este curso es otro, el tener el concepto del fenmeno fsico y del comportamiento de un circuito en una red en particular. Con el propsito de explicar los diferentes comportamientos de estos circuitos con respecto a la temperatura, usaremos algunas relaciones bsicas asociadas a cada una de ellas. Para la configuracin de polarizacin fija, las ecuaciones de las corrientes de base y de colector son:

IB =

VCC VBE RB

I C = I B + (1 + ) I C 0
Si IC se incrementa debido a un aumento en ICO, no existe nada en la ecuacin para IB que intente compensar este incremento del nivel de corriente (suponiendo que VBE permanezca constante) En otras palabras, el nivel de IC continuara elevndose con la temperatura mientras que IB se mantiene en un valor prcticamente constante. Figura: Nro 617 a) Configuracin con polarizacin fija.

Para la configuracin de polarizacin en emisor, un aumento de IC debido al incremento de ICO, causar que el voltaje: VE = IERE ICRE se incremente. El resultado sera una cada en el nivel de IB, segn lo determina la siguiente ecuacin:

IB =

VCC V BE V E RB

Una cada en IB tendr el efecto de reducir el nivel de IC y con ello compensar la tendencia de IC a incrementarse a causa del aumento de la temperatura. En resumen, la configuracin es tal que existe una reaccin hacia un incremento de IC, tendiente a oponerse al cambio de la polarizacin.

Figura Nro.617 b) Configuracin con polarizacin en emisor

La configuracin de realimentacin por voltaje opera de la misma forma que la configuracin de polarizacin en emisor cuando se analizan los niveles de estabilidad. Si se incrementa IC debido al aumento de la temperatura, la cada de voltaje en RC (VRC) aumentar y con ello, el voltaje del colector bajar, lo cual producir una disminucin de la corriente de base (IB) conforme a la siguiente ecuacin:

IB =

VCC VBE VRC RB

El resultado de esto ser un efecto estabilizador como el descrito para la configuracin de polarizacin en emisor.

Figura Nro.617 c) Configuracin con realimentacin. La ms estable de las configuraciones es la red de polarizacin por divisor de tensin. Si se establece la condicin: RE >>10R2, el voltaje VB permanecer constante (generado por el divisor de tensin) frente a los cambios de IC. El voltaje baseemisor de la configuracin est determinado por: VBE = VB VE. Si IC aumenta, tambin lo har VE y frente a un VB constante, el voltaje VBE obligadamente disminuir. Una cada en VBE establecer, a su vez, una disminucin de IB, compensando el aumento de IC.

Figura Nro.617 d) Polarizacin por divisor de tensin. 1. Como conclusin podemos afirmar que el circuito descrito en la Fig.617 (d) es el ms estable y por lo tant es ampliamente empleado en todo circuito a transistores. En ocasiones especiales puede verse algn circuito que emplee una de las otras configuraciones de polarizacin.