Sie sind auf Seite 1von 9

Laboratorio de electrnica I

Polarizacin del transistor.


Elaborado por: Elizabeth Restrepo Mesa

OBJETIVO GENERAL Polarizacin del transistor.

OBJETIVOS ESPECIFICOS:
Encontrar el punto de trabajo del transistor. Entender el concepto de recta de carga. Mirar que le pasa a la recta de carga cuando variamos la corriente de base la resistencia de colector la fuente de voltaje Vcc. Comparar los resultados obtenidos con los experimentales. Verificar si la si corresponde a lo que se haba supuesto con el data sheet.

MARCO TERICO O CONCEPTOS DE APOYO CARACTERISTICAS DE UN BJT: Es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo n y una de material tipo p, o dos capas tipo p y una tipo n, el primero se llama transistor NPN mientras el segundo se llama PNP. La base del emisor se encuentra fuertemente dopada, la base ligeramente dopada y el colector muy poco dopado. Las terminales se indican mediante los literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. La abreviatura BJT de transistor bipolar de unin (del ingles: Bipolar Junction Transistor), el termino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta. RECTA DE CARGA DE UN TRANSISTOR: Se puede visualizar en la grafica la representacin de la recta de carga de un transistor. Sobre el plano de coordenadas la abscisa corresponde al voltaje entre el colector y emisor y la ordenada es la corriente en el colector. Como en la regin de saturacin el voltaje entre el colector y emisor es despreciable entonces Llegando a la regin de ruptura la corriente de base es tan pequea que la del colector se vuelve despreciables por lo tanto no hay tensin en la resistencia Rc, por lo tanto el voltaje en el emisor colector es igual al Vcc, por lo tanto la recta de carga ser la unin entre los puntos ( )

PARMETROS DE IMPORTANCIA EN EL ANALISIS DC EN EL TRANSISTOR: Identificar si el transistor es PNP o NPN Sabemos que el voltaje entre base y colector es 0.7V Se debe garantizar que el transistor este trabajando en regin activa de tal forma que se cumpla ,

Si se encuentra en saturacin la ecuacin anterior no se cumple y el voltaje entre el colector y emisor esta entre (0, 2) V, la unin del colector base esta en directa. De igual forma pasa cuando est en regin activa lo que cambia es que el voltaje entre el colector emisor es igual a 0.2V y la unin colector est en inversa. En el circuito de salida se aplica LVK y se halla el valor del voltaje entre el colector emisor. Con esta informacin podemos hallar el voltaje del colector base Se halla la ganancia del transistor con I C IB PUNTO DE POLARIZACIN EN MEDIO DE LA RECTA DE CARGA: La polarizacin se hace en el punto medio ya que es el equilibrio de la recta de carga, es mas por seguridad, ya que si se ajusta por ejemplo la corriente de base a valores mas altos desplaza el punto de operacin hacia la saturacin a lo largo de la lnea de caga, en tanto que la reduccin de la corriente de base mueve el punto de polarizacin hacia el corte del transistor, entonces el diseo se hace en la mitad, por si hay alguna variacin esta no me valla a daar el transistor. SI SE VARA LA GANANCIA DEL TRANSISTOR CAMBIA SU PUNTO DE POLARIZACIN: Segn la grafica mostrada anteriormente el punto de polarizacin depende de la corriente en el colector y del voltaje entre el colector emisor, para el caso donde en el emisor no hay resistencia. Tenemos la relacin I c I b , luego la corriente en el colector depende de la ganancia del transistor, por tanto cuando se varia la ganancia del transistor cambia el punto de polarizacin de esta. APROXIMACIONES Trabajaremos con la segunda aproximacin para el transistor:

Esta aproximacin asume que la tensin base-colector no vara al aumentar la corriente, este voltaje se mantendr constante en 0.7 v.

HOJA DE DATOS DE LOS ELEMENTOS A UTILIZAR Transistor 2N2222

Es decir:

APROXIMACIONES PARA TRANSISTOR NPN

ANALISIS TERICO
Para todos los montajes usaremos el siguiente circuito e iremos indicando las variaciones que se haga.

Primer montaje: Buscar punto de trabajo Q Vamos a disear un circuito cuya corriente mxima de colector sea 40mA. Con un transistor 2N2222 cuya ganancia =300 y tensin Vcc de 14vdc. Queremos ubicar el punto de trabajo Q. Entonces IC=40mA/2 y Vce=Vcc/2 porque Vce mx. se obtiene cuando Ic=0 por ende Vc=0 y Vcc=Vce. As el valor medio para la abscisa del punto Q (medio) ser Vce=7v.

Hacemos cada de voltaje en la malla del colector para averiguar la Rc: Rc=14-7/(20*10 ^-3) Rc=350. Como =300 y Ic= 20mA Ic= Ib As Ib= 20*10^-3/300=66A Hacemos cada de tensin en la malla de la corriente de base para hallar Rb as: Rb=(14-0.7)/(66*10^-6)=201.5k

Segundo montaje, variemos Rc: Si Rc=500 entonces, y la corriente colector no varia, pues el resto de parmetros se dejaron iguales, tenemos: Vce= 14-500(20*10^-3) Vce= 4v Tercer montaje, variando punto Ib. Para variar el punto Ib, variamos la resistencia de base y dejemos los parmetros como el primer montaje. Si Rb=100K, entonces hacemos una cada de voltaje en la malla de la corriente de base: Ib=14-0.7/(100K) Ib=133A. As, la corriente de colector ser: Ic= Ib Ic=300*(133*10^-6) Ic=39.9mA. Cuarto Montaje Variemos Vcc. Si Vcc=8v y los otros parmetros los dejamos como el primer montaje, la corriente de colector ser la misma, Ic=20*10^-3 y la tensin colector emisor tendr que variar.

Vce=8-350(20*10-^3) Vce=1v
Este resultado nos dice que la corriente colector-emisor va en el otro sentido, por lo que el circuito se abre. ANALISIS DE DATOS TERICOS: Para montaje 1 comprobar punto de trabajo: Vbb=14 Vcc=14 Rb=350 Rc=202k Vce 7 VRc 7 Ib 66A Ic 20mA

Para montaje 2 Variando Rc : Vbb=14v Vcc=14v Rb=202k Rc=500

Vce 4v

VRc 10v

Ib 66A

Ic 20mA

Para montaje 3 Variando I base: Vbb=14v Vcc=14v Rb=100k Rc=350 Vce 0.035 VRc 13.96v Ib 133A Ic 39.9mA

Para montaje 4 Variando Vcc: Vbb=14v Vcc=8v Rc=350 Rb=202k Vce 1 VRc 7 Ib 66.6A Ic 20mA

DISEO DEL EXPERIMENTO: ELEMENTOS Y EQUIPOS NECESARIOS: 1 Potenciometro 1M 1 Potenciometro 1k Transistor 2N2222 2 Fuentes variables Dc Multimetro Caimanes Board

Montaremos el siguiente circuito e iremos haciendo las variaciones que se indican. Con las medidas que se tomen, haremos una comparacin de resultados.

Para montaje 1 comprobar punto de trabajo: Vbb=14 Vcc=14 Rb=350 Rc=202k Vce VRc Ib Ic

Para montaje 2 Variando Rc : Vbb=14v Vcc=14v Rb=202k Rc=500 Vce VRc Ib Ic

Para montaje 3 Variando I base: Vbb=14v Vcc=14v Rb=100k Rc=350 Vce VRc Ib Ic

Para montaje 4 Variando Vcc: Vbb=14v Vcc=8v Rc=350 Rb=202k Vce VRc Ib Ic

CONCLUSIONES

-En la regin activa los pines base-colector se polarizan inversamente, mientras que los pines emisor-base se polariza directamente. -En la regin de corte, tanto los pines base-colector como los pines emisor-base de un transistor tienen polarizacin inversa. -En la regin de saturacin tanto la unin base-colector como la unin emisor-base estn en polarizacin directa. -La pendiente de la recta de carga depende de la corriente de colector, y la corriente de colector es veces la corriente de base para la regin activa. -La corriente de base la podemos variar cambiando la resistencia de base o la fuente Vbb. -Despus de polarizar el transistor podemos encontrar el punto de trabajo, el cual me garantiza un buen funcionamiento del circuito as cambien algunos parmetros del circuito. -Al variar la resistencia del colector, la tensin colector-emisor vara. Si la aumentamos la tensin colector-emisor cae y viceversa (en regin activa). -Cuando variamos la corriente de base, la corriente de colector aumenta y la tensin colector-emisor cae. -La del transistor vara para cada transistor y fabricante.

BIBLIOGRAFA Londoo, Nelson. Diapositivas curso de electrnica I, UdeA. Boylestad , Robert. Electrnica teora de circuitos.

Das könnte Ihnen auch gefallen