Electrónica Analógica II - Respuesta en Frecuencia - 2012

Universidad Nacional de Crdoba
Facultad de Ciencias Exactas, Fsicas y Naturales

Escuela de Ingeniera Electrnica

Respuesta en Frecuencia

Ctedra Electrnica Analgica II

2012

Ing. Oscar H. Puigdellibol
Profesor Titular de la Ctedra de Electrnica Analgica II de la
Facultad de Ciencias Exactas, Fsicas y Naturales de la
Universidad Nacional de Crdoba
Ctedra de Electrnica Analgica II
Respuesta en frecuencia de los amplificadores
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ndice

1. Introduccin. ................................................................................................................. 3
2. Respuesta en Baja Frecuencia. .................................................................................... 4
2.1.1. Amplificador Emisor Comn. .............................................................................. 4
2.2. Diseo de la Respuesta. ........................................................................................... 6
2.2.1. Efecto del Capacitor de Emisor. (C1 y C2 = ) .................................................. 8
2.2.2. Efecto de las Capacidades de Acoplamiento. .................................................... 10
2.2.3. Clculo de los Capacitores. ................................................................................. 11
2.3. Seguidor de Emisor en Bajas Frecuencias. .......................................................... 16
2.3.1. Diseo de la Respuesta ........................................................................................ 17
2.3.1.1. Efecto del capacitor de Emisor (C1 =). ......................................................... 17
2.3.1.2. Efecto del Capacitor de Acoplamiento C1. (Ce =0). ...................................... 18
2.4. Configuracin Base Comn .................................................................................. 19
2.4.1. Diseo de la Respuesta ........................................................................................ 19
2.5. Amplificadores en Cascada Acoplados Capacitivamente. ................................. 22
2.5.1. Etapas Idnticas. .................................................................................................. 22
2.5.2. Etapas no Idnticas. ............................................................................................ 23
3. Respuesta en alta frecuencia. ....................................................................................... 25
3.1. INTRODUCCIN. ................................................................................................ 25
3.1.1. Producto Ganancia-Ancho de Banda [GBW]. .................................................. 29
3.1.2. Parmetros SPICE. ............................................................................................. 30
3.1.3. Efecto Miller. ....................................................................................................... 34
3.1.4. Ganancia de corriente ......................................................................................... 36
3.1.5. Efecto de la Impedancia de Carga sobre la Frecuencia Superior de Corte. .. 37
3.1.5.1. Carga Resistiva Pura ........................................................................................ 37
3.1.5.2. Carga con Componente Capacitiva ................................................................. 37
3.1.6. Efecto de la Impedancia de la Red de Excitacin. ............................................ 41
3.1.7. Modelo Lineal equivalente en parmetros Admitancia del Transistor en
Emisor Comn. ............................................................................................................... 45
3.2. Configuracin Base Comn. ................................................................................. 47
3.2.1. Anlisis de la Frecuencia de Corte ..................................................................... 49
3.3. Seguidor de Emisor en Alta Frecuencia. ............................................................. 51
3.4. Amplificadores en Cascada. .................................................................................. 53
3.4.1. Anlisis de la Respuesta. ..................................................................................... 53
3.5. Diseo. ..................................................................................................................... 56
3.6. Respuesta en Alta Frecuencia del Amplificador Cascode .................................. 58
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Respuesta en frecuencia.
1. Introduccin.
La presencia de componentes de acoplamiento reactivos en los amplificadores, como as tam-
bin las capacidades internas de los activos, hacen a la respuesta de aquellos dependientes de
la frecuencia de la seal. Esto se traduce en diferentes ganancias y retardos para las distintas
componentes de una seal compuesta, generando lo que se define como distorsin de frecuen-
cia y fase respectivamente.
Debido al carcter complejo de las funciones de transferencia, se debern analizar sus carac-
tersticas de mdulo y fase, en el dominio de la frecuencia. La figura 1 muestra ambos dia-
gramas de la respuesta tpica de un amplificador con acoplamiento capacitivo. En el grfico de
mdulo se puede observar una zona central de ganancia relativamente constante, denominada
banda de transmisin, cuyo ancho queda definido por las frecuencias, a las que aquella se re-
duce generalmente 3 db.
A j
Am
Am A j db
db
db
( ) ( ) e e = s
2
3
Estas frecuencias lmites, f
L
y f
H
, se denominan frecuencias de corte en baja y alta frecuencia
respectivamente.

Fig. 1a. Diagrama de Mdulo. (Escala logartmica)

Fig. 1b. Diagrama de Fase. (Escala logartmica)
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Es frecuente clasificar los amplificadores de acuerdo a la relacin entre el ancho y la frecuen-
cia central de la banda de transmisin,
B
e
0
, resultando dos tipos clsicos, de banda ancha o
banda angosta, segn que la relacin sea bastante mayor o menor que uno respectivamente. Se
limitar el estudio a los amplificadores del primer tipo, que se corresponden con las configu-
raciones que utilizan acoplamiento capacitivo o directo. En los primeros la gran diferencia de
magnitud entre los elementos reactivos externos respecto de los internos o parsitos, hacen
que sus efectos sobre la respuesta se produzcan en bandas de frecuencias suficientemente se-
paradas, tal que permite analizar los dos fenmenos en forma independiente simplificando el
esfuerzo matemtico.
La profundidad con que se analizarn estos temas ser la necesaria para poner en evidencia los
efectos de primer orden, relacionndolos con los parmetros del circuito, en forma tal de lle-
gar a mtodos de sntesis sencillos y de precisin razonable. Mediante simulacin electrnica
se podrn ajustar los clculos convenientemente y evaluar la perfomance completa.

2. Respuesta en Baja Frecuencia.
2.1.1. Amplificador Emisor Comn.
La figura 2a muestra una etapa amplificadora en emisor comn, con las capacidades externas
que generalmente lleva asociadas y son las que definirn la frecuencia de corte (f
L
). En la figu-
ra 2b se modela en el dominio Laplaciano al amplificador en bajas frecuencias, en consecuen-
cia las relaciones de transferencia que se evalen a partir de el, resultarn expresiones alge-
braicas, cocientes de polinomios en la variable (S), [1].

A s k
N s
D s
i
( )
( )
( )
=
0
[1]

Fig..2a.
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Fig. 2b.
Modelo Incremental.
Los polinomios respectivos sern racionales a coeficientes reales cuyo grado estar dado por
la cantidad de elementos reactivos independientes de la red. Las races de ambos sern reales
con la exigencia para los polos, que sean negativas por razones de estabilidad. Atendiendo lo
expuesto, el circuito de Fig 2b, presentar en trminos generales relaciones de transferencia
del siguiente tipo.
|
|
.
|
\
|
+ + +
+ + +
=
) )( )( (
) )( )( (
3 2 1
3 2 1
p s p s p s
z s z s z s
A A
m
[2]
En la expresin [2], los valores, (p
1
, z
1
), (p
2
, z
2
) y (p
e
, z
e
) son los pares polo-cero de la funcin
de transferencia generados por las capacidades, C
1
, C
2
y C
e
respectivamente. La constante A
m

es la asntota de alta frecuencia de la funcin y en consecuencia el valor de la relacin en la
banda de de transmisin .
A partir del circuito respectivo se puede prever algunas caractersticas de aquellas singulari-
dades. Por ejemplo, la conexin en serie, con el flujo de seal, de los capacitores de acopla-
miento C
1
y C
2
, hacen que no haya transmisin con seal continua, es decir que los ceros z
1
y
z
2
respectivos, deben estar en el origen (e
z1
=
z2
= 0). En cambio el generado por el capaci-
tor de desacoplamiento Ce no tiene esta restriccin y se ubicar en una frecuencia real por
encima de cero, (e
ze
). Los polos e
1
, e
2
y e
e
sern reales y diferentes de cero. En consecuen-
cia la expresin [2] queda:

( )
( )( )( )
e
ze
m
s s s
s s
A s A
e e e
e
+ + +
+
=
2 1
2
) ( [3]

Finalmente se puede adelantar que los polos de la funcin estn relacionados con los parme-
tros del circuito de la figura 2b por la siguiente expresin.

(
=
seg
rad
C R
i i
i
1
e [4]
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C
i
Capacitor externo.
R
i
Resistencia vista, (Thvevin), desde los terminales del capacitor C
i
.
Se demostrar oportunamente que el polo correspondiente a C
e
, esta relacionado con el cero
respectivo a travs de una constante [5].
e
e
= k
e
e
z
con k
e
> 1 [5]

2.2. Diseo de la Respuesta.
El problema del diseo se reduce a calcular el valor de los capacitores para satisfacer una fre-
cuencia de corte, especificada a partir de la condicin mdulo de la ecuacin (4).

( )
( )( )( ) 2
) (
)
2 1
2
m
e L L L
ze L L m
L i
A
j j j
j j A
j A =
+ + +
+
=
e e e e e e
e e e
e [6]
Matemticamente hay infinitos juegos de valores de los capacitores que la satisfacen, debido
a que se tienen tres incgnitas y una ecuacin. Se deberan fijar con algn criterio dos de ellas
y la restante evaluarla con la expresin [6]. Este procedimiento que aparenta ser sencillo, no lo
es tanto al momento de hacer clculos con lpiz y papel, debido a la relativa complejidad de la
ecuacin de referencia. Se Plantean entonces algunos criterios que permitan simplificarlos y
en lo posible optimizar el diseo. Estos se fundamentan en que generalmente interesa definir
la frecuencia de corte f
L
, sin importar mucho la forma del diagrama de mdulo de la ganancia
a frecuencias inferiores (con la condicin que aquella disminuya). En este sentido el mtodo
ms simple y utilizado que permite cumplir ambos, propone distribuir los polos de la funcin
de transferencia en forma tal de generar uno dominante, (
D
), es decir un polo a frecuencia
suficientemente mas elevada que las dems singularidades tal que la influencia de estos lti-
mos en la definicin de la frecuencia de corte pueda despreciarse en clculos manuales.

Fig. 3a.
Matemticamente esto significa que a frecuencias cercanas a la del polo dominante la funcin
de transferencia [6], podra aproximarse por [7].
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( )
D
m
S
i
s
A
j A
D
e
e
e
+
~
s
) (

[7]
Escribiendo [7], en la condicin de corte, se deduce que la posicin del polo dominante debe
ser la de la frecuencia de corte especificada.
( )
D L
im
D L
L m
L i
A A
j A e e
e e
e
e = =
+
=
2

) (
2 2
[8]
La utilizacin del mtodo expuesto exige la eleccin de alguno de los capacitores para generar
e
D
. Un buen criterio para ello, sera optar por aquella combinacin de capacitores que arroje
la mnima capacidad total conectada para lograr la frecuencia de corte requerida. Es decir que
C
1
+C
2
+C
e
mnima
Es obvio que esta sera la solucin de menor costo y volumen. Se puede demostrar, con refe-
rencia a lo expuesto, que se logra el objetivo, si se elige para generar el polo dominante al
capacitor que tenga la resistencia equivalente asociada mas baja. Desde este punto de vista
resulta favorecido el de emisor, C
e
, ya que este es el terminal del transistor que muestra la
impedancia ms baja
Con esta eleccin la [6] puede expresarse en la banda de frecuencias cercanas al corte por la
siguiente:
( )
( ) 2
) (
im
e L
ze L m
L
A
j
j A
j A =
+
+
~
e e
e e
e [9]
La anterior no es igual a [8] debido a la presencia del cero
ze
, ya que este no puede ubicarse
arbitrariamente frecuencias abajo de
e
como es el caso de los polos
1
y
2
, debido a que
son linealmente dependientes [5], esto es, una vez fijado
L
=

e
, tambin lo hace el cero a
una distancia, k
e
, por debajo. Afortunadamente salvo casos muy puntuales esta distancia es
bastante grande, cerca de una dcada, con lo que resulta
D
>>
ze,
, de modo que verifica [8].
Resta seleccionar las capacidades C
1
y C
2
, para ubicar los polos respectivos suficientemente
por debajo de
L
( mas de dos octavas), Fig.3b.

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Fig. 3b.
La simplificacin al problema de diseo, que implica lo expuesto es evidente y la aproxima-
cin al valor de la frecuencia de corte es aceptable.
No obstante el procedimiento descrito es el que se utilizar generalmente en el texto, para el
diseo de la respuesta en bajas frecuencias hay variantes que se exponen en los ejemplos.
Antes de comenzar el anlisis de las configuraciones tpicas es importante hacer el siguiente
comentario y esta referido al clculo de las resistencias equivalentes asociadas al capacitor en
la generacin del polo respectivo, (ecuacin [4]). Aquella se define como la resistencia vista
a bornes del capacitor y su clculo sigue la regla general utilizada para evaluar la resistencia
equivalente de Thvenin en la aplicacin de este teorema. Generalmente esto se puede hacer
por simple inspeccin. Por ejemplo, la resistencia asociada al capacitor de acoplamiento de la
carga, C
2
, en figura 2b, es directa e igual a
R
2
= R
C
+ R
L

En cambio para hacer lo mismo con el capacitor de emisor en la figura de referencia, se pre-
sentara la siguiente duda, si se considera al capacitor de acoplamiento C
1
como un circuito
abierto, la resistencia interna del generador, (r
1
), no estara involucrada, en cambio si aquel se
considera como un cortocircuito, ocurrira lo contrario. Esta indeterminacin se puede levan-
tar desde el concepto de polo dominante. En efecto, bajando en frecuencias en torno a la de un
polo cualquiera, el capacitor que lo produce esta transitando de un estado de baja impedancia
(cortocircuito) a un estado de alta impedancia (circuito abierto). Entonces si se elige el capaci-
tor de emisor para generar el polo dominante, se puede considerar al capacitor de acoplamien-
to, C
1
, como un cortocircuito a esa frecuencia ya que este generar su respectivo polo, sufi-
cientemente por debajo de aquel. Por las mismas razones, el capacitor de emisor debe ser con-
siderado un circuito abierto, cuando se analice la resistencia asociada a C
1
. Estos conceptos se
aplicarn en las secciones siguientes y permitirn analizar en detalle los efectos de cada uno
de los capacitores sobre la respuesta del amplificador, en forma independiente.
2.2.1. Efecto del Capacitor de Emisor. (C1 y C2 = )
Por inspeccin de la figura 4 se deduce la ganancia de corriente expresada en [12].
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Fig. 4.
|
|
|
|
.
|
\
|
+
+ +
|
|
.
|
\
|
+
=
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
+
= =
e e
e
ib
L C
C
L C
C
i
e
e
i
R sC
R
h R
R
R R
R
Z R
R
R R
R
i
i
i
i
A
1
'
'
'
'
0
[10]
fe
b i
h
R r
R
//
' = y
e e
e
ib
R sC
R
h Z
+
+ =
1

Finalmente
|
|
.
|
\
|
+
+
=
|
|
|
|
.
|
\
|
+ + +
+
+
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
+
=
e
ze
m
e ib ib e e
e e
ib L C
C
i
s
s
A
R h R h R R C
s
R C
s
h R
R
R R
R
A
e
e
) /( ) (
1
1

'
'

[11]
La anterior define

hib)] //(R (R [ C
1
;
1
,
e e
D
+
= = e e
e e
e
R C
y
' R h
R
K
ib
e
e
+
= >> 1 [12]
Las expresiones anteriores corroboran lo asumido respecto de la separacin polo-cero y mues-
tran que la modificacin del capacitor de emisor produce nicamente un desplazamiento del
diagrama sobre el eje de frecuencias sin modificar la separacin respectiva.
La figura [5] muestra el diagrama asinttico de amplitud de la respuesta.

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Figura 5
Existen aplicaciones en que la separacin no es suficiente, por ejemplo en el caso que muestra
la figura 6. En efecto cuando hay necesidad de incluir realimentacin negativa para la compo-
nente de seal con motivo de disminuir la distorsin armnica, es prctica frecuente desaco-
plar parcialmente R
e
.

En este caso se puede demostrar que
2
1
e e
e
R C
= e
'
1
2
R h R
R
K
ib e
e
e
+ +
=
Segn sea la relacin de R
e1
y R
e2
, la relacin K
e
puede ser tan baja que puede no haber una
separacin polo-cero suficiente para que exista la frecuencia de corte definida por el capacitor
de emisor.

Fig. 6
2.2.2. Efecto de las Capacidades de Acoplamiento.
El efecto de estas capacidades se puede analizar simultneamente debido a que pertenecen a
mallas separadas.

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Fig. 7
La ganancia de corriente resulta :
i
b
b i
i
i
i
i
i
i
i
A
0 0
= =
|
|
|
|
|
|
|
.
|
\
|
+
+
|
|
.
|
\
|
+
=
+ +
=
+
=
_
2
) (
1 1
R
2 2
L
2
e
L C
L C
C
fe
L C
C
fe
C
C
fe
b
o
R R C
s
s
R R
R
h
sC
R R
R
h
Z R
R
h
i
i
[13]

|
|
|
|
|
|
|
.
|
\
|
+
+
|
|
.
|
\
|
+
=
|
|
.
|
\
|
+ + +
=
_
1
) (
1
) ' R ( ) (
1
b 1
e
R r C
s
s
R r
r
R h
R
Z r
r
i
i
i
i
I
e ie
b
i
i
i
b [14]
Finalmente
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
+
=
2 1
) (
e e s
s
s
s
A s A
im i
[15]
[13] y [14] muestran que las resistencias asociadas para generar los polos de ambos capacita-
ros, se corresponden con la vista desde sus terminales.
2.2.3. Clculo de los Capacitores.
El clculo de los capacitores puede comenzar con el de emisor para definir la frecuencia de
corte,
L
e = e
D
, utilizando [12}. Luego con los de acoplamiento, seleccionando primero el que
tenga resistencia asociada mas baja para ubicar su polo en la posicin del cero generado por
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el de emisor (
e
e ), de manera de producir su cancelacin y el restante para producir su polo
por debajo de la frecuencia de corte. (Ej. una dcada)

Ejemplo E.3.1.
En este ejemplo se calcularn los capacitores C1, C2 y Ce en el amplificador de la figura 1
para definir e
L
= 628 rps, verificando los resultados por simulacin en Pspice.

Fig. E.3.1.a
Q
1
=2N2222A y h
fe
~ 150

Fig. E.3.1.b.
Del circuito se deduce:
I
CQ
= 1 mA h
ie
= 3.7 kO g
m
= 40 ms
La ganancia en la banda de paso es:
db h R
h R r
r
R R
R
g
i
v
v
i
A
ie b
ie b i
i
L C
C
m
i
be
be
im
20 10 //
) // (
0
=
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
+
= =
a) Utilizando el concepto de polo dominante y capacidad total mnima, se debe cumplir lo
siguiente :
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rps
C R
e
e L
628
1
3
= = = e e
La resistencia equivalente asociada al capacitor de emisor deducida de fig E3.1b, con el capa-
citor C
1
cortocircuitado es
R
3
~ 0.03 kO F C
e
54
03 . 0 628
10
3
~
=

La frecuencia del cero generado por el capacitor C
e
es:
rps
R C
e e
e
62
3 . 0 54
10 1
3
~
= = e
Esto es, poco mas de una dcada por debajo del polo respectivo

Clculo de los Capacitores C
1
y C
2
.
Fijando la frecuencia de los polos respectivos, una dcada por debajo de la de corte, habr
cancelacin de uno de estos, con el cero producido por el capacitor de emisor, favoreciendo el
concepto de polo dominante.
rps
L
62
10
2 1
~ ~ =
e
e e
Del circuito se deducen las resistencias segn [15] y [16].
R
1
~ 2,9 kO F C 6 , 5
9 , 2 62
10
3
1
~
=

R
2
~ 4 kO F C 4
4 62
10
3
2
~
=

Es importante notar que con esta distribucin de polos, la funcin de transferencia global en
bajas frecuencias queda:
) 628 )( 62 (
10
) )( )( (
) (
) (
2
3 2 1
2
+ +
=
+ + +
+
=
s s
s
s s s
s s
A s A
e
im i
e e e
e

b) Como se coment, existen otras soluciones al problema del diseo de la respuesta, a conti-
nuacin se expondr una a los fines de comparativos utilizando el criterio de polo mltiple, es
decir calculando los capacitores de manera de generar polos iguales para producir la frecuen-
cia de corte especificada..
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El problema matemtico se traduce en encontrar la posicin en la que debe generarse el polo
mltiple (
x
).
e
1
= e
2
= e
e
= e
x

La funcin de transferencia [3] se transforma en la siguiente:
3
2
) (
) (
) (
x
ze
im i
s
s s
A s A
e
e
+
+
= [a]
Tomando mdulo y planteando la condicin de corte
2 ) (
) ( ) (
3
2
im
x L
ze L L
im
A
j
j j
A =
+
+
e e
e e e
[b]
( )
( )
707 , 0 ) (
3
2 2
2 2 2
=
+
+
=
=
x L
ze L L
L
L
j A
e e
e e e
e
e e
[c]
En [c] se cumple
e
ze
< e
L

2 2
L ze
e e <<
( )
707 , 0
3
2 2
3
~
+
x L
L
e e
e
[g]
Resolviendo [g] en e
x

L L x
e e e 51 , 0 1 2
3
~ = [h]
Entonces
e
1
= e
2
= e
3
= e
x
= 0,5 x 628 = 314 (rps)
Para calcular los capacitores se deben conocer las resistencias asociadas. En principio se las
puede suponer iguales a las calculadas en el punto anterior. Esto es rigurosamente cierto solo
en el caso de C
2
, por estar en una red independientemente, pero no es el caso de C
1
y C
e
, que
estn en la misma red de entrada y adems estn conmutando en la misma gama de frecuen-
cias. No obstante a los fines comparativos el error es aceptable.
F
R
C
e
11
9 , 2 314
10 1
3
1
1
~
= ~

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F
R
C
e
8
4 314
10 1
3
2
1
~
= ~

F
R
C
e
108
03 , 0 314
10 1
3
3
1
~
= ~

C
T
= C
1
+ C
2
+ C
3
~ 127 F
Se puede apreciar que la capacidad total conectada en este caso es el doble de la utilizada res-
pecto del caso anterior.
c) Resultados de simulacin.
El circuito del ejemplo, fue simulado en Pspice, con los valores calculados en (a) y (b). La
diferencia entre la frecuencia de corte simulada y calculada en el primer caso es de aproxima-
damente el 20 % en defecto y en el segundo del 38 % en exceso. Esto se puede apreciar en los
grficos de salida del anlisis (Sweep), realizado. No obstante ambos se pueden ajustar, cam-
biando en el mismo sentido los valores de los capacitores, la dispersin remarcada es parecida
a la que hubieran producido la tolerancia de los capacitores electrolticos comerciales (-20 %;
+ 50%) o simplemente la eleccin de los valores normalizados prximos a los calculados.

Fig. E.3.1.c.
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Fig. E.3.1.d.
2.3. Seguidor de Emisor en Bajas Frecuencias.
Un anlisis cualitativo de la respuesta se puede efectuar en el circuito seguidor de emisor de la
figura 8a, modelado para valores incrementales.
En efecto, con los mismos argumentos utilizados en el E.C,la presencia de los capacitores, C
1

y C
e
, generaran los ceros respectivos en el origen y la funcin respectiva tendr la siguiente
forma matemtica
( )
) )(s (s
s
A
1
2
m
e
S
A
e e + +
= [16]

Pgina 17 de 60

Fig. 8a

Fig. 8.b
2.3.1. Diseo de la Respuesta
Manteniendo el criterio utilizado en la seccin anterior y atendiendo a la gran diferencia de
magnitud de las resistencias asociadas a C
1 Y
C
e
, que existe en esta configuracin, se selec-
ciona a este ltimo para definir el polo dominante que defina la frecuencia de corte.
2.3.1.1. Efecto del capacitor de Emisor (C1 =).
La ganancia de tensin calculada en el circuito de la figura 9 es:
i
e
e i
v
v
i
i
v
v
v
A
0 0
= =

Fig. 9
Despreciando h
ib
, se
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Fig. 10
A partir de este ltimo esquema donde se ha despreciado h
ib
se obtiene:
(
(
(
(
(
(
(
+
+
(
+
= =
_
e
L e
i
v
R R C
v
v
s A
e
) (
1
s
s

) R (R r
R R
) (
L
,
i
L 0
[17]
R= r
i
// R
b
// R
e

Donde, R + R
L
, es la resistencia medida a bornes de C
e
.
2.3.1.2. Efecto del Capacitor de Acoplamiento C1. (Ce =0).
Despreciando h
ie
,del circuito reflejado a la base se deduce:

Fig. 11
R=R
b
// R
e
// R
L
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|
|
|
|
|
|
|
.
|
\
|
+
+
|
|
.
|
\
|
+
=
+ +
=
+
= =
_
1
) (
1 1
) (
1 1
0
e
R r C
s
s
R r
R
sC
R r
R
Z r
R
v
v
s A
i
i
i
i i
v
[18]
Se puede reconstruir la funcin de transferencia completa, a partir de [17] y [18].
( ) ( )
e
vm v
s
s
s
s
A S A
e e + +
=
1
) (
2.4. Configuracin Base Comn
A partir del modelo incremental de figura 12b, formalmente semejante al de emisor comn
(Fig.2b), se puede prever que sus funciones de transferencia tendrn tambin una semejanza
formal, esto es con dos ceros de transmisin al origen generados por los capacitores de des-
acoplamiento de la seal y la carga , (C
e
y C
1
) y otro sobre el eje real pero diferente de cero,
producido por C
1
.

( )
( )( )( )
e p
z
m
s s s
s s
A s A
e e e
e
+ + +
+
=
2 1
1
2
) (

No obstante a diferencia del emisor comn, debido a que las resistencias asociadas al par polo
cero de C
1
resultan aqu muy parecidas, prcticamente se produce cancelacin de ambos.
Esto se analiza en el ejemplo 3.2.

2.4.1. Diseo de la Respuesta
Atendiendo a lo expuesto, el diseo de la respuesta es bastante sencillo utilizando los criterios
anteriores, definiendo el polo dominante a la frecuencia de corte deseada con el capacitor de
emisor y suficientemente por debajo en frecuencia, el debido a C
2
.
De figura 13.b, considerando C
1
como un cortocircuito efectivo se deducen por simple inspec-
cin las resistencias asociadas a los otros dos polos. Resultando:

| | ) // (
1
ib e i e
e
h R r C +
= e ;
| | )
1
2
2
L C
R R C +
= e [19]

Pgina 20 de 60

Las frecuencias del par polo cero generado por C
1
se deducen del modelo incremental en la
malla de entrada fig14.b, considerando a C
e
en circuito abierto, resultando:

| | ) R ( // (
1
e 1
1
+
=
ie b
p
h R C
e
b 1
1
R
1
C
z
= e [20]

Estas dos ltimas muestran lo observado respecto a la proximidad de ambas singularidades,
debido a que la resistencia asociada al capacitor C
1
.

R
b
// (h
ie
+R
e
) ~ R
b

Esta circunstancia otorga un grado ms de libertad para ubicar el polo de C
2
La ganancia de tensin en la banda de paso resulta :

| | ) R // (R
//
//
L C m m
g
h R r
h R
v
v
A
ib e i
ib e
i
o
v

(
+
= = [21 ]

Finalmente la funcin de respuesta se puede aproximar por la siguiente expresin:

( ) ( )
e
vm v
s
s
s
s
A s A
e e + +
~
2
) (

Fig. 13.a.
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Fig. 13.b.

Fig. 13.c

Ejemplo 3.2.
En el circuito de Fig.13.a , calcular los capacitores C
e
, C
1
y C
2
para que el amplificador tenga
respuesta asinttica plana, hasta una frecuencia de 100 Hz.
I
CQ
= 2 mA r
i
= 50O ; h
ib
=13O ; h
fe
=100 ; R
e
= 500 O
R
b
= R
C
= R
L
= 5 KO
Utilizando [19] en adelante resultan:

F
r h
C
i ib
e

t
25
) ( 100 2
1
=
+
=

Luego
Pgina 22 de 60

t
e
e 2 8 , 62
10
2
= =
L
F
k
C 6 . 1
10 8 . 62
1
|
2
= =
rps
L
p
5 . 78
8
|
1
= =
e
e y k h R R
fe e b
54 . 4 // ~
F 2.8
k 4.54 5 . 78
1
|
1
= = C
Con estos valores se puede verificar la cercana en frecuencia del par polo - cero generado por
C
1
.
rps
z
4 . 71 |
1
= e y rps 5 . 78 |
1
=
p
e
2.5. Amplificadores en Cascada Acoplados Capacitivamente.
El clculo de los componentes capacitivos de acoplamiento interetapas y de desacoplamientos
especficos, siguen en trminos generales las mismas reglas y criterios desarrollados en las
secciones precedentes para amplificadores de una sola etapa.
2.5.1. Etapas Idnticas.
El caso clsico y frecuente es el de una cascada de etapas idnticas en emisor comn. Fig. 14.
Debido a que en estos, los circuitos de emisor son iguales, en base al criterio adoptado, domi-
naran la definicin de la frecuencia de corte de la cascada amplificadora. En base a esto, una
solucin simple y razonable sera que cada etapa genere su polo dominante a la misma fre-
cuencia, tal que en la funcin de transferencia global se manifieste uno mltiple.

Figura 14
Con esta hiptesis y asumiendo que los dems polos estn suficientemente por debajo, la fun-
cin global quedara en la banda de frecuencias cercanas al polo mltiple de la siguiente ma-
nera.
Pgina 23 de 60

n
x
e
im i
s
s
A s A
|
|
.
|
\
|
+
+
~
e
e
) ( [22]
La solucin de la anterior a la frecuencia de corte da la ubicacin del polo mltiple
x
. Exten-
diendo el anlisis del ejemplo E.3.1., a n etapas resulta:
1 2 =
n
L x
e e [23]
n 1 2 3 4
x
1 1,55 1,97 2,29
Obviamente a medida que la multiplicidad aumenta, la frecuencia de corte,
L
e , se separa ms
del polo mltiple, Figura 15.

Figura 15
Conocida la posicin de
x
, se calculan los capacitores de emisor respectivos, an cuando los
circuitos de emisor no sean exactamente iguales.
Los capacitores de acoplamiento se deben calcular de forma que ubiquen sus respectivos po-
los con las separaciones ya comentadas respecto del mltiple, para que el razonamiento sea
vlido.
2.5.2. Etapas no Idnticas.
En este caso es necesario investigar entre las resistencias asociadas a los capacitores si hay
alguna que pueda definir claramente un polo dominante. Si esta no es la situacin, se deben
recurrir a otros mtodos que dependern de las configuraciones conectadas. A continuacin se
desarrolla un ejemplo que aclara los conceptos.
Pgina 24 de 60

Ejemplo E.3.3.
Sea el circuito de la figura E.3.3, que debe operar con ganancia asinttica constante desde
frecuencias medias hasta 150 Hz. Calcular ganancia en la banda media y los capacitores a
conectar. Verificar por simulacin.
Datos : r
i
= .6k ; R
s1
= R
s2
=100 ; R
b1
= 2 k ; R
C1
= 1 K ; R
b2
= 10 k ; R
e2
= 100
R
L
= 100 .

1
Q
D
Q
mA I
CQ
75 , 2
1
= mA I
CQ
64
2
=
h
fe
=150 h
fe
= 60
h
ie1
=1,4kO h
ie2
= 23
h
ib1
=9,5O h
ib2
= 0.4O

CIRCUITO EC + CC FIG E.3.3.

Circuito de emisor (Q
1
)
Cero
2 1
1
1
e e
e
R C
= e Polo
(
(
|
|
.
|
\
|
+ +
= =
1
1 2
1 1
1
//
//
1 1
fe
i b
ib e e e
EE e
pe
h
r R
h R R C
R C
e
O = = 10
//
'
1
1
fe
b i
h
R r
R R
EE1
= 54
Circuito de Emisor (Q
2
)

Polo
2 2
2
1
EE e
pe
R C
= e O ~ ~ 107
2 e EE
R R
Se aprecia que pesar de ser etapas diferentes las resistencias asociadas a ambos capacitores de
emisor no lo son tanto.
2
2
1
EE
EE
R
R ~
La proximidad del cero
1 e
e con el polo respectivo podra ser anulada cancelando el primero
con el polo de la segunda etapa y luego generar un polo simple dominante en
L
e ,con C
e1.

Pgina 25 de 60

54
1
1
1
= =
e
pe L
C
e e F C
e

t
20
50 150 2
1
1
~

=

Luego
rps
e pe
480
100 10 20
1
6
1 2
~

= =

e e F C
e
20
107 480
1
2
~
=
Finalmente se ubican los polos de C
2
y C
1
a 3 octavas y una dcada respectivamente, por de-
bajo de
L
.
F
x x
C
x x
C
t
t
2 . 4
10 5 . 2 15 2
1
y F 4.4
10 2 18 2
1
3
1
3
2
= = = =
3. Respuesta en alta frecuencia.
3.1. INTRODUCCIN.
Los modelos que se utilizan para los componentes activos en las diferentes bandas de frecuen-
cia son aquellos que dan los parmetros de ms fcil medicin. As el circuito hibrido t utili-
zado en baja frecuencia, con parmetros concentrados, sigue siendo til hasta frecuencias no
muy altas, con el agregado de las capacidades parsitas segn muestra la figura 16b. Este mo-
delo es utilizado en amplificadores de banda ancha y sintonizados, hasta frecuencias de algu-
nos MHz. En bandas superiores se prefiere el modelo de admitancias, figura 17, y el de par-
metros S (Scattering). Siendo este ltimo definido por relaciones de potencia entre el puerto
de entrada y salida.

Fig. 16.a
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Fig. 16.b.
Modelo hibrido t

Fig. 17.
Modelo de admitancias.
El circuito hibrido t de la fig. 16.b corresponde a la configuracin emisor comn. La compo-
nente resistiva de la impedancia de entrada, se ha dividido en la resistencia de extensin de
base r
bb
que tiene en cuenta la cada hmica que existe desde el acceso fsico al terminal de
base y la junta y la derivada del efecto de junta propiamente dicha r
be
, tambin denominada
r
t
en la literatura tcnica y que la teora permite estimar con la expresin:
) 1 (
25
' fe
ca
e b
h
I
mv
r + = a T = 300K [24]
La resistencia de extensin de base r
bb
, depende de la geometra y conductividad del material
semiconductor respectivo y es normalmente bastante ms chica que la de junta activa r
be
, so-
bre todo en los transistores de alta frecuencia.
La capacidad C
be
(Tambin denominada C
t
), tiene dos componentes. Una tiene en cuenta el
tiempo de trnsito directo medio de los portadores, para cruzar la zona de base (t
F
) cuyos va-
lores tpicos van desde las decenas a centenas de picosegundos. Esta capacidad se denomina
de carga de base o de difusin y puede ser estimada con la siguiente expresin
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mV
I
g C
CQ
F m F b
26
~ = t t [25]
La segunda componente se denomina de agotamiento (C
je
), y es una funcin de la tensin de
polarizacin de la junta.
E
n
BE
JEO
JE
V
C
C
|
|
.
|
\
|
+
=
0
1

Para tensin directa de la misma (V
BEQ
~ 0.7 V) se la puede estimar con la siguiente expre-
sin.
C
je
~ 2 C
jeo

Siendo C
jeo
la capacidad de agotamiento con V
BE
= 0.
Luego C
be
es la suma de C
be
= C
b
+ C
je
[26]
La de junta colector base, C
bc
(Tambin denominada C
), en operacin directa del transistor

(polarizada inversamente), tiene nicamente la componente de agotamiento C
bc.

bc
0
C
1
=
|
|
.
|
\
|
+
=
C
n
BC
JCO
JC
V
C
C [27]
Donde
C
JC0
Capacidad de agotamiento con V
BC
= 0. (Tpico 1 a 7 pF, en discretos)
+
0
Potencial nterconstruido de la unin. (Tpico .75V)
n
c
Exponente de la capacidad de agotamiento para la unin base-colector. (Tpico 2)
La resistencia r
bc
,(r
), que aparece en paralelo con C

bc
se puede despreciar en el modelo de
la figura 18b, debido a su elevado valor. (tpico > 10 MO).
La junta colector y sustrato produce tambin una capacidad de agotamiento que se evala con
S
n
OS
CS
CSO
CS
V
C
C
|
|
.
|
\
|
+
=
1

Los trminos de la expresin anterior tienen el mismo significado que los de la ecuacin [27].
Debido a que el sustrato est conectado internamente al terminal de tensin ms negativo en
el npn (emisor) y al mas positivo en el pnp (emisor), se puede estimar
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V
CS
~ V
CE

Las capacidades parsitas descriptas e incluidas en el modelo de la figura 16.b son del orden
de las decenas de femtofaradios en transistores integrados y del orden de los picofaradios en
discretos de seal. El modelo hibrido t descripto, tambin llamado de Giacoletto, incluye re-
sistencias de extensin en los terminales de colector y emisor (r
cc
y r
ee
) definidas de igual
manera que la de base (r
bb
), denominadas simplemente r
c
y r
e
. Estas han sido omitidas en la
figura. En general estas resistencias producen efectos de orden superior y no sern tomadas en
cuenta en este texto. No obstante es necesario aclarar que este modelo de constantes concen-
tradas tiene validez hasta frecuencias cercanas a los 200/300 MHz. En bandas superiores no se
puede obviar el hecho que en realidad son distribuidas.
Obviamente el agregado de las capacidades parsitas har que los parmetros del circuito
equivalente se tornen dependientes de la frecuencia. A continuacin se reevala el parmetro
ganancia directa de corriente, en la configuracin emisor comn por contener importantes
conceptos que sern aplicables en el anlisis y diseo de la respuesta en alta frecuencia. Re-
cordando que se mide con el puerto de salida en cortocircuito como lo muestra la figura 18,
en la que se han despreciado
, r
bc
y C
cs
.

Fig. 18
i
c
= g
m
v
b e
= g
m
i
b
Z
e

Con
e b c b e b
e b
e
r C C s
r
Z
' ' '
'
) ( 1 + +
= [28]

) ( 1
) (
' ' '
'
0
_
|
t
e b e b e b
e b m
Q
v
b
c
fe
r C C s
r g
i
i
s h
ce
+ +
= =
=
[29]
Tomando g
m
r
be
= h
fe
y
|
|
t
e
1
) (
1
' ' '
=
+
=
e b e b e b
r C C

Se obtiene
Iin
gm vbe
rb'e
C
ic ib
Vb'e
Ze
Cb'c Cb'e
E
B
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|
|
t
e
s
h
s
h
s h
fe fe
fe
+
=
+
=
1
1
) ( [30]
La ecuacin [30] muestra la dependencia en frecuencia de la ganancia directa de corriente en
cortocircuito del transistor en conexin emisor comn. La figura 19 muestra la grfica de
mdulo de la misma.

Figura 19
3.1.1. Producto Ganancia-Ancho de Banda [GBW].
Se define como producto ganancia-ancho de banda, al de la ganancia en la banda de paso y el
ancho de banda de 3db. En el caso visto es:
|
e = (o)
fe
h GBW [31]
Con referencia a la figura 20 y ecuacin [45] se deduce que :

1 | ) ( | =
T fe
j h e

) ( 20db/dec
log - log
] 1 log ) ( [log 20
o h
o h
fe T
T
fe
|
|
e e
e e
= =

T
GBW e = = Cte [32]

T
e = frecuencia de cruce.
Las anteriores muestran que el producto definido es constante y caracterstica general de las
funciones de transferencia de un solo polo. Es publicado en la hoja de datos del transistor y
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debido a que involucra a casi todos los parmetros del modelo hbrido t, es especificado para
valores particulares de polarizacin. Estas propiedades hacen que sea parmetro de seleccin
del transistor en aplicaciones de altas frecuencias.
) ( ) (
' ' ' ' ' c b e b
m
c b e b e b
fe
fe T
C C
g
C C r
h
h
+
=
+
= =
|
e e [33]
En secciones posteriores se estudiar como influyen las redes lineales asociadas a la entrada y
salida, en la respuesta global del amplificador que utiliza el transistor modelado en la figura
16.b.
3.1.2. Parmetros SPICE.
El programa de simulacin electrnica PSpiceutiliza circuitos equivalentes de distintos nive-
les de complejidad para modelar los componentes activos. Los parmetros de estos modelos
estn definidos para cada elemento a travs de un comando, (.MODEL) los que a su vez vie-
nen organizados en archivos-libreras definidas por la extensin slb. En la tabla T-1 se dan las
equivalencias entre smbolos utilizados en el texto y los correspondientes PSPICE, para los
parmetros de transistores bipolares y de efecto de campo. La tabla T-2 resume las relaciones
que se deducen en la fsica del estado slido y que se utilizan frecuentemente en el texto para
el transistor bipolar. Finalmente el listado L-1 muestra el archivo .MODEL que define los
parmetros que modelan a los transistores 2N2222A y MPS H10, utilizados frecuentemente
en ejemplos a lo largo del texto.

T-1. Archivos de Parmetros del Modelo SPICE.
En esta seccin, los smbolos de los parmetros del modelo SPICE se comparan con los smbolos
empleados en el texto para cantidades de uso comn.
Parmetros de Transistores Bipolares
Smbolo Spice Smbolo en el texto Descripcin
IS I
S

Corriente de saturacin de transporte
BF |
F

Ganancia de cd mxima
BR |
R

Ganancia de corriente inversa mxima
VAF V
A

Voltaje directo Early
RB r
bb

Resistencia en serie de la base
RE r
ee

Resistencia en serie del emisor
RC r
cc

Resistencia en serie del colector
TF t
F

Tiempo de trnsito directo
TR t
R

Tiempo de trnsito inverso
CJE C
je0

Capacitancia de agotamiento base-emisor a polarizacin cero
VJE +
0e

Potencial interconstruido en la unin base-emisor.
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MJE n
e

Exponente de capacitancia de unin base-emisor
CJC C
0

Capacitancia de agotamiento base-colector a polarizacin cero
VJC +
0c

Potencial interconstruido de la unin base-colector
MJC n
c

Exponente de capacitancia de unin base-colector
CJS C
CSO

Capacitancia de agotamiento colector-sustrato a polarizacin cero
VJS +
0s

Potencial interconstruido en la unin colector-sustrato.
MJS n
s

Exponente de capacitancia de unin colector-sustrato
Nota: Dependiendo de que versin de Spice se este utilizando, un diodo separado pudiera tener que incluirse para
representar la capacitancia base-sustrato en un transistor pnp lateral.
Parmetros JFET
VTO V
p

Voltaje de umbral (voltaje de estrechamiento)
LAMBDA
Parmetro de modulacin de longitud de canal
BETA
2
P
DSS
V
I

Parmetro de transconductancia
RD r
d

Resistencia en serie con el drenaje
CGS C
gs0

Capacitancia de unin compuerta-fuente a polarizacin cero.
PB +
0

Potencial interconstruido de la unin compuerta-canal.
CGD C
gd0

Capacitancia de unin compuerta-drenaje a polarizacin cero.
Parmetros MOSFET
VTO V
t

Voltaje de umbral con voltaje fuente-sustrato cero.
KP C
ox

Parmetro de transconductancia
GAMMA
A
ox
N q
C
c 2
1
=
Parmetro de voltaje de umbral
PHI 2|
f

Potencial superficial.
LAMBDA
DS
d
eff
dV
dX
L
1
=
Parmetro de modulacin de longitud de canal.
CGSO C
ol

Capacitancia de traslape compuerta-fuente por unidad de ancho de canal.
CGDO C
ol

Capacitancia de traslape compuerta-drenaje por unidad de ancho de canal.
CJ C
jo

Capacitancia de unin a polarizacin cero por unidad de rea de la parte
inferior de la fuente y drenaje a la masa del material (sustrato).
MJ N
Exponente de capacitancia de las uniones fuente-masa del material y dre-
naje-masa del material (coeficiente de graduacin).
CJSW C
jsw0

Capacitancia de unin a polarizacin cero por unidad de permetro de unin
de la pared lateral de la fuente y del drenaje (periferia) con la masa del
material.
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MJSW N
Exponente de la capaciatncia de unin de la pared lateral de la fuente a la
masa del material y del drenaje a la masa del material.
PB +
0

Potencial interconstruido de la unin fuente-masa del material y drenaje-
masa del material.
TOX t
ox

Expesor del xido.
NSUB N
A
, N
D

Dopado del sustrato.
NSS Q
ss/q

Densidad del estado de la superficie.
XJ X
j

Profundidad de la unin fuente-drenaje.
LD L
d

Difusin lateral de la fuente-drenaje.
Pgina 33 de 60

Tabla T-2. Relaciones entre parmetros de dispositivos activos.
Transistores Bipolares
Operacin en la regin activa directa con gran seal.
Cantidad Frmula
Corriente de colector
T
BE
V
V
S C
I I = (Ebbers-Moll)
Operacin en la regin activa directa con pequea seal.
Cantidad Frmula
Transconductancia
kT
qI
g
C
m
=
Resistencia de Entrada
m
e b
g
r
0
'
|
=
Resistencia de Salida
m C
A
oe
g I
V
h q
1 1
= =
Resistencia Colector-Base
0 0
'
) 5 1 (
r
r
c b
|
=
Capacitancia de carga de la base
C
b
= t
F
g
m

Capacitancia de Entrada
C
be
= C
b
+ C
je

Capacitancia de agotamiento de la unin emisor-base activa
C
je
~ 2 C
jeo

Capacitancia de la unin colector-base (npn)
C
n
c
BC
c b
V
C
C
|
|
.
|
\
|
+
=
0
0
'
1

Capacitancia colector-sustrato (npn)
s
n
s
sc
cs
cs
V
C
C
|
|
.
|
\
|
+
=
0
0
1

Frecuencia de transicin
t
t C C
g
f
m
T
+
=
2
1

Tiempo de trnsito efectivo
m m
je
F
T
T
g
C
g
C
f

t
t
t + + = =
2
1

Ganancia mxima
T
A
m
V
V
r g =
0

Pgina 34 de 60

Lista L-1

3.1.3. Efecto Miller.
La capacidad C
bc
que conecta entrada salida en el modelo hibrido t , introduce una realimen-
tacin negativa que se denomina efecto Miller, que puede reducir drsticamente la frecuencia
superior de corte del amplificador Esto se analizar a continuacin previa modificacin del
circuito de Fig. 20, debido a que la vinculacin de los circuitos de base y colector, dificulta el
anlisis por simple inspeccin, tan til y simplificativo en clculos manuales.
En efecto, es posible separar nuevamente los circuitos de entrada y salida manteniendo el
efecto Miller, a partir de un circuito derivado del equivalente, que se obtiene calculando la
carga recproca (Z
im
y Z
om
), que introduce en ambos dicha vinculacin, de manera de reducir
el circuito de Fig 20a, al de 20b..

Fig.20 a

Iin
gm vbe
rb'e
Rc
ib
Vb'e
Zom
Cb'e
E
B
Rb ri
RL
vo
io
C
Rbe Ro
Zim

Fig. 20 b

Iin
gm vbe
rb'e
hoe
ib
Vb'e
Zim
Cb'c
Cb'e
E
Zom
Rb ri
RL
vo
io
C
i1
Rbe
Zi
Pgina 35 de 60

Del esquema 20a, se deducen las siguientes relaciones.
im
e b
e b i
Z
C
r Z //
1
//
'
'
e
= con
1
'
i
v
Z
e b
im
=
e b ce e b
sC v v i
' ' 1
) ( =
Considerando que el trmino de primer orden de la tensin del colector est dado por:

e b L m ce
v R g v
'
~
Y
im
=i
1
/v
b
= s C
bc
(1+g
m
R
L
) = s C
M
[34]
La anterior muestra que la impedancia vista desde la entrada es capacitiva y se denomina de
Miller (C
M
). A partir de (34) se expresa la impedancia de entrada por
) (
1
//
1
//
1
//
'
'
'
'
M e b
e b
M e b
e b i
C C
r
C C
r Z
+
= ~
e e e
[35]

En cambio la impedancia equivalente vista desde la salida es:
|
|
.
|
\
|
+ ~
e b
e b
c b
om
C
R
C
Z
'
'
'
1
//
1
e e

En la banda de frecuencias de inters se cumple que
c b
e b
e b
C
R
C
'
'
'
1
//
1
e e
>>
e b
om
C
Z
'
1
e
~ [36]
En virtud de [31] y [36] se puede aproximar el modelo buscado con el efecto Miller reducido
a la entrada.
Fig. 21
Iin
gm vbe
rb'e
Rc
ib
Vb'e
CiL
Cm Cb'e
E
B
Cbc Rb ri
Rl
vo
io
C
Rbe Ro
Pgina 36 de 60

3.1.4. Ganancia de corriente
Si se evala la ganancia de corriente en el circuito de figura 21, considerando h
oe
= 0, se ob-
tiene:
|
|
|
|
.
|
\
|
+ +
|
|
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
+
= = =
_ _
il o
e b M e b o c b L C
C e b m
i
e b
e b i
i
R C C s R C s R R
R R g
i
v
v
i
i
i
A
t t
' ' '
' '
'
0 0
) ( 1
1
1
1

e b b i e b
r R r R
' '
// // = y R
o
= R
C
// R
L
( )( )
iL o
h
im i
s s
s s
A A
t t
e e
+ +
=
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
+
=
1 1
1
1
1
1
1
1
[37]
t
o
Cte de tiempo generada por la malla de salida .
t
Il
Cte de tiempo generada por la malla de entrada, con la salida cargada re-
sistivamente.
En la anterior la asntota de baja frecuencia A
im
, es la ganancia en la banda de paso. El efecto
Miller separa significativamente ambos polos, generando la malla de entrada uno dominante
en alta frecuencia (Frecuencia bastante ms baja ) que definir la frecuencia superior de corte
e
h
.
o c b c b M e b
h
R C R C C
'
1
' '
1
) (
1
= <<
+
= e e

De manera que se puede aproximar [37] en la banda de frecuencias de inters, segn la si-
guiente:
h
vm i
s
A s A
e
+
~
1
1
) ( [38]
La figura muestra la caracterstica de amplitud enmarcada en la respuesta del transistor utili-
zado.
Pgina 37 de 60

Fig. 22
3.1.5. Efecto de la Impedancia de Carga sobre la Frecuencia Superior de
Corte.
3.1.5.1. Carga Resistiva Pura
La [38], por tratarse de una FT de un solo polo satisface la relacin
A
im

h
= cte
En efecto, partir de la expresin:
C
M
=C
bc
(1+g
m
R
o
)
Se aprecia que la capacidad de Miller aumenta con la ganancia de tensin de colector a base, y
esta con la impedancia de carga que en consecuencia disminuye la frecuencia de corte.
A la inversa si
R
L
0 0
0
=
be
v
v
v
A e
H
e
|

En base a lo expuesto es obvio el compromiso entre ganancia de tensin y ancho de banda.

3.1.5.2. Carga con Componente Capacitiva
Hay aplicaciones en las que la carga tiene una componente capacitiva importante que no pue-
de ser despreciada como lo ha sido en el anlisis previo. Este es el caso por ejemplo de ampli-
ficadores multietapas de emisor comn, donde la impedancia de carga de las intermedias es la
de entrada de la consecutiva, que debido al efecto Miller tienen capacidades significativas.
Evaluando nuevamente Z
im
y Z
om
en figura 21 y considerando a la salida una componente ca-
pacitiva de valor C
L
se obtienen las siguientes relaciones.
Pgina 38 de 60

1/ Z
im
= ) 1 (
0 '
Z g sC Y
m c b M
+ =

0 0
1
1
//
C sR
R
sC
R Z
O
O
O L
+
= = )
1
1 (
0
'
C sR
R
g sC Y
O
O
m c b M
+
+ =

0 0
0
'
1
2
1
C sR
R g sC
sC Y
Y
m c b
Y
c b M
+
+ =

[39]

_ _
M M
R
m c b
X
m c b
c b M
g C
C
R g sC
sC Y
0
C S
0
'
M
1
1
+
+ =
=

La impedancia Z
om
resulta igual al caso de carga resistiva .
La anterior muestra que la admitancia est compuesta por dos ramas en paralelo Y
1
e Y
2
don-
de esta ltima contiene dos componentes en serie, X
M
y R
M
, la primera es la capacidad de en-
trada producida por el efecto Miller con carga resistiva, mientras que la segunda es la compo-
nente resistiva que agrega el capacitor de salida. Fig. 23.

Fig.23

La ganancia de corriente calculada a partir del circuito de figura 24, considerando a la entrada
la admitancia dada por la expresin [39] y a la salida las componentes ms significativas (R
o

// C
o
)., resulta:

gm vbe
rb'e
Rc
ib
Vb'e
Ym
Cb'e
E
Y
Co Rb ri
Rl
vo
io
C
Rbe Ro Cbc + CL
Iin

Fig.24
Cbc
Cm
Rm
Ym
Pgina 39 de 60

|
|
.
|
\
|
+
= = =
o o
O m
L
e b
L
o
o
i
e b
e b
o
R sC
R g
R
v
R
v
i
i
v
v
i
A
1

'
'

_

L
iC
O L
M
C
c b e b
e b
M e b
e b i
e b
R C s
sC
C C s
R
Y sC
R
Y
Y i
v
t
+
+ + + = + + = =
1
) (
1 1
con
1
' '
'
'
'
'

C
ic
Capacidad de entrada con la salida en cortocircuito

|
|
|
|
.
|
\
|
+ + + + + +
=
1 ) ) 1 ( ( C R s( R C R C s
1

L o be ic 0 L
2
0
0 0
_ _ _ _
iL IC im
o m c b e b e b
A
L C
C e b m
e b i
b
i
R g C C R R R
R R g
v
i
i
v
A
t t t t
[40]

Clculo de la Frecuencia de Corte ( fh).
Llamando
1
y
2
a las races del polinomio denominador, la anterior puede expresarse en su
forma factoreada.

)
1 )
1 1
( s
s

A
(
) s/ 1 ( ) s/ (1
A

2 1 2 1
2
im
2 1
im
+ + +
=
+ +
=
_
e e e e
e e
i
A [41]
Cuyo mdulo a la frecuencia de corte
h
, resulta:
2
) ( j - 1
A
2
h
1 2 1
2
im im
h h
i
A
A =
+ +
=
_
e
e
e
e
e e
e
[42]

No obstante resolviendo [42] se determina
h
con exactitud, es un caso muy comn aquel en
que la frecuencia de corte es bastante menor que la media geomtrica de ambos polos, esto
significa que:
2 1
e e e <
h

Despreciando este trmino en [42], se deduce
Pgina 40 de 60

h iL
h
h h
iL
j t t t
e e e e
e
e
e
t t
~ + = + ~ =
|
|
.
|
\
|
+ +

+
0
2 1 2 1
1 1
0
1 1 1
2 1
_
[ 43]
La anterior muestra un camino corto para estimar la frecuencia de corte (por defecto), suman-
do las constantes de tiempo del capacitor de salida (C
o
) y la capacidad total de entrada que da
el efecto Miller con carga resistiva pura C
iL
=

(C
M
+ C
be
), donde las resistencias asociadas a
cada uno de ellos es la de Thvenin a bornes, considerando a los dems en circuito abierto. A
partir de esta aproximacin se puede derivar un circuito que interprete [43] y es el que muestra
la fig 24

. Fig.25
En efecto, derivando de aquel la relacin de transferencia se obtiene:

|
|
.
|
\
|
+
|
.
|
\
|
+
|
|
|
|
.
|
\
|
+
=
|
|
|
|
.
|
\
|
+
|
|
|
|
.
|
\
|
+
= = =
iL
o
A
C L
C e b m
e b iL
e b
O L
O m
L i
e b
e b
o
i
o
i
s s R R
R R g
R C s
R
R C s
R g
R i
v
v
i
i
i
A
IM iL O
t t
t t
1
1
1
1
1 1
1
'
'
'
_ _ _

( )
|
|
.
|
\
|
+ + +
=
1 ) (
1
2
iL O iL O
im s
s s
A A
t t t t
[44]
Comparando esta ltima con el correlativo de [40] y [42], se aprecia que nicamente difieren
en el coeficiente de segundo grado, (t
iL
> t
ic
). La solucin completa de [44] a la frecuencia de
corte, da una aproximacin por defecto bastante ms cercana que la dada por [42], pero con la
ventaja que se deduce por simple inspeccin del circuito de fig. 25. Adems despreciando el
trmino de segundo grado por las mismas razones que justifican [43], da la misma aproxima-
cin por constantes de tiempo que esta ltima.
( )
|
|
.
|
\
|
+ +
~
1 ) (
1
O iL
im s
s
A A
t t
[44]

Las conclusiones de esta seccin obviamente no son independientes de la impedancia interna
del generador de excitacin, tema que se analizar en la seccin siguiente.
Iin
gm vbe
rb'e
Rc
ib
Vb'e
CiL
Cm Cb'e
E
B
Co Rb ri
Rl
vo
io
C
Rbe Ro
Pgina 41 de 60

3.1.6. Efecto de la Impedancia de la Red de Excitacin.
El generador de seal puede ser aproximado a uno de tensin o de corriente segn sea la rela-
cin entre su impedancia interna y la vista hacia el transistor, esto es en trminos resistivos
respectivamente
r
i
<< R
b
//r
be
o viceversa
Las conclusiones de las secciones precedentes son vlidas para una etapa de emisor comn
excitado con generador de corriente, ya que este fue el caso planteado a partir de Fig 21, si en
cambio lo es con un generador de resistencia interna bastante menor que sus adyacentes las
conclusiones son bastantes diferentes.
En efecto recordando que la resistencia asociada a la capacidad de entrada para generar el polo
respectivo es un paralelo con la interna del generador, es obvio que en la medida que esta
disminuye, la frecuencia del polo aumenta, de manera que en el lmite ocurre lo siguiente.

r
i
0 R
be
0
1
'e b iL
R C e
t
iL
0

Resultando que, la frecuencia de corte quedar definida por la constante de tiempo de la malla
de salida t
o.
De manera que para carga resistiva, [33] y [38] o [43] y [44] para el caso de carga
con fuerte componente capacitiva se cumplira:

0
1
t
e ~
h

Para el caso de carga resistiva, (C
L
= 0), la frecuencia de corte puede superar a e
|
.
|
e
e
e > =
0
1
R C
c b
h

Obviamente para r
i
no nula, la frecuencia de corte depender de la posicin relativa del polo
producido por la malla de entrada y del de la red de salida.
Se desprende del anlisis, la fuerte influencia que tienen la impedancia de carga y del genera-
dor de seal en la definicin de la frecuencia superior de corte, (f
h
) del amplificador. Pudiendo
ser esta inferior o superior a (f
|
). segn sea la combinacin de aquellas variables.

Pgina 42 de 60

Ejemplo E.3.4.
a.-) Carga Resistiva Pura.
Calcular la frecuencia de corte en alta frecuencia (f
h
) del amplificador del ejemplo E.3.1. Para
R
b
= 5k ; Rc = R
L
= 2k ; ri = 2k ; Icq = 2mA.
Del circuito citado se deducen los siguientes valores.
I
CQ
~ 2 mA V
CEQ
h
FE
= h
fe
~ 150
g
m
= 80 ms r
be
= 1.8 kO R
be
~ 0,8 kO
De la tabla T3 (.MODEL Q2N2222A), se extraen los siguientes datos.
C
jeo
~ 22 pF t
F
~ 441 ps C
jco
~ 7 pF
n
c
= 0,34 +
oc
~ 0,5 V
Resultando :
C
be
= C
b
+ C
je
~ t
F
g
m
+ 2 C
jeo
= 33.8 + 44 = 77.8 pF
c b jc
C pF C
' 34 . 0
8 . 2
5 . 0
7
1
7
= ~
|
.
|
\
|
+
=
La capacidad de Miller es : C
M
= C
bc
[1 + g
m
R
L
//R
C
] ~ 230 pF
En consecuencia:
646
10 8 . 307 10 8 . 0 28 . 6
1
) ( 2
1
12 3
' '
~

=
+
=

I
_
iL
M e b e b
h
C C R
f
t
kHz
y
1.1
) ( 2
1
' ' '
~
+
=
c b e b e b
C C r
f
t
|
MHz > f
h

La ganancia en la banda de paso es
A
im
~ -10
La frecuencia del polo generado por Cbc en la malla de salida es
Pgina 43 de 60

57
10 10 8 . 2 28 . 6
1
// 2
1
3 12
'
2
~

~ =

I
_
O
L C c b
R R C
f
t
MHz
f
2
>> f
h

Entonces la funcin de transferencia puede escribirse en la banda de frecuencias cercanas al
corte del amplificador, como
3
10 . 2 . 646
1
10
) (
t
s
s A
i
+
~
b.-) . Carga con componente Capacitiva.
Repetir (a), considerando una componente capacitiva en la carga de valor igual a la de Miller
del punto anterior (C
L
= C
M
).
b.- 1) Mtodo exacto.
A partir de la expresin [42] se deduce la frecuencia de corte.

( ) 0 - 2 1
2
2
2
1
2
2
2
1
2 4
h
2
2 1
2
2 1
= + + =
|
|
.
|
\
|
+ +
|
|
.
|
\
|
e e e e e e
e
e
e
e
e e
e
h
h h h
(a)
La solucin de (a) requiere los valores de e
1
y e
2
, que se determinan a partir de [40], calcu-
lando las races del denominador.
t
0
= C
L
R
C
//R
L
= 230. 10
-9
seg
Ic
= (C
be
+C
bc
)R
be
= 80.6 10
-9
seg.
t
iL
= (C
M
+C
be
+C
bc
) Rb
be
= 264.6 10
-9
seg.
A partir de estos valores se deducen los coeficientes del polinomio respectivo:
a = t
0
t
iC
= 18.4.10
-15
b = t
0
+ t
iL
= 494.6.10
-9
c =1
Dando las races en las siguientes frecuencias:
e
1
= - 2.19.10
6
e
2
= -24.69.10
6

Debe observarse que la separacin de los polos, ms de una dcada, muestra claramente a e
1
como dominante, significando que la frecuencia de corte debera estar muy cercana a el. En
efecto resolviendo (a), previo cambio de variable; e
h

2
= X, se obtiene:
X
1
= 4.2 .10
12
e
h1
= 2.05.10
6
rps y X
2
= - 619.10
12
e
h2
= Imag
Tomando el primer valor e
h
= 2.05 Meg rps, como la frecuencia real de corte en alta del am-
plificador, se ve que es muy cercana a la del polo dominante de la FT.

Pgina 44 de 60

b.-2) Mtodo Aproximado.
A los fines comparativos y para probar la validez de la aproximacin por el mtodo de las
constantes de tiempo en circuito abierto, ecuacin [43] y [44], se obtiene:
e
h
~1 / t
h
= 1/ 494.6.10
-9
= 2.02.10
6
rps
Valor este ltimo, que verifica el mtodo.
Efectuando una comparacin entre la desviacin producida por la aproximacin de polo do-
minante, mtodo de las constantes de tiempo y la simulacin del circuito, se concluye que el
primero arroja un valor de aproximadamente 7% y el segundo ~ 2 % . La simulacin en Spice
mide, e
h
= 2.0 Meg rps.

c.-) Carga Resistiva y Excitacin con Fuente de Tensin.

Repitiendo el clculo (a), con excitacin de fuente de tensin, cuya impedancia interna es,
r
i
= 50O.
10
10 306 10 05 . 0 28 . 6
1
) ( 2
1
12 3
' '
1
~

=
+
=

M e b e b
C C R
f
t
MHz
Teniendo presente el valor del polo de la malla de salida calculado en (a), lo ubicara un poco
ms de dos octavas frecuencias arriba de los f
1
, se infiere que la frecuencia de corte estara
levemente por debajo de este valor.

|
f MHz f f
h
> = ~ 10
1

Pgina 45 de 60

3.1.7. Modelo Lineal equivalente en parmetros Admitancia del Transis-
tor en Emisor Comn.
Se coment en secciones precedentes, que en la banda de radiofrecuencias (superior a 100
Mhz) se prefiere el modelo lineal basado en parmetros admitancias. Este responde a la inter-
pretacin cuadripolar del siguiente modelo matemtico.
i
1
=y
11
v
1
+y
12
v
2

i
2
=y
21
v
1
+y
22
v
2
Siendo (i
1
,v
1
) las variables elctricas del puerto de entrada y (v
2
,i
2
) las correspondientes al
puerto de salida, adems los parmetros se miden a cortocircuito dinmico de alguno de los
puertos.
En trminos de las variables de los circuitos 27a y b, las ecuaciones anteriores quedan :
i
b
=y
11
v
be
+y
12
v
ce

i
c
=y
21
v
be
+y
22
v
ce
[47]

Fig. 26a

Fig. 26b
Despreciamos la resistencia r
bb
resultar :

v
be
= v
be

Pgina 46 de 60

La definicin de los parmetros admitancia utilizando la nomenclatura del hbrido t lleva a las
siguientes expresiones matemticas.
Admitancia de Entrada
) (
1
' '
'
0
'
c b e b
e b
Q
ce
v
e b
b
ie
C C s
r v
i
y + + = =
=
[48]
Retroadmitancia
) (
'
0
'
c b
Q
e b
v
ce
b
re
C s
v
i
y = =
=
[49]
Transadmitancia
ib
m
Q
ce
v
e b
c
fe
h
g
v
i
y
1
0
'
= ~
=
[50]
Admitancia de Salida
c b oe
Q
e b
v
ce
c
oe
sC h
v
i
y
'
0
'
+ = =
=
[51]
Es til hacer un breve anlisis comparativo con el modelo hibrido t utilizado. En efecto se
aprecia que todos los parmetros admitancias son funciones de la frecuencia. En otro aspecto,
la malla de entrada esta naturalmente separada de la salida con el efecto Miller implcito en la
fuente de corriente controlada por la tensin de salida (y
re
,v
ce
).
A continuacin se calcular la ganancia de corriente del amplificador utilizando este modelo a
fin de compararla con la obtenida utilizando el modelo hbrido t, en la seccin 3.3.4, conside-
rando al amplificador excitado con fuente de corriente.
En referencia a la figura 26.b. se harn las siguientes consideraciones:
) (
1
' '
'
c b e b
e b
ie ie g
C C s
r
y y y + + ~ ~ +
L
L L oe
R
y y y
1
= ~ +
Pgina 47 de 60

Fig. 27
Haciendo
i
e b
e b i
i
i
v
v
i
i
i
S A
'
'
0 0
) ( = = [52]
donde
fe
e b
o
y
v
i
=
'

e b
L
re fe
i o re i ie e b
v
y
y y
i v y i y v
' '
= + = [53]

L
re fe
ie
i
be
y
y y
y
i
v
+
=
1

L
re fe
ie
fe
i
y
y y
y
y
s A
+
= ) ( [54]
Finalmente utilizando las expresiones de los parmetros se obtiene:
|
e
s
A
C R g C s
r g
s A
im
c b L m e b
e b m
i
+
~
+ +
~
1
) ( 1
) (
' '
'
[55]
Expresin esta ltima semejante a la deducida del modelo hibrido , que hubiera sido igual de
no haber hecho las asunciones simplificativas del comienzo.
3.2. Configuracin Base Comn.
La figura 28 muestra el circuito base comn visto por las componentes incrementales. Es de
notar que en esta conexin no existe el efecto Miller, ya que la capacidad de agotamiento C
bc

queda derivada a tierra evitando la realimentacin (28b). Es de prever entonces que el ancho
de banda de esta configuracin ser normalmente superior a la configuracin emisor comn.
Pgina 48 de 60

+
-
Vin

Fig.28a.

Fig.28.b.
Ganancia de tensin:
i
e b
e b i
v
v
v
v
v
v
v
s A
'
'
0 0
) ( = =
L c b
L
m
eb
R sC
R
g
v
v
' '
0
1+
= [56]
e i
e i
eb
Z r
Z v
v
+
=
'
[57]
' '
'
1
eb eb
eb
e
R sC
R
Z
+ +
= [58]
Relacionando las anteriores
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
+
=
2 1
1 1
) (
e e
s s
A
s A
im
v
[59]
Con
Pgina 49 de 60

) // (
1
' '
1
eb i eb
R r C
= e y
L c b
R C
'
2
1
= e [60]
3.2.1. Anlisis de la Frecuencia de Corte
Analizando los rdenes de magnitud de los parmetros que intervienen en las expresiones
[60], se concluye que puede no haber un polo dominante que defina la frecuencia de corte.
Al no haber efecto Miller, no hay una clara separacin entre e
1
y e
2
. No obstante se puede
asegurar que la frecuencia de corte en alta frecuencia ser bastante mas elevada que en la eta-
pa de emisor comn a igualdad de condiciones.
Si esto es as para calcular f
h
, es necesario plantear la ecuacin [59], en la condicin de corte.
2
1 1
) (
2 1
im
h h
im
v
A
j j
A
j A
h
=
+ +
=
e
e
e
e
e
e e
[61]
El ejemplo siguiente intenta aclarar estos conceptos.
Ejemplo E.3.5.
El circuito del ejemplo E.3.1. es operado en la configuracin base comn, como muestra la

+
-
Vin

Fig. E.3.5.b.

Fig. E.3.5.c
Debido a que las condiciones de polarizacin son idnticas, utilizaremos los parmetros calcu-
lados en el ejemplo E.3.1. Es decir.
Pgina 50 de 60

I
CQ
= 1 mA h
fe
= 150 h
ie
= 3.9 kO
h
ib
= 26 O g
m
= 40 ms
Evaluando e
1
y e
2
se obtiene.
160
26 10 4 . 60 2
1
12 1
~

=

t
f MHz
57
10 10 8 . 2 2
1
3 12 2
~

=

t
f MHz
se puede apreciar que la separacin es poco mas que una octava. En consecuencia para calcu-
lar f
h
, debemos resolver [61].
2
1
1 1
1
2
2
2
2
1
2
=
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
+
e
e
e
e
h h

2
1 1
2
2
2 2
2
2
1
2 2
1
=
|
|
.
|
\
| +
|
|
.
|
\
| +
e
e e
e
e e
h h

( )( )
2 2
2
2 2
1
2 2
1
2
h h
e e e e e e + + = [a]
( ) 0
2
2
2
1
2
2
2
1
4 4
= + + e e e e e e
h h
[b]
Haciendo el siguiente cambio de variables
2
1
e = x [c]
Introduciendo [c] en [b] nos queda
x
2
+ bx - c = 0 [d]
Donde
b =
2
1
e +
2
2
e ~ 28849 (Meg)
2

c =
2
1
e
2
2
e ~ 83.174400 (Meg)
2

Resolviendo la [d] en x.
Pgina 51 de 60

x = 2114 (Meg)
2
=
2
h
f f
h
= 51 MHz
3.3. Seguidor de Emisor en Alta Frecuencia.
La figura 29.b, modela al seguidor de emisor para valores incremntales en alta frecuencia. No
obstante la presencia de las dos capacidades independientes advierte de una funcin de trans-
ferencia del mismo grado, se demostrar que el efecto de la capacidad asociada a la junta ba-
se-emisor, (C
be
) puede ser despreciado.
Ganancia de tensin.
De fig 29.b se deduce:
v
o
= ( i
b
+ g
m
v
be
)Re = (i
b
+ g
m
i
b
z
p
)Re

p S
0 i
e p m e
0
0
z R
v - v
R z g R
v

+
=
+
= v
) R g (1 R R
R z g R

) z g (1 R R
R z g R

v
v
e m e S
e p m e
p m e S
e p m e
i
0
+ + +
+
=
+ +
+
=
p
z

Teniendo presente las siguientes relaciones:
fe
ie
ib fe ie m
ie e b
ie
p
h
h
h h h g
h sC
h
z
+
= =
+
=
1
; ;
1
'

Se obtiene finalmente la expresin de la FT.

pe
ze
vm
e ie S
e S ie e b
ib e b
ie S
e
v
s
s
A
R h R
R R h C
s
h sC
R h R
R
A
e
e
/ 1
/ 1

) (
1
1

v
v
'
'
'
'
i
0
+
+
=
+ +
+
+
+
(
+ +
~ = [62]
Analizando las resistencias asociadas en la definicin del cero y polo de [62] se deduce que
no sern muy diferentes. En efecto tomando la relacin respectiva
'
'
'
' '
'
) (
) (

) (
e S fe
e
e S fe
ie e S
e S fe
e ie S
e ie S
e S ie
ib
R R h
R
R R h
h R R
R R h
R h R
R h R
R R h
h
+
~
+
+ +
=
+
+ +
=
+ +
+

En la anterior si R
S
es del mismo orden de magnitud que R
e
, la separacin entre ambos ser
escasamente de una octava y habr una marcada cancelacin parcial, si es ms chica (Ej. Re-
sistencia interna del generador (ri) de 50 o 75O ), prcticamente se cancelarn, debido a esto
se concluye que ser el capacitor C
bc
quien generar la frecuencia de corte, cuyo polo depen-
der fundamentalmente del valor de resistencia interna del generador r
i
, debido a que su resis-
tencia asociada es esta, en paralelo con Z
i
( fig 29.b), que es muy elevada en esta configura-
cin.
Pgina 52 de 60

En efecto midiendo la resistencia vista por C
bc
con C
be
= 0, se obtiene:
R
Cbc
=Rs // Z
i
con Z
i
= (h
ie
+ R
e
) , adems R
e
= R
e
(1+h
fe
) >> h
ie
y R
S
= r
i
//R
b

con R
b
>> r
i
Finalmente se puede expresar con una aproximacin razonable a la ganancia presentando un
solo polo.

p
vm v
s
A A
e / 1
1

v
v
i
0
+
= = [63]

Con
'
) (
1
e ie S
e ie S c b
p
R h R
R h R C
+ +
+
~ e [64]

Fig. 29.a

Fig. 29.b

Pgina 53 de 60

Fig. 29.c
3.4. Amplificadores en Cascada.
3.4.1. Anlisis de la Respuesta.
Del anlisis en alta frecuencia de los amplificadores monoetapas se derivan mtodos que per-
miten aproximar la frecuencia superior de corte de una cascada, mediante clculos relativa-
mente simples realizados sobre modelos criteriosamente simplificados y debido a que gene-
ralmente una cadena con acoplamiento capacitivo, raramente supera las dos o tres etapas, es
posible hacerlo manualmente con errores razonables. Adems las conclusiones podrn ser
utilizadas para el diseo de configuraciones que deban satisfacer requisitos de ganancia y an-
cho de banda. Un caso tpico es la conexin de dos etapas idnticas de emisor comn en cas-
cada de Fig.30.a, donde:
R
o
=R
C2
// R
L
y R = R
C1
// R
b2

Figura 30.a
El esquema modelado de (b) muestra la ltima etapa cargada resistivamente, con el efecto
Miller reducido a la entrada a travs de, C
i2
= C
be
+ C
M
,. Esto hace que la primera resulte
cargada con una importante componente capacitiva
,
. En consecuencia las relaciones de trans-
ferencia se resuelven satisfactoriamente considerando el caso de una etapa con carga comple-
ja tratado en la seccin 3.3.4, donde se concluy que la determinacin de la frecuencia de cor-
te se realiza con bastante exactitud a partir del circuito simplificado de Fig.25.En efecto, un
clculo ajustado se realiza resolviendo [ 44 ] o puede aproximarse con error razonable, por el
mtodo de las constantes de tiempo que resulta atractivo por su simplicidad. La aplicacin de
este ltimo conduce al clculo de las resistencias asociadas (Thvenin), a la capacidad total
Q1
ri
Rb1 Ro R
Q2
Vin
vo
io
Pgina 54 de 60

del circuito de entrada y salida, C
i1
y C
i2
de Fig 31 y a partir de all los t respectivos que
definen e
h
.

Fig.30.b
Fig.31

Es importante remarcar que la aproximacin a la frecuencia de corte por suma de las constan-
tes de tiempo ( t
i
~ t
h
) adems de la simplicidad y bajo error permite extender su aplicacin
a casos de anlisis de ms de dos etapas idnticas cuyas conclusines adems sern de gran
ayuda para el diseo de una cascada amplificadora como la que est bajo anlisis.
En efecto este concepto resulta de resolver la expresin [44] que da la solucin completa,
aplicada al circuito de Fig.30.c.

En efecto al ser etapas iguales se cumple que:
C
iL1
= C
IL2
= C
be
+ C
M
y R
o
= R
be1
= R
be2
t
iL1
= t
iL2
= t
1
= 1/ e
1

Con estos parmetros la solucin completa de la expresin [44], conduce a una funcin de
transferencia de polo mltiple.
|
|
.
|
\
|
+
=
|
|
.
|
\
|
+ +
=
2
1
2
1
1
2
1
2
) 1 (
) (
1 2
1
t t t s
A
s s
A A
im
im
[65]
En la anterior es
A
Iim1
= - g
m
R
be
y
e b M e b
i
R C C
' '
) (
1
+
= e
gm vbe1
rb'e
Rbe2
ib
Vb'e1
Ci1
E
Rb1
ri
Ci2
vo
io
Vin
gm vbe2
vbe2
Ro
Rbe1
Cbe+Cm
Cbe+Cm
t1 t2
gm vbe1
rb'e
Rbe2
ib
Vb'e1
Cb'c
Cb'e
E
Rb1
ri
Ci2
vo
io
Rbe1
Vin
gm vbe2
vbe2
Ro
Pgina 55 de 60

El resultado es equivalente a suponer a ambas etapas cargadas resistivamente y generando
cada una la funcin de transferencia de un solo polo, producido por la malla de entrada con
el efecto Miller reducido.

i
i
s
A
s A
e
+
=
1
) (
1 Im

Resolviendo [65] a la frecuencia de corte para n etapas se obtiene:

2
1
1
1
) (
2
1
=
(
(
|
|
.
|
\
|
+
=
n
H
im
h i
A
A
e
e
e
1 2
1
=
n
h
e e [66]

n 1 2 3 4
1
e
e
h

1 0,64 0,51 0,44

El diagrama siguiente resume lo expuesto.

Fig. 31
Si bien los mtodos analizados dan aproximaciones por defecto de la frecuencia de corte, este
ltimo es mas cercano al valor real debido a que resulta de resolver [44], sin despreciar el
trmino de segundo grado en S .
Pgina 56 de 60

3.5. Diseo.
El problema de diseo de amplificadores discretos de banda ancha puede tener soluciones
diversas dependiendo de la aplicacin en particular, no obstante todas buscan aproximaciones
ms o menos simples con procedimientos de prueba y error que tienen hitos que les son co-
munes. En efecto, la seleccin del elemento activo a utilizar, el nmero de etapas mnimo para
satisfacer la ganancia exigida y su coordinacin con el ancho de banda exigido, son compro-
misos ineludibles en cualquier procedimiento que finaliza con la verificacin mediante Soft
y/o Hard. El ejemplo siguiente expone un camino, que utiliza conclusiones simplificativas
derivadas del anlisis realizado en secciones precedentes, particularmente del concepto de
polo mltiple.
Ejemplo E.3.6.
Disear un amplificador en configuracin emisor comn, Fig E-3.6a, con las siguientes carac-
tersticas.
- Ganancia de tensin en la banda de paso 300 > =
i
o
vm
v
v
A
- Acoplamiento Capacitivo
- Ancho de banda B > 12 MHz
- Frecuencia de corte en baja frecuencia f
L
= 1 kHz
- Impedancia del generador de seal r
i
= 300 O
- Impedancia de Carga R
L
= 300 O
- Tensin de Alimentacin A seleccionar

Ro
vo
Q1
ri
Rb1
Vin
io
Rbe
Rc

R
O
= R
C
// R
L

Fig.E.3.6.a

Pgina 57 de 60

La seleccin del transistor se efecta coordinando la banda de frecuencias de trabajo reco-
mendadas por el fabricante, donde el parmetro indicativo ser obviamente el producto
GBW= f
T
, que necesariamente deber ser bastante mayor que el ancho de banda requerido
por el amplificador. Buscando una opcin entre los dos transistores que se utilizan como
ejemplo en este texto resulta favorecido el MPSH10, recomendado para aplicaciones de VHF,
cuyos datos relevantes para esta aplicacin se detallan abajo.

Datos de hoja : f
T
Icq= 4Ma
> 670 MHz >>> f
h
; h
FE
min = 60 ; C
bc
= .7 Pf.
Datos de .Model : h
fe
Typ = 300 C
ejo
= 1.52 Pf.; t
F
=136 pSeg

La hiptesis de etapas iguales implica, R
0
= R
be
e iguales condiciones de polarizacin, la
determinacin del nmero mnimo de ellas se efecta en base a la ganancia requerida en la
banda de paso, que una vez conocida, permite aproximar el ancho de banda de cada una y con
estas la resultante de la configuracin utilizando [66].
Considerando una etapa con carga resistiva pura y el efecto Miller reducido, Fig E-3.6.b se
deduce :

Fig E.3.6.b

R
be
= R
o
=300 O ; C
bc
= .7 Pf
A R g A
O m vm
m 26 I
26mV
I
1s g 300
CQ
CQ
m 1
= = = = =
C
be
= 2Cejo + t
F
g
m
~ 139 pF ;
C
M
= C
bc
(1+g
m
R
O
) =210 Pf.
e b M e b
i
R C C
' '
) (
1
+
= e ~ 9.52 10
6
rps f
h1
~ 1.5 10
6
Hz << 12 MHz.
Obviamente el ancho de banda no satisface debido a que el elevado valor de ganancia requeri-
do, (g
m
), eleva excesivamente la capacidad C
be
y esta reduce consecuentemente el ancho res-
pectivo.

r'be CiL Rb
ri
Vi
Ii
vbe
gm vbe
ic
Ro
vo
io
Rbe
Pgina 58 de 60

Considerando 2 etapas iguales a E-3.6.a:
A R g A
O m vm
m 45 . 1 I ms 60 g 17 300
CQ m 1 1
= ~ ~ = =
Los valores previos son razonablemente ms bajos. A partir del nuevo punto de polarizacin
se deducen los valores de los parmetros restantes del modelo a utilizar.
C
be
= 2Cejo + t
F
g
m
~ 13 pF ;
C
M
= C
bc
(1+g
m
R
O
) =12 .6 pf.
e b M e b
i
R C C
' '
) (
1
+
= e ~ 130 10
6
rps f
h1
~ 20.7 10
6
Hz.
Resultando la frecuencia de corte global para 2 etapas.
f
h
~ f
h1
* .64 ~ 13.3 10
6
Hz.
No obstante este resultado es levemente mayor que el exigido, resulta satisfactorio teniendo en
cuenta que este mtodo de aproximacin da un valor por defecto. Resta verificar por simula-
cin y para ello es necesario completar el clculo de componentes.
Etapa 2.
Malla de salida.
Para satisfacer Ro ~ 300O, se selecciona Rc >> R
L
Rc
2
= 2 kO
Re I
CQ
< 0.1Vcc R
e2
= R
e1
< 357 O 300 O
Con estos valores, V
CEQ
~ 1.8 V.
Malla de entrada :
R
be
= R
c2
// R
b1
// h
ie
= 300O
Tomando R
c1
= R
c2
= 2k y h
ie
= 2.7 kO, se obtiene:
R
b2
= 400O R
1
=535 O R
2
= 1.7 KO
Malla de entrada etapa 1
R
be
= r
i
// R
b1
// h
ie
~ 300O R
b1
~ 5kO R
1
= 6.7 KO R
2
=20 KO
El circuito calculado fue simulado arrojando los siguientes resultados :
A
vm
~ 333 y f
h
~14 MHz
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
3.6. Respuesta en Alta Frecuencia del Amplificador Cascode
Se desprende del anlisis previo y particularmente del ejemplo de diseo de amplificadores
que en la configuracin emisor comn el aumento de ganancia de tensin penaliza severamen-
te el ancho de banda debido al efecto Miller, la configuracin cascode minimiza este efecto
permitiendo obtener altas ganancias con el ancho de banda de la etapa de base comn.
Pgina 59 de 60

Fig. 32.a

Figura 32.b
En la figura 32.c se ha aplicado el teorema de Miller en la primera etapa, considerando que su
impedancia de carga es resistiva pura (1/g
m
), resultando:
c b
m
m c b M
C
g
g C C
' '
2
1
1 ~
|
|
.
|
\
|
+ ~
Se ve que el efecto incrementa dbilmente la capacidad de entrada debido a que Q
1
opera con
ganancia de tensin unitaria.

gm vbe1
rb'e
1/gm
ib
Vb'e1
CiL
E
Rb1
ri
Cic
vo
io
Vin
gm vbe2
vbe2
Ro
Cbc
Rbe
Cbe+Cbc Cbe+2Cbc

Figura 31.c
gm vbe1
rb'e 1/gm
ib
Vb'e1
Cb'c
Cb'e
E
Rb1
ri
Cbe
vo
io
Rbe
Vin
gm vbe2
vbe2
Ro
Cbc
Rbe
Ro
Q2
Q1
ri
Rb1
Vin
vo
io
Pgina 60 de 60

Recordando que en esta configuracin se cumple :
I
CQ1
= I
CQ2
; Q
1
= Q
2
g
m1
= g
m2
= g
m
y h
fe1
= h
fe2
= h
fe

Por inspeccin de la figura anterior se deduce la ganancia de tensin.

|
|
|
|
.
|
\
|
+
+
|
|
|
|
.
|
\
|
+
|
|
|
|
.
|
\
|
+
= =
_ _ _
3 2 1
1/
be iL
i
1/
iC
/ 1
1
1
2
2
R C s 1
R) R/(r

/ C s 1
1

1
) (
e e e
m o c b
o m
i
e b
e b
e b
e b
o
v
g R C s
R g
v
v
v
v
v
v
s A [69]

Donde : R = R
b1
// h
ie
y A
vm
=( g
m
R
o
)( R / (r
i
+ R))

Anlisis de la frecuencia de corte.

c b o
C R
'
1
1
= e ;
T
c b e b
m
C C
g
e e =
+
~
'
2
;
) 2 (
1
' ' '
3
c b e b e b
C C R +
= e ~ e
|
[70]
Las magnitudes involucradas en [70] muestran que f
h
depende fuertemente de la resistencia
interna del generador, tal que:
Si R r
i
>> y Rbe = r
i
// R
b
// h
ie
A
im
~ g
m
R
o
y e
h
~
3
~ e
|
<< e
T
y e
1

En cambio como es frecuente en esta aplicacin
r
i
<< R
b
// h
ie
e
3

Resultando que la frecuencia de corte queda definida generalmente por
1
, con valores supe-
riores a e
|
.
La ganancia de corriente presenta las mismas singularidades que [69], con valor en la banda
de paso igual a
A
im
= g
m
R
be

Electrónica Analógica II - Respuesta en Frecuencia - 2012

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Universidad Nacional de Crdoba

Facultad de Ciencias Exactas, Fsicas y Naturales

), en operacin directa del transistor

), que aparece en paralelo con C

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