Labo5 Transistor

LABORATORIO N 05 - Transistor
Electrnica Industrial
Introduccin
Este informe invita al lector a conocer de una manera concisa el manejo de los transistores como una poderosa herramienta, en el uso electrnico. Adems en este laboratorio se logr ver al transistor BJT, que es de unin bipolar. Se realizar el estudio de las caractersticas de este tipo de transistor. Por ejemplo, sus terminales si son NPN o PNPTambin se tratar muy especficamente los BJT en sus tres modos de operacin: corte, activo y saturacin. En donde el corte, las uniones Emisor-base-Colector-base se encuentran polarizadas inversamente. En modo activo, se usa principalmente como amplificado de seales. En modo de saturacin ambas uniones se encuentran polarizadas inversamente y las corrientes de colector y emisor son mximas.
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Marco Terico
Transistor
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de transferencia). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, etc. El transistor esta compuesto por tres zonas de dopado, como se ve en la figura:
La zona superior es el "Colector", la zona central es la "Base" y la zona inferior es el "Emisor". El Emisor est muy impurificado, la Base tiene una impurificacin muy baja, mientras que el Colector posee una impurificacin intermedia. En este ejemplo concreto el transistor es un dispositivo NPN, aunque tambin podra ser un PNP. En principio es similar a dos diodos Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los diodos, mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos son denominados: "Diodo de emisor y "Diodo de colector"
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Transistor NPN
Estructura de un transistor NPN
Transistor PNP
Estructura de un transistor PNP
Veremos mas adelante como un circuito con un transistor NPN se puede adaptar a PNP. El nombre de estos hace referencia a su construccin como semiconductor.
ZONAS DE TRABAJO
CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor tambin es nula. La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en el Colector. ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente. Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor.
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La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los transistores ya que relaciona la variacin que sufre la corriente de colector para una variacin de la corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de caractersticas, tambin aparece con la denominacin hFE. Se expresa de la siguiente manera: = IC / IB
En resumen:
VCE VRC IC IB VBE Saturacin ~0 ~ VCC Mxima Variable ~ 0,8v Corte ~ VCC ~0 = ICEO lang=EN-GB~ 0 =0 < 0,7v Activa Variable Variable Variable Variable ~ 0,7v
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Observemos los siguientes casos: Caso 1: Zona de Corte
RC VBC RB VCE
VBB
VBE
= = . =
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Caso 2: Zona de Saturacin
= = = = .
= = = +
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Caso 3: Zona Activa
RE
2 . 2 + 1

= =
= .
= =
=
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Datos
Primera Aproximacin: o =
o o o
= = =( )
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o o = = +
Segunda Aproximacin: o o = = + . .
. . . . Adems: =( =(
( ( ( (
= = ) =
) ) )
). )
Resultados
Se realiz la polarizacin inversa, y se obtuvieron los siguientes resultados:
Fuente
1v 3v 5v 6v 8v
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Ampermetro
1 uA 3 uA 5 uA 6 uA 8 uA
Voltmetro
1v 2.99 v 4.99 v 6.01 v 8.01 v
10 v 13 v 14 v 15 v 16 v 17 v 18 v 20 v 21 v 22 v 30 v 31 v 1 739 uA 5.59 mA 6.68 mA 8.44 mA 9.14 mA 10.36 mA 11.58 mA 14.9 mA 15.19 mA 15.48 mA 26.1 mA 28 mA
8.35 v 8.41 v 8.43 v 8.44 v 8.45 v 8.47 v 8.49 v 8.53 v 8.55 v 8.57 v 8.72 v 8.76 v
Nota:
Si colocamos otro diodo en serie, aumenta la tensin en el voltmetro a 12.3 v Si colocamos un puente para que trabaje solo el dio que colocamos al final, ser de 3.9 v ; debido a que se anula la tensin del sistema anterior, y solo mide la tensin del ltimo diodo. Si colocamos un diodo normal, no zener, la tensin aumentar en 0.7 v, en total a 4.7 v aproximadamente ( ste diodo se pone el polarizacin directa, contrario a los otros que estaban en inversa).
Conclusiones y Recomendaciones
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Este laboratorio nos permiti constatar toda la teora base para circuitos que incluyen transistores. Como de manera de inicio vimos el reconocimiento de este dispositivo, nuestra familiarizacin con este; para esto debimos identificar previamente sus terminales saber si era PNP o NPN, y a dems consultar la hoja del fabricante. Como un paso ms avanzado trabajamos en lo que respecta a las diversas maneras de polarizar un transistor para esta prctica utilizamos la polarizacin con una fuente.
Bibliografa
pg. 11
SEDRA, A del; SMITH, Kenneth. Circuitos Microelectrnicos. 5 Ed. McGrawHIll. Mexico 2006. Julio A. Maldonado, NadimeI. Rodrguez. Colaboracin de Ing. Mauricio Pardo. Manual de guas de Laboratorio. ElectrnicaI. Universidad del Norte.
Malvino, Albert. Zbar, Paul. Miller, Michael A. Practicas de electrnica. 7Edicin.
Anexo
Esquema realizado en clase con un Transistor.
pg. 12
Estamos frente al tercer caso, mencionado en la teora.
Esquema armado en el protoboard.
pg. 13
pg. 14

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LABORATORIO N 05 - Transistor

Estructura de un transistor NPN

Estructura de un transistor PNP

Malvino, Albert. Zbar, Paul. Miller, Michael A. Practicas de electrnica. 7Edicin.

Estamos frente al tercer caso, mencionado en la teora.

Esquema armado en el protoboard.

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