Energie portable : autonomie et intgration dans lenvironnement humain.

21-22 mars 2002 - Cachan Journes Electrotechniques du Club EEA ISBN 2-909968-10-3

ELECTRONIQUE DE PUISSANCE BASSE TENSION, HAUT RENDEMENT POUR LES APPLICATIONS PORTABLES
Franois FOREST LEM / Universit Montpellier 2 CC079 Place E. Bataillon 34095 Montpellier cedex 5 Email : forest@univ-montp2.fr
Rsum : L'une des problmatiques de la conception des systmes portables est leur alimentation en nergie. Les batteries d'accumulateurs sont les lments les plus frquemment utiliss pour rpondre cette vidente ncessit mais ne peuvent dlivrer les tensions requises par les diffrentes fonctions prsentes dans ces systmes. Une lectronique de puissance d'interface est alors indispensable dont la structure et les composants doivent tre choisis en adquation avec les particularits du contexte.
Ref 29

1 - Introduction.
Les objets portables lectriques et lectroniques ont envahi depuis longtemps notre univers quotidien, qu'il soit familial ou professionnel. Depuis la montre quartz jusqu' l'ordinateur portable, en passant par l'agenda numrique ou l'appareil photo, tous ces objets ncessitent une source d'nergie, le plus souvent une batterie d'accumulateur basse tension, et une lectronique de conversion. Cette dernire permet de conditionner l'nergie "brute" pour la rendre compatible avec des rcepteurs divers et souvent exigeants en terme de qualit, comme l'lectronique de signal numrique et/ou analogique. L'autonomie est videmment une donne essentielle dans ce contexte et concerne tous les maillons du systme portable. Chacun d'entre eux doit tre conu ou choisi en prenant fortement ce critre en considration, sachant qu'il sera videmment pondr par d'autres critres, dont le principal est quasiment toujours d'ordre conomique. Dans cet environnement "portable", l'lectronique de conversion doit alors tre la fois simple (cot) et efficace (rendement), caractristiques apparemment contradictoires mais qui peuvent tre obtenues par un mlange judicieux de diffrents principes de conversion et par l'utilisation systmatique de techniques d'intgration. Dans cette prsentation, nous nous attacherons surtout au premier aspect, en nous appuyant nanmoins, le cas chant, sur certaines ralits technologiques.

2 - Contexte et contraintes
L'lectronique de conversion se trouve, par principe, l'interface entre les batteries (nous considrerons ici uniquement cette forme de source, largement majoritaire) et l'ensemble des blocs constitutifs du systme portable considr, qui peuvent tre de nature assez diverse : des circuits lectroniques numriques et analogique, des crans, des actionneurs, des claviers, etc Cette situation intermdiaire impose donc, lors de la conception, de bien identifier les exigences amonts et avals. 2.1 - Les sources d'nergie Ce sont donc les batteries d'accumulateurs qui constituent les sources prfrentielles pour une trs grande majorit de systmes. Nous ne rentrerons ici ni dans le dtail des caractristiques des diffrentes familles technologiques, ni dans les motivations du choix de telle ou telle famille dans la conception d'un systme portable. Nous prciserons simplement les points essentiels qui auront un impact sur la conception de l'lectronique de conversion. Rappelons que les deux principales familles utilises le plus couramment dans des applications trs reprsentatives comme le tlphone et l'ordinateur portables, sont les Nickel-MtalHydrure (Ni-MH) et les LithiumIon (Li+). La tension par lment et d'environ 1,2V pour les premiers, 3,6V pour les seconds.

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Par associations de ces lments, on constitue des batteries dont les tensions sont logiquement dans les gammes de celles des rcepteurs alimenter (cf. paragraphe suivant), et sont gnralement comprises entre 2,4V et 15V. Nanmoins, la discrtisation en tension impose par ces lments, en particulier dans le cas du Li+, ne permet pas toujours une adquation optimale sources-rcepteurs et c'est donc l'lectronique de conversion qui aura en charge de raliser la ncessaire adaptation. Un second volet essentiel de l'interaction batteries / lectronique de conversion est la grande fluctuation des tensions dlivres. En simplifiant, on peut considrer que les carts de tension entre les tats chargs et dchargs se situent dans une fourchette de 30% autours de la tension nominale. En aval, les fluctuations admises au niveau des rcepteurs sont plutt de l'ordre de grandeurs de quelques pour cent. L'Electronique devra galement assurer ce second niveau d'adaptation. 2.2 Exigences nergtiques des systmes portables A l'autre extrmit de la chane, les rcepteurs apportent galement leur lot d'exigences et de contraintes. La plupart des systmes portables sont multi-tensions. Par exemple, pas moins de 5 6 niveaux diffrents (avec des niveaux de puissance euxaussi variables) peuvent cohabiter dans un ordinateur portable : CPU DRAM Entres/sorties PCMCIA* BUS GTL ( venir) ECRAN LCD
3V (vers 2V puis 1V)

La plupart des rcepteurs requirent des taux d'ondulation de l'ordre de quelques pour cent. Certains autres, comme les tages analogiques de rception et d'mission RF, peuvent tre encore plus exigeants. L'aspect dynamique concerne les variations brutales des rgimes de charge. Dans les systmes portables, la gestion fonctionnelle de l'nergie est particulirement dveloppe (notons que cette tendance est gnrale dans les circuits numriques complexes). Les fonctions consommatrices d'nergie peuvent tre cycliquement mises en veille ou actives selon les "ncessits du service". Il en rsulte des rgimes de charge pulss auxquels les lignes d'alimentation doivent tre capable de rpondre 2.3 Conversions oprer en fonctions des paramtres amonts et avals Les exigences et contraintes prcdentes vont directement dterminer les caractristiques de base du systme d'alimentation selon une logique qui peut tre rsume par le graphe de la figure 1.
Gamme Caractre de tension Gamme rcepteurs l'alimentation VeM tension Elvateur 1.3Ven batterie Ven Vem 0.7Ven 0 Abaisseur, lvateur

3,3V 5V 12V 1,5V

Polarisation+ < +30V Polarisation- > -30V

Abaisseur Inverseur

Figure 1 : Caractristiques de l'alimentation en

fonction des tensions de source et de rcepteurs

* Personal Computer Memory Card International Association

Pour l'autre exemple typique, celui du tlphone portable, le nombre de voies peut atteindre 3 ou 4, avec des niveaux gnralement compris entre 1,5V et 3,3V. La mise en uvre, dans certains tages RF, de composants AsGa peut ncessiter une polarisation ngative. Par ailleurs, le dispositif d'alimentation doit rpondre des critres de qualit statiques et dynamiques. L'aspect statique est relatif l'amplitude des ondulations rsiduelles de tension.

Ce graphe fait apparatre que, d'une faon gnrale, la chane de conversion sera susceptible de fonctionner dans les trois rgimes de conversion DC-DC, savoir abaisseur, lvateur, inverseur. Il apparat galement que le choix de la tension batterie en regard de la gamme de tension fournir a un impact direct sur la nature du rgime, en particulier du fait de la grande variation de tension entre tat charg et tat dcharg.

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Par exemple, dans le cas simple d'un systme mono-alimentation, si la tension du rcepteur se trouve au milieu de la fourchette de tension batterie, le convertisseur devra tre capable de fonctionner aussi bien en abaisseur qu'en lvateur, si l'on veut exploiter la totalit de la capacit nergtique de la batterie. 2.4- rgimes d'utilisation et efficacit nergtique Comme nous l'avons dj voquer, les rgimes de charge de la chane d'alimentation d'un systme portable sont largement variables. On peut identifier principalement deux formes de rgimes transitoires : les rgimes correspondants aux variations de consommation d'un rcepteur sur sa ligne d'alimentation en fonctionnement normal (processeur, par exemple), les rgimes, fortement caractristiques des systmes portables, qui correspondent la mise en uvre ou l'inhibition d'un fonction gnralement associe une ligne d'alimentation ddie. Inversement, la consommation de la dite-fonction peut tre sensiblement constante lorsqu'elle est active. C'est donc la combinaison de ces deux types de sollicitation que devra rpondre dynamiquement le systme d'alimentation, tout en conservant une bonne efficacit nergtique D'une manire gnrale, on peut considrer qu'une nergie disponible W permettra un systme de supporter n rgimes de charge, caractriss par une puissance Pn, une dure tn, un rendement moyen <n> sur cette dure, avec la relation suivante :

W=

P1 t 1 P 2 t 2 Pn tn + +..+ < 1( t 1) > < 2 ( t 2 ) > < n( tn) > [Eq.1]

Le rendement de toutes les voies d'alimentation doit tre optimal, le rendement d'une voie doit tre optimal sur sa plage d'utilisation, si elle subit des variations importantes de charge. Ces propositions maximalistes doivent videmment tre nuances au cas par cas. Si un rcepteur fonctionne 90% du temps au rgime nominal et le temps restant 10% de ce rgime, l'optimisation du rendement dans ce second cas n'aura pas une grande influence sur l'autonomie lie cette fonction. Inversement, il faut prendre garde ne pas ngliger les rgimes faible charge qui peuvent tre importants sur le plan fonctionnel. Un exemple typique est celui du tlphone portable qui fonctionne selon deux rgimes principaux, l'mission-rception (conversation) et la veille. Le rapport des puissances absorbes dans ces deux modes est de l'ordre de 30 50 (2W crte en conversation, qques 10mW en veille). On serait donc tent d'accorder plus d'importance au rgime le plus "puissant", mais il est fonctionnellement aussi important d'optimaliser l'autonomie en veille que l'autonomie en mission-rception. Il faut donc que le rendement nergtique soit bon dans les deux cas. Sans rentrer plus dans le dtail, on sent bien que les diffrentes considrations qui prcdent tendent promouvoir des chanes d'alimentations distribues, dans lesquelles chaque fonction principale du systme portable possde sa propre voie, optimalise pour son mode de fonctionnement. Si les contraintes conomiques limitent fatalement l'ampleur de cette distribution, elle n'en demeure pas moins une tendance de base dans ces systmes portables.

Note : Le rendement moyen est l'intgrale sur la dure considr du rendement instantan qui, nous le verrons plus loin, peut varier au cours du temps avec la tension dlivre par les batteries.

3- Les principes utilisables

Diffrents principes de conversion peuvent rpondre, pour tout ou partie, aux exigences listes dans la partie prcdente. Pour les familles que nous prsenteront rapidement ici, nous insisterons essentiellement sur la nature de la conversion possible (caractres abaisseur, lvateur, inverseur) et sur les performances nergtiques potentielles. Nous donnerons galement quelques lments sur les performances dynamiques. Le premier et srement le plus ancien de ces principes correspond une conversion linaire utilisant les proprits d'amplification de composants semi-conducteurs.
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Pour un rgime unique, l'autonomie s'crit simplement : W < ( t ) > t = P Il apparat de faon vidente que l'optimisation de l'autonomie passe par la maximalisation du rendement de conversion. Dans le cas gnral [Eq.1], ce sont tous des rendements qui doivent tre maximaliss, ce qui conduit aux observations brutes suivantes :

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3.1 - Les convertisseurs linaires Principe Le schma de principe d'un convertisseur linaire et ses variantes sont indiqus figure 2.

Si l'on suppose que Vs Vem, la valeur initiale du rendement est donc mauvaise (50%) mais il crot au fur et mesure de la dcharge de la batterie (figure 3). C'est donc sa valeur moyenne sur la dure de dcharge td qui importe. En admettant que la dcharge est linaire, le rendement moyen s'crit :
td

< >=
ve vs Is Is ve vs

k 1 (1 k) t td

dt =

k ln k 1 k

Figure 2 : Convertisseurs linaires Ces structures sont obligatoirement abaisseuses et non inverseuses, donc : ve > vs > 0 La diffrence des tensions d'entre et de sortie est absorbe par le composant de puissance fonctionnant en rgime linaire. Caractristiques Dans ce principe, le rendement s'exprime trs simplement :
vs = ve

avec k = vs/VeM La figure 4 montre l'volution de ce rendement moyen en fonction du rapport k. On constate que, pour k = 0,5, il atteint une valeur de 70%, ce qui est tout fait admissible dans un systme portable conomique ou dans une voie auxiliaire d'un systme distribu. Ces convertisseurs linaires sont utiliss pour des puissances de quelques 100mW quelques W.
1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 vs/VeM 1

Une alimentation linaire peut donc prsenter un bon rendement, pour peu que l'cart entre-sortie soit faible. Il sera limit, en valeur infrieure, par la tension minimale en conduction du composant de puissance (cf. ciaprs). La difficult est que la tension batterie minimale doit tre ici suprieure la tension de sortie (suppose constante), si bien que la valeur maximale VeM peut atteindre prs de deux fois celle de la tension de sortie, dans le cas d'une variation de 30% (cf. figure 3).
VeM 1.3Ven Ven Vem 0.7Ven Vs 0 td 1

Rendement moyen

Figure 4 : rendement moyen Sur le plan des performances dynamiques, les alimentations linaires ont, par principe, un excellent comportement. Ceci est d'autant plus vrai avec des composants basse tension dont la frquence de transition est leve. Composants Les composants utiliss ici doivent prsenter une faible chute de tension directe. Les transistors bipolaires sont relativement limits de ce point de vue et l'on ne peut esprer obtenir des tensions de saturation infrieures 300mV. Les transistors MOSFET permettent d'atteindre des niveaux beaucoup plus faibles, de l'ordre de 100mV. Par ailleurs, dans le cas des transistors bipolaires NPN ou MOSFET canal N, il n'est pas possible d'exploiter ces faibles chutes de tension car la tension de commande (vbe ou vgs) "s'intercale" entre Ve et Vs.

ve 0.5

Figure 3 : Batterie et convertisseur linaire

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3.2 - Les convertisseurs dcoupage Principe Les convertisseurs dcoupage sont maintenant bien connus et universellement utiliss des niveaux de puissance trs variables. Dans le contexte qui nous proccupe, ces convertisseurs sont trs rarement utiliss dans des versions isoles (avec transformateur). En effet, aucun isolement de scurit n'est requis car nous sommes en trs basse tension, et le besoin d'une adaptation d'impdance ne se fait pas vraiment sentir, les tensions d'entre et de sortie tant proches. Nous nous en tiendrons donc une prsentation des structures nonisoles.

Les principales structures reprsentatives de cette famille sont reprsentes figure 5. Cette "panoplie" permet de raliser thoriquement n'importe quel type de conversion. Nous avons fait figurer, en regard du schma, la relation entre-sortie en rgime continu et la valeur maximale VTM de la tension aux bornes du transistor, valeur qui aura son importance dans l'analyse nergtique. est le rapport cyclique, c'est--dire le rapport entre le temps de conduction de l'interrupteur et la priode de dcoupage suppose constante dans cette partie.

Is ve ve

Is

vs

vs

Vs = Ve

VTM = Ve

Vs 1 = Ve 1

VTM = Vs

a - hacheur abaisseur (Buck)

b - hacheur lvateur (Boost)

Is ve

vs

Vs = Ve 1

VTM = Ve + Vs

c - hacheur stockage inductif abaisseur-lvateur-inverseur (Buck-Boost)

Is ve ve

Is

vs

vs

Vs = Ve 1

VTM = Ve + Vs

Vs = Ve 1

VTM = Ve + Vs

d - hacheur stockage capacitif abaisseur-lvateur-inverseur (Cuk)

e - hacheur stockage capacitif abaisseur-lvateur(Sepic)

Figure 5 : Structures des convertisseurs dcoupage non-isols

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0.95 0.9 0.85

Rendement

0.8 0.75 0.7

VTM = Vs VTM = 2Vs VTM =3Vs

0.65 0.6 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

Is/Isn

Figure 6 : Forme du rendement dans une structure dcoupage Les systmes dcoupage exploitent les composants de puissance en commutation, ce qui limine thoriquement l'inconvnient des systmes linaires. Ils doivent alors inclure des filtres et des composants de stockage pour liminer les effets harmoniques indsirables. Les diffrentes topologies de la figure 5 sont finalement trs similaires dans la mesure ou elles utilisent le mme couple composant actifdiode et diffrents composants L, C. Globalement, le dcoupage reste relativement coteux, du fait de la prsence de ces filtres. Caractristiques Si intrinsquement le rendement nergtique des systmes dcoupage est bon, ils sont nanmoins le sige de pertes qui peuvent tre significatives. Ce rendement, selon une approche assez approximative mais gnrale, peut s'exprimer de la faon suivante :
VsIs

=
VsIs + aF
x VT

+ bF
x VT.Is

+c
x Is

+d
x Is

Effets capacitifs commutation Conduction seuil Conduction resistive

Avec : F, frquence de dcoupage a, b, c d, coefficients dpendants de la structure et des caractristiques des composants,

Le dnominateur de cette expression fait naturellement apparatre les principales pertes caractristiques du dcoupage : les pertes lies l'excitation des capacits parasites, en particulier celles des composants semi-conducteurs. En considrant que ces capacits peuvent tre regroupes dans une capacit quivalente aux bornes du transistor, on obtient un terme en F.VT. les pertes par commutation lies au performances dynamiques des composants semi-conducteurs, proportionnelles F et au produit VT.Is. les pertes par conduction proportionnelles Is lorsqu'il y a prsence d'un seuil (diodes), Is pour les effets rsistifs (MOSFET, connexions, bobinages). Les diffrents coefficients dpendent de la structure utilise et de la technologie des composants. Les effets capacitifs demeurent, indpendamment du courant de charge, partir du moment ou il y a dcoupage. Le rendement tend donc vers 0 faible charge. L'existence de ces diffrentes pertes conduit des courbes de rendement qui ont l'allure qualitative de la figure 6, frquence donne. Vers les faible charges, le rendement dpend des capacits parasites mais galement de VT. A tension d'entre donne, les structures c, d, e seront dsavantages dans ces rgimes (VT = Ve + Vs). De la mme faon, les pertes par commutation y seront plus leves.

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Les pertes en conduction dterminent largement le rendement maximal et dpendent des caractristiques des composants actifs et passifs. Compte tenu des exigences dynamiques du contexte, les alimentations dcoupages fonctionnent ici des frquences leves, comprises entre 300kHz et 1Mhz. Malgr cela, on atteint des rendement maximaux proches de 95%, dus essentiellement aux performances des composants semi-conducteurs et ce, pour des puissances pouvant atteindre plusieurs dizaines de watt. Composants Pour atteindre les performances prcdentes, les composants utiliss doivent prsenter de faibles chutes de tension l'tat passant et de faibles capacits parasites, relativement la puissance convertir. Le transistor MOSFET rgne en matre dans ce contexte. Des composants sont dvelopps spcifiquement pour ces applications, caractriss par de faibles tenues en tension (30V) et de faibles Rdson (de 10 100m). Leur grille prsente un faible niveau de seuil (dit "logic level", environ 1V), ce qui permet leur commande dans l'environnement basse tension dont il est question ici. Ce faible niveau de commande permet galement de minimiser l'nergie perdue dans la commande qui pourrait devenir significative, compte tenu des fortes valeurs de capacit Cgs et des frquences de travail. Enfin, lorsqu'ils ne sont pas directement intgrs dans un circuit contenant toutes les fonctions de l'alimentation, un conditionnement en boitiers "CMS" les rend bien adapts une insertion dans les structures "planes" des systmes portables. Les diodes utiliss dans ces structures sont gnralement des schottky dont les chutes de tension peuvent atteindre 0,2 0,3V. Elles tendent de plus en plus tre remplaces par les transistors MOSFET prcdents, utiliss en redresseurs synchrones et qui permettent d'obtenir des seuils beaucoup plus bas. Ceci est couramment mis en application dans les hacheurs abaisseurs conformment au schma de la figure 7. Nous ne pouvons voquer ici toutes les finesses de la commutation d'un redresseur synchrone (ici T2), en particulier en haute frquence.

T1 ve

Is

T2

vs

Conduction naturelle

Cde T1 Cde T2

t t

Figure 7 : Redresseur synchrone dans

un hacheur abaisseur

Disons simplement que la diode intrinsque du MOSFET T2 permet un fonctionnement normal du hacheur (roue libre) sur la base duquel on commande le canal dans une fentre correspondant la conduction naturelle de cette diode. Il est alors parcouru en inverse par le courant de charge, ce qui ne pose pas de problme compte tenu de sa nature bidirectionnelle. Pour tre maximalement efficace, le redresseur synchrone doit conduire pendant une dure la plus proche possible de la dure de conduction naturelle, sans tomber dans le dfaut de conduction simultane avec T 1. Les autres composants sensibles sont les inductances prsentes dans ces montages. Les frquences et tensions de travail font que leur valeur est gnralement faible, de l'ordre de quelques H. Les technologies toriques et planar sont les plus couramment utilises. 3.3 - Les convertisseurs transfert de charge Principe Ces dispositifs, gnralement beaucoup moins connus, rsultent, d'une certaine faon, de l'application d'un mlange des principes prcdents, dans la mesure ou ils fonctionnent en commutation mais avec un mode de conversion intrinsquement dissipatif. Leur mcanisme de conversion est simple et peut tre aisment dcrit l'aide du schma de principe de la figure 8-a. Un jeu d'interrupteurs (fonctionnellement, deux d'entre eux peuvent tre des diodes) permet de charger un condensateur de transfert par l'intermdiaire de la source (K1-K4) puis de connecter ce condensateur en srie avec la source (K2-K3) pour alimenter la sortie sur laquelle est plac un condensateur de stockage.

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Cette squence est opre frquence fixe avec un rapport cyclique de charge-dcharge ajustable, qui constitue le moyen de rglage. Cette structure permet thoriquement d'atteindre la tension 2Ve. Les cycles de charge-dcharge s'opre travers la rsistance dynamique des interrupteurs, que nous avons reprsente de faon localise sur la figure 8-a, et sont donc dissipatifs. Le mme principe peut tre appliqu pour raliser un montage inverseur (figure 8-b) en connectant alternativement le condensateur de transfert la source et au rcepteur (Vs = Ve). Un montage deux voies (figure 8-c) peut facilement tre obtenu par juxtaposition des deux prcdents. Enfin, l'association de n tages permet d'obtenir une structure lvatrice dlivrant nVe (figure 8-d) ou inverseuse dlivrant (1n)Ve.
R ie ve vs iCT Is CT

Caractristiques Le schma de la figure 8-a permet, en supposant les interrupteurs parfaits (mais en introduisant une rsistance localise) et en ngligeant les ondulations de tension aux bornes des condensateurs, de dterminer simplement les caractristiques de fonctionnement en rgime permanent. Les formes du courant dans la source et dans le condensateur de transfert sont reprsentes figure 9. Par ailleurs, La tension de sortie s'exprime :

X Vs = Ve 2 [Eq.2] 2(1 )
avec X = 2RIs/Ve

ve

vs

a - Structure lvatrice 1 tage

b - Structure inverseuse 1 tage

ve vs1

v s2

c - Structure deux sorties, lvatrice et inverseuse

Is ve

vs

d - Structure lvatrice n tages

Figure 8 : Structures transfert de charge

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iCT T ie

s/ (1- )T s/1 2s t t

Figure 10 : Courants dans une structure transfert

de charge

Enfin, l'expression du rendement est : X 4 (1 ) = X 1+ 4 (1 ) 1

Ces structures ncessitent, de toute faon, un nombre important d'interrupteurs. Leur utilisation se cantonne donc aux faibles puissances (quelques 100mW) lorsque il y a ncessit d'lever ou d'inverser la tension sur une voie auxiliaire. Le nombre d'tage est gnralement limit deux, sachant qu'il est tout fait possible de moduler le nombre d'tage en fonction (en utilisant uniquement des interrupteurs actifs) pour s'adapter plus efficacement aux variations de tension d'entre. Le rendement volue approximativement entre 60 et 80%. Il faut souligner que l'absence de composant inductif est un gros atout dans le cas de l'intgration et de la ralisation. Composants Comme nous venons de l'indiquer, ce principe de conversion est "gourmand" en composants. Il n'est viable qu'en passant par une intgration quasi-complte de la fonction avec des technologies effet de champ, fonction intgre sur laquelle on vient connecter les diffrents condensateurs de transfert et de stockage. 3.4 - Courants de repos Il faut prciser que, dans toutes les solutions que nous venons de dcrire, la commande ncessite des courants de polarisation qui participent donc la gnration de pertes vide. Ces courants sont gnralement minimiss (quelques 10 100A) mais il faut ventuellement y prendre garde dans les fonctionnements faible charge.

[Eq.3]

L'quation 2 fait bien apparatre le caractre dissipatif du principe puisque le rglage via agit sur un terme rsistif. L'volution du rendement en fonction du courant de sortie normalis et de est donn figure 10. On constate que l'on peut obtenir des rendements tout fait honorables condition de placer le rgime de charge loin du courant de court-circuit et de rester proche du rglage = 0,5. Malheureusement, ce rendement chute trs rapidement lorsque l'on s'loigne de ce point optimal sur lequel il est difficile de se placer puisqu'il correspond un rapport entier entre entre et sortie.
1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 2R.Is/Ve 1 Rendement

alpha = 0.1 alpha = 0.2 alpha = 0.5

4- Associations des diffrents principes - structures des systmes

Nous avons donc pass en revue les diffrents principes susceptibles de rpondre aux attentes de la conversion d'nergie portable, en essayant d'indiquer quelques tendances. Il est trs difficile de donner ici des exemples prcis et gnriques de systmes d'alimentation complet, d'abord parce leurs formes sont trs varies, ensuite parce que des donnes prcises ne sont gure accessibles. Nous pouvons nanmoins rsumer ici les directions gnrales de la conception de ces systmes d'alimentation.

Figure 10 : rendement d'une structure transfert

de charge

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Les exigences multi-voies des systmes portables requirent d'associer, la plupart du temps, les diffrents principes prcdents. Les techniques linaires ou transfert de charge sont logiquement rserves au faibles puissances (quelques 10 100mW) tandis que le dcoupage intervient plutt dans la gamme du W quelques 10W. Pour rendre ces systmes conomiquement viables et compatibles avec les technologies portables, l'intgration est systmatiquement utilise. Pour les faibles puissances, les circuits correspondant intgrent toutes les fonctions semi-conducteurs, tandis qu'en plus forte puissance, ils contiennent les lements de commande et de contrle, les composants principaux devant tre rajouts. Tous les composants passifs, condensateurs et inductances restent externes. Pour ces derniers, leur technologie doit s'accorder avec l'implantation "CMS", logiquement gnralise dans ce contexte. Certains des circuits proposs par les fondeurs spcialiss dans ce domaine sont multi-voies et intgrent tout ou partie des principes prsents. En faible puissance, le mlange linaire / transfert de charge est assez rpandu. On trouve galement communment l'association dcoupage / linaire. L'exemple de la figure 11 montre un cas pouss l'extrme de cette juxtaposition.

(tension de sortie incluse dans la gamme de tension d'entre). Notons que ce schma permet de dconnecter compltement le rcepteur de la source par inhibition de T2 (veille de la fonction). Ceci est d'ailleurs gnralisable aux convertisseurs linaires et certains convertisseurs dcoupage. Un second exemple d'association inhabituelle est celui de la figure 12.
T1

ve

vs1

T2

vs2

Figure 12 : Association de structures

dcoupage

Is T2 ve T1 vs

Ce montage permet d'imbriquer un hacheur lvateur et un hacheur inverseur avec une inductance unique. Nous ne dtaillerons pas le fonctionnement de l'ensemble, rendu un peu compliqu par l'interdpendance des deux tages, mais il faut souligner l'intrt de ce type de montage dans un contexte o les inductances sont encore plus indsirables qu' l'accoutum.

5 - Conclusion
Nous avons donc tent de faire ici une synthse rapide de la conversion lectrique dans les sytmes portables. Il apparat que, sur cet aspect, l'explosion du march n'a pas entran de rvolution conceptuelle mais plutt une adaptation de principes connus de longue date. Il s'avre finalement que la relative adquation entre les tensions des sources et des rcepteurs permet d'obtenir d'excellents rsultats avec des structures simples. Le choix rflchi des architectures d'alimentation partir des principes existants, l'optimisation de composants de puissance basse tension, l'intgration gnralise, l'introduction de composants passifs planar sont les vritables leviers de l'volution dans ce domaine.

Figure 11 : Mlange dcoupage/linaire Cette structure peut fonctionner aussi bien en dcoupage qu'en linaire. Dans le premier cas, on a affaire une structure lvatrice (Boost), dans laquelle la diode de sortie est remplace par un redresseur synchrone bipolaire (T2). Le passage dans le second mode est obtenu par blocage de T1 et commande en rgime linaire de T2, l'inductance d'entre tant parcourue par un courant continu. On est alors en rgime abaisseur. Cette astucieuse association permet d'obtenir un convertisseur remarquablement simple et bien adapt aux grandes fuctuations de tension batteries

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