UNIVERSIDADE TCNICA DE LISBOA INSTITUTO SUPERIOR TCNICO

DEEC / Seco de Energia

Energias Renovveis e Produo Descentralizada

INTRODUO ENERGIA FOTOVOLTAICA

Rui M.G. Castro

Maio de 2007 (edio 2)

BREVE NOTA BIOGRFICA DO AUTOR

Rui Castro recebeu em 1985, 1989 e 1994 no Instituto Superior Tcnico da Universidade Tcnica de Lisboa os graus de Licenciado, Mestre e Doutor em Engenharia Electrotcnica e de Computadores, respectivamente. docente do Instituto Superior Tcnico desde 1985, sendo presentemente Professor Auxiliar na rea Cientfica de Energia do Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores. Os seus principais interesses cientficos tm motivado uma actividade de investigao centrada na rea das energias renovveis e na sua interligao com o sistema de energia elctrica, na rea da anlise da dinmica dos sistemas de energia elctrica e do seu controlo, e, mais recentemente, em aspectos relacionados com a economia da energia elctrica. Complementarmente actividade de investigao, tem tido uma actividade regular de prestao de servios sociedade no mbito de projectos de consultoria tcnica. Publicou mais de cinco dezenas de artigos em conferncias nacionais e internacionais e participou na elaborao de mais de trs dezenas de relatrios de actividades desenvolvidas no mbito de projectos em que esteve envolvido. autor de diversas publicaes de ndole pedaggica, designadamente de uma coleco sobre Energias Renovveis e Produo Descentralizada. Rui Castro rcastro@ist.utl.pt http://energia.ist.utl.pt/ruicastro
Foto da capa: Central fotovoltaica de Serpa (11 MWp) inaugurada em Maro de 2007.

NDICE

1. INTRODUO
1.1. Aplicaes de Mdia Potncia 1.2. Situao do Fotovoltaico no Mundo e em Portugal 1.3. Custos

5
6 8 11

2. CLULA FOTOVOLTAICA
2.1. Estrutura Microscpica 2.2. Estrutura Macroscpica 2.3. Modelo Matemtico 2.3.1. Estabelecimento do modelo 2.3.2. Comparao com resultados experimentais 2.3.3. Condies de referncia 2.3.4. Potncia elctrica e rendimento 2.3.5. Desenvolvimento do modelo e aplicao 2.3.6. Influncia da temperatura e da radiao incidente 2.3.7. Introduo ao modelo detalhado 2.4. Tipos de Clulas

16
16 18 19 19 22 23 23 25 29 35 36

3. MDULOS E PAINIS 4. APLICAES LIGADAS REDE

4.1. Potncia Mxima Modelo Simplificado 4.2. Seguidor de Potncia Mxima (MPPT) 4.3. Inversor 4.4. Radiao e Temperatura 4.4.1. Radiao 4.4.2. Temperatura

38 45
45 47 47 48 48 51

4.5. Estimativa da Energia Produzida 4.6. Estimativa Rpida da Energia Produzida

53 56

5. ANEXO 6. REFERNCIAS

59 61

Introduo

1.

INTRODUO

As clulas fotovoltaicas so constitudas por um material semicondutor o silcio ao qual so adicionadas substncias, ditas dopantes, de modo a criar um meio adequado ao estabelecimento do efeito fotovoltaico, isto , converso directa da potncia associada radiao solar em potncia elctrica DC. A clula o elemento mais pequeno do sistema fotovoltaico, produzindo tipicamente potncias elctricas da ordem de 1,5 Wp1 (correspondentes a uma tenso de 0,5 V e uma corrente de 3 A). Para obter potncias maiores, as clulas so ligadas em srie e/ou em paralelo, formando mdulos (tipicamente com potncias da ordem de 50 a 100 Wp) e painis fotovoltaicos (com potncias superiores). Hoje em dia, os sistemas fotovoltaicos so usados num conjunto vasto de aplicaes, de que se destacam: Aplicaes de mdia potncia (dezenas ou centenas de quilowatt) - Electrificao rural: abastecimento de cargas domsticas em locais remotos sem rede, bombagem de gua e irrigao, complemento de abastecimento de locais remotos com ou sem rede - Produo descentralizada ligada rede Aplicaes de pequena potncia (dcimas ou unidades de quilowatt) - Relgios e calculadoras - Acessrios de veculos automveis, por exemplo, alimentao de ventoinhas para refrigerao de automveis estacionados, ou carregamento de baterias em veculos de campismo - Sinais rodovirios (mveis e estticos) e parqumetros

Wp significa Watt-pico unidade que mede a potncia de pico, potncia mxima nas condies de referncia, isto , radiao incidente igual a 1.000 W/m2 e temperatura da clula de 25 C (ver Captulo 2).

Introduo

6 - Telefones de emergncia, transmissores de TV e de telemvel - Frigorficos mdicos em locais remotos

Em muitas destas aplicaes, os sistemas fotovoltaicos substituem com vantagem outros meios de produo alternativos, designadamente nas aplicaes de pequena potncia, onde a sua difuso muito significativa. Por outro lado, foi por intermdio da indstria espacial, onde a vantagem competitiva dos sistemas fotovoltaicos significativa, que estes iniciaram o seu desenvolvimento.

1.1.

APLICAES DE MDIA POTNCIA

As aplicaes de mdia potncia (entre as dezenas e as centenas de quilowattpico) so aquelas que naturalmente mais interessam aos engenheiros electrotcnicos. Os sistemas fotovoltaicos, sozinhos ou em associao com outras renovveis, so j competitivos para alimentao de certos locais remotos onde as solues alternativas convencionais gerador diesel ou rede elctrica so claramente inferiores do ponto de vista econmico e apresentam inconvenientes ambientais no neglicenciveis. J no modo de funcionamento em produo descentralizada ligada rede de energia elctrica, a situao completamente diferente: os sistemas fotovoltaicos esto ainda longe de ser competitivos, quer com as fontes de produo convencionais, quer principalmente com outras energias renovveis. O elevado investimento e a baixa utilizao anual da potncia instalada so as principais razes para a fraca penetrao que se verifica nos sistemas ligados rede. Em aplicaes de mdia potncia, os painis fotovoltaicos podem ser operados principalmente de trs formas: Ligados rede de energia elctrica, qual entregam toda a energia que a radiao solar lhes permite produzir; para este efeito necessrio um inversor que serve de elemento de interface entre o painel e a rede, de modo a adequar as formas de onda das grandezas elctricas DC do painel s formas de onda AC exigidas pela rede.

Introduo

7 Em sistema isolado, alimentando directamente cargas; neste modo de funcionamento, o critrio de dimensionamento a radiao disponvel no ms com menos sol, uma vez que necessrio assegurar o abastecimento durante todo o ano; em associao com os colectores fotovoltaicos ainda necessrio dispor de: - Baterias, de modo a assegurar o abastecimento nos perodos em que o recurso insuficiente ou no est disponvel; as baterias so carregadas quando o recurso disponvel permite obter uma potncia superior potncia de carga. - Regulador de carga, que efectua a gesto da carga por forma a obter perfis compatveis com a radiao disponvel e com a capacidade das baterias. - Inversor, requerido se houver cargas alimentadas em AC.

Em sistema hbrido, alimentando directamente cargas isoladas, em conjunto com outros conversores de energias renovveis, por exemplo, o elico; neste modo de operao os dispositivos requeridos so os mencionados para o funcionamento em sistema isolado, podendo existir tambm um meio de produo convencional, geralmente o gerador diesel, para apoio e reserva.

Problema FV 1. Portugal consumiu em 2006 cerca de 50 TWh de energia elctrica. Admita que: 1) os painis fotovoltaicos tm um rendimento mdio de 10% e so colocados em Lisboa; 2) a radiao global mdia anual recebida em Lisboa de 1.750 kWh/m2; 3) a energia anualmente recebida do sol nunca menor do que 90% da que recebida em ano mdio; 4) o terreno ocupado pelo conjunto das instalaes o dobro da rea til dos painis. Calcule: a) a rea de terreno necessria para, usando painis fotovoltaicos, fornecer toda a energia elctrica consumida em Portugal em 2006; b) a potncia total a instalar em painis fotovoltaicos. Soluo: a) A = 634,92 km2 b) Pp = 31,75 GWp

Introduo

Problema FV 2. Para fornecer gua a uma aldeia necessrio elevar, diariamente, 20 m3 de gua a 15 m. Pretendese estudar a soluo fotovoltaica em dois locais: vora e Sul do Egipto. Sabe-se que: 1) o rendimento mdio do sistema de elevao 60%; 2) o rendimento mdio da converso fotovoltaica 10%; 3) no h regularizao com baterias; 4) as energias incidentes (mxima e mnima) so: vora Sul do Egipto 180 kWh/m2 (Agosto) 274 kWh/m2 (Maio) 108 kWh/m2 (Janeiro) 228 kWh/m2 (Dezembro)

Para cada um destes dois casos, calcule: a) a superfcie dos painis a instalar; b) a potncia de pico dos painis. Soluo: a) vora: A = 3,78 m2, Pp = 378 Wp b) Sul do Egipto: A = 1,79 m2, Pp = 179 Wp

1.2.

SITUAO DO FOTOVOLTAICO NO MUNDO E EM PORTUGAL

A situao dos sistemas fotovoltaicos no mundo, no que diz respeito a potncia total instalada e a custos indicativos, pode ser avaliada atravs de dados estatsticos publicados pela Agncia Internacional de Energia (AIE) [IEA-PVPS]. A AIE organiza os dados que publica de acordo com a seguinte classificao para os sistemas fotovoltaicos: Off-grid domestic (sistemas isolados domsticos): sistemas que fornecem energia elctrica para iluminao, refrigerao e outras pequenas cargas em locais isolados. Off-grid non-domestic (sistemas isolados domsticos): sistemas que fornecem energia elctrica a servios, tais como, telecomunicaes, bombagem de gua, frigorficos mdicos, ajuda navegao area e martima, estaes de recolha de dados meteorolgicos.

Introduo

9 Grid-connected distributed (sistemas distribudos ligados rede): sistemas que fornecem energia elctrica a edifcios (comerciais ou industriais) ou outras cargas que tambm esto ligadas rede, para onde a energia em excesso enviada. A potncia tpica para este tipo de aplicaes varia entre 0,5 kW e 100 kW.

Grid-connected centralized (sistemas centralizados ligados rede): sistemas que fornecem exclusivamente energia elctrica rede.

Pode observar-se no Quadro 1 que nos pases do IEA-PVPS a potncia total instalada em sistemas fotovoltaicos ascendia no final de 2005 a quase 3.700 MWp. Infelizmente, estes dados no incluem a situao em Portugal.
Quadro 1 Potncia instalada cumulativa em sistemas fotovoltaicos nos pases da IEA-PVPS no final de 2005 [IEA-PVPS].

Table 1: Cumulative installed PV power as of the end of 2005

Table downloaded from the IEA-PVPS website, http://www.iea-pvps.org
Data may be reproduced with acknowledgement to the IEA Photovoltaic Power Systems Programme

Country

Cumulative off-grid PV capacity

Cumulative grid-connected PV capacity

Total installed PV power [kW]

Total installed per capita [W/Capita]

PV power installed in 2005 [kW]

AUS AUT CAN CHE DEU DNK ESP FRA GBR ISR ITA JPN KOR MEX NLD NOR SWE USA Estimated total
Notes:

[kW] Domestic Nondomestic 8.768 33.073 2.895 5.903 9.719 2.930 320 29.000 70 225 15.800 13.844 6.232 227 697 809 210 5.300 7.000 1.148 85.909 853 4.810 14.476 4.178 4.919 6.800 377 3.350 633 100.000 133.000 202.276 311.199

[kW] Distributed Centralized 6.860 1.880 19.973 1.153 1.059 65 21.240 2.560 1.400.000 2.355 0 41.600 12.967 0 9.953 0 11 14 8.500 6.700 1.331.951 2.900 8.028 1.330 40 0 43.377 2.480 75 0 254 0 219.000 27.000 3.022.416 160.909

Gridconnected PV power installed in 2005 [kW]

60.581 24.021 16.746 27.050 1.429.000 2.650 57.400 33.043 10.877 1.044 37.500 1.421.908 15.021 18.694 50.776 7.252 4.237 479.000 3.696.800

2,97 2,93 0,52 3,66 17,32 0,49 1,32 0,54 0,18 0,15 0,64 11,13 0,31 0,17 3,12 1,58 0,47 1,62

8.280 2.961 2.862 3.950 635.000 360 20.400 7.020 2.732 158 6.800 289.917 6.487 513 1.697 362 371 103.000 1.092.851

1.980 2.711 612 3.800 632.000 320 18.600 5.900 2.567 2 6.500 287.105 6.183 30 1.547 0 0 70.000 1.039.917

Portugal not included. ISO country codes are outlined in Table 12 Some countries are experiencing difficulties in estimating and/or apportioning off-grid domestic and non-domestic; in some markets the distinction between grid-connected distributed and centralized is no longer clear (eg MW scale plant in the urban environment), and mini-grids using PV are also emerging, with other problems of definition. Where definition has not been made in a national report this is shown in this table, however the totals have been estimated using the most recently available ratio from the national reports applied to the current national data.

Pode observar-se a clara predominncia da Alemanha e do Japo com cerca de 1.400 MWp instalados cada um.

Introduo

10

As aplicaes ligadas rede tm vindo a ganhar cada vez mais importncia, como se pode verificar na Figura 1: no final de 2005 este tipo de aplicaes representava mais de 80% do total das instalaes fotovoltaicas.

Figura 1 Repartio percentual entre as aplicaes isoladas e as aplicaes ligadas rede nos pases da IEA-PVPS no final de 2005 [IEA-PVPS]

Em relao situao em Portugal, as ltimas estatsticas nacionais conhecidas apontavam para cerca de 2,6 MWp de potncia total instalada no final de 2004. Em Maro de 2007 foi inaugurada em Brinches, concelho de Serpa, uma central fotovoltaica de 11 MWp, com 52.000 mdulos dispostos ao longo de uma rea de 60 ha (600.000 m2), dos quais os painis ocupam cerca de metade. Com esta central, a potncia fotovoltaica actualmente instalada em Portugal situa-se em cerca de 13,5 MWp. No final de 2007 / incio de 2008 est prevista a entrada em operao da central da Amareleja, concelho de Moura. Esta central ter instalados 62 MWp, num total de 350 mil mdulos, ocupando uma rea de 114 ha. Segundo a DirecoGeral de Geologia e Energia, foram j aprovados pedidos de informao prvia que totalizam cerca de 128 MWp, o que o que praticamente esgota a meta de 150 MWp estabelecida pelo Governo para o horizonte temporal de 2010. De entre as instalaes j aprovadas merecem destaque, para alm de Moura, Ourique (2 MWp), Albufeira (10 MWp), Lisboa (6 MWp) e Freixo de Espada Cinta (2 MWp).

Introduo

11

1.3.

CUSTOS

O custo de investimento de sistemas fotovoltaicos normalmente referido em custo por watt de pico (/Wp, por exemplo). O custo inclui tanto os mdulos propriamente ditos, como os dispositivos de interface e regulao entre os colectores e a carga ou a rede. Estes dispositivos2 so tipicamente a bateria, regulador de carga e, eventualmente, inversor, no caso de sistemas isolados e apenas o inversor para os sistemas ligados rede. As estruturas de suporte dos mdulos tambm se incluem nos dispositivos de interface e regulao. Segundo a AIE, a evoluo dos preos dos mdulos e dos sistemas fotovoltaicos tem sofrido a evoluo que se mostra na Figura 2. Pode observar-se que o custo dos mdulos se situa entre 4 e 5 USD/Wp (cerca de 3,2 /Wp e 4 /Wp), enquanto o custo do sistema completo de cerca de 7 USD/Wp (cerca de 5,6 /Wp). Tambm se pode verificar que a descida dos preos tem sido bem mais lenta do que o previsto, sendo, contudo, mais sensvel no preo do sistema fotovoltaico do que no dos mdulos. Embora o custo dos dispositivos de interface e regulao e os custos de instalao possam variar muito, pode afirmar-se que, em termos mdios, cerca de 50% do investimento total se refere aos colectores, incluindo-se nos restantes 50% o custo dos dispositivos de interface e regulao e respectivas ligaes elctricas e os custos de instalao. Os custos de operao e manuteno (O&M) so tambm muito variveis, mas pode estimar-se que se situem, em mdia, em torno de 1 a 2% do investimento total.

Balance Of Systems BOS.

Introduo

12

Figura 2 Evoluo dos preos dos mdulos e dos sistemas fotovoltaicos, incluindo o efeito da inflao, em pases seleccionados [IEA-PVPS]

Em Portugal, dados de 2004 [IEA-PVPS] indicam que podem ser tomados como custos tpicos de sistemas fotovoltaicos, os valores de 5 a 7 /Wp, para os sistemas ligados rede3, e de 7 a 11 /Wp, para os sistemas isolados. Estudos realizados em Portugal de avaliao do potencial solar para produo de electricidade [Aguiar], conduziram ao mapa de isolinhas de um ndice de desempenho de sistemas fotovoltaicos kWh fornecidos por ano por Watt-pico instalado, que se reproduz na Figura 3. Salienta-se que este ndice no mais do que a conhecida utilizao anual da potncia instalada (tambm designada no contexto da energia fotovoltaica como utilizao anual da potncia de pico) aqui expressa em kh.

Dados de projecto da central de Moura e de Serpa indicam um investimento de 300 M (aprox. 4,8 /Wp) e 62 M (aprox. 5,6 /Wp), respectivamente.

Introduo

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Grosso modo, pode afirmar-se que a utilizao anual varia entre as 1.600 h no sul4, 1.500 h no centro e 1.400 h no norte (incluindo as perdas, designadamente no inversor).

Figura 3 ndice kWh/Wp (ha expresso em kh) em sistemas fotovoltaicos ligados rede [Aguiar]

A aplicao de um modelo simplificado do custo mdio anual actualizado de produo conduz a c = I01(i+dom)/ha, em que i o inverso do factor presente da anuidade, dom so os encargos de O&M e custos diversos, em percentagem do investimento total, I01 custo de investimento por Wp e ha utilizao anual da potncia instalada. Na Figura 4 ilustra-se a curva de variao do custo mdio anual actualizado da unidade de energia produzida em funo da utilizao anual da potncia instalada (ou da potncia de pico), parametrizada em funo do investimento por unidade de potncia instalada.
4

Dados de projecto da central de Moura e de Serpa reportam uma produo anual de energia elctrica de 90 GWh (aprox. ha = 1.450 h) e 20 GWh (aprox. ha = 1.800 h), respectivamente. A central de Serpa possui um sistema de controlo da inclinao dos painis que segue a posio do sol ao longo do dia, o que ajuda a perceber os valores projectados para a produo elctrica e para o investimento.

Introduo

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Para o investimento unitrio consideraram-se valores que se situam nos extremos da gama de variao actualmente aceite como representativa de sistemas ligados rede: um valor baixo (optimista) de 4,5 /Wp e um valor alto de 6,5 /Wp. Para os encargos de O&M tomou-se o valor de 1% do investimento total e a taxa de actualizao considerada foi de 7%. De acordo com a legislao em vigor que estabelece a frmula de clculo da remunerao da energia entregue rede pblica pelos PRE que usam recursos renovveis (chamado tarifrio verde) pode estimar-se (2007) que cada unidade de energia injectada na rede pblica com origem em parques fotovoltaicos paga a um valor que se situar em torno de 320 /MWh, durante um mximo de 15 anos. A propsito, nota-se que o perodo em anlise na Figura 4 foi reduzido precisamente para 15 anos para corresponder ao perodo em que o tarifrio verde bonificado garantido pelo Estado. Esta opo conduz naturalmente a resultados de viabilidade econmica pessimistas, uma vez que a vida til de um parque fotovoltaico , em geral, estimada num perodo superior a 15 anos.

700

I01 = 6,5 /Wp 600

/ MWh

500

400

320 /MWh 300 1200

I01 = 4,5 /Wp

1400

1600

1800

Utilizao anual da potncia instalada (h)

Figura 4 Custo mdio anual actualizado do MWh; a = 7%, n = 15 anos, dom = 1%It

Introduo

15

A anlise da Figura 4 mostra que para a gama de variao da utilizao anual da potncia de pico esperada em Portugal (entre 1.400 e 1.600 horas anuais) absolutamente essencial que o investimento por unidade de potncia de pico em instalaes ligadas rede no ultrapasse o valor de referncia 4,5 /Wp por forma a assegurar a rentabilidade do projecto.

Clula Fotovoltaica

16

2.
2.1.

CLULA FOTOVOLTAICA
ESTRUTURA MICROSCPICA

Um tomo de silcio formado por catorze protes e catorze electres. Na camada mais exterior, conhecida como banda de valncia, existem quatro electres. Quando se constitui um cristal de silcio, os tomos alinham-se segundo uma estrutura em teia (chamada teia de diamante), formando quatro ligaes covalentes com quatro tomos vizinhos, como se mostra na Figura 5.

Figura 5 Estrutura em teia de diamante de um cristal de silcio [NREL].

Em cada ligao covalente, um tomo partilha um dos seus electres de valncia com um dos electres de valncia do tomo vizinho. Como resultado desta partilha de electres, a banda de valncia, que pode conter at oito electres, fica cheia: os electres ficam presos na banda de valncia e o tomo est num estado estvel. Para que os electres se possam deslocar tm de adquirir energia suficiente para passarem da banda de valncia para a banda de conduo. Esta energia designada por hiato5 e no caso do cristal de silcio vale 1,12 eV. Quando um foto da radiao solar contendo energia suficiente atinge um electro da banda de valncia, este move-se para a banda de conduo, deixando uma
5

Band gap energy.

Clula Fotovoltaica

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lacuna no seu lugar, a qual se comporta como uma carga positiva. Neste caso, dizse que o foto criou um par electro-lacuna. Uma clula fotovoltaica constituda por cristais de silcio puro no produziria energia elctrica. Os electres passariam para a banda de conduo mas acabariam por se recombinar com as lacunas, no dando origem a qualquer corrente elctrica. Para haver corrente elctrica necessrio que exista um campo elctrico, isto , uma diferena de potencial entre duas zonas da clula. Atravs do processo conhecido como dopagem do silcio, que consiste na introduo de elementos estranhos com o objectivo de alterar as suas propriedades elctricas, possvel criar duas camadas na clula: a camada tipo p e a camada tipo n, que possuem, respectivamente, um excesso de cargas positivas e um excesso de cargas negativas, relativamente ao silcio puro. O boro o dopante normalmente usado para criar a regio tipo p. Um tomo de boro forma quatro ligaes covalentes com quatro tomos vizinhos de silcio, mas como s possui trs electres na banda de valncia, existe uma ligao apenas com um electro, enquanto as restantes trs ligaes possuem dois electres. A ausncia deste electro considerada uma lacuna, a qual se comporta como uma carga positiva que viaja atravs do material, pois de cada vez que um electro vizinho a preenche, outra lacuna se cria. A razo entre tomos de boro e tomos de silcio normalmente da ordem de 1 para 10 milhes. O fsforo o material usado para criar a regio n. Um tomo de fsforo tem cinco electres na sua banda de valncia, pelo que cria quatro ligaes covalentes com os tomos de silcio e deixa um electro livre, que viaja atravs do material. A razo entre tomos de fsforo e de silcio prxima de 1 para 1000. Na regio onde os dois materiais se encontram, designada juno p-n, cria-se, portanto, um campo elctrico que separa os portadores de carga que a atingem: os electres, excitados pelos fotes com energia suficiente para excitar electres da banda de valncia para a banda de conduo, so acelerados para um terminal

Clula Fotovoltaica

18

negativo, ao passo que as lacunas so enviadas para um terminal positivo. Nestas condies, ligando os terminais a um circuito que se fecha exteriormente atravs de uma carga, circular corrente elctrica.

2.2.

ESTRUTURA MACROSCPICA

A Figura 6 mostra a superfcie activa de uma clula fotovoltaica tpica de silcio cristalino. Tem a forma de um quadrado com cerca de 10 cm de lado e pesa aproximadamente 10 gramas.

a)

b)

Figura 6 a) Superfcie activa de uma clula fotovoltaica tpica [CREST]; b) Pormenor da grelha colectora metlica na superfcie [DOE].

A Figura 7 ilustra a constituio interna de uma clula fotovoltaica tpica. A legenda da Figura 7 a seguinte: Grelha e contactos frontais (grid, front contacts): os contactos frontais, em cobre, constituem os terminais negativos. Pelcula anti-reflexo (anti-reflection coating): esta pelcula, reduz a reflexo da radiao incidente para valores abaixo de 5%; em conjunto com textura especiais usadas em clulas de alto rendimento a reflexo pode ser reduzida para valores da ordem de 2%; sem este revestimento a clula reflectiria cerca de um tero da radiao.

Clula Fotovoltaica

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Camada tipo n (n-type silicon): silcio dopado com fsforo, constituindo a regio negativa da clula; a espessura desta camada cerca de 300 nm.

Camada tipo p (p-type silicon): silcio dopado com boro, constituindo a regio positiva da clula; a espessura desta camada cerca de 250.000 nm.

Contacto traseiro (back contact): contacto metlico localizado na parte posterior da clula, que constitui o terminal positivo.

a)

b) Figura 7 a) Constituio interna de uma clula fotovoltaica tpica [ILSE] b) Pormenor da constituio da grelha metlica [Stone].

2.3.

MODELO MATEMTICO

2.3.1. Estabelecimento do modelo Em termos de modelo matemtico simplificado, uma clula pode ser descrita atravs do circuito elctrico equivalente que se mostra na Figura 8.

Clula Fotovoltaica

20

I IS V ID Z

Figura 8 Circuito elctrico equivalente de uma clula fotovoltaica alimentando uma carga Z.

A fonte de corrente IS representa a corrente elctrica gerada pelo feixe de radiao luminosa, constitudo por fotes, ao atingir a superfcie activa da clula (efeito fotovoltaico); esta corrente unidireccional constante para uma dada radiao incidente. A juno p-n funciona como um dodo que atravessado por uma corrente interna unidireccional ID, que depende da tenso V aos terminais da clula. A corrente ID que se fecha atravs do dodo :
V mV ID = I0 e T 1

equao 1

em que: I0 corrente inversa mxima de saturao do dodo V tenso aos terminais da clula m factor de idealidade do dodo (dodo ideal: m = 1; dodo real: m > 1) VT designado por potencial trmico VT =

KT 6 q

- K: constante de Boltzmann (K = 1,38x10-23 J/K)

6

Para T = 298,16 K ( = 25 C), obtm-se VT = 25,7 mV.

Clula Fotovoltaica

21

- T: temperatura absoluta da clula em K (0C = 273,16 K) - q: carga elctrica do electro (q = 1,6x10-19 C) A corrente I que se fecha pela carga , portanto (ver Figura 8):
V mV I = Is ID = Is I0 e T 1

equao 2

Dois pontos de operao da clula merecem ateno particular: Curto-circuito exterior Neste caso :
V=0 ID = 0 I = IS = Icc

equao 3

A corrente de curto-circuito Icc o valor mximo da corrente de carga, igual, portanto, corrente gerada por efeito fotovoltaico. O seu valor uma caracterstica da clula, sendo um dado fornecido pelo fabricante para determinadas condies de radiao incidente e temperatura. Circuito aberto Neste caso :

I=0 Is Vca = mVT ln 1 + I 0

equao 4

A tenso em vazio Vca o valor mximo da tenso aos terminais da clula, que ocorre quando esta est em vazio. O seu valor uma caracterstica da clula, sendo um dado fornecido pelo fabricante para determinadas condies de radiao incidente e temperatura.

Clula Fotovoltaica

22

2.3.2. Comparao com resultados experimentais Tem interesse avaliar o desempenho do modelo apresentado, por comparao com resultados experimentais. Na Figura 9 mostram-se os resultados experimentais e os resultados da simulao para a caracterstica I-V de uma clula fotovoltaica de silcio cristalino de 10x10 cm2. As condies de teste experimental e de simulao esto indicadas no Quadro 2. Na simulao, I0 (corrente inversa mxima de saturao do dodo) foi calculado recorrendo s condies fronteira conhecidas (curto-circuito e circuito aberto). Da equao 4 retira-se que:

I0 = e

cc Vca mVT

equao 5

Realizaram-se duas simulaes: uma considerando um dodo ideal (m = 1) e outra considerando um dodo real (m = 2).
Quadro 2 Condies de teste experimental [TU-Berlin] e de simulao; G: radiao incidente; A: rea da clula.
Te ste G (W /m 2) A (m 2) (C) Icc (A) Vca (V) I0 (A) m 430 0,01 25 1,28 0,56 25 1,28 0,56 25 1,28 0,56 Sim ul. 1 Sim ul. 2

4,40E-10 2,37E-05 1 2

Pode verificar-se na Figura 9 que o modelo que considera o dodo ideal conduz a uma aproximao dos resultados experimentais que se caracteriza por desvios relativamente acentuados. Os resultados comparativos melhoram substancialmente quando se considera o dodo real.

Clula Fotovoltaica

23
Experimental Simulao (m=1) Simulao (m=2)

1,4

1,2

1,0 Corrente I (A)

0,8

0,6

0,4

0,2

0,0 0,0 0,1 0,2 0,3 Tenso V (V) 0,4 0,5 0,6

Figura 9 Curva I-V de uma clula fotovoltaica: comparao de resultados experimentais [TU-Berlin] com resultados de simulao.

2.3.3. Condies de referncia As condies nominais de teste7, normalizadas para a realizao das medidas dos parmetros caractersticos da clula, designadas condies de referncia, so:

Temperatura, r = 25 C T r = 298,16 K Radiao incidente, Gr = 1000 W / m2

Na sequncia, as grandezas referenciadas pelo ndice superior r consideram-se medidas nas condies de referncia STC. 2.3.4. Potncia elctrica e rendimento A potncia elctrica de sada P :
V mVT P = VI = V Icc I0 (e 1)

equao 6

Standard Test Conditions STC.

Clula Fotovoltaica

24

A potncia mxima obtm-se para dP dV = 0 , o que equivalente a:

V V V mVT mVT e Icc + I0 1 e mV T Icc +1 V I0 mVT e = V 1+ mVT

=0
equao 7

A soluo da equao 7 (que, no caso geral, se obtm por mtodos iterativos)

V = Vmax e a correspondente corrente Imax. O ponto de potncia mxima

r r Pmax = VmaxImax . Nas condies de referncia ser V = Vmax , I = Irmax e P = Pmax .

r r Os valores de Vca , Ircc e Pmax so caractersticos da clula, sendo dados fornecidos

pelo fabricante para as condies de referncia. A maioria dos fabricantes indica

r tambm os valores de Vmax e Irmax .

A potncia mxima de sada obtida nas condies STC, designa-se potncia de pico8. O rendimento nas condies de referncia a relao entre a potncia de pico e a potncia da radiao incidente:

r =

r Pmax AGr

equao 8

em que A a rea da clula. Naturalmente que, para outras condies de funcionamento, ser:

Pmax AG

equao 9

em que G a radiao solar incidente por unidade de superfcie.

Peak power ou Maximum Power Point MPP.

Clula Fotovoltaica

25

r r O quociente entre a potncia de pico e o produto Vca Icc chama-se factor de forma9:

FF =

r Pmax r r Vca Icc

equao 10

r Para as clulas do mesmo tipo, os valores de Vca e Ircc so aproximadamente cons-

tantes, mas a forma da curva I-V pode variar consideravelmente. As clulas em uso comercial apresentam um factor de forma entre 0,7 e 0,85. Naturalmente que ser desejvel trabalhar com clulas em que o factor de forma seja o maior possvel. Na Figura 10 mostram-se as curvas I-V para duas clulas com factores de forma diferentes. Pode observar-se a sensvel reduo na potncia mxima verificada na clula 2.

Figura 10 Curvas I-V de duas clulas com factores de forma diferentes [CREST].

2.3.5. Desenvolvimento do modelo e aplicao

r r Quando esto apenas disponveis os valores de Vca , Ircc e Pmax o modelo desen-

volvido substituindo a equao 3 e a equao 5 na equao 210, o que permite escrever, para as condies de referncia:

Fill factor. Considerando que e

r Vca r mVT

10

>> 1 e que e

V r mVT

>> 1 .

Clula Fotovoltaica
V Vca r r I = Icc 1 e mVT
r

26

equao 11

Neste caso, o factor m um parmetro de ajuste da curva I-V.

r e Irmax , o Se, como habitual, tambm estiverem disponveis os valores de Vmax

modelo pode ser refinado, do modo como se indica a seguir. Para as condies de referncia, a equao 2 aplica-se nos pontos de circuito aberto, curto-circuito e potncia mxima, obtendo-se, respectivamente:

Vcar mVT 0 = I I e 1
r

r s

r 0

equao 12

Ircc = Irs Vmax mVTr = I I e 1

r

equao 13

r max

r s

r 0

equao 14

Da equao 14 obtm-se para o factor de idealidade do dodo 11:

m=

r r Vca Vmax Irmax r VT ln 1 Ir cc

equao 15

A equao 15 permite calcular o factor de idealidade do dodo apenas em funo dos parmetros caractersticos da clula fornecidos pelos fabricantes. Este modelo considera o factor m como constante. Uma vez determinado m, a corrente inversa de saturao nas condies de referncia, calcula-se facilmente pela equao 12:

11

Resolvendo a equao 13 em ordem a Ir0 , substituindo depois na equao 15, e tendo em conta a
r Vca r mVT

equao 14 e que e

>> 1 e que e

r Vmax r mVT

>> 1 .

Clula Fotovoltaica

27

Ir0 = e

Ircc
r Vca r mVT

equao 16

Na Figura 11 mostra-se a curva I-V de uma clula tpica de silcio cristalino.

Figura 11 Curva I-V de uma clula tpica de silcio cristalino; resultados experimentais; condies de referncia: r = 25 C, Gr = 1000 W/m2; A = 0,01 m2 [CREST]. Exemplo FV1 Considere a clula fotovoltaica representada na Figura 11 que tem uma rea de 100 cm2 e uma potncia de pico de 1,4 Wp. Atravs de ensaios experimentais, registaram-se os seguintes valores medidos nas condies de referncia STC (os valores so tpicos para o mesmo tipo de clulas):

Corrente de curto circuito (Isc) Ircc = 3,15 A

r Tenso de vazio (Voc) Vca = 0,59 V r Potncia mxima (Pmax) Pmax = 1,40 W

Corrente no ponto de potncia mxima Irmax = 2,91 A

r Tenso no ponto de potncia mxima Vmax = 0,48 V

Calcule: a) as grandezas caractersticas do mdulo rendimento mximo e factor de forma; b) os parmetros caractersticos do modelo de um dodo e trs parmetros m, I0 e IS; c) as caractersticas I-V e P-V; d) os valores mximos de tenso, corrente e potncia. Resoluo: a) A rea da clula de 1,4 Wp 0,01 m2. O rendimento mximo nas condies de referncia e o factor de forma calculam-se ento, respectivamente, por:

Clula Fotovoltaica

28

r = b)

1,4 1,4 = 0 ,753 = 14% ; FF = 0 ,01 1000 0 ,59 3 ,15

Os parmetros caractersticos da clula fotovoltaica so constantes (m) ou calculados para as condies de referncia (I0 e Icc). Nas condies de referncia, o potencial trmico vale:

VTr =

KT r 1,38 10 23 298 ,16 = = 25 ,7 10 3 V q 1,60 10 19

Substituindo valores, obtm-se:

r r = 3 ,17 10 6 A ; I S = I cc = 3 ,15 A m = 1,66 ; I 0

c) Para obter a caracterstica I-V traa-se a curva:

V 3 I = 3 ,15 3 ,17 10 6 e 1,6625 ,7 10 1

Por seu turno, a caracterstica P-V obtm-se fazendo: P=VI Os resultados obtidos (em condies STC) mostram-se na Figura 12. d)
r , resolvendo, O clculo da potncia mxima obriga primeiro determinao da tenso mxima, Vmax

por um mtodo iterativo, a equao:

r Vmax

1,66 25,7 10 3

3,15 3,15 1+ 3,17 10 6 3,17 10 6 r 3 = Vmax = 1,66 25,7 10 ln r r Vmax Vmax 1+ 1 + 3 3 1,66 25,7 10 1,66 25,7 10 1+

r = 0 ,48 V , a qual foi obtida usando o mtodo de Gauss. A soluo Vmax

A correspondente corrente mxima :

0 ,48 3 r = 3 ,15 3 ,17 10 6 e 1,6625 ,7 10 1 = 2 ,89 A I max

e a potncia mxima vem:

r r r Pmax = Vmax I max = 1,4 W

Estes resultados constituem uma boa aproximao dos valores obtidos por via experimental.

Clula Fotovoltaica

29
3,5

Icc
3,0

Corrente I Pmax

Imax
Corrente I (A) / Potncia P (W) 2,5

2,0

1,5

Potncia P
1,0

0,5

Vmax
0,0 0,0 0,1 0,2 0,3 Tenso V (V) 0,4 0,5

Vca
0,6

Figura 12 Curvas I-V e P-V da clula tpica de silcio cristalino; condies STC.

2.3.6. Influncia da temperatura e da radiao incidente Na Figura 13 ilustra-se a variao da curva I-V com a temperatura para a clula que tem vindo a servir de exemplo.

Figura 13 Variao da curva I-V com a temperatura; resultados experimentais [CREST].

Na Figura 13 pode observar-se que:

A potncia de sada decresce com o aumento da temperatura. A tenso de circuito aberto decresce com a temperatura (aproximadamente 2,3 mV/C)

A corrente de curto-circuito varia muito pouco com a temperatura, sendo esta variao habitualmente desprezada nos clculos.

Clula Fotovoltaica

30

Na Figura 14 ilustra-se a variao da curva I-V com a radiao incidente para a clula que tem vindo a ser analisada. A Figura 14 mostra que:

A potncia de sada aumenta com o aumento da radiao incidente. A corrente de curto-circuito varia linearmente com a radiao incidente12.

A tenso de circuito aberto varia pouco com a radiao incidente, sendo esta variao, no entanto, mais importante para valores baixos de radiao incidente.

Figura 14 Variao da curva I-V com a radiao incidente; resultados experimentais [CREST].

A validade do modelo simplificado pode ser testada, analisando o seu comportamento em face de variaes de temperatura e de radiao incidente. Para o efeito, nota-se que a corrente inversa de saturao pode ser escrita em termos das caractersticas do material e da temperatura, atravs de:
m ' VT

I0 = DT e
3

equao 17

12

Facilmente se pode verificar que o grfico da Figura 14 tem um erro: onde est 750 W/m2 deveria estar 700 W/m2.

Clula Fotovoltaica

31

em que:

I0 corrente inversa mxima de saturao do dodo D constante hiato do silcio: = 1,12 eV m factor de idealidade equivalente m' =
de clulas ligadas em srie

m em que NSM o nmero NSM

T temperatura da clula em K VT potencial trmico em V

A equao 17 permite estabelecer a variao de I0 com a temperatura a partir do seu conhecimento para as condies de referncia:

T m' V r I0 = I r e T T
r 0

1 1 VT

equao 18

J a corrente de curto-circuito funo da radiao incidente, podendo o seu valor ser calculado a partir de:

Icc = Ircc
Exemplo FV2

G Gr

equao 19

Considere de novo a clula fotovoltaica do Exemplo FV1 com uma rea de 100 cm2 e uma potncia de pico de 1,4 Wp. Trace as curvas I-V parametrizadas em funo de: a) temperatura da clula (25, 50 e 75 C), considerando a radiao constante e igual radiao de referncia Gr = 1000 W/m2; b) radiao incidente (1000, 700, 450, 300 e 100 W/m2), considerando a temperatura constante e igual temperatura de referncia r = 25 C. Compare os resultados obtidos com as caractersticas da Figura 13 e da Figura 14, respectivamente. Use o modelo de um dodo e trs parmetros.

Clula Fotovoltaica Resoluo:

32

a) O potencial trmico varia com a temperatura e, nas hipteses admitidas no desenvolvimento do modelo de um dodo e trs parmetros, a corrente de saturao inversa varia com a temperatura e com o potencial trmico. Admite-se que a corrente de curto-circuito invariante com a temperatura. O potencial trmico nas condies de referncia :
VTr = 25 ,7 10 3 V Para a temperatura T (K) vale: VT (T ) = KT q

A corrente de saturao inversa escreve-se como:

I 0 (T ) = 3 ,17 10

3 V (T ) T 1,66 T e 25 ,7 10 298 ,16

1,12

Para radiao constante e temperatura varivel, a caracterstica I-V traa-se pela curva:
V I = 3 ,15 I 0 (T ) e 1,66VT ( T ) 1

b) O potencial trmico e a corrente de saturao inversa so invariantes com a radiao, permanecendo nos seus valores de referncia. A corrente de curto-circuito depende da radiao incidente atravs de:
I cc ( G ) = G 3 ,15 1000

temperatura constante, a caracterstica I-V parametrizada em funo da radiao obtm-se traando a curva:
V 3 I = I cc ( G ) 3 ,17 10 6 e 1,66 25 ,7 10 1

Os resultados de simulao da influncia da temperatura e da radiao incidente na curva I-V da clula so apresentados na Figura 15 e na Figura 16, respectivamente. A observao da Figura 15 e da Figura 16 permite comprovar o bom desempenho do modelo na reproduo das curvas I-V (comparar com a Figura 13 e a Figura 14, respectivamente).

Clula Fotovoltaica

33
3,5

3,0

2,5

T = 25C

Corrente I (A)

2,0

T = 50C

1,5

T = 75C

1,0

0,5

0,0 0,0 0,1 0,2 0,3 Tenso V (V) 0,4 0,5 0,6

Figura 15 Curva I-V de uma clula tpica de silcio cristalino; variao com a temperatura; G = Gr .

3,5

G = 1000W/m2
3,0

2,5

G = 700W/m2
Corrente I (A) 2,0

1,5

G = 450W/m2

1,0

G = 300W/m2

0,5

G = 100W/m2

0,0 0,0 0,1 0,2 0,3 Tenso V (V) 0,4 0,5 0,6

Figura 16 Curva I-V de uma clula tpica de silcio cristalino; variao com a radiao incidente; T = T r .

Exemplo FV3

Retome o Exemplo FV2 e para cada uma das condies de temperatura e radiao estudadas, obtenha o respectivo valor da potncia mxima.
Resoluo:

Vamos exemplificar o processo de clculo para: a) Temperatura de 50 C e radiao igual radiao de referncia de 1000 W/m2 Nestas condies, tem-se:
VT ( 323 ,16 ) = 27 ,9 10 3 V I 0 ( 323 ,16 ) = 3 ,07 10 5 A

A corrente de curto-circuito toma o seu valor de referncia Iccr = 3,15 A.

Clula Fotovoltaica

34

A soluo da equao:
3,15 1+ 3,07 10 5 = 1,66x27,9 10 xln (k) Vmax 1 + 3 1,66 27,9 10
3

(k +1) max

Vmax = 0,43 V, obtida com recurso ao mtodo iterativo de Gauss (convergncia obtida ao fim de 3 iteraes com erro inferior a 0,0005 V e Vmax(0) = 0,48 V) A corrente mxima e a potncia mxima so, respectivamente: Imax = 2,84 A e Pmax = 1,21 W b) Radiao igual a 450 W/m2 e temperatura igual temperatura de referncia de 25 C O potencial trmico e a corrente de saturao inversa tomam os respectivos valores de referncia. A corrente de curto-circuito ser:
I cc ( 450 ) = 1,42 A

Seguindo uma metodologia idntica usada em a) e substituindo valores obtm-se, sucessivamente, Vmax = 0,45 V, Imax = 1,29 A e Pmax = 0,58 W Os resultados obtidos para as condies pretendidas so apresentados na Figura 17 e na Figura 18, respectivamente. A concluso principal a acentuada dependncia da potncia mxima com a radiao incidente, o que provoca um impacto relevante na energia produzida.

120%

100%

100%
87%

80%

74%

P/Pmax

61%

60%

40%

20%

0% 25 50 Temperatura T (C) 75 100

Figura 17 Variao da potncia mxima com a temperatura; G = Gr .

Clula Fotovoltaica

35
120%

100%

100%

80%
68%

P/Pmax

60%

42%

40%
27%

20%
8%

0% 1000 700 450 Radiao incidente G (W/m2) 300 100

Figura 18 Variao da potncia mxima com a radiao incidente; T = T r .

2.3.7. Introduo ao modelo detalhado O modelo simplificado no , como o prprio nome indica, uma representao rigorosa da clula fotovoltaica. Nas clulas reais observa-se uma queda de tenso no circuito at aos contactos exteriores, a qual pode ser representada por uma resistncia srie Rs. Do mesmo modo, tambm existem correntes de fuga, que podem ser descritas por uma resistncia paralelo, Rp. O circuito elctrico equivalente o que se representa na Figura 19.

Rs IS Rp ID Ip V

Figura 19 Circuito elctrico equivalente detalhado de uma clula fotovoltaica alimentando uma carga Z.

A corrente I que se fecha pela carga :

Clula Fotovoltaica

36

V + R sI V + R I s I = Is ID Ip = Is I0 e mVT 1 Rp

equao 20

A equao 20 traduz uma equao transcendente, implcita em I, que resolvida com recurso a mtodos iterativos. O clculo de Rs e Rp sai fora do mbito deste curso introdutrio.

2.4.

TIPOS DE CLULAS

O silcio monocristalino o material mais usado na composio das clulas fotovoltaicas, atingindo cerca de 60% do mercado. A uniformidade da estrutura molecular resultante da utilizao de um cristal nico ideal para potenciar o efeito fotovoltaico. O rendimento mximo atingido em laboratrio ronda os 24%, o qual em utilizao prtica se reduz para cerca de 15%. A produo de silcio cristalino cara. O silcio policristalino, constitudo por um nmero muito elevado de pequenos cristais da espessura de um cabelo humano, dispe de uma quota de mercado de cerca de 30%. As descontinuidades da estrutura molecular dificultam o movimento de electres e encorajam a recombinao com as lacunas, o que reduz a potncia de sada. Por este motivo os rendimentos em laboratrio e em utilizao prtica no excedem os 18% e 12%, respectivamente. Em contrapartida, o processo de fabricao mais barato do que o do silcio cristalino. O silcio amorfo no tem estrutura cristalina, apresentando defeitos estruturais que, em princpio, impediriam a sua utilizao em clulas fotovoltaicas, uma vez que aqueles defeitos potenciavam a recombinao dos pares electro-lacuna. No entanto, se ao silcio amorfo for adicionada uma pequena quantidade de hidrognio, por um processo chamado hidrogenizao, os tomos de hidrognio combinam-se quimicamente de forma a minimizar os efeitos negativos dos defeitos estruturais. O silcio amorfo absorve a radiao solar de uma maneira muito mais eficiente do que o silcio cristalino, pelo que possvel depositar uma fina

Clula Fotovoltaica

37

pelcula13 de silcio amorfo sobre um substracto (metal, vidro, plstico). Este processo de fabrico ainda mais barato do que o do silcio policristalino. Os equipamentos solares domsticos (calculadoras, relgios) so habitualmente feitos com clulas de silcio amorfo, representando cerca de 4% do mercado. Em laboratrio possvel obter rendimentos da ordem de 13%, mas as propriedades conversoras do material deterioram-se em utilizao prtica, pelo que os rendimentos descem para cerca de 6%.

13

Thin films.

Mdulos e Painis

38

3.

MDULOS E PAINIS

A potncia mxima de uma nica clula fotovoltaica no excede 2 W, o que manifestamente insuficiente para a maioria das aplicaes. Por este motivo, as clulas so agrupadas em srie e em paralelo formando mdulos. Um mdulo consiste num conjunto de NPM ramos ligados em paralelo, cada um deles constitudo por NSM clulas ligadas em srie, como se mostra na Figura 20.

NPM

C11

C1N PM

NSM

CN SM1

CN SMN PM

Figura 20 Mdulo fotovoltaico.

Em termos de modelo dos mdulos fotovoltaicos, pode aplicar-se o modelo apresentado no Captulo 2 para caracterizar o comportamento de uma nica clula fotovoltaica, considerando o mdulo como uma clula fotovoltaica equivalente. A sequncia de clculo esquematizada abaixo, em que as grandezas referenciadas dizem respeito ao mdulo: Parmetros constantes:

m=

r r Vmax Vca Irmax r VT ln 1 Ir cc

equao 21

Mdulos e Painis

39

Parmetros que dependem da radiao:

Icc = Ircc

G Gr

equao 22

Parmetros que dependem da temperatura:

T I0 = Ir0 r e T
Corrente em funo da tenso:

1 1 r m ' VT VT

equao 23

V mV I = Icc I0 e .T 1

equao 24

Tenso mxima:

Vmax

Icc +1 I0 = mVT ln Vmax 1 + mV T

equao 25

Corrente mxima:
max V mVT = Icc I0 e 1

Imax

equao 26

Potncia mxima:

Pmax = VmaxImax

equao 27

Naturalmente que a razo entre a corrente correspondente ao mdulo e a corrente de cada clula dada pelo nmero de ramos ligados em paralelo, NPM, e a razo entre a tenso do mdulo e a tenso da clula o nmero de clulas ligadas em srie, NSM.

Mdulos e Painis

40

O nmero de clulas num mdulo determinado pelas necessidades de tenso e corrente da carga a alimentar. Tipicamente um mdulo pode ser constitudo por cerca de 33 a 36 clulas ligadas em srie, porque comum haver necessidade de carregar uma bateria de 12 V. A Figura 21 mostra uma fotografia de um mdulo fotovoltaico.

Figura 21 Um mdulo fotovoltaico de 100 W, para alimentao de um candeeiro pblico usando baterias de 12 V [DOE].

Os mdulos podem tambm ser associados em srie e paralelo para obter mais potncia, formando painis14 (Figura 22).

Figura 22 Painis fotovoltaicos da companhia elctrica de Sacramento, EUA [DOE].

14

Arrays.

Mdulos e Painis Exemplo FV4

41

Considere um mdulo fotovoltaico Shell SM100-12 de 100 Wp, cujo catlogo reporta as caractersticas indicadas no Quadro 3.
Quadro 3 Caractersticas do mdulo fotovoltaico Shell SM100-12 [Shell].
Silcio monocristalino Potncia de pico Corrente mxima Tenso mxima Corrente de curto-circuito Tenso de circuito aberto Temperatura normal de funcionamento Coeficiente de temperatura de Icc Coeficiente de temperatura de Vca Nmero de clulas em srie Comprimento Largura Pmax Imax Vmax Icc Vca NOCT Icc Vca NSM C L 100,3 W 5,9 A 17,0 V 6,5 A 21,0 V 45 C 2,8E-03 A/K -7,6E-02 V/K 36 1,316 m 0,660 m

Calcule: a) os parmetros caractersticos do modelo de um dodo e trs parmetros m, I0 e IS e o factor de idealidade equivalente, m; b) as grandezas caractersticas do mdulo rendimento mximo e factor de forma.
Resoluo:

a) e b) O mtodo de clculo em tudo idntico ao seguido no Exemplo FV1, com a diferena de que agora se trata de um mdulo fotovoltaico de 100 Wp com rea de 0,869 m2, em vez de uma nica clula. Nos quadros seguintes esto representados os resultados numricos obtidos:
Factor de idealidade Factor de idealidade equivalente Corrente de curto-circuito Corrente de saturao inversa m m' Icc I0ref 65,28 1,81 6,50 A 2,4E-05 A

Rendim ento m xim o Factor de form a

ref FF

11,55% 0,735

Exemplo FV5

Considere de novo o mdulo fotovoltaico Shell SM100-12 de 100 Wp do Exemplo FV4. O catlogo do fabricante indica a potncia mxima, Pmax = 72,3 W, para condies tpicas de funcionamento: G = 800 W/m2; c = 45 C. Recorrendo ao modelo de um dodo e trs parmetros, calcule a potncia mxima e o respectivo erro, nas condies de radiao e temperatura referidas.

Mdulos e Painis Resoluo:

42

Consideramos que a radiao incidente afecta a corrente de curto-circuito e a temperatura do mdulo influencia o potencial trmico e a corrente de saturao inversa. Para as condies de radiao e temperatura requeridas, os respectivos valores so:
I cc ( 800 ) = 5 ,20 A

VT ( 318 ,16 ) = 27 ,4 10 3 V I 0 ( 318 ,16 ) = 1,32 10 4 A A soluo da equao:

5,20 1+ 1,32 10 4 = 65,28x27,4 x10 3 xln (k) Vmax 1 + 65,28 27,4 10 3

(k +1) Vmax

Vmax = 14,95 V, obtida com recurso ao mtodo iterativo de Gauss (convergncia ao fim de 3 iteraes com erro inferior a 0,025 V e Vmax(0) = 17 V) A corrente mxima e a potncia mxima so, respectivamente: Imax = 4,64 A e Pmax = 69,43 W O erro cometido (69,43 72,3) / 72,3 = 4%, o que constitui uma boa indicao acerca da validade do modelo.
Exemplo FV6

Para o mdulo fotovoltaico Shell SM100-12 de 100 Wp do Exemplo FV4, trace a variao de Pmax com: a) a radiao incidente (entre G = 0 W/m2 e G = 1000 W/m2), considerando a temperatura constante e igual temperatura de referncia r = 25 C; b) a temperatura do mdulo (entre = 0 C e = 75 C), considerando a radiao constante e igual radiao de referncia Gr = 1000 W/m2. Use o modelo de um dodo e trs parmetros.
Resoluo:

O processo de clculo idntico ao do Exemplo FV5, mas considerando variaes separadas para a radiao incidente e para a temperatura. a) Neste caso VT = VTr = 25,7x10-3 V e I0 = I0r = 2,40x10-5 A; a corrente de curto-circuito varia linearmente com a radiao incidente. A Figura 23 mostra os resultados obtidos por simulao para a variao da potncia mxima com a radiao incidente, usando o modelo de um dodo e trs parmetros e recorrendo funo Solver do Excel (apenas por facilidade, dado o nmero de clculos a efectuar) para obter a soluo da equao no-linear em Vmax.

Mdulos e Painis

43

b) Neste caso Icc = Iccr = 6,5 A e tanto o potencial trmico como a corrente saturao inversa variam com a temperatura do mdulo. Usando o modelo de um dodo e trs parmetros e recorrendo funo Solver do Excel para obter a soluo da equao no-linear em Vmax, obtiveram-se, para a variao da potncia mxima com a temperatura, os resultados da Figura 24.
100,30

100

78,47

80

Potncia mxima (W)

60

57,15

40

36,50

20

16,89

0,00

0 0 200 400 Radiao G (W/m2) 600 800 1000

Figura 23 Variao da potncia mxima com a radiao incidente; = 25C; mdulo Shell SM100-12.

125
114,48

100,30

100
86,34

Potncia mxima (W)

75

72,68

50

25

0 0 25 Temperatura T (C) 50 75

Figura 24 Variao da potncia mxima com a temperatura; G = 1.000 W/m2; mdulo Shell SM100-12.

Pode comprovar-se a acentuada diminuio da potncia mxima quando a radiao solar incidente baixa; a diminuio da potncia mxima com o aumento da temperatura menos acentuada.

Mdulos e Painis

44

Problema FV 3.

O catlogo do painel fotovoltaico BP 5170 indica as seguintes caractersticas, para as condies de referncia:
Silcio monocristalino Potncia de pico Corrente mxima Tenso mxima Corrente de curto-circuito Tenso de circuito aberto Temperatura normal de funcionamento Coeficiente de temperatura de Icc Coeficiente de temperatura de Vca Nmero de clulas em srie Comprimento Largura Pmax Imax Vmax Icc Vca NOCT Icc Vca NSM C L 170 W 4,72 A 36,0 V 5,0 A 44,2 V 47 C 3,3E-03 A/K -1,6E-01 V/K 72 1,580 m 0,783 m

Das curvas I-V fornecidas pelo fabricante para diversas temperaturas, retiram-se os seguintes valores para a variao da tenso de circuito aberto com a temperatura, com G = Gr = 1000 W/m2:
(C) 0 25 50 75 Vca (V) 48,5 44,2 39,5 35,0

Usando o modelo de um dodo e trs parmetros, determine para o painel fotovoltaico: a) o rendimento nas condies de referncia e o factor de forma; b) o rendimento para a radiao incidente, G = 250 W/m2, temperatura de referncia, r = 25 C; c) o erro cometido no clculo da tenso de circuito aberto para a temperatura = 75 C, radiao de referncia Gr = 1000 W/m2 e a potncia de sada do mdulo nestas condies.
Soluo:

a) r = 13,73%, FFr = 0,77 b) = 12,30% c) erro = 4,41%; Pmax = 130,04 W

Aplicaes Ligadas Rede

45

4.

APLICAES LIGADAS REDE

Em aplicaes ligadas rede de energia elctrica, o gerador fotovoltaico entrega rede a mxima potncia que, em cada instante, pode produzir. Entre o mdulo e a rede existem equipamentos de regulao e interface que optimizam as condies de gerao e as adaptam s condies de recepo impostas pela rede. Em termos esquemticos, a situao pode ser descrita como se ilustra na Figura 25.
G T

Painel fotovoltaico

Vdc Idc

MPPT

Pmax

Inversor

Pac

Resto da rede

Figura 25 Esquema de um gerador fotovoltaico ligado rede.

4.1.

POTNCIA MXIMA MODELO SIMPLIFICADO

O modelo da clula fotovoltaica de um dodo e trs parmetros (m, I0 e IS), apresentado no captulo anterior, permite calcular a corrente de sada em funo da tenso. A potncia mxima calculada atravs da resoluo de uma equao nolinear para obteno da tenso mxima (equao 25), recorrendo a mtodos iterativos. A estimao desta caracterstica especialmente importante no caso de aplicaes fotovoltaicas em rede isolada, directamente a alimentar cargas ou a carregar baterias. Para aplicaes fotovoltaicas ligadas ao sistema de energia elctrica, a curva I-V menos importante, sendo a potncia mxima a grandeza chave a calcular. Nestas condies, conveniente dispor de uma forma expedita de a calcular atravs de uma expresso algbrica, cujos parmetros possam ser obtidos a partir dos dados fornecidos pelos fabricantes; por outro lado, tal expresso deve apresentar o menor erro possvel relativamente ao clculo exacto dado por
dP dV = 0 , expresso que envolve mtodos iterativos para resoluo de equaes

no-lineares.

Aplicaes Ligadas Rede

46

Para o caso do modelo que tem vindo a ser apresentado, o clculo da potncia mxima pode ser efectuado a partir de uma expresso analtica relativamente simples, dispensando a resoluo da equao no linear. Deve ter-se presente que as grandezas referenciadas dizem respeito ao mdulo. Os resultados experimentais e de simulao mostram que a corrente de curtocircuito, Icc, depende fundamentalmente da radiao. Admitindo idntica lei de variao para a corrente mxima, Imax, pode escrever-se:

Imax =

G r Imax Gr

equao 28

o que imediatamente define a corrente mxima em funo da radiao. A tenso mxima, Vmax, pode ser determinada a partir da equao 14, tendo em conta a dependncia das correntes de curto-circuito e mxima com a radiao (equao 19 e equao 28, respectivamente) e a variao da corrente inversa de saturao com a temperatura (equao 18). A expresso obtida :

Vmax

G Ir Ir Gr cc max = mVT ln 1 1 3 Vr V r T m' T T I e 0 Tr

equao 29

A potncia mxima , portanto:

Pmax = VmaxImax

G Ir Ir Gr cc max G r = mVT ln r Imax 1 1 3 G r r T m' VT VT I0 T r e

equao 30

O desempenho do modelo simplificado de clculo da potncia mxima foi comparado com o modelo que envolve a resoluo de uma equao no-linear recorrendo a mtodos iterativos, para diversos mdulos fotovoltaicos. Os resultados obtidos permitem observar um erro sempre inferior a 2%.

Aplicaes Ligadas Rede

47

4.2.

SEGUIDOR DE POTNCIA MXIMA (MPPT)

A potncia mxima varia com as condies ambientais (temperatura e radiao) e com a tenso aos terminais do mdulo, sendo naturalmente desejvel o funcionamento sempre mxima potncia. Por forma a colocar o mdulo fotovoltaico no ponto de operao correspondente potncia mxima, os conversores fotovoltaicos so equipados com um sistema electrnico designado seguidor de potncia mxima15. Estes dispositivos so especialmente indicados no caso de sistemas isolados, devido tenso ser constante e imposta pela bateria, mas tambm so usados nas aplicaes ligadas rede. O MPPT consiste num conversor DC/DC16 que, de acordo com as condies ambientais de temperatura e radiao e com as condies impostas pela rede, ajusta a tenso de sada do mdulo de modo a que o funcionamento se processe no ponto correspondente potncia mxima. O facto de todos os conversores fotovoltaicos estarem equipados com este dispositivo refora a necessidade de dispor de um mtodo eficiente de clculo da potncia mxima (para as condies de temperatura e radiao existentes), pois suposto que os mdulos funcionem sempre nesse ponto de operao. A literatura da especialidade reporta o valor de 95% como sendo o rendimento tpico dos sistemas seguidores de potncia mxima.

4.3.

INVERSOR

Em aplicaes ligadas ao sistema de energia elctrica, necessrio um inversor para colocar na rede a energia produzida pelo mdulo fotovoltaico. O rendimento do conjunto MPPT+inversor :

inv =

PAC VmaxImax

equao 31

15 16

Maximum Power Point Tracker MPPT. Chopper.

Aplicaes Ligadas Rede

48

em que PAC a potncia entregue rede. A consulta de catlogos de fabricantes e de literatura que reporta os resultados de testes levados a cabo para medir o rendimento de diversos inversores [Ris], permite concluir que o rendimento do inversor pouco sensvel a variaes de carga, mantendo-se sensivelmente constante numa faixa bastante alargada de regimes de funcionamento. Um valor normalmente tomado como referncia para o conjunto de dispositivos electrnicos de regulao e interface (MPPT e inversor) e que adoptaremos neste texto inv = 90% .

4.4.

RADIAO E TEMPERATURA

A equao 30 mostra a dependncia da potncia mxima com a radiao incidente e com a temperatura da clula. Os clculos energticos tm como ponto de partida o conhecimento de medidas das grandezas radiao incidente e temperatura ambiente. 4.4.1. Radiao A radiao incidente obtida atravs de medies, que so habitualmente realizadas sobre um plano horizontal; no entanto, outras medies efectuadas e estimaes realizadas para planos inclinados sugerem que a maximizao da energia solar absorvida em Portugal atingida com grandes inclinaes (entre 50 e 60) no inverno e pequenas inclinaes (entre 5 e 10) no vero. Como no prtico nem econmico mudar a inclinao das superfcies colectoras consoante a estao do ano, usam-se normalmente planos com inclinao fixa. Na Figura 26 mostram-se os resultados de medies efectuadas ao longo de um ano da radiao global incidente (kWh/m2/ms) na zona de Lisboa sobre plano horizontal e inclinado.

Aplicaes Ligadas Rede

49

Radiao global sobre plano horizontal e inclinado, Lisboa

0 30 60

246 228 213 207 183 163 153 228 220 222

0 - 1800 kWh/m2/ano 30 - 1958 kWh/m2/ano 60 - 1749 kWh/m2/ano

Igm (kWh/m2/ms)

202 178 155 146 135 119 108 98 90 124 184

180 171 156 157

166 152 155

118 110

121 112 98 77

68

64

Jan

Fev

Mar

Abr

Mai

Jun

Jul

Ago

Set

Out

Nov

Dez

Figura 26 Radiao global (kWh/m2/ms) sobre plano horizontal e inclinado em Lisboa

A literatura da especialidade reporta que o plano inclinado fixo que globalmente maximiza a radiao solar absorvida tem uma inclinao aproximadamente igual latitude do local. Deve tambm notar-se que no hemisfrio norte os conversores fotovoltaicos devem ser orientados a sul. Recentemente comearam a ser comercializados os primeiros sistemas de controlo da inclinao dos painis de modo a seguirem a posio do sol ao longo do dia. Estima-se que o ganho de produo anual seja da ordem de 20%, o qual , no entanto, conseguido custa de um aumento do investimento. Na Figura 27 ilustram-se os resultados da medio da radiao solar mdia mensal obtida em Lisboa, sobre plano inclinado com inclinao igual latitude (latitude = 38,7). Estas medies foram efectuadas durante um nmero significativo de anos.

Aplicaes Ligadas Rede

50

400

300,2

307,0 273,9

Radiao solar incidente G (W/m2)

300
262,9

217,2

209,6

200
177,2

135,5 111,9

100
77,0

87,8 63,6

0 Jan Fev Mar Abr Mai Jun Jul Ago Set Out Nov Dez

Figura 27 Radiao mdia mensal em plano inclinado (inclinao = latitude) em Lisboa, Fonte: INETI.

Pode observar-se que o valor mximo da radiao incidente atingido em Julho, atingido apenas cerca de 30% da radiao incidente nas condies de referncia. A radiao mdia anual 185 W/m2, pelo que a potncia de pico indicada pelos fabricantes (nas condies de referncia) deve ser encarada com prudncia. Outro dado interessante de analisar a frequncia de ocorrncia das diversas radiaes. Na Figura 28 est a frequncia de ocorrncia da radiao mdia horria em Lisboa, distribuda em classes de 100 W/m2. A figura permite concluir que radiaes mdias horrias entre 900 e 1.000 W/m2 ocorrem em apenas 159 horas por ano. O valor mximo atingido foi de 974 W/m2, mas nota-se que este valor uma mdia horria, pelo que possvel que transitoriamente tenham sido atingidos valores superiores a 1.000 W/m2.

Aplicaes Ligadas Rede

51

Lisboa
5000

4170

Frequncia de ocorrncia (h)

4000

3000

2000

1093

1000
598 568 484 523 322 332 275 235 159

0 0 0-100 100-200 200-300 300-400 400-500 500-600 600-700 700-800 800-900 900-1000

Radiao (W/m2)

Figura 28 Frequncia de ocorrncia da radiao mdia horria em Lisboa, distribuda em classes de 100 W/m2

4.4.2. Temperatura Na fase de projecto, a temperatura da clula no est disponvel, apenas se podendo medir o valor da temperatura ambiente. A temperatura ambiente mdia mensal medida em Lisboa est representada na Figura 29. A temperatura na clula pode ser relacionada com a temperatura ambiente e com a radiao incidente atravs da expresso:

c = a +
em que:

G(NOCT 20) 800

equao 32

c temperatura da clula (C) a temperatura ambiente (C) G radiao solar incidente (W/m2)

Aplicaes Ligadas Rede

52

NOCT temperatura normal de funcionamento da clula17; este valor

dado pelo fabricante e representa a temperatura atingida pela clula em condies normalizadas de funcionamento, definidas como

a = 20 C (temperatura ambiente) e G = 800 W/m2

30

25,1

24,9

21,6

21,6

Temperatura ambiente (C)

20
16,3 15,1

12,5 11,7 10,3

10
8,2 6,7 7,6

0 Jan Fev Mar Abr Mai Jun Jul Ago Set Out Nov Dez

Figura 29 Temperatura mdia mensal ambiente em Lisboa, Fonte: INETI. Exemplo FV7

A partir dos dados da radiao incidente (Figura 27) e da temperatura ambiente (Figura 29) em Lisboa, obtenha a temperatura mdia mensal atingida pelo mdulo fotovoltaico Shell SM100-12 de 100 Wp, referido no Exemplo FV4.
Resoluo:

A temperatura mdia atingida pelo mdulo em Lisboa no ms de Janeiro, por exemplo, :

c = 6 ,7 + 77 ( 45 20 ) = 9 ,2 C 800

Os valores obtidos para a temperatura mdia mensal do mdulo esto representados na Figura 30.

17

NOCT Normal Operating Cell Temperature.

Aplicaes Ligadas Rede

53

40
34,7 33,4 31,0

30 Temperatura do mdulo (C)

28,2

24,5

20
17,2

19,2

19,4

13,0 11,7

10

9,2

9,6

0 Jan Fev Mar Abr Mai Jun Jul Ago Set Out Nov Dez

Figura 30 Temperatura mdia mensal do mdulo fotovoltaico Shell SM100-12 em Lisboa.

4.5.

ESTIMATIVA DA ENERGIA PRODUZIDA

Uma estimativa da energia produzida pode ser obtida a partir de:

E = inv Pmax (G, T )i t i

i=1

equao 33

em que:

inv rendimento do MPPT+inversor n nmero de perodos de tempo considerado t intervalo de tempo considerado Pmax(G,T) potncia mxima do mdulo em funo da radiao solar
incidente e da temperatura da clula no intervalo de tempo considerado

Quando se calcula a energia anual produzida por um mdulo fotovoltaico, podem usar-se valores mdios mensais; assim, n = 12, ti = nmero de horas do ms i,

Pmax(G,T)i = valor mdio da potncia mxima no ms i (ver equao 30).

Exemplo FV8

Considere de novo o mdulo Shell SM100-12 do Exemplo FV4, instalado em Lisboa. Este mdulo ligado rede atravs de um conjunto MPPT+inversor com rendimento global de 90%.

Aplicaes Ligadas Rede

54

Calcule: a) a potncia mxima mdia mensal e respectiva energia produzida; b) a energia produzida anualmente e a respectiva utilizao da potncia de pico. Use a expresso simplificada de clculo da potncia mxima.
Resoluo:

Como exemplo do processo de clculo, vamos tomar o ms de Maro. a) Recordam-se os parmetros caractersticos do mdulo fotovoltaico em anlise: m = 65,28; I0r = 2,40x105 A; m = 1,81 Em Maro G(Maro) = 177,2 W/m2 e Tc(Maro) = (17,2 + 273,16) = 290,36 K Para estas condies de radiao e temperatura, tem-se:
I cc (177 ,2 ) = 177 ,2 6 ,50 = 1,15 A 1000

VT ( 290 ,36 ) =

1,38 10 23 290 ,36 = 25 ,0 10 3 V 1,60 10 19

3 1 ,12 1 1

3 3 290 ,36 1,81 I 0 ( 290 ,36 ) = 2 ,40 10 e 25 ,7 10 25 ,010 = 1,16 10 5 A 298 ,16 5

Neste modelo, faz-se a aproximao de considerar que:

I max (177 ,2 ) = 177 ,2 5 ,90 = 1,05 A 1000

O clculo da tenso mxima dispensa agora o recurso a mtodos iterativos:

1,15 1,05 = 14 ,91 V Vmax = 65 ,28 25 ,0 10 3 ln 5 1,16 10 A potncia mxima em Maro , portanto: Pmax(Maro) = 14,91 x 1,05 = 15,59 W e a energia produzida : E(Maro) = 0,9 x 15,59 x 31 x 24 / 1000 = 10,44 kWh Na Figura 31 reportam-se os valores obtidos para a potncia mdia mensal sada do mdulo fotovoltaico e para a correspondente energia entregue rede (aps inverso) pelo mdulo fotovoltaico em anlise, colocado em Lisboa.

Aplicaes Ligadas Rede

55
Pmax (W) E (kWh) 18

30

25

15 Energia mdia mensal (kWh)

Potncia mdia mensal (W)

20

12

15

10

0
Pmax (W) E (kWh)

Jan 6,55 4,387

Fev 9,74 5,890

Mar 15,59 10,438

Abr 19,26 12,483

Mai 22,97 15,383

Jun 25,45 16,495

Jul 25,40 17,009

Ago 22,56 15,108

Set 17,37 11,258

Out 11,38 7,623

Nov 7,36 4,768

Dez 5,28 3,536

Figura 31 Potncia mdia mensal e correspondente energia do mdulo Shell SM100-12, colocado em Lisboa.

b) Os resultados mdios anuais obtidos esto sistematizados no Quadro 4. Naturalmente que a energia produzida anualmente se obtm somando os dozes valores correspondentes energia produzida mensalmente e a utilizao anual da potncia de pico o quociente entre a energia produzida anualmente e a potncia de pico do mdulo.
Quadro 4 Principais grandezas mdias anuais.
Radiao mdia anual Temperatura mdia anual do mdulo Potncia mxima mdia anual Energia mdia anual Utilizao anual da potncia de pico G T Pmax E h 185,31 W /m2 20,92 C 15,96 W 124,38 kW h 1.240 h

Em face da radiao incidente em Lisboa, verifica-se que a potncia mxima mdia anual sada do mdulo igual a 16% da potncia mxima nas condies de referncia. O valor obtido para a utilizao anual da potncia de pico (1.240 horas = 14%) inferior aos resultados obtidos noutros estudos, que reportam valores da ordem de 1.500 horas [Aguiar], mesmo considerando que o valor calculado inclui o rendimento do inversor.

Observa-se que modelo adoptado bastante conservador, conduzindo a estimativas por defeito. Esta caracterstica do modelo deve-se ao facto de o clculo do coeficiente de idealidade do dodo, m, que se mantm sempre constante ao longo da simulao, ter sido calculado (equao 21) com base nas condies de referncia, as quais esto longe de se verificarem em Lisboa e, em geral, em Portugal. Por forma a tentar ultrapassar esta limitao, um mtodo alternativo de clculo do

Aplicaes Ligadas Rede

56

factor m baseia-se num dado habitualmente fornecido nos catlogos, o coeficiente de temperatura da tenso de circuito aberto, rVca . Este modelo apresentado no Anexo.

4.6.

ESTIMATIVA RPIDA DA ENERGIA PRODUZIDA

Um modelo muito simplificado que permite obter uma estimativa rpida da energia anual desenvolve-se desprezando a influncia da temperatura e considerando que o valor mdio da potncia mxima anual directamente proporcional radiao mdia incidente anualmente: Assim, tem-se, em termos anuais:

Pmax =

Gmed r Pmax Gr

equao 34

e, portanto, a energia produzida anualmente :

Ea = inv 8760Pmax Ea = inv 8760Gmed r A

equao 35

em que Gmed a radiao incidente mdia anual e A a rea do mdulo.

Exemplo FV9

Determine uma estimativa rpida da energia produzida anualmente pelo mdulo Shell SM100-12 do Exemplo FV4, considerando que o mesmo se encontra instalado em Lisboa. Este mdulo ligado rede atravs de um conjunto MPPT+inversor com rendimento global de 90%.
Resoluo:

Recordam-se os valores das grandezas relevantes para a resoluo do problema: Gmed = 185,31 W/m2 r = 11,55 % A = 0,869 m2 Uma estimativa rpida da energia produzida anualmente pode ser obtida atravs de: Ea = (0,9 x 8760 x 185,31 x 0,1155 x 0,869) / 1000 = 146,54 kWh O erro associado 17,8% o que particularmente inconveniente uma vez que por excesso.

Aplicaes Ligadas Rede

57

Problema FV 4.

O catlogo do painel fotovoltaico Shell SP150-P indica as seguintes caractersticas, paras as condies de referncia:
Silcio monocristalino Potncia de pico Corrente mxima Tenso mxima Corrente de curto-circuito Tenso de circuito aberto Temperatura normal de funcionamento Coeficiente de temperatura de Icc Coeficiente de temperatura de Vca Nmero de clulas em srie Comprimento Largura Pmax Imax Vmax Icc Vca NOCT Icc Vca NSM C L 150 W 4,41 A 34,0 V 4,8 A 43,4 V 45 C 2,0E-03 A/K -1,5E-01 V/K 72 1,622 m 0,814 m

A radiao mensal mdia incidente no local X apresentada na tabela seguinte:

Meses Jan Fev Mar Abr Mai Jun G (W/m2) 99,5 141,4 188,2 259,7 307,8 325,0 Meses Jul Ago Set Out Nov Dez G (W/m2) 334,7 297,0 237,5 169,4 112,5 95,4

Considere que nos meses de Vero a temperatura do mdulo igual sua temperatura normal de operao e nos meses de Inverno igual temperatura das condies de referncia. Use o modelo de um dodo e trs parmetros, e tome para rendimento do conjunto MPPT+inversor o valor de 90%. Calcule: a) as energias elctricas produzidas nos meses de Julho e de Dezembro e as respectivas utilizaes mensais da potncia de pico expressas em percentagem; b) o erro cometido no clculo das energias referidas em a) se for usada a estimativa rpida.
Soluo:

a) E_Jul = 25,42 kWh; E_Dez = 7,10 kWh; h_Jul = 22,78%; h_Dez = 6,36% b) erro_Jul = 32,25%; erro_Dez = 34,97%

Problema FV 5. (Teste de 2005/06)

O catlogo do mdulo fotovoltaico SHELL SP150-P indica os seguintes valores: P = 150 Wp NOCT = 45 C V = 34 V NSM = 72 Icc = 4,8 A c = 1,586 m Vca = 43,4 V l = 0,769 m

Aplicaes Ligadas Rede

58

O mesmo catlogo refere que: The relative reduction of module efficiency at an irradiance of 200 W/m2 in relation to 1000 W/m2 both at 25C cell temperature is 7%. O catlogo do fabricante indica ainda que o coeficiente de temperatura da tenso de circuito aberto Vca = 0,152V/C. a) calcule o rendimento do mdulo nas condies de referncia (STC); b) para as condies, G=200W/m2 e c=25C, calcule: rendimento do mdulo indicado pelo fabricante, potncia mxima prevista teoricamente e rendimento do mdulo previsto teoricamente; c) para a temperatura do mdulo, c=50C (mantendo a radiao de referncia), calcule: tenso de circuito aberto indicada pelo fabricante e tenso de circuito aberto prevista teoricamente.
Soluo:

a) r = 12,30% b) fab = 11,44%; Pmax = 24,69 W; teo = 10,12% c) Vca_fab = 39,60 V; Vca_teo = 39,30 V

Problema FV 6. (Exame de 2004/05)

O catlogo de um mdulo fotovoltaico indica os seguintes valores para as condies de referncia para a realizao de testes (STC): P = 150 Wp NOCT = 45 C V = 34 V NSM = 72 Icc = 4,8 A c = 1,622 m Vca = 43,4 V l = 0,814 m

O mesmo catlogo indica tambm os seguintes valores para as condies normais de operao do mdulo (NOCT): P = 109 W V = 31,2 V Icc = 3,8 A Vca = 39,9 V

Use o modelo de um dodo e trs parmetros para calcular: a) os trs parmetros do modelo; b) para as condies NOCT, o erro cometido no clculo da potncia e da tenso de circuito aberto; c) a relao entre o factor de forma nas condies NOCT e o factor de forma nas condies STC.
Soluo:

a) m = 145,35; I0ref = 4,35x105 A; Iccref = 4,80 A b) erro_Pmax = 5,4%; erro_Vca = 1,7% c) relFF = 95,01%

Anexo

59

5.

ANEXO
MTODO ALTERNATIVO DE CLCULO DO FACTOR DE IDEALIDADE

Um mtodo alternativo de clculo do factor m baseia-se num dado habitualmente fornecido nos catlogos, o coeficiente de temperatura da tenso de circuito aberto,
rVca , o qual se mantm aproximadamente constante numa gama alargada de

temperaturas e radiaes.

dV rVca = ca r T =T dT G =Gr

equao 36

A partir da equao 29, tendo em conta que nas condies de circuito aberto

I = 0, pode escrever-se, para G = Gr:

r Icc Vca = mVT ln 1 1 T 3 m r ' r VT VT I0 Tr e

equao 37

Derivando, obtm-se, considerando que a corrente de curto-circuito no depende da temperatura:

r Icc Vca K 3 + = m ln 3 q m ' V T 1 1 T r T m' VT VT r I0 T r e

Para T = Tr vem:

equao 38

rVca =
Tendo em conta que:

Vca T

=m
T =T r

K Ircc 3+ ln r r q I0 m' VT

equao 39

Anexo

60
r Ircc = e mVT r I0 r Vca

equao 40

e resolvendo em ordem a m, tem-se:

r q Vca NSM m= rVca r 3K T

equao 41

Com base nesta metodologia alternativa que usa o valor de catlogo do coeficiente de temperatura da tenso de circuito aberto, calcularam-se os parmetros caractersticos do modelo de um dodo e trs parmetros (m, I0 e IS) que tem vindo a ser seguido:
Quadro 5 Parmetros caractersticos do modelo de um dodo e trs parmetros; modelo alternativo.
Factor de idealidade Factor de idealidade equivalente Corrente de curto-circuito Corrente de saturao inversa m m' Icc I0ref 43,29 1,20 6,5 A 4,2E-08 A

Os resultados mdios anuais obtidos esto sistematizados no Quadro 6.

Quadro 6 Principais grandezas mdias anuais; modelo alternativo.
Potncia mxima mdia anual Energia mdia anual Utilizao anual da potncia de pico Pmax E h 18,41 W 143,62 kW h 1.432 h

Pode verificar-se que o valor obtido para a utilizao anual da potncia de pico j est mais prximo do valor reportado noutros estudos, o que parece revelar que o parmetro m obtido com a metodologia alternativa mais adequado para modelar mdulos fotovoltaicos instalados em Lisboa, e em geral, em Portugal.

Referncias

61

6.

REFERNCIAS

[Aguiar]

Ricardo Aguiar, Susana Castro Viana, Antnio Joyce, Estimativas Instantneas do Desempenho de Sistemas Solares Fotovoltaicos para Portugal Continental, XI Congresso Ibrico / VI Congresso IberoAmericano de Energia Solar, Albufeira, Setembro 2002.

[BPSolar]

BP Solar http://www.bpsolar.com/

[CREST]

United States Department of Energy, Center for Renewable Energy and Sustainable Technology, Aurora educational web site http://aurora.crest.org/

[DOE]

US Department of Energy, Photovoltaics http://www.eren.doe.gov/pv/

[ESTSetbal]

Alexandre Cerdeira, Mrio Alves, Maximizao da Energia Fornecida por um Painel Fotovoltaico, Trabalho Final de Curso, Escola Superior de Tecnologia do Instituto Politcnico de Setbal, Dezembro 2001.

[Frum]

Frum Energias Renovveis em Portugal, Relatrio Sntese, Agncia de Energia & Instituto Nacional de Engenharia e Tecnologia Industrial ADENE & INETI, Lisboa, Novembro 2001.

[Fry]

B. Fry, Simulation of Grid-Tied Building Integrated Photovoltaic Systems, University of Wisconsin Madison, College of Engineering's Solar Energy Lab (SEL), MSc Thesis, 1998. http://sel.me.wisc.edu/Publications/Theses/theses2.html

[IEA-PVPS]

International Energy Agency Photovoltaics Power Systems, Trends in Photovoltaic Applications in Selected IEA Countries between 1992 and 2001. http://www.iea-pvps.org/

[ILSE]

ILSE The Interactive Learning System for Renewable Energy, Institute of Electrical Power Engineering, Renewable Energy Section, Technical University of Berlin (TU-Berlin) http://emsolar.ee.tu-berlin.de/~ilse/

[NREL]

National Renewable Energy Laboratory http://www.nrel.gov/

Referncias [Ris]

62
Anca D. Hansen, Poul Sorensen, Lars Hansen, Henrik Bindner, Models for Stand-Alone PV System, Ris National Laboratory, December 2002.

[Shell]

Shell Solar, Shell SM100-12 Photovoltaic Solar Module, http://www.shell.com/solar

[SOLARPV]

Siemens Solar Industries http://www.solarpv.com/

[Stone]

Jack L. Stone, Photovoltaics: Unlimited Electrical Energy From the Sun, US Department of Energy http://www.eren.doe.gov/pv/onlinelrn.html

[TU-Berlin]

Photovoltaic Energy Systems Experiment PE1: Solar-Modules, Institute of Electrical Power Engineering, Renewable Energy Section, Technical University of Berlin (TU-Berlin) http://emsolar.ee.tu-berlin.de/lehre/english/pv1/