Familias lgicas Familias MOS Transistor MOS: componente bsico de varias familias lgicas de gran importancia que se presentan

sucesivamente La mayora de la produccin de circuitos digitales integrados estn basados en transistores de tipo MOS (metal-oxide-semiconductor) en los que su funcionamiento se justifica por el movimiento de cargas negativas transistores NMOS o de cargas positivas transistores PMOS. Dicindose por ello que son transistores unipolares. Formados por 4 terminales Fuente (S sources) drenador (d o drain) puerta (g o gate) substratos

Este ultimo est conectado a fuente o drenador En la siguiente figura se muestra un esquema de la composicin fsica de un transistor NMOS hay un substrato semiconductor de tipo P, y 2 zonas de tipo N que constituyen la fuente y el drenador, estas zonas en su superficie disponen de unos contactos metlicos en negro en la figura, a travs de los cuales se comunican con el exterior. La puerta es una lmina de silicio policristalino que es un material conductor, separado de la superficie del substrato por medio de una capa de aislane (oxido de silicio). Es decir no hay conexin elctrica directa entre la puerta y el substrato, es como si la puerta y el substrato formasen un condensador. Una consecuencia notable del aislamiento entre puerta y substrato es que la imperancia de entrada del transistor es elevada (del orden de megaohmios) siendo usualmente la intensidad de la puerta despreciable. La zona del substrato prxima a la superficie entre fuente y drenador inmediatamente debajo de la puerta se denomina zona de calor.

Transistor NMOS: a) corte transversal. B) smbolo c)smbolo de un transistor PMOS d) inversor de un transistor NMOS e) caracterstica de transferencia Familias NMOS estticas Una caracterstica muy importante de las familias NMOS es que no utilizan resistencias como tales sino nicamente transistores MOS en las familias NMOS se utilizan transistores NMOS. Esto lleva consigo que se puedan miniaturizar

considerablemente su tipo de circuitos integrados. La familia NMOS ofrece ventajas considerables sobre la familia PMOS, por lo que pronto desplazo a esta ltima. Hoy dia, a su vez, la familia NMOS ha sido desplazado por la CMOS. El funcionamiento de las familias NMOS es fcil comprenderla con la ayuda de la siguiente figura. En ella representamos con un rectngulo un conmutador que evidentemente es un transistor NMOS. En el inciso a, cuando x es h, el conmutador se cierra y la salida toma el valor de VSS. Se dice que el conmutador baja (pull down) el nivel de la salida. Por el contrario, cuando x es l, el conmutador permanece abierto, no pasa corriente por r y la salida es H. se dice que la resistencia sube (pull up) el nivel de la salida.

Realizacin de puertas lgicas con resistencia subir (pull-up) y elemento activo para bajar (pull-down) el valor de la tensin de salida: (a) inversor (b) puerta NOR (c) Puerta NAND El circuito del inciso b sintetiza la funcin NOR, utiliza 2 conmutadores como elementos de bajada y una resistencia como elemento de subida (carga pul up) para que la salida de este circuito z sea H, es necesario que los 2 conmutadores estn abiertos, es decir, Y = X = L y basta con que uno de ellos este cerrado X = H o Y = H. para que la salida sea baja Z = L es decir el circuito sintetiza la funcin lgica NOR. En el inciso c, el circuito sintetiza la funcin lgica NAND, en efecto para que la salida sea baja Z = L debe verificarse simultneamente que X = L e Y = L en caso de no cumplirse esta condicin Z = H.

Velocidad de operacin Una compuerta NAND N-MOS comn tiene un tiempo de retardo en la propagacin de 50 ns. Esto se debe a 2 factores: la resistencia de salida relativamente alta de 100 k y la carga capacitativa representada por los circuitos lgicos manejados.

Margen de ruido Comnmente, los mrgenes de ruido estn alrededor de 1.5 volts cuando operan desde un voltaje DD = 5 volts.