I. INTRODUCTION. A. AVERTISSEMENT. B. LIEN AVEC LE COURS D'LECTRONIQUE. II. STRUCTURE DE LA MATIRE. A. RAPPEL DE LA DESCRIPTION SIMPLIFIE DE LA STRUCTURE DES ATOMES.

B. LES LIAISONS INTER-ATOMIQUES. 1. Les liaisons covalentes. 2. Les liaisons mtalliques. C. LA CONDUCTION LECTRIQUE. 1. Dfinition. 2. Les isolants. 3. Les conducteurs. 4. Interprtation de la loi d'Ohm. Mobilit des charges. Courant. Densit de courant. Conductivit et rsistivit. 5. Influence de la temprature. III. LES SEMI-CONDUCTEURS. A. INTRODUCTION. B. GNRALITS SUR LES SEMI-CONDUCTEURS. 1. Semi conducteurs intrinsques. 2. Semi conducteurs extrinsques. Le semi conducteur de type P. Le semi conducteur de type N. C. CONDUCTION

I- INTRODUCTION.
1. AVERTISSEMENT : Ce cours n'a aucunement la prtention d'tre un cours de cristallographie. Il ne sera donc ni exhaustif (et de trs loin s'en faut !), ni franchement rigoureux. Son but est de permettre la comprhension des principaux phnomnes de conduction qui se produisent dans les semi-conducteurs, afin de pouvoir interprter leur comportement. Cet expos sera donc plus proche de la vulgarisation que du cours acadmique, mais compte tenu du but recherch, il sera largement suffisant pour comprendre les phnomnes sans rentrer dans les dtails fort compliqus de la thorie de la conduction. Les personnes dsireuses d'approfondir cette partie (tout en conservant une vue d'ensemble) pourront se rfrer (entres autres) l'ouvrage Matriaux de l'lectrotechnique de P. Robert dit chez Dunod (collection Trait d'lectricit, d'lectronique et d'lectrotechnique ). A noter que des connaissances approfondies en cristallographie ne sont indispensables que pour l'lectronicien dsireux de se spcialiser en micro-lectronique (conception de circuits intgrs). On peut donc parfaitement s'en passer si on se contente d'assembler des composants discrets ! Dans l'optique de ce cours, elles vont nous permettre de comprendre l'essentiel du fonctionnement des composants utiliss sans avoir parachuter trop de notions qui resteraient alors incomprises. 2. LIEN AVEC LE COURS D'LECTRONIQUE : Tout le secret de l'lectricit rside dans la capacit de la matire laisser circuler plus ou moins bien des charges lectriques en son sein sous l'influence d'un champ lectrique externe. Les composants lectroniques obissent aux lois gnrales de l'lectricit (revoir le chapitre I), et donc rpondent la dfinition prcdente. La diffrence avec les composants lectriques traditionnels se situe dans le matriau conducteur utilis, qui va autoriser un meilleur contrle de la conduction lectrique, et donc des fonctionnalits nouvelles. L'lectronique va alors se distinguer de l'lectricit par des composants dont on pourra moduler la conduction l'aide de signaux lectriques, chose impossible avec les composants simples de l'lectricit. Il est par consquent utile de rappeler en introduction que tout ce qu'on voit en lectronique est totalement dpendant de la physique des solides, et qu'un aperu de cette dernire est indispensable pour comprendre le fonctionnement des composants lectriques et lectroniques.

II- STRUCTURE DE LA MATIRE.

A. RAPPEL DE LA DESCRIPTION SIMPLIFIE DE LA STRUCTURE DES ATOMES :
Les atomes sont des particules de base constitues d'un noyau autour duquel gravitent des lectrons. Le noyau est compos de protons, particules lmentaires charges lectriquement la valeur +e, et de neutrons, sans charge. Les lectrons sont des particules charges lectriquement la valeur -e. Ils tournent autour du noyau sur des orbites dfinies et ont une masse ngligeable vis vis des neutrons et protons (qui ont eux environ la mme masse). La charge lectrique lmentaire vaut e = 1,6E-19 C (C pour Coulomb, unit de charge lectrique). Les orbites des lectrons ont des dimensions trs grandes vis vis de celle du noyau, et l'ensemble de l'atome est lectriquement neutre, car il comprend autant de protons que d'lectrons. Les lectrons se rpartissent sur des orbites diffrentes qui forment des couches. Les couches sont remplies par les lectrons dans un ordre bien dtermin. Dans la mesure du possible, ceux-ci s'assemblent par paires. Quand ce n'est pas possible, ils restent clibataires. Quand l'atome possde plusieurs couches d'lectrons, les couches profondes contiennent un nombre d'lectrons indpendant de l'atome considr. C'est la couche priphrique qui fait la diffrence.

Fig. 1. Structure d'un atome (silicium).

B. LES LIAISONS INTER-ATOMIQUES :

Dans la matire, les atomes la constituant se combinent entre eux de manire lui donner une certaine cohsion. Macroscopiquement, ces liaisons, appeles valences, vont donner la consistance du matriau : gaz, liquide, solide plus ou moins dur, structure cristalline Pour la suite de l'expos, nous allons dcrire seulement deux types de valences ; il en existe d'autres que nous n'aborderons pas. Ces deux liaisons sont : 1. Les liaisons covalentes : Les atomes se lient entre eux en mettant en commun des lectrons clibataires de la couche priphrique (lectrons de valence). Ces lectrons s'associent en paires et appartiennent en commun aux deux atomes participant la liaison. De ce fait, les liaisons obtenues sont trs robustes : il faut leur fournir une nergie importante pour les casser. Dans ce type de liaison, les lectrons mis en commun restent trs lis aux atomes qui les fournissent. Ils ne peuvent pas circuler facilement dans la matire. 2. Les liaisons mtalliques : Dans ce cas de liaison, ce ne sont pas deux atomes qui mettent en commun un ou plusieurs lectrons pour se lier ; un grand nombre d'atomes mettent en commun des lectrons clibataires. Les atomes ainsi dpouills de leur(s) lectrons(s) deviennent des particules non neutres du point de vue charge lectrique (des ions). Ils forment un rseau cristallin et baignent dans un nuage d'lectrons trs mobiles appels lectrons libres. C. LA CONDUCTION LECTRIQUE : 1. Dfinition : Lorsqu'on applique un champ lectrique extrieur sur un matriau, on a conduction si on observe la circulation d'un courant lectrique dans le matriau. Ce courant est d au dplacement de charges lectriques dans le matriau.

Fig. 2. Dplacement de charges dans un matriau.

La figure 2 montre ce mcanisme : si on applique une diffrence de potentiel U AB entre deux points A et B d'un matriau distants d'une longueur L, on cre un champ lectrique E dans le matriau : Ce champ va crer des forces sur les charges lectriques prsentes dans le matriau :

Si la charge q est positive, la force et le champ sont de mme sens, si elle est ngative, ils sont de sens opposs. Pour que des charges se dplacent dans un champ lectrique, encore faut-il que ces charges mobiles existent. Les paragraphes qui suivent vont faire le lien avec les types de liaisons atomiques vues prcdemment. 2. Les isolants : Dans le cas des matriaux isolants, on a affaire des liaisons de type covalente : les lectrons clibataires de la couche priphrique forment tous des liaisons avec leurs homologues issus d'autres atomes adjacents. Les liaisons sont robustes, et les charges potentiellement mobiles (les lectrons) restent lies aux atomes auxquelles elles appartiennent. On a beau appliquer un champ lectrique sur ces matriaux, aucun courant lectrique ne circule, car il n'y a pas de charges mobiles. Il faut noter que les isolants sont aussi importants que les conducteurs en lectricit et en lectronique, car ce sont eux qui permettent de canaliser les courants lectriques l o on le dsire. Ils vont s'intercaler entre les conducteurs, et aussi assurer la protection des usagers (gaines isolantes, enrobages de cbles ). 3. Les conducteurs : Les liaisons des atomes composant les matriaux conducteurs sont de type mtallique. Nous avons vu prcdemment que dans ce type de liaisons, chaque atome libre un lectron qui peut circuler librement dans le cristal. En l'absence de champ lectrique extrieur, ces lectrons se dplacent dans un mouvement dsordonn, et, statistiquement, la somme de tous les dplacements est nulle : il n'y a pas de courant lectrique gnr spontanment (ce qui serait l'quivalent du mouvement perptuel en mcanique !). Par contre, ds qu'on applique un champ lectrique extrieur au matriau conducteur, les lectrons vont circuler dans un sens bien dtermin par le sens du champ lectrique, crant un courant important. 4. Interprtation de la loi d'Ohm : Tout le monde connat la loi d'Ohm : Cette loi est interprtable au niveau atomique. Nous allons en donner les principales formulations cidessous. Certaines quations sont bien entendues parachutes, notamment celle qui parat la plus simple, savoir la mobilit des charges. Elle dcoule de la thorie du modle boules de billard, qui assimile les particules en

mouvement des boules de billard qui se dplacent alatoirement et qui s'entrechoquent. Nous n'entrerons pas dans cette thorie. On se reportera l'ouvrage pr-cit (p.50) pour de plus amples renseignements. Mobilit des charges :
De tout ce qui a t dit prcdemment, on se doute qu'un des principaux paramtres qui va dcrire l'aptitude d'un matriau conduire le courant lectrique est la mobilit des charges lectriques prsentes dans ce matriau. On le dfinit dans la relation suivante : est la mobilit des charges exprime en m 2 /Vs , v la vitesse de dplacement de ces charges dans la matire, et E l'intensit du champ lectrique appliqu sur le matriau (exprim en V/m). Courant : Le courant lectrique est le dbit de charges lectriques circulant dans le conducteur d'une section S donne, savoir la quantit de charges lectriques qui vont traverser cette section par unit de temps : o n est le nombre de charges traversant la section S de conducteur la vitesse v. Chaque particule est charge la valeur lmentaire e = 1,6E-19C. Cette dfinition est tout fait assimilable au dbit d'eau dans une conduite. On voit ici que le courant dpend de la section du conducteur. Pour caractriser le matriau, on va utiliser une dfinition faisant abstraction de cette section : c'est la densit de courant. Densit de courant : La densit de courant J est tout simplement le rapport de l'intensit la section, soit : La densit est proportionnelle la mobilit des charges, leur nombre, et au champ lectrique appliqu.

Conductivit et rsistivit : Si on reprend l'quation [1] et la figure 2, on peut remplacer E par sa valeur dans l'quation [5], soit :

C'est la loi d'Ohm. La rsistance R du tronon de matriau de section S et de longueur L est gale : Par dfinition, on appelle la conductivit la valeur : La rsistivit est l'inverse de la conductivit, savoir : Une autre forme de la loi d'Ohm est dans ce cas : Exemples de valeurs de rsistivit : = 1E12m pour le diamant (isolant) = 1,7E-8m pour le cuivre (conducteur) 5. Influence de la temprature : La temprature, en augmentant, va accrotre l'agitation des particules dans la matire, et ainsi gner leur dplacement lors de l'application d'un champ lectrique externe. La rsistivit du matriau va augmenter. Cette augmentation de la rsistivit avec la temprature est une loi linaire, et peut se mettre sous la forme : a est la constante du matriau,0 la rsistivit To et la rsistivit la temprature T. a vaut 4E-3K-1 pour le cuivre. Cela signifie que la rsistance d'un conducteur de cuivre va varier de 1% tous les 2,5C. On en tiendra compte lorsqu'on fera de telles mesures !

III- LES SEMI-CONDUCTEURS.

A. INTRODUCTION : Nous venons de voir que les charges lectriques sont plus ou moins libres de circuler dans la matire sous l'influence d'un champ lectrique externe. Cette proprit nous a permis de distinguer les isolants (liaisons trs robustes, charges lectriques trs peu mobiles) des conducteurs (liaisons fragiles, charges trs mobiles). Les semi-conducteurs se situent entre ces deux extrmes (d'ou leur nom !). On va aussi pouvoir obtenir les caractristiques dsires en appliquant les transformations physico-chimiques adquates. Il en rsultera plusieurs sortes de semi-conducteurs que l'on pourra combiner pour obtenir des fonctionnements bien dtermins. B. GNRALITS SUR LES SEMI-CONDUCTEURS : 1. Semi conducteurs intrinsques : Un semi conducteur est constitu par un rseau cristallin de matriau trs pur. On utilise soit des lments du tableau priodique possdant chacun 4 lectrons de valence, soit des combinaisons de matriaux qui possdent 3 et 5 lectrons de valence. Les atomes sont lis entre eux par des liaisons covalentes. Ces liaisons sont robustes, ce qui fait que pour arracher des lectrons des atomes, il faut fournir une nergie assez importante (environ 1eV, contre 0,1 eV pour les conducteurs et 5eV pour les isolants).

Fig. 3. liaisons dans un cristal de silicium.

Les trois principaux semi-conducteurs utiliss en lectronique sont : le silicium (Si) : c'est le matriau le plus utilis actuellement pour la fabrication des composants lectroniques. le germanium (Ge) : il est dlaiss (trop sensible en temprature : courants de fuite importants, temprature de fonctionnement limite). l'arsniure de gallium (AsGa) : il est trs utilis dans la fabrication de composants opto-lectroniques, et permet aussi de fabriquer des composants plus rapides que ceux en silicium ; ces applications sont cependant relativement rares. Les semi-conducteurs ont une rsistivit lectrique intermdiaire entre les isolants (1E14 1E22 cm) et les bons conducteurs (1E-6 cm) : elle est comprise entre 1E2 et 1E9 cm. L'agitation thermique fait que certains lectrons quittent leur liaison et deviennent des lectrons libres. Ils crent alors un trou qui ne demande qu' tre rebouch par un autre lectron libre, surtout si on applique un champ lectrique sur le cristal : lectrons et trous se dplacent en sens inverse, engendrant ainsi un courant lectrique. Contrairement ce qui se passe dans les conducteurs, la rsistivit des semi conducteurs diminue quand la temprature augmente : en effet, plus la temprature est leve, plus le nombre de trous et d'lectrons libres augmente, et plus le courant produit est intense quand on branche un gnrateur sur le cristal. 2. Semi conducteurs extrinsques. Les semi conducteurs intrinsques n'ont pas une grande utilit en tant que tels ; ils servent de base aux semi conducteurs dops : on y rajoute des impurets pour modifier leur comportement. Il existe deux types de semi conducteurs extrinsques : Le semi conducteur de type P. (GIF 17ko) On dope le cristal intrinsque avec un lment possdant un nombre infrieur d'lectrons de valence : on peut doper du silicium (4 lectrons de valence) avec du Bore, de l'indium, du Gallium ou de l'Aluminium qui possdent 3 lectrons de valence (atome accepteur). Ces atomes vont prendre la place d'atomes de silicium dans le cristal. Comme ils possdent 1 lectron de valence en moins, il va se crer des trous dans le semi-conducteur. Les trous deviennent porteurs de charges mobiles majoritaires : le semi conducteur est de type P. Il subsistera quelques lectrons libres dans le cristal (porteurs minoritaires). Les trous ainsi crs vont tre susceptibles d'tre bouchs par des lectrons prsents dans le cristal (par exemple, des lectrons issus de paires lectron-trou gnrs par l'agitation thermique). Le semi conducteur de type N. (GIF 17ko) Le principe est le mme que pour le semi conducteur de type P, sauf qu'on dope le cristal avec des lments ayant un lectron de valence de plus (atomes donneurs) : le phosphore, l'arsenic et l'antimoine,

qui possdent 5 lectrons de valence pourront doper le silicium par exemple. 4 lectrons vont faire des liaisons covalentes avec les atomes de silicium environnants, et le 5me sera un lectron libre ; tous ces lectrons libres seront les porteurs majoritaires. Il existera encore quelques trous, mais en trs faible quantit.
Les lectrons libres seront pratiquement aussi mobiles que dans le cas des conducteurs (liaisons mtalliques). A noter que dans ce cas, l'atome donneur devient ion positif, mais ceci ne cr pas un porteur trou comme dans le cas du silicium P, car cette charge positive ne peut pas se dplacer dans le cristal. A noter que dans les deux cas (types N et P), le cristal reste globalement lectriquement neutre , car le noyau des atomes donneurs comporte un proton de plus que l'atome du cristal intrinsque, et un de moins dans le cas des atomes accepteurs. Le dopage permet d'avoir beaucoup plus de porteurs d'une espce donne que de l'autre, et il a apport une fragilit supplmentaire dans les liaisons atomiques : l'nergie ncessaire pour arracher un porteur majoritaire d'un atome est d'environ 0,1eV : il y aura plus de charges participant la circulation du courant que dans un cristal intrinsque. C. Conduction : En pratique, seuls les lectrons se dplacent. Au niveau mobilit des charges, on voit que pour le silicium N, les charges mobiles sont les lectrons libres , dont l'nergie de liaison se situe dans la bande de conduction (il faut trs peu d'nergie pour les arracher de leur atome donneur) : ils vont donc tre trs mobiles. Pour le silicium P, le dplacement de trous se fera en fait par dplacement d'lectrons qui seront obligs de venir des autres liaisons covalentes (gnration de paires lectron-trou), donc de la bande de valence (il faut fournir

une nergie relativement leve pour crer ces paires de porteurs) : ils vont tre beaucoup moins mobiles que les lectrons libres du silicium N, ce qui explique que la conductivit du silicium P soit plus faible que celle du N. La conduction est le rsultat de trois termes : Conduction par champ lectrique : un champ externe va fournir suffisamment d'nergie aux lectrons libres (N) ou au trous (P) : en fait, les lectrons de valence voisins du trou) pour qu'ils se dplacent. On a une conduction dans un barreau de silicium monocristal (N ou P). La conduction est meilleure dans le N cause de ce qui a t dit prcdemment. Conduction par diffusion des porteurs : n'existe pas dans un cristal homogne. Ce phnomne est d l'htrognt du matriau (jonction, dopage non homogne ) : il y a un gradient de concentration des charges qui se dplacent pour se rpartir de faon homogne dans le cristal la manire des gaz. Conduction par cration/recombinaison de charges : ceci concerne les charges libres minoritaires, qui peuvent tre cres de diverses manires : mission photonique, avalanche, passage de la barrire de potentiel d'une jonction Ces charges en excs se recombinent avec les porteurs majoritaires selon une loi exponentielle de constante de temps gale la dure de vie des porteurs.