Sie sind auf Seite 1von 7

INTRODUCIN A LOS SISTEMAS DE BAJA DIMENSIONALIDAD, POZOS CUANTICOS Y ALGUNAS APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES

POR HUMBERTO TRIVIO NAVARRO

RESUMEN En este trabajo, se mostrar la estrecha relacin existente entre los sistemas de baja dimensionalidad, pozos cunticos y las principales aplicaciones de algunos semiconductores en diferentes reas del conocimiento, principalmente en la industrial o el contexto cotidiano. Partiendo del hecho de retrotraer las principales definiciones desde un perspectiva constructiva, metdica, sistemtica y practica con las respectivas conexiones a otros saberes de la fsica clsica o moderna. Palabras claves: Sistemas de bajas dimensionalidad, semiconductores. 1. INTRODUCCIN Uno de lo ms grande misterios es el hecho de explicar el origen de este universo o quizs nos atrevemos a utilizar el trmino de universos para hacer un poco ms interesante el discurso , de hecho en el trascurrir de la historia y la sociedades siempre ha sido una gran polmica. Buscando la respuesta a esta pregunta u otras similares surge la necesidad de la construccin sistemtica del conocimiento y por ende florece una de las ciencias ms hermosas como la fsica matemtica para ahondar, profundizar e investigar los temas ms interesantes de nuestro entorno fsico. Precisamente uno de los caminos para llegar a estas discusiones o como punto de apoyo lo encontramos en una parte de la fsica moderna la llamada mecnica cuntica, en nuestro caso centrndonos en los pozos, alambres, puntos cunticos y por otro lado la correspondencia de los sistemas de baja dimensionaldad y algunas aplicaciones de los semiconductores. pozos cunticos,

Asimismo es necesario dejar claro la conexin de estos contenidos en mencin e igualmente generar estrategias para socializar e invitar al pensamiento crticoconstructivo del conocimiento cientfico.

2. MARCO TEORICO Tendremos en cuenta las definiciones y diferentes trabajos de grandes investigadores en mecnica cuntica y fsica de los materiales, para adentrarnos en la conexin y estudios de sistemas de baja dimensionalidad en particular encontramos que El desarrollo tecnolgico ha permitido disear dispositivos electrnicos, tales como telfonos celulares, equipos de transmisin satelital, codificadores de fibra ptica, chips para el almacenamiento de informacin, diodos emisores de luz ahorradores de energa, computadores ms rpidos y econmicos, lseres de semiconductor y detectores de infrarrojo, entre otros, basados en las estructuras de baja di-mensionalidad (EBD), el estado slido y la materia condensada. (Parmnides Aristizabal y otros, 2007). Ms adelante los mimos autores indican lo siguiente En las estructuras semiconductoras, uno de los parmetros ms importante del sistema y que aparece en la estructura de bandas es la brecha de energa (gap) prohibida entre las bandas de valencia y de conduccin, de modo tal que cuando un electrn en la banda de valencia supera dicha brecha pasa a la banda de conduccin y puede moverse por el materia Por otro lado Se ha demostrado un proceso de difusin selectivo con una concentracin superficial Cs del orden de 1020cm-3, que permite controlar profundidades de unin en el rango de 20 a 500 nm , usando SOD como fuente y hornos RTP para efectuar el proceso difusivo.(Eva Barea, 2012).

Asimismo Alejandro Fainstein y Karen Hallberg en su trabajo Confinamiento cuntico en sistemas Nanoscpicos infieren que en un pozo cuntico los electrones estn confinados en una direccin solamente (por ejemplo, en la direccin z), mientras que en las otras dos (x, y) se mueven libremente. Es como si obligramos a los electrones a moverse en el queso de un sndwich.

Los mismos autores hacen referencia a los alambres cunticos indicando que son muy parecidos a los alambres que conocemos, slo que con dimensiones muy reducidas. El dimetro de estos alambres ronda entre 1 y 100 nanmetros y su largo llega hasta los 100 m (micrmetros) o 0.1 mm. Siendo estos de diversos materiales. Por ejemplo, los hay de materiales semiconductores como el arseniuro de galio (GaAs) o los compuestos por fsforo e indio (InP), o con arsnico (InAs) o con ambos. De forma similar definen un punto cuntico como un dispositivo artificial muy pequeo o una regin del espacio de dimensiones muy pequeas, desde algunas decenas de nanmetros a algunos micrones, que es capaz de confinar electrones en las tres dimensiones espaciales (por eso se llama cero-dimensional). Por su parte, R BERTEL, G Fonthal y otros, 2007 en su trabajo investigativo Determinacin del ensanchamiento inmogneo en pozos cunticos de InGaAs/InAlAs por fotoluminiscencia encontr que el pozo ms ancho presentaba la mayor desviacin al ensanchamiento homogneo y las mayores desviaciones en forma de lnea, corrimiento con temperatura e intensidad integrada con potencia, y que la causa es por un efecto de defectos nativos volumtricos y no de superficie. Donde usualmente estn fabricados con material semiconductor y pueden albergar desde ninguno a varios miles de electrones e igualmente se consider una muestra de tres QWs de InGaAs/InAlAs, utilizando la tcnica de descomposicin qumica de vapor metal orgnico (MOCVD)en el Instituto de Optoelectrnica de la Universidad de Campias, Rio Janeiro, Brasil De otro lado, Esteban Osvaldo Guerrero R, 2004 nos ilustra que los dispositivos llamados semiconductores de potencia juegan un papel muy importante en la regulacin y distribucin de la potencia y energa en el mundo. Segn algunas estimaciones, ms del 60 % de toda la energa utilizada en los Estados Unidos fluye a travs de por lo menos un dispositivo de potencia. Consecuentemente, el funcionamiento de los convertidores electrnicos de potencia e interruptores, tienen un impacto significativo en el uso eficiente de la electricidad.

Recalcando tambin una gran variedad de tecnologas de interruptores de estado slido para realizar las funciones de conmutacin. Las caractersticas deseables de tales dispositivos semiconductores de potencia se deben distinguir por la alta capacidad tanto del bloqueo o densidad de corriente, tiempos de conmutacin cortos, facilidad de control. E. Osvaldo explica que los elementos parsitos de los dispositivos semiconductores de potencia tienen una fuerte influencia en el desempeo del ACE, especialmente a altas frecuencias de operacin. La resistencia de encendido se encarga de disminuir la eficiencia del circuito y la capacitancia de salida es el factor limitante de la frecuencia de conmutacin. Por otro lado L Place, M Fernndez- Guasti y otros, en su artculo Obtencin de capas delgadas por ablacin lser han descrito la tcnica de ablacin lser utilizando un sistema de alta energa. Dicho sistema ofrece una amplia gama de posibilidades para evaporar diversos materiales y con dicha instalacin han permitido evaporar selenio amorfo con buena calidad ptica y evaluar algunos parmetros del plasma durante la evaporacin de grafito. Adems Hernando Ariza Caldern en su trabajo en Fabricacin y caracterizacin ptica de materiales semiconductores para aplicaciones en optoelectrnica realiz una excelente labor en el hecho de los montajes y la implementacin de tcnicas tales como la fotoluminiscencia, foto-reflectora , logrado una caracterizacin ptica de materiales semiconductores que permitieron determinar las propiedades fsicas ms importantes de este tipo de materiales, as como la fabricacin de capas epitaxiales. 3. ANLISIS Ms all de obtener resultados y procedimientos es el hecho de realizar una confrontacin de algunos estudios hechos en fsica y reas afines. Se evidencia en forma general el marcado inters de la implementacin de tcnicas y procesos en laboratorios distinguidos del mundo con el objeto primordial de aplicar los semiconductores y procesos cunticos en el contexto social.

Obviamente sin dejar de un lado los procesos matemticos necesarios para que dichos resultados o aplicabilidades tengan un soporte sistemtico -formal e igualmente abriendo nuestras puertas hacia dimensiones desconocidas (nuevos conocimientos).

4. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES La Fsica como ciencia desde su parte histrica y progresiva nos ha permitido plasmar ideas de grades pensadores, los cuales con gran empeo, dedicacin y quizs sacrificando su tiempo o el compartir con sus familias permiten idear y plasmar a travs de modelos los fenmenos que nos rodean, que en ocasiones los ignoramos. La investigacin es una herramienta muy potente que permite indagar, conocer, analizar, confrontar, validar hiptesis, conjeturas, teoras y a la vez explicar nuestra realidad que obviamente requiere de un rigor lgico y por ende una forma natural en el construir las nuevas definiciones o contraejemplos, abriendo nuevos horizontes. El estudio de los sistemas de baja dimensionalidad nos permite entrar en un micro universo aparente, pero de hecho cada vez nos damos cuenta de la inmensidad del mismo ,implicando la creacin de nuevos instrumentos para el estudio de partculas cunticas y la conexin de las mismas en los materiales semiconductores Los semiconductores han sido de gran utilidad para nuestros que ceres cotidianos, sera necesario revisar siempre el uso responsable de estos implementos es decir, previendo su ptima aplicacin. Extender el sentido del asombro y la proyeccin de nuevos conocimientos o generar argumento slidos en el estudio de la ciencia de los materiales y mecnica cuntica.

REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS

Ariza C. Hernando; FABRICACIN Y CARACTERIZACIN PTICA DE MATERIALES SEMICONDUCTORES PARA APLICACIONES EN OPTOELECTRNICA; Rev. Acad. Colomb. Cienc. 27(104): 357-368. 2003. ISSN 0370-3908. Ariztizbal Parmnides, Len Ricardo y otros; ENERGA DE ENLACE DE EXCITONES EN POZOS CUNTICOS DE GaAs/Ga1-xAlxAs; Rev.EIA.Esc.Ing.Antioq no.7 Envigado Jan./June 2007. Barea, Eva; Nanotecnologas para energas en Latinoamrica; Universidad t Jaume I, Espaa; 2012. Fainstein Alejandro y Hallberg Karen; Confinamiento cuntico en sistemas nanoscopicos, Divisiones de Propiedades pticas y Teora del Slido; Centro Atmico Bariloche e Instituto Balseiro, CNEA; Garca Carlos y otros; Sistema Multimedia Aplicado a la Enseanza de los Semi conductores ; Dpto de Ingeniera Electrnica de Sistemas Informticos y Automtica, Escuela Politcnica Superior , Universidad del Huelva, Universidad de Sevilla. Germn J. Rodrguez C; Electrnica; IUTET, sede La Beatriz. Guerrero R Esteban O, Estudio Del Desempeo Del Amplificador Clase E Conmutado a Voltaje Cero, Utilizando Diferentes Dispositivos Semiconductores de Potencia Como Interruptor ; Centro Nacional De Investigacin y Desarrollo Tecnolgico;2004 J.H. Marn J.H.; Transferencia de carga para donadores en un pozo cuntico; Revista de la Sociedad Colombiana de Fsica, ISSN-e 0120-2650, Vol. 37, N. 1, 2005 , pgs. 163-166.

L. PONCE*, M. FERNNDEZ-GUASTI, E. JIMNEZ* y E. HARO-PONIATOWSKI; Obtencin de capas delgadas por ablacin lser; Universidad Autnoma Metropolitana-Iztapalapa, Apartado postal 55-534, 09340 Mxico, D.F., Mxico; Recibido el 23 de noviembre de 1993; aceptado el 20 de abril de 1994.

Pinto G. Manuel; Sistemas cunticos interactales en baja dimensionalidad; Departamento de Fsica , Centro Facultad Qumica, Universidad de Murcia, 2013. R BERTEL y otros; DETERMINACIN DEL ENSANCHAMIENTO INHOMOGNEO EN POZOS CUNTICOS DE InGaAs/InAlAs POR FOTOLUMINISCENCIA; Laboratorio de Optoelectrnica, Universidad del Quindo; Universidad de Zulia, Maracaibo (Venezuela); Centro de Investigaciones, Universidad de la Guajira; Universidad del Atlntico; (Recibido 23 de Oct. 2006; Aceptado 2 de Abr. 2007; Publicado 23 de Abr. 2007).

Das könnte Ihnen auch gefallen