DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

1 Objetivos Objetivo general: Describir el funcionamiento de un diodo semiconductor e interpretar su curva caracterstica Objetivo especifico: - Identificar las terminales de distintos tipos de diodos mediante el multimetro - Determinar el estado del diodo (conduccin) aplicando la polarizacin directa e indirecta. - Construir la curva caracterstica (real) de los diodos semiconductores 2 Procedimiento Se utilizo los siguientes materiales: 4 diodos de silicio 1N4001 4 diodos Zener a 9v 2 diodos de germanio OA90 4 LEDs de distintos colores 1 resistencia de 220 a 1/2 W 1 potencimetro de 10K 1 resistencia de 1k a W 1 resistencia variable de 10K 2 multimetros digitales 1 fuente de voltaje variable de 0 a 30v 1 generador de seales 1 osciloscopio I. Identificacin de terminales y prueba de diodos

a) Mediante observacin se identifico el nodo y el ctodo de cada tipo de diodo, se dibujo y anoto sus observaciones, como se puede ver a continuacin: ****** b) Utilizando un multimetro digital en funcin de OHMS se comprob el inciso anterior. Se conecto el hmetro en los extremos de cada diodo en polarizacin directa e inversa y se anoto en cada caso las resistencias medidas, como se observa en la Tabla 1. Diodo Polarizacin directa (M) Polarizacin inversa (M) Silicio 15 314 Germanio 15 15

Zener

15

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TABLA 1. DATOS EXPERIMENTALES DE LAS RECISTENCIAS MEDIDAS EN LOS DIODOS. En la Tabla 1 pueden verse 3 columnas, en la primera se encuentra el tipo de diodo. En la segunda columna se ubican los valores medidos directamente del multimetro, y representan las resistencias en polarizacin directa. En la columna 3 se ubican los datos de las resistencias obtenidos a travs del multimetro en polarizacin inversa. c) Con un multimetro digital en funcin de diodo, se realizo la medicin del voltaje de conduccin (V0) en polarizacin directa e inversa para cada elemento como se muestra en la Tabla 2. Se considero la polaridad de los terminales del multimetro. II. Curva caracterstica de un diodo semiconductor

a) Se armo el circuito como se muestra en la Figura 2, utilizando un diodo de silicio 1N4007 b) Se aumento gradualmente la tensin de la fuente V1 desde los 0v, en incrementos de 0.1v hasta que el diodo alcanzo su voltaje de conduccin. La toma de datos de estos valores se encuentra en la Tabla 3. c) Se invirti la polaridad del diodo y se repiti el inciso anterior como se muestra en la Tabla 4. d) Se realizo el procedimiento del inciso b) con una carga RL de 1K, como se muestra en la figura 3. Se midi el voltaje del diodo y la corriente. Los datos se encuentran registrados en la Tabla 5. ** e) Se repiti los incisos b) y c) pero en este caso se utilizo un diodo emisor de luz (LED) como se muestra en la Figura 4. Se anoto los datos en la Tabla 6 y en la Tabla 7 respectivamente. f) Se construy las Graficas 1, 2 y 3 de las curvas caractersticas de los diodos en polarizacin directa con los valores obtenidos en las tablas 3, 5 y 6. g) Se armo el circuito de la Figura 5, utilizando en este caso el diodo de germanio.** h) Se ajusto el valor de la fuente de alimentacin a 8v y se utilizo la resistencia variable de 10K. Se ajusto esta resistencia desde su valor mximo, hasta el valor en el que se pudo obtener los valores de corriente ID. Se anoto estos valores en la Tabla 8 i) Se obtuvo los diferentes valores de voltaje en las terminales del diodo al variar la resistencia, hasta obtener el valor del voltaje de conduccin. Se registro estos valores en la Tabla 9. III. Caracterizacin de un diodo zener en polarizacin inversa.

a) Se utilizo el diodo zener de 9v y se construyo el circuito como se muestra en la Figura 6.** b) Partiendo de 0v, se realizo incrementos de voltaje en la fuente V1 y se obtuvo los valores VAB indicados en la parte superior de la Tabla 10. En dicha tabla, se anoto los valores de la corriente ID Correspondiente a cada valor VAB indicado. c) Nuevamente partiendo de 0v, se realizo incrementos de voltaje en la fuente V1 y se obtuvo los valores de ID indicados en la parte media de la Tabla 10. Se anoto, en esta tabla, los valores del voltaje VAB, correspondiente a cada valor de corriente ID indicado.

d) Se calculo la resistencia RZ del diodo para cada valor de VAB y su correspondiente ID. Este valor se calculo mediante la Ecuacin:

(1)

Estos resultados se ubicaron en la columna correspondiente de la Tabla 10.

IV.

Caracterizacin de un diodo zener en polarizacin directa.

a) Se armo el circuito como se muestra en la Figura 7.** b) Se realizo incrementos de voltaje en la fuente V1, partiendo de 0v hasta alcanzar los 15v. De esta forma se obtuvo los valores VAB indicados en la parte superior de la Tabla 11, se anoto los valores de la corriente ID correspondientes y se obtuvo la resistencia del diodo RZ. Para esto se utilizo la Ecuacin (1). c) Se grafico la resistencia del diodo en funcin del voltaje para la configuracin de polarizacin directa. Como se muestra en la Grafica 4.

3 Datos experimentales 4 Simulacin/clculos tericos El nico clculo que se realizo fue mediante la Ecuacin (1) utilizado en las Tablas 10 y 11. 5 Graficas experimentales

6 Conclusiones y recomendaciones

7 Referencia bibliogrfica No fue necesaria la utilizacin de una referencia bibliogrfica.