19

2. DIODOS

INTRODUO

Este capitulo trata do estudo dos diodos. Comearemos por estudar as
caracteristicas terminais de um diodo, mais especiIicamente, de um diodo
de juno Ieito de silicio. Depois, estudaremos tecnicas de analise de
circuitos com diodos, com base em modelos equivalentes do seu
Iuncionamento.
Das muitas aplicaes dos diodos, o seu uso no projecto de rectiIicadores
(que convertem c.a. em c.c.) e a mais comum. Assim, estudaremos
circuitos rectiIicadores com algum pormenor e, mais brevemente, algumas
outras aplicaes dos diodos. Varios tipos de diodos sero estudados.
Concluiremos o capitulo com o processo Iisico de Iuncionamento de um
diodo.

2.1 CARACTERISTICAS ELCTRICAS DOS DIODOS DE 1UNO

Caracterstica i - v de um dodo

O diodo e um elemento com dois terminais, designados por catodo e
anodo como mostra a Figura 2.1. Ao contrario de uma resistncia, que tem
uma relao linear entre a corrente que circula por ela e a tenso nela
aplicada, o diodo tem uma caracteristica i-v no linear, representada na
Figura 2.2.










Figura 2.1

Figura 2.2
20
A mesma caracteristica esta representada na Figura 2.3 com partes das
escalas expandidas e outras comprimidas a Iim de realar os detalhes.









Figura 2.3










Trs regies distintas da curva caracteristica:

1. Regio de polarizao directa (Forward bias region), para v ~ 0
2. Regio de polarizao inversa (Reverse bias region) , para -J
ZK
v 0
3. Regio de rotura (Breakdown region), para v -J
ZK


A regio de polarizao directa

Nesta regio v ~ 0.

A relao i - v e descrita muito aproximadamente por:


(2.1)

|
|
|
.
|

\
|
= 1
T
nJ
v
s
e I i
21

I
S
: - Valor de corrente constante para um determinado diodo a uma
temperatura dada, chamada de corrente de saturao (saturation
current).

- Valor tipico para diodos de pequenos sinais (diodos de pequenas
dimenses): I
S
~ 10
-15
A.

- I
S
depende muito da temperatura - como regra geral pode-se dizer
que duplica por cada 5C de aumento de temperatura.

J
T
: - Constante chamada de tenso trmica (thermal voltage)

- J
T
e dada por:
q
kT
J
T
= (2.2)

k constante de Boltzmann 1,38 x 10
-23
J/K
T temperatura absoluta em Kelvin 273 temperatura em C
q carga electrica do electro 1,602 x 10
-19
C

- A temperatura ambiente (20 C) J
T
25,2 mV .
Em analises aproximadas de circuitos usa-se J
T
- 25 mV .

n : - Valor compreendido ente 1 e 2 dependendo do material e da
estrutura Iisica do diodo.
Diodos de circuitos integrados tm n 1, em condies normais
de Iuncionamento.
Diodos discretos tm n 2.

Para correntes directas de valor apreciavel, especiIicamente para i ~~ I
S
,
a equao 2.1 pode ser aproximada por


T
nJ
v
s
e I i (2.3)

Esta pode ser alternativamente expressa na Iorma logaritmica por

22

S
T
I
i
nJ v ln (2.4)

A corrente I
1
no diodo, correspondente a uma tenso J
1
sera
T
nJ
J
s
e I I
1

1
=
A corrente I
2
no diodo, correspondente a uma tenso J
2
sera
T
nJ
J
s
e I I
2

2
=

Combinando as duas equaes obtem-se
T
nJ
J J
e
I
I
1 2

1
2

=
que pode ser reescrita como
ln
1
2
1 2
I
I
nJ J J
T
=
Ou, em termos do logaritmo na base 10,

log 2,3
1
2
1 2
I
I
nJ J J
T
= (2.5)

A equao 2.5 mostra que, para uma variao de uma decada (Iactor de
10) na corrente, a queda de tenso no diodo varia de 2,3nJ
T
, que e,
aproximadamente 60 mV para n 1 e 120 mV para n 2.

Observando a Figura 2.3, veriIica-se que, na regio directa, para
v 0,5 V a corrente tem um valor desprezavel. Este valor e
normalmente reIerido como tenso limiar de conduo ou tenso de
corte.

Pode-se tambem ver na curva caracteristica que, para uma 'conduo
plena, a queda de tenso no diodo se restringe a uma Iaixa de
aproximadamente 0,6 a 0,8 V. Isto esta na base de um 'modelo
simpliIicado para o diodo, que consiste em admitir que um diodo em
conduo apresenta uma queda de tenso de, aproximadamente, 0,7 V.
23

Como I
S
e J
T
so Iunes da temperatura, a caracteristica i-v na regio
directa tambem varia com a temperatura, como mostra a Figura 2.4.
Para uma certa corrente constante, a queda de tenso diminui
aproximadamente 2,2 mV por cada C de aumento de temperatura.





Figura 2.4







A regio de polarizao inversa

Nesta regio v 0.
A equao (2.1) mostra que, se v - J
T
, ento 0
T
nJ
v
e e
s
I i
Esta e a razo da designao corrente de saturao.

Os diodos reais apresentam uma corrente inversa que, apesar de muito
pequena, e muito maior que I
S
. Por exemplo, um diodo de pequeno sinal
de 1 mA, cujo valor de I
S
e da ordem de 10
-14
a 10
-15
A, pode apresentar
uma corrente inversa de 1 nA.

A corrente inversa aumenta com o aumento, em valor absoluto, da
tenso inversa.

A corrente inversa tambem depende Iortemente da temperatura, sendo
que, como regra pratica, ela duplica para cada 10C de aumento na
temperatura.


24
A regio de rotura

A regio de rotura inicia-se quando v se torna menor que um dado valor
limiar, assinalado por J
ZK
na curva caracteristica, chamado de tenso de
rotura.

Nesta regio a corrente aumenta muito rapidamente com uma ligeira
variao da tenso. A rotura do diodo no e destrutiva, desde que a
dissipao de potncia no diodo seja mantida pelo circuito exterior num
limite seguro.

Como a caracteristica i-v nesta regio e praticamente uma recta vertical,
ela e usada para regular tenses (veremos mais adiante).


2.2 ANLISE DE CIRCUITOS COM DIODOS

2.2.1 Modelo exacto dos dodos - modelo exponencial

Consideremos o circuito da Figura 2.5. Queremos determinar a corrente I
D

e a tenso J
D
no diodo.



Figura 2.5



O diodo esta, obviamente, polarizado directamente.
Assumindo que J
DD
~ 0,5 V ento I
D
~~ I
S
e podemos escrever


T
D
nJ
J
s D
e I I = (2.6)

ou, aplicando a lei de KirchoII a malha,


R
- J J
I
D DD
D
= (2.7)

25
Sendo I
S
e n conhecidos ha duas Iormas alternativas para determinar I
D
e
J
D
: a analise graIica e a analise iterativa.

Anlise grfica

Faz-se a representao graIica das equaes (2.6) e (2.7) no plano i-v
(Figura 2.6):




Figura 2.6








A linha curva representa a equao exponencial do diodo (equao 2.6)
e a linha recta representa a equao 2.7. Essa linha recta e chamada de
recta de carga (load line).

A recta de carga intersecta a curva do diodo no ponto Q, que representa
o ponto de Iuncionamento do circuito. As suas coordenadas do os
valores de I
D
e J
D
.

Anlise iterativa

Consiste em atribuir valores a I
D
e J
D
e a resolver as equaes 2.6 e 2.7
sucessivamente com os resultados obtidos pelas mesmas ate que eles no
variem signiIicativamente.

Exemplo


26
Qualquer uma das analises anteriores da resultados exactos, mas so
processos muito demorados. Uma analise rapida de um circuito com
diodos, com resultados muito aproximados, pode ser Ieita utilizando
modelos simpliIicados que utilizam relaes lineares.

2.2.2 Modelos simplificados de dodos

Modelo do dodo ideal

A caracteristica de um diodo ideal esta apresentada na Figura 2.7 a) e pode
ser descrita como se segue:

- se uma tenso negativa Ior aplicada ao diodo ideal no ha circulao de
corrente e o diodo comporta-se como um circuito aberto (Figura 2.7 b));
deste modo, diz-se polarizado inversamente.

- se uma corrente positiva Ior aplicada num diodo ideal, a queda de
tenso no diodo e zero e o diodo comporta-se como um curto-circuito
Figura 2.7 c); deste modo o diodo diz-se directamente polarizado.

















Figura 2.6

Exemplo
a)
b)
c)
27
Este modelo utiliza-se sobretudo em aplicaes envolvendo tenses muito
maiores que a queda de tenso no diodo (0,6 - 0,8 V)


Modelo dos segmentos lineares com tenso varivel

A curva exponencial do diodo e aproximada por duas linhas rectas como
mostra a Figura 2.8 a recta A com inclinao nula e a recta B com
inclinao 1/r
D
.






Figura 2.8











O modelo pode assim ser descrito por

i
D
0 , v
D
J
D0
(2.8)

0
0
,
D D
D
D D
D
J v
r
J v
i

=
em que: v
D0
interseco da recta B com o eixo de tenso
r
D
inverso da inclinao da recta B

Para o exemplo apresentado v
D0
0,65 V e r
D
20

O modelo pode ser representado pelo circuito equivalente da Figura 2.9 b):
28




Figura 2.9





Modelo dos segmentos lineares com tenso constante

Neste modelo, mais simples que o anterior, a curva exponencial do diodo e
aproximada por um segmento de recta vertical, como mostra a Iigura 2.10 a):

O modelo diz simplesmente que o diodo em conduo directa exibe uma
queda de tenso constante J
D
. Habitualmente considera-se J
D
0,7 V.

O modelo pode ser representado pelo circuito equivalente da Iigura 2.10 b) :





Figura 2.10





Exemplo

Este modelo e o mais utilizado nas Iases iniciais de analise e projecto. Isto
e especialmente verdadeiro quando no se tem inIormao pormenorizada
sobre as caracteristicas do diodo, o que e geralmente o caso.

O problema da escolha do modelo mais adequado para uma dada aplicao
e uma questo que o projectista tem Irequentemente de resolver, no so
para os diodos mas para cada elemento do circuito. A capacidade de Iazer
a escolha correcta adquire-se, naturalmente, com a pratica e a experincia.
29
2.3 CIRCUITOS RECTIFICADORES


2.3.1 Fontes de alimentao de corrente contnua

Um rectiIicador com diodos constitui um bloco essencial das Iontes de
alimentao c.c. necessarias a alimentao dos circuitos electronicos.

A Iig. 2.11 representa um diagrama de blocos de uma Ionte de tenso
continua. A Ionte a alimentada pela tenso sinusoidal da rede, de valor
eIicaz 220 V e Irequncia 50 Hz, e Iornece uma tenso continua J
o

(usualmente na gama de 5 a 20 V) aos circuitos electronicos.

Figura 2.11

A tenso continua J
o
deve ser to constante quanto possivel,
independentemente das variaes da tenso da rede e da corrente Iornecida
a carga.

O primeiro bloco de uma Ionte de alimentao e o transIormador. Consiste
de duas bobinas enroladas separadamente em torno de um nucleo
Ierromagnetico. O enrolamento primario, com N
1
espiras, e ligado a Ionte
de c.a. de 220 V, enquanto o enrolamento secundario, com N
2
espiras, e
ligado ao circuito da Ionte de alimentao c.c.. Nestas condies obtem-se
nos terminais do secundario uma tenso alternada v
s
, de valor eIicaz

J
s ef.
220
1
2
N
N
(V) (2.9)
220 V (rms)
50 Hz
30
Escolhendo uma razo de transIormao N
1
/N
2
adequada, pode-se baixar a
tenso alternada para um valor conveniente a uma dada tenso continua de
saida.

O bloco com diodos rectiIicadores converte a tenso alternada v
s
para uma
tenso com um so sentido (normalmente uma tenso positiva).
A tenso na saida do rectiIicador tem uma componente continua no nula
mas o valor da sua amplitude no e constante.

O bloco de Iiltragem reduz consideravelmente as variaes da amplitude
da onda rectiIicada. No entanto, a tenso a saida do Iiltro apresenta ainda
uma componente variavel no tempo a que se chama ondulao (tenso de
ripple).

Para reduzir a ondulao da saida do Iiltro e estabilizar a tenso de saida
J
o
utiliza-se um regulador de tenso. Este pode ser implementado com um
diodo zener (veremos mais a Irente) ou atraves de um circuito integrado.


2.3.2 O rectificador de meia onda

Rectificador de meia onda - modelo de um dodo ideal

O circuito rectiIicador mais simples esta apresentado na Iig. 2.12(a).
Consiste de um diodo D em serie com uma resistncia R. Suponhamos que
o diodo e ideal e que a tenso de entrada v
I
e a sinusoide da Iig. 2.12(b).

Durante os meios ciclos positivos da sinusoide de entrada, a tenso
positiva v
I
determina uma corrente atraves do diodo, no sentido directo. A
tenso v
D
nos terminais do diodo sera muito pequena, idealmente zero,
pelo que o circuito admite o esquema equivalente da Iig. 2.12(c), donde se
conclui que a tenso de saida sera igual a tenso de entrada.

Durante os meios ciclos negativos de v
I
o diodo no conduz. Assim, o
circuito sera equivalente ao da Iig. 2.12(d) e v
o
sera zero.

A tenso de saida esta representada na Iig. 2.12(e).
31
Note-se que enquanto v
I
alterna entre valores positivos e negativos e tem
valor medio nulo, v
o
e unidireccional e tem valor medio no nulo, isto e,
tem componente continua. Assim o circuito rectifica o sinal, pelo que e
chamado de rectificador , e pode ser usado para gerar c.c. a partir de c.a..

O rectiIicador diz-se de meia onda no sentido em que so aproveita os
meios ciclos da entrada sinusoidal (positivos neste caso).


Figura 2.12


32
Rectificador de meia onda - modelo de segmentos lineares do dodo

A Iigura 2.13(a) mostra um circuito rectiIicador de meia onda.
Usando um modelo mais realista do diodo, com Ionte de tenso J
D0
e
resistncia r
D
, obtem-se o circuito equivalente da Iigura 2.13(b).
A tenso aplicada nos terminais da carga e:

+ +
<
=
J v
r R
R
J - v
r R
R
J v
v
D S
D
D S
D
D
S
O
0 0
0

0
(2.10)

A caracteristica de transIerncia representada por estas equaes esta
esboada na Iig. 2.13(c).











Figura 2.13







Em muitas aplicaes, r
D
R, pelo que a equao anterior Iica

<

J v J - v
J v
v
D S D S
D
S
O
0 0
0

0
(2.11)

em que J
D0
0,7 ou 0,8 V.
33
A Iigura 2.14 mostra a tenso de saida quando a entrada v
S
e uma
sinusoide.

















A escolha do diodo de rectiIicao e determinada pela corrente maxima
que o vai percorrer e pela tenso inversa de pico (PIV peak inverse
voltage) que o diodo consegue suportar sem avariar.

Na Iigura 2.14 observa-se que quando v
S
e negativa, o diodo esta em corte
e v
O
0. Daqui decorre que a PIV e igual ao valor de pico de v
S
.

PIV J
S
(2.12)

E no entanto prudente utilizar um diodo que tenha uma tenso de rotura
pelo menos 50 superior a PIV esperada.


2.3.3 O rectificador de onda completa

O rectiIicador de onda completa utiliza ambos os semiciclos da sinusoide
de entrada. Para proporcionar uma saida de um so sentido, tem de inverter
os meios ciclos negativos. Uma implementao possivel esta representada
na Iig. 2.15(a).

Figura 2.14
34


























O secundario do transIormador tem o ponto medio acessivel para
proporcionar duas tenses iguais v
S
nas duas metades do secundario, com a
polaridade indicada.

Quando a tenso na rede e positiva, ambos os sinais designados por v
S

sero positivos. Nestas condies, D
1
conduz e D
2
esta em corte. A
corrente de D
1
Iluira atraves de R, Iechando-se pelo ponto medio do
secundario. O circuito Iunciona como um rectiIicador de meia onda.

Durante os semiciclos negativos da tenso, ambas as tenses v
S
sero
negativas. Neste caso, D
2
conduz e D
1
esta em corte. A corrente de D
2

Iluira atraves de R, Iechando-se pelo ponto medio do secundario. O
Figura 2.15
35
circuito Iunciona tambem como um rectiIicador de meia onda e a tenso
nos terminais da resistncia e positiva como mostra a Iig. 2.15(c).

A caracteristica de transIerncia do rectiIicador de onda completa esta
representada na Iig. 2.15(b). Admite-se que o diodo em conduo
apresenta uma queda de tenso de J
D0
.

O rectiIicador de onda completa produz, obviamente, uma Iorma de onda
com mais energia do que a do rectiIicador de meia onda.

Na maior parte das aplicaes de rectiIicadores opta-se pelo tipo de onda
completa.

O pico de tenso inversa do rectiIicador de onda completa e

PIV 2J
S
- J
D0
(2.13)

que e aproximadamente o dobro do valor do rectiIicador de meia onda.


2.3.4 A ponte rectificadora

Um circuito alternativo para implementar um rectiIicador de onda
completa esta mostrado na Iig. 2.16(a). Este circuito e conhecido como
rectificador de ponte ou ponte rectificadora.

O circuito no requer um transIormador com ponto medio, o que e uma
vantagem sobre o rectiIicador anterior. No entanto, a ponte rectiIicadora
requer quatro diodos, em vez de dois no circuito anterior.

A ponte rectiIicadora Iunciona da seguinte maneira:

- durante os semiciclos positivos da tenso de entrada, v
S
~ 0, pelo que a
corrente Ilui atraves do diodo D
1
, da resistncia R e do diodo D
2
,
estando os diodos D
31
e D
41
em corte. A tenso de saida sera

v
O
v
S
- 2J
D0
(2.14)

- durante os semiciclos positivos da tenso de entrada, v
S
0 e -v
S
~ 0,
pelo que a corrente Ilui atraves do diodo D
3
, da resistncia R e do diodo
D
4
, estando os diodos D
1
e D
2
em corte.

36

De notar que, em ambos os semiciclos, a corrente Ilui atraves de R no
mesmo sentido e, portanto, v
O
sera sempre positiva, como se indica na
Iig. 2.16(b).


























Para determinar o pico de tenso inversa, considere-se os semiciclos
positivos. A tenso inversa nos terminais de D
3
e

v
D3
(inversa) v
O
v
D2
(directa) (2.15)

Assim, o valor maximo de v
D3
ocorre para o maximo de v
O
e vale

PIV J
S
- 2J
D0
J
D0
J
S
J
D0
(2.16)

Figura 2.16
37
que e metade do valor do rectiIicador de onda completa com o
transIormador de ponto medio.

2.3.5 O rectificador com condensador de filtragem - o rectificador de pico

A natureza pulsante da tenso de saida dos circuitos rectiIicadores
analisados torna-os inadequados como Iontes de alimentao c.c. para
circuitos electronicos.

Uma Iorma simples de reduzir a variao da tenso de saida e ligar um
condensador em paralelo com a resistncia de carga, como mostra o
circuito da Iig. 2.17(a).

Para esse circuito, seja v
I
uma sinusoide de valor maximo J
P
e suponhamos
que o diodo e ideal.

Quando v
I
e positiva, o diodo conduz e o condensador carrega-se de modo
que v
O
v
I
. Esta situao mantem-se ate que v
I
atinge o seu valor de pico
J
P
. Para alem deste instante, como v
I
diminui, o diodo Iica polarizado
inversamente e a tenso de saida permanece constante no valor J
P
.

Assim, o circuito Iornece uma tenso continua de saida igual a J
P
(Iig. 2.17(b)).


















Figura 2.17
38
Consideremos agora uma situao mais pratica e realista em que aos
terminais do condensador e ligada uma resistncia de carga R, como mostra
a Iig. 2.18(a). Vamos continuar a admitir que o diodo e ideal.

































Como no caso anterior, para uma entrada sinusoidal, o condensador
carrega-se a tenso de pico J
P
. Depois o diodo entra na zona de corte e o
condensador descarrega-se atraves da resistncia de carga R .
Figura 2.18
39
A descarga do condensador eIectua-se, durante quase todo o ciclo, ate que
v
I
exceda a tenso do condensador v
O
. Ento o diodo entra novamente em
conduo, carrega o condensador ate ao pico de v
I
, repetindo-se o processo.

Para manter a tenso de saida quase constante, deve-se escolher um
condensador de modo que a constante de tempo RC seja muito maior que o
intervalo de descarga.

A Iig.2.18(b) mostra a Iorma de onda em regime permanente da tenso de
entrada v
I
e da tenso de saida v
O
, assumindo RC ~~ T, em que T e o
periodo da entrada sinusoidal.

A corrente na carga R e
R
v
i
O
L
= (2.17)

e a corrente que percorre o diodo quando esta a conduzir


L C D
i i i + = (2.18)


L
I
D
i
dt
dv
C i + = (2.19)

A Iig. 2.18(c) mostra as Iormas de onda de i
C
e i
L
Podemos observar que:

1. O diodo conduz durante um breve intervalo, t, proximo do pico da
tenso de entrada e Iornece ao condensador uma carga igual a carga
perdida durante o intervalo de descarga, muito maior e
aproximadamente igual a T;

2. Admitindo que e ideal, o diodo comea a conduzir no instante t
1
em que
a entrada v
I
iguala a saida exponencial decrescente v
O
. A conduo
termina em t
2
, a seguir ao pico de v
I
.

3. Durante o intervalo de corte do diodo, o condensador descarrega-se
atraves de R, pelo que v
O
decresce exponencialmente com a constante de
tempo RC. O intervalo de descarga comea aproximadamente no pico de
v
I
.
No Iim do intervalo de descarga, que dura quase todo o periodo T, temos
40
v
O
J
P
J
r
(2.20)

em que J
r
e a ondulao da tenso, pico-a-pico. Quando RC ~~ T, o valor
de J
r
e pequeno.

4. Quando J
r
e pequeno, v
O
- constante e igual ao valor de pico de v
I
.
Assim, a tenso continua da saida e aproximadamente igual a J
P
.
Analogamente i
L
- constante e a sua componente continua e dada por


R
J
I
P
L
= (2.21)

Uma expresso mais rigorosa para a tenso continua de saida obtem-se
tomando a media dos valores extremos de v
O



r P O
J J J
2
1
= (2.22)

Durante o intervalo de corte do diodo


RC t
P O
e J v
/
= (2.23)

No Iim do intervalo de descarga, temos


RC T
P r P
e J J J
/
(2.24)

Como RC ~~ T
RC
T
e
RC T
- 1
/

e ento a equao anterior Iica

RC
T
J J
P r
(2.25)

Vemos assim que para manter J
r
pequeno deve-se escolher C de modo que
RC ~~ T.

Sendo
T
f
1
=
RC f
J
J
P
r

(2.26)

Assumindo que o diodo para de conduzir proximo do pico de v
I
, pode-se
determinar o ngulo de conduo t a partir de

( )
r P P
J J t J = cos (2.27)
41
Em que = 2f 2/ e a Irequncia angular de v
I
.

Sendo t pequeno ( ) ( )
2
2
1
1 cos t t

e ento
P
r
J
J
t
2
(2.28)

A carga que o diodo Iornece ao condensador, durante a conduo e

Q
fornecida
i
Cmed
t (2.29)

A carga que o condensador perde durante o intervalo de descarga e

Q
perdida
CJ
r
(2.30)

Igualando 2.29 a 2.30 e usando as expresses 2.18, 2.21, 2.26 e 2.28
obtem-se o valor medio da corrente no diodo durante a conduo,


|
|
.
|

\
|
+ =
r
P
L D
J
J
I i
2
1
med
(2.31)

Observe-se que quando J
r
J
P
o valor medio da corrente no diodo e
muito maior que a corrente continua da carga.

O valor maximo da corrente no diodo pode ser determinado pela expresso
2.19


|
|
.
|

\
|
+ =
r
P
L D
J
J
I i
2
2 1
max
(2.32)

Se J
r
J
P
ento
med max
2
D D
i i

O circuito da Iigura 2.18(a) e conhecido como rectificador de pico de
meia onda.

Os rectiIicadores de onda completa podem ser convertidos em
rectiIicadores de pico colocando um condensador em paralelo com a
resistncia de carga. Tal como no rectiIicador de meia onda a tenso
continua de saida sera quase igual ao valor de pico da sinusoide de entrada
(Iig. 2.19).
42









A tenso de ondulao pico-a-pico, pode ser deduzida usando um
procedimento idntico ao anterior, mas com um periodo de descarga T
substituido por T/2, obtendo-se


RC f
J
J
P
r
2
(2.33)

Enquanto que o intervalo de conduo e dado pela eq. 2.27 as correntes
media e de pico de cada um dos diodos so dadas por


|
|
.
|

\
|
+ =
r
P
L Dm
J
J
I i
2
1 (2.34)


|
|
.
|

\
|
+ =
r
P
L D
J
J
I i
2
2 1
max
(2.35)

Comparando estas expresses com as do rectiIicador de meia onda, v-se
que, para os mesmos valores de J
P
, f, R e J
r
, precisamos de um
condensador com metade do valor necessario para o rectiIicador de meia
onda.

A corrente em cada diodo no rectiIicador de onda completa e
aproximadamente metade da que Ilui no diodo do circuito de meia onda.

Na analise anterior os diodos Ioram considerados ideais. A preciso dos
resultados pode ser melhorada tendo em conta a queda de tenso dos
diodos. Isso pode Iazer-se substituindo a tenso de pico J
P
por J
P
J
D0

para o circuito de meia onda e para o circuito de onda completa com
transIormador de ponto medio e por J
P
2J
D0
para a ponte rectiIicadora.
Figura 2.19
43
2.4 CIRCUITOS DE LIMITAO E DE FIXAO


2.4.1 Circuitos limitadores

A Iigura 2.20 mostra a caracteristica de transIerncia geral de um circuito
limitador.














Sendo
K
L
v
K
L
I
+
, v
O
K v
I


o limitador comporta-se como um circuito linear

Vamos considerar K 1 - limitadores passivos.

Se
K
L
v
I
+
, ento v
O
L

Se
K
L
v
I

, ento v
O
L
-


A caracteristica de transIerncia geral da Iigura 2.20 descreve um limitador
duplo, isto e, um limitador que actua sobre ambos os picos, positivo e
negativo, da onda de entrada. Tambem existem limitadores simples.

Se a um limitador duplo Ior aplicado um sinal sinusoidal de entrada como
mostra a Iigura 2.21, os seus picos podero ser ceifados.
Figura 2.20
44









Limitador rigido - caracteristica como se mostra na Iigura 2.20.

Limitador suave - caracterizado por transies suaves entre a regio linear e
as regies de saturao, e uma inclinao no nula (maior que zero) nas
regies de saturao, como mostra a Iigura 2.22.











Uma das aplicaes mais simples dos circuitos limitadores e na limitao da
tenso entre os dois terminais de entrada num circuito, como na entrada de
um ampliIicador operacional ou na entrada de um transistor.

Pode-se juntar diodos com resistncias para implementar limitadores. A
Iigura 2.23 mostra varios exemplos de circuitos limitadores, com as
respectivas caracteristica de transIerncia, que Ioram obtidas considerando
uma queda de tenso constante para o diodo, mas assumindo uma transio
suave entre as regies linear e de saturao da caracteristica de
transIerncia.



Figura 2.21
Figura 2.22
45

Figura 2.23(a): - limitao simples; circuito equivalente ao rectiIicador de
meia onda;
- para v
I
0,5 V v
O
v
I

- para v
I
~ 0,5 V , v
O

max
0,7 V

Figura 2.23(b): - circuito equivalente ao anterior com diodo invertido.
- para v
I
- 0,5 V v
O
v
I

- para v
I
- 0,5 V , v
O

min
- 0,7 V
Figura 2.23
46

Figura 2.23(c): - limitao dupla utilizando dois diodos de polaridade
oposta em paralelo;
- para -0,5 V v
I
0,5 V v
O
v
I

- para v
I
~ 0,5 V , v
O

max
0,7 V
- para v
I
0,5 V , v
O

min
- 0,7 V

Figura 2.24(d): - utilizao de um diodo em serie com uma Ionte de tenso
- para v
I
5,5 V v
O
v
I

- para v
I
~ 5,5 V , v
O

max
5,7 V

Figura 2.24 (e): - utilizao de dois diodos zener (a estudar mais tarde)
em serie (zener de duplo nodo)
- para -0,5 J
Z1
v
I
0,5 J
Z2
v
O
v
I

- para v
I
~ 0,5 J
Z2
v
O

max
J
Z2
0,7
- para v
I
-0,5 - J
Z2
v
O

min
- (J
Z1
0,7)


2.4.2 Circuito de fixao ou recuperador de corrente contnua

Consideremos o circuito da Iigura 2.24.

Devido a polaridade com que o diodo esta ligado, o condensador carrega-se
a tenso v
C
igual a amplitude do pico mais negativo do sinal de entrada. Em
seguida o diodo entra em corte e o condensador retem a sua tenso
indeIinidamente.

Sendo o sinal de saida e dado por

v
O
v
I
v
C

Figura 2.24
47

a Iorma da onda de saida sera igual a da entrada, excepto que vem deslocada
para cima de v
C
volt e tera o seu pico inIerior Iixado em 0 V.
Invertendo a polaridade do diodo, obtem-se uma Iorma de onda de saida,
sendo agora o seu pico superior Iixado em zero.

Por isso o circuito e chamado de circuito de fixao ou fixador (clamper).

Em ambos os casos, a tenso de saida tem valor medio no nulo, isto e,
componente continua diIerente de zero. Esta componente continua no esta
relacionada com o valor medio do sinal de entrada.

Como aplicao, consideremos que um trem de impulsos e transmitido
atraves de um sistema que tem um condensador de acoplamento. O
acoplamento capacitivo Iaz com que o trem de impulsos perca qualquer
componente continua que possa ter. Aplicando a Iorma de onda resultante a
um circuito semelhante ao da Iigura 2.24, e-lhe acrescentada uma
componente continua bem determinada, o que justiIica a designao de
recuperador de componente continua (dc restore) que tambem se da a este
circuito.

Quando se liga uma resistncia R em paralelo com o diodo num circuito de
Iixao, a situao modiIica-se signiIicativamente (Iigura 2.25).

Figura 2.25
48
Enquanto v
O
~ 0 , Iluira uma corrente continua na resistncia R. Uma vez
que, nesta situao, o diodo esta em corte, a corrente vem obviamente do
condensador, levando o mesmo a descarregar-se e a tenso de saida a
decrescer, como se mostra na Iigura 2.25 para uma onda quadrada da
entrada.

Durante o intervalo t
0
a t
1
a tenso de saida diminui exponencialmente
com a constante de tempo RC. No instante t
1
a entrada diminui bruscamente
de J
a
e a saida tende a segui-la. Isso Iaz com que o diodo entre Iortemente
em conduo e carregue rapidamente o condensador.

No Iinal do intervalo de t
1
a t
2
, a tenso na saida seria normalmente de
alguns decimos de volt negativo (digamos, -0,5 V).

Quando a entrada aumenta de J
a
volt (em t
2
),a saida acompanha a entrada e
o ciclo repete-se.

Em regime permanente, a carga perdida pelo condensador durante o
intervalo de t
0
a t
1
e recuperada durante o intervalo de t
1
a t
2
. Este equilibrio
de cargas permite-nos calcular a corrente media no diodo, bem como os
pormenores da Iorma da onda.


2.4.3 O duplicador de tenso

A Iigura 2.26(a) mostra um circuito composto por duas seces em cadeia:
um Iixador Iormado por C
1
e D
1
e um rectiIicador de pico Iormado por D
2
e
C
2
. Quando submetido a um sinal sinusoidal de amplitude J
P
, a seco
Iixadora Iornece a Iorma da onda representada na Iigura 2.26(b).
Note-se que enquanto os picos positivos so Iixados em 0 V, os picos
negativos atingem 2J
P
. Em resposta a esta Iorma de onda, a seco
detectora de pico Iornece, aos terminais do condensador C
2
, uma tenso
continua de amplitude negativa 2J
P
. Uma vez que a tenso de saida e
dupla do pico da entrada, o circuito e conhecido como duplicador de tenso.
A tecnica pode ser expandida de modo a obter tenses continuas de saida
que sejam multiplos maiores de J
P
.

49























2.5 DIODOS ZENER

A elevada inclinao da curva i-v que o diodo exibe na regio de rotura,
com tenso praticamente constante, sugere que os diodos operando nessa
regio podem ser usados no projecto de reguladores de tenso. Trata-se, na
verdade, de uma aplicao muito importante dos diodos. Fabricam-se
diodos especiais para trabalhar na regio de rotura, que so chamados de
diodos de rotura ou diodos de Zener ou, simplesmente, zeners.

A Iigura 2.27 mostra o simbolo de circuito de um diodo de
Zener. Nas aplicaes normais dos diodos de Zener, a corrente
Ilui do catodo para o nodo, ou seja, o catodo e positivo em
relao ao nodo, pelo que I
Z
e J
Z
so positivos.



Figura 2.26
Fig. 2.27
50
2.5.1 Especificao e modelizao dos dodos de Zener

A Iigura 2.28 mostra em pormenor a caracteristica i-v do diodo na regio de
rotura.




















Para i - I
ZK
(corrente de rotura) a caracteristica i-v e praticamente uma recta.

I
ZT
e uma corrente de teste e J
Z
a respectiva tenso do diodo. I
ZT
e J
Z

correspondem as coordenadas do ponto designado por Q na Iigura. So
valores geralmente especiIicados pelos Iabricantes. Por exemplo, um diodo
de Zener de 6,8 V exibira uma tenso de 6,8 V para uma dada corrente de
teste, digamos, 10 mA.

Quando a corrente se aIasta de I
ZT
, ha uma variao da tenso J e uma
variao da corrente I , que se relacionam por (ver Iigura):

J r
:
I

r
:
e chamada de resistncia incremental ou dinmica do diodo de Zener no
ponto de Iuncionamento Q. Pode ter valores da ordem de alguns ohm a
Figura 2.28
51
algumas dezenas de ohm. Quanto menor o valor de r
:
mais constante sera a
tenso de Zener Iace a variao da corrente, e mais proximo do ideal sera o
seu desempenho.

Observa-se na Iigura 2.28 que, enquanto tem um valor baixo e constante
numa grande gama de correntes, o seu valor cresce consideravelmente na
vizinhana de J
ZK
(regio de joelho). Por isso, sera de evitar que o zener
Iuncione nesta regio de baixa corrente.

Os diodos de Zener so Iabricados com tenses J
Z
na gama de alguns volt a
algumas centenas de volt. Alem de especiIicar J
Z
(para uma dada corrente
I
ZT
), r
:
e I
ZK
, os Iabricantes tambem especiIicam a potncia maxima que o
dispositivo pode dissipar em segurana. Por exemplo, um zener de 6,8 V e
0,5 W pode Iuncionar em segurana com correntes ate um maximo de
70 mA.

O diodo de Zener pode ser modelado como se indica na
Iigura 2.29, em que J
Z0
e o ponto onde a recta de
inclinao 1/r
:
intersecta o eixo das tenses.
Pode-se escrever

J
Z
J
Z0
r
:
I
Z
(2.36)

para I
Z
~ I
ZK
e J
Z
~ J
Z0



Exemplo

2.5.2 Regulao da tenso

A Iuno de um regulador de tenso e manter uma tenso de saida J
O
to
constante quanto possivel aos terminais de uma carga, apesar das variaes
de tenso de alimentao J
S
e das variaes da corrente na carga I
L
.

Podem usar-se dois parmetros para medir a qualidade com que o regulador
desempenha a sua Iuno:

Figura 2.29
52
Regulao da rede (ou linha)
S
O
J
J
A
A
(mV/V) (2.37)

Regulao da carga
L
O
I
J
A
A
(mV/mA) (2.38)

A Iigura 2.30 apresenta um regulador de tenso com um diodo de Zener.


Este circuito e conhecido como regulador :ener paralelo, pelo Iacto do
zener estar ligado em paralelo com a carga.

Substituindo o diodo pelo seu modelo equivalente, obtem-se o circuito da
Iigura 2.31.


Figura 2.31




A analise deste circuito conduz a

) // ( R r I
r R
r
J
r: R
R
J J
: L
:
:
S ZO O

+
+
+
= (2.39)

Nesta equao, so a primeira parcela do 2 membro e desejavel. A segunda
e a terceira parcelas representam a dependncia relativamente a tenso da
Ionte e a corrente da carga, respectivamente, pelo que devem ser
Figura 2.30
53
minimizadas. Da equao 2.39 e das deIinies das equaes 2.37 e 2.38,
obtem-se:

Regulao da rede
S
O
J
J
A
A

:
:
r R
r
+
= (2.40)

e Regulao da carga
L
O
I
J
A
A
( ) //R r
:
- = (2.41)

Uma considerao importante no projecto do circuito regulador paralelo e
assegurar que a corrente atraves do zener nunca se torne muito baixa; caso
contrario, r
:
aumenta e o desempenho degrada. Isto consegue-se atraves da
escolha adequada do valor de R.

Assim, deve-se notar que a corrente minima do zener ocorre quando J
S
e
minimo e I
L
e maxima. A analise do circuito da Iigura 2.31 com J
S
J
Smin
,
I
Z
I
Zmin
e I
L
I
Lmax
, da


max min
min 0 min



L Z
Z : Z S
I I
I r J J
R
+

= (2.42)

Exemplo

2.5.3 O efeito da temperatura

A dependncia da tenso zener J
Z
com a temperatura e especiIicada em
termos do seu coeIiciente de temperatura TC, o qual e habitualmente
expresso em mV/C.
* O valor de TC depende da tenso zener.
Para J
Z
5 V, TC 0; para J
Z
- 0,5 V , TC - 0 ; para J
Z
~ 5 V, TC ~ 0.
* Para um dado diodo, TC varia com a corrente de operao.

Uma maneira de obter uma tenso insensivel a temperatura
consiste em ligar em serie um diodo de Zener com um
TC 2 mV/C com um diodo normal (com polarizao
directa) cujo TC e -2 mV/C. Essa combinao proporciona
uma tenso de (J
Z
0,7) com TC - 0 (Iigura 2.32).
Fig. 2.32
54
2.6 PRINCIPIO DE FUNCIONAMENTO FISICO DOS DIODOS

2.6.1 Materiais semicondutores

Os dispositivos electronicos modernos diodos, transistores e circuitos integrados
so produzidos com um tipo de material especial chamado de semicondutor. Como o
nome sugere, um semicondutor no e um bom condutor de corrente electrica nem um
isolador. Contudo, no e a capacidade de conduzir ou de isolar uma corrente que
torna os semicondutores to uteis. Em vez disso, e a capacidade de Iormar cristais
com propriedades electricas especiais que os torna to interessantes. O silicio (Si) e o
material semicondutor mais utilizado, apesar dos primeiros diodos e transistores
terem sido Iabricados com germnio (Ge) e de haver uma crescente utilizao do
arsenieto de galio (GaAs). Por esta razo vamos privilegiar o silicio no estudo que se
segue.

Como o silicio no seu estado natural no pode ser usado como material semicondutor,
tem de ser submetido a um complexo processo de Iabricao em que ocorre o
'crescimento de cristais a partir de uma Iuso por aquecimento, onde se obtem um
material com alta pureza. A Iigura 2.33a) mostra um diagrama da estrutura de um
cristal de silicio. Cada atomo possui quatro atomos vizinhos. Os unicos electres
mostrados nessa Iigura so os mais aIastados do nucleo de cada atomo. Esses
electres so chamados de electres de valncia e so um dos principais responsaveis
pelas propriedades electricas do material. Cada atomo partilha dois electres com os
atomos vizinhos Iicando com um total de oito electres na orbita de valncia. Cada
electro partilhado Iorma uma ligao covalente que da coeso e solidez ao cristal
(Iig. 2.33b)).





Figura 2.33





No entanto e possivel que um electro acumule uma
quantidade de energia suIiciente (em geral termica, devido
as vibraes dos atomos) para romper uma ligao covalente
e escapar da atraco do seu atomo original (Iigura 2.34).
Esse electro torna-se um electro livre que pode circular
pelo material. A temperatura ambiente Iornece energia
termica suIiciente para libertar um grande numero de
electres, os quais podem Iazer parte na conduo da
Figura 2.34
55
corrente electrica atraves do cristal, assim como os electres constituem uma corrente
num condutor (no entanto existem muitos mais electres livres num condutor do que
num semicondutor).
Quando um electro escapa de uma ligao covalente deixa no seu lugar uma lacuna
(buraco) na estrutura do cristal. Como os atomos electricamente neutros Iicam com
mais cargas carregadas positivamente (protes) nos seus nucleos do que cargas
carregadas negativamente (electres) Iora do nucleo, um atomo que possui uma
lacuna por ter perdido um electro Iica com uma carga liquida positiva. O atomo e
chamado ento de io positivo. E possivel tambem que um electro em circulao
caia numa lacuna, Iazendo o atomo retomar ao seu estado neutro. Nesses casos,
dizemos que ocorreu uma recombinao ou anulao (Iigura 2.35).








Figura 2.35


2.6.2 Corrente nos semicondutores

Os electres livres dum semicondutor so chamados de portadores de carga
negativa, porque transportam carga negativa de um ponto para outro quando se
movem. As lacunas tambem so portadoras de carga - nesse caso, portadores de
cargas positivas. Se um electro de valncia deixa um atomo para preencher uma
lacuna num atomo adjacente, o atomo torna-se carregado positivamente e o atomo
que o recebeu por sua vez, neutro. Na realidade, a carga positiva deslocou-se de um
atomo para outro. O movimento de lacunas atraves de um cristal, desse modo, e
chamado de corrente de lacunas. Portanto, existem dois tipos de correntes num
semicondutor: corrente de electres e corrente de lacunas. Num condutor no ha
lacunas, sendo o unico tipo de corrente possivel a de electres.
Num semicondutor, ambas as correntes de electres e de lacunas so criadas pela
aco da Iora de um campo electrico; logo, ambas as correntes de electres e de
lacunas, ocorrem quando uma Ionte de tenso e conectada aos terminais de um
semicondutor (Iigura 2.36). O campo electrico causara o Iluxo de electres num
sentido e o Iluxo de lacunas no sentido contrario. A corrente total devido a Iora do
campo electrico chama-se corrente de deriva. Se o mesmo numero de electres e de
lacunas Ior submetido ao mesmo campo electrico, os electres mover-se-o mais
rapido do que as lacunas (os electres tm mobilidade maior). Portanto, a
componente da corrente de deriva originada pelos electres sera maior que a
originada pelas lacunas.

56






Figura 2.36





Um outro tipo possivel de corrente num semicondutor e chamado de corrente de
difuso. A diIuso ocorre quando ha desequilibrio no numero de portadores de um
determinado tipo entre duas regies diIerentes de um semicondutor. Os portadores
tendem a migrar de uma regio onde ha maior concentrao de um mesmo tipo para
outra regio onde ha menos, corrigindo assim o desequilibrio. Se, por exemplo, num
dos extremos de uma barra de silicio houver uma quantidade muito maior de
electres do que no outro extremo, os electres diIundir-se-o do ponto de maior
densidade para o de menor densidade, ate que a distribuio permanea mais ou
menos uniIorme ao longo da barra. A no ser que a regio contendo electres em
excesso seja reabastecida (como ocorre quase sempre nos dispositivos praticos), a
corrente de diIuso cessa quando o desequilibrio e corrigido. A corrente de lacunas
tambem pode ser do tipo de corrente de diIuso.


2.6.3 Materiais P e Materiais N

O material semicondutor puro e tambem chamado de semicondutor intrinseco. Na
pratica, so introduzidas certas impurezas num material intrinseco durante o processo
de Iabricao para dar a esses materiais novas propriedades. O processo de
introduo de impurezas e chamado de dopagem, e o material que Ioi dopado passa a
ser chamado de semicondutor extrinseco. O objectivo da dopagem e criar um
semicondutor com mais electres que lacunas, material tipo N, ou mais lacunas que
electres, material tipo P. Para criar um material tipo N, o semicondutor e dopado
com atomos de impureza que tenham cinco electres de
valncia (pentavalentes) em vez de quatro. So exemplos de
atomos pentavalentes o arsenio, antimonio e IosIoro.
Quando cada um desses atomos se une a estrutura do cristal,
quatro de seus electres de valncia daro origem as
ligaes covalentes com os outros atomos, e o quinto
electro torna-se livre. Esses atomos so chamados de
impurezas dadoras porque cada um doa um electro livre
para o material. A Figura 2.37 mostra um atomo dador numa
estrutura do cristal.
E
Figura 2.37
57

Para criar um material tipo P, o semicondutor e dopado com
atomos que tenham trs electres de valncia (trivalente) em
vez de quatro. Cada um desses atomos Iorma as ligaes
covalentes com apenas trs vizinhos e, portanto, cria uma
lacuna na estrutura. So exemplos o aluminio, o boro e o
galio. Esses atomos so chamados de impurezas
aceitadoras, porque cada um deles pode aceitar um electro.
A Figura 2.38 mostra este caso.


E importante observar que ambos os materiais, N e P, so electricamente neutros.
Embora cada atomo dador tenha contribuido com um electro livre, o nucleo do
atomo dador continua com o numero certo de protes carregados positivamente para
neutralizar a carga de todos os seus electres. De modo similar, cada atomo aceitador
tem o mesmo numero de protes e electres e tambem e electricamente neutro.
Embora o material tipo N tenha mais electres, ele possui algumas lacunas, e o
material P possui alguns electres. Num material N, os electres so chamados de
portadores maioritrios e as lacunas de portadores minoritrios. Num material P,
as lacunas representam os portadores maioritarios e os electres, os portadores
minoritarios.

2.6.4 1uno PN

Quando um bloco de material tipo N e montado adjacente a um bloco de material do
tipo P, o limite entre os dois e chamado de juno PN. Na juno, as lacunas
diIundem-se do material P para o material N, e os electres, do material N para o
material P. (como dissemos a diIuso ocorre quando ha desequilibrio de portadores
de um determinado tipo). Qualquer electro que atravesse a juno deixa atras de si
um atomo dador com uma carga liquida positiva, e cada lacuna que atravessa a
juno deixa para tras um atomo aceitador com uma carga liquida negativa. A Iigura
2.39 ilustra a Iormao de uma juno PN. Consequentemente, apos a diIuso havera
uma Iina camada de ies positivos no lado N da juno e uma Iina camada de ies
negativos no lado P





Figura 2.39


No ha portadores de cargas moveis nessa regio, e ela e chamada de regio de
depleo (Iigura 2.40). As camadas de cargas opostas estabelecem um campo
electrico (como uma Ionte de tenso), dirigido do material N para o material P. O
Figura 2.38
58
sentido do campo e tal que ele impede o Iluxo de corrente de electres de N para P e
o Iluxo de corrente de lacunas de P para N. A diIerena de potencial entre as regies
carregadas e portanto chamada de barreira de potencial. O valor da barreira de
potencial depende da temperatura e do nivel de dopagem, mas e normalmente de
0,7 V para o silicio e 0,3 V para o germnio.




Figura 2.40




Suponha agora que uma Ionte de tenso
externa seja conectada nos materiais P e N,
conIorme mostrado na Figura 2.41. Observe
que o terminal positivo da Ionte esta
conectado no material P e o terminal negativo
conectado no material N. A polaridade da
Ionte ope-se portanto a barreira de potencial
na juno. Se a tenso continua da Ionte Ior
maior que o potencial da barreira, os electres
livres tero energia suIiciente para atravessar
a barreira, aumentando o Iluxo de corrente
atraves do material e no cruzamento da
juno. Dizemos que a juno PN esta
polarizada directamente.

Se a polaridade da Ionte externa Ior trocada
(terminal positivo no N e negativo no P), diz-
se que a juno PN esta inversamente
polarizada conIorme mostrado na Figura 2.42.
Neste caso a camada de depleo alarga-se
uma vez que o terminal negativo da Ionte atrai
as lacunas e o terminal positivo atrai os
electres. A camada de depleo para de
crescer quando a sua diIerena de potencial
igualar a tenso inversa aplicada. Se a tenso
inversa aumenta a camada de depleo alarga-
se. Depois da camada de depleo estabilizar
existe uma pequena corrente com polaridade
inversa que se deve a criao permanente de pares de electres livres e buracos na
camada de depleo devido a energia termica. Criam-se assim alguns portadores
Figura 2.41
Figura 2.42
59
minoritarios em ambos os lados da juno. A corrente inversa originada pelos
portadores minoritarios produzidos termicamente designa-se corrente de saturao.

O aumento da tenso inversa no eleva a quantidade de portadores minoritarios
criados termicamente. No entanto, quando a tenso inversa aumenta os portadores
minoritarios so Iorados a mover-se mais rapidamente e quando atinge um
determinado valor, a tenso de rotura, os portadores minoritarios tm energia
suIiciente para provocarem a libertao de electres livres por coliso com electres
de valncia. Estes novos portadores minoritarios juntam-se aos portadores
minoritarios existentes, colidindo com outros atomos. Tal processo e uma progresso
geometrica, porque um electro livre liberta um electro de valncia, obtendo-se dois
electres livres. Estes por sua vez libertam mais dois electres resultando quatro
electres livres. O processo continua ate que a corrente inversa se torna muito
intensa. A este processo chama-se efeito de avalanche.

Um diodo e uma juno PN e, portanto, possui as propriedades que acabamos de
descrever.

O lado P de um diodo e chamado de nodo e o lado N de catodo. A Iigura 2.43
mostra o simbolo-padro para o diodo (a) e as suas polarizaes directa (b) e inversa
(c).



(a) (b) (c)

Figura 2.43