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Universidade Federal do ABC

Universidade Federal do ABC Relatório - Prática 1 Disciplina: EN2701 – Fundamentos de Eletrônica Discentes: André

Relatório - Prática 1

Disciplina: EN2701 – Fundamentos de Eletrônica

Discentes:

André Lucas de O. Duarte 11058710

Douglas Nishiyama

11074309

Felipe Jun Anzai Ichi

21033410

Fernanda Silva Guizi

11085609

Turma A1 – Diurno

Profa. Dra. Ariana Maria da Conceição Lacorte

Santo André, 2013

Sumário

1.

Introdução

3

2.

4

3.

Descrição experimental

4

3.1.

Parte A – Caracterização de diodos

4

3.1.1. Componentes e Equipamentos

4

3.1.2. Desenvolvimento e

5

 

3.2.

Parte B – Circuitos com diodos

14

3.2.1.

Componentes e Equipamentos

14

3.2.1.

Desenvolvimento e

15

3.2.2.

Atividades pós-experimento

19

4. Conclusões

28

5. Referências

29

1. Introdução

Os diodos são materiais semicondutores, ou seja, é um elemento que apresenta características intermediárias entre os condutores e os isolantes. Atualmente o semicondutor mais utilizado é o de silício. O diodo basicamente é constituído por uma junção PN, uma junção feita através de um semicondutor dopado com elementos trivalentes e outro dopado com elementos pentavalentes [1] [2] .

O experimento se baseou em analisar as características elétricas do diodo e suas aplicações. A primeira característica do diodo a ser analisada é o fato de ele ser um dispositivo não linear. Em outras palavras, a relação entre tensão e corrente do diodo não forma uma reta; característica originada pela barreira de potencial formada na junção PN. Essa barreira de potencial é gerada na junção devido ao campo elétrico que se forma nos dipolos, dificultando a passagem de corrente de difusão (explicando o termo “barreira”). Quando a tensão em um diodo é menor que a barreira de potencial, a corrente do diodo é muito baixa; e quando a tensão excede o valor da barreira de potencial, a corrente aumenta exponencialmente [1] .

Além de diodos comuns, foram utilizados nos experimentos o diodo Zener, equipamento otimizado a trabalhar na região de ruptura, região que danificaria um diodo comum. O diodo Zener é utilizado principalmente em reguladores de tensão [1] .

As aplicações dos diodos são bem diversificadas, podendo ser utilizadas em circuitos retificadores, ceifadores e grampeadores [3] [4] .

Os circuitos retificadores, como seu próprio nome sugere, retificam um sinal de onda, podendo ser aplicado em conversões de corrente contínua para corrente alternada. Os circuitos ceifadores são aplicados são utilizados para “cortar” parte de um sinal de onda, sem alterar a forma de onda do resto e são utilizados principalmente em limitadores de amplitude de sinais, com o intuito de controle de potência entregue à carga. Já o circuito grampeador tem a finalidade de adicionar um nível CC a uma tensão alternada [3][4][5] .

2.

Objetivos

Parte A – Caracterização de diodos:

Obter experimentalmente as curvas características dos diodos;

Analisar sua utilização como retificador e fonte DC simples.

Parte B – Circuitos com diodos:

Verificar o funcionamento do retificador

Verificar o funcionamento do regulador a diodo Zener

Verificar o funcionamento do circuito ceifador

Verificar o funcionamento do circuito grampeador negativo

3. Descrição experimental

3.1. Parte A – Caracterização de diodos

3.1.1. Componentes e Equipamentos

• 1 Multímetro Portátil com adaptador jacaré em ambas as pontas de prova

• 1 Multímetro de bancada com adaptador jacaré em ambas as pontas de prova

• 1 Fonte de tensão contínua variável

• 1 Protoboard

• 1 Par de cabos banana/banana

• 1 Par de cabos banana/jacaré

• Quantidade Componente

• 1 Diodo 1N4148

• 1 Diodo 1N4733 – Zener de 5,1V x 1W

• 1 Resistor de 100 W

3.1.2. Desenvolvimento e resultados

Inicialmente, foi montado o circuito indicado na Figura 1 abaixo:

foi montado o circuito indicado na Figura 1 abaixo: Figura 1: Esquema do circuito montado em

Figura 1: Esquema do circuito montado em laboratório. [6]

Note que o diodo está polarizado diretamente, pois a corrente está circulando do lado p para o lado n do diodo. Então, variou-se a tensão da fonte e foi anotado o valor de corrente passando pelo diodo, bem como a queda de tensão sobre o diodo. Estes resultados estão fornecidos na Tabela 1 abaixo:

Tabela 1: Corrente e tensão sobre o diodo polarizado diretamente.

Vcc [V]

0,00

0,50

1,00

1,50

2,00

2,50

3,00

4,00

5,00

10,00

Id [mA]

0,00

0,18

3,85

7,86

12,79

17,61

22,71

32,62

41,63

90,13

Vd [V]

0,001

0,530

0,672

0,709

0,736

0,754

0,770

0,793

0,809

0,867

Com os dados da Tabela 1, foi plotado o gráfico de Corrente x Tensão no diodo, que é chamado de curva característica do diodo. O gráfico está indicado na Figura 2 a seguir:

Figura 2: Curva característica de um diodo polarizado diretamente plotada com o MATBLAB®. Pode observar

Figura 2: Curva característica de um diodo polarizado diretamente plotada com o MATBLAB®.

Pode observar no gráfico acima que a corrente começa a aumentar em torno de 0.7V e depois apresenta um comportamento aproximadamente linear, o que está de acordo com a teoria. Diodos de silício têm uma tensão de joelho – tensão da barreira de potencial – em torno de 0.7V. A fim de encontrar o ponto quiescente (ponto Q), também foi traçado a reta de carga circuito:

(ponto Q), também foi traçado a reta de carga circuito: Figura 3: Curva característica e reta

Figura 3: Curva característica e reta de carga plotadas com o MATLAB®.

Prolongando-se ligeiramente a curva característica, foi possível encontrar as coordenadas do ponto Q. A Figura 3 abaixo indica o ponto Q:

coordenadas do ponto Q. A Figura 3 abaixo indica o ponto Q: Figura 4: Coordenadas do

Figura 4: Coordenadas do ponto Q obtidas com auxílio do MATLAB ®.

Desta maneira, o ponto quiescente ocorre quando a tensão sobre o diodo é de aproximadamente 0.87V e a corrente é aproximadamente 91.31mA. O ponto quiescente representa uma solução simultânea do diodo e a reta de carga. Ou seja, o ponto Q é o único ponto no gráfico que trabalha para ambos, diodo e circuito. [1] Percebe-se que o ponto quiescente, neste caso, ocorre para um valor de corrente relativamente alto, onde a tensão sobre o diodo já era maior que a tensão de joelho. É interessante notar que não foi obtida tal queda de tensão sobre o diodo em laboratório, por isso foi necessário prolongar a curva do diodo para que fosse possível obter o ponto Q. Para verificar a validade dos resultados obtidos, foi utilizado o software para simulação de circuitos Pspice®. A seguir foi montado o circuito abaixo:

simulação de circuitos Pspice®. A seguir foi montado o circuito abaixo: Figura 5: Circuito simulado no

Figura 5: Circuito simulado no PSpice®.

Então, foram estabelecidas as seguintes configurações a fim de simular o circuito:

as seguintes configurações a fim de simular o circuito: Figura 6: Configurações da simulação do circuito.

Figura 6: Configurações da simulação do circuito.

Figura 6: Configurações da simulação do circuito. Figura 7: Configuração de temperatura para a simulação

Figura 7: Configuração de temperatura para a simulação do circuito.

Finalmente, o circuito foi simulado e obteve-se a seguinte curva característica:

Figura 8: Gráfico I x V de um diodo 1N4148 polarizado diretamente obtido com a

Figura 8: Gráfico I x V de um diodo 1N4148 polarizado diretamente obtido com a simulação à temperatura ambiente.

O gráfico indicado na Figura 8 acima é extremamente parecido com o gráfico indicado na Figura 2, obtido experimentalmente. Percebe-se claramente que em ambos, a corrente passa a aumentar substancialmente a partir de aproximadamente 0.7V e depois passam a apresentar um comportamento aproximadamente linear. Para fins de observar o efeito da temperatura sobre o diodo polarizado diretamente, foi realizada uma simulação do circuito indicado na Figura 5 para uma temperatura de 40ºC. Os resultados são mostrados a seguir:

temperatura de 40ºC. Os resultados são mostrados a seguir: Figura 9: Temperatura na qual é realizada

Figura 9: Temperatura na qual é realizada a simulação.

Figura 9: Curva característica obtida para uma temperatura de 40ºC. Ao comparar cuidadosamente o gráfico

Figura 9: Curva característica obtida para uma temperatura de 40ºC.

Ao comparar cuidadosamente o gráfico acima com o gráfico da Figura 8, conclui-se que a corrente no gráfico da Figura 10 cresce mais rapidamente com o aumento da tensão. Basta notar, por exemplo, que para uma tensão de 0.8V tem-se uma corrente de 40mA à 40ºC enquanto que, à 26.85ºC há uma corrente de aproximadamente 30mA. Com auxílio da ferramenta Probe Cursor do PSpice, verifica-se que, à 26.85ºC, uma corrente de 40mA ocorre para uma tensão de aproximadamente 817mV, enquanto que à 40ºC, uma corrente de 40mA ocorre para uma tensão de aproximadamente 800mV. Desta forma, segue que:

∆V = ( 800 817 )( mV )

∆T

∆V

( 40 26.85 )( ºC )

1.3 mV / ºC

=

∆T

O que significa dizer que a barreira de potencial diminui de 1.3mV para cada grau Celsius de aumento na temperatura. De acordo com a literatura, para um diodo de silício este valor é de 2 miliVolts. [1] Continuando com a parte experimental, para estudar diodos polarizados reversamente, foi montado no laboratório o circuito mostrado a seguir:

Figura 10: Circuito montado em laboratório. [6] Claramente o diodo está polarizado reversamente, pois a

Figura 10: Circuito montado em laboratório. [6]

Claramente o diodo está polarizado reversamente, pois a corrente está fluindo do lado n para o lado p, ao contrário da polarização direta onde a corrente flui do lado p para o lado n do diodo. Analogamente com o primeiro circuito montado, variou-se a tensão da fonte e foram observadas ambas, a corrente e tensão sobre o diodo. A Tabela 2 a seguir resume os resultados obtidos.

Tabela 2: Resultados obtidos para o diodo polarizado reversamente.

Vcc [V]

0.00

0.50

1.00

1.50

2.00

2.50

3.00

4.00

5.00

10.00

Id [mA]

0

0

0

0

0

-0.003

-0.019

-0.303

-2.680

-48.42

Vd [V]

-0.001

-0.529

-0.989

-1.567

-2.064

-2.550

-3.043

-4.013

-4.741

-5.172

Com os dados da Tabela 2 acima, foi traçado com o MATBLAB® o gráfico I x V para o diodo:

foi traçado com o MATBLAB® o gráfico I x V para o diodo: Figura 6: Curva

Figura 6: Curva I x V para o diodo polarizado reversamente.

Percebe-se que a corrente começa a cair bruscamente, caracterizando o efeito de avalanche – fenômeno que ocorre quando surge repentinamente um número muito grande de portadores na camada de depleção [1] - em torno de -4.9V, indicando que a tensão de ruptura está em torno desse valor de -4.9V. Buscando este valor em um datasheet [7] fornecido pela SEMTECH ELETRONICS LTD.®, verificamos que este valor vale -5.1V, como mostrado abaixo:

verificamos que este valor vale -5.1V, como mostrado abaixo: Figura 7: Datasheet indicando as tensões de

Figura 7: Datasheet indicando as tensões de operação de diodos Zener.

O resultado obtido experimentalmente difere ligeiramente do valor fornecido pelo datasheet. Seria possível obter um resultado mais próximo, se tivesse sido anotado o valor de corrente no diodo para um ou dois valores de tensão da fonte entre 5V e 10V. Assim, teria-se mais um ou dois pontos no gráfico que auxiliarem na obtenção de um resultado melhor. Para comparar os resultados obtidos, montou-se o seguinte circuito no PSpice®:

obtidos, montou-se o seguinte circuito no PSpice®: Figura 8: Circuito utilizado para simulação. Os

Figura 8: Circuito utilizado para simulação.

Os parâmetros desta segunda simulação foram setados da mesma maneira que os da primeira simulação. Foi obtida a seguinte curva característica:

Figura 9: Curva característica para o diodo 1N4733 polarizado reversamente obtida com a simulação à

Figura 9: Curva característica para o diodo 1N4733 polarizado reversamente obtida com a simulação à temperatura de 26.85ºC.

O gráfico acima difere razoavelmente na região de ruptura do gráfico obtido

experimentalmente indicado na Figura 10. Isto ocorreu devido a não ter sido anotado nenhum par

corrente/tensão sobre o diodo para um valor de tensão da fonte entre 5V e 10V. Há um salto muito

grande nesse intervalo, considerando que a tensão de ruptura do diodo 1N4733 é de 5.1V, que

atrapalha nos resultados.

Para fins de observar o efeito da temperatura sobre o diodo polarizado reversamente, foi

realizada uma simulação do circuito indicado na Figura 14 para uma temperatura de 40ºC. Os

resultados são mostrados a seguir:

temperatura de 40ºC. Os resultados são mostrados a seguir: Figura 15: Temperatura na qual é realizada

Figura 15: Temperatura na qual é realizada a simulação.

Figura 16: Temperatura na qual é realizada a simulação. Os resultados obtidos à 40ºC diferem

Figura 16: Temperatura na qual é realizada a simulação.

Os resultados obtidos à 40ºC diferem muito pouco dos obtidos à 26.85ºC. Observando-se cautelosamente os gráficos das figuras percebe-se que para um mesmo valor de tensão, os valores de corrente lidos no gráfico da simulação à 40ºC são maiores do que os valores de corrente do gráfico obtido com a simulação à 26.85ºC.

3.2. Parte B – Circuitos com diodos

3.2.1. Componentes e Equipamentos

• 1 Multímetro Portátil com adaptador jacaré em ambas as pontas de prova

• 1 Multímetro de bancada com adaptador jacaré em ambas as pontas de prova

• 1 Fonte de tensão contínua variável

• 1 Protoboard

• 1 Osciloscópio com duas pontas de prova

• 1 Gerador de funções com cabo BNC e ponta jacaré

• 2 Pares de cabos banana/banana

• 2 Pares de cabos banana/jacaré

• 1 Transformador monofásico, entrada 110Vef , saída 12Vef + 12Vef com center tap

• 2 Diodos 1N4007 – diodo retificador

1 Diodo 1N4733 – Zener de 5,1V x 1W

• 2 Diodos 1N4728 – Zener de 3,3V x 1W

• 1 Resistor de 220 W x 5W

• 1 Resistor de 470 W x 5W

• 1 Resistor de 1kW x 1/8W

• 1 Capacitor eletrolítico de 100uF x 25V

• 1 Capacitor eletrolítico de 1uF x 25V

3.2.1. Desenvolvimento e resultados.

Primeiramente foi montado o circuito retificador de onda completa da figura 16. Na sequência foram medidas com o osciloscópio as tensões Va, Vb e Vr indicadas na figura e também seus respectivos valores de Amplitude (A), Valor médio (Vm), Valor Eficaz (Vef), Período (T) e frequência (f). Estes últimos parâmetros são apresentados na tabela 3.

Estes últimos parâmetros são apresentados na tabela 3. Figura 17 : Retificador onda completa com transformador

Figura 17: Retificador onda completa com transformador CT.

Figura 18: Formas de onda visualizadas no osciloscópio para o retificador de onda completa. Sendo

Figura 18: Formas de onda visualizadas no osciloscópio para o retificador de onda completa.

Sendo Va,Vb e Vr indicadas respectivamente pelas formas de onda amarela,verde e azul.

Tabela 3: Tensões do retificador de onda completa da figura 16.

 

A* [V]

Vm* [V]

Vef* [V]

T* [ms]

f* [Hz]

Va

37

-49 mV

12,223

16,674

60,08

Vb

37

-102 mV

11,996

16,644

60,10

Vr

18

9,807

5,248

8,374

119,56

 

Defasagem entre Va e Vb (graus)

 

178

o

A defasagem entre Va e Vb foi calculada utilizando a seguinte expressão:

Δ

= Τ . 360°

Em seguida foi montado o circuito retificado com filtro capacitivo apresentado na figura 18.

Observou-se com o osciloscópio para este circuito a tensão Vrc indicado na figura 18 e seu Valor

médio (V DC ), Valor eficaz (Vef) e Valor de ripple (V RIPPLE) .

Figura 19: Circuito retificador de onda completa com filtro capacitivo Figura 20: Forma de onda

Figura 19: Circuito retificador de onda completa com filtro capacitivo

Circuito retificador de onda completa com filtro capacitivo Figura 20: Forma de onda visualizada no osciloscópio

Figura 20: Forma de onda visualizada no osciloscópio para o retificador de onda completa com filtro capacitivo. Na figura está representada a tensão Vrc.

Tabela 4: Valor médio (V DC ), Valor eficaz (Vef) e Valor de ripple (V RIPPLE) da tensão Vrc.

Tensão Vrc V DC [V] Vef [V]

15,123

15,2

V RIPPLE [Vpp]

2,33

Na sequência foi montados o circuito ceifador (figura 22) e circuito grampeador (figura 23). Para ambos os circuitos foram visualizadas as forma s da tensão Va (circuito ceifador) e da tensão Vb ( circuito grampeador).

(circuito ceifador) e da tensão Vb ( circuito grampeador). Figura 21: Circuito ceifador. Figura 22: Circuito

Figura 21: Circuito ceifador.

Vb ( circuito grampeador). Figura 21: Circuito ceifador. Figura 22: Circuito grampeador. Figura 23: Forma de

Figura 22: Circuito grampeador.

21: Circuito ceifador. Figura 22: Circuito grampeador. Figura 23: Forma de onda visualizada no osciloscópio para

Figura 23: Forma de onda visualizada no osciloscópio para a te nsão Va no circuito ceifador.

Figura 24: Forma de onda visualizada no osciloscópio para a tensão Vb no circuito grampeador.

Figura 24: Forma de onda visualizada no osciloscópio para a tensão Vb no circuito grampeador.

3.2.2. Atividades pós-experimento.

1. Sabendo-se que a tensão da rede é de aproximadamente 127 Vef, foi calculada a relação de

espiras do transformador por meio da expressão mostrada a seguir. Nesta expressão V 1 e V 2

representam respectivamente as tensões no primário e no secundário do transformador, já N 1 e N 2

indicam o número de espiras de cada uma das seções mencionadas. A constante a é o resultado da

razão de V 1 por V 2 ou N 1 por N 2 .

V 1 = 127 V ef e V 2 = 12 V ef

=

127

12

=

= 10,58

O resultado obtido indica que o número de espiras no primário deve ser 10,58 vezes maior que o

número de espiras no secundário para obtenção da tensão de 12,7 Vef a partir de uma tensão de 127

Vef aplicada no primário do transformador.

2. O retificador de onda completa mostrado na figura 16 funciona da seguinte maneira: durante o

semiciclo positivo da tensão senoidal Va, o diodo D_1N4007_1 estará conduzindo enquanto o diodo

D_1N4007_2estará cortado, assim para saída será transferida uma tensão senoidal retificada, ou

seja, somente com os semiciclos positivos. A tensão Vb está defasada de 180º em relação a tensão

Va, logo Vb possui seu semiciclo positivo quando Va está no semiciclo negativo e desta maneira o

diodo D_1N4007_2 conduzirá no momento que D_1N4007_1 estiver cortado, e de modo análogo a

irá também transferir para a saída uma tensão retificada. A tensão de saída Vr visualizada na saída

do circuito será constituída de semiciclos positivo s das tensões senoidais Va e Vb conforme visto na

figura 17.

3. Na condução os diodos D_1N4007_1 e D_1N4007_2 apresentam uma tensão praticamente nula

entre os seus terminais e na não condução, uma tensão -24 V ef , pois quando um deles estiver

cortado o outro estará conduzindo, fazendo com que a tensão total do secundário do transformador

seja aplicada sobre o diodo cortado.

4. Ao comparar os três valores de tensão média V DC para as saídas dos retificadores de tensão

construídos na prática observa-se este parâmetro aumenta a medida que o circuito se torna mais

incrementado de elementos. No primeiro retificador de onda completa tem-se que V DC = 9,807 V ,

que corresponde ao valor médio da onda senoidal retificada. No segundo retificado com filtro

capacitvo o valor médio é de V DC = 15,123 V, este valor é maior do que o primeiro devido ao fato da

tensão de saída do retificador com filtro capacitivo apresentar menor variação em cada ciclo pois o

capacitor ao se descarregar mantém o nível de tensão de saída próximo ao valor máximo com a

apresentação de uma pequena variação ( ripple).

6. No circuito grampeador durante o semiciclo positivo o diodo D1 está reversamente polarizado e

se comportará como uma chave em aberto até o momento em que a tensão de entrada seja igual a

sua tensão de operação. Nesta situação a tensão Va terá a mesma forma de onda que a tensão de

entrada da fonte. Quando tensão de entrada se iguala a tensão de operação do diodo Zener D1 (3,3

V), este último manterá sobre si uma queda de tensão de valor constante a qual permanecerá até o

momento em que a tensão de entrada se tornar menor do que a tensão de operação. Durante a

operação do diodo D1, Va também apresentará um valo r de tensão constante igual a 3,3 V a

caracterizando assim o ceifamento do sinal senoidal de entrada. Na operação o diodo Zener D1, o

diodo Zener D2 está polarizado diretamente e se comporta como um curto. Durante o semiciclo

negativo ocorre inverso, D2 é polarizado reversamente e D1 é polarizado diretamente quando o

diodo D2 entra em operação. A diferença neste caso é que a tensão de saída Va mostra o semiciclo

negativo do sinal senoidal de entrada ceifado em - 3,3 V.

7. No circuito grampeador supondo o diodo como ideal e o capacitor inicialmente descarregado,

para o semiciclo positivo da tensão de entrada, até esta atingir seu valor de pico, o diodo estará

conduzindo e o capacitor estará se carregando com a tensão de entrada da fonte. A partir do

momento em que o potencial da tensão de entrada inicia seu decréscimo, o diodo estará polarizado reversamente e assim estará cortado. À medida que o potencial da entrada decresce a tensão de saída Vb se mostrará como uma senoide negativa crescente abaixo de 0 V. Esta senoide é resultante da diferença entre o potencial armazenado no capacitor e potencial do sinal de entrada. Durante o semiciclo negativo, esta situação prossegue, pois o potencial do capacitor se soma ao da entrada, resultando na saída uma tensão negativa com o dobro da tensão de pico do sinal de entrada e no momento em que a tensão de entrada for nula a tensão de saída terá o valor igual à tensão de pico de entrada com sinal negativo. A partir de um novo semiciclo positivo ocorrerá novamente a subtração entre os potenciais do capacitor e da entrada e quando a entrada atingir seu valor de pico a tensão de saída Vb será nula.

8. Simulação dos circuitos retificadores no QUCS:

nula. 8. Simulação dos circuitos retificadores no QUCS: Figura 25: Simulação do retificador de onda completa

Figura 25: Simulação do retificador de onda completa no QUCS.

Figura 26: Tensão Va simulada para o circuito retificador de onda completa. Figura 27: Tensão

Figura 26: Tensão Va simulada para o circuito retificador de onda completa.

Va simulada para o circuito retificador de onda completa. Figura 27: Tensão Vb simulada para o

Figura 27: Tensão Vb simulada para o circuito retificador de onda completa.

Figura 28: Tensão Vr simulada para o circuito retificador de onda completa. Na simulação do

Figura 28: Tensão Vr simulada para o circuito retificador de onda completa.

Na simulação do retificador de onda completa no software QUCS, observou-se que as tensões V a , V b e V r apresentaram comportamentos similares aos visualizados no osciloscópio tanto no que diz respeito as formas de onda como nos valores encontrados experimentalmente, validando o experimento.

encontrados experimentalmente, validando o experimento. Figura 29: Simulação do retificador de onda completa com

Figura 29: Simulação do retificador de onda completa com filtro capacitivo QUCS.

Figura 30: Tensão Vrc simulada para o circuito retificador de onda completa com filtro capacitivo.

Figura 30: Tensão Vrc simulada para o circuito retificador de onda completa com filtro capacitivo.

Podemos verificar na simulação, que a tensão sobe rapidamente até um valor próximo de 12V (a tensão de saída do transformador),e depois passa a apresentar um sinal que somente varia próximo aos valores de tensão fornecida pelo transformador. A onda fica "achatada", com uma oscilação em uma faixa muito pequena, resultado também obtido no laboratório e previsto na teoria.

Figura 31: Simulação do retificador de onda completa com filtro capacitivo QUCS. Figura 32: Tensão

Figura 31: Simulação do retificador de onda completa com filtro capacitivo QUCS.

do retificador de onda completa com filtro capacitivo QUCS. Figura 32: Tensão Vrz simulada para o

Figura 32: Tensão Vrz simulada para o circuito retificador de onda completa com regulador de tensão a diodo Zener.

Figura 33: Simulação do circuito ceifador Figura 34: Tensão Va simulada para o circuito ceifador.

Figura 33: Simulação do circuito ceifador

Figura 33: Simulação do circuito ceifador Figura 34: Tensão Va simulada para o circuito ceifador. A

Figura 34: Tensão Va simulada para o circuito ceifador.

A simulação mostra uma onda com partes "cortadas", uma vez que podemos verificar picos mais "achatados" para as oscilações. Porém, a forma de onda, de forma geral, permanece a mesma:

somente o topo das cristas e a base dos vales é que foi alterada, fazendo com que a onda se assemelhe a uma onda quadrada. Curiosamente essa forma de onda não se assemelhou muito com a onda obtida em laboratório.

Figura 35: Simulação do circuito grampeador. Figura 36: Tensão V a simulada para o circuito

Figura 35: Simulação do circuito grampeador.

Figura 35: Simulação do circuito grampeador. Figura 36: Tensão V a simulada para o circuito grampeador.

Figura 36: Tensão V a simulada para o circuito grampeador.

A onda nesse circuito simplesmente "troca" de lugar, passando a oscilar em valores próximos de 0V a -10V ao invés do natural 5V a -5V. Podemos verificar isso claramente na simulação. O experimento do laboratório apresentou uma forma de onda semelhante, confirmando o experimento com a simulação.

4. Conclusões

A aula prática realizada no laboratório auxiliou no entendimento de como os circuitos elétricos vistos na sala de aula e a utilidade dos componentes utilizados no laboratório podem ser aplicados no cotidiano. Por exemplo, a polarização dos diodos, a montagem desses componentes no Protoboard e a compreensão dos gráficos estudados.

Na primeira parte, observou-se o comportamento dos diodos em relação a sua polarização (direta ou inversa). Ao traçar as curvas características pode-se observar os comportamentos característicos de cada polarização, como a curva em joelho (direta) e o efeito avalanche (reversa).

Sabe-se que acima de um determinado valor ocorre um efeito de ruptura, ou chamado efeito avalanche, quebrando a barreira de potencial e a corrente cresce quase que verticalmente. Percebe- se também que esse efeito pode acontecer com a tensão reversa aplicada ao diodo, por isso os fabricantes especificam um valor máximo de corrente direta e tensão reversa máxima do diodo.

As figuras obtidas se assemelharam com as da teoria estudada nas aulas e ao simular os mesmos circuitos no software Pspice® obteve-se as mesmas curvas características, validando assim os valores encontrados experimentalmente. Porém única discrepância ocorreu nos valores de corrente para os respectivos valores de tensão entre 5V e 10V, onde houve um salto no gráfico 12, para esse intervalo. Isso se deve ao intervalo ser muito distante, havendo a necessidade de um dado experimental para esse intervalo.

Na segunda parte do experimento observou-se as diversas utilidades dos diodos em relação às montagens dos circuitos, por exemplo, o retificador de onda completa de um transformador e o uso de filtros capacitivos.

No primeiro circuito da figura 16, observou-se o comportamento das ondas do retificador de onda completa. A onda de V a está defasada 180 o em relação à V b , deve-se ao fato de enquanto o semiciclo positivo de V a estar ocorrendo, em V b ela esta cortada e vice versa. Já a saída V r apresentou somente os valores positivos de ambos os valores em uma só onda. O mesmo ocorreu quando fez-se a simulação, tanto para as imagens quanto para os valores.

Observou-se o comportamento dos componentes de um circuito retificador com filtro capacitivo e diodo zener, que tem por objetivo fornecer a carga uma tensão desejada, de acordo com a tensão do diodo zener especificada pelo fabricante.

Também é possível notar a importância do dimensionamento da resistência R 4 para limitar a corrente em cima do diodo zener, que necessita de uma corrente mínima para conduzir que se restringi a uma corrente máxima para não queimar, havendo assim uma faixa de variação de R 4 .

5. Referências

[1] MALVINO, Abert; BATES, David J. Eletrônica Volume1. 7ª edição. McGraw Hill

[2]KASCHNY, J.R. Circuitos com diodos: retificadores. Disponível em <http://physika.info/physika/documents/diodos.pdf>, acessado em 19/05/ 2013.

[3]FURLAN, Rogério.

<http://www.lsi.usp.br/~roseli/www/psi2307_2004-Teoria-1-Retif.pdf>, acessado em 20/05/2013

Retificadores.

Disponível

[4]Circuitos com diodos – Disponível em:

em

<http://www.corradi.junior.nom.br/CircDiodo.pdf> , acessado em 20/05/2013.

[5] SEDRA, Adel S. Microeletrônica. 5ª edição. Prentice Hall

[6] Roteiro da prática.

[7] Datasheet diodo <http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/1/N/4/7/1N4733.shtml>, acessado em

23/05/2013.