LABORATORIO DE FSICA 1

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1. Tema Familiarizacin con los transistores. 2. Objetivos Familiarizacin con los diversos tipos de transistores. Medir los efectos producidos por la polarizacin en directa (normal) y en inversa en la corriente emisor-base del circuito emisor-base. Medir los efectos producidos por la polarizacin en directa y en inversa en la corriente del colector en el circuito emisor-base. Medir ICBO.

3. Fundamentos Tericos

Ampermetro.- Un ampermetro es un instrumento que sirve para medir la intensidad de corriente que est circulando por un circuito elctrico.

Circuito en paralelo.- El circuito elctrico en paralelo es una conexin donde los puertos de entrada de todos los dispositivos son conectados de manera paralela entre ellos, no secuencialmente.

Circuito en serie.- Un circuito en serie es una configuracin de conexin en la que los bornes o terminales de los dispositivos se conectan secuencialmente. La terminal de salida del dispositivo uno se conecta a la terminal de entrada del dispositivo siguiente.

Fuente de alimentacin.- Es un dispositivo que alimentan uno o varios circuitos mediante un voltaje dado. Existen fuentes de corriente ac y dc.

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Interruptor.- Un interruptor elctrico es un dispositivo que permite desviar o interrumpir el curso de una corriente elctrica dentro de un circuito.

ICBO.- es la corriente de colector que fluye cuando la unin formada por colector-base est polarizada en direccin opuesta con la unin emisor-base en circuito abierto.

Potencimetro.- Un potencimetro es un resistor cuyo valor de resistencia es variable. De esta manera, indirectamente, se puede controlar la intensidad de corriente que fluye por un circuito si se conecta en paralelo, o la diferencia de potencial al conectarlo en serie.

Protoboard.- Es un tablero con orificios conectados elctricamente entre s, habitualmente siguiendo patrones de lneas, en el cual se pueden insertar componentes electrnicos y cables para el armado y prototipado de circuitos electrnicos y sistemas similares.

Resistencia.- Se define como la oposicin que presenta un material al ser atravesado por una corriente elctrica.

Semiconductores Transistor.-

El transistor es un

dispositivo

electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, conductor, o aislante ; Existen dos tipos de uniones en un transistor BJT, la unin NPN y PNP, los cuales constan de 3 partes fundamentales que son: emisor, base y colector ; La corriente ms grande entre estos siempre ser la que se encuentre circulando por el emisor. Emisor.- Ha de ser una regin muy dopada ; Cuanto ms dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podr aportar a la corriente

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Colector.- Ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las caractersticas de esta regin tienen que ver con la recombinacin de los portadores que provienen del emisor.

Base.- Ha de ser muy estrecha y poco dopada , para que tenga lugar poca recombinacin en la misma, y prcticamente toda la corriente que proviene de emisor pase a colector. Adems, si la base no es estrecha, el dispositivo puede no comportarse como un transistor, y trabajar como si de dos diodos en oposicin se tratase.

4. Equipo utilizado Protoboard. Cable. Ampermetro. Pelador de cable. Resistencia. Fuente de alimentacin DC de 1 y 6 V. Resistencias: de 100 y 820 . 1/2 W Semiconductores: transistores 2N3904 y 2N3906. Potencimetro de 2500 a 2 W Dos interruptores de un polo un tiro. Pinza. Smartphone.

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5. Esquemas.

Figura 1.- Esquema de conexin de un transistor PNP

Figura 1.1.- Simulacin de transistor PNP en Proteus con Resistencia Variable a 0 , medicin de Intensidades.

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Figura 1.2.- Simulacin de transistor PNP en Proteus con Resistencia Variable a 5K , medicin de Intensidades.

Figura 1.3.- Simulacin de transistor PNP en Proteus con Resistencia Variable a 5K , medicin de Voltajes.

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Figura 1.4.- Simulacin de transistor PNP en Proteus con Resistencia Variable a 0 , medicin de Voltajes.

Figura 2.- Esquema de conexin de un transistor NPN.

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Figura 2.1.- Simulacin de transistor NPN en Proteus con Resistencia Variable a 0 , medicin de Intensidades.

Figura 2.2.- Simulacin de transistor NPN en Proteus con Resistencia Variable a 5K , medicin de Intensidades.

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Figura 2.3.- Simulacin de transistor NPN en Proteus con Resistencia Variable a 0 , medicin de voltajes.

Figura 2.4.- Simulacin de transistor NPN en Proteus con Resistencia Variable a 5K , medicion de voltajes.

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6. Resultados. Los resultados obtenidos en la practica estn apuntados en la siguiente tabla. IE Paso 2 3 mA 0,35 7,29 IC mA 0,33 7,99 ICBO 5 7 8 0,36 7,31 7,13 0,33 7,99 ICBO 10 7,38 6,05 0,55 0,68 6,08 5,76 0,41 6,37 0,25 0,03 -0,68 0,28 6,47 VEB V 0,55 0,7 VCB V 5,75 0,43 VCE V 6,37 0,271 IB mA 0,02 -0,7 VR3 V 0,28 6,46

Tabla N1.- Caractersticas de un amplificador con transistor en el laboratorio.

IE Paso 2 3 7 8 mA 0,33 7,99 0,33 7,99

IC mA 0,31 7,30 0,31 7,30

VEB V 0,66 0,7 0,66 0,68

VCB V 5,75 0,43 5,49 0,41

VCE V 6,37 0,271 6,15 0,25

IB mA 0,02 0,69 0,02 0,69

VR3 V 0,30 6,46 0,30 6,47

Tabla N2.- Caractersticas de un amplificador con transistor en el simulador Proteus.

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7. Discusin de los resultados Los resultados obtenidos en la practica son muy similares a los obtenidos en la simulacin que realizamos en Proteus con la nica diferencia que al medir la corriente del colector nos salio mayor a la corriente de emisor y esto nos pasa cuando la resistencia variable esta en su mnima capacidad osea a 0 .

8. Respuestas a las preguntas de control. Qu efecto produce en la corriente del colector un aumento en la polarizacin del emisor? Cuando la polarizacin en el emisor aumenta la intensidad en el colector tambin aumenta. Calcule la corriente de base (IB = IE - IC) para cada conjunto de lecturas en la tabla 10-1. Anote estos valores en la tabla. Se procede a la operacin y se anota los resultados en la tabla Compare y explique las diferencias entre los valores de IC e ICBO. IC.- Es la corriente que recorre el terminal colector. ICBO.- Es la corriente mxima que puede soportar un transistor a travs de la polarizacin inversa de la unin colector-base cuando la corriente de emisor es cero. Compare y explique las diferencias en los valores de VCE obtenidos en los pasos 2 y 3. Cuando la resistencia variable esta en su mxima capacidad el voltaje emisor-colector aumenta, y cuando la resistencia variable es mnima el voltaje emisor-colector disminuye.

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Calcule el voltaje presente en R 3 (VR3 = IC X R3) para cada conjunto de lecturas en la tabla 10-1. Comente acerca de la relacin entre V R3 y VEB. VR3 = IC X R3 IC Paso 2 3 7 8 mA 0,33 7,99 0,33 7,99 R3 820 820 820 820 VR3 V 0,27 6,4 0,27 6,4

Tabla N 3.- Voltaje en Resistencia 3.

La ganancia de un amplificador se calcula dividiendo la corriente de salida (IC en este experimento) entre la corriente de entrada (I E) Cul es la ganancia en corriente del amplificador de base comn utilizado en este experimento en condiciones normales de operacin? = IC/IE Paso 2 3 7 8 IE 0,35 7,29 0,36 7,31 IC 0,33 7,99 0,33 7,99 0,94 0,91 0,92 0,91

Tabla N 4.- Ganancia de un amplificador

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9. Conclusiones. Las conclusiones que llegamos en esta practica son: Comprendimos la forma de conexin de un transistor de base comn sea de tipo PNP o NPN cada cual tiene su propia forma de conexin. (emite) o es la fuente de los portadores de corriente dentro del transistor, el colector recibe (recolecta) la mayor parte de los portadores de corriente, la base controla la corriente de colector. Aprendimos como se mide las intensidades y voltajes en un transistor. Interpretamos que cuando la polarizacin en el emisor aumenta la intensidad en el colector tambin aumenta. Entendimos como funciona cada parte de un transistor, el emisor inyecta

10. Bibliografa. Basic ELectronics, A Text-Lab Manual , 7a. ed. por P. B. Zbar, A. P. Malvino y M. A. Miller, publicada originalmente por Glencoe/McGraw-Hill , Inc. Imgenes capturadas en el simulador Isis Proteus. Imgenes capturadas en el laboratorio de fsica de U.N.L.

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11. Anexos

Figura 3.- Transistor.

Figura 4.- Fuente alimentacin DC.

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Figura 5.- Circuito Armado en Protoboard

Figura 6.- Polmetro comprobacin de transistor.

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