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UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD Escuela de ciencias Bsicas Tecnologa e Ingeniera Ingeniera Electrnica

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA


ESCUELA DE CIENCIAS BSICAS TECNOLOGA E INGENIERA PROGRAMA DE INGENIERA ELECTRNICA

201419 ELECTRNICA BSICA

BOGOT AGOSTO DE 2011 Rplica del primer transistor, desarrollado en Bell Labs, en 1947.

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GUA DIDCTICA - ELECTRNICA BSICA @Copyright UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA ISBN 2006 Centro Nacional de Medios para el Aprendizaje Primera revisin Julio 20 de 2007. Editado - 20 de agosto de 2011.

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NDICE DE CONTENIDO

INTRODUCCIN UNIDAD I: FUNDAMENTOS DE LOS SEMICONDUCTORES Capitulo 1: Los Diodos Leccin 1: Diodos Semiconductores. Leccin 2: Anlisis de circuitos con diodos. Leccin 3: Rectificacin de media onda y rectificacin de onda completa. Leccin 4: Circuitos recortadores, sujetadores, y multiplicadores de Voltaje. Leccin 5: Diodo Zener y LED. Capitulo 2: Transistores Bipolares BJT Leccin 6: Construccin y operacin de transistores. Leccin 7: Configuraciones del BJT. Leccin 8: Accin de amplificacin del transistor. Leccin 9: Lmite de operacin, hoja de especificaciones, pruebas de transistores. Leccin 10: Punto de operacin. Capitulo 3: Polarizacin DC del transistor BJT Leccin 11: Circuito de polarizacin fija y de polarizacin estabilizada por emisor. Leccin 12: Polarizacin por divisor de voltaje y con retroalimentacin de voltaje. Leccin 13: Operaciones de diseo. Leccin 14: Redes de conmutacin con transistores. Leccin 15: Estabilizacin de polarizacin. FUENTES DOCUMENTALES DE LA UNIDAD 1 UNIDAD II. FET Y OTROS DISPOSITIVOS PNPN Capitulo 4: EL FET Leccin 16: Construccin y caractersticas de los JFET Leccin 17: MOSFET de tipo decremental e incremental. Leccin 18: Manejo de MOSFET. Leccin 19: VMOS (Vertical Metal Oxide Silicon) Leccin 20: CMOS (MOS con arreglo complementario)

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Capitulo 5: Polarizaciones del FET Leccin 21: Configuraciones de polarizacin del FET Leccin 22: MOSFET de tipo decremental e incremental. Leccin 23: Redes combinadas. Leccin 24: Diseo Leccin 25: FET de canal P y curva de polarizaciones para JFET. Capitulo 6: Otros Dispositivos PNPN Leccin 26: Diodos de cuatro capas Leccin 27: El SCR (Silicon Controled Rectifier) Leccin 28: Otros Tiristores Leccin 29: Disparo y Bloqueos de los Tiristores Leccin 30: Algunas Aplicaciones tpicas de los Tiristores. FUENTES DOCUMENTALES DE LA UNIDAD 2

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LISTADO DE GRFICOS Y FIGURAS


Figura 1. Diodo ideal. (a) Smbolo; (b) Caracterstica Figura 2. Cortocircuito Figura 3. Circuito abierto Figura 4. Estructura atmica de un conductor: el cobre (Cu). Figura 5. Niveles de energa. Figura 6. Bandas de conduccin y valencia. Figura 7. Representacin de un cristal de silicio Figura 8. Movimiento de electrones libres. Figura 9. Enlace covalente roto Figura 10. Grafica de movimiento de electrones en el silicio. Figura 11. La Unin PN Figura 12. Zona de deplexin Figura 13. Polarizacin directa. Figura 14. Sentido del movimiento del electrn libre (e-) y de la corriente (I). Figura 15. Polarizacin inversa. Figura 16. Sentido del movimiento del electrn libre y de la corriente. Figura 17. Mapa Conceptual Diodo Semiconductor Figura 18. Anlisis de una resistencia. Figura 19. Comportamiento de una resistencia en la regin de polarizacin directa. Figura 20. Comportamiento de una resistencia en polarizacin inversa. Figura 21. Curva caracterstica de una resistencia. Figura 22. Comportamiento de un diodo. Figura 23. Curvas de comportamiento en las dos zonas de polarizacin. Figura 23. Tensin umbral (a) y similitud a la curva de una resistencia (b). Figura 24. Clculo de la resistencia en la zona de polarizacin inversa. Figura 25. Pendiente de la recta en zona directa. Figura 26. Curva de un diodo. Figura 27. Grafica de corriente mxima. Figura 28. Resistencia limitadora. Figura 29. Disipacin de potencia de un diodo Figura 30. Polarizacin inversa. Figura 31. Circuito Figura 32. Diodo ideal en zona de conduccin. Figura 33. Circuito Figura 34. 2 aproximacin. Figura 35. 3 Aproximacin. Figura 36. Circuito Figura 37. Anlisis con la recta de carga Figura 38. Incorporacin del efecto de capacitancia de transicin. Figura 39. Definicin del tiempo de recuperacin inverso. Figura 40. Valores del diodo. Figura 41. Comparacin de la resistencia interna del diodo. Figura 42. Resistencia con polarizacin inversa. Figura 43. Medicin de un diodo.

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Figura 44. Rectificacin de media onda. Figura 45. Rectificacin de onda completa. Figura 46. Ondas Figura 47. Componentes Figura 48. Rectificacin de onda completa con puente. Figura 49. Explicacin grfica de rectificacin. Figura 50. Graficas Figura 51. Un multiplicador de tensin. Figura 52. Doblador de tensin Figura 53. Funcionamiento de un doblador de tensin. Figura 54. Anlisis del doblador. Figura 56. Doblador de tensin de onda completa. Figura 55. Resumen del funcionamiento de un doblador de media onda. Figura 57. Anlisis de un doblador de onda completa. Figura 58. Triplicador Figura 59. Triplicador de voltaje Figura 60. Cuadriplicador de voltaje. Figura 61. Limitador recortador positivo. Figura 62. Limitador recortador con fuente de voltaje adicional. Figura 63. Recortador Negativo. Figura 64. Funcionamiento de un limitador negativo. Figura 65. Aplicacin de un recortador. Figura 66. Aplicacin de un limitador. Figura 67. Circuito. Figura 68. Truco de reemplazo de fuente adicional. Figura 69. Utilizacin de un sujetador de nivel positivo Figura 70. Funcionamiento de un circuito sujetador positivo. Figura 71. Seal de salida del Sujetador Figura 73. Grafica de la 2 aproximacin Figura 74. Diodo Zener. Figura 75. Curvas tpicas de un diodo Zener. Figura 76. Efecto de avalancha para diferentes materiales semiconductores. Figura 77. Pendiente de la recta. Figura 78. Curvas reales de un diodo Zener. Figura 79. Modelo ideal del Zener. Figura 80. Segunda aproximacin del Zener. Figura 81. Modelo equivalente del Zener. Figura 82. Fuente de alimentacin DC Figura 83. Curvas de una fuente de alimentacin DC. Figura 84. Fuente DC regulada con diodo Zener. Figura 85. Anlisis del regulador Figura 86. Comportamiento del diodo Zener Figura 87. Rectificacin con diodo Zener. Figura 88. Curvas de respuesta de un diodo Zener. Figura 89. Regulacin con carga. Figura 90. Anlisis de la regulacin con carga.

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Figura 91. Valores mximos y mnimos Figura 92. Curvas reales en un circuito regulado. Figura 93. Anlisis del circuito regulado. Figura 94. Ejemplo. Figura 95. Fuente regulada con preregulador. Figura 96. LED. Figura 97. Aplicacin del LED Figura 98. Intensidad del LED. Figura 99. El LED y su rango de funcionamiento. Figura 100. Ejemplo de una mala aplicacin. Figura 53. Funcionamiento de un doblador de tensin. Figura 54. Anlisis del doblador. Figura 56. Doblador de tensin de onda completa. Figura 55. Resumen del funcionamiento de un doblador de media onda. Figura 57. Anlisis de un doblador de onda completa. Figura 58. Triplicador Figura 59. Triplicador de voltaje Figura 60. Cuadriplicador de voltaje. Figura 61. Limitador recortador positivo. Figura 62. Limitador recortador con fuente de voltaje adicional. Figura 63. Recortador Negativo. Figura 64. Funcionamiento de un limitador negativo. Figura 65. Aplicacin de un recortador. Figura 66. Aplicacin de un limitador. Figura 67. Circuito. Figura 68. Truco de reemplazo de fuente adicional. Figura 69. Utilizacin de un sujetador de nivel positivo Figura 70. Funcionamiento de un circuito sujetador positivo. Figura 71. Seal de salida del Sujetador Figura 73. Grafica de la 2 aproximacin Figura 74. Diodo Zener. Figura 75. Curvas tpicas de un diodo Zener. Figura 76. Efecto de avalancha para diferentes materiales semiconductores. Figura 77. Pendiente de la recta. Figura 78. Curvas reales de un diodo Zener. Figura 79. Modelo ideal del Zener. Figura 80. Segunda aproximacin del Zener. Figura 81. Modelo equivalente del Zener. Figura 82. Fuente de alimentacin DC Figura 83. Curvas de una fuente de alimentacin DC. Figura 84. Fuente DC regulada con diodo Zener. Figura 85. Anlisis del regulador Figura 86. Comportamiento del diodo Zener Figura 87. Rectificacin con diodo Zener. Figura 88. Curvas de respuesta de un diodo Zener. Figura 89. Regulacin con carga.

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Figura 90. Anlisis de la regulacin con carga. Figura 91. Valores mximos y mnimos Figura 92. Curvas reales en un circuito regulado. Figura 93. Anlisis del circuito regulado. Figura 94. Ejemplo. Figura 95. Fuente regulada con preregulador. Figura 96. LED. Figura 97. Aplicacin del LED Figura 98. Intensidad del LED. Figura 99. El LED y su rango de funcionamiento. Figura 100. Ejemplo de una mala aplicacin. Figura 101. Uniones en El Transistor. Figura 102. Transistor (a) NPN, (b) PNP Figura 103. Movimiento electrnico en un transistor. Figura 104. Diferentes regiones de trabajo de un transistor. Figura 105. Funcionamiento de la zona activa, configuracin BC. Figura 106. Barrera de potencial. Figura 107. El Diodo Figura 108. El Transistor. Figura 109. Convencin para las corrientes en el transistor. Figura 110. Transistor en configuracin de Emisor Comn. Figura 111. Transistor Figura 112. Polarizacin de Emisor comn para un transistor PNP. Figura 113. Ejemplo de amplificacin de voltaje. Figura 114. Circuito Figura 115. Lmite de operacin de un transistor. Figura 116 Tabla de una hoja de especificaciones. Figura 117. Circuito Figura 118. Transistor con base abierta. Figura 119. Transistor con corto entre emisor y base. Figura 120. Prueba de un transistor. Figura 121. Anlisis por computador. Curvas caractersticas para el transistor Figura 122. Distintos puntos de operacin. Figura 123. Circuitos de polarizacin de transistores BJT Figura 124. Polarizacin fija Figura 125. Recta de carga para polarizacin fija. Figura 126. El BJT Como conmutador o como amplificador. Figura 127. BJT polarizado estabilizado en emisor. Figura 128. Grafica de BJT polarizado en emisor. Figura 129. Polarizacin base. Figura 130. Polarizacin en emisor. Figura 131. Polarizacin por divisor de voltaje. Figura 132. Circuito equivalente para polarizacin por divisor de voltaje. Figura 133. Polarizacin por divisin de voltaje. Figura 134. Polarizacin con retroalimentacin. Figura 135. Polarizacin con retroalimentacin de colector.

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Figura 136. Retroalimentacin en emisor y polarizacin por divisor de voltaje. Figura 137. Anlisis de retroalimentacin. Figura 138. Retroalimentacin con seal AC. Figura 139. Ejemplo de retroalimentacin Figura 140. BJT en configuracin de retroalimentacin en emisor y colector. Figura 141. El transistor como conmutador Figura 142. El transistor como conmutador y su smbolo en electrnica digital Figura 143. Aplicaciones de conmutadores. Figura 116 Tabla de una hoja de especificaciones. Figura 144. (a) JFET canal N. (b) Smbolo de JFET canal N. (c) Smbolo canal P Figura 145. Caractersticas de un FET N Figura 146. Resistencia drain-source de un transistor NJFET en la regin lineal. Figura 147. Curvas caractersticas de un JFET. Figura 148. Smbolos de transistores NMOS y PMOS. Figura 149. Estructura fsica de un transistor NMOS Figura 150. Curvas de caractersticas de un NMOS. Figura 151. Estructura fisica de un VMOS Figura 152. Estructura fisica de un CMOS Figura 153. Circuito de polarizacin simple de un NJFET. Figura 154. Autopolarizacin de un NJFET. (a) Diagrama circuital. Figura 155. Polarizacin por divisor de voltaje de un JFET Figura 156. Grfica de JFET polarizado por divisor de voltaje. Figura 157. MOSFET de tipo decremental Figura 158. MOSFET de tipo Incremental Figura 159. Ejemplo de una red combinada Figura 160. Configuracin de Autopolarizacin para disear. Figura 161. Diodo de cuatro capas Figura 162. Caractersticas tensin/corriente del diodo de cuatro capas. Figura 163. SIDAC: a) estructura fsica, b) smbolo y c) caractersticas I-V. Figura 164. Caractersticas I-V en conduccin del MKP3V120. Figura 165. SIDAC como generador de diente de sierra. Figura 166. SBS: a) smbolo, b) circuito equivalente y c) Curva caracterstica I-V Figura 167. a) Smbolo del SCR, b) Modelo a nivel de transistor Figura 168. Caractersticas I-V del SCR. Figura 169. Circuitos de proteccin contra transitorios de a) tensin b) intensidad. Figura 170. Circuito regulador de potencia basado en un SCR. Figura 171. Formas de onda del circuito de la figura 170. Figura 172. Foto-SCR o LASCR: a) Smbolo y b) ajuste de sensibilidad a la luz. Figura 173. Smbolo de un GTO Figura 174. a) Smbolo del PUT y b) oscilador basado en un PUT. Figura 175. a) Smbolo del TRIAC y b) Modelo equivalente en SCR. Figura 176. Esquema de un opto-TRIAC. Figura 177. Esquema de un opto-acoplador TRIAC para activar un TRIAC Figura 178. Transistor UJT. Figura 179. Caractersticas elctricas de un UJT Figura 180. El UJT como oscilador de relajacin

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Figura 181. Zona de seguridad de disparo del SCR TF521S. Figura 182. Circuitos de disparo de SCR. Figura 183. Regulador de luz Figura 184. Regulador de luz con UJT. Figura 186. Circuito de control de calor. Figura 185. Control de velocidad de motores.

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INTRODUCCIN
La electrnica representa la maravilla del desarrollo de la tecnologa en ms de medio siglo, Gracias a la electrnica existen los llamados electrodomsticos que han cambiado la forma de trabajar e investigar de la humanidad, en la historia ninguna herramienta creada por el hombre, tena la capacidad de crear otras y acelerar su evolucin, en la actualidad muchos instrumentos y en general cualquier dispositivo electrnico utilizan muchos componentes para optimizar su funcionamiento. La finalidad de este libro es didctica y su edicin se ha realizado para el uso de los estudiantes de los programas de Tecnologa e Ingeniera Electrnica de la Universidad Nacional Abierta y a distancia UNAD. Se recomienda que cada estudiante lea el artculo: Fabricacin de los circuitos integrados que mueven al mundo.2

2 Anexo A del libro: Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos.

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UNIDAD 1
Nombre de la Unidad FUNDAMENTOS DE LOS SEMICONDUCTORES

Introduccin

Los semiconductores han revolucionado la electrnica ms que ninguna otra tecnologa. No existe prcticamente ningn circuito, sistema o equipo electrnico moderno que no utilice semiconductores de una u otra forma. Esta unidad explica a grandes rasgos la teora bsica de los semiconductores y examina los principales tipos disponibles actualmente, haciendo especial nfasis en los diodos, los transistores bipolares, los transistores de efecto de campo y los tiristores. Para cada uno se analizan su funcionamiento, su simbologa, sus variantes o tipos, sus formas de identificacin y sus aplicaciones generales. En los captulos siguientes se estudian en detalle sus caractersticas y su comportamiento como elementos circuitales.

Justificacin

La propiedad especial de los materiales semiconductores ha proporcionado a la electrnica un avance gigante en dar respuesta a las necesidades que el ser humano usando la tecnologa, por esta razn al aprender electrnica es necesario conocer a profundidad todo sobre los materiales semiconductores, en este modulo se plasma los fundamentos y aplicaciones de la tecnologa con que se logra construir sistemas electrnicos estables para el desarrollo de soluciones a todo tipo de sectores para de este modo el estudiante adquiera las competencias necesarias para disear y mantener sistemas electrnicos analgicos bsicos.

Intencionalidades Formativas

Con esta Unidad se pretende que el estudiante conozca en profundidad los fundamentos de los dispositivos semiconductores, su construccin, arquitectura, evolucin y aplicaciones

Denominacin de captulos

Capitulo 1: Los Diodos Capitulo 2: Transistores Bipolares BJT Capitulo 3: Polarizacin DC del transistor BJT

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CAPITULO 1: LOS DIODOS LECCIN 1: DIODOS SEMICONDUCTORES. DIODO IDEAL


Nuestro primer elemento que estudiaremos es el Diodo, por su simplicidad y utilidad. Es por analoga similar a un interruptor elctrico. Su uso va desde diseos sencillos hasta circuitos de gran complejidad. Adems de presentar los detalles acerca de su fabricacin y de sus caractersticas, se observaran las hojas de datos y las grficas ms relevantes que se encuentran en las hojas de especificaciones. Cundo un dispositivo tiene caractersticas perfectas lo conocemos como IDEAL. Luego, un diodo ideal es un dispositivo construido con dos terminales y con unas caractersticas tales como se muestran en las figuras 1a y 1b

Figura 1. Diodo ideal. (a) Smbolo; (b) Caracterstica El diodo ideal tiene caractersticas semejantes a las de un interruptor, permite la conduccin de corriente en una sola direccin. En la direccin que indica la flecha en la figura 1a. Donde uno de sus terminales, el cual se llama nodo, tiene aplicado un potencial positivo (indicado en la grfica con el signo +), y en el otro terminal, el cual se llama ctodo, tiene aplicado un potencias negativo (indicado en la grfica con el signo -). De esta forma, el diodo ideal cumple con lo siguiente:

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Grficamente podemos concluir: a) Cuando un diodo ideal esta polarizado directamente tenemos un cortocircuito.

Figura 2. Cortocircuito b) Cuando un diodo ideal esta polarizado inversamente tenemos un circuito abierto.

Figura 3. Circuito abierto Entonces nos quedan los siguientes interrogantes: a) Qu tan cercana ser la resistencia en polarizacin directa o resistencia de encendido de un diodo real al valor ideal de cero ohmios? b) La resistencia en polarizacin inversa ser lo suficientemente grande para permitir una aproximacin a un circuito abierto?

MATERIALES SEMICONDUCTORES, NIVELES DE ENERGA Y MATERIALES EXTRNSECOS.


La palabra semiconductor define en s misma la caracterstica y se aplica normalmente a un rango de nivel entre dos lmites. Los materiales se clasifican de acuerdo con la facilidad para permitir el flujo de carga o conductividad cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a sus terminales, as: conductores, si el flujo de carga es generoso; aislante o dielctrico cuando ese flujo es nulo o casi nulo y semiconductor cuando el flujo de carga es mucho mayor al dielctrico y mucho menor al de un conductor.

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Entonces tenemos otro elemento que nos ayudar en la comprensin de este tema, la resistividad o resistencia al flujo de carga. Es una magnitud relacionada inversamente con la conductividad. Mientras mayor sea la conductividad del material menor ser la resistividad del mismo. Se define la resistividad (p, letra griega rho) como la magnitud caracterstica que mide la capacidad de un material para oponerse al flujo de una corriente elctrica. Tambin recibe el nombre de resistencia especfica. Es la inversa de la conductividad elctrica (o, letra griega sigma). La resistividad se representa por p y se mide en ohmmetro. La resistividad elctrica de un material viene dada por la expresin R S/l, donde R es la resistencia elctrica del material, l la longitud y S la seccin transversal.

Donde, R equivale a la resistencia del cubo. equivale a la magnitud de la resistividad. Conductor p=10-6Q-m. Cobre Semiconductor 50 - cm. Germanio 50 * 103 - cm. Silicio Dielctrico 1012 - cm. Mica

Tabla 1. Valores representativos de la resistividad. Podemos observar en la tabla No.1 los valores representativos de la resistividad para las tres categoras amplias de materiales. Nos centraremos en los semiconductores advirtiendo que el germanio (Ge) y el silicio (Si) no son los nicos dos materiales semiconductores, pero ellos son los que ms se han trabajado en el desarrollo de dispositivos semiconductores. Pues estos materiales poseen una consideracin especial, se pueden fabricar con un alto nivel de pureza. Se ha logrado una razn de una parte de impureza en diez mil millones de partes de material (1:10.000.000.000). Esto es fundamental, porque si los niveles de impurezas son mayores se puede pasar de un material semiconductor a uno conductor. La otra razn importante para que el silicio y el germanio sean tenidos en cuenta en la fabricacin de semiconductores est en la habilidad para transformar significativamente las caractersticas del material en un proceso llamado dopaje. Adems, pueden ser modificados por otros mtodos como la aplicacin de luz o de calor.

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Figura 4. Estructura atmica de un conductor: el cobre (Cu). El silicio y el germanio tienen una estructura atmica bien definida que por naturaleza es peridica, es decir, que se repite continuamente. El patrn completo se denomina cristal y el arreglo peridico se denomina red. En un cristal puro de germanio o de silicio, los tomos estn unidos entre s en disposicin peridica, formando una rejilla cbica tipo diamante perfectamente regular. Cada tomo del cristal tiene cuatro electrones de valencia, cada uno de los cuales interacta con el electrn del tomo vecino formando un enlace covalente. Al no tener los electrones libertad de movimiento, a bajas temperaturas y en estado cristalino puro, el material acta como un aislante. Pero es posible que estos electrones adquieran suficiente energa cintica de origen natural para romper el enlace y asumir el estado de libre. El trmino libre manifiesta que su movimiento ser muy sensible a la aplicacin de potenciales elctricos. Las causas naturales incluyen efectos como la energa luminosa en forma de fotones o energa trmica que proviene del entorno. El silicio tiene alrededor de 1,5 X 1010 portadores libres en un centmetro cuadrado de material intrnseco de silicio. Los electrones libres generados por causas naturales se denominan portadores intrnsecos. La comparacin entre el germanio y el silicio con respecto a los electrones libres a temperatura ambiente es de 103 veces mayor en el germanio. El comportamiento del germanio y del silicio con el incremento de temperatura presenta una reduccin de su resistencia. Esto es, tienen un coeficiente de temperatura negativo. Los cristales de germanio o de silicio contienen pequeas cantidades de impurezas que conducen la electricidad, incluso a bajas temperaturas. Las impurezas tienen dos efectos dentro del cristal. Las impurezas de fsforo, antimonio o arsnico se denominan impurezas donantes porque aportan un

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exceso de electrones. Este grupo de elementos tiene cinco electrones de valencia, de los cuales slo cuatro establecen enlaces con los tomos de germanio o silicio. Por lo tanto, cuando se aplica un campo elctrico, los electrones restantes de las impurezas donantes quedan libres para desplazarse a travs del material cristalino. Por el contrario, las impurezas de galio y de indio disponen de slo tres electrones de valencia, es decir, les falta uno para completar la estructura de enlaces interatmicos con el cristal. Estas impurezas se conocen como impurezas receptoras, porque aceptan electrones de tomos vecinos. A su vez, las deficiencias resultantes, o huecos, en la estructura de los tomos vecinos se rellenan con otros electrones y as sucesivamente. Estos huecos se comportan como cargas positivas, como si se movieran en direccin opuesta a la de los electrones cuando se les aplica un voltaje. En una estructura atmica aislada existen niveles de discretos de energa asociados a cada electrn en las diferentes orbitas del tomo

Figura 5. Niveles de energa. En la figura 5 observamos que entre los niveles de valencia existen bandas de energa vacas, donde ningn electrn de la estructura atmica aislada puede permanecer. Cuando lo tomos de un material se unen para formar una red de estructura cristalina, existir una interaccin entre los tomos, donde los electrones de una rbita particular de un tomo posea un nivel de energa diferente a la del electrn de la misma rbita del tomo adyacente. Mientras ms distante se encuentre un electrn del ncleo, mayor ser su estado de energa. Tal como lo vemos en la figura 4. Adems, en la figura 6, se observa una regin prohibida entre la banda de valencia y la banda de ionizacin. Donde ionizacin es el mecanismo por medio del cual un electrn puede absorber energa suficiente para escapar de la estructura atmica e ingresar a la banda de conduccin. Aparece el trmino de electrn volts. El cul es la medida con la cual se mide la energa asociada a cada electrn.

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Definimos la energa como el producto entre voltaje y carga asociada a cada electrn y est dada en electrn voltios (eV).

Figura 6. Bandas de conduccin y valencia. Si sustituimos la carga de un electrn y una diferencia de potencial de 1 voltio en ese producto, obtendremos como resultado un nivel de energa referido como un electrn voltio. La energa se expresa tambin en joules y la carga de un electrn en 1,6 X 10-19 coulomb, entonces: W= QV = (1,6 X 10-19 C) * (1 V) (1.3) 1 Ev = 1,6 X 10-19 J (1.4)

Cuando la temperatura es de 0 K o cero absolutos (-273,15 C), todos los electrones de valencia de un material semiconductor estarn ligados a la estructura atmica. Pero si la temperatura llegase a 300 K o 25 C, un nmero alto de electrones de valencia habrn adquirido la suficiente energa para abandonar la banda de valencia, cruzar la banda de energa vaca definida por Eg e ingresar a la banda de conduccin. En la figura 6 se establece una tabla para diferentes materiales semiconductores y el valor de Eg. Es evidente que a temperaturas ambiente existirn portadores libres, ms que suficiente para mantener un flujo constante de carga o corriente. Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos qumicos y compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el seleniuro de zinc y el telururo de plomo. El incremento de la conductividad provocado por los cambios de temperatura, la luz o las impurezas se debe al aumento del nmero de electrones conductores que transportan la corriente elctrica. En un semiconductor caracterstico o puro como el silicio, los electrones de valencia (o electrones exteriores) de un tomo estn emparejados y son

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compartidos por otros tomos para formar un enlace covalente que mantiene al cristal unido. Estos electrones de valencia no estn libres para transportar corriente elctrica. Para producir electrones de conduccin, se utiliza la luz o la temperatura, que excita los electrones de valencia y provoca su liberacin de los enlaces, de manera que pueden transmitir la corriente. Las deficiencias o huecos que quedan contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva). ste es el origen fsico del incremento de la conductividad elctrica de los semiconductores a causa de la temperatura Un cristal de germanio o de silicio que contenga tomos de impurezas donantes se llama semiconductor negativo, o tipo N, para indicar la presencia de un exceso de electrones cargados negativamente. El uso de una impureza receptora producir un semiconductor positivo, o tipo P, llamado as por la presencia de huecos cargados positivamente. Un cristal sencillo que contenga dos regiones, una tipo N y otra tipo P, se puede preparar introduciendo las impurezas donantes y receptoras en germanio o silicio fundido en un crisol en diferentes fases de formacin del cristal. El cristal resultante presentar dos regiones diferenciadas de materiales tipo N y tipo P. La franja de contacto entre ambas reas se conoce como unin PN. Tal unin se puede producir tambin colocando una porcin de material de impureza donante en la superficie de un cristal tipo p o bien una porcin de material de impureza receptora sobre un cristal tipo n, y aplicando calor para difundir los tomos de impurezas a travs de la capa exterior. Al aplicar un voltaje desde el exterior, la unin PN acta como un rectificador, permitiendo que la corriente fluya en un solo sentido. Si la regin tipo P se encuentra conectada al terminal positivo de una batera y la regin tipo N al terminal negativo, fluir una corriente intensa a travs del material a lo largo de la unin. Si la batera se conecta al revs, no fluir la corriente. Al combinarse los tomos de Silicio para formar un slido, lo hacen formando una estructura ordenada llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces Covalentes", que son las uniones entre tomos que se hacen compartiendo electrones adyacentes de tal forma que se crea un equilibrio de fuerzas que mantiene unidos los tomos de Silicio. Vamos a representar un cristal de silicio de la siguiente forma:

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Figura 7. Representacin de un cristal de silicio Cada tomo de silicio comparte sus 4 electrones de valencia con los tomos vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la rbita de valencia, como se ve en la figura 7. La fuerza del enlace covalente es tan grande porque son 8 los electrones que quedan (aunque sean compartidos) con cada tomo, gracias a esta caracterstica los enlaces covalentes son de una gran solidez. Los 8 electrones de valencia se llaman electrones ligados por estar fuertemente unidos en los tomos.

El aumento de la temperatura hace que los tomos en un cristal de silicio vibren dentro de l, a mayor temperatura mayor ser la vibracin. Con lo que un electrn se puede liberar de su rbita, lo que deja un hueco, que a su vez atraer otro electrn.

Figura 8. Movimiento de electrones libres.

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A 0 K, todos los electrones son ligados. A 300 K o ms, aparecen electrones libres, tal como lo expresamos anteriormente.

Esta unin de un electrn libre y un hueco se llama "recombinacin", y el tiempo entre la creacin y desaparicin de un electrn libre se denomina "tiempo de vida".

Figura 9. Enlace covalente roto Enlace covalente roto: Es cuando tenemos un hueco, esto es una generacin de pares electrn libre - hueco. Segn un convenio ampliamente aceptado tomaremos la direccin de la corriente como contraria a la direccin de los electrones libres.

Figura 10. Grafica de movimiento de electrones en el silicio. En la figura 10 vemos que los electrones libres (electrones) se mueven hacia la izquierda ocupando el lugar del hueco. Los electrones ligados (huecos) se mueven hacia la derecha. Carga del electrn libre = -1.6x10-19 Culombios. Carga de electrn ligado = +1.6x10-19 Culombios. Semiconductores: Conducen los electrones (electrones libres) y los huecos (electrones ligados).

DIODO SEMICONDUCTOR.
Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad, pero si un cristal se dopa de tal forma que una mitad sea tipo n y la otra mitad de tipo p, esa unin PN tiene unas propiedades muy tiles y entre otras cosas forman los "Diodos".

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El tomo pentavalente en un cristal de silicio (Si) produce un electrn libre y se puede representar como un signo "+" encerrado en un crculo y con un punto relleno (que sera el electrn) al lado. El tomo trivalente sera un signo "-" encerrado en un crculo y con un punto sin rellenar al lado (que simbolizara un hueco). Entonces la representacin de un semiconductor tipo n sera:

Y la de un SC tipo p:

La unin de las regiones p y n ser:

Figura 11. La Unin PN Al juntar las regiones tipo p y tipo n se crea un "Diodo de unin" o "Unin PN". Al haber una repulsin mutua, los electrones libres en el lado n se dispersan en cualquier direccin. Algunos electrones libres se difunden y atraviesan la unin, cuando un electrn libre entra en la regin p se convierte en un portador minoritario y el electrn cae en un hueco, el hueco desaparece y el electrn libre se convierte en electrn de valencia. Cuando un electrn se difunde a travs de la unin crea un par de iones, en el lado n con carga positiva y en el p con carga negativa. Las parejas de iones positivo y negativo se llaman dipolos, al aumentar los dipolos la regin cerca de la unin se vaca de portadores y se crea la llamada "Zona de deplexin".

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Figura 12. Zona de deplexin Los dipolos tienen un campo elctrico entre los iones positivo y negativo, y al entrar los electrones libres en la zona de deplexin, el campo elctrico trata de devolverlos a la zona n. La intensidad del campo elctrico aumenta con cada electrn que cruza hasta llegar al equilibrio. El campo elctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada "Barrera de Potencial" que a 25 C equivale: 0.3 V para diodos de Ge. 0.68 V para diodos de Si. Polarizar: Poner una pila o fuente de voltaje DC. No polarizado: No tiene pila, circuito abierto o en vaco. z.c.e.: Zona de Carga Espacial o zona de deplexin (W). Si el terminal positivo de la fuente est conectado al material tipo p y el terminal negativo de la fuente est conectado al material tipo n, diremos que estamos en "Polarizacin Directa". La conexin en polarizacin directa tendra esta forma:

Figura 13. Polarizacin directa.

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En este caso tenemos una corriente que circula con facilidad, debido a que la fuente obliga a que los electrones libres y huecos fluyan hacia la unin. Al moverse los electrones libres hacia la unin, se crean iones positivos en el extremo derecho de la unin que atraern a los electrones hacia el cristal desde el circuito externo. As los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluir hacia el extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo tomaremos siempre contrario al del electrn.

Figura 14. Sentido del movimiento del electrn libre (e-) y de la corriente (I). Lo que le sucede al electrn: Tras abandonar el terminal negativo de la fuente entra por el extremo derecho del cristal. Se desplaza a travs de la zona n como electrn libre. En la unin se recombina con un hueco y se convierte en electrn de valencia. Se desplaza a travs de la zona p como electrn de valencia. Tras abandonar el extremo izquierdo del cristal fluye al terminal positivo de la fuente. Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polariza en inversa, el terminal negativo de la batera conectado al lado p y el positivo al n, esta conexin se denomina "Polarizacin Inversa". En la figura 15 se muestra una conexin en inversa:

Figura 15. Polarizacin inversa.

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El terminal negativo de la batera atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a los electrones libres, as los huecos y los electrones libres se alejan de la unin y la z.c.e. se ensancha. A mayor anchura de la z.c.e. mayor diferencia de potencial, la zona de deplexin deja de aumentar cuando su diferencia de potencial es igual a la tensin inversa aplicada (V), entonces los electrones y huecos dejan de alejarse de la unin. A mayor la tensin inversa aplicada mayor ser la z.c.e.

Figura 16. Sentido del movimiento del electrn libre y de la corriente. Existe una pequea corriente en polarizacin inversa, porque la energa trmica crea continuamente pares electrn-hueco, lo que hace que haya pequeas concentraciones de portadores minoritarios a ambos lados, la mayor parte se recombina con los mayoritarios pero los que estn en la z.c.e. pueden vivir lo suficiente para cruzar la unin y tenemos as una pequea corriente. La zona de deplexin empuja a los electrones hacia la derecha y el hueco a la izquierda, se crea as una la "Corriente Inversa de Saturacin"(IS) que depende de la temperatura.

Adems hay otra corriente "Corriente Superficial de Fugas" causada por las impurezas del cristal y las imperfecciones en su estructura interna. Esta corriente depende de la tensin de la pila (V VP).

Entonces la corriente en inversa (I IR) ser la suma de esas dos corrientes:

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concluimos con el siguiente mapa conceptual:

Figura 17. Mapa Conceptual Diodo Semiconductor

LECCIN 2: ANLISIS DE CIRCUITOS CON DIODOS.


Se define un circuito equivalente como una combinacin de elementos elegidos de forma apropiada para representar de la mejor manera las caractersticas terminales reales de un dispositivo, sistema o similar, para una regin de operacin particular. La idea es sustituir por un circuito equivalente que no afecte de forma importante el comportamiento real del sistema. Para poder conseguir una red que pueda resolverse con las tcnicas tradicionales de anlisis de circuitos. La forma ms fcil de hacerlo es mediante el uso de segmentos donde los comportamientos son lineales. Aun cuando no se represente de forma exacta las caractersticas reales del dispositivo o sistema. Sin embargo, el resultado est muy aproximado a la curva real, lo cual, establece un circuito equivalente que proporciona una muy buena aproximacin al comportamiento real del dispositivo.

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Previamente debemos tener en cuenta, en el comportamiento la funcin resistiva que posee el diodo. Antes de ver el diodo vamos a ver las caractersticas de la resistencia. La resistencia de carbn tpica est formada por polvo de carbn pulverizado. Son importantes las dimensiones del carbn.

Figura 18. Anlisis de una resistencia. Para analizar el comportamiento de esa resistencia la polarizaremos primero en directa y luego en inversa. Se toman los valores con un Ampermetro y un Voltmetro y se representa la I en funcin de V, con lo que tendremos el comportamiento de la resistencia.

Figura 19. Comportamiento de una resistencia en la regin de polarizacin directa.

Si polarizo al revs las ecuaciones son las mismas, pero las corrientes y las tensiones son negativas.

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Figura 20. Comportamiento de una resistencia en la regin de polarizacin inversa. Entonces al final nos quedar de la siguiente forma:

Figura 21. Curva caracterstica de una resistencia. A esta representacin se le llama "Curva Caracterstica" y es una recta, por ello se dice que la resistencia es un "Elemento Lineal". Es ms fcil trabajar con los elementos lineales porque sus ecuaciones son muy simples. Analizamos de la misma forma el diodo: Se le van dando distintos valores a la pila y se miden las tensiones y corrientes por el diodo, tanto en directa como en inversa (variando la polarizacin de la pila). Y as obtenemos una tabla que al ponerla de forma grfica sale algo as:

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Figura 22. Comportamiento de un diodo. Esta es la curva caracterstica del diodo (un diodo se comporta de esa forma). Como no es una lnea recta, al diodo se le llama "Elemento No Lineal" "Dispositivo No Lineal", y este es el gran problema de los diodos, que es muy difcil trabajar en las mallas con ellos debido a que sus ecuaciones son bastante complicadas. La ecuacin matemtica de esta curva es:

En directa, a partir de 0.7 V la corriente aumenta mucho, conduce mucho el diodo y las corrientes son muy grandes. Debido a estas corrientes grandes el diodo podra romperse, por eso hay que tener cuidado con eso (como mximo se tomar 0.8 V 0.9 V). En inversa tenemos corrientes negativas y pequeas. A partir de -1V se puede despreciar la e y queda aproximadamente I = - IS, que es muy pequea aunque no se ha tenido en cuenta la corriente de fugas, con ella sera:

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I = -(IS + If) A partir de -1 V si no hubiera If tendramos una corriente pequea y horizontal pero como hay fugas que son proporcionales a la tensin inversa, bajando poco a poco.

Figura 23. Curvas de comportamiento en las dos zonas de polarizacin. Si sigo aumentando la tensin inversa se llegar a un valor de ruptura, en este ejemplo a VR = -50 V aparece la avalancha y ya la ecuacin no vale, es otra distinta. Y aqu el diodo se destruye a menos que sea especialmente fabricado (un diodo Zener). Al punto en el que se vence la barrera de potencial se le llama codo. La "Barrera de Potencial" "Tensin Umbral" es el comienzo del codo, a partir de ah conduce mucho el diodo en directa. En la zona directa tenemos dos caractersticas importantes: Hay que vencer la barrera de potencial (superar la tensin umbral Vd) para que conduzca bien en polarizacin directa (zona directa). Aparece una resistencia interna (el diodo se comporta aproximadamente como una resistencia.

Como ya se ha dicho antes es el valor de la tensin a partir del cual el diodo conduce mucho. A partir de la Tensin Umbral Barrera de Potencial la intensidad aumenta mucho variando muy poco el valor de la tensin.

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(a)

(b)

Figura 23. Tensin umbral (a) y similitud a la curva de una resistencia (b). A partir de la tensin umbral se puede aproximar, esto es, se puede decir que se comporta como una resistencia. La zona n tiene una resistencia y la zona p otra resistencia diferente:

Figura 24. Clculo de la resistencia en la zona de polarizacin inversa.

EJEMPLO: 1N4001 rp= 0.13 W rn = 0.1 W

La resistencia interna es la suma de la resistencia en la zona n y la resistencia en la zona p.

Y la pendiente de esa recta ser el inverso de esta resistencia interna.

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Figura 25. Pendiente de la recta en zona directa. Como la resistencia interna es pequea, la pendiente es muy grande, con lo que es casi una vertical, esto es, conduce mucho. Resumiendo hemos visto que tenemos:

Figura 26. Curva de un diodo. Mxima corriente continua en polarizacin directa, valor de corriente permitido en la caracterstica del diodo: es el mayor

Figura 27. Grafica de corriente mxima.

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EJEMPLO: 1N4001 IFmx = 1A (F = forward (directa))

En circuitos como el de la figura, hay que poner una resistencia porque si no el diodo se estropeara fcilmente. Esto se ve dndole valores a la pila, y viendo las intensidades que salen, que a partir de 0.7 V (suponiendo que el diodo es de silicio) aumentan mucho como se ve claramente en la grfica de la caracterstica del diodo.

Figura 28. Resistencia limitadora. Entonces se pone una resistencia para limitar esa corriente que pasa por el diodo, como se ve en la figura 28. Se calcula la resistencia para limitar la corriente, para que no aumente a partir de 1 A por ejemplo.

La mxima corriente y la mxima potencia estn relacionadas. Como ocurre con una resistencia, un diodo tiene una limitacin de potencia que indica cuanta potencia puede disipar el diodo sin peligro de acortar su vida ni degradar sus propiedades. Con corriente continua, el producto de la tensin en el diodo y la corriente en el diodo es igual a la potencia disipada por ste. Normalmente en diodos rectificadores no se suele emplear la limitacin mxima de potencia, ya que toda la informacin acerca de la destruccin del diodo (por calor) ya est contenida en el lmite mximo de corriente. EJEMPLO: 1N4001. En la hoja de caractersticas indica una corriente mxima con polarizacin directa Io de 1A. Siempre que la corriente mxima con polarizacin directa sea menor que 1A, el diodo no se quemar.

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Figura 29. Disipacin de potencia de un diodo La potencia se disipa en el diodo en forma de calor. Como ya se ha dicho no se debe pasar de ese valor de potencia. En polarizacin inversa tenamos una corriente que estaba formada por la suma de los valores de la corriente IS y la corriente de fugas If (Figura 30). Hay que tener cuidado, no hay que llegar a VR porque el diodo se rompe por avalancha (excepto si es un Zener).

Figura 30. Polarizacin inversa. Los modelos de resolucin de circuitos con diodos ms usados son 4: EXACTA POR TANTEO: Ecuacin del diodo exponencial y ecuacin de la malla. MODELOS EQUIVALENTES APROXIMADOS: 1 aproximacin, 2 aproximacin y 3 aproximacin. DE FORMA GRFICA: Recta de carga.

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Primeramente analizaremos la resolucin de forma que queremos resolver es el de la figura 31.

exacta. El circuito

Figura 31.Circuito Primeramente y mirando la temperatura en la que estamos trabajando tomamos del catlogo los siguientes valores para T = 27 C (temperatura ambiente):

Con esto podremos continuar calculando:

De la ecuacin exacta del diodo:

Tenemos 2 incgnitas y una ecuacin, necesitamos otra ecuacin que ser la ecuacin de la malla:

Y ahora tenemos 2 incgnitas y 2 ecuaciones, resolvemos:

Nos queda que es imposible despejar la V, es una "ecuacin trascendente". Para resolver este tipo de ecuaciones hay que usar otro tipo de mtodos, aqu lo

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resolveremos por "tanteo", que consiste en ir dndole valores a una de las incgnitas hasta que los valores se igualen.

En este ejemplo hemos usado una malla, pero si tuviramos ms diodos, tendramos ms exponenciales, ms mallas, etc... Esto es muy largo, por eso no se usa (a no ser que dispongamos de un PC y un programa matemtico para resolver este tipo de ecuaciones). Para poder hacerlo a mano, vamos a basarnos en unos modelos aproximados ms o menos equivalentes del diodo. Estos modelos equivalentes aproximados son lineales, al ser aproximados cometeremos alguna imprecisin. 1 Aproximacin (el diodo ideal). La exponencial se aproxima a una vertical y una horizontal que pasan por el origen de coordenadas. Este diodo es ideal, no se puede fabricar. Polarizacin directa: Es como sustituir un diodo por un interruptor cerrado.

Figura 32. Diodo ideal en zona de conduccin. Con la polarizacin inversa es como sustituir el diodo por un interruptor abierto. Como se ha visto, el diodo acta como un interruptor abrindose o cerrndose dependiendo de si esta en inversa o en directa. Para ver los diferentes errores que

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cometeremos con las distintas aproximaciones vamos a ir analizando cada aproximacin. EJEMPLO:

Figura 33. Circuito En polarizacin directa:

2 Aproximacin. La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal que pasan por 0,7 V (este valor es el valor de la tensin umbral para el silicio, porque suponemos que el diodo es de silicio, si fuera de germanio se tomara el valor de 0,3 V).

Figura 34. 2 aproximacin.

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El tramo que hay entre 0V y 0,7V es en realidad polarizacin directa, pero como para efectos prcticos no conduce, se toma como inversa. Con esta segunda aproximacin el error es menor que en la aproximacin anterior. Polarizacin directa: La vertical es equivalente a una pila de 0,7V. Polarizacin inversa: Es un interruptor abierto. EJEMPLO: Resolveremos el mismo circuito de antes pero utilizando la segunda aproximacin que se ha visto ahora. Como en el caso anterior lo analizamos en polarizacin directa:

Como se ve estos valores son distintos a los de la anterior aproximacin, esta segunda aproximacin es menos ideal que la anterior, por lo tanto es ms exacta, esto es, se parece ms al valor que tendra en la prctica ese circuito. 3 Aproximacin. La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7 V y tiene una pendiente cuyo valor es la inversa de la resistencia interna. El estudio es muy parecido a los casos anteriores, la diferencia es cuando se analiza la polarizacin directa:

Figura 35. 3 Aproximacin. EJEMPLO: En el ejemplo anterior usando la 3 aproximacin, tomamos 0,23 como valor de la resistencia interna.

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Esta tercera aproximacin no merece la pena usarla porque el error que se comete, con respecto a la segunda aproximacin, es mnimo. Por ello se usar la segunda aproximacin en lugar de la tercera excepto en algn caso especial. Para elegir que aproximacin se va a usar se tiene que tener en cuenta, por ejemplo, si son aceptables los errores grandes, ya que si la respuesta es afirmativa se podra usar la primera aproximacin. Por el contrario, si el circuito contiene resistencias de precisin de una tolerancia de 1%, puede ser necesario utilizar la tercera aproximacin. Pero en la mayora de los casos la segunda aproximacin ser la mejor opcin. La ecuacin que utilizaremos para saber que aproximacin se debe utilizar es esta:

Fijndonos en el numerador se ve que se compara la VS con 0.7 V. Si VS es igual a 7V, al ignorar la barrera de potencial se produce un error en los clculos del 10 %, si VS es 14V un error del 5 %, etc...

Tabla No. 2

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Viendo el denominador, si la resistencia de carga es 10 veces la resistencia interna, al ignorar la resistencia interna se produce un error del 10 % en los clculos. Cuando la resistencia de carga es 20 veces mayor el error baja al 5% y as sucesivamente.

Tabla No. 3 En la mayora de los diodos rectificadores la resistencia interna es menor que 1 , lo que significa que la segunda aproximacin produce un error menor que el 5 % con resistencias de carga mayores de 20 . Por eso la segunda aproximacin es una buena opcin si hay dudas sobre la aproximacin a utilizar. Ahora veremos una simulacin para un ejemplo concreto de uso de estas aproximaciones. Cualquier circuito tiene variables independientes (como tensiones de alimentacin y resistencias en las ramas) y variables dependientes (tensiones en las resistencias, corrientes, potencias, etc.). Cuando una variable independiente aumenta, cada una de las variables dependientes responder, normalmente, aumentando o disminuyendo. Si se entiende cmo funciona el circuito, entonces se puede predecir si una variable aumentar o disminuir. EJEMPLO:

Figura 31.Circuito

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Si se analiza la resistencia RL y la tensin VS, se ve que los valores que se desean son de 1 K y 10 V en este caso, a estos se les llama "valores nominales", pero los valores reales se rigen por unas tolerancias, que son unos rangos de valores no un valor fijo. El diodo tambin puede variar su valor de tensin umbral. Pero estas tres variables (RL, VS y Vj) dependen de la fabricacin, estos es dependen de s mismas, son "variables independientes". Por otro lado estn las "variables dependientes", que dependen de las tres variables anteriores, que son: VL, IL, PD, PL y PT. Estos quedan reflejados en la tabla No 4:

Tabla No 4

ANLISIS POR MEDIO DE LA RECTA DE CARGA.


La recta de carga es una herramienta que se emplea para hallar el valor de la corriente y la tensin del diodo. Las rectas de carga son especialmente tiles para los transistores, por lo que ms adelante se dar una explicacin ms detallada acerca de ellas. Hasta ahora hemos visto las 2 primeras, la tercera forma de analizarlos es de forma grfica, esto es calculando su recta de carga.

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Figura 37. Anlisis con la recta de carga Si de la ecuacin de la malla, despejamos la intensidad tenemos la ecuacin de una recta, que en forma de grfica sera: A esa recta se le llama "recta de carga" y tiene una pendiente negativa. El punto de corte de la recta de carga con la exponencial es la solucin, el punto Q, tambin llamado "punto de trabajo" o "punto de funcionamiento". Este punto Q se controla variando VS y RS. Al punto de corte con el eje X se le llama "Corte" y al punto de corte con el eje Y se le llama "Saturacin".

APROXIMACIN DE DIODOS.
En el captulo anterior cuando se realiz el anlisis del modelo equivalente mediante la utilizacin de segmentos lineales no se utiliz en el anlisis de la recta de carga debido a que RS es tpicamente mucho menor que los otros elementos en serie de la red. Si recurriramos a un anlisis tan preciso donde tengamos en cuenta las variaciones por tolerancias, temperaturas etc., Concluiramos que una solucin es tan precisa como la otra. Por esto, solamente debemos tener en cuenta el material con el cual est fabricado nuestro diodo, silicio o germanio para determinar el voltaje de cada que aporta en un anlisis circuital. Tipo de diodo Silicio Germanio IDEAL Tabla No 5 Valor de VD 0,7 V 0,3 V 0,0 V

CONFIGURACIONES DE DIODOS EN SERIE CON ENTRADAS DC.


En el desarrollo de circuitos fcilmente encontraremos una variedad de

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configuraciones de diodos en serie con entrada de DC. Debemos tener muy claro que un diodo est en estado de conduccin encendido si las corrientes aplicadas por las fuentes son superiores a la corriente umbral y permiten una cada de voltaje de acuerdo al tipo de material de construccin del diodo (VD> 0,7 V para el silicio o 0,3 V para el germanio). Para cada configuracin, la tcnica consiste en reemplazar los diodos por elementos resistivos con una cada de voltaje siempre y cuando la direccin de la corriente sea en el sentido que polarice de forma directa al diodo y este est en estado de conduccin. Para este caso, reemplazamos el diodo por una fuente de voltaje con el valor correspondiente al material, ver tabla No 5, y as, se realizar un anlisis que cumpla con la Ley de Kirchhoff, es decir, que la suma de los voltajes de una malla debe ser cero. En caso contrario, un diodo polarizado inversamente, se representar como un circuito abierto. Para cualquier caso, siempre se debe cumplir con la Ley de Kirchhoff.

CONFIGURACIN DE DIODOS EN PARALELO Y SERIE PARALELO.


Siendo consecuente con lo visto en el apartado anterior, el anlisis de las configuraciones paralelo y serie paralelo se realizarn de una forma similar. Se cambiarn los diodos por fuentes de voltajes y/o circuitos abiertos y se proceder a la realizacin del respectivo anlisis. Dentro de estas aplicaciones, podemos encontrar circuitos que se pueden comportar como compuertas AND/OR.

HOJA DE ESPECIFICACIONES, PRUEBAS DE DIODOS


La mayor parte de la informacin que suministra el fabricante en las hojas de caractersticas es solamente til para los que disean circuitos, nosotros solamente estudiaremos aquella informacin de la hoja de caractersticas que describe parmetros que aparecen en este texto. CAPACITANCIA DE TRANSICIN Y DIFUSIN Todos los dispositivos electrnicos cambian su comportamiento cuando se someten a las altas frecuencias. En los rangos de baja frecuencias los efectos capacitivos pueden ignorarse porque su reactancia (XC= 1/2 f C) es muy alta en esta zona de frecuencias y equivaldra a un circuito abierto. En un diodo semiconductor pn se presentan dos efectos capacitivos que se deben tener en cuenta. Ambos tipos se presentan tanto en la zona de polarizacin directa como en la zona de polarizacin inversa. Uno de los efectos es superior al otro en cada

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zona. En la regin de polarizacin directa, el efecto significativo se conoce como capacitancia de difusin (CD). Y en la regin de polarizacin inversa, se presenta la capacitancia de transicin (CT) o de regin de agotamiento.

Figura 38. Incorporacin del efecto de capacitancia de transicin. Los efectos capacitivos descritos se representan con un capacitor en paralelo al diodo ideal. Figura 38. En aplicaciones de baja y mediana frecuencia, salvo en el rea de potencia, el capacitor no se incluye en el smbolo del diodo. TIEMPO DE RECUPERACIN INVERSO. En las hojas de especificaciones los fabricantes proporcionan entre otros datos, el tiempo de recuperacin inversa, el cual se representa por trr. Anteriormente vimos que en la regin de polarizacin directa, existe un gran nmero de electrones que se desplazan del material tipo n hacia el material tipo p, y una gran cantidad de huecos que se desplazan en sentido contrario de los electrones. Siendo este el requisito para que exista conduccin. Luego, los electrones en el tipo p y los huecos que se difunden a travs del material tipo n establecen una gran cantidad de portadores minoritarios en cada material. Si se aplica un voltaje inverso al estado anterior, el diodo cambia de estado de conduccin a un estado de no conduccin. Pero, debido al gran nmero de portadores minoritarios en cada material, la corriente del diodo sencillamente se invierte y se mantiene en este nivel durante un tiempo ts (tiempo de almacenamiento), que requieren los portadores minoritarios para regresar a su estado de portadores mayoritarios en el material opuesto.

Figura 39. Definicin del tiempo de recuperacin inverso.

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Esto es, el diodo permanece en estado de circuito cerrado con una corriente Iinversa determinada por los parmetros de la red. Una vez, el tiempo de almacenamiento termine, la corriente se reducir hasta alcanzar el estado de no conduccin. Esta segunda etapa se reconoce como el tiempo de recuperacin y se designa por tt, conocido como el intervalo de transicin. En la prctica los tiempos estn en el orden de 1 microsegundo (1 Seg) pero pueden existir trr del orden de unos cientos de picosegundos (10-12). TENSIN INVERSA DE RUPTURA. Estudiaremos la hoja de caractersticas del diodo 1N4001, un diodo rectificador empleado en fuentes de alimentacin (circuitos que convierten una tensin alterna en una tensin continua). La serie de diodos del 1N4001 al 1N4007 son siete diodos que tienen las mismas caractersticas con polarizacin directa, pero en polarizacin inversa sus caractersticas son distintas. Primeramente analizaremos las "Limitaciones mximas" que son estas:

Tabla No. 6 Estos tres valores especifican la ruptura en ciertas condiciones de funcionamiento. Lo importante es saber que la tensin de ruptura para el diodo es de 50 V, independientemente de cmo se use el diodo. Esta ruptura se produce por la avalancha y en el 1N4001 esta ruptura es normalmente destructiva. CORRIENTE MXIMA CON POLARIZACIN DIRECTA. Un dato interesante es la corriente media con polarizacin directa, que aparece as en la hoja de caractersticas:

Tabla No. 7

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Indica que el 1N4001 puede soportar hasta 1A con polarizacin directa cuando se le emplea como rectificador. Esto es, 1A es el nivel de corriente con polarizacin directa para el cual el diodo se quema debido a una disipacin excesiva de potencia. Un diseo fiable, con factor de seguridad 1, debe garantizar que la corriente con polarizacin directa sea menor de 0,5A en cualquier condicin de funcionamiento. Los estudios de las averas de los dispositivos muestran que la vida de stos es un tanto ms corta cuanto ms cerca trabajen de las limitaciones mximas. Por esta razn, algunos diseadores emplean factores de seguridad hasta de 10:1, para 1N4001 ser de 0,1A o menos. CADA DE TENSIN CON POLARIZACIN DIRECTA Otro dato importante es la cada de tensin con polarizacin directa:

Tabla No. 8 Estos valores estn medidos en alterna, y por ello aparece la palabra instantneo en la especificacin. El 1N4001 tiene una cada de tensin tpica con polarizacin directa de 0,93 V cuando la corriente es de 1 A y la temperatura de la unin es de 25 C. CORRIENTE INVERSA MXIMA En esta tabla est la corriente con polarizacin inversa a la tensin continua indicada (50 V para un 1N4001).

Tabla No. 9

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Esta corriente inversa incluye la corriente producida trmicamente y la corriente de fugas superficial. De esto deducimos que la temperatura puede ser importante a la hora del diseo, ya que un diseo basado en una corriente inversa de 0,05mA trabajar muy bien a 25 C con un 1N4001 tpico, pero puede fallar si tiene que funcionar en medios donde la temperatura de la unin alcance los 100 C. Siempre que se habla de continua, se quiere decir que es esttica, que nunca cambia, es una "Resistencia Esttica". En la zona de polarizacin directa se simboliza con RF y en la zona de polarizacin inversa con RR. Lo estudiaremos para el diodo 1N914:

RESISTENCIA CON POLARIZACIN DIRECTA En cada punto tenemos una resistencia distinta, esa resistencia es el equivalente del diodo en polarizacin directa para esos valores concretos de intensidad y tensin.

Figura 40. Valores del diodo.

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Si comparamos este valor de resistencia con la resistencia interna:

Figura 41. Comparacin de la resistencia interna del diodo. Como los 3 puntos tienen la misma pendiente quiere decir que para los 3 puntos el modelo es el mismo. Entonces la RF anterior no es til porque vara, pero la rB no vara y por eso esta es la resistencia que se utiliza. RESISTENCIA CON POLARIZACIN INVERSA Exageramos la curva de la grfica para verlo mejor:

Figura 42. Resistencia con polarizacin inversa. Como en el caso anterior en cada punto tenemos una recta, por lo tanto un RR (R = Reverse, inversa) para cada punto.

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Como es un valor muy grande, se puede considerar infinito (idealmente circuito abierto). Este valor no es til, no se utiliza para hacer modelos o mallas, pero de forma prctica en el laboratorio puede ser til (el polmetro marca la resistencia esttica y se puede utilizar para detectar averas).

Figura 43. Medicin de un diodo.

LECCIN 3: RECTIFICACIN DE MEDIA ONDA Y DE ONDA COMPLETA.


Este es el circuito ms simple que puede convertir corriente alterna en corriente continua. Este rectificador lo podemos ver representado en la siguiente figura:

Figura 44. Rectificacin de media onda. Las grficas que ms nos interesan son:

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Durante el semiciclo positivo de la tensin del primario, el bobinado secundario tiene una media onda positiva de tensin entre sus extremos. Este aspecto supone que el diodo se encuentra en polarizacin directa. Sin embargo durante el semiciclo negativo de la tensin en el primario, el arrollamiento secundario presenta una onda sinusoidal negativa. Por tanto, el diodo se encuentra polarizado en inversa. La onda que ms interesa es VL, que es la que alimenta a RL. Pero es una tensin que no tiene partes negativas, es una "Tensin Continua Pulsante", y nosotros necesitamos una "Tensin Continua Constante". Analizaremos las diferencias de lo que tenemos con lo que queremos conseguir. Lo que tenemos ahora es una onda peridica, y toda onda peridica se puede descomponer en "Series de Fourier".

La siguiente figura muestra un rectificador de onda completa con 2 diodos:

Figura 45. Rectificacin de onda completa. Debido a la conexin en el centro del devanado circuito es equivalente a dos rectificadores de media onda. secundario, el

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El rectificador superior funciona con el semiciclo positivo de la tensin en el secundario, mientras que el rectificador inferior funciona con el semiciclo negativo de tensin en el secundario. Es decir, D1 conduce durante el semiciclo positivo y D2 conduce durante el semiciclo negativo. As pues la corriente en la carga rectificada circula durante los dos semiciclos. En este circuito la tensin de carga VL, como en el caso anterior, se medir en la resistencia RL.

Figura 46.Ondas Aplicamos Fourier como antes.

Ahora la frecuencia es el doble de la de antes y el pico la mitad del anterior caso. As la frecuencia de la onda de salida es 2 veces la frecuencia de entrada.

Y el valor medio sale:

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Figura 47. Componentes Lo ideal sera que solo tuvisemos la componente continua, esto es, solo la primera componente de la onda que tenemos. El valor medio de esa onda lo calcularamos colocando un voltmetro en la RL, si lo calculamos matemticamente sera:

Y este sera el valor medio que marcara el voltmetro. Como hemos visto tenemos que eliminar las componentes alternas de Fourier. En estos casos hemos usado la 1 o la 2 aproximacin. Por ltimo diremos que este circuito es un rectificador porque "Rectifica" o corta la onda que tenamos antes, la recorta en este caso dejndonos solo con la parte positiva de la onda de entrada. En la figura siguiente podemos ver un rectificador de onda completa en puente:

Figura 48. Rectificacin de onda completa con puente.

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Mediante el uso de 4 diodos en vez de 2, este diseo elimina la necesidad de la conexin intermedia del secundario del transformador. La ventaja de no usar dicha conexin es que la tensin en la carga rectificada es el doble que la que se obtendra con el rectificador de onda completa con 2 diodos.

Figura 49. Explicacin grfica de rectificacin. Las grficas tienen esta forma:

Figura 50. Graficas

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Durante el semiciclo positivo de la tensin de la red, los diodos D1 y D3 conducen, esto da lugar a un semiciclo positivo en la resistencia de carga. Los diodos D2 y D4 conducen durante el semiciclo negativo, lo que produce otro semiciclo positivo en la resistencia de carga. El resultado es una seal de onda completa en la resistencia de carga. Hemos obtenido la misma onda de salida VL que en el caso anterior. La diferencia ms importante es que la tensin inversa que tienen que soportar los diodos es la mitad de la que tienen que soportar los diodos en un rectificador de onda completa con 2 diodos, con lo que se reduce el costo del circuito.

LECCIN 4: CIRCUITOS RECORTADORES, SUJETADORES, Y MULTIPLICADORES DE VOLTAJE.


A veces hay cargas que necesitan una tensin muy alta y que absorben una corriente pequea. EJEMPLO: Tubo de rayos catdicos (TV, monitor de ordenador, osciloscopio).

Entonces hay que elevar la tensin de la red. Primero se pone un transformador elevador con todos los diodos y condensadores que necesite. Entonces hay que elevar la tensin de la red. Primero se pone un transformador elevador con todos los diodos y condensadores que necesite.

Figura 51. Un multiplicador de tensin. Y tenemos un rizado casi nulo.

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El mayor problema es que el transformador elevador sera muy voluminoso porque necesitara muchas espiras, adems el campo elctrico sera grande, VIP del diodo tambin (VIP = 2Vpico = 2933 = 1833 V en inversa), mucha tensin en el C, etc... Por eso no se usa un transformador elevador sino que se utiliza un multiplicador de tensin. Hay varios tipos de multiplicadores de tensin, nosotros analizaremos estos cuatro: El Doblador de tensin El Doblador de tensin de onda completa El Triplicador El Cuadriplicador

Figura 52. Doblador de tensin Para comenzar a analizar este tipo de circuitos es interesante tener en cuenta este truco. Truco: Empezar en el semiciclo (malla) donde se cargue un solo condensador.

Figura 53. Funcionamiento de un doblador de tensin. Entonces nos queda de esta forma si ponemos la carga en C2:

Figura 54. Anlisis del doblador.

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La masa se coloca en la borna negativa del condensador. Y se carga C2 a 622 V. Y como se ve, si se conectan las bornas a C2, esto es un doblador de tensin. Como la corriente de descarga es pequea, el C2 se descarga despacio con una constante de tiempo de valor:

Resumiendo tenemos:

Figura 55. Resumen del funcionamiento de un doblador de media onda. Si cambiamos un poco el circuito tendremos otro ejemplo:

Figura 56. Doblador de tensin de onda completa. Quitamos la carga para analizarlo. Como ya se ha dicho antes empezamos por donde haya un solo condensador. Si representamos VL en funcin del tiempo.

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Figura 57. Anlisis de un doblador de onda completa. Primero uno luego el otro, se van turnando los 2 condensadores, como cada uno es de 60 Hz, los 2 a la vez son 120 Hz. Este circuito tiene una ventaja respecto al anterior: El rizado es ms pequeo. La desventaja radica en que no sabemos dnde colocar la masa, en el caso anterior lo tenamos fcil, pero ahora si ponemos debajo de RL no hay ningn borne de la red a masa. Si conectamos una carga tambin a masa puede haber un cortocircuito. Hay que andar con cuidado al usar ese circuito.

TRIPLICADOR.

Figura 58. Triplicador Al de media onda se le aade algo. El principio es idntico: Semiciclo negativo se carga C1, semiciclo positivo se carga C2 a 622V, semiciclo negativo se carga C3 a 622V, 2 veces el pico.

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Ahora elegimos los bornes para sacar:

Figura 59. Triplicador de voltaje Con esto se puede hacer un doblador y un triplicador dependiendo de dnde se colocan las bornas. Y tenemos 933V a la salida. El truco consiste en que la constante de tiempo de descarga sea:

Y si a este circuito se le aade una etapa ms (diodo convierte en un cuadriplicador.

condensador)

se

CUADRIPLICADOR
Es como los anteriores, y la tensin se toma como se ve en la figura:

Figura 60. Cuadriplicador de voltaje.

RECORTADORES LIMITADORES
Podemos tener dos tipos de diodos: De Pequea Seal: Frecuencias mayores de red, limitaciones de potencia

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menores que 0.5 W (corrientes de miliamperios). o Limitadores. o Cambiadores de nivel. o Detector de pico a pico. De Gran Seal: Diodos de potencia, son los diodos que se usan en las fuentes de alimentacin, tienen una limitacin de potencia mayor que 0.5 W (corrientes de Amperios).

Ahora vamos a analizar los diodos de pequea seal.

RECORTADOR POSITIVO
Esta es la forma de un limitador positivo:

Figura 61. Limitador recortador positivo. Se tom RL >> R para que en el semiciclo negativo vaya todo a la salida.

Recorta los semiciclos positivos, limita o recorta. Si se usa la 2 aproximacin:

No recorta de forma perfecta por no ser ideal el diodo. Limitador positivo polarizado. Es como el anterior pero con una fuente de voltaje adicional.

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Figura 62. Limitador recortador con fuente de voltaje adicional.

LIMITADOR NEGATIVO
La diferencia con el limitador positivo radica en el cambio de direccin del diodo.

Figura 63. Recortador Negativo. Para explicar el comportamiento del limitador negativo vamos a analizar un limitador doble, que est compuesto por un limitador polarizado positivo y otro limitador polarizado negativo.

Figura 64. Funcionamiento de un limitador negativo.

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Esto era para RL >> R. Si no se cumpliera esto no sera una senoidal cuando no conducen los diodos. Es un circuito recortador (limitador), es un circuito limitador positivo polarizado y limitador negativo polarizado.

Aplicacin: Si se mete una onda de pico muy grande a la entrada, aparece una onda prcticamente cuadrada a la salida, que aunque no sea tan parecida se toma como si fuese una onda cuadrada (es imposible hacer una onda cuadrada perfecta).

Primera aplicacin: "Transformar una Senoidal a Cuadrada". Si recorto en + 5 V y en 0 V. Puedo aprovechar esto para electrnica digital.

Aplicacin: Si tenemos un circuito que da alterna a su salida que es variable y nosotros queremos transmitir esa onda a la carga, podemos estropear la carga si conectamos directamente la carga a ese circuito.

Figura 65. Aplicacin de un recortador. Por eso ponemos un recortador o limitador entre la carga y ese circuito para que no se estropee la carga. Es para proteccin de la carga (se puede limitar la parte positiva, la negativa o las dos dependiendo del limitador que se utilice).

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Figura 66. Aplicacin de un limitador. EJEMPLO: Imaginemos que queremos limitar la parte positiva.

Figura 67. Circuito. As se protege la carga de tensiones mayores de + 5 V. Limitador = Fijador = Recortador. Pero este circuito suele ser caro debido a la fuente de voltaje adicional, que suele ser una fuente de alimentacin con su condensador, diodos, etc... Como la pila es cara se ponen muchos diodos:

Figura 68. Truco de reemplazo de fuente adicional. El nico inconveniente de tensin a mltiplos de 0,7V. este circuito es que nos limita esa

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SUJETADORES
Como en el caso anterior, de los limitadores, hay dos tipos de sujetadores de nivel positivo y negativo.

SUJETADOR DE NIVEL POSITIVO


Lo veremos con un ejemplo:

Figura 69. Utilizacin de un sujetador de nivel positivo NOTA: La carga no tiene por qu ser solo una resistencia, puede ser el equivalente de Thvenin de otro circuito, etc. Se empieza por el semiciclo en el que conduce un diodo y se carga un condensador. Seguimos con el ejemplo. Semiciclo negativo.

Figura 70. Funcionamiento de un circuito sujetador positivo. Suponemos el diodo ideal. El condensador se carga en el semiciclo negativo. Una vez cargado, el condensador se descarga en el semiciclo positivo. Interesa que el condensador se descargue lo menos posible. Para que sea la descarga prcticamente una horizontal se tiene que cumplir:

Si suponemos que el condensador se descarga muy poco, entonces asumimos una tensin permanente de 10V. Hemos subido 10 V el nivel de continua.

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Figura 71. Seal de salida del Sujetador OFFSET = Nivel de continua. Este es el sujetador de nivel positivo. Si quisiera cambiar hacia abajo sera el sujetador de nivel negativo que es igual cambiando el diodo de sentido. Sujetador de nivel negativo. Como antes, el condensador siempre a 10 V. Se le resta 10 a la entrada. Es un "OFFSET Negativo".

Figura 72. Funcionamiento de un sujetador de nivel negativo. Todo esto es cogiendo el diodo ideal. Si usamos 2 aproximacin, diodo a 0.7V.

Figura 73. Grafica de la 2 aproximacin

LECCIN 5: DIODO ZENER Y LED. DIODO ZENER


La aplicacin de estos diodos se ve en los Reguladores de Tensin y acta como dispositivo de tensin constante (como una pila). Smbolo:

Figura 74. Diodo Zener.

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Caracterstica: Su grfica es de la siguiente forma:

Figura 75. Curvas tpicas de un diodo zener. Un diodo normal tambin tiene una zona de ruptura, pero no puede funcionar en ella, con el Zener si se puede trabajar en esa zona.

La potencia mxima que resiste en la "Zona de Ruptura" ("Zona Zener"):

En la zona de ruptura se produce el "Efecto Avalancha" "Efecto Zener", esto es, la corriente aumenta bruscamente. Para fabricar diodos con un valor determinado de tensin de ruptura (VZ) hay que ver la impurificacin porque VZ es funcin de la impurificacin (NA ND), depende de las impurezas.

Figura 76. Efecto de avalancha para diferentes materiales semiconductores. La zona de ruptura no es una vertical, realmente tiene una inclinacin debida a RZ:

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Figura 77. Pendiente de la recta. En un "Diodo Zener Real" todos son curvas, pero para facilitar los clculos se aproxima siempre.

Figura 78. Curvas reales de un diodo Zener. Las aproximaciones para el Zener son estas: Modelo ideal (1 aproximacin)

Figura 79. Modelo ideal del Zener.

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Si buscamos su equivalente veremos que es una pila con la tensin VZ. Esto solo es vlido entre IZmn y IZmx. 2 aproximacin:

Figura 80. Segunda aproximacin del Zener. Como en el caso anterior lo sustituimos por un modelo equivalente:

Figura 81. Modelo equivalente del Zener. Anteriormente habamos visto este circuito:

Figura 82. Fuente de alimentacin DC Primeramente supondremos que estn conectados directamente, por lo tanto vC = vL entonces:

Figura 83. Curvas de una fuente de alimentacin DC.

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Problemas que podemos tener: RL variable (variaciones de carga). Variaciones de tensin de red (variaciones de red). Debido a estos dos problemas la onda de salida de ese circuito puede variar entre dos valores y como nuestro objetivo es obtener una tensin constante a la salida tendremos que hacer algo. Para resolver este problema ponemos un regulador de tensin basado en el diodo Zener.

Figura 84. Fuente DC regulada con diodo Zener. Ahora vamos a analizar este regulador de tensin. Regulador de tensin en vaco (sin carga). vS estar entre un mnimo y un mximo, y el regulador tiene que funcionar bien entre esos 2 valores (vSmx y vSmn).En este caso vS lo pondremos como una pila variable.

Figura 85. Anlisis del regulador Adems para que funcione correctamente el Zener tiene que trabajar en la zona de ruptura.

Figura 86. Comportamiento del diodo Zener

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Para que est en ruptura se tiene que cumplir:

EJEMPLO: Comprobar si funciona bien el siguiente circuito:

Figura 87. Rectificacin con diodo Zener. Hay que ver si en la caracterstica los valores se encuentran entre IZmn e IZmx para comprobar si funciona bien.

Figura 88. Curvas de respuesta de un diodo Zener. Funciona bien porque se encuentra entre los dos valores (mximo y mnimo). La salida es constante, lo que absorbe la tensin que sobra es la R (que es la resistencia limitadora).

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REGULADOR DE TENSIN CON CARGA.

Figura 89. Regulacin con carga. Para comprobar que estamos en ruptura equivalente de Thvenin desde las bornas de la tensin VZ: calculamos el

Figura 90. Anlisis de la regulacin con carga. Como en el anterior caso los valores del circuito tienen que estar entre un mximo y un mnimo:

Figura 91. Valores mximos y mnimos

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El Zener absorbe la corriente sobrante (IZ variable) y la resistencia (R) la tensin sobrante. Entonces a la salida la forma de la onda es la siguiente:

2 aproximacin

Figura 92. Curvas reales en un circuito regulado. El circuito equivalente sera de la siguiente forma. A ese circuito se le aplica la superposicin:

Figura 93. Anlisis del circuito regulado.

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Como la superposicin es la suma de estos 2 circuitos la solucin ser esta:

Con esto se ve que lo que hace el Zener es "Amortiguar el rizado". Veamos cuanto disminuye el rizado: EJEMPLO: 1N961 VZ = 10 V RZ = 8,5 V VRentr. = 2 V

Figura 94. Ejemplo. Si quiero disminuir ms el rizado pondra otro regulador que lo disminuira pico a pico:

Figura 95. Fuente regulada con preregulador.

DIODO EMISOR DE LUZ LED


Se basa en:

Figura 96. LED.

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El negativo de la pila repele a los electrones que pasan de n a p, se encuentran en p con un hueco, se recombinan con l y ya no son electrones libres, al bajar de BC a BV pierde una energa E que se desprende en forma de luz (fotn de luz).

DIFERENCIAS ENTRE UN DIODO NORMAL Y UN LED:


Diodo normal, E en forma de calor. Diodo LED, E en forma de fotn. (E = h*f, h = cte de Planck, f = frecuencia que da color a esa luz). Diodo normal hecho de silicio. Diodo LED hecho de As, P, Ga y aleaciones entre ellas. Para cada material de estos la distancia de BC y BV es distinta y as hay distintos colores, y mezclndolos se consiguen todos, hasta de luz invisible al ojo humano.

APLICACIN:
Lmparas de sealizacin. . Alarmas (fotones no visibles). . Etc...

El diodo LED siempre polarizado en directa, emitir luz. Podemos usar esto en una fuente de alimentacin que hemos dado.

Figura 97. Aplicacin del LED La intensidad del LED:

Figura 98. Intensidad del LED.

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Normalmente para el valor de 10mA se suelen encender (ver en el catlogo). La tensin en el LED: Diferencia con el silicio, la tensin es mayor. Cuando no dice nada se asume VLED = 2V. En la figura 97, aqu el diodo LED es un indicador que nos dice si la fuente de alimentacin est encendida o apagada. EJEMPLO: TIL 222 LED verde, VLED = 1.8:3V Hay que ver que luz da, si funciona bien en ese rango de valores. Se sacan las intensidades para los 2 extremos:

Figura 99. El LED y su rango de funcionamiento. La corriente vara muy poco, lo que implica que la iluminacin vara muy poco, est muy bien diseado.

Figura 100. Ejemplo de una mala aplicacin. No es muy buen diseo porque la intensidad vara bastante, y la iluminacin vara mucho. En conclusin: Los circuitos con tensiones grandes y resistencias grandes funcionan bien, por lo tanto, si se pueden tomar valores grandes.

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CAPITULO 2. TRANSISTORES BIPOLARES BJT LECCIN 6: CONSTRUCCIN Y OPERACIN DE TRANSISTORES.


El transistor est compuesto por tres zonas de dopado, como se ve en la figura:

Figura 101. Uniones en El Transistor. La zona superior es el "Colector", la zona central es la "Base" y la zona inferior es el "Emisor". El Emisor est muy impurificado, la Base tiene una impurificacin muy baja, mientras que el Colector posee una impurificacin intermedia. En este ejemplo concreto el transistor es un dispositivo NPN, aunque tambin podra ser un PNP. En principio es similar a dos diodos. Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los diodos, mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos son denominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda en este caso) y "Diodo de colector" (el de la derecha en este caso).

Figura 102. Transistor (a) NPN, (b) PNP Antes y despus de la difusin. Vamos a hacer un estudio del transistor NPN, primeramente cuando est sin polarizar (sin pilas y en circuito abierto) se produce una "Difusin" (como un gas en una botella), donde los electrones cruzan de la

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zona n a la zona p, se difunden, encuentran un hueco y se recombinan. Esto hace que en las uniones entre las zonas n y p se creen iones positivos y negativos.

Figura 103. Movimiento electrnico en un transistor. Esta difusin y recombinacin se da hasta llegar al equilibrio, hasta conseguir una barrera de potencial de 0,7 V (para el Si). Se crean 2 z.c.e., una en la unin E-B (WE) y otra en la unin C-B. Si se conectan fuentes de tensin externas para polarizar al transistor, se obtienen resultados nuevos e interesantes. Hay 3 configuraciones: Base comn (BC). Emisor comn (EC). Colector comn (CC).

Cada una de estas configuraciones a su vez puede trabajar en 4 zonas diferentes:

Zona de trabajo Activa Saturacin Corte Activa invertida

Condiciones UE en Directa y UC en Inversa. UE en Directa y UC en Directa. UE en Inversa y UC en Inversa. UE en Inversa y UC en Directa.

Utilizacin Amplificadores Conmutacin Conmutacin Sin utilidad

Tabla No.10 Posibilidades de uso de un transistor. Con esto vemos que el transistor puede trabajar de 12 formas diferentes.

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Figura 104. Diferentes regiones de trabajo de un transistor.

LECCIN 7: CONFIGURACIONES DEL BJT. CONFIGURACIN EN BASE COMN.


La zona que ms nos interesa es la zona activa, por lo tanto a continuacin analizaremos esta zona. La zona p de base suele ser muy estrecha en la realidad, ms tarde veremos porque. En el siguiente dibujo no dibujamos WE y WC para no emborronar el dibujo.

Figura 105. Funcionamiento de la zona activa, configuracin BC. El negativo de la pila VEE repele los electrones de la zona del emisor que cruzan la UE. Algunos electrones cruzan la UE y pasan por la zona p de la base sin recombinarse. Debido a la pila puede que un electrn cruce la barrera de potencial de la UE. Despus ese electrn baja la barrera de potencial de la UC para salir por el colector.

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Figura 106. Barrera de potencial. Esto es el efecto transistor de n a p, tiene que subir la barrera de potencial pero luego es ms fcil porque tiene que bajar la barrera. De los electrones emitidos por el emisor, aproximadamente un 1 % se recombina en la base y un 99 % no se recombina y llega al colector, esto es el efecto transistor. La palabra colector viene de ah, el colector "Colecta" los electrones, los recoge, eso es el "Efecto transistor". La base es muy estrecha y adems est muy poco impurificada, esa es la razn de que la probabilidad de que un electrn se recombine sea muy pequea (por ejemplo el 1%). El emisor emite electrones, el colector los recoge, y la base es un dispositivo de control. El convenio que tenamos con el diodo era:

Figura 107. El Diodo En el transistor tambin entrantes, es como un nudo. tomamos criterios, todas la corrientes

Figura 108. El Transistor.

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EJEMPLO: IE = 100mA, se recombinan el 1 % y no se recombinan el 99 %. Por lo tanto: IB = 1mA y IC = 99mA. Los signos como siempre, si va a favor del electrn es negativo y si va en contra positivo.

En los problemas por comodidad se suele cambiar de direccin a IE para que sea positivo.

Figura 109. Convencin para las corrientes en el transistor. Aqu debemos definir una cantidad llamada alfa y se describe con la letra griega, . En condiciones de DC, los niveles de IC e IE, estn relacionados de acuerdo a lo ya explicado. Y esta relacin est dada por la cantidad, . DC= Ic / Ie 1.5

Los valores de alfa estn entre 0,90 y 0,998. Alfa solamente define los portadores mayoritarios, entonces, la ecuacin 1.5 quedar as: Ic = Ie + ICBO 1.6

Si IE = 0mA. IC ser por lo tanto igual ICBO. Pero ICBO es una magnitud muy pequea. Por lo tanto, IC ser igual a IE.

CONFIGURACIN EN EMISOR COMN.


Esta configuracin es la ms utilizada. Como en la configuracin en Base Comn solo analizaremos la zona activa.

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Figura 110. Transistor en configuracin de Emisor Comn. Como en el caso anterior solo el 1 % se recombina y el 99 % no se recombina. La direccin de IE la cambiamos como en la configuracin anterior.

Figura 111. Transistor Ganancia de corriente cc:

A veces (casi siempre) se desprecia la IB, por ser muy pequea, en comparacin con la IC.

CONFIGURACIN EN COLECTOR COMN.

Figura 112. Polarizacin de Emisor comn para un transistor PNP.

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En la figura 112 vemos la ltima de las tres posibles configuraciones de un transistor con las direcciones de corriente y su notacin de voltaje correcto. El uso ms comn que a esta configuracin se le da, es de un circuito de acople de impedancias. En su entrada posee una impedancia muy alta y en su salida una impedancia muy baja. Si conectamos una resistencia R entre el emisor y tierra, con el colector tambin conectado a tierra, fcilmente podramos comprender que es un circuito similar a la configuracin de emisor comn. Por lo tanto, no se requiere de un conjunto de caractersticas de colector comn para seleccionar los parmetros del circuito al momento de realizar un diseo. La curvas se grafican como IE en funcin de VCE para un rango de valores de IB.

LECCIN 8: ACCIN DE AMPLIFICACIN DEL TRANSISTOR.


En un amplificador de transistores bipolares aparecen dos tipos de corrientes y tensiones: contina y alterna. La componente en continua o DC polariza al transistor en un punto de trabajo localizado en la regin lineal. Este punto est definido por tres parmetros: ICQ, IBQ y VCEQ. La componente en alterna o AC, generalmente de pequea seal, introduce pequeas variaciones en las corrientes y tensiones en los terminales del transistor alrededor del punto de trabajo. Por consiguiente, si se aplica el principio de superposicin, la IC, IB y VCE del transistor tiene dos componentes: una continua y otra alterna, de forma que: IC = ICQ + ic IB = IBQ + ib 1.7 1.8

VCE = VCEQ + vce 1.9 donde ICQ, IBQ y VCEQ son componentes DC, e ic, ib y vce componentes en alterna, verificando que ic << ICQ, ib << IBQ y vce << VCEQ. son

Figura 113. Ejemplo de amplificacin de voltaje.

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Si tenemos: IE= Vi / Ri = 200mV / 20 = 10mA. Y, tenemos que = 1; (IC = IE), entonces: IC = 10mA; VL = IL R = (10mA) (5K) = 50V. Entonces, el voltaje de amplificacin es: AV = VL / Vi = 50V / 200mV = 250 El voltaje de amplificacin tiene unos valores tpicos para la configuracin de base comn entre 50 y 300. La amplificacin de corriente es siempre menor que 1, puesto que, es siempre menor que 1. La amplificacin se da por la transferencia de una corriente IE desde un circuito de baja resistencia a uno de alta resistencia. En general, los transistores bipolares de circuitos analgicos lineales estn operando en la regin activa directa. En esta regin existen cuatro zonas de operacin definidas por el estado de las uniones del transistor (Tabla 10) saturacin, lineal, corte y ruptura; estas zonas se indican claramente en la figura 104 que representa las zonas de operacin de un transistor. A continuacin se describe las caractersticas del transistor en estos modos de operacin considerando el transistor NPN nicamente; similar resultado puede ser aplicado a transistores PNP. En la regin activa lineal, la unin emisor-base est directamente polarizada y la unin base-colector inversamente polarizada; la VBE est comprendida entre 0.4V y 0.8V (valor tpico de 0.7V) y la VBC > 100mV. En estas condiciones, las ecuaciones de Ebers-Moll se pueden aproximar a. IE = IESeVBE/VT + RICS IC = F IESeVBE/VT + ICS 1.10 1.11

Operando con estas ecuaciones, se obtiene una relacin entre ambas intensidades de forma que

1.12 Donde 1.13

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Sustituyendo 1.14 Siendo

1.15 F, es la ganancia en corriente en continua del transistor que en las hojas de caractersticas del fabricante se representa por hFE. Este parmetro es muy importante en un transistor de unin y define la relacin entre las corrientes de colector y base. Al ser ICO una corriente muy baja, el segundo trmino de la ecuacin (1.14) puede ser despreciado frente al primero. Como resultado, se obtiene una relacin muy utilizada para analizar transistores que operen en esta regin

1.16 La ecuacin (1.16) indica que en la regin activa lineal la relacin entre las corrientes de colector y base es constante. Sin embargo, en la prctica la hFE de los transistores varia hasta en un 500% debido principalmente a tres factores: 1. Proceso de fabricacin. Los transistores sufren variaciones en el proceso de fabricacin que modifican sus caractersticas. El fabricante asigna un valor tpico (typ) a ese transistor con un rango de valores comprendido entre un mximo (max) y un mnimo (min). Por ejemplo, el BC547B tiene, para una IC=2mA, una hFE (min)=200, hFE (typ)=290 y hFE (max)=450. 2. Corriente de colector. La hFE vara tambin con la corriente de colector. El fabricante proporciona curvas de caractersticas que permiten obtener la hFE para diferentes IC. En la figura siguiente se muestra una de estas curvas que incluye el valor tpico de la hFE con un rango de valores mximo y mnimo.

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3. Temperatura. La dependencia de la hFE con la temperatura se puede observar en las grficas que proporciona el fabricante para tal fin. En la siguiente figura se describen diferentes curvas normalizadas a 25 de hFE para temperaturas de -55C y 175C.

LECCIN 9: LMITE DE OPERACIN, HOJA DE ESPECIFICACIONES.


El transistor bipolar que opera en la regin lineal tiene unas caractersticas elctricas lineales que son utilizadas para amplificacin. En estos circuitos, las seales de entrada son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un aporte de energa realizado a travs de fuentes de tensin externas denominadas fuentes de alimentacin o fuentes de polarizacin. Las fuentes de alimentacin cubren dos objetivos: proporcionar las corrientes y tensiones en continua necesarias para que el transistor opere en la regin lineal y suministrar energa al transistor, una parte de la cual va a ser convertida en potencia (amplificacin). Los valores de corrientes y tensiones en continua en los terminales de un transistor se denomina punto de trabajo y se suele expresar por la letra Q (Quiescent operating point).

Figura 114. Circuito El transistor del circuito de la figura 114 esta polarizado con dos resistencias y una fuente de tensin en continua VCC. En este circuito se verifica que:

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Si suponemos que el transistor se encuentra en la regin directa lineal, entonces se puede relacionar las intensidades de base y colector a travs de la hFE y asignar una tensin base-emisor tpica de 0.7V. El clculo de las tensiones e intensidades del transistor proporciona su punto de trabajo Q. Para este circuito, Q viene definido por las siguientes ecuaciones:

En la figura 115 se muestra la representacin grfica del punto de trabajo Q del transistor, especificado a travs de tres parmetros: ICQ, IBQ y la VCEQ. Este punto se encuentra localizado dentro de una recta denominada recta de carga esttica: si Q se encuentra en el lmite superior de la recta el transistor estar saturado, en el lmite inferior en corte y en los puntos intermedios en la regin lineal. Esta recta se obtiene a travs de la ecuacin del circuito que relaciona la IC con la VCE que, representada en las curvas caractersticas del transistor de la figura 114, corresponde a una recta. La tercera ecuacin define la recta de carga obtenida al aplicar KVL al circuito de polarizacin, de forma que: Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del transistor se seleccionan dos puntos: a) VCE=0, entonces IC=VCC / RC. b) IC=0, entonces VCE=VCC. Estos puntos se pueden identificar en la figura 115 y representan los cortes de la recta de carga esttica con los ejes de coordenadas.

Figura 115. Lmite de operacin de un transistor.

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Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarizacin de un transistor es seleccionar la ubicacin del punto Q. La seleccin ms prctica es situarle en la mitad de la recta de carga esttica para que la corriente de colector sea la mitad de su valor mximo, condicin conocida como excursin mxima simtrica. Evidentemente esta es una condicin de diseo que asegurara el mximo margen del punto Q a incrementos de cualquier signo de la intensidad de colector. Sin embargo, hay muchas otras condiciones de operacin del transistor que exige un desplazamiento de Q en uno u otro sentido. En estos casos la situacin del punto Q estar definida por las diferentes restricciones. Un transistor de unin polarizado tiene unas tensiones y corrientes en sus terminales que le hacen disipar energa. Esta potencia de disipacin se puede obtener aplicando la definicin de potencia absorbida por un elemento tri-terminal, que en caso del transistor, se expresa como

Debido a que generalmente la IB<<<IC y la VBE<<VCE, el primer trmino de esta ecuacin es despreciable frente al segundo, resultando que

Esta ecuacin representa a una hiprbola en el plano (VCE, IC) de las curvas caractersticas del transistor. El fabricante proporciona como dato la potencia de disipacin mxima de un transistor; como ejemplo, el BC547 tiene una Pcmax=500 mW. En la figura 115 se representa la hiprbola de potencia mxima de un transistor. Es preciso que el punto del trabajo Q est por debajo de esa curva ya que sino el transistor se daara por efecto Joule. Hoja de especificaciones: Tensiones inversas de ruptura para el transistor 2N3904. VCB VCEo. VEB 60V (mximo valor en inversa). 40V (mximo valor en inversa con la base abierta). 6V (mximo valor en inversa).

En realidad en la hoja de caractersticas tenemos que diferenciar los transistores en: Transistores de pequea seal (IC pequea), por ejemplo: 2N3904. Transistores de potencia (IC grande), por ejemplo: 2N3055.

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CORRIENTE Y POTENCIA MXIMAS


En las uniones del transistor se suelen dar unas temperaturas muy elevadas, siendo la unin ms problemtica la unin CB, porque es la que ms se calienta. En un transistor se dan tres tipos de temperaturas: Tj = Temperatura de la unin. TC = Temperatura de la capsula. TA = Temperatura del ambiente.

EJEMPLO: Tj = 200 C Para sacar el calor de la unin tenemos que el flujo calorfico ha de pasar de la unin al encapsulado y posteriormente al ambiente. Hay una resistencia trmica unin-cpsula que dificulta que el calor pase de la unin a la cpsula (JjC). Hay una resistencia trmica cpsula-ambiente que dificulta que el calor pase de la cpsula al ambiente (JCA). JjC = 125 C/W. JCA= 232 C/W. JjA = 357 C/W.

Son unas resistencias que se oponen al paso de calor. Factor de ajuste Indica como disminuye la PDmx por cada grado de aumento de temperatura por encima de un valor determinado. EJEMPLO: Para el 2N3904 PDmx = 350 mW (a 25 C) Factor de ajuste = -2,8 mW/C Si TA aumenta a 60 C: PDmx = 350 - 2,8 (60 - 25) = 252 mW Ese factor de ajuste es el inverso de la resistencia trmica: Factor de ajuste = 1 / JjA Otro parmetro Este parmetro es el bcc que ya hemos visto anteriormente (IC = bcc IB Zona Activa). cc = hFE Seguimos con el ejemplo del transistor 2N3904. En el catlogo suele venir:

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Figura 116 Tabla de una hoja de especificaciones. Este valor es para la zona activa. Como se ve en la grfica, existe una tolerancia o dispersin de valores en la fabricacin que por ejemplo para IC = 10mA va desde 100 hasta 300.

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LECCIN 10: PRUEBA DE TRANSISTORES Y DETECCIN DE AVERAS

Figura 117. Circuito Veamos los tipos de averas tpicos que podemos tener en un transistor con un ejemplo: 1 aproximacin:

Esto es cuando no hay averas. Dos tipos de averas comunes que podemos tener son que la base est abierta o que la base se encuentre cortocircuitada, veamos estos dos casos: RB abierto = RBo

Figura 118. Transistor con base abierta.

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RB cortocircuito = RBs

Figura 119. Transistor con corto entre emisor y base. En este caso de la base en cortocircuito, se puede estropear la unin BE. Para realizar la prueba de un transistor, primeramente se comprueba que el transistor funciona correctamente separndolo del circuito y viendo con el hmetro los diferentes valores en el transistor.

Figura 120. Prueba de un transistor. Despus se comprueba el transistor dentro del circuito. Otras posibles averas: RCs (short). RCo (open). VCC no me de tensin.

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Figura 121. Anlisis por computador. Curvas caractersticas para el transistor 2N2222. Pspice (Ver 8.0) de MicroSim, para Windows

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CAPITULO 3. POLARIZACIN DC DEL TRANSISTOR BJT LECCIN 11: CIRCUITO DE POLARIZACIN FIJA Y DE POLARIZACIN ESTABILIZADA POR EMISOR PUNTO DE OPERACIN
En un proceso de diseo o de anlisis de un amplificador es necesario conocer la respuesta del sistema tanto en DC como en AC. La seleccin del punto de trabajo Q de un transistor se realiza a travs de diferentes circuitos de polarizacin que fijen sus tensiones y corrientes. En la figura 123 se incluyen los circuitos de polarizacin ms tpicos basados en resistencias y fuentes de alimentacin; adems, se indican las ecuaciones que permiten obtener el punto de trabajo de los transistores. Estos circuitos presentan diferencias en algunos casos importantes. Por ejemplo, el circuito de la figura 114 es poco recomendable por carecer de estabilidad; bajo ciertas condiciones se puede producir deriva trmica que autodestruye el transistor. La polarizacin de corriente de base de la figura 123 es mucho ms estable aunque el que ms se utiliza con componentes discretos es el circuito de autopolarizacin. La polarizacin de colector-base asegura que el transistor nunca entra en saturacin al mantener su tensin colector-base positiva. Retomando el tema de lmites de operacin de un transistor, ya visto en el captulo anterior, se habl del punto Q, punto de reposo. Tambin, establecamos que el punto de operacin para los amplificadores a transistor, es el resultante de la corriente de DC y el voltaje sobre las caractersticas que define la regin que ser empleada para la amplificacin de la seal aplicada.

Figura 122. Distintos puntos de operacin.

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De la figura 122 tenemos los valores mximos para IC y VCE, como tambin la curva de potencia mxima. Asimismo, estn definidas las zonas de saturacin donde VCE VCEsat y la de corte donde IB 0A. El dispositivo BJT o transistor puede operar fuera de estos lmites mximos pero su vida til se disminuye considerablemente o simplemente el dispositivo se destruir.

Figura 123. Circuitos de polarizacin de transistores BJT

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CIRCUITO DE POLARIZACIN FIJA


Veamos el circuito de la figura 124, VBB es la misma VCC, pero para describir mejor el circuito se muestran por separado.

Figura 124. Polarizacin fija Realicemos un anlisis de la malla de entrada:

Recta de carga (malla de salida):

Figura 125. Recta de carga para polarizacin fija.

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Conmutacin: SATURACIN y CORTE.

Amplificacin: ACTIVA.

Figura 126. El BJT Como conmutador o como amplificador. Como hemos dicho anteriormente, el valor de IB depende de la RB, por lo tanto podemos controlar la posicin del punto Q variando el valor de la RB.

Analicemos brevemente la estabilidad de este circuito de polarizacin de base.

Vemos que la bcc puede variar por varias razones, por lo tanto el punto Q es inestable. EJEMPLO: cc = 150 IB = 30A

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IC = 15030 = 4,5mA VCE = 1,5V. EJEMPLO: cc = 50 IB = 30mA IC = 50 30 = 1,5mA VCE = 10,5V. Vemos que al variar la beta vara la VCE, tambin la posicin del punto Q. Circuito de polarizacin estabilizada por emisor. Si se quiere amplificar, se necesitan circuitos cuyos puntos Q sean inmunes a los cambios en la ganancia de corriente, esto es, interesa que el punto Q sea lo ms estable posible. Para este propsito ahora se analizar el "Circuito de polarizacin de Emisor", que es el siguiente:

Figura 127. BJT polarizado estabilizado en emisor. El propsito es amplificar, por esa razn el transistor tiene que trabajar en la zona ACTIVA. Como estamos en activa VBE = 0.7V. Por lo tanto y viendo la malla de entrada la tensin VC ser de 4.3V. Entonces la intensidad IE por la resistencia RE ser de:

La malla de salida:

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Grficamente:

Figura 128. Grafica de BJT polarizado en emisor. Qu ocurre si el cc vara? Si cc = 150 solo vara IB.

Vara la IB pero lo dems se mantiene y Q no vara, el transistor se autorregula y hace que vare IB sin que nada ms vare, por lo tanto: "El punto Q es muy estable". Pero esto no es del todo exacto, porque algo vara, esto se ver si no se usa la aproximacin de IC = IE. Sin esta aproximacin tenemos:

Y ahora si influye el cc.

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Y tendramos: VCE = 8,77 V, con

cc = 150:

Con

cc = 50:

Vara algo, pero es bastante estable, es bueno para trabajar en activa.

LECCIN: 12 POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE Y CON RETROALIMENTACIN DE VOLTAJE. POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE
Este tema es una continuacin del anterior, por ello primeramente vamos a hacer un breve resumen de lo visto antes para situarnos mejor en el tema. Hasta ahora hemos visto estos circuitos: Circuito de polarizacin de base (resistencia en la base).

Figura 129. Polarizacin base. Circuito de polarizacin de emisor (resistencia en emisor).

Figura 130. Polarizacin en emisor.

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En este tema analizaremos este ltimo circuito ms que ningn otro.

Figura 131. Polarizacin por divisor de voltaje. Pero es muy caro instalar 2 fuentes de alimentacin por eso se suele modificar el circuito de tal forma que solo se use una fuente de alimentacin. Como se ha dicho ahora nos ahorraremos una fuente de alimentacin.

Figura 132. Circuito equivalente para polarizacin por divisor de voltaje. Ahora se mueve lo de la izquierda hacia arriba y como tenemos 10V en los dos lados se pueden unir:

Figura 133. Polarizacin por divisin de voltaje.

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Y as nos hemos ahorrado una fuente de alimentacin, este es el "Circuito de polarizacin por divisin de tensin" Anlisis aproximado

As despreciamos IB:

EJEMPLO: Aplicamos valores numricos a lo que hemos hecho.

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Vemos si la aproximacin es buena: se tiene que cumplir:

Tiene que funcionar bien para los tres valores del catlogo.

CATLOGO:

Para comprobarlo vamos a ver la recta de carga de continua.

Qu curva de IB pasa por ese punto Q? Si cambiamos el transistor, Q es el mismo pero vara la IB. No cambia la recta de carga ni el punto Q, lo que cambia es la IB, se "Auto adapta". El punto Q es muy estable, prcticamente no cambia de sitio, para hacer los clculos no hemos usado la , solo para la IB.

POLARIZACIONES DC CON RETROALIMENTACIN DE VOLTAJE.


Polarizacin DC con retroalimentacin de emisor. En este circuito la resistencia de realimentacin es RE.

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Figura 134. Polarizacin con retroalimentacin. Haremos la prueba de desestabilizar el punto Q.

IC intenta aumentar mucho. Pero al aumentar la IC, aumenta la VE.

Entonces vemos que se da un fenmeno de "autorregulacin", intenta aumentar mucho pero al final aumenta menos. Aunque no se estabiliza, se desestabiliza menos, esa "auto correccin" se llama realimentacin.

A este efecto de que una variable de salida afecte a la entrada se le llama realimentacin, la salida afecta a la entrada, se auto corrige. Adems se le llama "Realimentacin negativa" porque un aumento supone una disminucin. Si un aumento supusiera otro aumento sera una "Realimentacin positiva". En amplificadores es muy importante la realimentacin, como se ver ms adelante. Seguimos analizando el circuito. Malla de entrada:

EJEMPLO: Para ver como se mueve el punto Q.

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VCC = +15V RC = 910W RB = 430W

RE = 100W VBE = 0,7V

Recta de carga:

Se ha movido mucho pero menos que el anterior. IC = 9,33 - 3,25 = 6,08Ma Cuanto menor sea este resultado, mejor ser el circuito, esto sirve para comparar circuitos. Para mejorar el circuito se puede hacer:

Se suele coger 100 veces mayor RE.

Veamos si se cumple en este circuito.

No se cumple. RE debera ser RE = 430k. Pero poner RE = 430k hace que casi toda la tensin de VCC vaya a RE y la VCE es pequea, y el circuito entra en saturacin y no funciona como amplificador, el remedio es peor.

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DIVERSAS CONFIGURACIONES DE POLARIZACIN.


Circuito de polarizacin con realimentacin de colector. El circuito es el siguiente:

Figura 135. Polarizacin con retroalimentacin de colector. Veamos cmo se comporta la T.

Y la IC aumenta menos de lo que pretenda, realimentacin negativa, se ha compensado en parte. Malla de entrada:

Hacemos como antes:

Recta de carga. Malla de salida:

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Si los comparamos: Circuito de polarizacin por realimentacin de emisor: = 6mA Circuito de polarizacin por realimentacin de colector: = 3.81mA

Este ltimo es mejor por ahora. De antes tenamos:

Para que se mueva lo menos posible, el b tiene que afectar lo menos posible, interesa que RC influya ms que RB/, para eso:

RC normalmente no se puede elegir. Entonces la RB se elegir la menor posible. Hay que recordar que en el circuito anterior de realimentacin de emisor si cogamos RB muy pequea se saturaba. En este circuito, a medida que disminuya RB se iba acercando a saturacin, no se saturaba pero se acercaba mucho. Por eso no es til, porque se acerca mucho a saturacin (aunque nunca llegue a los VCE = 0.2V de saturacin). Qu debera hacer para que Q estuviera centrado? Para que esto ocurra:

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No se pueden cumplir los dos, si est centrado no es estable y viceversa. Y este circuito no es bueno por esa razn, aunque sea mejor que los anteriores, es todava bastante inestable.

LECCIN: 13 OPERACIONES DE DISEO.


Retomando la polarizacin con divisor de voltaje pero teniendo en cuenta la retroalimentacin. En todo circuito que quiera que se auto compense tiene que haber una resistencia de realimentacin, en este caso es RE, que hace que sea estable el punto Q.

Figura 136. Retroalimentacin en emisor y polarizacin por divisor de voltaje. Veamos cmo se comporta si la temperatura o cambiamos de transistor (C.T.)

De esta forma se compensa en parte la IC, se mueve pero menos. Es un circuito muy bueno, la compensacin no es total pero casi, es una compensacin muy buena. Este circuito es el que se utiliza mayoritariamente por ser bueno, barato y efectivo. Lo analizaremos como siempre de 2 formas: Anlisis aproximado y exacto. Primeramente modificaremos un poco el circuito: Ahora aplicaremos Thvenin:

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Figura 137. Anlisis de retroalimentacin. Aproximamos: RTH = 0. Malla de entrada:

El punto Q es estable. Tenemos lo ideal, no est la . Lo nico que vara algo es la VBE, pero es una variacin pequea respecto a VTH, entonces es casi constante la IC. Aprovechamos lo calculado anteriormente:

Interesa que RTH/ influya poco respecto a RE. Hacemos RE 100 veces mayor que RTH/.

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Pero es difcil que se cumpla esto porque RTH es el paralelo de R1 y R2, y de estas dos resistencias la ms pequea suele ser R2, entonces si aproximamos para verlo mejor:

Para que esto funcione correctamente hemos dicho que se tiene que cumplir lo siguiente:

Pero si pongo R2 muy pequeo, la IR2 es grande y es aproximadamente IR1 y esa intensidad va a la F.A., entonces el condensador y los diodos de la F.A. tienen que resistir mucha intensidad y podra dar problemas. Otro problema se da en alterna:

Figura 138. Retroalimentacin con seal AC. Cuando amplificamos la onda es muy importante la impedancia de entrada (Zi) y tiene que ser de un valor concreto. Su valor es:

No se puede hacer la Zi todo lo pequea que se quiera y eso es una dificultad, se estropea la Zi en alterna. Hay situaciones que debemos analizar: El consumo La Zi

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Para resolver eso los diseadores en lugar de 0,01RB* suelen escoger un poco mayor, 0,1RE*.

Y as Q es bastante estable, aunque no sea tanto como antes. EJEMPLO:

Figura 139. Ejemplo de retroalimentacin Como siempre aplicamos Thvenin y calculamos IB e IC para los distintos valores de .

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Ahora calculamos el VCE y dibujamos la grfica:

Vemos que el punto Q vara muy poco para distintos valores de . Esto lo vemos con la variacin de IC.

Para ver la estabilidad del circuito estudiaremos el caso ms crtico, que es el valor ms pequeo de , si se cumple para este valor se cumple en todos los dems casos.

No se cumple el muy estable, veamos ahora el "Bastante Estable".

Es bastante estable porque se cumple la ecuacin, esto quiere decir que est bastante bien diseado el circuito.

CIRCUITO DE POLARIZACIN CON REALIMENTACIN DE EMISOR Y REALIMENTACIN DE COLECTOR


Con este circuito se intenta obtener polarizaciones ms estables para los circuitos con transistores. Para ello se usa una combinacin de una resistencia de emisor y una resistencia de colector.

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Figura 140. BJT en configuracin de retroalimentacin en emisor y colector. Para que sea estable se tiene que cumplir:

Pero el problema es que si RC y RE son muy grandes el valor de VCE tiene que ser pequeo y puede llegar a saturacin, por eso no se puede hacer todo lo grande que se quiera.

LECCIN: 14 REDES DE CONMUTACIN CON TRANSISTORES.

Figura 141. El transistor como conmutador

Tenemos un interruptor en posicin 1, abierto:

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IB = 0. IC = 0 CORTE (el transistor no conduce) Recta de carga:

Esto era lo ideal, lo exacto sera:

Pero para electrnica digital no tiene mucha importancia ese pequeo margen, por lo tanto se desprecia. Interruptor en posicin 2:

Finalmente tenemos una grfica de la siguiente forma:

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Aplicacin: Si tenemos en la entrada una onda cuadrada. Me invierte la Vsal, invierte la onda de entrada en la salida. Ese circuito se utiliza en electrnica digital.

Figura 142. El transistor como conmutador y su smbolo en electrnica digital A ese circuito le llambamos "Circuito de polarizacin de base", que era bueno para corte y saturacin, para conmutacin. Pero este que hemos hecho no es exacto, lo exacto es:

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Entonces se cogen los mrgenes, pero como estn muy separados se desprecia y no se le da importancia a ese pequeo error. Analizaremos uno de los circuitos tpicos que se usan en electrnica digital.

Figura 143. Aplicaciones de conmutadores. Vamos a ver si la hiptesis es correcta:

La hiptesis es correcta, estamos en saturacin. Ahora comprobaremos si es saturacin normal o fuerte:

Y la salida se aproxima a cero: V0 = 0 V.

Veamos qu ocurre si a la entrada le metemos por ejemplo una onda cuadrada:

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As el circuito se comporta como un INVERSOR. Para que a la salida en lugar de 0 V y 15 V tengamos 0 V y 5 V, se cambia la fuente VCC de + 15 V a VCC = + 5 V.

LECCIN: 15 ESTABILIZACIN DE POLARIZACIN.


La estabilidad de un sistema es una medida de la sensibilidad de una red ante las variaciones en sus parmetros. La IC de un transistor es sensible a: : Al aumentar la temperatura aumenta esta magnitud. |VBE|: Valor absoluto del voltaje Base-Emisor, disminuye cerca de 7,5mV por cada incremento en un grado Celsius (C). ICO: Corriente de saturacin inversa. Duplica su valor por el incremento en 10C en la temperatura. Cualquiera de los factores antes mencionados puede ocasionar que el punto de polarizacin se desve del punto de operacin determinado. No podemos olvidar que IB es muy sensible al nivel de VBE, especialmente para niveles ms all del valor del umbral. De acuerdo a lo visto en los puntos anteriores sobre polarizacin.

FACTORES DE ESTABILIDAD.
Se define un factor de estabilidad S, para cada uno de los parmetros que afectan la estabilidad de polarizacin: S (ICO) = IC / ICO S (VBE) = IC / VBE S () = IC / Las redes son muy estables y relativamente insensibles ante variaciones de la temperatura, es decir tienen factores de estabilidad bajos. Por esto, es apropiado considerar las cantidades definidas por las anteriores ecuaciones como factores de sensibilidad porque mientras mayor sea el factor de estabilidad, ms sensible ser la red ante variaciones en ese parmetro. El estudiante con conocimiento de clculo diferencial deber profundizar ms sobre este tema.

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FUENTES DOCUMENTALES DE LA UNIDAD 1


Albert Paul Malvino "Principios de Electrnica", Editorial McGraw Hill. Electrnica Analgica Para Ingenieros Pleite Guerra, Jorge Floyd Electronic_Devices 7 edicin Curso fcil de electrnica bsica CEKIT Transistor Circuit Techniques discrete and integrated Third edition G.J.Ritchie Lessons In Electric Circuits, Volume III Semiconductors By Tony R. Kuphaldt Third Edition, Electrnica - Hambley Allan R. (2da Edicin) Electrnica: Teora De Circuitos Y Dispositivos Electrnicos por: Boylestad

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UNIDAD 2
Nombre de la Unidad FET Y CAMPO Y OTROS DISPOSITIVOS PNPN
En esta unidad encontraremos dos temas especficos como son los transistores de efecto de campo y sus distintas variaciones: JFET y MOSFET, como un abrebocas a la microelectrnica y los circuitos integrados. El otro, los dispositivos de cuatro capas o PNPN, con aplicaciones en Potencia, instrumentacin, control y comunicaciones.

Introduccin

En esta unidad se estudiara a Los transistores de efecto de campo, conocidos generalmente como FET por sus siglas en ingles. Los FET son llamados tambin transistores unipolares, ya que la corriente existe tanto en forma de electrones como de huecos. En un FET de canal n, la corriente se debe a electrones, mientras que en un FET de canal p, se debe a huecos. Ambos tipos de FET se controlan por una tensin entre la compuerta y la fuente. Justificacin Adems existen otros FET que utilizan metales y materiales xidos, dando como un resultado un FET que se conocen como Transistor de Efecto de Campo de xido de metal y semiconductor, MOSFET por sus inciales en y ingles. Otro avance en el FET es un dispositivo con dos terminales, llamados puertas frontal y puerta trasera, este dispositivo es el FET tetrodo. Por ltimo se introduce al estudio de la electrnica de potencia con los Tiristores, dispositivos generalmente utilizados para controlar potencia y que en la actualidad encontramos en electrodomsticos y equipos industriales. Intencionalidades Formativas
Con esta Unidad se pretende que el estudiante conozca en profundidad los fundamentos de los Transistores de efecto de campo y Tiristores, su construccin, arquitectura, evolucin y aplicaciones.

Denominacin de captulos

Captulo 4: EL FET. Captulo 5: POLARIZACIONES DEL FET Captulo 6: OTROS DISPOSITIVOS PNPN

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CAPITULO 4 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FET. LECCIN: 16 El JFET


Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son particularmente interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de unin o JFET y transistor de efecto de campo metal-oxido semiconductor (MOSFET). Son dispositivos controlados por tensin con una alta impedancia de entrada (1012). Ambos dispositivos se utilizan en circuitos digitales y analgicos como amplificador o como conmutador. Sus caractersticas elctricas son similares aunque su tecnologa y estructura fsica son totalmente diferentes. VENTAJAS DEL FET: Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012). Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT. Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar ms dispositivos en un C1. Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores pequeos de tensin drenaje-fuente. La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

DESVENTAJAS QUE LIMITAN LA UTILIZACIN DE LOS FET: Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada. Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica.

Figura 144. (a) JFET canal N. (b) Smbolo de JFET canal N. (c) Smbolo canal P

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En este apartado se estudiaran brevemente las caractersticas de ambos dispositivos orientadas principalmente a sus aplicaciones analgicas. El JFET de canal n est constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate). En la figura 144a se describe un esquema de un JFET de canal n, en la 144b el smbolo de este dispositivo y en la 144c el smbolo de un JFET de canal P. La polarizacin de un JFET exige que las uniones p-n estn inversamente polarizadas. En un JFET de canal n, o NJFET, la tensin de drenador debe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a travs de canal. Adems, la puerta debe tener una tensin ms negativa que la fuente para que la unin p-n se encuentre polarizado inversamente. Ambas polarizaciones se indican en la figura 145.

Figura 145. Caractersticas de un FET N

CARACTERSTICA DE TRANSFERENCIA.
Las curvas de caractersticas elctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensin a diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente. Por ello, en el JFET intervienen como parmetros: ID (intensidad drain o drenador a source o fuente), VGS (tensin gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensin drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones bsicas de operacin: corte, lineal, saturacin y ruptura. A continuacin se realiza una descripcin breve de cada una de estas regiones para el caso de un NJFET.

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REGIN DE CORTE

En esta regin la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID=0). En este caso, la tensin entre puerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de inversin bloquean y estrangulan el canal cortando la corriente entre drenador y fuente. En las hojas tcnicas se denomina a esta tensin como de estrangulamiento o pinch-off y se representa por VGS (off) o Vp. Por ejemplo, el BF245A tiene una VGS (off)=-2V. REGIN LINEAL

En esta regin, el JFET se comporta como una resistencia no lineal que es utilizada en muchas aplicaciones donde se precise una resistencia variable controlada por tensin. El fabricante proporciona curvas de resistencia drenadorfuente (rds (on)) para diferentes valores de VGS tal como se muestra en la figura 146. En esta regin el transistor JFET verifica las siguientes relaciones:

Figura 146. Resistencia drenador-fuente de un transistor NJFET en la regin lineal.

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REGIN DE SATURACIN

En esta regin, de similares caractersticas que un BJT en la regin lineal, el JFET tiene unas caractersticas lineales que son utilizadas en amplificacin. Se comporta como una fuente de intensidad controlado por la tensin VGS cuya ID es prcticamente independiente de la tensin VDS. La ecuacin que relaciona la ID con la VGS se conoce como ecuacin cuadrtica o ecuacin de Schockley que viene dada por:

(3.1) Donde Vp es la tensin de estrangulamiento y la IDSS es la corriente de saturacin. Esta corriente se define como el valor de ID cuando VGS=0, y esta caracterstica es utilizada con frecuencia para obtener una fuente de corriente de valor constante (IDSS). La ecuacin 3.1 en el plano ID y VGS representa una parbola desplazada en Vp. Esta relacin junto a las caractersticas del JFET de la figura 145 permiten obtener grficamente el punto de trabajo Q del transistor en la regin de saturacin. La figura 147 muestra la representacin grafica de este punto Q y la relacin existente en ambas curvas las cuales permiten determinar el punto de polarizacin de un transistor utilizando mtodos grficos.

Figura 147. Curvas caractersticas de un JFET.

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REGIN DE RUPTURA

Una tensin alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por avalancha a travs de la unin de puerta. Las especificaciones de los fabricantes indican la tensin de ruptura entre drenaje y fuente con la puerta cortocircuitada con la fuente; esta tensin se designa por BVDSS y su valor est comprendido entra 20 y 50 V. Las tensiones de polarizacin nunca deben superar estos valores para evitar que el dispositivo se deteriore. Por ltimo, comentar las diferencias existentes entre un NJFET y PJFET. Las ecuaciones desarrolladas anteriormente para el JFET son validas para el PJFET considerando el convenio de signos indicados en la tabla No. 11.

Tabla No. 11 Convenio de signos en las tensiones y corrientes de un NJFET y PJFET.

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LECCIN: 17 ESPECIFICACIONES DEL JFET


Se describe el JFET 2N5457.4

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LECCIN: 18 EL MOSFET
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear una canal de conduccin. Son dispositivos ms importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnologa MOS. Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de acumulacin (enhancement) o deplexin (deplexin); en la actualidad los segundos estn prcticamente en desuso y aqu nicamente sern descritos los MOS de acumulacin tambin conocidos como de enriquecimiento. La figura 148 indica los diferentes smbolos utilizados para describir los transistores MOS.

Figura 148. Smbolos de transistores NMOS y PMOS. En la figura 149 se describe la estructura fsica de un MOSFET de canal N con sus cuatro terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se encuentra conectado a la fuente. La puerta, cuya dimensin es WL, est separado del substrato por un dielctrico (Si02) formando una estructura similar a las placas de un condensador. Al aplicar una tensin positiva en la puerta se induce cargas negativas (capa de inversin) en la superficie del substrato y se crea un camino de conduccin entre los terminales drenador y fuente. La tensin mnima para crear esa capa de inversin se denomina tensin umbral o tensin de threshold (VT) y es un parmetro caracterstico del transistor. Si la VGS<VT, la corriente de drenador-fuente es nula; valores tpicos de esta tensin son de de 0.5 V a 3 V.

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Figura 149. Estructura fsica de un transistor NMOS Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura fsica muy diferente pero sus ecuaciones analticas son muy similares. Por ello, en los transistores MOS se definen las mismas regiones de operacin: corte, lineal, saturacin y ruptura. En la figura 150 se muestran las curvas de caractersticas elctricas de un transistor NMOS con las diferentes regiones de operacin que son descritas brevemente a continuacin. Regin de corte

Se verifica que VGS<VT y la corriente ID es nula. Regin lineal

El transistor se comporta como un elemento resistivo no lineal controlado por tensin. Verifica las siguientes ecuaciones:

Donde

Un parmetro caracterstico del MOS que depende de la tecnologa a travs de la constante k y del tamao de la puerta del transistor (W la anchura y L la longitud).

Figura 150. Curvas de caractersticas de un NMOS.

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Regin saturacin corriente controlada

El transistor se comporta como una fuente de por la tensin VGS. Verifica las siguientes ecuaciones:

Siendo el parmetro descrito en la ecuacin 5.4. En esta regin, la relacin cuadrtica entre VGS e ID se representa en la grafica de la izquierda de la figura 150, y de una manera similar a los transistores JFET, puede ser utilizada para determinar por mtodos grficos el punto de polarizacin de los transistores aunque rara vez se recurre a ellos. Regin de ruptura

Un transistor MOS puede verse afectado por fenmenos de avalancha en los terminales drenador y fuente, y roturas en la capa de oxido fino de la puerta que pueden daar irreversiblemente al dispositivo. Por ltimo, sealar que en la tabla 12 se indican las diferencias en el signo y sentido de las corrientes y tensiones existentes entre transistores NMOS y PMOS.

Tabla No. 12. Convenio de signos en las tensiones y corrientes de un NMOS y PMOS.

MANEJO DE MOSFET
Por ser los MOSFET dispositivos con una capa delgada de SiO2 la cual se encuentra situada entre la compuerta y el canal y tiene el efecto de ofrecer una caracterstica de alta impedancia de entrada, pero por ser esta capa demasiado delgada se deben tener precauciones necesarias para su manejo. La acumulacin de carga esttica, alrededor del dispositivo, la cual logra establecer una diferencia de potencial a travs de la delgada capa, de tal forma que se podra romper y establecer conduccin a travs de ella. Para evitar este inconveniente se debe

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mantener el MOSFET con sus terminales cortocircuitados, normalmente se debe mantener con el papel aluminio con el cual sale de fbrica para su manejo y transporte. Para su uso, se debe tomar el transistor por su encapsulado. Cuando se instale en una tarjeta, esta debe estar previamente desenergizada y ojala descargada de cargas estticas, adems de utilizar los cables de descarga esttica fabricados para quien opere estos elementos.

LECCIN: 19 VMOS Y CMOS VMOS (VERTICAL METAL OXIDE SILICON)

Figura 151. Estructura fisica de un VMOS Los MOSFET tienen una desventaja frente a los BJT, el manejo de potencias. Normalmente un MOSFET puede manejar potencias inferiores a 1 Watts. Para superar este inconveniente o insuficiencia de los MOSFET, se realiza un cambio en la forma de construccin del MOSFET. Para ello, se construye de tal forma que el canal n-inducido tenga un crecimiento (Operacin en modo incremental) y este ahora en formado en direccin vertical. Estos dispositivos se conocen como VMOS. Adems su apariencia de un corte en V en la base del semiconductor es la caracterstica que se destaca para la memorizacin del nombre del dispositivo. Las caractersticas ms importantes del VMOS, son: Poseen niveles reducidos de resistencia en el canal y mayores valores nominales, de corriente y de potencia. Poseen un coeficiente positivo de temperatura que contrarrestar la posibilidad de una avalancha trmica. Tiempos de conmutacin ms rpidos por lo niveles reducidos de almacenamiento de carga.

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CMOS (MOS CON ARREGLO COMPLEMENTARIO)

Figura 152. Estructura fisica de un CMOS CMOS, acrnimo de Complementary Metal Oxide Semiconductor (semiconductor complementario de xido metlico). Es un dispositivo semiconductor formado por dos transistores de efecto de campo de xido metlico (MOSFET), uno del tipo n (NMOS) y otro del tipo p (PMOS), integrados en un nico chip de silicio. Utilizados por lo general para fabricar memoria RAM y aplicaciones de conmutacin, estos dispositivos se caracterizan por una alta velocidad de acceso y un bajo consumo de electricidad. Pueden resultar daados fcilmente por la electricidad esttica.

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LECCIN: 20 ESPECIFICACIONES DEL MOSFET


A continuacin se muestra los datos tcnicos para el MOSFET BSD022

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CAPITULO 5 POLARIZACIONES DEL FET LECCIN: 21 CONFIGURACIONES DE POLARIZACIN DEL FET CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJA.
Los circuitos bsicos que se utilizan para polarizar los BJT se pueden emplear para los MOSFET. EL JFET tiene el inconveniente de que la tensin VGS debe ser negativa en un NJFET (positiva en un PJFET) que exige unos circuitos de polarizacin caractersticos para este tipo de dispositivos. En este apartado se presentan uno de los circuitos ms utilizados: polarizacin simple fija (Figura 153), se utiliza una fuente de tensin externa para generar una VGS<0.

Figura 153. Circuito de polarizacin simple de un NJFET. (a) Diagrama circuital. (b) Ecuaciones analticas. (c) Representacin grafica del punto de trabajo.

CONFIGURACIN DE AUTO POLARIZACIN.


La configuracin de autopolarizacin (figura 154), la cada de tensin en la resistencia RS debida a ID permite generar una VGS<0.

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Figura 154. Autopolarizacin de un NJFET. (a) Diagrama circuital. (b) Ecuaciones analticas. (c) Representacin grafica del punto de trabajo.

POLARIZACIN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE.


Tal como lo hicimos para el BJT, la polarizacin del JFET se puede realizar por divisor de voltaje. Su construccin bsica es exactamente la misma, pero el anlisis en DC es muy diferente. Puesto que, la corriente de la compuerta (IG) es de cero amperios mientras que para el BJT la corriente de la base (IB) afecta los niveles de DC de la corriente y del voltaje tanto para el circuito de entrada como el de salida. Pues IB proporcionaba la relacin entre el circuito de entrada y el de salida mientras que el VGS har lo mismo para el JFET.

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Figura 155. Polarizacin por divisor de voltaje de un JFET Entonces, realizando el anlisis de la misma forma que para un BJT, tenemos: VG = R2 * VDD / R1 + R2 (5.1)

Luego, aplicando las leyes de Kirchhoff, y teniendo en cuenta que IR2 = IR1, entonces podremos encontrar el valor del voltaje de la compuerta: VG. VG VGS VRS = 0 (5.2) VGS = VG VRS Sustituyendo a VRS = IS * RS = IDRS, tenemos: VGS = VG IDRS (5.3)

Los valores VG y RS los fija la red. Y la ecuacin No. 5.3 corresponde a una lnea recta en el plano de ID VGS. Cuando ID sea cero el valor de VGS ser igual a VG y cuando VGS sea cero, ID ser igual a la relacin VG sobre RS. De acuerdo a la figura No. 5.4, si RS se incrementa, entonces la recta cruzar por un valor menor de ID cuando VGS sea cero. Pero esto ocasionar niveles menores de estabilidad de los ID y ms negativos de VGS. VDS = VDD ID (RD + RS) IR1 = IR2 = VDD / (R1 +R2) (5.4) (5.5)

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Figura 156. Grfica de JFET polarizado por divisor de voltaje.

LECCIN: 22 MOSFET DE TIPO DECREMENTAL E INCREMENTAL. MOSFET DE TIPO DECREMENTAL.

Figura 157. Mosfet de tipo decremental Aun cuando existen grandes similitudes entre las curvas de transferencia de los JFET y de los MOSFET y que permiten realizar un anlisis muy parecido en el dominio de DC, los MOSFET de tipo decremental permiten trabajar con puntos de operacin con valores VGS positivos y niveles de ID que exceden el valor de IDSS.

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Nos queda la pregunta: Hasta donde deber extenderse la curva de transferencia hacia la regin de valores positivos de VGS y hacia valores de ID mayores de IDSS? Este intervalo estar bien definido en los parmetros del MOSFET.

MOSFET DE TIPO INCREMENTAL.

Figura 158. Mosfet de tipo Incremental Las caractersticas de transferencia del JFET difieren a las encontradas en el MOSFET de tipo incremental. Por lo tanto, la solucin grfica es diferente para los dos casos ya vistos. Debemos tener en cuenta que para un MOSFET de tipo incremental de canal-n, la corriente de drenaje (ID) es cero para aquellos niveles de voltaje compuerta fuente menores al nivel de umbral VGS (TH). La corriente de drenaje se define como un exponencial a partir del nivel de umbral: ID = k (VGS VGS (TH)) 2 (5.6)

En las hojas de caractersticas tcnicas se definen claramente los valores de voltaje de umbral y un nivel de corriente de drenaje (ID (encendido)), valores que permiten encontrar el valor de la constante k. k = ID (encendido) / VGS (Encendido) - VGS (TH) (5.7)

Una vez se obtenga k, se podrn obtener los dems valores para ID.

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LECCIN: 23 REDES COMBINADAS.


Conociendo la forma de realizar un anlisis en DC tanto para los BJT como para los FET, es la oportunidad de analizar redes con los dos tipos de transistores presentes en la misma. Para esto, se requiere de realizar un primer proceso sobre el dispositivo que proporcionar un voltaje o un nivel de corriente en una terminal. Luego, ya se podrn calcular otras cantidades y dedicarse a las incgnitas restantes. El reto est en la localizacin de la entrada del problema para luego utilizar sus resultados y aplicar los conocimientos ya vistos. Se ha trabajado constantemente con los diferentes juegos de ecuaciones por lo que no es necesario desarrollar nuevos mtodos de anlisis. El estudiante podr recurrir a los ejemplos desarrollados en el libro de Boylestad en el captulo No. 6.

Figura 159. Ejemplo de una red combinada

LECCIN: 24 DISEO.
Cuando se requiere disear se deben tener en cuenta las condiciones que intervienen en el proceso completo: rea de aplicacin Nivel de amplificacin deseado Potencia de seal Condiciones de operacin

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Para ello, se debe inicialmente establecer las condiciones DC seleccionadas.

Figura 160. Configuracin de Autopolarizacin para disear. Conocidos los valores para VD e ID es posible determinar el valor para VGSQ a partir de una grfica de la curva de transferencia y luego podr encontrarse RS mediante VGS = -IDRS. Pero si conocemos VDD, es posible determinar RD a partir de RD = (VDD VD)/ID. Luego se debe conseguir los valores comerciales ms cercanos para RD y RS. Los valores de las tolerancias no son problema alguno para el real proceso del diseo.

LECCIN: 25 FET DE CANAL P Y CURVA DE POLARIZACIONES PARA JFET.


En los apartes anteriores de este captulo nos hemos centrado al anlisis con FET de canal n. Para el caso de un FET canal-p se utilizar una imagen en espejo de las curvas de transferencia, adems, las direcciones definidas de las corrientes se invierten. El valor de VDD ser negativo y la direccin de la corriente ID estar en el sentido hacia la fuente. Las notaciones para un FET de canal-p son idnticas al FET canal-n, cambiando solamente los signos. Durante la realizacin de un anlisis con un FET de canal-p lo podremos simular con uno de cana-n e invertir el voltaje de alimentacin. Sin olvidar invertir los valores encontrados para voltaje y las direcciones de las corrientes.

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CAPITULO 6 OTROS DISPOSITIVOS PNPN LECCIN: 26 DIODOS DE CUATRO CAPAS


El diodo de cuatro capas o diodo Shockley es un dispositivo compuesto por cuatro capas semiconductores npnp, cuya estructura y smbolo se describen en la figuras 161a y 161b. Esencialmente es un dispositivo interruptor. Al aplicar un tensin positiva entre nodo y ctodo se puede observar que la unin J1 y J3 esta polarizada en directa, y la unin J2 polarizada en inversa. En estas condiciones nicamente circula una corriente muy baja (despreciable) y el dispositivo se encuentra cortado. Aumentando esta tensin positiva se llega a una tensin VBO de ruptura o avalancha donde la corriente crece de forma abrupta y la cada de tensin decrece de la misma manera. En este momento, el diodo ha conmutado desde el estado de bloqueo a conduccin.

Figura 161. Diodo de cuatro capas: a) Estructura, b) smbolo, c) estructura equivalente y d) modelo de conduccin. Una manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en separar su estructura fsica en dos mitades (figura 161a). La mitad izquierda es un transistor NPN y la mitad derecha PNP, resultando el circuito mostrado en la figura 161d que normalmente es referido como candado.

Figura 162. Caractersticas tensin/corriente del diodo de cuatro capas.

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Las caractersticas elctricas de un diodo de cuatro capas se muestran en la grafica de la figura 162. En esta grafica, se pueden identificar dos zonas y cuatro regiones de operacin: 1.- Zona directa (V > 0) 1.a) Regin de corte. El diodo se encuentra en corte con unas corrientes muy bajas. En esta regin se puede modelar como una resistencia ROFF de valor:

1.b) Regin de resistencia negativa. Cuando la tensin entre nodo y ctodo es suficientemente alta se produce la ruptura de la unin con un incremento muy elevado en corriente comportndose el diodo como si fuera una resistencia negativa debido a la realimentacin positiva de su estructura. 1.c) Regin de saturacin o conduccin. En esta regin, la cada de tensin entre nodo y ctodo est comprendida entre 0.5V y 1.5 V, prcticamente independiente de la corriente. Se mantendr en este estado siempre que la tensin y corriente alcancen unos valores mnimos conocidos como niveles de mantenimiento definidos por VH e IH. 2.- Zona inversa (V <0) 2.a) Regin de ruptura. El diodo puede soportar una tensin mxima inversa VRSM que superado ese valor entra en conduccin debido a fenmenos de ruptura por avalancha.

EL SIDAC
El SIDAC es un dispositivo bilateral de disparo de alta tensin y corriente. Es bsicamente un diodo de cuatro capas con unas caractersticas elctricas simtricas. En la figura 163a se describe su estructura fsica, en la figura No. 163b el smbolo de este dispositivo y en la figura 163c sus caractersticas elctricas simtricas. El SIDAC se utiliza en aquellas aplicaciones que se necesitan una tensin de disparo VBO cuyos valores estn comprendidos entre 120 V y 270 V (tpicos).

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Figura 163. SIDAC: a) estructura fsica, b) smbolo y c) caractersticas I-V. El MKP3V120 de Motorola es un ejemplo tpico de un SIDAC, con una corriente mxima de 1A y una tensin de ruptura de VBO=120 V (pertenece a la serie MKP3VXXX en donde las tres ltimas cifras definen la VBO). En la figura 164 se indican sus caractersticas I-V en estado de conduccin. En este caso, la tensin nodo-ctodo es aproximadamente ~1.1V prcticamente independiente de la corriente. Una de las aplicaciones ms tpicas del SIDAC es como generador de diente de sierra en donde se aprovecha las caractersticas de disparo y bloqueo de este dispositivo.

Figura 164. Caractersticas I-V en conduccin del MKP3V120. En la figura 165a se presenta el esquema de este circuito basado en el MKP3V120. Las principales caractersticas de este dispositivo son: VT VH=1.1V, IH=100mA (mx.), VBO=120 V (typ), IBO=200 pA (mx.). En la figura 165b se muestra la forma de onda de Vo que se asemeja a un diente de sierra. El funcionamiento del circuito es el siguiente. El condensador se carga a travs de R cuando el SIDAC est cortado. En estas condiciones, el dispositivo se comporta como una resistencia ROff de valor

Esta resistencia es tan elevada que a efectos prcticos se puede considerar como despreciable. La ecuacin del carga del condensador parte de una tensin inicial VH (VH=1.1V), correspondiente a la tensin de mantenimiento del SIDAC, hasta la tensin final VCC (VCC=200 V). Esta ecuacin es

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La tensin Vo (t) evoluciona de forma exponencial tal como se muestra en la figura 165b. Este proceso de carga del condensador finalizara cuando el SIDAC entre en conduccin, situacin que se produce cuando la tensin Vo (t) alcance la tensin de ruptura, es decir, el proceso de carga durara un tiempo to correspondiente al tiempo que tarda Vo (t) en tomar el valor VBO, es decir: Vo (t - to) = VBO=120 V. Este tiempo est definido por la siguiente ecuacin

Figura 165. a) SIDAC como generador de diente de sierra. b) Forma de onda de Vo. En el momento que entra en conduccin el SIDAC, este descarga rpidamente el condensador C hasta su tensin de mantenimiento (VH). El dispositivo estar permanentemente en ese estado siempre que se asegure la corriente de mantenimiento IH de 100mA.

Pero en este circuito, la corriente que circula por R es menor que la corriente de mantenimiento, luego el SIDAC pasara a estado de corte de forma natural permitiendo que el condensador se cargue nuevamente a travs de R y se repita el proceso indefinidamente. Si se desea que el SIDAC permanezca en conduccin permanente con Vo = VH es preciso asegurar la corriente de mantenimiento, para lo cual la resistencia R tiene que ser menor que el valor de la resistencia critica obtenido por la siguiente expresin

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A continuacin un ejemplo de la hoja caracterstica de un SIDAC:

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EL SBS
El SBS o Silicon Bidirectional Switch es un dispositivo de baja potencia simtrico para aplicaciones de disparo ms verstil que el SIDAC. Tiene adems un terminal adicional (gate o G) que permite modificar sus caractersticas de disparo con pequeos pulsos de corriente (decenas de A). Su reducido coste, alta velocidad y capacidad para disparar puertas de tiristores con altos valores de corriente hace que este dispositivo sea muy til en muchas aplicaciones. EL SBS no es solamente un versin mejorada del diodo de cuatro capas, sino que es fabricado como un circuito integrado constituido por transistores, diodos y resistencias. La figura 166a muestra su smbolo, la figura 166b su estructura a nivel circuital y la figura 166c sus caractersticas I -V. El MBS4991 de Motorola es un ejemplo tpico de un SBS simtrico. Sus parmetros caractersticos de acuerdo a la grafica de la figura 166c son: VS=8 V, IS=175 A, |H=0.7mA y VF=1.4 V El disparo de este dispositivo se puede realizar bien superando la tensin VS o bien aplicando una corriente de puerta IGf=100A.

Figura 166. SBS: a) smbolo, b) circuito equivalente y c) Curva caracterstica I-V

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A continuacin un ejemplo de la hoja caracterstica de un SBS:

LECCIN: 27 EL SCR (SILICON CONTROLED RECTIFIER)


El SCR o Silicon Controled Rectifier es un dispositivo triterminal (A o nodo, C o ctodo y G o gate o puerta de control) muy similar al diodo de cuatro capas descrito en la anterior seccin pero que posee una entrada adicional (G) que permite disparar el dispositivo antes de alcanzar la VBO. En la figura 167a se muestra el smbolo del SCR y en la figura 167b su modelo a nivel transistor. En el modelo a nivel de transistor se observa claramente que al introducir una corriente por la lnea G se produce la conduccin de los transistores, es decir, el disparo del

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dispositivo sin ser necesario alcanzar la VBO. La figura 168 permite ver claramente como las caractersticas del SCR varan con la corriente de su puerta cuyos valores son del orden de miliamperios o inferiores.

Figura 167. a) Smbolo del SCR, b) Modelo a nivel de transistor

Figura 168. Caractersticas I-V del SCR. A continuacin se detallan algunos parmetros caractersticos de los SCR. Tiempo de conduccin (Turn-on Time). Tiempo de duracin mnima de la tensin de disparo para pasar el SCR de bloqueo a conduccin. Este tiempo tiene dos componentes: TON = td + tr, siendo td el tiempo de retraso (delay time) y tr el tiempo de subida (rise time). Por ejemplo, el 2N5060 tiene el TON= td + tr =3s + 0.2us= 3.2s.

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Tiempo de corte (Turn-off Time). Tiempo que el SCR puede permanecer por debajo de las condiciones de mantenimiento. El 2N5060 tiene un TOFF = tq de 10s.

MXIMA CORRIENTE DE CONDUCCIN.


Mxima corriente eficaz que puede circular por el SCR durante el estado de conduccin. Para el 2N5060, la IT (rms)=0.8A. Velocidad crtica de elevacin. Variaciones muy rpidas de tensin entre el nodo y ctodo en un SCR pueden originar un disparo indeseado. Para evitar este problema, la variacin de tensin nodo - ctodo no debe superar un valor conocido como velocidad critica de elevacin (dv/dt); si se supera este valor adems de producir el disparo puede llegar a deteriorar el dispositivo. El 2N5060 tiene un dv/dt=30V/s. A veces transitorios en las lneas de alimentacin pueden originar problemas de comportamiento del SCR al ser superado su velocidad crtica de elevacin. Los circuitos de proteccin contra transitorios de corriente (figura No. 169a) y transitorios de tensin (figura 169b) evitan este indeseado disparo. Bsicamente son filtros basados en RC o inducciones que eliminan esas seales espureas.

Figura 169. Circuitos de proteccin contra transitorios de a) tensin b) intensidad.

REGULACIN EN POTENCIA DE UN SCR.


Existe una gran variedad de aplicaciones de potencia basadas en los tiristores como elementos de control. Su propiedad de conmutacin de corte a conduccin y viceversa resulta muy til cuando se desea controlar la transferencia de potencia a una carga. Las aplicaciones ms comunes de uso domestico son los reguladores de luz, control de velocidad de motores, etc.

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Figura 170. Circuito regulador de potencia basado en un SCR. En la figura 170 se muestra la estructura bsica de un circuito regulador de potencia bsico. Se quiere entregar una determina energa de la red elctrica a una carga (ZL) y, para ello, se utiliza un tiristor (en este caso un SCR) como dispositivo de control y un circuito de disparo que controla ese tiristor. Este circuito de disparo introduce un desfase respecto al inicio de la onda sinusoidal; a se le denomina ngulo de desfase o de disparo y a - ngulo de conduccin. En la figura 171 se representa las formas de onda del regulador de potencia. Se identifican tres zonas del funcionamiento del tiristor:

Figura 171. Formas de onda del circuito de la figura 170. 1) 0 < . El SCR est bloqueado. En estas condiciones no circula ninguna corriente por la carga (IL=0) y la VAK = Vm sen. 2) < . En el instante = el circuito de disparo aplica un pulso que hace entrar el SCR a conduccin. Aparece una corriente por la carga de valor IL= Vm sen /ZL, si se desprecia la cada de tensin en el SR (VAK~0V). En esas condiciones, VS=VL+VAKVS.

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3) < 2. En el instante = el SCR conmuta a corte de forma natural. En el semiperiodo negativo el SCR se mantiene a corte porque la tensin del nodo es inferior a la del ctodo. La corriente es nula (IL=0) y la VAK = Vm sen. En trminos eficaces, la corriente eficaz (RMS) entregada a la carga se obtiene mediante la siguiente ecuacin:

Y, de una manera similar, la tensin eficaz (rms) de la carga:

La potencia eficaz entregada a la carga se define como el producto de la corriente eficaz por la tensin eficaz.

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A continuacin un ejemplo de la hoja caracterstica de un SCR:

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LECCIN: 28 OTROS TIRISTORES


Existen otros dispositivos de cuatro capas cuyo modo de funcionamiento es similar a la de un SCR. En esta seccin se realiza una breve descripcin de las variantes del SCR ms importantes.

FOTO-SCR O LASCR
El foto-SCR o SCR activado por luz (light activated SCR o LASCR) es, como su propio nombre indica, un SCR cuyo disparo es controlado por luz. Cuando la luz incidente es suficientemente intensa, el SCR se dispara y permanece en conduccin aunque desaparezca esa luz. En la figura 172a se muestra su smbolo y en la figura 172b aparece una aplicacin sencilla del foto-SCR con una resistencia ajustable que controla la intensidad de luz incidente de disparo. Un ejemplo de un LASCR es el SP-101 de SunPowe.r que se activa cuando la luz incidente es de 24 mW/cm2.

Figura 172. Foto-SCR o LASCR: a) Smbolo y b) ajuste de sensibilidad a la luz.

EL GTO
El GTO o Gate Turn-Off SCR es un tiristor que puede ser disparado con un pulso positivo a su terminal gate y bloqueado si se aplica un impulso negativo a ese mismo terminal. El GTO se emplea actualmente en muchas aplicaciones interesantes en el dominio de altas potencias cuyo control se realiza fcilmente mediante transistores bipolares. Los bajos requerimientos de potencia de su control facilitan la aplicacin de tcnicas de modulacin de anchura de pulsos. En la figura 173 se indica su smbolo. El MGTO1000/2000 de Motorola es un GTO diseado para aplicaciones de alta velocidad y es capaz de proporcionar hasta 18 A.

Figura No. 173. Smbolo de un GTO

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EL PUT
El PUT o programable unijunction transistor perteneciente a la familia de los dispositivos uniunin y sus caractersticas son similares al SCR. En la figura 174a se indica su smbolo. Es un dispositivo de disparo nodo-puerta (anode-gate) puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tensin ms negativa que el nodo, es decir, la conduccin del PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales. Como ejemplo sencillo, la figura 174b muestra el esquema de un oscilador de relajacin basado en este dispositivo. La tensin de puerta est fijada a un valor constante a travs de las resistencias R1 y R2. Si inicialmente el condensador esta descargado, la tensin del nodo es menor que la de la puerta (VA<VG) y el PUT est cortado. En estas condiciones, el condensador se carga a travs de R aumentando la tensin del nodo. Llegara un momento en que VA=VG y, en ese instante, se dispara el PUT el cual descarga bruscamente el condensador C produciendo una cada de tensin en la resistencia Ro. Si R y Ro tienen un valor que impida circular a travs del PUT la corriente de mantenimiento mnima de conduccin el dispositivo se cortara y el condensador se carga nuevamente a travs de R repitindose el proceso.

Figura 174. a) Smbolo del PUT y b) oscilador basado en un PUT.

EL TRIAC
Un TRIAC (Triode for Alternative Current) es un SCR bidireccional que se comporta como dos SCR en paralelo e invertidos, de tal manera que este dispositivo puede controlar corriente en cualquier direccin. Normalmente, tiene una tensin de ruptura alta y el procedimiento normal de hacer entrar en conduccin a un TRIAC es a travs de un pulso de disparo de puerta (positivo o negativo). La figura 175a muestra su smbolo y la figura 175b su modelo equivalente basado en dos SCR conectados en oposicin. Ejemplos tpicos de TRIACS: BT136 (de 5 A) y el BT138 (16A) de Philips y la serie MAC de Motorola con corrientes de 8 A (MAC97-8) hasta 350 A (MAC224A4).

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Figura 175. a) Smbolo del TRIAC y b) Modelo equivalente en SCRs.

TRIAC CON ACOPLADO PTICO (OPTO COUPLER TRIAC)


Los TRIAC acoplados pticamente combinan un diodo emisor de luz (LED) con un TRIAC foto-detector (foto-TRIAC) dentro de un mismo encapsulado opaco con un esquema mostrado en la figura 176. Al no existir conexin elctrica entre la entrada y la salida, el acoplo es unidireccional (LED al foto-TRIAC) y permite un aislamiento elctrico entre ambos dispositivos de hasta 7500 V (typ). Adems, algunos foto-TRIAC incluyen un circuito de deteccin de paso por cero que permite sincronizar seales de la red elctrica con seales de control del LED para ajustar el ngulo de conduccin.

Figura 176. Esquema de un opto-TRIAC. Como ejemplo de estos circuitos se encuentra el MOC3009 (Motorola) que necesita una corriente en el LED de 30 mA para disparar el foto-TRIAC o el MOC3021 (Motorola) que nicamente requiere 10mA. Cuando el LED est apagado, el foto-TRIAC est bloqueado conduciendo una pequea corriente de fuga denominada IDrm (peak-blockingcurrent). Cuando el diodo conduce, dispara al foto-TRIAC pudiendo circular entre 100 mA y 1 A. Al no ser un dispositivo que soporte grandes niveles de potencia, el propio foto-TRIAC en muchos casos acta sobre el control de un TRIAC de mucho mayor potencia, tal como se indica en la figura 177. En este circuito, una seal digital (por ejemplo, una seal de un microcomputador) activa el opto-acoplador que a su vez activa el TRIAC de potencia conectado a la red elctrica; el valor de R est comprendido entre 50 y 500.

Figura 177. Esquema de un opto-acoplador TRIAC para activar un TRIAC de mayor potencia.

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A continuacin un ejemplo de la hoja caracterstica de un TRIAC:

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EL TRANSISTOR UJT DE UNIUNIN.


El transistor de uniunin (unijunction transistor) o UJT est constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. En la figura 178a aparece la estructura fsica de este dispositivo. El emisor est fuertemente dopado con impurezas p y la regin n dbilmente dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10 K estando el emisor abierto). El modelo equivalente representado en la figura 178b est constituido por un diodo que excita la unin de dos resistencias internas, R1 y R2, que verifican RBB=R1+R2. Cuando el diodo no conduce, la cada de tensin en R1 (V1) se puede expresar como:

Donde VB2B1 es la diferencia de tensin entre las bases del UJT y es el factor de divisin de tensin conocido como relacin intrnseca. El modelo de este dispositivo utilizando transistores se muestra en la figura 178c, cuya estructura es muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conduccin los transistores la cada de tensin en R1 es muy baja. El smbolo del UJT se muestra en la figura 178d.

Figura 178. Transistor UJT. a) Estructura fsica, b) Modelo equivalente, c) Circuito equivalente y d) smbolo.

FUNCIONAMIENTO DE UN UJT
El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. En la grafica de la figura 179 se describe las caractersticas elctricas de este dispositivo a travs de la relacin de la tensin de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE). Se definen dos puntos crticos: punto de pico o peak-point (VP, IP) y punto de valle o valleypoint (VV, IV), ambos verifican la condicin de dVE/dIE=0. Estos puntos a su vez definen tres regiones de operacin: regin de corte, regin de resistencia negativa y regin de saturacin, que se detallan a continuacin:

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Figura 179. Caractersticas elctricas de un UJT. Regin de corte: En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la tensin intrnseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuacin: VP = VB2B1 + VF donde la VF vara entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V. Por ejemplo, para el 2N2646 es de 0.49V a 25 C. El UJT en esta regin se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB. Regin de resistencia negativa: Si la tensin de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en conduccin e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinacin. Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE< 0). En esta regin, la corriente de emisor esta comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV). Regin de saturacin: Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal de muy baja resistencia entre la tensin y la corriente de emisor. En esta regin, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT entrara de forma natural a la regin de corte. En la figura 180 tambin se observa una curva de tipo exponencial que relaciona la VE y la IE cuando la base B2 se encuentra al aire (IB2=0). Esta curva tiene una forma similar a la caracterstica elctrica de un diodo y representa el comportamiento del diodo de emisor.

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OSCILADOR DE RELAJACIN CON UJT


Una de las aplicaciones ms tpicas del UJT es la construccin de osciladores de relajacin que se utilizan en muchos casos como circuito de control de SCR y TRIAC. El esquema elctrico de este circuito se muestra en la figura 180a. Cuando el UJT est en la regin de corte, el condensador C se carga a travs de R. Este proceso de carga finalizara si la tensin de emisor (VC) es suficiente para entrar al UJT en la regin de resistencia negativa (VC=VP), en cuyo caso la corriente de emisor descarga bruscamente el condensador hasta alcanzar la tensin de valle (VC=VV). En estas condiciones, si el circuito ha sido diseado para que la resistencia R no proporcione la suficiente corriente de mantenimiento (IE<IV) entonces el UJT conmutara de forma natural a corte y el condensador volver a cargarse de nuevo a travs de R. La figura 180b indica el diagrama temporal de las tensiones VC, VOB1 y VOB2. En resumen, para asegurar que el circuito de la figura 180a se comporta como un oscilador, R debe verificar que:

Figura 180. El UJT como oscilador de relajacin: a) esquema elctrico y b) diagrama temporal. Las ecuaciones que verifica este oscilador son las siguientes. VC. Proceso de carga del condensador se realiza a travs de R. Se inicia con la tensin VV y tiende a cargarse hasta VCC. La tensin VC viene dada por la siguiente ecuacin: (7.13) Periodo de oscilacin. El periodo de oscilacin esta definido por el tiempo (to) que tarda el condensador en alcanzar la tensin de activacin del UJT (VP). Es decir, el tiempo to necesario para que la tensin VC (t=to)=VP se obtiene a partir de la ecuacin 7.13 y vale

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Vob1 y Vob2. Estas tensiones las proporciona el fabricante en forma de grafica en funcin de las resistencias RB1 y RB2 asociadas a la base del UJT; se supone que RB1 y RB2 <<Rbb. El tiempo de validez de estas tensiones depende del tiempo de conmutacin y corte del UJT y suelen ser del orden del 1% del periodo de oscilacin del circuito. Por ejemplo, el 2N2646 produce una tensin VOB1=5 V (typ) si RB1=20 y VB2B1=20 V. A continuacin un ejemplo de la hoja caracterstica de un UJT:

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LECCIN: 29 ACTIVACIN O DISPARO Y BLOQUEOS DE LOS TIRISTORES


El tiristor es un dispositivo de estado slido que su modo de operacin emula a un rel. En estado de conduccin tiene una impedancia muy baja que permite circular grandes de niveles de corriente con una tensin nodo-ctodo del orden de 1V. En estado de corte, la corriente es prcticamente nula y se comporta como un circuito abierto. A continuacin se describen las diferentes maneras de activar o disparar y de bloqueo de un tiristor. Existen cuatro maneras de poner a un tiristor en estado de conduccin:

ACTIVACIN O DISPARO POR PUERTA.


El mtodo ms comn para disparar un tiristor es la aplicacin de una corriente en su puerta. Los niveles de tensin y corriente de disparo en la puerta deben tener un rango de valores comprendidos dentro de una zona de disparo de seguridad. Si se sobrepasa ese lmite puede no dispararse el tiristor o puede deteriorarse el dispositivo; por ejemplo, para el 2N5060 la mxima potencia eficaz que puede soportar la puerta es PG (av)=0,01W. Grficamente, en la figura 181 se muestra la forma tpica de esa zona de seguridad de disparo del SCR TF521S de Sanken Electric; obsrvese la su elevada dependencia con la temperatura. Este tiristor soporta corrientes de hasta IT (rms)= 5A y la corriente mxima de disparo es IGT (mx.)= 15mA a 25 C para una VGT (mx.)= 2.5V. Otro ejemplo es el C701 de SPCO capaz de soportar 1300A con una corriente IGT=500mA. Adems, el disparo debe tener una duracin dependiente del tiristor con valores tpicos de 1useg para que resulte eficaz. El tiempo de conexin o de activacin es el tiempo que tarda en conducir el tiristor desde que se ha producido el disparo. Los valores tpicos de tiristores comerciales estn alrededor de 1 a 3 seg, aunque para aplicaciones especiales como son los moduladores de impulsos de radar se fabrican tiristores con valores por debajo de 100nseg.

Figura 181. Zona de seguridad de disparo del SCR TF521S.

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ACTIVACIN O DISPARO POR LUZ.


Un haz luminoso dirigido hacia una de las uniones del tiristor provoca su disparo. Son los dispositivos conocidos como foto-SCR o LASCR y sus derivados (fotoTRIAC, Opto-TRIAC, etc.). El SP-101 de Sunpower es un ejemplo tpico de un LASCR de 2A que precisa de una radicacin luminosa efectiva de 24mW/cm2 con una longitud de onda de 850nm para su activacin.

ACTIVACIN POR TENSIN DE RUPTURA.


Un aumento de la tensin nodo-ctodo puede provocar fenmenos de ruptura que activa el tiristor. Esta tensin de ruptura directa (VBO) solamente se utiliza como mtodo para disparar los diodos de cuatro capas.

DISPARO POR AUMENTO DE DV/DT.


Un rpido aumento de la tensin directa de nodo ctodo puede producir una corriente transitoria de puerta que active el tiristor. Generalmente se elimina este problema utilizando circuitos de proteccin basados en R, C o L (figuras 169a y 169b). Valores tpicos de dv/dt estn comprendidos entre 5 V/seg a 500 V/seg.

Figura 182. Circuitos de disparo de SCR. a) y b) circuitos de disparo en DC, c) circuito de disparo por impulso, y d) circuito de disparo controlado por seal alterna.

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Existen numerosos circuitos de disparo de tiristores que pueden ser clasificados en tres tipos bsicos en funcin del tipo de seal de disparo: DC, impulso o fase de alterna. Los circuitos de disparo en DC estn basados en un interruptor mecnico o electrnico (figura 182a) que incluyen circuitos de proteccin para evitar daos al tiristor. Estas seales tambin pueden ser generadas desde un ordenador o cualquier circuito de control digital (figura 182b). Los circuitos de disparo por impulso estn basados generalmente en un transformador de acoplo que transmite el pulso de disparo (figura 182c). Este transformador permite el aislamiento elctrico entre el tiristor y el circuito de control y precisa menor potencia de disparo. Sin embargo, son ms voluminosos debido al tamao del transformador y suelen ser sustituidos por opto-acopladores luminosos. Por ltimo, los circuitos de disparo en alterna estn diseados para sincronizar la fase entre el suministro en alterna y el disparo que permita la regulacin en potencia (figura 182d). Debido a la importancia de este ultimo tipo de disparo, se va a dedicar un apartado completo a su estudio.

BLOQUEO DE UN TIRISTOR.
La conmutacin en corte o bloqueo es el proceso de poner en estado de corte al tiristor que puede realizarse de tres formas: conmutacin natural, polarizacin inversa o conmutacin por puerta. Conmutacin natural. Cuando la corriente del nodo se reduce por debajo de un valor mnimo, llamado corriente de mantenimiento, el tiristor se corta. Sin embargo, hay que sealar que la corriente nominal de un tiristor es del orden de 100 veces la corriente de mantenimiento. Para reducir esa corriente es preciso abrir la lnea, aumentando la impedancia de carga o derivando parte de la corriente de carga a un circuito paralelo, es decir, cortocircuitando el dispositivo. Corte por polarizacin inversa. Una tensin inversa nodo-ctodo tendera a interrumpir la corriente del nodo. La tensin se invierte en un semiperiodo de un circuito de alterna, por lo que un tiristor conectado a la lnea tendr una tensin inversa en un semiperiodo y se cortara. Esto se llama conmutacin por fase o conmutacin de lnea alterna. Corte por puerta. Algunos tiristores especialmente diseados, como los GTO, se bloquean con una corriente de puerta negativa. El tiempo de conmutacin en corte es el tiempo que tarda en bloquearse un tiristor. Con conmutacin natural su valor est comprendido entre 1 a 10 useg, mientras que conmutacin forzada puede ser de 0.7 a 2useg. Sin embargo, existen gran variedad de tiristores diseados para tener tiempos de conmutacin muy bajos.

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LECCIN 30: ALGUNAS APLICACIONES TPICAS DE LOS TIRISTORES.


Los tiristores son sumamente populares en el control de potencia en cargas resistivas e inductivas como motores, solenoides, calefactores, etc. Comparados con los dispositivos equivalentes mecnicos como son los reles, los tiristores ofrecen mayor fiabilidad, mejores prestaciones y menor costo. En esta seccin se analizan algunas aplicaciones tpicas con tiristores para dar una idea de sus mltiples posibilidades.

REGULACIN DE LUZ
Una de las aplicaciones ms tpicas de uso domestico es el regulador de luz. La figura 183 muestra un esquema de este circuito basado en el TRIAC MAC218A de Motorola y cuyo control de disparo se realiza a travs de un SBS. La resistencia R1+R2 carga el condensador C1 a travs de la propia tensin de alimentacin en alterna y cuando se alcanza la tensin de ruptura del SBS, este dispara el TRIAC haciendo circular la corriente por la carga (lmpara). El uso de TRIAC y SBS permite el control de potencia en semiperiodos positivos y negativos. El ngulo de conduccin se controla a travs de la resistencia variable R1; contra mas pequeo sea su valor el ngulo de conduccin ser mayor, y viceversa. Las ecuaciones de funcionamiento del circuito son difciles de extraer pero en la figura 183 se indican los valores tpicos de los diferentes componentes. Los diodos, la resistencia de R4 y el condensador C2 actan como elementos de proteccin.

Figura 183. Regulador de luz Un segundo ejemplo de circuito de regulador de luz se indica en la figura 184. En este caso, el UJT 2N4870 es el encargado de disparar al TRIAC. El circuito de polarizacin del UJT est constituido por un circuito rectificador de diodos, una resistencia y el diodo zener 1N4871 de 22V; con ello se consigue obtener la seal

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VS indicada en la parte inferior de la figura. Esta seal seria prcticamente una onda cuadrada si no existiese el TRIAC. El disparo del TRIAC hace que la cada de tensin en sus terminales sea muy baja (~1 a 2V) anulando el circuito de polarizacin (VS ~ 0V). El UJT acta como oscilador de relajacin cuya frecuencia est determinada por R1 y C1. La activacin del UJT dispara a su vez el TRIAC a travs de un pequeo transformador. El ngulo de conduccin del TRIAC oscila entre =0 a 170 en cada semiperiodo.

Figura 184. Regulador de luz con UJT.

CONTROL DE VELOCIDAD DE MOTORES


El control de velocidad de los motores se ha realizado en base a SCR en mayor medida que en TRIAC. A primera vista, el TRIAC presenta mayores ventajas debido a su simetra, lo que le confiere ciertas ventajas frente al SCR que nicamente conduce en un semiperiodo. Sin embargo, el TRIAC tiene unas caractersticas dv/dt inadecuadas para el control de motores y es difcil la realizacin de circuitos de control simtricos. Por otra parte, el SCR puede conducir en todo el periodo si se rectifica la seal de red. Las figuras 185a y 185b muestran dos ejemplos sencillos de control realizados a travs de SCR de un motor universal (Figura 185a) y un motor de imn-permanente (Figura 185b).

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Figura 185. Control de velocidad de motores. a) Motor universal b) motor de magneto-permanente.

CONTROL DE CALOR CON SENSOR DE TEMPERATURA.

Figura 186. Circuito de control de calor. El circuito de control de calor mostrado en la figura 186 ha sido concebido para controlar la temperatura de una habitacin, bien utilizando una fuente de calor (por ejemplo, una resistencia elctrica o un horno) o bien utilizando un ventilador (o cualquier dispositivo refrigerador). El circuito de disparo se realiza a travs de un UJT que introduce un ngulo de conduccin de los TRIAC que va a depender de la temperatura de la habitacin medida a travs de una resistencia trmica (termistor) RT cuyo valor es de 2 k a 25 C; el rectificador de puente de diodos y el diodo zener 1N5250A alimentan a este circuito de disparo. R2 se ajusta para que el transistor bipolar 2N3905 este en corte a una temperatura dada. Cuando el 2N3905 est en corte ninguna corriente carga el condensador C y, por consiguiente, el UJT y los TRIAC estn cortados. Si el 2N3905 esta a ON, este carga el condensador C y dispara el UJT cuando alcanza la tensin VP. El tiempo que tarda en alcanzar la tensin VP del UJT depende de RT. Un incremento en la temperatura disminuye el valor de RT, y por consiguiente, disminuye el valor de corriente de colector del transistor aumentando a su vez el tiempo de carga del condensador (disminuye el ngulo de conduccin). Por el contrario, al disminuir temperatura aumenta el ngulo de conduccin. El modo de operar con la temperatura se invierte si se intercambia RT con R2.

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FUENTES DOCUMENTALES DE LA UNIDAD 2


Albert Paul Malvino "Principios de Electrnica", Editorial McGraw Hill. Electrnica Analgica Para Ingenieros Pleite Guerra, Jorge Floyd Electronic_Devices 7 edicin Curso fcil de electrnica bsica CEKIT Transistor CircuitTechniquesdiscrete and integrated Third edition G.J.Ritchie Lessons In Electric Circuits, Volume III Semiconductors By Tony R. Kuphaldt Third Edition, Electrnica - Hambley Allan R. (2da Edicin) Electrnica: Teora De Circuitos Y Dispositivos Electrnicos por: Boylestad

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