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AbstractThis paper we present the results obtained by performing laboratory gunn oscillator of the subject lines and antennas on the subject of waveguides. Here we look at the physical fundamentals of microwave technology to analyze the characteristics of the oscillator gunn. I. INTRODUCCION Uno de los dispositivos que ms importancia est cobrando en estos das es el oscilador. Su cuidadoso diseo se debe a su gran influencia en la calidad final de todos los sistemas heterodinos, que son la base de todos los sistemas de comunicacin y difusin que estn funcionando en frecuencias de Microondas. Caractersticas como el ruido de fase y la precisin son fundamentales a la hora de conseguir alcanzar todas las potencialidades que ofrecen las modernas tcnicas de modulacin digital de las seales. Las tcnicas de diseo de osciladores de menor frecuencia son vlidas en el rango de las microondas, siempre teniendo en cuenta dos detalles: 1) los dispositivos activos a usar sern los especficos de estas frecuencias y 2) la ausencia de un elemento fundamental como es la bobina, hace que se exploren otro tipo de estructuras que cumplan la funcin de oscilador. Dentro de estas podramos citar los osciladores basados en dispositivos de Resistencia Negativa: diodos Gunn y diodos Impatt, que basan su funcionamiento en su capacidad de presentar una resistencia negativa efectiva en sus terminales, con lo que la teora de circuitos dice que son capaces de generar energa en lugar de disiparla, como ocurre en las resistencias normales. A estos osciladores, se los denomina como de 2 Terminales. Los osciladores Gunn estn compuestos por una cavidad resonante (cavidad cerrada metlica) y un elemento Gunn. La caracterstica corriente-tensin IG=f(UG) del elemento Gunn contiene una regin con pendiente negativa. Slo en esta regin de la caracterstica el elemento Gunn no atena y puede compensar las prdidas en el resonador de tal forma que la oscilacin se hace permanente y es posible obtener una
potencia til de microondas. En este ensayo se registra y representa la corriente Gunn IG y la potencia de microonda PM en funcin de la tensin de c.c. UG del elemento Gunn. II. DESARROLLO DE CONTENIDOS A. Procedimiento Se hace el montaje del oscilador gunn toman datos de voltaje contra corriente y se guardan los datos de la tabla y la grfica que arroja el cassy lab ubicando el diodo gunn a tres distancias distintas, repetimos el procedimiento pero esta vez utilizaremos para mirar la potencia.
III.
OBJETIVOS
Observar y analizar el comportamiento de los fundamentos fsicos de las caractersticas microondas mediante el oscilador gunn. IV. ANALISIS DE DATOS voltaje
potencia a 51cm
150 100 voltaje 50 0 -50 0.01 0.32 0.68 1.07 1.53 2.03 2.57 3.19 3.92 4.75 5.45 6.58 7.58 8.93 10.24 0.14 1.03 1.8 2.48 2.77 3.07 3.31 3.77 4.54 5.38 6.36 7.49 8.35
-100
-100
potencia a 76.5 cm
50 40 voltaje 30 20 10 0 -10 0.01 0.26 0.58 0.96 1.55 2.27 3.15 3.72 4.59 5.63 6.63 7.47 8.32 9.32 V. ANEXOS
Foto5: Graficas Voltaje corriente a 51 cm cassy lab Foto2: Montaje del oscilador gunn
no puede ser determinado. Es importante tener en cuenta la dependencia que existe entre la regin que desciende en la caracterstica corriente-tensin y la generacin de la potencia de microondas.
REFERENCIAS
[1] [2] [3] http://www.labvolt.com/downloads/datasheet/dse8090.pdf http://co.tuhistory.com/zona-de-tecnologia/vida-cotidiana/diodogunn.html http://maixx.files.wordpress.com/2011/05/codificacion.pdf
VI. CONCLUSIONES La medicin de la potencia de microondas PM se realiza con un detector no calibrado. Por esta razn su valor numrico