Memrias

Equipe: Edgleice Rodrigues Jefferson Cavalcante Halleno Prado

ndice
Introduo; Classificao; Estrutura geral; Organizao; Memria ROM; Memria PROM; Memria EPROM; Memria EEPROM; Memria RAM;

Introduo
Definio de memria: Dispositivos capazes de armazenarem informaes Exemplos: Nmeros, letras, caracteres, endereos e etc.

Introduo
Sua utilidade no interesse de nossa rea de estudo est encontrase no emprego da informtica, utilizado principalmente em computadores e seus perifricos.
So capazes de armazenarem dados para endereamento, programao e para construir um conjunto de programas para permitir a funcionalidade de um certo sistema.

Como Classificamos as memrias

Podem ser classificadas de inmeras maneiras, as principais so: Acesso; Volatilidade;

Troca de Dados; Tipo de armazenamento.

Acesso
obtido atravs da localidade de memria, onde cada uma dessas localidades possuem um conjunto de bits ao qual denominamos de endereo de memria. Outro conceito importante o tempo de acesso, ou seja o tempo que a informao apresentada na entrada at ser processada na sada.

Acesso
O acesso pode acontecer de duas formas:

Acesso Sequencial; Acesso Aleatrio;

Acesso
Acesso Sequencial: Dado um endereamento de memria, permitimos chegar at est, somente passando por todas as localidades intermedirias.
Acesso Aleatrio: acessada de forma mais rpida. Dado um endereo de memria chegamos a ela diretamente sem passar por localidades intermedirias.

Volatilidade
Volteis e No-volteis: Volteis: Quando cortada a alimentao acabam perdendo as informaes armazenadas(Ex: RAM); No-volteis: Mesmo sem alimentao continuam armazenando a informao(ROM, PROM e EPROM).

Troca de dados
Escrita e leitura ou apenas leitura; Escrita e leitura: Permitem acesso a qualquer localidade e alm disso permite a leitura;

Leitura: A informao fixa. So conhecidas como ROM(Read-Only memory).

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Tipos de armazenamento
Esttica e Dinmicas: Armazenamento Esttico: Uma vez inserido um dado em uma localidade, est l permanece;
Armazenamento Dinmico: So aquelas em que necessita inserir as informaes constantemente, pois de acordo com suas caractersticas essas informaes se perdem de tempos em tempos.

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Estrutura e Organizao
Uma memria armazena ou acessa as informaes atravs do endereamento, em lugares chamados localidades de memria.
Para o acesso as localidades: Barra de Endereos: Responsvel pelo endereamento; Barra de Dados: Entrada e sada de dados. Barra de Controle;

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Estrutura e Organizao

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Estrutura e Organizao
Nxm;

Onde: N: Nmero de localidades da memria; m: Nmero de bits da informao;

m

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Estrutura e Organizao
Memrias usuais na prtica: 32x8; 128x8; 1Kx4; 64Kx8; 2Mx16.

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Estrutura e Organizao
Capacidade de memria: Nmero total de bits que pode ser armazenado em uma memria;
Palavra de Endereo: Conjunto de nveis lgicos para o endereamento de dados;

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Memria ROM

ROM: Read Only Memory

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Caractersticas
Somente Leitura Acesso Aleatrio No Voltil Circuito Combinacional

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Aplicaes
Sistemas microprocessados: programas armazenamento de

Transferncia de dados e armazenamento: pen drives, MP3 Players, cartes de memria etc. Memrias bootstrap: BIOS de PCs Startup

Tabela de dados

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Arquitetura Interna

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Arquitetura Interna
Decodificador de endereos: gerador de produtos cannicos (Ex.: 00001000)

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Arquitetura Interna
Ex: Decodificador para 8 sadas A2 A1 A0 d7 d6 d5 d4 d3 d2 d1 d0
0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0

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Arquitetura Interna
Ex: Decodificador para 8 sadas

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Arquitetura Interna
Matriz de dados: arranjo de linhas e colunas que, atravs de um elo de ligao, permite a gravao e leitura de dados na memria. Na prtica, esses elos so diodos ou transistores.

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Arquitetura Interna
Chaves de sada: conjunto de chaves (buffers tri-state) que controlam o acesso da barra de dados s sadas

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Memrias ROM Programveis

As memrias ROM so fabricadas geralmente
com programao fixa; sob encomenda ; em grandes quantidades.

Para possibilitar a utilizao por parte de pequenos usurios, criaram-se as memrias ROM programveis: PROM, EPROM, EEPROM, FLASH.

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Memria PROM
PROM: Programable ROM Permite uma nica programao, que definitiva
Aps esta programao torna-se uma memria ROM Princpio de programao: destruio das ligaes semicondutoras das localidades de memria, a partir da aplicao de uma tenso recomendada pelo fabricante

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Memria EPROM
EPROM: Erasable Programable ROM Permite uma programao que pode ser apagada
Dividem-se em dois tipos: UVEPROM: memrias EPROM convencionais que podem ser apagados com banho de luz ultra-violeta EEPROM: tipo especial de memria EPROM que pode ser apagado eletricamente

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Memria EPROM

Bloco de uma memria EPROM

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Memria EPROM (Apagamento)

Transistor MOSFET Tenso de 12V
Apagamento atravs da Janela de Quartzo

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Memria EEPROM
EPROM: Electrically Erasable Programable ROM
Tipo especial de memria EPROM, que permite o apagamento parcial dos dados (byte a byte)

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Memria EEPROM

Bloco de uma memria EPROM

Asemelha-se memria EPROM, entretanto possui um terminal habilitador da escrita WE OBS: controvrsia em relao a ser ou no memria ROM
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Memria EEPROM (Apagamento)

Aplicao de uma tenso inversa de gravao Apagamento demorado: clula a clula

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Memria Flash
Pode ser vista como um tipo de memria EEPROM
So mais rpidas e apresentam menor custo que as memrias EEPROM Podem armazenar um volume elevado de dados

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Comparativo entre memrias ROM

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Memrias RAM

RAM: Random Acess Memory

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Memrias RAM
Permitem leitura e escrita de dados; Possuem acesso aleatrio: Dado o endereamento da localidade, ser dada a leitura/escrita diretamente, sem ter que passar nas localidades intermedirias; Volteis: Perdem os dados armazenados, quando a alimentao cortada;

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Tipos
Com relao ao armazenamentos de dados, so diferenciadas em trs tipos, esttica, dinmica e magneto-resistivas. Estticas (SRAM): Utilizando como elemento bsica de memria os flips-flops. Esse tipo muito mais rpido que as memrias DRAM, porm armazena menos dados e possui preo elevado se considerarmos o custo por megabyte. Memrias SRAM costumam ser utilizadas como cache.

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Tipos
Dinmicas (DRAM): Possuem circuitos mais simples, porm, necessitam de reinsero de dados periodicamente em ciclos (refresh), sendo essa operao controlada pelo microprocessador do sistema. Armazena os dados por efeito capacitivo (elemento bsico), por este motivo, apresenta a vantagem de alta capacidade de armazenamento de dados por circuito integrado. Memrias desse tipo possuem capacidade alta, isto , podem comportar grandes quantidades de dados. No entanto, o acesso a essas informaes costuma ser mais lento que o acesso s memrias estticas. Esse tipo tambm costuma ter preo bem menor quando comparado ao tipo esttico.

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Tipos
MRAM : A memria MRAM vem sendo estudada h tempos, mas somente nos ltimos anos que as primeiras unidades surgiram. Trata-se de um tipo de memria at certo ponto semelhante DRAM, mas que utiliza clulas magnticas. Graas a isso, essas memrias consomem menor quantidade de energia, so mais rpidas e armazenam dados por um longo tempo, mesmo na ausncia de energia eltrica. O problema das memrias MRAM que elas armazenam pouca quantidade de dados e so muito caras, portanto, pouco provavelmente sero adotadas em larga escala.

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Funcionamento
Funcionamento SRAM:

A figura mostra uma clula bsica de uma SRAM, que permite a leitura e escrita de dados. Colocando ALTO no terminal SEL, passaremos o controle de escrita ou leitura para o terminal R/W. Quando o terminai SEL recebe ALTO e R/W recebe BAIXO, o terminal D est configurado como escrita.
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Funcionamento
Funcionamento SRAM Com o terminal D configurado como escrita, apliquemos nvel ALTO, como mostrado. A porta NAND superior, ir passar nvel BAIXO, ativando as chaves. Isso faz com que o dado aplicado em D, passe para o FF, que ir armazena-lo. Enquanto a chave da sada do FF, estar aberta, permitindo a escrita de um dado posterior.
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Funcionamento
Funcionamento SRAM: Colocando os terminais R/W e SEL em nvel ALTO, teremos o terminal D em modo de leitura. A porta NAND superior, ir abrir os buffers na entrada do FF, no permitindo incluso de dado no FF. A porta NAND inferior, fechar o buffer na sada do FF, isso permitir a leitura do dado no FF pelo terminal D.
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Funcionamento
Funcionamento SRAM:

Para o caso na qual o terminal SEL receber BAIXO, denominado tri-state. Esse estado mantm as trs chaves abertas, no permitindo qualquer leitura ou escrita de dados.

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Arquitetura Interna
Arquitetura interna das memrias RAM.
O endereamento feito pelos terminais A0 e A1. As chaves seletoras (SEL) das clulas esto interligadas na horizontal. E a chave CS o terminal habilitador do CI.

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Arquitetura interna

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Expanso da capacidade
Em certas aplicaes comum necessitarmos de memrias de maior capacidade das encontradas no mercado, veremos como aumentar sua capacidade. A expanso pode ser obtida atravs pela palavra de dados, aumento das localidades, ou, por ambos. Para comearmos a analise, mostraremos a seguir, um exemplo da expanso atravs da palavra de dados de uma memria de 256x8, que utiliza duas de 256x4.

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Expanso da capacidade
Expanso da capacidade da memria RAM
Como exemplo, tomemos o endereamento 00111110, e passemos o dado 00101000. Primeiramente passemos R/W e CS BAIXO, depois, passemos os o endereo e os dados para suas respectivas barras se sinal.

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Expanso da capacidade
Expanso da capacidade da memria RAM O armazenamento de dados na memria expandida ser feito em duas partes, sendo a MAIS significativa na RAM 1 e a MENOS significativa na RAM 2, isso, como o endereamento simultneo as duas localidades.

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Expanso da capacidade
Como j dissemos, uma outra forma de expanso de memria com o aumento das localidades de memria. Para exemplificar, vamos formar uma memria RAM 128x4, utilizando blocos de estrutura 32x4. Para funcionar na forma 128x4, teremos que utilizar quatro blocos 32x4, sendo o endereamento feito por 7 terminais (2^7 = 128). Utilizaremos os cinco terminais dos blocos interligados, e, usaremos tambm, mais dois terminares auxiliares ligado ao terminal CS por um circuito lgico apropriado.

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Expanso da capacidade
Expanso da capacidade da memria RAM O endereamento ser dado pelos terminais A0, A1, A2, A3, A4 que esto interligados, e por dois terminais auxiliares que esto ligados as portas NAND, estes, responsveis para efetuar a seleo parcial.

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Expanso da capacidade
Expanso da capacidade da memria RAM Para exemplificar, enderearemos a seguinte a localidade 0100000. Com esse endereamento, teremos selecionado a RAM 2, pois, a porta NAND respectiva da RAM 2 ir apresentar nvel BAIXO em sua sada, pois, ela depende de A6 = 0 e A5 = 1, com essa codificao, as outras RAMs, so desativadas. A RAM 2 vai at 0111111.

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Expanso da capacidade
Expanso da capacidade da memria RAM Para mostrar toda a estrutura de endereamento desta memria, a tabela ao lado mostra as palavras de endereo inicial e final de cada RAM.

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Expanso da capacidade
Expanso da capacidade da memria RAM Outra possibilidade de expanso de memria, consiste na ampliao simultnea das palavras de dados e nas localidades. Este processo consiste na fuso dos dois processos mostrados anteriormente.
Exemplificaremos, montando um sistema 256x8, utilizando 128x4, como mostrado ao lado.
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Expanso da capacidade
Expanso da capacidade da memria RAM Para as localidades, teremos, 8 terminais de endereamento (2^8 = 256) e tambm, 8 terminais de dados. Usaremos os 7 terminais de cada bloco, e mais 1 terminal auxiliar ligado ao circuito seletivo. Para aumentar liga-se o sistema em srie, como mostrado na figura ao lado.
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Exerccio Proposto D o mapa de memria da expanso mostrada ao lado.

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Obrigado pela ateno!

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