Banda prohibida en un semiconductor - Israel Garca Garca

Determinacin del intervalo de energa prohibida en un semiconductor

Sinopsis
Con esta prctica se pretende la familiarizacin con la medida de las propiedades elctricas de un material semiconductor, en concreto el germanio. Usando medidas de la conductividad elctrica de este material en un rango determinado de temperaturas se podr determinar la anchura de la banda prohibida del semiconductor, as como una estimacin de la cantidad de dopado del material estudiado.

Fundamento terico
Un semiconductor es un slido cristalino que a 0K posee una banda electrnica completamente llena, o banda de valencia, separada de una banda electrnica vaca (o de conduccin) por un gap de energa o banda prohibida, de energa (~1 eV o menor). A esta temperatura no hay conduccin elctrica porque los electrones no son capaces de cambiar sus estados energticos en presencia de campos elctricos pequeos. Sin embargo, a temperaturas ms altas, existe suficiente activacin trmica como para que algunos electrones sean excitados desde la banda de conduccin a la banda de valencia. Un campo elctrico externo puede ahora efectuar a los estados electrnicos en ambas bandas crendose una intensidad de corriente. Cuanto ms alta sea la temperatura ms electrones sern excitados a la banda de conduccin aumentando por tanto la conductividad elctrica. La presencia de pequeas cantidades de determinadas impurezas puede afectar de forma sustancial la estructura de bandas del material (creando nuevos niveles electrnicos) y por tanto modificando las propiedades elctricas de los semiconductores. As podemos clasificar a los semiconductores en intrnsecos (si poseen una cantidad insignificante de impurezas) y extrnsecos (donde la contribucin de las impurezas es apreciable). Con determinado tipo de impurezas se pueden conseguir niveles energticos adicionales muy cercanos (~0,01eV) a las bandas de conduccin y valencia. Dependiendo del tipo de impurezas se obtendrn a 0K un nivel energtico completamente lleno con una energa inferior, aunque muy cercana al lmite inferior de la banda de conduccin (semiconductor tipo n), o un nivel energtico completamente vaco muy cercano al lmite superior de la banda de valencia (semiconductor tipo p).

Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos qumicos y compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el seleniuro de cinc y el telururo de plomo. El incremento de la conductividad provocado por los cambios

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de temperatura, la luz o las impurezas se debe al aumento del nmero de electrones conductores que transportan la corriente elctrica. En un semiconductor caracterstico o puro como el silicio, los electrones de valencia (o electrones exteriores) de un tomo estn emparejados y son compartidos por otros tomos para formar un enlace covalente que mantiene al cristal unido. Estos electrones de valencia no estn libres para transportar corriente elctrica. Para producir electrones de conduccin, se utiliza la luz o la temperatura, que excita los electrones de valencia y provoca su liberacin de los enlaces, de manera que pueden transmitir la corriente. Las deficiencias o huecos que quedan contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva). ste es el origen fsico del incremento de la conductividad elctrica de los semiconductores a causa de la temperatura. El nmero de portadores y por tanto la conductividad elctrica de un semiconductor extrnseco vara con la temperatura segn se muestra en la figura 1. Pueden distinguirse 3 regmenes bien diferenciados. A bajas temperaturas empiezan a ionizarse las impurezas. Los portadores se crean mediante la excitacin trmica de los niveles energticos adicionales creados por la presencia de impurezas. A este rgimen se le denomina rgimen de ionizacin o extrnseco. Para temperaturas moderadas se considera que todas las impurezas estn ionizadas, de modo que el nmero de portadores permanece constante y la conductividad slo depender ligeramente con la temperatura a travs de la movilidad de los portadores. Este es el rgimen de saturacin. A temperaturas superiores, la energa trmica de los electrones es suficiente para excitar un gran nmero de electrones desde la banda de valencia a la de conduccin, siendo este nmero mucho mayor que el de impurezas, asemejndose el comportamiento al de los semiconductores intrnsecos. Por eso se denomina rgimen intrnseco.

Figura 1: Nmero de portadores de un semiconductor en funcin de la temperatura

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En el rgimen intrnseco podemos obtener la magnitud de la banda prohibida de energa de un semiconductor a partir de la representacin de la conductividad elctrica en funcin de la temperatura usando: = 0 exp

E g 2k B T

(1)

Donde E g es la magnitud de la banda prohibida, k B es la constante de Boltzman y T es la temperatura en kelvin. Es sabido que la conductividad y la resistencia en un slido se encuentran relacionados mediante la ecuacin:

C R=

(2)

Donde es la conductividad y C es un parmetro que depender de la geometra de la sustancia. Si pasamos en (1) dremos que:

0 al primer miembro y ayudndonos de la expresin (2) ten-

E g 0 = exp 2k T B

R0 E g = exp R 2k B T

Haciendo logaritmo neperiano a ambos miembros de la ecuacin: ln E T ( RR )=( 2k )

0 g B 1

(3)

Esta ecuacin nos ser de gran utilidad en el transcurso de la memoria. Por otra parte para estimar la concentracin de impurezas debemos de analizar qu estado corresponde al rgimen de saturacin. Claramente debe estar a temperaturas bajas del rgimen intrnseco y si nos fijamos en la figura 1, teniendo en cuenta 1 que T es alta a T bajas, los puntos tienden a relajarse (tienden a la zona de saturacin). La conductividad va a depender de los portadores obedeciendo la ecuacin:

=(n n + p p ) e
3

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En principio no sabemos si las impurezas del dopaje (por ser un semiconductor extrnseco) son de tipo p o son de tipo n ya que la placa no lo especificaba as como la prctica. Lo que comentaremos los resultados sobre la concentracin de impurezas para ambos casos.

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Montaje experimental:
Para obtener el valor de la banda prohibida E g del semiconductor estudiado debemos medir la conductividad para distintas temperaturas en el rgimen intrnseco. Para esto debemos disear un dispositivo experimental que nos permita medir la conductividad en funcin de la temperatura del semiconductor. Se dispone de los siguientes equipos para realizar la prctica:

Una muestra de germanio dopado desconocido de dimensiones conocidas embutida en una pieza de plstico que acta como aislante (vase la figura 2). Las dimensiones de la muestra son de 20.0mm 10.0mm 1.0mm . Sobre la placa se encuentra as mismo integrados una resistencia cuya funcin es calentar el semiconductor mediante efecto Joule, un termopar tipo K (cromel- alumel) y seis conexiones para elementos externos. Un transformador (de 220V a 6V) conectado en paralelo a un potencimetro regulable (cuya funcin es limitar el voltaje de salida) que se encargar de calentar la placa de germanio por disipacin de calor en la resistencia. Un voltmetro de corriente alterna para medir la ddp suministrada por el transformador. Un voltmetro de corriente continua para medir la diferencia de potencial (fuerza electromotriz termoelctrica) producida en la soldadura del termopar y as poder medir la temperatura de la placa. Para este tipo de termopar y a temperaturas moderadas puede usarse la siguiente escala: 40 V / K Un multmetro que ha de usarse en configuracin de ohmmetro para medir la resistencia de la placa semiconductora.

Usando todos estos elementos vamos a disear un circuito elctrico que nos permita medir la conductividad. Esto aparece en el apartado de resultados.

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Realizacin
1. Realizamos la medida de la temperatura ambiente del laboratorio. Esta es la temperatura de referencia del termopar. Medimos la resistencia del semiconductor para esta temperatura. 2. Encendemos el potencimetro con el valor del voltaje al mnimo. Dado que la realizacin ms correcta de esta prctica requerira demasiado tiempo, se ha procedido a medir los valores de la resistencia para cada variacin de 0,10mV en el termopar hasta alcanzar un valor mximo de 4mV. A medida que la temperatura de la placa va aumentando es necesario suministrar ms potencia y por consiguiente suministrar mayor voltaje e el potencimetro. 3. Una vez alcanzada la temperatura mxima, 100C correspondientes a los 4mV, se procede a disminuir progresivamente el voltaje y por consiguiente la temperatura de la placa. En el proceso de enfriamiento se toman asimismo valores de la resistencia en funcin de la ddp del termopar usando los mismos intervalos de 0,10mV que en la subida. 4. Volvimos a medir la temperatura ambiente en el laboratorio pero esta se mostraba inalterada. Tanto el calentamiento como el enfriamiento de la placa debe ser lo ms lento posible, dentro de las limitaciones impuestas por el tiempo del que se disponga, haciendo que la velocidad de subida sea homognea y lo ms parecida posible a la velocidad de bajada. De este modo, el error sistemtico que se presente en el calentamiento ser igual y de signo opuesto al producido durante el enfriamiento. Este error se cancela al hacer la media de los valores tomados durante estos procesos.

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Resultados El montaje del circuito que hemos diseado a partir de los dispositivos que disponemos quedas especificados en la figura 2 y 3:

Figura 2: Montaje real del circuito a partir de los dispositivos especificados

Figura 3: Montaje esquematizado del circuito

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Todas las conexiones estn montadas en paralelo. El potencimetro en paralelo con el transformador (1) se ocupa de regular la tensin que va a ir soportando el cir cuito en cada instante. Todo ello va conectado al voltmetro (2) que nos indica la tensin con la que estamos trabajando. Este voltmetro lleva una conexin hasta la resistencia que calienta el semiconductor (3). A continuacin, el multmetro en configuracin de ohmmetro (4) se conecta en los bornes del semiconductor para medir as la resistencia que va variando en ste como funcin de la temperatura. Al termopar tipo K (cromel- alumel) es conectado un multmetro funcionando como voltmetro (5) con lo que nos va a medir la tensin entre las soldaduras y con ello las variaciones de temperatura en el semiconductor. Los datos que hemos obtenido a lo largo de la prctica quedan registrados en la tabla 1.
V / mV ( 0,01)

R /( 0,01)
354.96 350.50 341.54 329.88 316.61 301.39 284.61 267.33 250.15 232.28 217.41 200.77 185.62 172.33 158.64 146.81 134.61 125.32 111.98 106.85 98.18

R /( 0,01)
353.88 343.43 330.41 316.40 300.42 284.48 269.99 249.58 234.79 217.63 203.55 187.36 172.73 158.88 146.74 136.22 126.24 116.52 107.74 99.06 91.35

V / mV ( 0,01)

R /( 0,01)
90.40 84.31 78.77 73.43 68.19 63.40 58.76 54.47 51.09 47.67 43.95 41.44 38.87 36.88 34.14 32.10 30.36 28.64 27.15 25.63

R /( 0,01)
85.42 79.10 73.59 67.98 63.29 59.32 55.45 51.29 47.97 44.85 42.06 39.90 37.06 34.82 32.87 30.89 29.13 27.55 26.35 24.62

0.00 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 0.60 0.70 0.80 0.90 1.00 1.10 1.20 1.30 1.40 1.50 1.60 1.70 1.80 1.90 2.00

2.10 2.20 2.30 2.40 2.50 2.60 2.70 2.80 2.90 3.00 3.10 3.20 3.30 3.40 3.50 3.60 3.70 3.80 3.90 4.00

Banda prohibida en un semiconductor - Israel Garca Garca Tabla 1: Datos experimentales obtenidos en el laboratorio. De izqda. a dcha.: 1 y 4 columna tensiones registradas en el termopar, 2 y 5 se presenta la resistencia en el semiconductor en la subida, finalmente 3 y 6 resistencia del semiconductor en la bajada

Si echamos un vistazo a la ecuacin 3 del fundamento terico vemos que para calln ( R 0 / R ) frente a cular el valor de la banda prohibida necesitamos representar T 1 siendo R 0 es el valor de la resistencia en el semiconductor cuando V=0,00mV. Sea R la resistencia media entre la subida y la bajada para un valor cualquiera de la tensin registrada en el termopar y vamos a mostrar el los clculos para V= 0,70mV. Tendremos que:

R+ R 267,33 + 249,58 R= = =258,46 2 2 R= y su error: R R 267,33 249.58 = = 8,88 2 2

R =( 258 9 ) Luego:
Ahora

0 354.92 R = =1.373 y su error: R 258

0 R 0 R = R R

0 2 R R 2 + =1,373 0 R R

)( )

0.04 2 9 2 + =0,05 354.92 258

) ( )

Por tanto

0 R =1,37 0,05 R

Veamos el clculo del logaritmo neperiano:

R ln 0 = ln ( 1,37 )= 0.317 y su error R

( )

0 R 0 R R ln = =0,034 0 R R R

( )

Con lo que finalmente:

ln

= 0,32 0.03 ( R R)

Para el clculo de la temperatura en el semiconductor hay que tener en cuenta que la temperatura medida en el laboratorio era de 25C. Si T 0 es la temperatura ambiente medida en Kelvin T 0= T ' +T amb=(273,15 + 25 ) K = 298.15K :

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T 0,70 mV =T =T 0 + 0,70 mV
y su error ser:

1 V 1 = 315.65K 3 10 mV 40 V / K

T = T

= 315.65K
Con lo que:

( (
1

( (

V 0,001 + V 0,040

)(

))

2 2

+ ( T ' 2+ T 2 = amb )
2 2

0,01 0,001 + 0,70 0,040

) (

))

+ ( 0,012 + 12 ) = 9,14 K

T =( 316 9) K

Para terminar nos queda calcular y su error:

( T )=T

T 1 9 1 =0.00317 K =0.00009 K T 315

5 1

T = 1 / 316K = 0.00317 K

Por ello: T =( 317 9) 10 K

Todos los clculos han sido realizados para V=0,70mV. Los clculos para las dems tensiones los omitiremos pero los resultados quedarn contemplados en la tabla 2:
V / mV ( 0,01)
0.00 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 0.60 0.70 0.80 0.90 1.00 1.10 1.20 1.30 1,40 1.50 1.60 1.70 1.80 1.90

R /
354.920.04 3474 3366 3237 3098 2938 2777 2589 2428 2257 2107 1947 1796 1667 1536 1425 1304 1214 1102 1034

0 / ln ( R R)
0.000.00 0.0230.010 0.0550.017 0.0940.021 0.140.03 0.190.03 0.250.03 0.320.03 0.380.03 0.460.03 0.520.03 0.600.04 0.680.04 0.760.04 0.840.04 0.920.04 1.000.03 1.080.04 1.1730.019 1.240.04

T/K
2981 30131 30317 30613 30811 31110 3139 3169 3189 3219 3239 3269 3289 3319 3339 3369 3389 3419 3439 3469

T 1 / 105 K 1
3351 33334 33018 35714 32512 32210 31910 3179 3149 3129 3098 3078 3058 3028 3008 2988 2968 2948 2918 2897

10

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V / mV ( 0,01)
2.00 2.10 2.20 2.30 2.40 2.50 2.60 2.70 2.80 2.90 3.00 3.10 3.20 3.30 3.40 3.50 3.60 3.70 3.80 3.90 4.,00

R /
953 882 823 763 713 65.72.5 61.42.0 57.11.7 52.91.6 49.51.6 46.31.4 43.01.0 40.70.8 38.00.9 35.60.7 33.50.6 31.50.6 29.80.6 28.10.6 26.80.4 26.62.0

0 / ln ( R R)
1.320.04 1.400.03 1.470.03 1.540.03 1.610.04 1.690.04 1.760.03 1.830.03 1.900.03 1.970.03 2.040.03 2.1110.022 2.1660.019 2.2350.024 2.3010.021 2.3600.019 2.4220.019 2.4790.021 2.5360.019 2.5850.015 2.590.08

T/K
3489 3519 3539 3569 3589 3619 3639 3669 3689 3719 3739 37610 37810 38110 38310 38610 38810 39110 39310 39610 39810

T 1 / 105 K 1
2877 2857 2837 2817 2797 2777 2757 2737 2727 2707 2687 2667 2647 2637 2617 2597 2587 2566 2546 2536 2516

Tabla 2: Por columnas de izqda. a dcha.: Tensin aplicada, Resistencia media registrada en el semiconductor, Logaritmo neperiano del cociente entre la resistencia para V=0.00mV y la resistencia con la tensin aplicada, temperatura a la que se encuentra el semiconductor y finalmente inversa de la temperatura.

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Con estos datos vamos a representar la columna 3 frente a la columna 5:

3,0

0 / ln ( R R)
2,5

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0 250

275

300

325

T / 10 K

350

Figura 4: Logaritmo neperiano del cociente entre la resistencia para V=0.00mV y la resistencia con la tensin aplicada frente al inverso de la temperatura. Si excluimos los puntos extremos vemos que los res tantes se encuentran bien alineados dndose una fuerte dependencia lineal entre ambas magnitudes. Vase como la funcin tiende hacia el rgimen de saturacin.

2,50

0 / ln ( R R)

2,10

1,70

1,30

0,90

0,50 250 260 270 280 290 300

Figura 5: Logaritmo neperiano del cociente entre la resistencia para V=0.00mV y la resistencia con la tensin aplicada frente al inverso de la temperatura. Hemos omitido para este anlisis los puntos extremos que no quedaban alineados quedndonos slo con las temperaturas altas (rgimen intrnseco).

T / 10 K

310

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Vamos a ver los datos que se obtienen a partir de la pendiente: Pendiente:

m=(3697 9 ) K

n =11,94 0,03 Ordenada: Coeficiente de Correlacin = -0,999919 residuo= 0,001577 residuo medio= 0,000060654
La funcin que se ha representado en la figura 5 obedece tericamente a la expresin: ln Por ello: m= E T ( RR )=( 2k )
0 g B 1

( )

E g E g =m 2 k B=( 3697K 8,62 105 eV / K 2 )=0.63736eV 2k B

y su error:

E g= E g
Por tanto

2 m 2 kB + =0.63736eV m kB

) ( )

9 2 0,01 2 + = 0,0017 eV 3697 8,62

) ( )

E g =(0,6374 0,0017) eV

Para estimar la concentracin de impurezas debemos de analizar en la figura 4 qu estado corresponde al rgimen de saturacin. Claramente debe estar a temperaturas 1 bajas y si nos fijamos en la figura, T altos = a T bajas, los puntos tienden a relajarse (tienden a la zona de saturacin). Luego como la temperatura ms baja que hemos medido es la ambiente, ah todas las impurezas deben encontrarse ionizadas. La temperatura ambiente era de 298K. La conductividad depende de los portadores obedeciendo la ecuacin:

=(n n + p p ) e
Como comentamos en el fundamento terico no sabemos si las impurezas del dopaje son de tipo p o son de tipo n ya que esto no quedaba especificado. Si el conductor es de tipo p las impurezas van a ser aceptoras y si son de tipo n sern donadoras.

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En rgimen de saturacin todas las impurezas estarn ionizadas con lo que o son todas de tipo n o p as pues: a) Si son de tipo n:

p 0
0= l S R 0 sustituyendo en la ecuacin anterior para

Tendremos entonces que

p 0 y conocidas las dimensiones del semiconductor:

n=

l = S R0 n e

20mm = 9,01829 1019 m 3 103 m 2 19 10mm 354,92 0,39 m / Vs 1,60217653 10 C 1 mm

2

n=n

2 n 2 l 2 s 2 R0 + + + = n l s R0

) ( ) ( ) ( )
3 2 2
19 3

=9,01829 10 m
Con lo que

19

0,1 1,0 0,04 = 0,9 10 ) +( 10,0 ) +( 354,92 ) +( 0,01 0,39 ) ( 20,0

2 2

19

n =( 9,0 0,9) 10 m

b) Si son de tipo p:

n 0

p=

l = S R0 p e

20mm =1,953964 1020 m3 103 m 2 19 10mm 354,92 0,18 m / Vs 1,60217653 10 C 1 mm

2 p 2 l 2 s 2 R0 + + + = p l s R0

p= p

) ( ) ( ) ( )
3

=1,953964 10 m
Con lo que

20

0,1 1,0 0,04 0,01 20 3 + + + = 0,22 10 m 20,0 10,0 354,92 0,18

) ( ) (
20 3

) ( )

p=( 1,95 0,22 ) 10 m

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Discusin:
El valor terico aceptado para el germanio puro es de E g =0,67 eV . Vemos que los datos obtenidos experimentalmente arrojan valores ( E g =( 0,6374 0,0017 ) eV ) que no concuerdan con el aceptado comnmente. Esto debemos atriburselo a diferentes factores que colaboran en esta diferencia como por ejemplo incidencias naturales sobre los diversos dispositivos (deterioro del semiconductor etc...), o quizs si pudiramos trabajar a temperaturas superiores a 388K ( V T = 4mV ) habramos obtenido ms puntos en rgimen intrnseco con lo que puede que nos acercramos ms an al valor terico aceptado. Ntese que el error experimental en la determinacin de la anchura de banda prohibida es muy pequeo, dado que el error de la pendiente en la figura 5 lo es (puntos muy alineados). Esto pone de manifiesto la fuerte dependencia lineal entre las distintas magnitudes. No obstante hemos tratado que la memoria recoja de la forma ms pedaggicamente posible los objetivos programados por la asignatura.

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Bibliografa:
- Introduccin a la fsica del estado slido por Charles Kittel - Apuntes y transparencias de clase (Fsica del estado slido) - Cmo escribir textos cientficos por Jose Mara Martn Olalla

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