UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

Perfecta Combinacin entre Energa e Intelecto

LABORATORIO DE FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS

Prctica No. 1 CARACTERIZACION DE TRANSISTORES MOS

Ricardo Andrs Gmez Villalobos Juan Pablo Lozano Carvajal Cod.2083355 Cod.2082090

I. OBJETIVOS A travs de los mtodos experimentales desarrollados en el laboratorio y los modelos matemticos ofrecidos en la clase terica, se busca caracterizar el comportamiento fsico del transistor MOS. Obtener las curvas caractersticas de los transistores MOS incluidos en el circuito integrado CD4007.

Con esta grfica, usando el mtodo de regresin lineal, hallamos los puntos de corte de cada una con el eje x (Vds), estos puntos sern el voltaje de early, los cuales de no ser valores cercanos, se suman y se promedian hallando un nico valor.

Estimar los parmetros ms representativos de los transistores N-MOS y P-MOS, tales como Va, , Vt, gm, W, L y Kn II. DISEO A). N-MOS: Voltaje de Early (Va): Las siguientes graficas se hallaron tomando tres diferentes valores constantes de Vgs, esta se construye variando vds (V) y hallando el respectivo valor de Ids (mA). Grafica verde (Vgs=3,5 (v)):

Grafica Roja (Vgs=3 (v)):

Grafica Azul (Vgs=2,5 (v)):

Va Promedio:

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Lamda (): Al remplazar en la siguiente formula, hallamos el valor de lamda:

Voltaje de Umbral: Para hallar el voltaje de umbral se realiza una grfica de Ids vs. Vgs, tomando a Vds como un valor constante, luego observando el comportamiento de la curva, determinamos el punto donde la corriente tiene un notable aumento partiendo de cero, para asi hallar el voltaje de umbral Vt, obteniendo:

Por ejemplo, para el ltimo valor de corriente ser:

Transconductancia (gm): Para cada medida de Ids hallada al tener un valor de Vds constante, se halla un valor de transconductancia, y al final se suman y promedian todos los valores para hallar un nico valor:

Kn(W/L): Se toman los valores de Vgs e Ids hallados a un valor contante de vds y se remplazan en la siguiente frmula para hallar un tabla de valores correspondientes de Kn(W/L), para luego sumar y promediar un nico valor: ( )

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Con esta grfica, usando el mtodo de regresin lineal, hallamos los puntos de corte de cada una con el eje x (Vds), estos puntos sern el voltaje de early, los cuales de no ser valores cercanos, se suman y se promedian hallando un nico valor.

Grafica verde (Vgs=-3,5 (v)): B). P-MOS: Voltaje de Early (Va): Las siguientes graficas se hallaron tomando tres diferentes valores constantes de Vgs, esta se construye variando vds (V) y hallando el respectivo valor de Ids (mA).

Grafica Roja (Vgs=-3 (v)):

Grafica Azul (Vgs=-2,5 (v)):

Va Promedio:

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Lamda (): Al remplazar en la siguiente formula, hallamos el valor de lamda:

Voltaje de Umbral: Para hallar el voltaje de umbral se realiza una grfica de Ids vs. Vgs, tomando a Vds como un valor constante, luego observando el comportamiento de la curva, determinamos el punto donde la corriente tiene un notable aumento partiendo de cero, para asi hallar el voltaje de umbral Vt, obteniendo:

Por ejemplo, para el ltimo valor de corriente ser:

Transconductancia (gm): Para cada medida de Ids hallada al tener un valor de Vds constante, se halla un valor de transconductancia, y al final se suman y promedio todos los valores para hallar un nico valor:

Kp(W/L): Se toman los valores de Vgs e Ids hallados a un valor contante de vds y se remplazan en la siguiente frmula para hallar un tabla de valores correspondientes de Kn(W/L), para luego sumar y promediar un nico valor: ( )

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Simulacion Vds (v) vs Ids (A)

0.006 0.005 0.004 0.003 0.002 0.001 0 0 1 2 3 4 5 vgs=2.5v vgs=3v vgs=3.5v

III. SIMULACION A). N-MOS:

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B). P-MOS:

IV. DATOS DE LABORATORIO A continuacin se mostraran las tablas de los datos tomados en el laboratorio: A). N-MOS:

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B). P-MOS:

V. TABLA COMPARATIVA

A). N-MOS:

B). P-MOS:

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VI. CONCLUSIONES Al polarizar un transistor es de suma importancia tener conocimiento de la hoja de datos, pues si se excede el voltaje o la corriente mximos especificados en la hoja de datos, el transistor puede sufrir daos y afectar el circuito que se est trabajando. Todos los transistores tienen parmetros que difieren en algunos aspectos, por lo que se debe escoger aquel que cumpla con las especificaciones y exigencias del proyecto a realizar, teniendo claro as los parmetros del dispositivo. La corriente de drenador de cada uno de los MOSFET se controla mediante la tensin Vgs. A partir de cierto voltaje Vgs, llamado voltaje de umbral o Vt, es posible que se forme el canal y por ende que circule corriente por el drenador. Las aplicaciones ms comunes en los MOSFET se encuentran en etapas de amplificacin y en circuitos digitales Los datos calculados tericamente con las ecuaciones, nos brindan un acercamiento y una idea de los valores de resistencia y voltaje reales que se deben aplicar, son muy prximos pero para algunos casos se tena que replantear los valores de resistencia y ganancia para lograr el objetivo de la amplitud de la seal de entrada que se exiga.