Celdas Solares

DISEOYFABRICACINDE
CLULASSOLARESBASADAS + ENDIFUSIONESN LOCALES YEMISORESINDUCIDOS

JavierEstebanZarza
Director:IsidroMartn
Barcelona,Septiembre2010
A los que se han preocupado, tanto si entienden lo que est por venir como si no.
ii
ndice general
1. Introduccin
1.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2. Simulaciones previas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1
1 3
2. Fundamentos de los semiconductores

2.1. Estadsticas de carga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1.1. Densidades de carga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2. Transporte de carga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3. Mecanismos de recombinacin en el volumen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3.1. Recombinacin radiativa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3.2. Recombinacin de Auger . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3.3. Recombinacin Shockley-Read-Hall (SRH) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3.4. Recombinacin supercial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5
5 5 5 6 7 7 8 9
3. Fundamentos de las clulas solares

3.1. Espectro solar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2. Fotogeneracin de portadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3. Reexin en la supercie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4. La unin pn en la clula solar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5. Pasivacin de la supercie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
iii
11
11 12 12 13 15
ndice general
4. Condensador Metal-xido-Semiconductor
4.1. 4.2. 4.3. Condensador MOS ideal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Curvas de capacidad de un condensador MOS ideal . . . . . . . . . . . . . . . . . Diferencia entre las funciones de trabajo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
17
17 18 21
5. Proceso de fabricacin
5.1. Emisores 5.1.1. 5.1.2. 5.1.3. 5.1.4. 5.1.5. 5.2.
23
24 24 25 26 26 27 28 28 28 29 29 29 30 31 31 32 32 33 34 35 36
n+
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Ataque piraa y RCA xido de campo
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Fotolitografa emisores
n+
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Ataque al xido de campo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Difusin de fsforo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
xido de pasivacin 5.2.1. 5.2.2.
Eliminacin del xido de
220 nm
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Oxidacin trmica seca . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.3.
Metalizacin frontal 5.3.1. 5.3.2. 5.3.3.
Fotolitografa frontal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Ataque al xido de pasivacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Evaporacin de aluminio por efecto Joule . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.4.
Metalizacin trasera 5.4.1. 5.4.2. 5.4.3. 5.4.4. 5.4.5.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Fotolitografa de los contactos de los emisores . . . . . . . . . . . . . . . . Ataque al xido de pasivacin trasero . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Contacto de TiAg con los emisores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Fotolitografa metalizacin Al . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Metalizacin Al . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.5. 5.6.
Oblea resultante Mscaras
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
ndice general
v
40
5.7.
Datos tcnicos y esquema del proceso de fabricacin
. . . . . . . . . . . . . . . .
6. Caracterizacin del dispositivo

6.1. 6.2. 6.3. Tiempo de vida de los portadores en supercie . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
43
43 45 46 46 48 48 48 50
Medida del condensador MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Respuesta en oscuridad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3.1. 6.3.2. Clulas de Clulas de
1x1 cm 2x2 cm
en oscuridad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . en oscuridad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . bajo iluminacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . bajo iluminacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.4.
Respuesta en iluminacin 6.4.1. 6.4.2. Celulas de Clulas de
1x1 cm 2x2 cm
7. Conclusin
References . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
53
59
vi
ndice general
Captulo 1
Introduccin
"No es oro todo lo que reluce."
1.1. Introduccin
Actualmente, las energas renovables estn en auge debido a que las existencias de los materiales utilizados actualmente para la obtencin de las energas utilizadas en la vida cotidiana son limitadas. El problema existente ahora es la poca eciencia de las energas alternativas. En lo que incumbe a este proyecto, las clulas solares tienen dos puntos dbiles: baja eciencia y alto coste de fabricacin. Las clulas solares tienen como funcin bsica convertir la luz en electricidad, pasando la energa del fotn a un par electrn hueco que no debe recombinarse. El principal limitador de la eciencia en las clulas comerciales es la recombinacin en el volumen, debido a que el silicio es de baja calidad para reducir costes, por lo que tiene muchas impurezas y defectos en la red cristalina. En cambio, en la investigacin, se utiliza silicio de alta calidad, vindose limitado por la recombinacin en supercie. Por esta causa, se dedican grandes esfuerzos en la optimizacin de la pasivacin de la supercie de los dispositivos. En los ltimos aos se han obtenido clulas solares con eciencias cercanas al lmite fsico ( 29 %), consiguiendo un mximo de 25 % en la University of New South Wales. Las clulas de alta eciencia actuales rondan una eciencia del 20 %, tal y como ha conseguido fabricar el grupo de investigacin de Micro y Nanotecnologa de la Universidad Politcnica de Catalunya (UPC). En este proyecto se trata de abordar principalmente la segunda problemtica, que consiste en reducir el coste de fabricacin de las clulas solares. Es por ello que, analizando el proceso de fabricacin, se ha visto que uno de los procesos costosos es el paso por horno, en la que se realizan las difusiones, consistentes en tomos dopantes que forman la unin pn necesaria para la coleccin de portadores. Por lo tanto, eliminando dicho proceso, es factible reducir el coste de fabricacin. La alternativa estudiada es la realizacin de los emisores mediante lser. El proceso consiste en colocar una capa de material dopado que a su vez es dielctrico sobre la supercie de la cara en la que se desea realizar la difusin, y mediante procesado lser, introducir en los puntos deseados el material dopado dentro del silicio, obteniendo as difusiones sin pasar por el horno. 1
Captulo 1. Introduccin
La estructura de pasivacin entre regiones difundidas se basa en el campo elctrico inducido por la diferencia de funciones de trabajo del aluminio y el silicio, siguiendo la fsica del condensador MOS. Este proyecto se centra en qu pasa entre las difusiones. Para ello se crean las estructuras MOS que pasivan y conectan las difusiones, modicando la distancia entre ellas en los distintos dispositivos fabricados. De este modo,se caraterizar la respuesta del dispositivo en funcin de la distancia entre los puntos de contacto de los emisores, debido a que una mayor distancia supone una mayor resistencia serie, pero a su vez, tenemos una mayor zona bien pasivada gracias a la estructura MOS. Es por ello que se han fabricado clulas de 1x1cm y 2x2 cm con diferentes distancias entre contactos (pitch ). Los pitch utilizados son 200 m, 250 m, 300 m y 300 m y el tamao de las difusiones es de 150x150 m. La estructura fabricada con las medidas se puede ver en la gura 1.3. Con ello se pretende determinar la inuencia en la separacin de las difusiones n+ en la respuesta del dispositivo, dado que una menor distancia supone una menor resistencia serie, ya que los portadores recolectados debern recorrer una mayor distancia, pero a su vez, una mayor supercie sin pasivar, debido a que la recombinacin en los emisores es ms elevada. Con todo ello, este proyecto tiene como objetivo la fabricacin de la misma estructura utilizando el proceso de fabricacin convencional con el n de comprobar el correcto funcionamiento de la estructura que, una vez vericada, pueda ser fabricada a bajo coste. Para ello, se divide el proyecto en seis captulos. En los dos primeros se introduce la teora que gobierna el comportamiento del dispositivo en la parte elctrica y en interaccin con la luz. A continuacin se explica la teora que obedece la estructura MOS, la cual se utiliza para conseguir la pasivacin de la supercie. En el siguiente captulo se detalla el proceso de fabricacin seguido, realizado en la sala blanca de la Escola Tcnica Superior d'Enginyeria de Telecomunicacions de Barcelona (ETSETB) de la UPC. Finalmente, se detallan los resultados obtenidos, discutiendo las cuestiones fsicas que llevan a estos resultados.
Figura 1.1: Estructura de la clula solar fabricada y medida.
1.2. Simulaciones previas
1.2. Simulaciones previas

Antes de proceder a la fabricacin del dispositivo con la estructura mencionada, se han realizado simulaciones con el n de predecir el comportamiento del dispositivo. Las caractersticas principales son las que se pueden observar en la gura 1.2[1], obtenidas para las condiciones explicitadas en el pie de dicha gura. Tal y como se puede observar, los parmetros obtenidos son muy buenos para grosores de xido por debajo de los 40 nm, consiguiendo valores del 80 % para el ll factor y densidades de corriente de corto circuito cercanos a los 35 mA/cm2 . El valor del voltaje en circuito abierto es de 663 mV aproximadamente y una eciencia que ronda los 19 mW/cm2 para un grosor de aproximadamente 35 nm. La estructura simulada se puede ver en la gura 1.3, que como se puede comprobar, no es la misma que la fabricada.
ShortCircuit Current Density J sc [mA/cm ] 35 OpenCircuit Voltage V [mV] 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 Oxide Thickness t [nm]
ox
675 670 665 660 655 650 645
34
33
32
31
30
oc
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 Oxide Thickness t [nm]
ox
(a)
Maximum Power Density Pmax [mW/cm ] 19.5 19 0.9 18.5 Fill Factor FF 18 17.5 17 0.75 16.5 16 0.7 0.85 0.95
2
(b)
0.8
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 Oxide Thickness tox [nm]
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 Oxide Thickness tox [nm]
(c)
(d)
Figura 1.2: Parmetros obtenidos en la simulacin de la estructura a fabricar. (NA = 1, 1101 6 cm3 , S0 = 102 cm/s, Qf = 11012 cm2 ,dc = 100 m)
Una vez realizadas, se consideran los resultados como satisfactorios y se procede a fabricar la estructura, esperando obtener los resultados del dispositivo modelado de forma aproximada, que nos muestran la viabilidad del proyecto. Cabe tener en cuenta que, tal y como se puede observar en las imgenes, las dimensiones del dispositivo son distintas, puediendo obtener resultados cercanos pero no tan ptimos. A pesar de que el grosor ptimo es 1 nm, ste no es viable
Captulo 1. Introduccin
tecnolgicamente. Es por ello que el grosor escogido es de 35 nm, que tal y como se ha expuesto, se obtienen unos buenos parmetros.
b)
+Vb 10 m 400 m Dielectric film - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - p++ Base contact 2.5 m grid finger 7.5 m 80 nm
p-type substrate Inversion layer
150 m
7.5 m 110 nm - - - - -
n++
dr - - - - Dielectric film - - - - -
2.5 m
Emitter contact metallization
Figura 1.3: Estructura simulada.
Captulo 2
Fundamentos de los semiconductores

2.1. Estadsticas de carga
2.1.1. Densidades de carga
En la aproximacin de Boltzman, la densidad de electrones n y la de huecos p en un semiconductor, vienen determinadas por las expresiones [2]
n = ni e p = ni e
EF n Ei kT Ei EF p kT
, ,
(2.1) (2.2)
donde ni , es la densidad de portadores intrnseca, k la constante de Boltzman, Ei el nivel de Fermi intrnseco y EF n y EF p se corresponden con los casi-niveles de Fermi para electrones y huecos respectivamente. En equilibrio trmico se tiene que EF n = EF p , por lo que el producto de las densidades en equilibrio de electrones n0 y de huecos p0 es
n 0 p0 = n 2 i.
(2.3)
2.2. Transporte de carga

El comportamiento esttico y dinmico de los portadores en un semiconductor viene descrito por las ecuaciones electrostticas, ecuaciones de densidad de corriente y ecuaciones de continuidad [2]. El potencial electrosttico y el campo elctrico estn relacionados con la densidad de carga mediante la ecuacin de Poisson,
2 = = q ( p n + ND NA ) = , r 0 r 0
(2.4)
donde ND y NA son las concentraciones de donadores y aceptores, r y 0 son la permitividad relativa del material semiconductor y la permitividad del vaco, respectivamente. 5
Captulo 2. Fundamentos de los semiconductores
La corriente a lo largo del semiconductor est compuesta por la corriente de difusin y la corriente de arrastre. El gradiente de las concentraciones, n y p, forman parte de la corriente de difusin, mientras que la corriente de arrastre es causada por el campo elctrico. Para una mo Jn vilidad de los electrones n y para los huecos p , las densidades de corriente para electrones y para huecos J p vienen dadas por
J n = qn + qDn n, J p = qp + qDp p,
(2.5) (2.6)
donde los coecientes de difusin de acuerdo con las relaciones de Einstein son
D n = n kT , q kT . q
(2.7) (2.8)
D p = p
Las componentes dependientes del tiempo como son la generacin y la recombinacin en el semiconductor, estn gobernadas por las ecuaciones de continuidad para electrones y huecos
1 n = Gn U n + J n , t q p 1 = Gp U p + J p , t q
(2.9) (2.10)
donde los electrones y los huecos tienen sendas tasas de generacin y recombinacin, correspondientes a Gn y Un y Gp y Up respectivamente.
2.3. Mecanismos de recombinacin en el volumen

La generacin de cargas provoca que no haya equilibrio trmico en el semiconductor y la ley de accin de masas deja de cumplirse, es decir np = n2 i [3]. En esta situacin, la concentracin de portadores diere de su valor en equilibrio y es posible denir el exceso de concentraciones de electrones n = n n 0 , (2.11) (2.12) p = p p0 . Con el n de devolver el sistema a su estado de equilibrio, existe un proceso de recombinacin en el semiconductor. Los excesos de portadores tendrn una tasa de recombinacin
Un = n , n p , p
(2.13) (2.14)
Up =
2.3. Mecanismos de recombinacin en el volumen
(a) Radiativa
(b) Auger
(c) SRH
Figura 2.1: Diagrama de bandas de energa mostrando los procesos de recombinacin.
donde n y p son los tiempos de vida de recombinacin de los electrones y los huecos respectivamente. Si la concentracin de huecos y electrones generados es igual, es posible simplicar 2.13 y 2.14 a [4] n (2.15) , n = p, = n = p . Un = Up = U = Existen tres procesos de recombinacin en el volumen del semiconductor: Recombinacin radiativa, recombinacin de Auger i recombinacin Shockley-Read-Hall (SRH)(Trap assisted ). Para cada uno de estos procesos, es posible denir un tiempo de vida de recombinacin i como en 2.15, tal y como se ver en en las siguientes secciones del captulo. El tiempo de vida de recombinacin total ef f (tambin denominado tiempo de vida efectivo) en el volumen viene determinado por
1 ef f
=
i
1 . i
(2.16)
2.3.1.
Recombinacin radiativa
La recombinacin radiativa es un proceso donde un electrn de la banda de conduccin se recombina con un hueco de la banda de valencia, emitiendo un fotn de energa igual a la diferencia de energas entre ambos, como se aprecia en la gura 2.1(a). El tiempo de vida de los portadores asociado a la recombinacin radiativa es 1 radiative = , (2.17) B ( n 0 + p0 + n) donde B es una constante que depende del material. En el silicio, el parmetro B tiene un valor pequeo (1, 11014 cm3 /s a 300 K [5] lo cual es debido a que el silicio es un material con gap indirecto, donde la transicin radiativa requiere la interaccin de fonones para la conservacin del momento.
2.3.2.
Recombinacin de Auger
En el proceso de Auger, un electrn se recombina con un hueco entregando la diferencia de energas a un tercer portador (gura 2.1(b)). Este portador puede ser tanto un hueco situado
en la banda de valencia como un electrn en la banda de conduccin, pasando aun estado de energa superior. A medida que el tercer portador vuelve a su estado energtico anterior, se emiten fonones. Se distinguen dos tipos de tasas de recombinacin en funcin del tipo de los portadores implicados en el proceso. Se dene Ueeh cuando hay dos electrones y un hueco, y Uehh si hay un electrn y dos huecos. De este modo, la tasa de recombinacin total para la recombinacin de Auger es
UAuger = Ueeh + Uehh ,
(2.18) (2.19) (2.20)
donde
Ueeh = Cn (n2 p n2 0 p0 ) , Uehh = Cp (np

2
n 0 p2 0 ).
Los parmetros Cn y Cp son los coecientes de Auger para los electrones y los huecos respectivamente. El tiempo de vida de recombinacin es
Auger = Auger 1 , C n n2 + C p n n 1 = , 2 C p p + C n p n
para materiales tipo n, para materiales tipo p.
(2.21) (2.22)
En silicio cristalino, la recombinacin de Auger suele ser el proceso de recombinacin dominante cuando las densidades de portadores son altas ( 1017 cm3 ).
2.3.3. Recombinacin Shockley-Read-Hall (SRH)
La recombinacin SRH es de gran importancia en materiales de gap indirecto, como es el caso del silicio. Este proceso nace de los defectos de la red cristalina, los cuales introducen estados energticos dentro de la banda prohibida del semiconductor [4]. Estos niveles energticos debidos a los defectos, actuan como centros de generacin-recombinacin para electrones y huecos y permiten la recombinacin de portadores en procesos de dos pasos. Hay cuatro transiciones fundamentales asociadas a la teora SRH: 1. 2. 3. 4. Un electrn en la banda de valencia es capturado por un nivel defectuoso vaco Un electrn en el nivel defectuoso es emitido a la banda de conduccin Un hueco en la banda de valencia es capturado por un nivel defectuoso lleno Un hueco situado en un nivel defectuoso es emitido al banda de valencia
El exceso de energa en el proceso normalmente se libera mediante la emisin de fonones. La tasa de recombinacin del proceso SRH es
USRH = np n2 i , p 0 ( n + n 1 ) + n 0 ( p + p1 )
(2.23)
2.3. Mecanismos de recombinacin en el volumen donde
n1 = ni exp[
Et Ei ], kT
(2.24)
E t Ei ], (2.25) kT para un nivel defectuoso situado en un nivel energtico Et por encima del nivel de Fermi Ei , y p1 = ni exp[ 1 , n th Nt 1 = , p th Nt
n 0 = p 0
(2.26) (2.27)
donde n y p son las secciones de captura para los electrones y los huecos respectivamente, th es la energa trmica de las cargas (aproximadamente 107 cm/s en Si a 300 K) y Nt es la concentracin de defectos. Para un mismo exceso de electrones y huecos, el tiempo de vida SRH denido como en 2.15 es
SRH = p0
n0 + n1 + n p0 + p1 + n + n 0 . n 0 + p0 + n n 0 + p0 + n
(2.28)
La recombinacin SRH en el mayor de los casos el mecanismo de recombinacin mayoritario en el silicio cristalino y depende de la calidad del silicio.
2.3.4.
Recombinacin supercial
En la supercie de un semiconductor se introduce un gran nmero de estados defectuosos dentro de la banda prohibida debido a enlaces no saturados, residuos qumicos, deposiciones metlicas y/o dislocaciones de la red cristalina. Tal y como se ha discutido en 2.3.3, la recombinacin debida a defectos del material la describe la teora SRH, la cual permite denir una tasa de recombinacin supercial Us como
Us =
np n2 i p s +p 1 , n s +n1 + Sp Sn
0 0
(2.29)
donde ns y ps son las concentraciones superciales de electrones y huecos y Sn0 y Sp0 son los parametros fundamentales de la velocidad de recombinacin supercial de los electrones y los huecos respectivamente, denidos como (2.30)
Sn0 = n th Nst ,
Sp0 = p th Nst ,
(2.31)
donde Nst es la densidad de niveles superciales. Para un exceso de concentracin de portadores minoritarios ns , la velocidad de recombinacin supercial S se dene
10

S= Us . ns
(2.32)
En el caso que haya un campo elctrico en supercie, la densidad de portadores en supercie puede diferir mucho de la densidad de portadores en el volumen cuasi-neutro, por lo que resulta til denir la velocidad de recombinacin efectiva como la relacin entre la recombinacin supercial y la densidad de portadores en el volumen cuasi-neutro, ya que esta magnitud es mucho ms sencilla de medir y/o controlar. Es decir
Sef f = Us . n
(2.33)
Captulo 3
Fundamentos de las clulas solares

3.1. Espectro solar
La radiacin solar fuera de la atmsfera terrestre se puede aproximar por la radiacin de un cuerpo negro a una temperatura de 6000 K (que corresponde con la temperatura supercial del sol) [3]. Aun as, la distribucin espectral de la irradiacin que llega a la supercie terrestre se ve modicada signicativamente debido a la fuerte absorcin de la atmsfera en ciertas longitudes de onda. Cuando se examina el comportamiento de clulas solares, es importante obtener resultados que sean reproducibles y comparables con la comunidad fotovoltaica. Es por ello que se utiliza un espectro de iluminacin estndar, denido bajo condiciones especcas de radiacin solar, para caracterizar y modelar clulas solares. Para clulas solares con aplicaciones terrestres, el espectro preferente es el air-mass 1.5 global (AM1.5G), mostrado en la gura 3.1.
1.5 Spectral Irradiance [W m2 nm1] 1.25 1 0.75 0.5 0.25 0
500
1000 1500 Wavelength [nm]
2000
2500
Figura 3.1: Espectro de referencia air-mass 1.5 global.
11
12
Captulo 3. Fundamentos de las clulas solares
3.2. Fotogeneracin de portadores

Cuando se ilumina un semiconductor, como por el ejemplo el silicio, se generan pares electrnhueco debido a la absorcin de los fotones en el material semiconductor. La absorcin de los fotones viene caracterizada por el coeciente de absorcin , el cual depende de la energa del fotn Ep y la estructura de bandas del semiconductor [3]. (3.1) donde 0 es el ujo de fotones en x = 0. El signicado fsico del coeciente de absorcin se puede ilustrar en trminos de la longitud de absorcin 1/, la cual representa la distancia respecto a la supercie iluminada a la cual el ujo de fotones incidente (por unidad de supercie, tiempo y energa) ha disminuido un factor 1/e. Normalmente, el coeciente es alto para fotones con una energa mucho mayor a la de la banda prohibida del semiconductor, decreciendo montonamente a medida que la energa del fotn se acerca al valor de la banda prohibida. Es por ello que los fotones con mayor energa son absorbidos cerca de la supercie, mientras que los de baja energa penetran a distancias signicativamente superiores en el material. Generalmente, un fotn con energa superior a la de la banda prohibida genera un nico par electrn-hueco, mientras que aquellos con energa inferior a la banda prohibida no son absorbidos. En los materiales de gap indirecto, como es el caso del silicio, se requiera la interaccin de fonones para la conservacin del momento cuando se genera un par electrn-hueco. Ello conlleva un coeciente de absorcin menor que los materiales de gap directo.
(x, ) = 0 ( )e( )x ,
La absorcin en el semiconductor da como resultado una ujo de fotones creciente expresado segn
exponencial de-
La tasa de generacin debido a la iluminacin (por unidad de tiempo, volumen y energa) puede ser calculada a partir de la derivada de 3.1 respecto de x y da como resultado
Gopt (x, ) = ( )( )0 ( )e( )x ,
(3.2)
donde ( ) denota la eciencia cuntica interna. Dicha eciencia determina la fraccin de fotones absorbidos que generan un par electrn-hueco. En silicio cristalino
( ) 0, Ep < Eg , 1, Ep Eg
(3.3)
donde Eg es la energa del gap y Ep = h es la energa del fotn, en la que h es la constante de Plank y = c/ es la frecuencia del fotn.
3.3. Reexin en la supercie

La reectividad de la supercie iluminada en una clula solar debera ser lo ms pequea posible con el n de disminuir las prdidas de eciencia. La supercie del silicio desnuda tiene una alta reectividad ( 35 %), debido a la gran diferencia entre los ndices de reafraccin entre el aire y el silicio. La reduccin de la reectividad se puede conseguir depositando una capa antireejante (ARC). El grosor d y el ndice de refraccin nar de la capa ARC se ajusta para conseguir la extincin de la luz en la interfaz aire-ARC, lo cual sucede cuando [6]
d= , 4nar
(3.4)
3.4. La unin pn en la clula solar donde
13
nar =
n0 nsc .
(3.5)
En las ecuaciones 3.4 y 3.5, n0 , nar y nsc denotan los ndices reales de refraccin del aire, la capa ARC y el semiconductor (silicio) respectivamente. Otra tcnica para reducir la reexin consistes en texturizar la supercie de la clula solar, la cual puede ser realizada mediante el grabado selectivo de los planos cristalinos del silicio [7], [8]. Una supercie texturizada desva la luz hacia los lados, lo cual incrementa la probabilidad de multiples reexiones y mejora la absorcin [9]. Los mtodos que pretenden incrementar las reexiones internas, y de ese modo connar la luz dentro de la clula solar, son denominados tcnicas light-trapping.
3.4. La unin pn en la clula solar

Una clula solar convencional es esencialmente un diodo de unin pn (gura 3.2) compuesta por un sustrato de silicio, llamado base, con una na capa difundida en la cara frontal con el dopado opuesto al sustrato, llamado emisor. En nuestro caso, se asume que la base es tipo p y el emisor tipo n. El concepto de unin pn no est limitado a uniones difundidas, sino que hay diversas clulas solares que utilizan otras alternativas para formar la unin pn, como el caso que nos concierne. Una tcnica consiste en depositar una capa aislante con cargas jas positivas sobre un sustrato tipo p, de modo que estas cargas inducen una na capa de carga negativa justo debajo de la supercie de la supercie, invirtiendo la poblacin. Las clulas solares que utilizan esta tcnica se suelen categorizar como clulas solares de capa inversora [10].
N P
Figura 3.2: Estructura de una clula solar convencional La unin pn polarizada tiene una relacin corriente-voltaje segn l modelo de Schokley para un diodo en oscuridad. Para una clula solar ideal polarizada con un voltage V , la corriente de oscuridad viene dada por
Idark = I0 (e kT 1),
qV
(3.6)
donde I0 es la corriente de saturacin, determinada por los parmetros del material de la clula solar. La ecuacin 3.6 desprecia la recombinacin en la zona de carga espacial, es decir, se asume que las corrientes de los portadores minoritarios no varan a lo largo de la unin pn. Si se tiene en cuenta la recombinacin en la zona de carga espacial, la corriente en la clula solar viene determinada por [3] qV qV (3.7) Idark = I0 (e kT 1) + ISR (e 2kT 1),
I V Rsh
Rs
Idark = I0 (e
q (V IRs ) kT
1) + ISR (e
q (V IRs ) 2kT
1) +
(V IRs ) . Rsh
IL
I = I0 ( e
q (V IRs ) kT
1) + ISR (e
q (V IRs ) 2kT
1) +
(V IRs ) IL . Rsh
I V I V
Isc V =0 I=0 Pmax = Pin Pmax Pin Voc
3.5. Pasivacin de la supercie

I Dark Illuminated
15
V VpIp Ip Isc Vp Voc
Figura 3.4: Curvas I V de una clula solar en oscuridad y bajo iluminacin.
es la potencia de la luz incidente en la supercie iluminada de la clula solar. La potencia mxima de salida puede ser extrada de la curva I V encontrando el valor absoluto mximo del producto Ip Vp . Este procedimiento puede ser visualizado como la maximizacin del area rectangular |Ip Vp | bajo la curva I V , como se muestra en la gura 3.4. Es por ello que las curvas con forma ms cuadrada son ms ptimas. El parmetro que nos indica como de cuadra es la curva I V es el cuarto y ltimo parmetro, llamado f illf actor (F F ). El ll factor se dene como
FF =
Pmax . Vos Isc
(3.10)
El ll factor es muy sensible a la resistencia serie de la clula solar, mientras que la resistencia shunt tiene un efecto menos destacado sobre la caracterstica I V [3]. La eciencia de conversin de una clula solar tiene un lmite terico que est relacionado con la banda prohibida del material semiconductor. Un fotn de energa inferior a la energa de la banda prohibida no genera portadores, mientras que un fotn con mayor energa genera un nico par electrn-hueco. El exceso de energa del fotn se convierte en calor mediante la emisin de fonones. Adems, la tensin de circuito abierto mxima est limitada por la tensin intrnseca de la unin pn. Para el silicio, la eciencia est limitada a aproximadamente el 29 % (bajo la iluminacin AM1.5G) [11]. La clula solar con mayor eciencia bajo un sol (sin concentracin de luz) demostrada hasta ahora es la clula PERL (passivated emitter, rear locally diused ) (o LBSF), desarrollada en University of South Wales. Esta clula solar tiene una estructura muy sosticada y tiene una eciencia de conversin del 24, 7 % [12] bajo la irradiacin de AM1.5G. Los parmetros tpicos para las clulas solares de alta eciencia son: Jsc = 35 40 mA/cm2 , Voc = 650 700 mV y F F 80 % [13].
3.5. Pasivacin de la supercie

El nmero de portadores fotogenerados que llegan a los contactos y contribuyen a la corriente fotogenerada, viene determinado por la tasa de recombinacin en el volumen y en la supercie de la clula solar. La recombinacin de portadores tambin afecta a la corriente de saturacin en oscuridad I0 , que aumenta a medida que la velocidad de recombinacin en la supercie y en el volumen aumentan. Gracias al uso de silicio cristalino de alta calidad en las clulas de alta eciencia, la recombinacin en el volumen es baja, siendo la recombinacin en la supercie el factor que limita la eciencia [14]. Por lo tanto, para conseguir conversiones de alta eciencia, es necesario utilizar estructuras pasivantes adecuadas para reducir la recombinacin supercial. El
16
Captulo 3. Fundamentos de las clulas solares
mecanismo de recombinacin supercial ha sido expuesto en el captulo 2.3.4, y de acuerdo con 2.29 queda claro que la recombinacin supercial se puede reducir siguiendo dos estrategias distintas. La primera consiste en reducir la densidad de estados en la supercie Nst . En la prctica, una reduccin de Nst se puede conseguir mediante el depsito o crecimiento de una capa con caractersticas pasivantes o mediante ciertos procesos qumicos [15]. La segunda estrategia de pasivacin consiste en la reduccin drstica de la concentracin supercial de un tipo de portador, lo cual reduce signicativamente la probabilidad de recombinacin de un par electrn-hueco. En la mayora de los casos, el mtodo utilizado para la reduccin de la recombinacin supercial en clulas solares prcticas consiste en la combinacin de la pasivacin por efecto de campo elctrico y la reduccin de Nst . En la pasivacin por el efecto del campo elctrico, el campo elctrico puede ser formado mediante las cargas de la capa dielctrica depositada sobre el sustrato de silicio, o creando gradientes en el perl del dopado en las regiones superciales de la clula solar. Cuando el perl del dopado se implementa bajo la supercie del silicio, las opciones son crear una unin alta-baja (p+ p o n+ n) o una unin pn. La pasivacin por efecto de campo elctrico con una unin pn no solo reduce la recombinacin supercial, sino que adems ayuda en la separacin electrn-hueco. Un tcnica muy utilizada en la pasivacin supercial de la cara posterior basada en la unin alta-baja p+ p es la formacin de un campo supercial trasero (back surface eld, BSF). En la prctica, un BSF suele crearse mediante la aleacin de aluminio con el silicio en la cara trasera de la oblea tipo p (Al-BSF). La tcnica BSF tambin se puede aplicar de forma selectiva, en regiones especcas de la cara posterior, lo cual es conocido como pasivacin de campo supercial trasero local (local back surface eld, LBSF). La velocidad de recombinacin en la interfaz metal-silicio es muy alta, aproximadamente 106 cm/s [3], lo cual signica que la fraccin de supercie metalizada debe mantenerse baja, y que la pasivacin de las zonas metalizadas, como los contactos, es importante. Una tcnica de pasivacin de los contacto utilizada normalmente es formar regiones de alto dopado n++ o p++ bajo las metalizaciones. Las regiones de alto dopado representan barreras de potencial para las cargas minoritarias, lo cual limita las perdidas por recombinacin en los contactos. Adems, el alto dopado es necesario para la formacin de contactos hmicos con baja resistencia. La velocidad de recombinacin en la supercie pasivada sin metalizacin de una clula solar suele ser muy inferior a la velocidad de recombinacin en un contacto metal-silicio. Asimismo, la velocidad de recombinacin en supercies pasivadas con dielctricos, como el SiO2 y SiN , aumenta con el incremento de la concentracin del dopado en la supercie [16], [17]. Por lo tanto, implementar diferentes perles de dopado bajo la supercie de las zonas metalizadas y no metalizadas resulta benecioso. Cuando se aplica este tipo de perl de dopado que vara de forma lateral, se suele llamar estructura de 'emisor selectivo'. Se ha comprobado que es ventajoso combinar regiones profundas de alto dopado bajo los contactos de los emisores con regiones del emisor poco dopadas y superciales (lightly doped emmiter, LDE) bajo las zonas no metalizadas y supercies pasivadas de las clulas solares [18].
Captulo 4
Condensador Metal-xido-Semiconductor
4.1. Condensador MOS ideal
El condensador Metal-xido-Semiconductor (MOS) es un dispositivo compuesto por tres capas de distintos materiales como se aprecia en la gura 4.1, contactando la parte posterior mediante un contacto hmico. Tal y como indica el nombre, estas capas son: metal, xido y semiconductor. En el caso que se desarrolla en este proyecto, el metal es aluminio, el aislante es dixido de silicio y el semiconductor el silicio de tipo p.
V d Semiconductor Metal Aislante
Contacto hmico
Figura 4.1: Condensador MOS bsico. A lo largo de este captulo, se entiende que al aplicar una tensin V positiva implica que el metal est a una tensin superior que el semiconductor. Adems, se tienen en cuenta ciertas consideraciones para el desarrollo inicial, como son: No hay trampas en el interfaz ni cargas en el xido La resistividad del aislante es innita La diferencia entre funciones de trabajo del semiconductor y el metal es cero, es decir ms = 0. El c-Si es tipo p, por lo que el nivel de Fermi EF se encuentra cerca ( de valencia EV . 17
0, 2 eV) de la banda
18
Captulo 4. Condensador Metal-xido-Semiconductor

q q q q EF d Metal xido Semiconductor P
= 0).
E0
EC Ei q EF EV
Figura 4.2: Diagrama de bandas de energa de un condensador MOS ideal en equilibrio (V
Este conjunto de condiciones, tal y como se puede ver en la gura 4.2, son equivalentes a [2]
ms m ( +
donde de la
Eg Eg + Bp ) = m ( + + p ) = 0, 2q q
(4.1)
vamente, y
i o son las anidades electrnicas para el semiconductor i el aislante (xido) respectiBp , p son los niveles de Fermi respecto al centro de la banda prohibida y el lmite banda. Dicho de otro modo, se tienen bandas planas cuando V = 0.
Cuando se aplica una diferencia de tensin positiva o negativa, se pueden diferenciar principalmente cuatro casos. El primero se denomina acumulacin (Fig. 4.3(a)) y sucede cuando se aplica una tensin negativa (V
< 0),
lo cual provoca que las bandas se doblen hacia arriba,
haciendo que el nivel de Fermi quede ms cerca de la banda de valencia. En el condensador MOS ideal no pasa corriente, por lo que el nivel de Fermi se mantiene plano en el semiconductor. Como la concentracin de portadores tiene una dependencia exponencial con la diferencia de energas (EF
EV ),
la curvatura provoca una acumulacin de mayoritarios (huecos) en la supercie del
semiconductor. Si se aplica una tensin positiva pequea, las bandas se doblan hacia abajo, expulsando los mayoritarios de la supercie del semiconductor (huecos). Este caso se le denomina de vaciamiento (Fig. 4.3(b)). Si aumentamos positivamente la tensin aplicada, las bandas se doblan ms hacia abajo, llegando al punto en el que el nivel de Fermi intrnseco de Fermi
Ei
corta el nivel
EF .
Esto quiere decir que el nmero de portadores minoritarios (electrones) ahora es
superior al de los mayoritarios (huecos) en la supercie del semiconductor, por lo que la supercie est invertida, denominndose este caso inversin (Fig. 4.3(c)). El cuarto y ltimo sucede cuando aumentamos el voltage hasta el punto en el que el nmero de minoritarios (electrones) en la supercie es superior al nmero de mayoritarios (huecos) en el volumen del semiconductor, llegando al caso de fuerte inversin.
4.2. Curvas de capacidad de un condensador MOS ideal

Para hallar la relacin entre la tensin en supercie y la capacidad, es necesario conocer las relaciones entre el potencial en supercie, la carga espacial y el campo elctrico. Si se dene
como el potencial en la supercie del semiconductor denida respecto al vo-
4.2. Curvas de capacidad de un condensador MOS ideal
19
EF EC V<0 Ei EF EV
(a)
EC Ei EF EV EF
(b) (c)
EC Ei EF EV
V>0 EF
V>0
Figura 4.3: Bandas de energa para un condensador MOS ideal bajo diferentes voltajes, condiciones de: (a) acumulacin, (b) vaciamiento y (c) inversin.
lumen del semiconductor, y Bp como la diferencia de potencial entre el nivel de Fermi intrnseco y el nivel de Fermi en el volumen, se pueden diferenciar varias regiones
s < 0 s = 0 B p > s > 0 s = Bp 2Bp > s > Bp s > 2Bp
Acumulacin de huecos (bandas se doblan hacia arriba). Condicin de banda plana. Vaciamiento de huecos (bandas se doblan hacia abajo). Nivel de Fermi en la mitad de la banda prohibida EF = Ei (0), ns = ps = ni . Inversin dbil (ns > ps ). Fuerte inversin (ns > pp0 o NA ).
La ecuacin que rige el comportamiento del campo elctrico en la supercie es [2] np 2kT F (s , 0 ), Es = qLD pp 0 donde LD es la distancia extrnseca de Debye para los huecos y F (s , dependiente de los parmetros expuestos. Ambos se denen [2]
n p0 p p0 )
(4.2)
es una funcin
LD F (s , np 0 ) pp 0
s , qpp0 np 0 [exp(s ) s 1] 0, pp 0
(4.3) (4.4)
[exp(s ) + s 1] +
donde s es la permitividad del semiconductor, q/kT y np0 y pp0 son las densidades de electrones y huecos en el volumen del semiconductor en equilibrio respectivamente. Una vez aqu, se deduce la carga espacial total por unidad de rea en el semiconductor mediante la ley de Gauss
Q s = s Es =
np 2s kT F (s , 0 ), qLD pp 0
(4.5)
la cual, para que haya neutralidad de carga, debe cumplir
20

QM = (Qn + qNA WD ) = Qs ,
(4.6)
donde QM son las cargas por unidad de supercie del metal, Qn son los electrones por unidad de supercie cerca de la supercie de la regin de inversin y qNA WD son los aceptores ionizados por unidad de supercie en la zona de carga de espacio de anchura WD . Todo ello se puede apreciar en la gura 4.5(b) donde se ilustra la distribucin de carga, partiendo del diagrama de bandas, ilustrado en la gura 4.5(a) para fuerte inversin. Adems, se pueden ver el campo elctrico y el potencial en las guras 4.5(c) y 4.5(d) respectivamente. En el campo elctrico se observa un salto al cambiar del xido al semiconductor. Este salto se debe a que la condicin de contorno dice
D o = o Eo = D s = s Es ,
(4.7)
donde Do y Ds son los campos de desplazamiento elctricos en el xido y el semiconductor. Teniendo en cuenta que el valor Eo viene determinado por la integral des de d a 0 de la densidad de carga, Es queda determinado, vindose modicado respecto Eo un factor o /s . Adems, se aprecia que el campo elctrico a lo largo del xido es constante, lo cual es debido a que se considera una estructura MOS sin cargas en el xido. En cuanto al potencial, se puede apreciar que si se aplica una tensin V , sta aparecer dividida en el xido (Vo ) y en el semiconductor (s ) de la forma
V = Vo + s
(4.8) (4.9)
donde
V o = Eo d =
|QS | d | QS | = . o Cox
La capacidad total del sistema C vendr determinada por la combinacin serie entre la capacidad del xido Cox o Cox = , (4.10) d y la de la zona de carga de espacio debido a la expulsin de los portadores, CD . Esto es
C= Cox CD . Cox + CD
(4.11)
Se puede apreciar el comportamiento C-V a alta frecuencia (1 MHz) en la gura 4.4 segn las ecuaciones expuestas sin diferencia en las funciones de trabajo del metal y el semiconductor (lnea). En dicha gura, se aprecia que para valores negativos de V , el valor de la capacidad es mxima, y se corresponde al valor de Cox . Esto es debido al tener cargas negativas en el metal, atraen positivas a la supercie del silicio (acumulacin). Al ser de tipo p, no aparece ningn tipo de zona de carga espacial (z.c.e.), por lo que es coherente que la nica capacidad apreciable sea Cox . La tensin de bandas planas es V = 0 V, y a partir de aqu, a medida que V aumente de valor, iremos pasando por los distintos casos en funcin de la curvatura de las bandas explicado anteriormente en este mismo apartado. Para tensiones bajas estaremos en vaciamiento, por lo que empezarn a aparecer portadores minoritarios (electrones) en la supercie, por tanto una z.c.e. Con ella aparece la capacidad CD en serie con Cox , por lo que la capacidad va bajando a
4.3. Diferencia entre las funciones de trabajo
21
medida que la tensin, y por lo tanto la z.c.e., aumenta. Esto sucede hasta que la z.c.e. llega a su valor mximo. Cuando llegamos a estar en alta inversin, la cantidad de minoritarios (electrones) en supercie es tan elevado, que un mnimo incremento en la curvatura de las bandas, al estar relacionada la densidad de portadores con la exponencial del nivel energtico, supone el incremento de carga suciente requerido por la nueva tensin aplicada. Es por ello que el tamao de la z.c.e. es constante, ya que el aumento de tamao de sta sera ms costoso. Por tanto, al tener un tamao jo, tambin lo es su capacidad, por lo que tenemos una zona plana al nal.
1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4
Capacidad normalizada, C/C
ox
ms = 0,737
ms = 0
0 1 Voltaje, V [V]
Figura 4.4: Curva C-V de la estructura MOS a alta frecuencia.
4.3. Diferencia entre las funciones de trabajo

En la gura 4.4, se ha representado la C V para una diferencia de funciones de trabajo (lnea punteada), que es el que incumbe este proyecto. Lo que ocurre es un desplazamiento hacia la izquierda, ya que ahora para V = 0 nos encontraremos con una cantidad de portadores minoritarios (electrones) en supercie, con lo que tendremos z.c.e. y capacidad en serie con Cox , por lo que para las mismas tensiones, la capacidad ahora ser inferior. En el dispositivo que se fabrica en este proyecto, se utiliza como tcnica de pasivacin la inversin de poblacin en la supercie aprovechando la diferencia de funciones de trabajo entre el semiconductor (silicio) y el metal (aluminio). Si el valor de la funcin de trabajo del metal y el semiconductor son distintos, implica que la posicin del nivel de Fermi del metal y del semiconductor respecto al nivel de vaco no ser la misma, de modo que no quedaran al mismo nivel. Por denicin, los niveles de Fermi a ambos lados del xido deben ser iguales, por lo que las bandas se curvan del mismo modo que haran al aplicar una tensin igual a la diferencia entre las funciones de trabajo ms . De este modo, para conseguir de nuevo bandas planas, sera necesario aplicar una polarizacin del mismo valor que ms VF B = ms . (4.12) De este modo, si la diferencia entre las funciones de trabajo es suciente, nos encontraremos en el caso de inversin sin tener que aplicar una tensin en bornes del dispositivo, siempre y cuando se cumpla 2Bp > ms > Bp . (4.13)
22

Metal xido Semiconductor P
V>0 EF
qs
qBp
EC Ei
EF EV
(a) Diagrama de bandas de un condensador MOS ideal en fuerte inversin.
QM
(x)
WD d 0 Qn Qs
(b) Distribucin de carga.
x qNA
x WD
(c) Distribucin del campo elctrico.
d Vo V s 0 WD
(d) Distribucin del potencial relativo al volumen del semiconductor.
Figura 4.5: Representacin del diagrama de bandas, carga, campo elctrico y potencial a lo largo del dispositivo.
Captulo 5
Proceso de fabricacin
La estructura a fabricar consiste en una clula solar basada en difusiones n+ locales y emisores inducidos en la cara posterior tal y como aparece en la gura 5.1. En este tipo de estructura, el contacto de base se encuentra en la cara frontal, donde se colocan el bus y los ngers. El rasgo caracterstico de esta clula solar se encuentra en la parte trasera, en la que tiene difusiones locales de tipo n+ . Por lo tanto, es aqu dnde se encuentran los contactos de los emisores (colectacin de electrones). La pasivacin se realiza mediante la inversin de poblacin en la supercie del silicio gracias a la estructura MOS formada por aluminio, xido de silicio y silicio tipo p. Como el aluminio tiene una funcin de trabajo inferior a la del silicio, provoca que las bandas se doblen e induce una capa de tipo n, tal y como se ha visto en el apartado 4.3.
Figura 5.1: Vista en seccin de la clula solar basada en difusiones n+ locales y emisores inducidos en la cara posterior.
El n de este proyecto consiste en caracterizar la respuesta del dispositivo en funcin de la distancia entre los puntos de contacto de los emisores, debido a que una mayor distancia supone una mayor resistencia serie, pero a su vez, tenemos una mayor zona bien pasivada gracias a la estructura MOS. Es por ello que se han fabricado clulas de 1x1cm y 2x2 cm con diferentes distancias entre contactos (pitch ), la distribucin de las cuales en la oblea se puede observar 23
200 n+ 150 150
250
300
350
n+
n+
5.1. Emisores n+ Datos tcnicos: Piraa: H2 SO4 (95 97 %), H2 O2 (30 %), 2 : 1
25
RCA1: 3000 ml H2 O + 500 ml H2 O2 (30 %)+500 ml N H 3 (25 %), 6 : 1 : 1 HF 1: (1 %): 3902 ml H2 O + 80 ml HF RCA2: 2800 ml H2 O + 400 ml H2 O2 (30 %)+400 ml HCl (32 %), 7 : 1 : 1 HF 2: (1 %): 3902 ml H2 O + 80 ml HF
Estructura:
Figura 5.3: Estructura del dispositivo despus del ataque piraa y RCA.
5.1.2.
xido de campo
Descripcin: Una vez limpiada la oblea, se procede a crecer el xido de campo de grosor 220 nm mediante oxidacin trmica seca, el cual nos permitir proteger zonas de oblea de la difusin de fsforo. Datos tcnicos: tox = 4 h; T
T (C)
1040 810 Pendiente: 10C/min / 650 600
= 1040 o C
N2 ( (7.5 mm 3 l/min) / ) O2 (11.5 mm 2.2 l/min). Incluye purgado DCE 30 O2 (11.5 mm 2.2 l/min) + DCE (65 mm 1.75%)
Pendiente: 5C/min
15.5
23
tox = 4h tox
1.5
88
t(min)
Figura 5.4: Proceso de oxidacin trmica seca con tox = 4 h. Estructura:

W
V
Figura 5.5: Estructura del dispositivo despus del crecimiento del xido de campo
26
Captulo 5. Proceso de fabricacin

Fotolitografa emisores n+
5.1.3.
Descripcin: Se abren ventanas en la resina de la cara trasera, las cuales servirn para eliminar el xido de campo y difundir fsforo en dichas zonas. Con el n de proteger la cara frontal, se aplica resina en dicha cara. Datos tcnicos: Fotoresina: Megaposit SPR 220-7.0 positive photoresist, 3000 r.p.m., 30 s; Precursor de adherencia: Acros Organics HMDS 98 %; Secado frontal: 105 o C, 10 min; Secado trasero: 30 min; Exposicin: 90 s; Hold time: >45 min; Revelado: MF-24A, 2 min. Mscara: Ver gura 5.30 del apartado 5.6. Estructura:
V
Figura 5.6: Estructura del dispositivo despus de la fotolitografa trasera para las difusiones n+ . Resultado:
(a) Pitch:
300 m, zoom: 5X
(b) Pitch:
250 m, zoom: 5X
Figura 5.7: Ventanas en la resina para la difusin n+ .
5.1.4.
Ataque al xido de campo
Descripcin: Una vez revelado, la resina tapa las zonas en las que queremos dejar el xido de campo, que servir de barrera para cuando se realice la difusin de fsforo, consiguiendo los emisores n+ . Se utiliza una composicin que permite un ataque homogneo y regular a lo largo del tiempo.
5.1. Emisores n+ Datos tcnicos: N H4 F (40 %)+HF (50 %), 9 : 1, 15 min. Eliminacin resina. Estructura:
27
V
Figura 5.8: Estructura del dispositivo despus del ataque al xido de campo.
5.1.5.
Difusin de fsforo
Descripcin: Para crear las difusiones, se introduce la oblea con las ventanas en el xido de campo en el horno. El proceso se realiza mediante fuente slida, por lo que los discos desprendern fsforo cuando se encuentren a altas temperaturas y se depositar sobre el silicio, introducindose por difusin dentro de ste. Datos tcnicos: Fuente slida; tdif = 30 min; T = 835 o C
T (C) 835
N2 (100%)
Soak
N2 (100%)
700
N2 (100%)
Pushin
Ramp up (15/min)
Ramp down Pushout (10/min)

t
5 min
10 min
30 min
13 min
3 min
Flujo total de gas(siempre N2) : 2,5 l/min (55 mm)
Figura 5.9: Proceso de difusin de fsforo. Estructura:

W E
V
Figura 5.10: Estructura del dispositivo despus de la difusin n+
28
5.2. xido de pasivacin

5.2.1. Eliminacin del xido de 220 nm
Descripcin: Se elimina la capa de xido frontal y trasera de 220 nm con el n de realizar una nueva oxidacin que nos permita pasivar la supercie. Datos tcnicos: N H4 F (40 %)+HF (50 %), 9 : 1, 15 min. Estructura:
W E
Figura 5.11: Estructura del dispositivo tras la eliminacin del xido de campo.
5.2.2. Oxidacin trmica seca
Descripcin: La nueva capa de xido pasivante tendr un grosor de 35 nm, y servir para realizar una inversin de poblacin en el interfaz del silicio y el xido gracias a la diferencia de las funciones de trabajo del silicio y el aluminio. Con ello se reduce la recombinacin supercial, pasivando la supercie. Datos tcnicos: tox = 45 min, T = 975 o C; Recocido en Forming Gas H2 (5 %)+N2 (95 %), 425 o C, 30 min
N2 ( (7.5 mm 3 l/min) / )
T (C)
975 810
O2 (11.5 mm 2.2 l/min). Incluye purgado DCE 30 O2 (11.5 mm 2.2 l/min) + DCE (65 mm 1.75%)
Pendiente: 5C/min Pendiente: 10C/min /
650 600
15.5
16.5
tox = 45 tox
1.5
75
t(min)
Figura 5.12: Proceso de oxidacin trmica seca con tox = 45 min. Estructura:
E
W E
V
Figura 5.13: Estructura del dispositivo tras el crecimiento del xido de pasivacin de 35 nm.
5.3. Metalizacin frontal
29
5.3. Metalizacin frontal

En la parte frontal de la clula solar se encontrarn el bus y los ngers que estarn contactando el sustrato p. El material utilizado es aluminio, y se depositar evaporando ste por efecto Joule. La metalizacin frontal se realiza antes que la trasera debido a que el aluminio necesita un paso por horno a una temperatura mayor para acabar el contacto que el contacto trasero.
5.3.1.
Fotolitografa frontal
Descripcin: Se abren las zonas en las que se desea contactar el aluminio del bus y los ngers con el sustrato p. Estas ventanas permitirn la eliminacin del xido de pasivacin en dichas zonas. Con el n de proteger la cara trasera del ataque al xido, se aplica resina en dicha cara. Datos tcnicos: Fotoresina: Megaposit SPR 220-7.0 positive photoresist, 3000 r.p.m., 30 s; Precursor de adherencia: Acros Organics HMDS 98 %; Secado frontal: 105 o C, 10 min; Secado trasero: 30 min; Exposicin: 90 s; Hold time: >45 min; Revelado: MF-24A, 2 min. Mscara: Ver gura 5.31 del apartado 5.6. Estructura:
W E
V
Figura 5.14: Estructura del dispositivo tras la fotolitografa frontal para la metalizacin de aluminio.
5.3.2.
Ataque al xido de pasivacin
Descripcin: Una vez realizado el revelado, la resina tapa las zonas en las que queremos dejar el xido de pasivacin. Se utiliza una composicin que permite un ataque homogneo y regular a lo largo del tiempo. Datos tcnicos: N H4 F (40 %)+HF (50 %), 9 : 1, 15 min. Estructura:
W E
V
Figura 5.15: Estructura del dispositivo despus del ataque al xido para el contacto de la zona p.
30

Evaporacin de aluminio por efecto Joule
5.3.3.
Descripcin: Se evapora el aluminio que formar el contacto frontal por efecto Joule. ste se depositar en toda la supercie de la oblea. Una vez depositado, se elimina de las zonas no deseadas mediante la tcnica del . sta tcnica consiste en sumergir la oblea en acetona, consiguiendo que las zonas que tienen resina se levanten, consiguiendo levantar a su vez el aluminio que est encima de sta.
lift-o
Datos tcnicos: Grosor: 0, 535 0, 05 m; ; Recocido en H2 (5 %)+N2 (95 %), 450 o C, 10 min
lift-o Forming Gas
Estructura:
V
W E
Figura 5.16: Estructura del dispositivo tras la metalizacin frontal de aluminio.
W E
Figura 5.17: Estructura del dispositivo despus del Resultado:
lift-o
(a) Zoom: 5X
(b) Zoom: 5X
Figura 5.18: Detalle del bus y los ngers de la cara frontal tras la metalizacin.
5.4. Metalizacin trasera
31

El contacto trasero de la clula solar tendr dos pasos de metalizacin. El primero, realizado mediante can de electrones, depositar en primera instancia titanio que contactar directamente la zona n+ y acto seguido plata. Se deposita el titanio porque realiza un muy buen contacto hmico y la plata es muy buen conductor. A continuacin, en el segundo paso se evapora mediante efecto Joule aluminio que se depositar por toda la supercie del a clula solar, contactando todas las difusiones entre s y realizando la funcin de metal en la estructura MOS que permite pasivar la supercie del silicio.
5.4.1.
Fotolitografa de los contactos de los emisores
Descripcin: Se abren las ventanas cuadradas de 50 m con el n de poder eliminar el xido y contactar los emisores n+ . Para proteger la cara trasera del ataque al xido, se aplica resina en dicha cara. Datos tcnicos: Fotoresina: Megaposit SPR 220-7.0 positive photoresist, 3000 r.p.m., 30 s; Precursor de adherencia: Acros Organics HMDS 98 %; Secado frontal: 105 o C, 10 min; Secado trasero: 30 min; Exposicin: 90 s; Hold time: >45 min; Revelado: MF-24A, 2 min. Mscara: Ver gura 5.32 del apartado 5.6. Estructura:
W E
V
Figura 5.19: Estructura del dispositivo tras la fotolitografa para el contacto de la zona n+ .
Resultado:
(a) Peach:
350 m
(b) Peach:
300 m
32
(c) Peach:
250 m
(d) Peach:
200 m
Figura 5.20: Ventanas en la resina para los contactos de los emisores n+ .
5.4.2.
Ataque al xido de pasivacin trasero
Descripcin: Eliminamos el xido de manera que podamos contactar los emisores n+ mediante el titanio y la plata. El ataque se realiza con la misma composicin utilizada en los ataques anteriores. Datos tcnicos: N H4 F (40 %)+HF (50 %), 9 : 1, 15 min. Estructura:
V
P N
Figura 5.21: Estructura del dispositivo despus del ataque al xido para el contacto de la zona n+ .
5.4.3.
Contacto de TiAg con los emisores
Descripcin: Se contactan los emisores mediante titanio, ya que tal y como se ha comentado, realiza un buen contacto con el silicio. A continuacin se deposita una capa de plata, que acabar de realizar el contacto sobresaliendo del xido. Datos tcnicos: Can de electrones; Grosor TiAg: 0, 255 0, 005 m; Lift-o ; Recocido en Forming Gas H2 (5 %)+N2 (95 %), 375 o C, 20 min. Estructura:

V
33
W E
Figura 5.22: Estructura del dispositivo tras la metalizacin TiAg.
N+
N+
Figura 5.23: Estructura del dispositivo despus del
lift-o
de TiAg.
Resultado:
(a) Peach:
300 m, zoom: 5X
(b) Peach:
300 m, zoom: 20X
Figura 5.24: Contactos de los emisores n+ .
Se aprecia una diferencia de color entre algunos puntos, siendo plateados y anaranjados. Este ltimo color es debido a que la plata ha saltado al realizar el lift-o.
5.4.4.
Fotolitografa metalizacin Al
Descripcin: Apertura de las ventanas en las que se aplicar la capa de aluminio, que unir todos los puntos de contacto realizados en el paso anterior y adems permitir realizar la inversin de poblacin para la pasivacin en las zonas no difundidas.
34
Captulo 5. Proceso de fabricacin Datos tcnicos: Fotoresina: Megaposit SPR 220-7.0 positive photoresist, 3000 r.p.m., 30 s; Precursor de adherencia: Acros Organics HMDS 98 %; Secado frontal: 105 o C, 10 min; Exposicin: 90 s; Hold time: >45 min; Revelado: MF-24A, 2 min. Mscara: Ver gura 5.33 del apartado 5.6. Estructura:
V
W E
Figura 5.25: Estructura del dispositivo tras la fotolitografa trasera para la metalizacin de Al. Resultado:
Figura 5.26: Fotolitografa cara trasera para el depsito de aluminio. Esquina clula central, zoom: 10X.
5.4.5.
Metalizacin Al
Descripcin: Se aplica nalmente una capa de aluminio que recubre la supercie de toda la clula solar, contactando todos los puntos de plata y realizando la pasivacin de la supercie en las zonas de xido mediante la inversin de poblacin que ofrece el tener materiales de funciones de trabajo distintas en una estructura MOS. Datos tcnicos: Efecto Joule; Grosor Al: 0, 55 0, 05 m. Estructura:
5.5. Oblea resultante
35
W E
V
Figura 5.27: Estructura del dispositivo tras la metalizacin trasera de Al.
W E
Figura 5.28: Estructura del dispositivo despus del
lift-o
de Al.
5.5. Oblea resultante

En las guras 5.29 se puede ver el aspecto de la oblea despus de todo el proceso de fabricacin. En la cara posterior (gura 5.29(b)), se aprecian los condensadores MOS utilizados para la caracterizacin de la estructura MOS en las clulas solares. En la cara frontal (gura 5.29(b)) est la metalizacin trasera de dichos condensadores. Adems, se aprecian las marcas de alineacin, correspondientes a los rectngulos metalizados con cuatro pequeos rectngulos en su interior.
(a) Cara frontal
(b) Cara posterior
Figura 5.29: Aspecto de la oblea tras la nalizacin del proceso de fabricacin.
36
5.6. Mscaras
RE-MIS/IL on SiO2 n+ Diffusions
Figura 5.30: Mscara con zonas de difusin n+ .
5.6. Mscaras
37
RE-MIS/IL on SiO2 Al front metallization
Figura 5.31: Mscara de metalizacin frontal Al.
38
RE-MIS/IL on SiO2 Ti/Ag contacts
Figura 5.32: Mscara de metalizacin frontal Al.
5.6. Mscaras
39
RE-MIS/IL on SiO2 Al metallization
Figura 5.33: Mscara de metalizacin trasera para Al.
40
5.7. Datos tcnicos y esquema del proceso de fabricacin

En la tabla 5.1 se puede seguir de forma resumida y esquemtica el proceso de fabricacin que se ha llevado a cabo. En la tabla 5.2 se detallan los datos tcnicos del proceso de fabricacin utilizados.
W W
1. Ataque piraa y RCA
2. xidacin de campo
W E
W E
3. Denicin del dispositivo
4. Difusin N +
V
W E
W E
5. xido de 35 nm
6. Contacto frontal
N+
N+
W E
7. Evaporacin TiAg
8. Contacto posterior
Cuadro 5.1: Resumen esquemtico del proceso de fabricacin de clulas solares con emisor trasero y estructura MOS.
5.7. Datos tcnicos y esquema del proceso de fabricacin
41
Proceso
xido de campo Denicin de los emisores
Limpieza RCA y ataque piraa T = 1040 o C, tox = 4 h, ujo O2 : 2, 2 l/mm Fotoresina: Megaposit SPR 220-7.0 positive photoresist, 3000 r.p.m., 30 s; Precursor de adherencia: ACROS ORGANICS HMDS 98 %; Secado frontal: 105 o C, 10 min; Secado trasero: 30 min; Exposicin: 90 s; Hold time: >45 min; Revelado: MF-24A, 2 min; Ataque xido: N H4 F (40 %)+HF (50 %), 9 : 1, 15 min. Eliminacin resina. Fuente slida; tdif = 30 min; T = 835 o C Elimacin xido campo: N H4 F (40 %)+HF (50 %), 9 : 1, 15 min tox = 45 min; T = 975 o C Recocido en Forming Gas H2 (5 %)+N2 (95 %), 425 o C, 30 min Fotoresina: Megaposit SPR 220-7.0 positive photoresist, 3000 r.p.m., 30 s; Precursor de adherencia: ACROS ORGANICS HMDS 98 %; Secado frontal: 105 o C, 10 min; Secado trasero: 30 min; Exposicin: 90 s; Hold time: >45 min; Revelado: MF-24A, 2 min. Eliminacin xido: N H4 F (40 %)+HF (50 %), 9 : 1, 15 min. Evaporacin Al efecto Joule: grosor: 0, 535 0, 05 m; Lift-o ; Recocido en Forming Gas H2 (5 %)+N2 (95 %), 450 o C, 10 min Fotoresina: Megaposit SPR 220-7.0 positive photoresist, 3000 r.p.m., 30 s; Precursor de adherencia: ACROS ORGANICS HMDS 98 %; Secado frontal: 105 o C, 10 min; Secado trasero: 30 min; Exposicin: 90 s; Hold time: >45 min; Revelado: MF-24A, 2 min; Elimacin xido campo: N H4 F (40 %)+HF (50 %), 9 : 1, 15 min Can de electrones; Grosor TiAg: 0, 255 0, 005 m; Lift-o ; Recocido en Forming Gas H2 (5 %)+N2 (95 %), 375 o C, 20 min Fotoresina: Megaposit SPR 220-7.0 positive photoresist, 3000 r.p.m., 30 s; Precursor de adherencia: ACROS ORGANICS HMDS 98 %; Secado frontal: 105 o C, 10 min; Secado trasero: 30 min; Exposicin: 90 s; Hold time: >45 min; Revelado: MF-24A, 2 min; Evaporacin Al efecto Joule: grosor: 0, 55 0, 05 m; Lift-o ;
Descripcin
Difusin de fsforo xido de pasivacin
Contacto frontal
Contacto trasero
Cuadro 5.2: Resumen de los datos tcnicos del proceso de fabricacin.
42
Captulo 6
Caracterizacin del dispositivo

6.1. Tiempo de vida de los portadores en supercie
Un punto muy importante a tener en cuenta para conseguir una buena eciencia es reducir el ritmo de recombinacin de los portadores en la interfaz SiO2 /c Si. Esta magnitud se puede medir indirectamente a travs del tiempo de vida de los portadores, es decir, el tiempo medio entre que un par electrn hueco es generado y se recombina. Con el objetivo de poder separar la recombinacin en el volumen de la recombinacin en las interfaces, se ha fabricado una muestra de test donde se han crecido en ambas caras de la oblea 35 nm de xido. Con esta estructura podemos determinar un lmite superior de la velocidad efectiva de recombinacin en la interfaz Sef f (ver apartado 2.3.4) suponiendo que no se produce recombinacin en el volumen del semiconductor. Analticamente
Sef f < 2w/ef f ,
(6.1)
donde ef f es el tiempo de vida de los portadores y w es el grosor de la oblea. Para medir ef f se ha utilizado el equipo Sinton WCT-120 y en la gura 6.1 tenemos el resultado del tiempo de vida en funcin del nivel de inyeccin de dicha muestra de test identicada como 'Inicial'. Escogiendo el valor mximo de tiempo de vida, se deduce una Sef f menor de 774 cm/s, lo que demuestra un nivel de pasivacin excelente. Es conocido que los procesos de metalizacin pueden llegar a daar la interfaz (crear nuevos defectos, enlaces descubiertos, etc.) sobretodo aquellos en los que estn presentes partculas de alta energa (electrones y/o iones acelerados). Las opciones disponibles para evaporar la capa de aluminio necesaria para invertir la supercie son: evaporacin por efecto Joule o sputtering. Conseguir un grosor elevado de aluminio por efecto Joule resulta complejo, debido a que el proceso exige colocar un lamento de aluminio en una espira de tungsteno, por la cual circular una corriente elevada, calentndola hasta el punto en el que el aluminio se funde y se evapora. Mientras est en estado lquido, se mantiene adherido a la espira por tensin supercial, pero es muy probable que se desprenda, provocando que no todo el aluminio se evapore, y por consiguiente, no obteniendo el grosor esperado. Por otra parte en el proceso de sputtering se ataca un target de aluminio slido mediante un plasma de Argn. En este plasma los iones de Ar son acelerados contra el target que desprende material y acaba depositado sobre la muestra (y el resto de la cmara). Este proceso es muy utilizado en la industria microelectrnica y permite un control 43
44
Captulo 6. Caracterizacin del dispositivo

10
3
Tiempos de vida medidos [s]
Inicial FomingGas Sputtering EvapJoule 10

4
10
10
10
12
10
13
10
14
10
15
10
3
16
10
17
Densidad de portadores minoritarios [cm ]
Figura 6.1: Representacin del tiempo de vida en supercie respecto a la densidad de portadores minoritarios segn los procesos de metalizacin seguidos. En concreto, efecto Joule en el estado inicial, al cabo de tres semanas y tras un paso por horno con forming gas y combinacin de sputtering con efecto Joule. muy preciso del grosor de capa. Sin embargo es esperable el dao de la interfaz si se utiliza esta tecnologa. Para evitar este dao se pens en evaporar por efecto Joule una na capa de aluminio para acabar de alcanzar un grosor razonable con una capa depositada por sputtering. La idea es que la na capa de aluminio apantalle las partculas de alta energa que se producen en el plasma y permitan realizar un depsito por sputtering sin daar la interfaz. Dadas las dos alternativas posibles se realiz un experimento en el que se evapor por efecto Joule una capa de aluminio sobre dos muestras y una de ellas recibi una segunda capa de aluminio hasta alcanzar las 2 m de grosor por sputtering. Los resultados del tiempo de vida de los portadores se pueden observar en la gura 6.1 identicadas como 'EvapJoule' y 'Sputtering' respectivamente. Se observa como la evaporacin por efecto Joule no slo no daa la interfaz sino que incluso la pasivacin es ligeramente mejor alcanzando valores de Sef f por debajo de 745 cm/s. A esta muestra se le realiz un recocido en forming gas y se obtuvo una mejora todava mayor tal y como se muestra tambin en la gura con un valor nal de Sef f menor de 350 cm/s. Por otra parte, la muestra con el depsito de sputtering presenta un descenso muy acusado del tiempo de vida hasta los 2 3 s. Por tanto la interfaz despus del proceso de sputtering se encuentra completamente despasivada. Es por ello que las metalizaciones de aluminio se realizan por efecto Joule, pasando por horno con forming gas en la metalizacin frontal. En la trasera no se aplica debido a que al pasar la oblea por altas temperaturas, el aluminio tiende a penetrar a travs del xido, pudiendo llegar a cortocircuitar los diodos. A lo largo del proceso de fabricacin se han realizando medidas de tiempo de vida como control de la calidad del dispositivo, obteniendo los resultados que se pueden apreciar en a gura 6.2. Los valores de tiempo de vida despus del proceso de difusin y oxidacin (35 nm) son elevados demostrando una baja tasa de recombinacin en la supercie. Se puede ver como aumenta el tiempo de vida despus de aplicar el recocido en forming gas (425 o C, 30 min), el cual mejora el interfaz, eliminando trampas que facilitan la recombinacin. Adems, el resultado prcticamente
6.2. Medida del condensador MOS
45
no se modica tras realizar la fotolitografa que permitir realizar los contactos de la cara frontal. Segn las medidas realizadas, tenemos un buen comportamiento en supercie, por lo que no se ha daado la interfaz a lo largo del proceso de fabricacin.
10
3
Tiempo de vida medido
10
10
Difusin y oxidacin Difusin, oxidacin y FGA Fotolitografa fontal contacto 10

6
10
13
10 10 10 Densidad de portadores minoritarios [cm 3]
14
15
16
10
17
Figura 6.2: Representacin del tiempo de vida en supercie respecto a la densidad de portadores minoritarios en diferentes puntos del proceso de fabricacin.
6.2. Medida del condensador MOS

La estructura bsica entre difusiones n+ del dispositivo fabricado es el condensador MOS. La idea es aprovechar la gran diferencia entre las funciones de trabajo del substrato p y del aluminio para inducir un campo elctrico en supercie que atraiga electrones con dos objetivos. Uno conectar elctricamente las difusiones n+ mediante lo que podramos llamar un emisor inducido poco dopado. Y por otro lado mejorar todava ms la pasivacin de la supercie trasera en aquellas zonas en las que no hay difusiones n+ . Por lo tanto, resulta interesante conocer el estado de todas estas zonas, que nos condicionarn el funcionamiento del dispositivo. Es por ello que se han fabricado condensadores MOS circulares de tres tamaos distintos distribuidos por la oblea (vase mscara de aluminio trasera, gura 5.33). El dimetro de dichos condensadores son: 1, 5 mm, 1 mm y 0, 5 mm. A partir de la obtencin de la C V de los condensadores y su confrontacin con la teora (ver captulo 4), sabremos en que estado se encuentra la estructura. Idealmente se espera que nos encontremos en inversin, lo que asegurara un canal de electrones conectando las difuciones n+ y poder pasivar correctamente la supercie. En la gura 6.3 se ha representado la capacidad normalizada por la capacidad de acumulacin C/Cox del condensador MOS respecto a la tensin aplicada en alta frecuencia (1 MHz) con un barrido lento. A partir de las ecuaciones presentadas en el captulo 4 se ha ajustado de forma excelente la curva experimental. Los parmetros libres del modelo han sido jados a su valor determinado experimentalmente salvo en dos casos. Por un lado el dopado de substrato que se ha debido reducir de 3, 451016 cm3 a 2, 71016 cm3 . El origen de esta pequea desviacin es la prdida de dopante (boro en este caso) cerca de la supercie en el proceso de oxidacin. El boro es 'absorbido' por el xido segn crece debido a un coeciente de segregacin ms favorable que en el silcio. Por otra parte, la carga ja del dielctrico es desconocida y mediante el ajuste experimental queda determinada en 61010 cm2 . Este valor en el rango de 1010 cm2 es caracterstico de xidos limpios sin impurezas externas que normalmente incrementan fuertemente esta
46
carga. Si escogemos el punto de V = 0 V, la tensin en supercie deducida del ajuste es s = 0, 31 V. Con esta tensin y siguiendo lo descrito en el apartado 4.2, nos encontramos en vaciamiento, estando cerca de la inversin dbil pero no se llega. Haciendo los clculos se obtiene que para tener tantos electrones como huecos en la supercie y alcanzar la inversin son necesarios 50 mV ms.
1.2 1.1 Capacidad normalizada, C/Cox 1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 6 5 4 3 2 1 0 1 Voltaje, V [V] 2 3 4 5 6 medida teora
Figura 6.3: Respuestas terica y experimental C V normalizadas respecto Cox . Parmetros modelo terico: m = 0, 428 eV; s = 0, 502 eV; ms = 0, 727 eV; Qf = 61010 cm2 ; tox = 35 nm; NA = 2, 71016 cm3 . La conclusin de estas medidas es que no se alcanza la inversin de poblacin, por lo que las difusiones n+ no estarn conectadas entre s, lo que dicultar el buen funcionamiento de las clulas.
6.3. Respuesta en oscuridad

6.3.1. Clulas de 1x1 cm en oscuridad
En la gura 6.4 se puede observar la respuesta de las clulas de 1x1 cm en oscuridad. Se aprecia que la clula de pitch 250 m y las de 350 m tienen una respuesta bastante ideal, teniendo una pendiente unitaria aproximadamente en el tramo lineal, por lo que el factor de idealidad es prximo a dicho valor. Cuando llegamos a valores ms elevados de voltaje, la resistencia serie parsita es ms notoria, lo cual provoca una disminucin del crecimiento de la intensidad a partir de los 0, 65 V aproximadamente. Adems, se puede ver que las corrientes de fugas son muy bajas, quedando enmascaradas por el ruido de los instrumentos de medida que aparece en todo el eje negativo de abscisas. En la gura 6.5 se puede ver como se ajusta la respuesta experimental con el modelo de la ecuacin 3.7 para la respuesta de la clula inferior de pitch 350 m. Los parmetros del modelo que se han ajustado han sido J0 , JSR y RS . La resistencia shunt se ha dejado ja a un valor
6.3. Respuesta en oscuridad

10
0
47
10
-1
10 Densidad de corriente J, [Acm-2]
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
-6
10
-7
1x1_200um_dark 1x1_200um_inf_dark 1x1_250um_dark 1x1_250um_inf_dark 1x1_300um_dark 1x1_300um_inf_dark 1x1_350um_dark 1x1_350um_inf_dark
10 -0.2
-8
-0.1
0.1
0.2
0.3
0.4 0.5 Voltaje, V [V]
0.6
0.7
0.8
0.9
Figura 6.4: Respuesta J V de clulas de 1x1 cm en oscuridad.
muy elevado, simulando un circuito abierto debido a que no hay fugas, sino que el lmite viene por el ruido de la medida. Los valores obtenidos del modelo han sido J0 = 4, 491013 mA/cm2 , JSR = 1, 08109 mA/cm2 y RS = 9, 44 . Los dos primeros valores son tpicos y correctos, mientras que la resistencia serie esperada es de entorno a 1 2 y la obtenida es muy superior, debido al mtodo de medida utilizado, donde los cables introducen una resistencia serie adicional elevada. El resto de respuestas, parecen tener una respuesta menos lineal, haciendo una cierta parbola que induce a pensar en un posible problema en el proceso de metalizacin trasero. La respuesta se asemeja a la respuesta del dispositivo en el que aparece un diodo Schottky (metal-semiconductor) en paralelo, los cuales tienen una barrera de potencial inferior, por lo que conducen en baja inyeccin, es decir, para valores pequeos de tensin. A medida que la tensin aumenta, el predominante es el diodo ideal, por lo que tienden a seguir la respuesta de las comentadas anteriormente. La aparicin de dicho diodo es posible que sea debido a la penetracin del aluminio a travs del xido, en zonas no contactadas, y/o a travs del titanio en aquellos puntos en los que, al realizar el proceso de lift-o, la plata se levant. En ambos casos, aparece una estructura metalsemiconductor, formando el diodo Schottky. Por ltimo, comentar el valor obtenido para V = 1 V, que en todas las grcas es muy parecido aunque con una cierta dispersin. Dicha dispersin de valores nales, puede ser debida al propio proceso de fabricacin. En cuanto a la bajada en el tramo nal, se sabe que el causante es la resistencia parsita serie que aparece en el dispositivo. En un principio se pretenda observar la dependencia de esta resistencia con el pitch de cada una de las clulas, esperando una resistencia mayor en aquellas con un pitch superior. Como se puede observar, no es el caso, y no se puede hacer una discriminacin por valor de pitch. Esto implica que el efecto predominante no sea el pitch sino otras cuestiones, como por ejemplo, el proceso de fabricacin o el mtodo de medida, donde los cables pueden introducir una resistencia grande que enmascare el efecto del pitch.
48
10 Densidad de corriente [A/cm ]

2
10
10
10
10
10
Experimental Modelo
0.2
0.2
0.4 Voltaje [V]
0.6
0.8
Figura 6.5: Respuesta J V de la clula de 1x1 cm y pitch 350 m en oscuridad comparada con el modelo terico.
6.3.2. Clulas de 2x2 cm en oscuridad
En la gura 6.6 se pueden ver las medidas tomadas para las clulas solares de 2x2 cm en condiciones de oscuridad. Se representa del mismo modo que en el caso anterior la densidad de corriente respecto al voltaje aplicado. Se puede ver que todas pasan por el (0,0), por lo que la oscuridad en la medida era estricta. Por lo que hace a las tensiones negativas, en las que un diodo ideal no permitira el paso de corriente, se observan fugas para todas las clulas, siendo superiores para las de distancia entre difusiones ms elevado, concretamente para las de 300 m y 350 m. Pasando ahora a las tensiones positivas, la nica que presenta una cierta respuesta exponencial es la de pitch 250 m, aunque no se aprecia el mismo comportamiento ideal que apareca en tres de las medidas del apartado anterior. El resto tiene respuestas peores, apareciendo como en el caso anterior un diodo Schottky en paralelo que permite la conduccin para tensiones inferiores, pasando despus a conducir el diodo esperado. En cuanto al tramo nal, se aprecia una resistencia serie considerable, obteniendo una mejor respuesta en estos trminos para la clula con pitch de 300 m.
6.4. Respuesta en iluminacin

6.4.1. Celulas de 1x1 cm bajo iluminacin
Finalmente se han tomado medidas bajo iluminacin, las cuales se han representado y se muestran en la gura 6.7.

10
0
49
10
-1
10 Densidad de corriente, J [Acm ]

-2
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
-6
10
-7
10
-8
2x2_200um_dark 2x2_250um_dark 2x2_300um_dark 2x2_350um_dark
10 -0.2
-9
-0.1
0.1
0.2
0.3
0.6
0.7
0.8
0.9
Figura 6.6: Respuesta I V de clulas de 2x2 cm en oscuridad.
A primera vista, no podemos ver una respuesta ideal para ninguna de las curvas, siendo no coherente en principio con las medidas obtenidas para oscuridad, ya que tres de los diodo eran ideales. Se observa claramente que ninguna de las curvas tiene una zona plana antes de empezar la conduccin, sino que se va perdiendo corriente a medida que la tensin aplicada aumenta. Otro dato que resulta extrao en principio es la poca corriente fotogenerada obtenida, esperando en un inicio que fuera muy superior tal y como se obtena en las simulaciones. En la tabla 6.1 se puede ver un resumen de los indicadores del comportamiento de las clulas, donde se observa el comentado bajo valor de la corriente, una muy baja eciencia y nalmente un ll factor tambin muy bajo. El hecho que explica el mal comportamiento de la clula comentado en el prrafo anterior es debido a que, como se ha visto en el apartado 6.2, no se ha conseguido una inversin de poblacin en la supercie trasera del silicio, y por lo tanto, no se ha pasivado correctamente las regiones que se encuentran entre las difusiones n+ . Ello provoca una prdida importante de corriente fotogenerada por culpa de la recombinacin supercial, lo que conlleva una baja corriente de cortocircuito Jsc . La explicacin de la pendiente a medida que se sube el voltaje aplicado va por el mismo camino. No se tiene inversin de poblacin, por lo que no hay sucientes minoritarios (electrones) en la supercie, situacin que se ve empeorada a medida que se le aplica tensin positiva al metal respecto al silicio en la cara frontal, o lo que es lo mismo, como el caso que nos incumbe es la cara posterior, se aplica una tensin negativa en el contacto posterior respecto al silicio, ya que se induce carga positiva en la supercie. Concretamente, se van expulsando los pocos minoritarios que se haba conseguido acumular, haciendo que la pasivacin sea cada vez ms deciente, y por consiguiente, la intensidad se reduzca por la recombinacin en supercie a medida que la tensin aumenta. ste efecto junto a la pobre corriente de cortocircuito provoca que la potencia mxima sea baja, y en consecuencia, la eciencia tambin lo sea, tal y como se aprecia en la tabla 6.1.
50
La tensin de circuito abierto Voc es muy parecida para todos lo casos como se puede ver tanto en la gura 6.7 como en la tabla 6.1. El valor de este parmetro es aceptable, pero los valores del resto hace que el comportamiento del dispositivo no sea correcto.
5 x 10
-3
2.5
Densidad de corriente, J [Acm ]
-2
-2.5
1x1_200um_inf_light 1x1_200um_light 1x1_250um_inf_light 1x1_250um_light 1x1_300um_inf_light 1x1_300um_light 1x1_350um_inf_light 1x1_350um_light
-5
-7.5
-10
-12.5
-15
-17.5
-20 -0.2
-0.1
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
Figura 6.7: Respuesta I V de clulas de 1x1 cm bajo iluminacin.

Clula
1x1 1x1 1x1 1x1 1x1 1x1 1x1 1x1 200 m 200 m 250 m 250 m 300 m 300 m 350 m 350 m
inferior inferior inferior inferior
Voc 0, 615 0, 613 0, 608 0, 630 0, 625 0, 623 0, 628 0, 623
Jsc [mA/cm2 ] 14, 13 14, 53 14, 49 14, 09 9, 83 12, 95 7, 98 14, 24
FF 46, 15 38, 62 36, 38 49, 99 38, 30 43, 03 39, 59 49, 20
% % % % % % % %
4, 01 3, 44 3, 20 4, 44 2, 35 3, 47 1, 98 4, 36
% % % % % % % %
Cuadro 6.1: Resumen de los parmetros caractersticos de la respuesta bajo iluminacin de las clulas solares de 1x1 cm.
6.4.2. Clulas de 2x2 cm bajo iluminacin
En el caso de las clulas de 2x2 cm, se observa en la gura 6.8 que el comportamiento es el mismo que en las de 1x1 cm. La intensidad de cortocircuito es baja y a medida que se aumenta la tensin aplicada en bornes del dispositivo, sta va disminuyendo de forma lineal aproximadamente. Tal y como ocurra antes, la potencia mxima obtenida tambin ser baja, con lo que la eciencia cae bruscamente. Con todo ello, se obtiene un ll factor realmente bajo. El valor de la tensin de circuito abierto de nuevo se encuentra en valores correctos, vendose limitado el comportamiento del dispositivo por la recombinacin en la cara posterior, en la que la pasivacin no se ha logrado. Todos estos datos quedan reejados en la tabla 6.2.
51
5 2.5 0 Densidad de corriente, J [Acm2] 2.5 5 7.5 10 12.5 15 17.5
x 10
2x2_200um_light 2x2_250um_light 2x2_300um_light 2x2_350um_light
20 0.2
0.1
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
Figura 6.8: Respuesta I V de clulas de 2x2 cm bajo iluminacin.
2x2 2x2 2x2 2x2
Clula
200 m 250 m 300 m 350 m
Voc 0, 623 0, 623 0, 633 0, 630
Jsc [mA/cm2 ] 15, 78 14, 75 15, 67 12, 32
FF 51, 80 48, 91 50, 35 43, 79
% % % %
5, 09 4, 49 4, 99 3, 40
% % % %
Cuadro 6.2: Resumen de los parmetros caractersticos de la respuesta bajo iluminacin de las clulas solares de 2x2 cm.
52
Captulo 7
Conclusin
"No hay mal que por bien no venga."
A lo largo del proyecto se ha abordado la problemtica actual de las clulas solares: alto coste de fabricacin para clulas de alta eciencia. Despus de realizar las simulaciones del comportamiento de la estructura y corroborar el buen comportamiento, en este proyecto se ha abordado su implementacin fsica, sin utilizar el lser como proceso de fabricacin para la realizacin de las difusiones de los emisores en la cara posterior del dispositivo, debido a que el trabajo se centra en el efecto del pitch en la respuesta de la clula y se genera una inversin controlada mediante la estructura MOS. Tras poner a prueba el comportamiento del dispositivo fabricado, se han analizado los resultados y comparado con las respuestas tericas y simuladas. Se ha podido comprobar que el resultado no ha sido satisfactorio, debido a que no se han obtenido los parmetros simulados, sino valores muy por debajo. Se esperaba un ll factor cercano al 80 %, mientras que el obtenido est en el 35 50 %. La densidad de corriente de cortocircuito es otro valor muy por debajo de lo esperado, con valores de 15 16 mA/cm2 , cuando las simulaciones apuntaban a valores cercanos al 35 mA/cm2 . Adems, se observa un comportamiento del dispositivo no esperado en iluminacin, donde la densidad de corriente disminuya a medida que aumenta el voltaje. Todos estos efectos se explican con la no inversin de la supercie, y por lo tanto, una mala pasivacin. Ambas cosas, provocan que la densidad de potencia mxima sea baja, sindolo tambin la eciencia del dispositivo, que tiene un mximo del 5 %, mientras que las simulaciones apuntaban a valores cercanos al 19 %. En las medidas de los condensadores se ha podido apreciar el principal problema que ha provocado el funcionamiento incorrecto del dispositivo: la no inversin de la supercie. Para conseguirlo, una opcin sera utilizar un metal con una menor funcin de trabajo que el aluminio. Esto no es posible, ya que el aluminio es el metal con una funcin de trabajo ms baja tecnolgicamente viable. Una segunda opcin consiste en utilizar una oblea con un dopado ms bajo, haciendo ms sencilla la expulsin de portadores mayoritarios para la inversin de la supercie. A pesar de no haber conseguido el resultado esperado, resulta interesante poder observar como el dispositivo se comporta de forma adecuada: estructura MOS ideal y diodos exponenciales en oscuridad. Todo tiene su explicacin fsica, por lo que el proceso de fabricacin ha sido un xito, siendo un problema de diseo el responsable del mal resultado. De hecho, a nivel didctico resulta ms rico el resultado obtenido, ya que implica el conocimiento completo del dispositivo y 53
54
Captulo 7. Conclusin
su funcionamiento para poder razonar el comportamiento no esperado de los resultados medidos. Como lneas futuras de investigacin, se encuentra principalmente conseguir la inversin de la supercie para pasivar correctamente sin utilizar cargas en el xido, que es un proceso con un alto grado de aleatoriedad. Una vez conseguida la pasivacin de la supercie, se debe proceder a la fabricacin del dispositivo con el proceso de lser.
ndice de guras
1.1. Estructura de la clula solar fabricada y medida. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2. Parmetros obtenidos en la simulacin de la estructura a fabricar. (NA = 1, 1101 6 cm3 , 3 S0 = 102 cm/s, Qf = 11012 cm2 ,dc = 100 m) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3. Estructura simulada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1. Diagrama de bandas de energa mostrando los procesos de recombinacin. . . . . 3.1. Espectro de referencia air-mass 1.5 global. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2. Estructura de una clula solar convencional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3. Circuito elctrico equivalente de una clula solar. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4. Curvas I V de una clula solar en oscuridad y bajo iluminacin. . . . . . . . . 4.1. Condensador MOS bsico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 7 11 13 14 15 17
4.2. Diagrama de bandas de energa de un condensador MOS ideal en equilibrio (V = 0). 18 4.3. Bandas de energa para un condensador MOS ideal bajo diferentes voltajes, condiciones de: (a) acumulacin, (b) vaciamiento y (c) inversin. . . . . . . . . . . . 4.4. Curva C-V de la estructura MOS a alta frecuencia. . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5. Representacin del diagrama de bandas, carga, campo elctrico y potencial a lo largo del dispositivo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.1. Vista en seccin de la clula solar basada en difusiones n+ locales y emisores inducidos en la cara posterior. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2. Distribucin de las clulas solares con la distancia entre difusiones n+ de cada una de ellas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.3. Estructura del dispositivo despus del ataque piraa y RCA. . . . . . . . . . . . . 55 19 21 22
23 24 25
56
ndice de guras
5.4. 5.5. 5.6.
Proceso de oxidacin trmica seca con tox
= 4 h.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
25 25
Estructura del dispositivo despus del crecimiento del xido de campo
Estructura del dispositivo despus de la fotolitografa trasera para las difusiones n+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Ventanas en la resina para la difusin
26 26 27 27 27 28 28 28
5.7. 5.8. 5.9.
n+ .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Estructura del dispositivo despus del ataque al xido de campo.
Proceso de difusin de fsforo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.10. Estructura del dispositivo despus de la difusin
n+
. . . . . . . . . . . . . . . .
5.11. Estructura del dispositivo tras la eliminacin del xido de campo. . . . . . . . . . 5.12. Proceso de oxidacin trmica seca con tox
= 45 min. .
. . . . . . . . . . . . . . . .
5.13. Estructura del dispositivo tras el crecimiento del xido de pasivacin de
35 nm.
5.14. Estructura del dispositivo tras la fotolitografa frontal para la metalizacin de aluminio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29 29 30 30 30 31 32
5.15. Estructura del dispositivo despus del ataque al xido para el contacto de la zona 5.16. Estructura del dispositivo tras la metalizacin frontal de aluminio. 5.17. Estructura del dispositivo despus del
lift-o.
p.
. . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.18. Detalle del bus y los ngers de la cara frontal tras la metalizacin.
5.19. Estructura del dispositivo tras la fotolitografa para el contacto de la zona 5.20. Ventanas en la resina para los contactos de los emisores
n+ .
. .
n+ .
. . . . . . . . . . . .
5.21. Estructura del dispositivo despus del ataque al xido para el contacto de la zona n+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.22. Estructura del dispositivo tras la metalizacin TiAg. 5.23. Estructura del dispositivo despus del 5.24. Contactos de los emisores . . . . . . . . . . . . . . . .
32 33 33 33 34
lift-o
de TiAg. . . . . . . . . . . . . . . .
n+ .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.25. Estructura del dispositivo tras la fotolitografa trasera para la metalizacin de Al. 5.26. Fotolitografa cara trasera para el depsito de aluminio. Esquina clula central, zoom: 10X. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
34 35
5.27. Estructura del dispositivo tras la metalizacin trasera de Al. . . . . . . . . . . . .
ndice de guras
57
35 35 36 37 38 39
5.28. Estructura del dispositivo despus del
lift-o
de Al.
. . . . . . . . . . . . . . . .
5.29. Aspecto de la oblea tras la nalizacin del proceso de fabricacin. . . . . . . . . . 5.30. Mscara con zonas de difusin
n+ .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.31. Mscara de metalizacin frontal Al. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.32. Mscara de metalizacin frontal Al. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.33. Mscara de metalizacin trasera para Al. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.1.
Representacin del tiempo de vida en supercie respecto a la densidad de portadores minoritarios segn los procesos de metalizacin seguidos. En concreto, efecto Joule en el estado inicial, al cabo de tres semanas y tras un paso por horno con forming gas y combinacin de sputtering con efecto Joule. . . . . . . . . . . . . . 44
6.2.
Representacin del tiempo de vida en supercie respecto a la densidad de portadores minoritarios en diferentes puntos del proceso de fabricacin. . . . . . . . . . 45
6.3.
Respuestas terica y experimental tros modelo terico: m 61010 cm2 ; tox = 35 nm;
C V normalizadas respecto Cox . Parme= 0, 428 eV; s = 0, 502 eV; ms = 0, 727 eV; Qf = NA = 2, 71016 cm3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1x1 cm
en oscuridad. y pitch . . . . . . . . . . . . . . . . en oscuridad comparada
46 47
6.4. 6.5.
Respuesta Respuesta
J V J V I V I V I V
de clulas de
de la clula de
1x1 cm
350 m
con el modelo terico. 6.6. 6.7. 6.8. Respuesta Respuesta Respuesta
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
48 49 50 51
de clulas de de clulas de de clulas de
2x2 cm 1x1 cm 2x2 cm
en oscuridad. . . . . . . . . . . . . . . . . . bajo iluminacin. bajo iluminacin. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
58
ndice de guras
ndice de cuadros
5.1. Resumen esquemtico del proceso de fabricacin de clulas solares con emisor trasero y estructura MOS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2. Resumen de los datos tcnicos del proceso de fabricacin. . . . . . . . . . . . . . 6.1. Resumen de los parmetros caractersticos de la respuesta bajo iluminacin de las clulas solares de 1x1 cm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2. Resumen de los parmetros caractersticos de la respuesta bajo iluminacin de las clulas solares de 2x2 cm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40 41
50 51
59
60
ndice de cuadros
Bibliografa
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DISEOYFABRICACINDE

CLULASSOLARESBASADAS + ENDIFUSIONESN LOCALES YEMISORESINDUCIDOS

2. Fundamentos de los semiconductores

3. Fundamentos de las clulas solares

Ataque piraa y RCA xido de campo

Ataque al xido de campo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Difusin de fsforo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

xido de pasivacin 5.2.1. 5.2.2.

Eliminacin del xido de

Oxidacin trmica seca . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Metalizacin frontal 5.3.1. 5.3.2. 5.3.3.

Metalizacin trasera 5.4.1. 5.4.2. 5.4.3. 5.4.4. 5.4.5.

Oblea resultante Mscaras

Datos tcnicos y esquema del proceso de fabricacin

6. Caracterizacin del dispositivo

Respuesta en iluminacin 6.4.1. 6.4.2. Celulas de Clulas de

"No es oro todo lo que reluce."

Figura 1.1: Estructura de la clula solar fabricada y medida.

1.2. Simulaciones previas

1.2. Simulaciones previas

675 670 665 660 655 650 645

p-type substrate Inversion layer

Emitter contact metallization

Figura 1.3: Estructura simulada.

Fundamentos de los semiconductores

2.2. Transporte de carga

Captulo 2. Fundamentos de los semiconductores

2.3. Mecanismos de recombinacin en el volumen

2.3. Mecanismos de recombinacin en el volumen

Figura 2.1: Diagrama de bandas de energa mostrando los procesos de recombinacin.

Captulo 2. Fundamentos de los semiconductores

(2.18) (2.19) (2.20)

Ueeh = Cn (n2 p n2 0 p0 ) , Uehh = Cp (np

para materiales tipo n, para materiales tipo p.

2.3. Mecanismos de recombinacin en el volumen donde

Captulo 2. Fundamentos de los semiconductores

Fundamentos de las clulas solares

1.5 Spectral Irradiance [W m2 nm1] 1.25 1 0.75 0.5 0.25 0

1000 1500 Wavelength [nm]

Figura 3.1: Espectro de referencia air-mass 1.5 global.

Captulo 3. Fundamentos de las clulas solares

3.2. Fotogeneracin de portadores

3.3. Reexin en la supercie

3.4. La unin pn en la clula solar donde

3.4. La unin pn en la clula solar

Isc V =0 I=0 Pmax = Pin Pmax Pin Voc

3.5. Pasivacin de la supercie

V VpIp Ip Isc Vp Voc

Figura 3.4: Curvas I V de una clula solar en oscuridad y bajo iluminacin.

Pmax . Vos Isc

3.5. Pasivacin de la supercie

Captulo 3. Fundamentos de las clulas solares

Captulo 4. Condensador Metal-xido-Semiconductor

Figura 4.2: Diagrama de bandas de energa de un condensador MOS ideal en equilibrio (V

lo cual provoca que las bandas se doblen hacia arriba,

la curvatura provoca una acumulacin de mayoritarios (huecos) en la supercie del

Esto quiere decir que el nmero de portadores minoritarios (electrones) ahora es

4.2. Curvas de capacidad de un condensador MOS ideal

como el potencial en la supercie del semiconductor denida respecto al vo-

4.2. Curvas de capacidad de un condensador MOS ideal

s < 0 s = 0 B p > s > 0 s = Bp 2Bp > s > Bp s > 2Bp

la cual, para que haya neutralidad de carga, debe cumplir

Captulo 4. Condensador Metal-xido-Semiconductor

4.3. Diferencia entre las funciones de trabajo

Capacidad normalizada, C/C

3.3. Reexin en la supercie

3.5. Pasivacin de la supercie

3.5. Pasivacin de la supercie

la curvatura provoca una acumulacin de mayoritarios (huecos) en la supercie del

como el potencial en la supercie del semiconductor denida respecto al vo-

Figura 5.29: Aspecto de la oblea tras la nalizacin del proceso de fabricacin.

3. Denicin del dispositivo

xido de campo Denicin de los emisores