DIODOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

( cap2 rashid)

Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (o de recuperacin rpida) y Schottky. Los diodos de uso general estn disponibles hasta 6000 V, 4500 A, con un tiempo de recuperacin inversa de 25 s y la especificacin de los diodos de recuperacin rpida puede llegar hasta 6000 V, 1100 A. El tiempo de recuperacin inversa vara entre 0.1 y 5 s. Los diodos de recuperacin rpida son esenciales para la interrupcin de los convertidores de potencia a altas frecuencias. Un diodo tiene dos terminales: un ctodo y un nodo. Los diodos Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de recuperacin muy pequeo, tpicamente en nanosegundos. La corriente de fuga aumenta con el voltaje y sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A. Un diodo conduce cuando el voltaje de su nodo es ms alto que el de su ctodo; siendo la cada de voltaje directa de un diodo de potencia muy baja, tpicamente 0.5 y 1.2 V. Si el voltaje de ctodo es ms alto que el voltaje de nodo, se dice que el diodo est en modo de bloqueo. Como cualquier dispositivo semiconductor de unin PN, el diodo de potencia tiene dos terminales: A y K. Cuando el diodo se encuentra en polarizacin directa el voltaje atravs de el es relativamente pequea; la magnitud de esta cada de tensin depende del proceso de manufactura y de la temperatura de la unin. Bajo condiciones de polarizacin inversa fluye una pequea corriente de fuga o de prdida en el orden de micro o de miliamperios. Para recordar la curva caracterstica del diodo observar la siguiente figura: La caracterstica v - i se puede expresar por medio de una expresin llamada ecuacin de Schokley y para funcionamiento en estado permanente es: qVd/nkT D donde: Vd es el voltaje en el diodo

I = Is(

-1)

ID corriente atravs del diodo Is Corriente de fuga

n coeficiente de emisin y para silicio n=2 k constante de Boltzmann 1.3806 x 10 23 J/K q carga del electrn 1.6022 x 10 19 C T temperatura absoluta en Kelvin (K=273+ C) La constante de voltaje trmico Vt se calcula como Vt=kT/q Parmetros en bloqueo

Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada. Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms. Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo. Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.

Parmetros en conduccin

Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos sinusoidales de 180 que el diodo puede soportar.

Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aqulla que puede ser soportada cada 20 ms , con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25). Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms. Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de conduccin.

Tiempo de recuperacin inverso

El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta instantneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una corriente IF, la zona central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicacin de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultar que despus del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga espacial. La corriente todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores. El fenmeno de recuperacin inversa determina la mxima frecuencia de operacin del diodo de acuerdo con la expresin:

f =

1 en herz. 2 * trr

ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo. tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 25 % de ste. trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.

Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo. di/dt: es el pico negativo de la intensidad.

Irr: es el pico negativo de la intensidad.

La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF". Si observamos la grfica podemos considerar Qrr por el rea de un tringulo :

De donde :

y Temperatura de la unin (Tjmx) Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin del dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin. En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mnimo y otro mximo. Es importante tener en cuenta los parmetros de temperatura a la hora de dimensionar el disipador de calor.

Temperatura de almacenamiento (Tstg) Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura. Resistencia trmica unin-encapsulado ( RTH JC ) tambin llamada ( JC ) Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula:

RTH JC = (Tjmx - Tc) / Pmx siendo Tc la temperatura del encapsulado y Pmx la potencia mxima disipable.
Resistencia trmica encapsulado-disipador ( RTH CS ) tambin llamada ( CS ) Es la resistencia existente entre el encapsulado del dispositivo y el disipador. Se supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante, etc). Parmetro I2t La I2t de un fusible es la caracterstica de fusin del filamento; el intervalo de tiempo t se indica en segundos y la corriente I en amperios. Matemticamente: i 2 t =

I
0

2 FSM

sen 2 ( wt )dt

Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que as ser el fusible el que se destruya y no el diodo.

EVALUACION 1. 2. 3. 4. mencione algunas caractersticas de los tres tipos de diodos de potencia calcule Vt a 25C si Vd=1.2V, ID=300A, Vt=25.8mV y n=2 calcule la corriente de fuga si la temperatura es de 25C, Vd=1V, ID = 50A, adems si Vd=1.5V, ID = 600A; calcule n y la corriente de fuga 5. que son los parmetros de bloqueo, mencione y defina 3 6. que es el fenmeno de recuperacin inversa 7. que son los parmetros de conduccin, mencione y defina 2 8. cual es la causa de una sobre corriente en un diodo, como se protege ante un corto? 9. porque es importante conocer el valor de los parmetros de temperatura para un diodo rectificador? 10. si I FSM = 3300 A , calcule el parmetro I2t para 60Hz y medio ciclo. 11. PROBLEMA

Dada la siguiente figura correspondiente a la respuesta de un diodo con la corriente determine grficamente: a.

I t

b. t RR

c.

I RR

d.

QRR

e. la frecuencia mxima de operacin del diodo

11. identificar por lo menos 10 parmetros de diodos en la siguiente hoja de datos: