CST em Aut.

Industrial 1/2013

Eletrnica Industrial

Eletrnica de Potncia
Prof. Sergio Alencar

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Parte 1
Introduo

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Aplicaes da Eletrnica de Potncia Acionamentos de Mquinas Eltricas; Controladores Industriais; Combina: Potncia, Eletrnica e Controle; Aplicao da Eletrnica de estado slido para o controle e converso de energia eltrica; Baseia-se no chaveamento dos semicondutores de potncia.

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Aplicaes da Eletrnica de Potncia Utiliza semicondutores de potncia e microeletrnica; Controle de sistemas de aquecimento; Controle de luminosidade; Controle de mquinas eltricas; Fontes de alimentao; Sistemas de propulso de veculos;

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Aplicaes da Eletrnica de Potncia Sistemas de corrente contnua em alta tenso (high voltage direct-current HVDC);
Controle Analgico e/ou Digital Equipamentos de Potncia Estticos/Rotativos

Dispositivos/CircuiDispositivos/Circui tos Eletrnicos

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Histria da Eletrnica de Potncia Introduo do retificador a arco de mercrio, em 1900; Retificador de tanque metlico; Retificador em tubo a vcuo de grade controlada; As vlvulas Ignitron e Tiratron; Foram utilizados seqencialmente at: 1950;

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Histria da Eletrnica de Potncia A primeira revoluo comeou em 1948 com a inveno do transistor de silcio, por Bardeen, Brattain e Schockley da Bell Telephone Laboratories; Em 1956 a Inveno do transistor disparvel PNPN, definido como tiristor ou retificador controlado de silcio ( Silicon Controled Rectifier), pela Bell Tel. Labs.

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Histria da Eletrnica de Potncia A segunda revoluo comeou em 1958 com o desenvolvimento comercial do tiristor, pela General Electric Company. O desenvolvimento dos novos interruptores e da microeletrnica nos possibilita trabalhar em elevadas potncias com rendimentos cada vez melhores.

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Histria da Eletrnica de Potncia Nos prximos 30 anos a eletrnica de potncia dar forma e condicionar a eletricidade, em algum lugar na linha de transmisso, entre sua gerao e todos os seus usurios.

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Histria da Eletrnica de Potncia

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Dispositivos Semicondutores de Potncia

Diodos de Potncia; O SCR (primeiro tiristor); Transistores de juno bipolar (BJTs); MOSFETs de potncia; Transistores Bipolares de porta isolada (IGBTs); Transistores de induo esttica (SITs);

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Classificao dos Diodos de Potncia Genricos, de uso geral, so fornecidos em at 3000 V, 3500 A e tempo de recuperao reversa trr de 10 s; Alta velocidade ou recuperao rpida, so fornecidos em at 3000 V, 1000 A e valores tpicos de trr de 0,1 e 5,0 s; Diodos Schottky (very fast) trr da ordem de nano-segundos;

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Caractersticas dos Diodos de Potncia O diodo conduz quando esta polarizado diretamente, isto , quando a tenso do nodo superior a (tenso) do Ctodo; O bloqueio se da quando a corrente que por ele (diodo) circula se anula; A corrente de fuga aumenta com a faixa de tenso;

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Tipos de Encapsulamentos
Tipo ROSCA ou rosquevel (do ingls stud ou stud-mounted); Tipo DISCO ou encapsulamento prensvel ou disco de hquei (do ingls disk ou press pak ou hockey puck)

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Classificao dos tiristores:

Tiristor de comutao forada; Tiristor comutado pela rede; Tiristor de desligamento pelo gatilho, GTO; Tiristor de conduo reversa, RCT; Tiristor de induo esttica, SITH;

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Tiristor de desligamento pelo gatilho, GTO

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Classificao dos tiristores:

Tiristor de desligamento auxiliado pelo gatilho, GATT; Retificador controlado de silcio, controlado por luz, LASCR; Tiristores controlados por MOS, MCTs;

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Classificao dos tiristores: Os tiristores de comutao natural ou pela rede podem operar at 6000 V e 3500 A; Os tiristores de alta velocidade, neste caso apresentam tempos de desligamento da ordem de 10 a 20 s e valores de tenso de 1200 V e corrente de 2000 A;

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Classificao dos tiristores:

Os tiristores de conduo reversa RCT e de desligamento auxiliado pelo gatilho GATTs so amplamente utilizados para chaveamen-to em alta velocidade, em especial em apli-caes de trao. Um RCT pode ser conside-rado como um SCR com um diodo em anti-paralelo, 2500 V, 1000 A (400 A em condu-o reversa) e apresentam tempos de cha-veamento da ordem de 40 s.

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Classificao dos tiristores: Os GATTs so fornecidos em at 1200 V e 400 A, com uma velocidade de chaveamento de 8 s; Os LASCR, retificadores controlados de silcio controlados por luz so fornecidos em at 6000 V e 1500 A , com uma velocidade de chaveamento de 200 a 400 s, so apropriados para sistemas de alta potncia HVDC;

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Classificao dos tiristores: Os TRIACs so amplamente utilizados no controle de cargas CA de baixa potncia; Os GTOs e os tiristores de induo esttica SITHs so tiristores autodesligveis. So ligados e desligados pela aplicao de um curto pulso positivo e negativo respectivamente. Os GTOs so fornecidos em at 4000V e 3000 A;

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Classificao dos tiristores: Os SITHs, cujos valores nominais podem ser to altos, como 1200V e 300 A, tm expectativa de aplicao em conversores de mdia potncia, com uma freqncia de vrias centenas de quilohertz e alm da faixa de freqncia dos GTOs; Os MCTs podem ser ligados por um pequeno pulso de tenso negativa na porta MOS e viceversa em relao ao seu nodo, fornecidos em at 1000 V e 100 A, como um GTO pero ...

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Caractersticas dos Transistores Os BJTs, apresentam trs terminais cbe sendo normalmente operados como interruptores na configurao emissor comum devido as suas caractersticas normalmente utilizado em conversores que operam at 1200 V, 400 A e 10 kHz; Os MOSFETs, so utilizados em potncias relativamente baixas, na faixa de 1000 V, 50 A e dezenas de quilohertz;

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Caractersticas dos Transistores

Os IGBTs, so transistores de potncia controlados por tenso. Eles so inerentemente mais rpidos que os BJTs, mas no to rpidos quanto os MOSFETs sento fornecidos em at 1200 V, 400 A podendo operar em freqncias de at 20 kHz;

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Caractersticas dos Transistores O Transistor de induo esttica SITs similar a um JFET. Possui baixo rudo, baixa distoro e capacidade de potncia em altas freqncias de udio. Sento fornecidos em at 1200 V, 300 A podendo operar em freqncias de at 100 kHz; Usados em udio, VHF/UHF e microondas;

Principais Caractersticas dos Dispositivos de Potncia

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Principais Aplicaes dos Dispositivos de Potncia

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Caractersticas e Simbologia dos Dispositivos de Potncia

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Redes de dados e comunicao

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