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Caractrisation de cellules solaires

1. Structure et principe de fonctionnement dune cellule solaire [1]


1.1 Principe de fonctionnement

Une cellule solaire est un composant lectronique qui convertie la lumire du soleil en lectricit. La
structure de base est prsente sur la figure 1.
Le principe de la conversion photovoltaque peut tre dcrit par les mcanismes suivants :
- absorption des photons incidents et cration de paires lectron-trou si lnergie du photon incident est
suprieure au gap du matriau.
- Diffusion des porteurs de charges minoritaires jusqu la zone de charge despace. Transfert des charges
lectriques dans la zone o elles vont tre majoritaires grce au champ lectrique prsent au niveau de la
zone de charge despace de la jonction pn et collecte. Au cours de la diffusion des charges vers la zone de
charge despace les charges lectriques peuvent se recombiner et tre perdues.
- dissipation de puissance dans la charge et dans les rsistances parasites.


Figure 1 : Structure de base dune cellule solaire [1]


1. 2. Caractristique I-V

La caractristique couranttension sous obscurit est celle dune diode (rcepteur). Sous clairement, cette
caractristique se dcale vers les courants ngatifs (figure 2), la cellule solaire peut alors jouer le rle de
gnrateur de puissance.

2



Figure 2 : Caractristique I-V dune cellule solaire [1]

Le schma lectrique quivalent de la cellule solaire est prsent ci-aprs. Il tient compte des rsistances
srie Rs et parallle Rp (R
shunt
en anglais). Le courant peut sexprimer sous la forme :

p
s s
s ph
R
IR V
nkT
IR V ( q
I I I
+

+
=


I
ph
: courant photognr (I
L
sur les figures 2 et 3)
I
s
: courant de saturation de la diode

n : facteur didalit de la diode



Figure 3 : Circuit lectrique quivalent [1]


1. 3. Paramtres significatifs

Isc : Courant en court-circuit (V=0)
Voc : Tension en circuit ouvert (I=0).
FF : Facteur de forme. Cest le rapport entre la puissance maximale fournie par la cellule sur le produit
IscVoc. (figure 4).
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: Rendement : cest le rapport entre lnergie fournie et la puissance lumineuse incidente. Cette mesure se
fait dans des conditions dclairement et de temprature normalises (spectre solaire AM1.5, voir figure 5)

Remarque AM1.5 correspond un clairement incident de 1kW/m
2
environ.



Figure 4 : I(V) et P(V) [1]

















Figure 5 : Spectre solaire [1]. AM0 : spectre solaire hors atmosphre, AM1.5 : spectre solaire aprs
traverse de latmosphre, le soleil faisant un angle de 48environ par rapport sa position au
znith.


2. Mesures lectriques

2.1 I(V) sous obscurit

Permet de qualifier la qualit de la jonction et dextraire les paramtres de la diode.
Paramtres extraits : Rsistances srie (inverse de la pente de la courbe forte tension) et parallle
(inverse de la pente de la courbe autour de lorigine), facteurs didalit, courants de saturation.
Cette mesure se fait avec quatre contacts afin de limiter les effets parasites des rsistances des fils de
connexion.


2.2 I(V) sous clairement

inc
oc sc
inc
max
P
V I FF
P
P
= =
Black body at 600K
AMO
AM1,5
Black body at 600K
AMO
AM1,5
4
La structure dun simulateur solaire est prsente sur la figure 6.



Figure 6 : Simulateur solaire. [1].
On utilise en gnral des lampes xnon car leur spectre se rapproche de celui du soleil (figure 7).



Figure 7 : spectre solaire (AM1.5G), spectre dune lampe halogne (ELH) et spectre dune lampe xnon (Arc
lamp) [1].


2.3 TLM (Transmission Line Model) [2, 3]
La rsistance srie dune cellule solaire est due diffrentes contributions prsentes sur la figure ci-
dessous (figure8). Lmetteur et la grille mtallique face avant (constitue des lignes et du bus barre)
contribuent majoritairement cette rsistance.

Figure 8 : Rsistances srie dune cellule solaire [1]
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Rsistance de lmetteur

Par le calcul on peut dmontrer que la contribution de lmetteur la rsistance srie est la suivante :

2
2
sheet
e
L 12
l R
R =



Rsheet : rsistance de couche de lmetteur
l = espace entre les lignes
L = ct de la cellule

Rsistance de la grille face avant

Par le calcul on peut dmontrer que la contribution de la grille mtallique la rsistance srie est la suivante
(dans le cas dun seul bus barre) :

dh 12
l
R
m
gav

m
: rsistivit du mtal
h : hauteur de la ligne mtallique
d : largeur de la ligne mtallique
l = espace entre les lignes
L = ct de la cellule


Rsistance de contact

La rsistance de contact dpend :
- Du matriau semiconducteur (silicium, arsniure de gallium, )
- Du type de dopant (n ou p)
- Du matriau formant le contact (Ti, Ag, )
- Du dopage au voisinage de la surface et de la surface effective du contact
Deux types de contact sont considrer dans une cellule solaire :
- Le contact vertical : Le courant circule perpendiculairement linterface entre le semiconducteur et le
contact. La surface effective de contact est la surface totale de contact. Le contact arrire dune
cellule solaire est du type vertical.
- Le contact horizontal : Le courant circule paralllement linterface entre le semiconducteur et le
contact sur la majeure partie de son trajet. Cest ce qui se passe dans la couche mince diffuse
dune cellule solaire au voisinage de la grille.

Afin danalyser la qualit de linterface entre les contacts et le silicium, on utilise la mthode TLM
(Transmission Line Model) qui donne accs la rsistance de contact Rc et la rsistance de couche
Rsheet.
Cette technique est base sur la mesure de la rsistance totale R entre deux plots mtalliques par mesure I-
V. Rc et Rsheet sont calcules partir de la courbe de R en fonction de lespacement entre les plots L.


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a








b


c
d

Figure 9 : Motif TLM (a) ; Mesure de R (b); circuit lectrique quivalent (c) ; R(L) (d)


La rsistance de contact est donne par la formule suivante :

|

\
|
|

\
|
=
t
t sh
c
L
d
coth
w
L R
R


W
l R
R 2 ) L ( R
sheet
c t
+ =
7
La rsistivit de contact est donne par lexpression :





Lt : longueur de transfert

Note : Contrairement aux autres rsistivits, la rsistivit de contact sexprime en

Si d>2Lt alors :
t
c
c
wL
R

=



Dans le cas des cellules ralises avec une grille mtallique et un bus barre, la rsistance de contact
est (en considrant que le courant arrive des deux cts de chaque lignes) :

|
|

\
|
=
t
t sh c
L 2
d
coth L R
L 2
l
R


[1] http://pveducation.org/pvcdrom
[2] D. Schrder and D. Meier, Solar cells contact resistance : a review, IEEE Transactions on electron
devices, vol. ED. 31, n5, 1984, Mai.
[3] D. Meier and D. Schrder, Contact resistance : its measurement and relative importance to power loss in
a solar cell, IEEE transactions on electron devices, vol. ED1, n5, 1984, Mai.


3. Travail raliser


Par groupe de 4, vous interviendrez sur le simulateur solaire pour les mesures sous clairement et sur le
Keitley 4200 pour les mesures sous obscurit.


3.1 Simulateur solaire

1. Raliser la mesure I-V sous clairement des cellules solaires prsentes sur la plaque ralise au CIME.
2. A partir de la courbe sous clairement et de la courbe de puissance, extraire: Isc, Voc, FF, Pmax et le
rendement. Commenter les rsultats en fonction des diffrents process utiliss (avec ou sans
texturisation).
3. Pour chaque cellule, calculer la rsistance srie. Pour cela utiliser la courbe sun-Voc qui correspond
une mesure de la tension en circuit ouvert aux bornes de la cellule diffrents clairements. La rsistance
srie se calcule partir de la formule suivante :


max
max max
s
I
V V
R
IV sunVoc

=


Justifier cette formule.
Conclusion ?
4. Tracer la courbe sous obscurit et extraire le facteur didalit et les courants de saturation de la diode
ainsi que la rsistance parallle.





2
t sheet c
L R =
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3.2 Mesures de rsistance de contact (Keitley 4200)


1. Placer les pointes de faon mesurer la rsistance entre les plots 1 et 2 (SMU1 et 2 sur un plot, SMU3 et
4 sur lautre plot).

2. Ouvrir longlet TLM et lancez la mesure.
Mesurer la valeur de la rsistance entre ces deux plots
Rpter lopration entre les plots 2 et 3, puis 3 et 4, etc
Une fois toutes les mesures de rsistance obtenues tracer la courbe R=f(l). l tant la distance entre
les plots.
3. Calculer la valeur de la rsistance de contact. Connaissant les dimensions des contacts (w=5mm)
dduire la rsistivit de contact. Calculer la rsistance de contact des cellules ralises au CIME.

4. Calculer la valeur de la rsistance de couche de lmetteur. En dduire la rsistance de lmetteur des
cellules solaires ralises au CIME.

5. Calculer la rsistance de la grille face avant des cellules ralises et comparer avec les valeurs
prcdentes. Refaire le calcul avec de largent. Conclusion ?
Donnes : Rsistivit de laluminium : 3.10
-6
Ohm.cm ; Rsistivit de largent : 1,6.10
-6
Ohm.cm

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Motifs des cellules solaires ralises en TP salle blanche