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Disciplina: Circuitos Eletrnica I (Sel0609) Professor: Joo Navarro Soares Jr. Aluno: _______________________________________ Data: 01/07/2011
Observaes Gerais:
1.
2. 3.
No esquea de colocar nome, tanto na folha de perguntas como na de respostas; Prova sem consulta; Respostas sem justificativas sero desconsideradas.
QUESTO 1 (1,5)
Considere o circuito da Figura 1, onde o amplificador operacional ideal. 1.1 Determine a funo de transferncia entre Vin e Vo (Vo(s)/Vin(s)) (1,0). 1.2 Faa o diagrama de bode, mdulo e fase, da funo de transferncia (0,5).
2 M 10 F vin 20 K
10 K
vO
20 K
10 nF
QUESTO 2 (2,0)
Considere os circuitos com diodos/zeners da Figura 2. Neles o sinal de entrada vi, o sinal de sada v0, a queda de tenso no diodo/zener conduzindo 0,7V e a queda de tenso no zener conduzindo reversamente 4,3V. 2.1 Desenhe, com detalhes, o grfico v0 X vi para o circuito da Figura 2a (0,5); 2.2 Desenhe, com detalhes, o grfico v0 X vi para o circuito da Figura 2b (0,5); 2.3 Desenhe, com detalhes, o grfico v0 X vi para o circuito da Figura 2c (0,5); 2.4 Desenhe, com detalhes, o grfico v0 X vi para o circuito da Figura 2d (0,5).
V DD
D2 vi v0
Z1 v0 Z2 b)
Z1
vi
D1 a)
D4
+ -
vi
D1
vi
gnd D2 D3 R gnd vo
R -
v0
c)
Figura 2 Circuitos com diodos.
d)
QUESTO 3 (2,0)
Considere um transistor bipolar PNP onde NE (concentrao de impurezas no emissor) > NB ( concentrao de impurezas na base) > NC (concentrao de impurezas no coletor). 3.1 Desenhe os nveis de energia (EC, EV, Ei e EF) e distribuio de portadores para o transistor com Vbe > 0,7 V; Vbc = 0,5 V em detalhes (0,5). 3.2 Desenhe os nveis de energia (EC, EV, Ei e EF) e distribuio de portadores para o transistor com Vbe = - 0,7; VBC = -0,6 V em detalhes (0,5). 3.3 Desenhe o grfico de IC x VCE para um transistor PNP (siga a conveno de sinais da Fig. 3) onde VCE varia de ] -, +[, parametrizado por IB, em detalhes (leve em considere o efeito Early, ruptura do transistor, maior ou menor ganho no transistor direto ou reverso, etc.). Indique tambm o estado dos diodos base/emissor e base/coletor (conduzindo, cortado ou em ruptura) a medida que VCE varia (1,0).
IB
PNP
VCE
Ic
Figura 3. Transistor PNP.
QUESTO 4 (2,5)
Considere o circuito emissor comum da Figura 4, onde o transistor tem = 49, Vbe = 0,6V, os valores dos capacitores CE e CC so grandes e Vin um sinal Asen(t). 4.1 Calcule o valor da impedncia de entrada rin do circuito para pequenos sinais (0,5). 4.2 Calcule o ganho entre v0/vin (0,7). 4.3 Suponha que, para ter uma boa linearidade, restringimos a variao de Vbe a 5mv. Qual a mxima amplitude que pode ser aplicado entrada neste caso (0,5). 4.4 Para um sinal de entrada vin = 10sen(t) mV, 0 V de DC, desenhe Vin e a forma do sinal na base, no emissor e no coletor do transistor (para sinais variveis com o tempo calcule a amplitude) (0,8).
VDD= 6 V
10 K
Vo Vin
10 K Q1 rin 0,2 mA 125
CC
RL = 10 K
CE
QUESTO 5 (1,0)
Considere o circuito base comum da Figura 5, onde os transistores tm = 100 e Q2 igual a Q3. Calcule o valor de RI e de RC para que a impedncia de entrada do circuito tenha 50 (impedncia vista a partir do n vE) e o ganho entre VC e Vin seja de 20 (desconsidere o efeito Early dos transistores).
VDD= 4 V
Rb2 RC
vC vb Cb
Q1 Rb1 RI
vE Vin
RS = 50 Q2 Q3
QUESTO 6 (1,0)
Considere o circuito da figura Figura 6. Nele temos um motor eltrico com as caractersticas: 9 9 9 quando VM > 0 o motor aciona para frente; quando VM < 0 o motor aciona para trs; do ponto de vista eltrico o motor pode ser modelado como um resistor de 500 .
Adotemos para o transistor NPN = 100, Vbe na conduo de 0,6 V e VCEsat = 0,2 V e forcado = 40 na saturao; para o transistor PNP = 80, Vbe na conduo de -0,6 V e VCEsat = -0,2 V e forcado = 20. No circuito podemos ter A = VDD = 3V ou A = 0V (o inversor tem a sada em gnd ou VDD). 6.1 Quando A = 3V qual a tenso mnima no motor (em funo da tenso de controle VC), supondo que os transistores esto saturados (0,25)? 6.2 Sabendo que VC pode variar de 1,6 V a 3 V, determine os valores mnimos dos resistores Rb1 e Rb2 para que ocorra a saturao quando A = 3V (0,75).
VC
Q2