CAPTULO V AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Los transistores son los elementos bsicos amplificadores y se constituyen en componentes relevantes en los circuitos electrnicos en donde deben tomarse pequeas seales y adecuarse a los niveles apropiados para que realicen funciones especficas y ejecuten tareas en una amplia gama de aplicaciones que abarcan desde el manejo del audio hasta la impulsin de seales utilizadas en mquinasherramienta. En trminos generales, los amplificadores deben proporcionar a sus salidas altos niveles de potencia, mas que voltajes o corrientes de determinadas amplitudes. Esto ocurre generalmente en sistemas que deben convertir su energa elctrica en movimiento mecnico , tal como en alimentadores de motores elctricos o en parlantes. La ltima etapa de estos amplificadores debe ser una etapa de potencia, cuya funcin principal es la de proporcionar la potencia elctrica necesaria para alimentar dichas cargas. BJTs Transistores Bipolares Un transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor) se forma mediante el conexionado de tres regiones semiconductoras llamadas emisor, base y colector. Las regiones de emisor y colector son generalmente dopadas con el mismo tipo de impurezas mientras que la regin de base, que las separa, tiene un dopado opuesto es decir otro tipo de impurezas. Estas regiones, denominadas tipo p tipo n constituyen los transistores npn pnp. En la figura 1 se muestran estos dos tipos de transistores donde puede observarse el smbolo utilizado en cada caso as como la polarizacin de las junturas con el respectivo sentido de flujo de corrientes.

217

Figura 1. Transistores npn y pnp Como puede observarse, la juntura base-emisor es un diodo el cual controla el funcionamiento del transistor. Si el diodo est polarizado directamente, es decir en sus terminales hay una tensin al menos igual a la umbral, existe un flujo de corriente por la unin y el transistor se encuentra en su regin de conduccin. Si la polarizacin del diodo es menor que el voltaje umbral no hay corriente circulante y por lo tanto el transistor est en la regin de no conduccin. En un transistor npn pnp la juntura base-emisor debe estar directamente polarizada mientras que la juntura colector-base debe polarizarse inversamente para obtener una operacin normal del dispositivo. Los transistores pueden ser conexionados bajo tres configuraciones: base comn, emisor comn y colector comn. En cualquiera de ellas siempre se cumple que la corriente de emisor es igual a la suma de las corrientes de colector y de base. En base comn la corriente saliente es prcticamente igual a la corriente de entrada por lo que no hay ganancia de corriente pero si de voltaje. En colector comn el voltaje de salida sigue prcticamente a la entrada por lo que no hay ganancia de voltaje pero s de corriente. En emisor comn se pueden obtener altas ganancias de corriente y de voltaje por lo cual es la configuracin mas utilizada como amplificador. En la figura 2 se muestran las curvas caractersticas de un transistor en su configuracin de emisor comn.

218

Figura 2. Curvas en Emisor Comn FETs Transistores de efecto de campo El transistor JFET a diferencia del Bipolar, presenta el fenmeno de conduccin debido a un slo tipo de carga (ya sean huecos o electrones), siendo un dispositivo controlado por voltaje en contraposicin al Bipolar, que es controlado por corriente. La figura 3 muestra la conformacin fsica y la representacin circuital de un JFET canal n y p.

Figura 3. Transistores de Efecto de Campo La polarizacin normal de un JFET es la mostrada en la figura 4, en la cual se observa que entre drenador y surtidor se aplica una tensin positiva Vdd, mientras que entre compuerta y surtidor la tensin

219

aplicada Vgg es negativa para controlar la anchura del canal y evitar la circulacin de corriente entre dichos terminales.

Figura 4. Polarizacin de un FET Cuando el voltaje de compuerta es lo suficientemente negativo, el canal se estrangula y la corriente circulante entre drenador y surtidor ser cero. Esto indica entonces, que si la corriente entre compuerta y surtidor es cero, la impedancia de entrada ser muy alta. Esto conlleva a un menor control sobre la corriente de salida, puesto que se necesitaran mayores variaciones de la tensin de entrada para obtener niveles aceptables de variacin de salida. Es esta la razn por la cual los JFETS presentan menor ganancia como amplificadores en comparacin con los BJTs. Las curvas caractersticas de un JFET son mostradas en la figura 5.

Figura 5. Curvas Caractersticas en FETs Puede observarse que si Vgs toma el valor cero, la corriente Ids alcanza rpidamente el valor id1 para un valor Vds1. A partir de este

220

punto hasta Vds2 el valor de id1 es aproximadamente constante. Por encima de Vds2, el transistor entra en ruptura. Si Vgs empieza a tomar valores negativos la corriente bajar a un valor id2 menor que id1. Para valores negativos mayores, la corriente ser prcticamente nula, con lo cual el JFET entrar en su regin de corte. Es interesante notar que el voltaje mximo de saturacin es el inverso del voltaje de corte. Si un transistor de efecto de campo es construido con el terminal de compuerta aislado del canal, se obtiene un MOSFET (metal-xido semiconductor), el cual es ampliamente utilizado en tcnicas digitales y que puede ser del tipo empobrecimiento o enriquecimiento. Para el MOSFET del tipo enriquecimiento se debe tener tensiones positivas entre compuerta y surtidor para que este trabaje en la regin de conduccin. Para llevarlo a la regin de bloqueo basta con aplicar una tensin igual a cero entre los mencionados terminales. Para el MOSFET del tipo empobrecimiento se requieren tensiones negativas entre los terminales de compuerta y surtidor para que el dispositivo est bloqueado, mientras que con un nivel igual cero en dichos terminales el dispositivo entrar en conduccin. Amplificadores con BJTs En la figura 6 se muestra un circuito tpico amplificador en emisor comn con transistor npn.

Figura 6. Amplificador Bsico BJT Los valores de fuente de polarizacin, de seales aplicada y desarrolladas y de resistencias son mostrados a continuacin:

221

Vcc = VS = Vb = VB = Vc = VC = VE = Rc= Re= R1 = R2 = RS = Ce=

20 Voltios Voltaje de polarizacin .212 Voltios valor pico de seal aplicada 14.1 Voltios valor pico de seal en base 2 Voltios valor dc en base 4 Voltios valor pico de seal amplificada 11 Voltios valor dc en colector 1.3 Voltios dc en emisor 1.8 k 2.4 k 30 k 3.3 k 10 k 500 F

Como puede observarse el circuito no est diseado para obtener mxima ganancia ni mxima excursin simtrica. Amplificadores con FETs En la figura 7 se muestra un circuito amplificador tpico con FET en surtidor comn.

Figura 7. Amplificador Bsico FET Vdd= 25 Voltios Id= 4.5 mA Vgs= -2 Voltios

222

Vd= 16 Voltios Rd= 2 k Rs= 400 Rg= 100 k 1- CLASES DE AMPLIFICADORES - Amplificadores clase A Un amplificador clase A es definido como aquel en el cual siempre existe corriente fluyendo por el transistor. Esto significa que la variacin de seal ac nunca podr llevar al dispositivo a la regin de corte de tal forma que se interrumpa la circulacin de corriente, y que tambin nunca el transistor estar en saturacin con lo cual se tiene una severa distorsin de la seal. La figura 8 muestra un circuito amplificador bsico en el cual se puede hacer el estudio de potencias.

Figura 8. Polarizacin del Amplificador La potencia Pd disipada en un transistor, durante un intervalo de tiempo T est dada por: Pd = (1/T) Vce Ic dt

223

si no hay seal de alterna aplicada y solamente se tienen niveles de polarizacin, la ecuacin anterior se transforma en: Pd = Vceq Icq La potencia disipada por cada elemento est dada por: PRc= Rc Icq2 PRe= Re Icq2 potencia en Rc potencia en Re

Pd = Vceq Icq potencia en el transistor Pcc = Vcc Icq potencia que entrega la fuente

Ahora, si una fuente de ac es aplicada en la base del transistor como se muestra en la figura 9, se tiene:

Figura 9. Amplificador con seal ac Ic = Icq + Icm sen wt Vc = Vcq + Vcm sen wt La potencia media entregada por cualquier dispositivo est dada por la siguiente expresin: P = (1/T) v(t) i(t) dt donde v(t) e i(t) son los voltajes y corrientes totales circulantes.

224

P = (1/T) (Vcq + Vcm sen wt)(Icq + Icm sen wt) dt P = (1/T) Vcq Icq dt + (1/T) Vcq Icm sen wt dt + (1/T) Icq Vcm sen wt dt + (1/T) Vcm Icm sen2wt dt La integral de la funcin seno sobre un perodo es cero. Luego: P = Vcq Icq + (1/T) Vcm Icm sen2wt dt Esta ecuacin nos dice que la potencia total tiene dos componentes: la dc y la ac. Ahora, la potencia entregada por la fuente de alimentacin est dada por: Pcc = (1/T) Vcc Ic dt Pcc = (1/T) Vcc (Icq + Icm sen wt) dt Pcc = (1/T) Vcc Icq dt + (1/T) Vcc Icm sen wt dt Pcc = Vcc Icq Las potencias disipadas en las resistencias Rc y Re estn dadas por: PRc= (1/T) Rc Ic2 dt PRc= (1/T) Rc (Icq + Icm sen wt)2 dt PRc= (1/T) Rc Icq2 dt + (1/T) Rc Icm2 sen2wt dt + 0 PRc= Rc Icq2 + Rc Icm2/2 PRe= (1/T) Re Icq2 dt PRe= Re Icq2 Ya que Re no disipa potencia ac debido al capacitor Ce.

225

La potencia disipada por el colector ser: Pc = (1/T) Vce Ic dt De la ecuacin de salida: Vcc = Vce + (Rc + Re) Ic Vcc = Vceq + vce(t) + (Rc + Re)(Icq + ic(t)) Reemplazando: Pc = (1/T) (Vcc - (Rc + Re) Ic) Ic dt Pc = (1/T) Vcc Ic dt - (1/T) (Rc + Re) Ic2 dt Pc = (1/T) Vcc (Icq + ic(t)) dt (1/T) (Rc +Re)(Icq +ic(t)) 2 dt Finalmente se obtiene: Pc = Vcc Icq - (Rc Icq2 + Re Icq2) - (Rc+Re) Icm2/2 El trmino Vcc Icq corresponde a la potencia que entrega la fuente de alimentacin. El trmino (Rc Icq2 + Re Icq2) corresponde a la potencia dc disipada por las resistencias Rc y Re. El trmino (Rc+Re) Icm2/2 corresponde a la potencia ac desarrollada en las resistencias Rc y Re. Como puede observarse la potencia en colector es la potencia de la fuente de alimentacin menos la potencia en el resto de componentes lo que es lo mismo: la potencia que entrega la fuente es igual a la suma de la potencia disipada en colector, de la potencia dc y de la potencia ac. La eficiencia n de un amplificador de potencia est definida como la relacin entre la potencia ac entregada a una carga y la potencia suministrada por la fuente de alimentacin. Luego:

226

n = P(ac)/Pcc

siendo: y

P(ac) = Rc Icm2/2 = Vcm Icm/2 Pcc = Vcc Icq

De lo anteriormente expuesto puede deducirse que la eficiencia es baja. - Amplificadores clase B El amplificador clase A, en donde el transistor est permanentemente conduciendo y operando en la regin lineal presenta varias desventajas: -Baja eficiencia -Alta disipacin en ausencia de seal -Ineficiencia en el transformador por saturacin En consecuencia, los amplificadores de este tipo son solamente utilizados en aplicaciones de relativa baja potencia. Los circuitos que requieren elevadas potencias de salida recurren a los amplificadores clase B. Amplificador Push-Pull Un amplificador tpico es mostrado en la figura 10. Este consiste de dos transistores Q1 y Q2, y de dos transformadores T1 y T2 con tap central. La red de polarizacin est formada por las resistencias Rb 1 y Rb2, las cuales son diseadas de tal forma, que el nivel de dc en las junturas base-emisor de los transistores sea ligeramente menor que sus tensiones de umbral. Cuando se est en condiciones de reposo, ambos transistores estn en el lmite de conduccin, pero ninguno de los dos suministra corriente alguna.

227

Figura 10. Amplificador Push-Pull Las formas de onda desarrolladas nos indican que cuando la seal aplicada Vs se hace positiva, el voltaje de base del transistor Q1 sube, de tal forma que este transistor entra en conduccin. Al mismo tiempo, el voltaje de base de Q2 baja, con lo cual este transistor se corta. La corriente i 1 fluye a travs del tap superior del transformador T2 y produce un voltaje positivo en Rl. Cuando Vs hace su variacin negativa, Q1 entra en corte y el transistor Q2 conduce de tal forma que fluye una corriente i 2 por el tap inferior de T2, produciendo un voltaje negativo en Rl. Como puede observarse, Rl recibe niveles alternados positivos y negativos constituyndose de esta forma una salida ac. Debido a que los transistores conducen alternadamente, este circuito es conocido como Push-Pull. Es claro que las seales en forma independiente son muy distorsionadas, pero la combinacin de ellas proporcionan una salida senoida

228

La curva caracterstica tensin-corriente para un circuito de este tipo es mostrada en la figura 11. Cuando el transistor est en reposo no hay corriente circulando y por lo tanto el voltaje en colector es Vcc. Durante la conduccin, la corriente de colector alcanza el valor pico Icm y el voltaje cae a Vcc- Vcm, siendo Vcm igual a N2 Rl Icm. Ahora, cuando Q 1 est abierto Q2 conduce. El voltaje a travs de ambas mitades del transformador debe ser el mismo. Durante este tiempo, Q 1 est abierto, pero su voltaje de colector es mas alto que Vcc y alcanza un valor mximo de Vcc + Vcm. Es claro que este voltaje debe ser menor que BVceo. Las condiciones para Q1 conduciendo y Q2 cortado son:

Figura 11. Caracterstica Tensin-Corriente en un Push-Pull La recta de carga dc esta dada por la ecuacin: Vcc = Vceq La recta de carga ac est dada por la ecuacin: vce(t) = -Rl'ic 1(t), siendo Rl'= (n1/n2)2 Rl = N2 Rl Vce - Vceq = - N2 Rl ( Ic - Icq) = - N2 Rl Ic Si Ic = 0 Vcemx = Vceq = Vcc Si Vce = 0 Icmx = Vceq/( N2 Rl) = Vcc/( N2 Rl)

229

Qu pasa ahora si Q1 est cortado y Q2 conduce ? La ecuacin de malla estar dada por: Vce = Vcc + Vx, siendo Vx el voltaje inducido en el devanado asociado al transistor cortado. vx = N vl, vl = Rl il = Rl (n1/n2) ic2 = N Rl ic2 vx = N N Rl ic2 = N2 Rl ic2 = Rl' ic2 cuando ic2 alcance su valor mximo: ic2mx = Vcc/Rl' Vx = Vcc y Vcemx = 2 Vcc El estudio de potencia es el siguiente: - Potencia que entrega la fuente: Pcc Pcc = (1/T) Vcc (ic1 + ic2) dt Pcc = Vcc Icm 2/, Si Icm = Vcc/Rl' Pcc = 2 Vcc2/( Rl') - Potencia en la carga: Plac Plac = Rl Ilm2/2 = Rl'Icm2/2 Plac mx = (Rl'/2)( Vcc/Rl') 2 Plac mx = Vcc2/( 2 Rl') La eficiencia estar dada por: n = Plac/Pcc = /4, Expresndola en porcentaje: n = 78.5 % Como puede observarse la eficiencia mxima terica de un clase B es de 78.5 %. Ahora, esta no es la nica ventaja de este tipo de

230

amplificadores, ya que tambin la potencia disipada en cada transistor es mucho menor que la de un amplificador clase A. Puesto que la potencia disipada en el colector es igual a la entregada por la fuente menos la obtenida en la carga se obtiene: 2 Pc = 2 Vcc Icm/ - Rl' Icm2/2 Pc = Vcc Icm/ - Rl' Icm2/4 derivando esta ecuacin con respecto a Icm: dPc/dt = Vcc/ - Rl' Icm/2 = 0 Icm = 2 Vcc/( Rl') correspondiente al valor de corriente para el cual se hace mxima la disipacin de colector. Reemplazando este valor: 2 Pc = .1 Vcc2/Rl' Como puede observarse la potencia disipada por cada transistor es aproximadamente el 10 % de la mxima potencia de carga. En un clase A, el transistor debe disipar el doble de esta potencia. Esta caracterstica de los clase B se refleja en la simpleza para solucionar los problemas de diseo y clculo de disipadores, as como en otras ventajas adicionales. Se ha mencionado anteriormente el hecho de que la corriente de reposo de un clase B es cero. Sin embargo en el diagrama circuital mostrado anteriormente, deben conectarse dos resistencias Rb 1 y Rb2 para proporcionar una ligera polarizacin de las junturas base-emisor de los transistores Q1 y Q2. Esta opcin permite una mejora en la calidad de seal, puesto que se evita la distorsin por cruce, efecto ste que surge como consecuencia de la falta de polarizacin, ya que es la seal aplicada quien al alcanzar el voltaje umbral de arranque de los transistores da la inyeccin de corriente para que estos entren a trabajar en la regin de conduccin. Es claro que mientras no se alcance dicha tensin de arranque, los transistores estarn cortados teniendose ausencia de seal de salida mientras la tensin aplicada

231

ejecuta su variacin hasta .2 o .7 voltios, dependiendo del tipo de material (germanio o silicio) de construccin de los transistores. Bajo las condiciones anteriores de polarizacin, se dice que el amplificador, estrictamente hablando, trabaja en clase AB. Amplificador en Simetra Complementaria Los amplificadores clase B acoplados por transformador tienen la gran desventaja de que son a menudo voluminosos y costosos, y tienen limitaciones en su respuesta en frecuencia. La posibilidad tcnica de fabricacin de parejas de transistores npn y pnp complementarios ha permitido disear amplificadores en simetra complementaria, los cuales operan sin necesidad de transformadores. Un amplificador bsico en simetra complementaria es mostrado en la figura 12.

Figura 12. Amplificador en Simetra Complementaria Se utilizan transistores npn y pnp para alimentar la carga, siendo estos conectados en configuracin colector emisor comn. Las resistencias Re1 y Re2 son generalmente muy pequeas y se utilizan para estabilizacin del amplificador. Las resistencias R 1, R2 y R3 se utilizan para polarizacin. Cuando no hay seal aplicada ambos transistores estn cortados, pero en el lmite para entrar en conduccin. El voltaje dc en el punto A, entre las resistencias de emisor, es Vcc/2. El condensador C1 bloquea el paso de niveles de dc a la carga, mantenindola as aislada.

232

Cuando una seal senoidal es aplicada a la entrada, el semiciclo positivo hace que el transistor Q 1 conduzca, mientras que Q 2 permanece bloqueado, de tal forma que una seal positiva de medio ciclo alimenta la carga. Cuando ocurre el semiciclo negativo, el transistor que conduce es Q 2 mientras que Q1 se corta, aplicando as un semiciclo negativo de seal a la carga. La carga recibe por lo tanto, seales alternadas de corriente que proveen una salida ac. La fuente de alimentacin entrega corriente nicamente cuando el transistor Q1 conduce lo cual no solamente conlleva a que se le entregue potencia a la carga sino a que se cargue el condensador C1. El condensador se descarga luego para suministrar la potencia cuando Q2 conduce. La forma de onda de corriente que entrega la fuente, es por lo tanto media onda seno rectificada con un nivel promedio Icm. El estudio de potencia es el siguiente: - Potencia Pcc que entrega la fuente: Pcc = (1/T) Vcc ic1 dt Pcc = Vcc Icm/ Puesto que la tensin en el punto A es Vcc/2 la mxima variacin pico de seal queda limitada a este valor. Luego Vcm = Vcc/2. Ahora, como Icm = Vcm/Rl se tiene: Pcc = Vcc2/(2 Rl) - Potencia en la carga: Plac Plac = Rl Ilm2/2 = Rl Icm2/2 Plac mx = (Rl/2)( Vcc/2Rl)2 Plac mx = Vcc2/( 8 Rl) La eficiencia estar dada por: n = Plac/Pcc = (Vcc2/( 8 Rl))/( Vcc2/(2 Rl)) = /4

233

Expresando esta eficiencia en porcentaje se tiene: n = 78.5 % El resistor de polarizacin R 2 es a menudo reemplazado por dos diodos, los cuales estn directamente polarizados. Estos diodos tienen la ventaja de poder estabilizar el amplificador ante variaciones de temperatura. Ejemplo Para el circuito de la figura 12 se tienen los siguientes parmetros: Vcc = 28 v R1 = R3 = 3.8 k Re1 = Re2 = .5 Si se asume que Vbe es de .7 voltios y Vce es cero voltios, encontrar: -El valor de R2 -La mxima potencia en una carga de 8 -La eficiencia El circuito debe ser polarizado de tal forma que los transistores estn en el lmite de conduccin. El voltaje en el punto A debe ser Vcc/2 o 14 voltios. Por lo tanto el voltaje en la base de Q 1 ser de 14.7 v y en la base de Q2 de 13.3 v. La cada de tensin en cada resistor de 3.8 k es de 13.3 voltios, y el voltaje a travs de R 2 ser de 1.4 voltios. La corriente de base ser: Ib = 13.3 v/3800 = 3.5 mA El valor de R2 ser: R2 = VR2/Ib = 1.4 v/3.5 mA = 400 Debe notarse que con estos valores de polarizacin, el voltaje de reposo en el punto A debe mantenerse constante en 14 voltios. Si el voltaje trata de bajar, el transistor Q 1 conducir y se cargar mas C 1. Si el nivel trata de subir, Q2 tiende a conducir y se descargar C 1.

234

Puesto que Va es igual a 14 voltios, el nivel pico de seal queda limitado a este valor. Luego, Vcm ser igual a 14 voltios. El valor de Icm ser: Icm = 14 v/8.5 = 1.65 A La potencia en la carga ser: Plac = Icm2 Rl/2 = 1.652 8/2 = 10.8 W Ahora, la fuente suministra corriente slamente cuando el transistor Q 1 conduce, con lo cual el condensador se carga. El capacitor se descarga para suministrar corriente cuando Q 2 entra en conduccin. La forma de onda de corriente que entrega la fuente, es por lo tanto media onda seno rectificada con un nivel promedio Icm. La potencia entregada por la fuente de alimentacin es entonces: Pcc = Vcc Icm/ = 28 v 1.65A / = 14.70 W La eficiencia del amplificador estar dada por: n = Plac/Pcc = 10.8/14.70 = 73.4 % El resistor de polarizacin R 2 es a menudo reemplazado por dos diodos, los cuales estn directamente polarizados. Estos diodos tienen la ventaja de poder estabilizar el amplificador ante variaciones de temperatura. Por otro lado, el capacitor C 1 puede ser removido si se utiliza un sistema de doble fuente positiva y negativa. Una fuente positiva +Vcc/2 es conectada al colector del transistor npn, y la fuente negativa -Vcc/2 se conecta al transistor pnp. La nueva polarizacin del circuito hace que el potencial en el punto A sea prcticamente tierra con lo cual se evitan los niveles de dc en la carga, haciendo por lo tanto innecesaria la conexin de C1. En algunos amplificadores de potencia se requieren corrientes picos del orden de los amperios, forzando al transistor a trabajar con elevadas corrientes de base, las cuales pueden ser excesivas. Esta situacin obliga a recurrir a un tipo especial de configuracin que entregue una elevada ganancia de corriente como es la configuracin

235

Darlington. La figura13 muestra una etapa de salida en Darlington en un amplificador que utiliza dos fuentes de alimentacin.

Figura 13. Amplificador en Darlington 2- Disipacin de Potencia en Amplificadores Un factor importante a ser tenido en cuenta en el diseo de los amplificadores de potencia, es el debido a efectos ocasionados en el funcionamiento como consecuencia de las variaciones de temperatura. Los transistores utilizados como amplificadores de potencia disipan grandes cantidades de calor, puesto que deben permitir amplias variaciones de voltaje y de corriente con el fin de proporcionar una salida elevada de potencia . Estos transistores son conocidos como transistores de potencia y ms que altas ganancias de corriente deben entregar valores especficos de potencia, con parmetros tales como elevados voltajes de ruptura, altos niveles de corriente y valores bajos de hfe. Debe tenerse por lo tanto, sumo cuidado en ciertos aspectos como el de la alimentacin suministrada para polarizacin de tal forma que no se excedan valores mximos de voltaje, corriente y potencia de disipacin. La regin de caractersticas de un transistor que rene estos criterios es conocida como regin segura de operacin. La curva de mxima potencia de disipacin est dada por la expresin:

236

Pd = Vceq Icq En la figura 14 se muestra la curva de disipacin con el rea o regin segura de trabajo.

Figura 14. Curva de Disipacin En estudios anteriores se discute el hecho referente a la alimentacin suministrada en los transistores, de tal forma que no se excedan valores mximos de voltaje, corriente y potencia de disipacin. La regin de caractersticas de un transistor que rene estos criterios es conocida como regin segura de operacin. Resistencia trmica y disipadores La potencia realmente se genera en la juntura colector-base dentro del transistor porque es all donde ocurre la cada de voltaje. Naturalmente, esta potencia y la energa asociada eleva la temperatura en la juntura. Los manufactureros de transistores especifican una mxima temperatura de unin, la cual no debe ser excedida, presentndose uno de los principales retos en el trabajo con los transistores de potencia y es el de como conducir el calor lejos de la juntura. La transferencia de calor es generalmente calculada mediante el concepto de resistencia trmica. La resistencia trmica es una medida de la facilidad en la transferencia de calor entre dos puntos. Si es difcil transferir calor, la resistencia trmica es alta, con lo cual la temperatura

237

en la unin se eleva, limitando severamente la regin de operacin del transistor. En un circuito elctrico, la disipacin de potencia ocasiona la elevacin de temperatura entre dos puntos. Este resultado genera una ecuacin anloga a la ley de Ohm, donde la diferencia de temperatura es similar a la diferencia de voltaje, la disipacin de potencia hace el papel de la corriente y la resistencia trmica es anloga a la resistencia elctrica. La ecuacin T = Pd R muestra el proceso anterior, siendo T dado en C y R en C/W. Dentro del transistor, la resistencia trmica est dada entre dos puntos: la juntura pn y el revestimiento. Este valor R jc, depende de la construccin del transistor y es generalmente dado por el fabricante, puede ser calculado si la disipacin de potencia es conocida. Ahora, la conduccin de calor entre el transistor y el aire que lo rodea es generalmente muy pobre, dando como resultado un valor elevado de resistencia trmica. Es por ello que los transistores de potencia son usualmente empaquetados con grandes revestimientos que proporcionan bajas resistencias trmicas, aunque siempre R jc es mucho menor que la resistencia revestimiento-aire R ca. La discusin anterior muestra que los transistores de potencia no pueden disipar lo requerido cuando se encuentran trabajando u operan al aire libre. Con el fin de reducir la resistencia trmica R ca, la gran mayora de transistores son montados en disipadores, los cuales proveen una buena conductividad trmica entre el metal y el transistor. Dos nuevos valores de resistencias trmicas son introducidos ahora: la resistencia trmica entre el revestimiento y el sumidero o metal R cs y la resistencia trmica entre el disipador y el aire R sa. Como puede observarse, la resistencia trmica total estar dada por: R = Rjc + Rcs + Rsa En la figura 15 se muestra el diagrama de un semiconductor montado en un disipador y en la figura 16 las resistencias trmicas incidentes en su operacin.

238

Figura 15. Resistencias trmicas

Figura 16. Circuito equivalente Las resistencias trmicas se consideran en serie como resistores elctricos por lo que pueden plantearse las ecuaciones siguientes que relacionan las distintas temperaturas con la potencia de disipacin. RJA = RJC + RCS + RSA PD = (TJ - TA ) / (RJC + RCS + RSA ) donde: RJA : Resistencia trmica juntura - ambiente RJC : Resistencia trmica juntura - case RCS : Resistencia trmica case - disipador RSA : Resistencia trmica disipador - ambiente

239

PD TJ TA

: Potencia disipada por el semiconductor : Temperatura de juntura : Temperatura ambiente

Los manufactureros de disipadores suministran catlogos en los cuales proporcionan las caractersticas de sus productos. El procedimiento general para escoger un disipador es primeramente determinar el valor de Rsa requerido y entonces buscar en los catlogos el disipador que ofrezca un valor igual o menor de Rsa. Es necesario anotar que los disipadores pueden trabajar en uno de dos ambientes: convexin natural, mediante el cual el calor es removido pasivamente por el aire que lo rodea, y convexin forzada, mediante el cual un ventilador refresca el disipador. La mayora de los fabricantes suministran el valor de sa para convexin forzada para diferentes velocidades del viento, ya que as se mantiene esta a un valor prcticamente constante. Ejemplos 1- El transistor de potencia 2N3055 puede disipar 115 w si la temperatura del revestimiento se mantiene a 25C. Encontrar su resistencia trmica si la mxima temperatura permitida en la juntura es de 200C. La diferencia de temperatura entre la juntura y el revestimiento es: T = Tj - Tc = 200C - 25C = 175C Luego: Rjc = T/Pd = 175C/ 115 w = 1.52C/W 2- Si el 2N3055 tiene el tipo de empaquetamiento TO-3 que proporciona una resistencia trmica del orden de 30C/W, encontrar la mxima potencia que el transistor puede disipar, y la temperatura del revestimiento bajo estas condiciones. De la ecuacin general:

240

T = Pd (Rjc + Rca) despejando el valor de Pd: Pd = T/(Rjc + Rca)= (200C - 25C)/(1.52C/W + 30C/W) Pd = 175C/31.52C/W = 5.56 Watt La temperatura entre el revestimiento y el aire ser: T = Pd Rca = 5.56 w 30C/W = 167C con lo cual la temperatura del revestimiento ser de 192C. Como puede observarse, este transistor de 115 W al operar al aire libre puede disipar nicamente 5.56 W. 3- Que tanta potencia puede disipar un transistor 2N3055, si est montado en un disipador en donde Rcs es .18C/W y Rsa es 3.3C/W. Supngase una temperatura ambiente de 25C. Rtot = Rjc + Rcs + Rsa Rtot = 1.52C/w + .18C/W + 3.3C/W = 5C/W T = 200C - 25C = 175C Pd = T/Rtot = 175C/5C/W = 35 W Como puede observarse, la adicin del disipador incrementa considerablemente la potencia que puede disipar el transistor.

3- Amplificadores Integrados Una gran variedad de circuitos integrados de potencia se encuentran disponibles en el mercado, con lo cual el problema se reduce a la seleccin de uno de ellos mas que a su diseo en particular. El

241

problema bsico de disipacin de calor generado por el amplificador permanece sinembargo, y el empaquetamiento de CI no lo simplifica. Por lo tanto, todos los amplificadores integrados deben ser montados en disipadores para ayudar a su refresco. Ahora, los amplificadores en CI son utilizados, cuando los niveles de potencia exigidos no son elevados. Cuando esto ocurre, deben ser utilizados los amplificadores discretos clase B discutidos anteriormente. Una muestra de los CI disponibles, lo constituye el TDA2002 que es un amplificador clase B, de cinco terminales, con un empaquetamiento del tipo TO-220 y proteccin de sobrecarga. Figura 17.

Figura 17. Circuito integrado Un circuito prctico que utiliza un amplificador integrado es mostrado en la figura 18. El CI utilizado es el TDA2002. La entrada inversora es conectada entre R1 y R2, constituyendo as una red de realimentacin. La funcin de R3 y C1 es la de limitar la respuesta en frecuencia y evitar as sonidos indeseados en el parlante. La red R 4, C2 evita oscilaciones de baja frecuencia.

242

Figura 18. Amplificador prctico con circuito integrado

BIBLIOGRAFA - Electronics Devices and Circuit Theory Boylestad, Nashelsky Prentice-Hall 1987 - Practical Transistors and Linear Integrated Circuits Greenfield Joseph John Wiley 1988 - Circuitos Electrnicos Discretos e Integrados Shilling, Belove McGraw Hill 1993