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Diodo PIN El diodo PIN es un diodo de unin p-n al que se le ha insertado una tercera zona semiconductora sin dopado

(intrnseca) entre la zona p y la zona n. Es pues un diodo p-i-n y de ah su nombre. Gracias a esa zona i, este diodo tiene una baja capacidad por lo que se aplica en altas frecuencias. Cuando se polariza directamente la inyeccin de portadores minoritarios aumenta la conductividad de la zona intrnseca y cuando se le aplica tensin inversa la zona intrnseca se vaca totalmente de portadores y el campo elctrico a travs de dicha regin permanece constante. Esto permite que el diodo PIN soporte altas tensiones inversas. Sus aplicaciones son en potencia y alta tensin y tambin en radiofrecuencia como modulador o conmutador.

Operacin Un diodo PIN opera bajo lo que se conoce como la inyeccin de alto nivel. En otras palabras, la regin intrnseca "i" se inunda con los portadores de carga de las regiones de "n", "p" y. Su funcin se puede comparar a llenar un cubo de agua con un agujero en el lado. Una vez que el agua alcanza el nivel del agujero en el que comenzar a derramar. Del mismo modo, el diodo conducir la corriente una vez que los electrones y los huecos inundados llegan a un punto de equilibrio, donde el nmero de electrones es igual al nmero de agujeros en la regin intrnseca. Cuando el diodo est polarizado hacia adelante, la concentracin de portadores inyectada es tpicamente varios rdenes de magnitud ms alta que la concentracin de portadores nivel intrnseco. Debido a esta inyeccin de alto nivel, que a su vez se debe al proceso de agotamiento, el campo elctrico se extiende profundamente en la regin. Este campo elctrico ayuda en la aceleracin del transporte de portadores de carga desde la P a la regin N, que se traduce en un funcionamiento ms rpido del diodo, por lo que es un dispositivo adecuado para operaciones de alta frecuencia.

Caractersticas Un diodo PIN obedece a la ecuacin del diodo estndar para seales de baja frecuencia. A frecuencias ms altas, el diodo se parece a una resistencia casi perfecta. Hay una gran cantidad de carga almacenada en la regin intrnseca. A bajas frecuencias, la carga se puede quitar y el diodo se apaga. A frecuencias ms altas, no hay tiempo suficiente para retirar la acusacin, por lo que el diodo no se apaga nunca. El diodo PIN tiene un mal tiempo de recuperacin inverso. La resistencia de alta frecuencia es inversamente proporcional a la corriente continua de polarizacin a travs del diodo. Un diodo PIN, adecuadamente sesgada, por lo tanto, acta como una resistencia variable. Esta resistencia de alta frecuencia puede variar en un amplio intervalo. La regin intrnseca amplia tambin significa que el diodo tendr una capacitancia baja cuando polarizado inversamente. En un diodo PIN, la regin de agotamiento existe casi por completo dentro de la regin intrnseca. Esta regin de agotamiento es mucho ms grande que en un diodo PN, y casi constante de tamao, independiente de la polarizacin inversa aplicada al diodo. Esto aumenta el volumen en el que los pares electrn-hueco pueden ser

generados por un fotn incidente. Algunos dispositivos fotodetectores, tales como fotodiodos PIN y fototransistores, utilizan una unin pin en su construccin. El diseo de diodo tiene algunas ventajas y desventajas de diseo. El aumento de las dimensiones de la regin intrnseca permite que el diodo se vea como una resistencia a frecuencias ms bajas. Se afecta negativamente el tiempo necesario para apagar el diodo y su capacitancia en derivacin. Diodos PIN se adaptarn para un uso particular.

Aplicaciones Diodos PIN son tiles como conmutadores de RF, atenuadores, y fotodetectores.

INTERRUPTORES DE RF Y MICROONDAS Bajo el sesgo cero o inversa, un diodo PIN tiene una capacidad baja. La baja capacidad no va a pasar mucho de una seal de RF. En virtud de un sesgo hacia adelante de 1 mA, un diodo PIN tpico tendr una resistencia de RF de aproximadamente 1 ohmio, por lo que es un buen conductor de RF. En consecuencia, el diodo PIN hace que un interruptor de RF buena. Aunque los rels de RF se pueden utilizar como interruptores, cambian muy lentamente. Un interruptor de diodo PIN puede cambiar mucho ms rpidamente. La capacitancia de un diodo PIN fuera discreta podra ser 1 pF. A 320 MHz, la reactancia de 1 pF trata-J500 ohms. Como un elemento de la serie en un sistema de 50 ohmios, la atenuacin de estado desactivado sera -20 veces la base 10 de registro de la relacin de la impedancia de carga a la suma de la carga, el diodo y la fuente de impedancias, o ms o menos 20 dB, lo que no puede ser adecuada. En aplicaciones donde se necesita un mayor aislamiento, tanto la derivacin y elementos de las series se pueden utilizar, con los diodos de derivacin sesgadas de manera complementaria a los elementos de la serie. Adicin de elementos de derivacin reduce de manera efectiva la fuente y impedancias de carga, la reduccin de la relacin de impedancia y el aumento de la atenuacin del estado de desactivacin. Sin embargo, adems de la complejidad aadida, la atenuacin en estado de encendido se incrementa debido a la resistencia en serie del elemento de bloqueo en estado de encendido y la capacitancia de los elementos de derivacin en estado desactivado. Interruptores de diodos PIN se utilizan no slo para la seleccin de la seal, pero tambin se utilizan para la seleccin de componentes. Por ejemplo, algunos osciladores de bajo ruido de fase utilizan diodos PIN de inductores gama de interruptores.

RF Y MICROONDAS ATENUADORES VARIABLES Al cambiar la corriente de polarizacin a travs de un diodo PIN, es posible cambiar rpidamente la resistencia RF. A altas frecuencias, el diodo PIN aparece como un resistor cuya resistencia es una funcin inversa de la corriente directa. En consecuencia, el diodo PIN se puede utilizar en algunos diseos atenuador variable como moduladores de amplitud o circuitos de nivelacin de salida.

Diodos PIN pueden ser utilizados, por ejemplo, como el puente y las resistencias en derivacin en un puente-T atenuador. Otro enfoque comn es utilizar diodos PIN como terminaciones conectadas a la 0 grados y -90 grados puertos de un hbrido en cuadratura. La seal a ser atenuada se aplica al puerto de entrada, y el resultado se toma atenuada desde el puerto aislamiento. Las ventajas de este enfoque ms de los enfoques puente-T y PI son no se necesitan unidades de polarizacin del diodo PIN complementarias la misma polarizacin se aplica a los dos diodos y la prdida en el atenuador es igual a la prdida de retorno de las terminaciones, que se puede variar en un gama muy amplia.

LIMITADORES Diodos PIN veces se utilizan como dispositivos de proteccin de entrada para sondas de prueba de alta frecuencia. Si la seal de entrada est dentro del rango, el diodo PIN tiene poco impacto como una pequea capacidad. Si la seal es grande, entonces el diodo PIN se inicia para llevar a cabo y se convierte en una resistencia que desva la mayor parte de la seal a tierra.

CLULA FOTOELCTRICA Y FOTOVOLTAICA El fotodiodo PIN fue inventado por Jun-ichi Nishizawa y sus colegas en 1950. Fotodiodos PIN se utilizan en las tarjetas de red de fibra ptica y los interruptores. Como un fotodetector, el diodo PIN est polarizado inversamente. En polarizacin inversa, el diodo normalmente no realiza. Un fotn entrar en la regin intrnseca libera un portador. El campo de polarizacin inversa barre el portador fuera de la regin y crea una corriente. Algunos detectores pueden usar la multiplicacin de avalancha. La clula fotovoltaica PIN funciona en el mismo mecanismo. En este caso, la ventaja de utilizar una estructura PIN por unin semiconductora convencional es la respuesta de longitud de onda ms larga de la primera. En caso de irradiacin de longitud de onda larga, los fotones penetran profundamente en la clula. Pero slo los pares electrn-hueco generados en y cerca de la regin de agotamiento contribuyen a la generacin actual. La regin de agotamiento de una estructura PIN extiende a travs de la regin intrnseca, profundamente en el dispositivo. Esta anchura agotamiento general permite la generacin de par electrn-hueco profundo en el dispositivo. Esto aumenta la eficiencia cuntica de la clula.

Normalmente, las clulas de silicio de pelcula delgada amorfa utilizan estructuras PIN. Por otro lado, las clulas de CdTe utilizan estructura NIP, una variacin de la estructura PIN. En una estructura de NIP, una capa intrnseca CdTe se intercala por n-dopado CdS y p-dopado CnTe. Los fotones inciden sobre la capa de n-dopado a diferencia de un diodo PIN. Un fotodiodo PIN tambin puede detectar los rayos X y gamma, fotones de rayos.

Ejemplo diodos SFH203 o BPW43 son diodos PIN fines generales baratos en 5 mm caja de plstico transparente, con ancho de banda de 100 MHz. Se utilizan en los sistemas de telecomunicaciones RONJA y otras aplicaciones de circuitos.

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