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DEFINICIN

El transistor de efecto de campo (FET = Field Effect Transistor) es un dispositivo de tres terminales que se emplea para una amplia variedad de aplicaciones que coinciden, en gran parte, con las correspondientes del transistor BJT.

DEFINICIN
La diferencia principal entre las dos clases de transistores es el hecho de que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente mientras que el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje

DEFINICIN
Ventajas
Tiene al entrada. impedancia de

Desventajas
Las ganancias normales de voltaje en ac para los amplificadores BJT son mucho mayores que para los FET. Se requiere gran precaucin en el manipuleo, porque las cargas electrostticas lo destruyen, aunque vienen con proteccin interna.

Tiene muy buena inmunidad al ruido. No requiere umbral. tensin de

Son ms pequeos en construccin que el BJT.

TRANSISTOR JFET
El JFET (Junction Field Effect Transistor) es un dispositivo de tres terminales, siendo una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos. Para el transistor JFET el dispositivo de canal-n aparecer como el dispositivo predominante.

TRANSISTOR JFET
La analoga hidrulica de la siguiente figura proporciona un sentido al control del JFET en la terminal de compuerta y a la conveniencia de la terminologa aplicada a las terminales del dispositivo. La "compuerta", por medio de una seal aplicada (potencial), controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje".

Fuente

Compuerta

Drenaje

TRANSISTOR JFET
Smbolos:

TRANSISTOR JFET
(Regiones de operacin)
a) Regin de corte (VGS < 0, ID = 0)

TRANSISTOR JFET
(Regiones de operacin)
b) Regin lineal
(Valores pequeos de voltaje fuente-drenaje)

TRANSISTOR JFET
(Regiones de operacin)
b) Regin lineal
(Valores pequeos de voltaje fuente-drenaje)
La corriente ID es directamente proporcional al valor de VDS La anchura del canal es proporcional a la diferencia entre VGS y VP.

I D VGS VP VDS

TRANSISTOR JFET
(Regiones de operacin)
b) Regin lineal
(Valores altos del voltaje fuente-drenaje)

Ejemplo: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con VGS = -2 V y VDS = 5 V

TRANSISTOR JFET
(Regiones de operacin)
c) Regin de saturacin
La regin de saturacin se da cuando se estrangula el canal en el drenaje, lo que sucede cuando la tensin puertadrenaje es ms negativa que VP, es decir:

VGD < VP => VGS - VDS < VP => VDS > VGS VP

TRANSISTOR JFET
Curvas caractersticas
En la representacin de ID frente a VGS, para una VDS dada, se aprecia claramente el paso de la regin de corte a la de saturacin

TRANSISTOR JFET
Curvas caractersticas
En la caracterstica VDS - ID del transistor NJFET se observa la diferencia entre las regiones lineal y de saturacin

TRANSISTOR MOSFET
Las prestaciones del transistor MOSFET son similares a las del JFET, aunque su principio de operacin y su estructura interna son diferentes. Existen cuatro tipos .

TRANSISTOR MOSFET (Principio de operacin)


a) NMOS de enriquecimiento
Si VDS > 0, VGS = 0. Al aplicar una tensin positiva a la zona N del drenaje : el diodo que forma ste con el sustrato P se polarizar en inversa y por ende el MOS estar en corte.

TRANSISTOR MOSFET (Principio de operacin)


a) NMOS enriquecimiento de

Si VDS > 0, VGS > 0. La


capa de aislante permite al potencial positivo aplicado repeler a los huecos y atraer a los electrones del material P, consecuencia de ello debajo del terminal G se crea un canal negativo de tipo N.

TRANSISTOR MOSFET (Principio de operacin)


b) NMOS de empobrecimiento
En este caso el canal ya est creado. Por lo tanto, si con VGS = 0 aplicamos una tensin VDS, aparecer una corriente de drenaje ID

TRANSISTOR MOSFET
Curvas caractersticas
a) Para el Transistor NMOS de enriquecimiento

TRANSISTOR MOSFET
Curvas caractersticas
a) Para el Transistor NMOS de enriquecimiento

TRANSISTOR MOSFET
Curvas caractersticas
b) Para el Transistor NMOS de empobrecimiento

TRANSISTOR MOSFET
Curvas caractersticas
b) Para el Transistor NMOS de empobrecimiento

APLICACIONES DE FET
Se basan en el manejo de tensin y corriente de salida bajo el control del Campo Elctrico . En la prctica esa corriente es extremadamente baja, comparable a la corriente I de fuga en un capacitor debido al dielctrico.

APLICACIONES DE FET
La conduccin en esta tecnologa, depende nicamente del flujo de portadores mayoritarios, por eso son unipolares, (un solo tipo de portadores N o P).

APLICACIONES DE FET
Tiene muy alta impedancia de entrada ( JFET 108 W MOS-FET 1010 a 1015 W ) VENTAJAS
Tiene muy buena inmunidad al ruido. No requiere tensin de umbral (arranque), que lo hace excelente en muy bajas seales.

APLICACIONES DE FET

Tiene menor producto ganancia x ancho de banda con respecto al transistor bipolar. DESVENTAJAS
Se requiere gran precaucin en el manipuleo, porque las cargas electrostticas lo destruyen, aunque vienen con proteccin interna.

1.ELECTRONICA ANALOGICA
Resistencias variables de valor gobernable por tensin (variando la anchura del canal).
Amplificadores de tensin, especialmente en la amplificacin inicial de seales de muy baja potencia. Control de potencia entregada a una carga. elctrica

En el caso de la amplificacin los circuitos se disean para que el punto de operacin DC del MOS se encuentre en la regin de saturacin. De este modo se logra una corriente de drenaje dependiente slo de la tensin VGS.

2.ELECTRONICA DIGITAL
Para esta aplicacin se emplean dispositivos de muy baja resistencia, de modo que idealmente pueda considerarse que: La cada de tensin en conduccin es muy pequea. La transicin entre el estado de corte y el de conduccin es instantnea.

JFET y MOSFET son de silicio. TRANSISTOR JFET

3.RESISTENCIA CONTROLADA POR TENSION


Nos fijamos en la variacin de la cada del voltaje en el FET para controlar el brillo de una lmpara. Cuando la puerta se cortocircuita con la fuente, la corriente aumenta y la lmpara se enciende. Si la puerta se polariza en negativo, la corriente de drenador disminuye y la lmpara se atena. El proceso contina hasta que se apaga.
El brillo es una funcin no lineal de la corriente que atraviesa la lmpara.

APLICACIONES DE FET
Es posible combinar este circuito con el anterior para crear un potencimetro de luz que se accione mediante una resistencia variable.

Diseo de un dispositivo controlado por tensin.

APLICACIONES DE FET
El JFET tiene impedancias de entrada mucho ms altas y corrientes de salida mucho ms bajas que los BJT. Los BJT son ms lineales que los JFET. La ganancia de un BJT es mucho ms alta que la de un JFET. Por lo general, los JFET slo se utilizan cuando los BJT no son la solucin ms conveniente. En aplicaciones de lgica digital, el uso de los FET es importante, ya que son mucho ms rpidos y disipan menos energa.

4.AISLADOR O SEPARADOR (BUFFER)


Encargado del aislamiento elctrico y de la fijacin mecnica del equipo o conductores que estn sujetos a diferencias de potencial, que se utiliza como soporte de un conductor elctrico aislador de campaa o de suspensin. Tiene como caracterstica principal y ventaja su

APLICACIONES
EQUIPO DE MEDIDA RECEPTORES

5.AMPLIFICADOR DE RF
El proceso por el cual nuestra voz o cualquier fuente sonora se convierten en ondas electromagnticas y viaja por toda la ciudad, acabando en el receptor de radio que tenemos en casa, es complicado, y a la vez, para ello existe el amplificador que se fundamenta en bajos ruidos.

SINTONIZADOR ES DE FM

EQUIPO PARA COMUNICACIONES

6. MEZCLADOR
Es un dispositivo para mezclar dos o ms seales electrnicas, caracterizado por la baja distorsin de intermodulacin.

Figura: Mezclador MIXER

APLICACIN

RADIOS DIGITALMENTE CONTROLADOS

RECEPTORES DE FM

7.AMPLIFICADOR CON CAG


Es conocido as a cualquier amplificador que sin intervencin humana cambie la amplificacin de una manera prevista.

RECEPTORES GENERADORES DE SEAL

8.TRANSISTORES WIMAX Y TECNOLOGAS DE MICROONDAS


Toshiba present recientemente sus nuevos transistores de efecto de campo (FET) de arseniuro de Galio (GaAs), diseados para utilizarse en aplicaciones del sector de las telecomunicaciones.

Adicionalmente, Toshiba present dos FET construidos con su tecnologa Super Lineal (SL), diseados para utilizarse en dispositivos U-NII.