Grupo de Electrnica e Instrumentao

Electrnica Analgica e Digital

Trabalho de Laboratrio 7 (Abril de 2009 - v 1.1)

Efeito de Miller e resposta na frequncia de amplicadores transistorizados

NOTA IMPORTANTE: s vai necessitar das ltimas duas folhas para a aula de laboratrio. A primeira parte uma explicao alargada dos fenmenos que vai observar.

Objectivos e introduo ao trabalho

O objectivo deste trabalho o estudo da resposta em frequncia de amplicadores transistorizados1 , usando os FETs como exemplo. Na medida em que o fenmeno determinante para esta caracterstica dos amplicadores de tenso o efeito de Miller, este ser tambm discutido. A resposta em frequncia dos andares de amplicao com FETs semelhante dos andares realizados com transstores bipolares (BJTs2 ), pelo que a matria aqui estudada de aplicao alargada. Este paralelismo ser recordado ao longo da exposio. O efeito de Miller O efeito de Miller o principal factor limitativo da frequncia de corte superior, f C , da largura de banda dos amplicadores transistorizados. O efeito visvel nos andares de amplicao em emissor comum (EC) e emissor comum degenerado (ECd) realizados com transstores bipolares, e nos andares em fonte comum (CS) e fonte comum degenerado (CSd) realizados com JFETs ou com MOSFETs. Como resultado de serem as conguraes de amplicao uniandar que propiciam ganho em tenso elevado, so utilizadas na maioria dos amplicadores multiandar. Assim, a largura de banda dos amplicadores est fortemente dependente do efeito de Miller e, principalmente, da efectividade das tcnicas de projecto aplicadas na sua mitigao. O Efeito de Miller pode ser ilustrado com elementos de circuito ideais. Considere a gura 1. esquerda vemos um amplicador de tenso ideal (Z I N A = , ZOUTA = 0) com ganho de tenso negativo, GV = A, e com uma impedncia de realimentao, ZF . No circuito ao centro essa impedncia concretizada num condensador, pelo 1 . O nosso objectivo mostrar que a impedncia de entrada do amplicador realimentado, ZENT , que ZF = s C F equivalente, neste caso concreto, a um condensador de valor (1 + A)CF , como mostrado direita da gura.

Fig. 1: Amplicador de tenso ideal (Z I N A = , ZOUTA = 0) com ganho de tenso negativo, GV = A, e com uma impedncia de realimentao, ZF . Quando ZF = 1/sCF a impedncia de entrada equivalente a um condensador de valor (1 + A)CF . As equaes do circuito so simplesmente VOUT = A VI N I=
1A

VI N VOUT (1 + A) VI N = ZF ZF

2 BJT

exposio que aqui se faz no substitui o estudo de um bom texto de electrnica, como aqueles indicados na bibliograa de EAD. a sigla de Bipolar Junction Transistor. FET a sigla de Field-Effect Transistor.

Fig. 2: Modelos incrementais para baixas ( esquerda) e altas frequncias ( direita) do transstor de efeito de campo (o modelo aplicvel quer a JFETs quer a MOSFETs). pelo que ZENT = VI N ZF Z = F I 1+A A (se A for elevado)

ou seja, a impedncia na realimentao dividida aproximadamente pelo ganho do amplicador para se obter a impedncia equivalente ZENT . Concretizando para o caso em que a impedncia na realimentao um condensador CF , verica-se que 1 ZENT = s[(1 + A)CF ] equivalente, portanto, a um condensador de valor (1 + A)CF . Nos amplicadores CE e CS o ganho A da ordem das dezenas ou das centenas, pelo que o efeito de Miller tem um efeito ampliador de capacidade. Esta observao amide utilizada no projecto de amplicadores integrados, no que toca introduo de condensadores de compensao (i.e., componentes inseridos para garantir um certo grau de estabilidade aos amplicadores, assunto que iremos estudar mais adiante em EAD). Como a rea de silcio ocupada por alguns andares de amplicao realizados com transstores bipolares ou com FETs muito menor que a rea necessria para fazer um condensador de capacidade na ordem dos nanofarad, usa-se um pequeno condensador na realimentao de um amplicador de tenso com ganho elevado e negativo para simular um condensador muito maior. Isto acontece por exemplo nos ampops populares LM741, LF356, LF411, TL081, etc...

Modelo incremental do FET

O modelo incremental do FET encontra-se na g. 2. esquerda mostrado o modelo aplicvel em baixas frequncias; direita este modelo adaptado para altas frequncias pela adio dos condensadores parasitas c gs e c gd . Este modelo vlido para efectuar clculos pelo menos at frequncias na ordem das muitas dezenas de MHz, quando no nas centenas de MHz. O valor dos parmetros incrementais resistivos , por denio3 : gm Id Vgs
1 r0 = g0

Id Vds

pois relacionam a variao entre incrementos na varivel dependente, Id , relativamente s variveis independentes, Vgs e Vds . A outra varivel dependente, Ig , virtualmente nula a baixas frequncias, devido elevada resistncia apresentada pela porta do FET (na ordem dos GOhm), pelo que o modelo no linear para sinais fortes em termos de admitncias, em fonte comum, do FET, descrito por Ig Id

= =

f 1 (Vgs , Vds ) = 0 f 2 (Vgs , Vds )

Focando a nossa ateno no modelo incremental, vlido para relacionar pequenas variaes nas variveis do dispositivo, temos ig = 0 id = Id Id v gs + v = gm v gs + g0 vds Vgs Vds ds

3 A notao utilizada para especicar as tenses e as correntes nos amplicadores quase universal: nome de varivel em maisculas e ndice em minsculas, indica a varivel total - por exemplo, Id ou Vgs ; nome de varivel e ndice em minsculas, indica uma varivel incremental por exemplo, v gs ou id ; nome de varivel e ndice em maisculas, indica uma varivel de polarizao ou quiescente - por exemplo, ID ou VGS . Assim, escreve-se Id = ID + id ou Vgs = VGS + v gs . Por vezes acrescenta-se Q para indicar explicitamente os valores quiescentes, e.g. IDQ .

Fig. 3: Amplicador uniandar com JFET. Mais concretamente, um andar em fonte comum (CS - Common-Source). Os detalhes da polarizao (por exemplo, os condensadores de acopulamento na entrada e na sada) so omitidos. direita esto os modelos incrementais do amplicador em baixas (ao topo) e em altas frequncias. o que corresponde ao circuito-modelo mostrado esquerda na g. 2. Recorde que as derivadas parciais so calculadas nos valores quiescentes IDQ , VGSQ e VDSQ . Atendendo a que o transstor opera na saturao (porque a zona de operao em que h a amplicao quase linear dos sinais), aplicvel a seguinte equao Id = IDSS 1 Vgs VP
2

(1 + Vds ) IDSS 1

Vgs VP

e facilmente se calcula aquelas derivadas parciais que, aproximadamente, so dadas por VGSQ 2 IDSS 2 IDSS 1 = IDQ gm = VP VP VP 1 IDQ

r0 = onde IDQ = IDSS 1

VGSQ VP 2

a corrente quiescente calculada a partir das condies de polarizao do cir-

cuito. A aproximao consiste em fazer (1 + Vds ) 1, pois habitualmente < 0.01. Quanto aos condensadores c gs e c gd no modelo da g. 2, tambm dependem dos valores quiescentes no FET. No entanto, raramente nos catlogos h informao suciente para que o projectista possa explorar esse facto: os fabricantes habitualmente fornecem um valor tpico, obtido com valores tpicos de polarizao. Por vezes os parmetros incrementais tm outras designaes, tais como: gm g f s y f s , c gs cis e c gd crs . A folha de caractersticas em anexo, porm, muito detalhada e permite saber tudo sobre o BF245 (menos onde mora :-).

Amplicador em montagem fonte comum (CS - common-source)

Na g. 3 encontra-se o esquema do andar de amplicao em fonte-comum e os respectivos modelos incrementais para baixas e altas frequncias. A diferena entre estes modelos consiste na presena dos condensadores c gs e c gd naquele utilizado em frequncias elevadas. Em baixas frequncias o andar CS apresenta as seguintes caractersticas: Rin = ; Rout = R D ||r0 ; e GV = gm ( R D ||r0 ) (conrme estes clculos). O efeito de Miller no andar de amplicao CS Para apreciar o efeito de Miller no amplicador CS o modelo da g. 3 redesenhado conforme se mostra na g. 4. Fez-se a transformao Norton-Thvenin no andar de sada do amplicador. Note que c gd no est ligado exactamente entre a sada e a entrada do amplicador ideal devido presena do paralelo de r0 e de R D . Nessa medida o efeito de Miller permite determinar aproximadamente a frequncia de corte superior f C do amplicador. A aproximao habitualmente justicada, pois at frequncias prximas de f C o valor de ( c gd )1 muito maior do que o paralelo das resistncias R D e r0 . 3

Fig. 4: Ilustrao do efeito de Miller no andar em fonte comum (CS - Common-Source). Note que este modelo usa a converso entre equivalentes de Norton e de Thvenin no bloco de sada do modelo incremental na g. 3. Usando o resultado anteriormente demonstrado para o efeito de Miller, e desprezando o paralelo R D ||r0 , conclui-se que a frequncia de corte determinada essencialmente por RG e pelo condensador equivalente ceq = c gs + [1 + gm ( R D ||r0 )]c gd , sendo dada por:
1 2 RG {c gs + [1 + gm ( R D ||r0 )]c gd } 2 RG gm ( R D ||r0 ) c gd fC

(1)

Para valores tpicos dos parmetros a parcela [1 + gm ( R D ||r0 )]c gd habitualmente bem maior que c gs , apesar de se vericar sempre que c gs > c gd (veja os valores aplicveis ao BF245B no apndice). Pode-se concluir que no andar CS (e tambm no emissor comum com bipolares) a largura de banda inversamente proporcional ao (mdulo do) ganho em baixas frequncias. Na prtica o efeito de Miller um dos factores mais importantes na limitao da frequncia mxima atingvel pelos amplicadores. Os andares em dreno-comum (CD) e em colector-comum (CC), e em porta-comum (CG) e em base-comum (CB), tm uma largura de banda bastante superior dos andares CS e CE. Por isso podem servir para aliviar o efeito de Miller atravs da construo de amplicadores multiandar. Mitigao do efeito de Miller H vrias tcnicas para reduzir o efeito de Miller em amplicadores sem comprometer o ganho em tenso. Uma delas, mostrada no topo esquerdo da g. 5, consiste em isolar o gerador do andar CS (ou CE com um bipolar) pela introduo de um andar em dreno comum (CD) (colector comum, CC, com um bipolar). Os andares CD (ou CC) tm ganho em tenso aproximadamente igual a um e, por isso, no h efeito de Miller entre a base e o emissor. Por outro lado, o andar CD (ou CC) tem uma baixa impedncia de sada, impedncia esta que ser utilizada em vez de RG na equao (1), fazendo aumentar f C . Uma outra tcnica, mostrada no canto inferior esquerdo da g. 5, consiste em substituir o andar CS (ou CE) pela combinao de dois andares: uma cascata CS-CG no caso dos FETs, ou uma cascata CE-CB no caso dos bipolares. Em ambos os casos esta combinao denominada cascode. Este amplicador vai ser construdo e medido no laboratrio e a sua eccia deve-se a que o andar CG substitui a resistncia de carga R D do andar CS pela impedncia de entrada do andar CG, muito menor que R D . Assim, o ganho de tenso do andar CS muito menor e consequentemente o efeito de Miller deixa de ser dominante. Uma ltima tcnica, visvel no canto inferior direito da g. 5, que regularmente utilizada para evitar o efeito de Miller, consiste em realizar o ganho em tenso custa de um par diferencial, circuito equivalente a uma cascata CD-CG (ou CC-CB no caso dos bipolares). Desta forma, o andar CS completamente evitado. Esta soluo particularmente popular no projecto de circuitos integrados, pois habitualmente necessrio que os dois transstores utilizados no par diferencial sejam (muito aproximadamente) iguais, o que s conseguido em circuitos integrados. O ganho atingido pelo par diferencial metade do ganho do andar CS isolado. Finalmente, h uma outra opo de projecto (esta no tem a ver com o efeito de Miller) que costuma ser usada em amplicadores multiandar quando estes tm de atacar cargas capacitivas signicativas (por exemplo, cabos compridos), modeladas por um condensador CL em paralelo no porto de sada (veja o circuito no topo direito da g. 5): a soluo colocar no ltimo andar do amplicador um CD (ou CC nos bipolares), isolando assim o andar CS da capacidade de carga CL , o que faz com que a constante de tempo associada sada, ROUT CL , diminua face ao valor ( R D ||r0 ) CL que se verica para um andar de sada CS, ou seja, aumenta-se a frequncia do plo determinado pelo binmio andar de sada-carga capacitiva. Todas esta opes se encontram ilustradas na g. 5. Como nota nal, saiba que a popularidade do cascode realizado com FETs tal, que existem dispositivos denominados dual-gate FET que no so mais do que dois FETs em srie como aqueles na montagem cascode da g. 5. 4

Fig. 5: Mitigao do efeito de Miller no andar em fonte comum (CS - Common-Source). Com a cascata CD-CS reduz-se a impedncia efectiva de gerador ( RG ) vista na porta do andar CS; com a montagem cascode, ou cascata CS-CG, diminui-se o ganho do andar CS, mantendo porm um ganho de tenso total na cascata quase igual ao que seria obtido com o CS isolado; com o par diferencial diminui-se a impedncia de gerador apresentada ao andar CG e consegue-se (faa as continhas...) um ganho que metade daquele do andar CS isolado. Note que nestes circuitos se est a desprezar o projecto da malha de polarizao para os vrios andares. Finalmente, em cima direita ilustra-se que uma elevada capacidade CL , sada do andar CS, na prtica tambm impor um limite a ter em conta na resposta em frequncia pois cria um plo em ( R D ||r0 ) CL .

Trabalho de laboratrio
No laboratrio construa os trs circuitos das gs. 6 e 7. Mea as tenses necessrias para calcular os valores IDQ , VGSQ e VDSQ de polarizao. A partir delas faa uma estimativa de gm . Munido dos parmetros incrementais (veja o valor de no apndice para calcular r0 ) compare o ganho calculado com o ganho medido. Os circuitos so baseados naqueles j estudados no laboratrio anterior. Liga-se em srie com o gerador uma resistncia RG de valor entre 560 e 2,7 K (voc escolhe o valor, nos circuitos est assinalado 1 K ) para ser possvel observar o efeito de Miller e a efectividade das medidas tomadas para o reduzir. Efectue as seguintes medidas e clculos para todos os circuitos apresentados nas guras. Na g. 6 encontramse o andar CS j estudado na anterior sesso de laboratrio e a sua verso cascode. Na g 7 encontra-se uma cascata CD-CS, usando tambm os circuitos estudados na aula anterior, que reduz a impedncia de gerador vista pela porta do andar CS (impedncia essa que agora a impedncia de sada do andar CD, o primeiro da cascata.) f C dever ser maior em ambos os amplicadores multiandar do que no andar CS isolado. 1. Mea as tenses de polarizao (ou quiescentes), e a partir delas e do valor nominal das resistncias faa uma estimativa das correntes quiescentes. 2. Verique que todos os transstores se encontram na zona de saturao (visto os circuitos serem amplicadores). Devido variabilidade dos parmetros do JFET poder ter que alterar o valor a alguma resistncia para os polarizar devidamente na zona de saturao. 3. A partir dos valores quiescentes das variveis calcule os parmetros incrementais gm e r0 . 4. Mea o ganho a frequncias intermdias (desde algumas dezenas de Hz at alguns KHz) em todos os amplicadores. Use na entrada um sinal sinusoidal com algumas centenas de mV de amplitude e tenha cuidado para que nenhum andar funcione no linearmente e introduza distoro. 5. Mea a frequncia de corte a -3 dB em todos os casos, com a mesma amplitude de sinal utilizada no ponto anterior. 6. Verique que as montagens cascode e CD-CS mitigam o efeito de Miller (i.e., a frequncia de corte muito maior em ambos que no andar CS isolado) e compare os valores medidos com aqueles calculados com os parmetros tpicos do BF245B. Nota importante: se no conseguir, nos circuitos das guras, atingir f C com a frequncia mxima do gerador de sinais disponvel no laboratrio, aumente o valor de RG at observar a diminuio do ganho em frequncias elevadas. O BF245B um transstor de altas frequncias, e mesmo o efeito de Miller tem diculdade em deitlo abaixo.... Alm disso, os geradores no atingem frequncias muito elevadas. nos amplicadores de dois andares, onde o efeito de Miller mitigado, que o desempenho limitado do material de laboratrio mais grave .

Apndice
Em anexo d-se a folha de caractersticas completa do BF245B. No entanto, adianta-se que os valores tpicos dos parmetros mais importantes desse dispositivo so aproximadamente: IDSS = 10 mA; VP VGS (o f f ) = 3, 5 V; 1 = 400 V; c gs = 4 pF; c gd = 1, 1 pF; gm 5 mS quando IDQ = 5 mA.

Problemas
1. A partir dos dados da folha de caractersticas do BF245B conrme o valor indicado para . Faa o mesmo para o parmetro gm . 2. Para o modelo incremental do andar em fonte comum da g. 3 calcule exactamente (i.e., sem fazer qualquer tipo de aproximao) AV (s) = Vout (s)/Vin (s). Compare a frequncia de corte com aquela estimada pela aproximao de Miller. Use os parmetros do BF245B. Pode simular o circuito ou usar uma ferramenta computacional (Scilab, Maxima ou Octave) para observar os respectivos diagramas de Bode. 3. Calcule a o ganho em tenso e a impedncia de sada do andar CD, entrando em conta com os parmetros tpicos do BF245B ou com aqueles que so calculados a partir das medidas efectuadas no laboratrio. 4. Calcule o ganho em tenso do amplicador em montagem cascode. Pode fazer aproximaes nos clculos, desde que as justique .

Fig. 6: Andares de amplicao para construir e testar no laboratrio: esquerda, andar em fonte comum (CS Common-Source). direita, a montagem cascode, tambm denominada cascata CS-CG.

Fig. 7: Andares de amplicao para construir e testar no laboratrio: montagem CD-CS que reduz a RG vista pela porta do andar CS.