Circuito Amplicador Con Transistor.

L opez Hern andez, Severino Villalobos.

Laboratorio de Electr onica, Facultad de Ciencias, Universidad Nacional Aut onoma de M exico, Ciudad Universitaria, 04510, D.F., M exico. Abril 28, 2013

Resumen
Se estudia la amplicaci on de se nales empleando un transistor npn en conguraci on de emisor com un. Se determina el punto de operaci on Q, as mismo se logra amplicar una se nal senoidal. Se obtienen los diagramas de Bode para el cociente de los voltajes de entrada y salida, as como para la diferencia de fase de la entre la se nal entrante y la obtenida, resultando que para toda una gama de frecuencias la ganancia del transistor aumenta y luego se observa un efecto de disminuci on dado por el efecto de los condensadores par asitos del mismo; mientras que para el diagrama de la diferencia de fase se observa la contribuci on de las tres frecuencias de corte dadas por los condensadores de base, colector y emisor.

1.

Objetivos
Caracterizar el comportamiento de un circuito amplicador con un transistor del tipo npn en conguraci on com un. Determinar el punto de operaci on del transistor. Obtener los diagramas de Bode para la funci on de transferencia de voltaje.

3.2.

Conguraci on De Emisor Com un

2.

Introducci on

Existen tres conguraciones de uso de un transistor[2], las cuales son: base com un, colector com un y emisor com un, este u ltimo es el m as usado. En la conguraci on de base com un, el transistor amplica la impedancia, pero a costa de una disminuci on de la corriente, en la conguraci on de colector com un, lo que se amplica es la corriente, mientras que para la conguraci on de emisor com un, el transistor act ua como un amplicador de corriente y voltaje, adem as invierte la se nal.

un En los procesos de an alisis de se nales, es necesario 3.3. Amplicador De Emisor Com el uso de circuitos amplicadores que tengan ciertas El transistor BJT puede ser empleado en un circuito propiedades, es decir, sean capaces de aumentar la amplicador[3] en la conguraci on de emisor com un u en corriente, el voltaje o bien, la impedancia de salida. otras. Sin embargo, para que el transistor pueda amplicar una se nal, independientemente de la conguraci on Los circuitos que resuelven o se ajustan a estos reque- empleada, es necesario limitar su funcionamiento a la rimientos son aquellos en los que se utilizan los circuitos regi on activa, en esta, se comporta como una fuente semiconductores de tres juntas, estos son los transistores, de corriente dependiente, siendo la curva caracter stica y son precisamente las conguraciones de emisor, base y IC vsVCE pr acticamente lineal. colector com un las que posibilitan la amplicaci on de las propiedades de una se nal. El amplicador de emisor com un, se llama as porque
las corrientes de base y de colector se combinan en el emisor, es com un incluir en el circuito componentes discretos, es decir condensadores. Obs ervese la gura 1, representa 3.1. Transistor De Uni on Bipolar BJT un circuito amplicador con componentes de ltrado o otese que se destacan tres aspectos imporLos transistores de uni on bipolar o BJT son elementos discretos y n este circuito: la funci on del divisor de voltaje, formados por tres juntas de material tipo p, o bien, tipo tantes de n;[1] este tipo de elementos consta de tres terminales, la de los condensadores CA y CL y la del condensador CE . denominadas emisor, base y colector. Seg un el tipo de El an alisis del circuito en se nal continua, los condencombinaciones se encuentran del tipo pnp y npn. sadores funcionan como circuitos abiertos, este circuito nica fuente de alimentaci on, y puede ser reEn un transistor, el Emisor est a muy impuricado, la utiliza una u Base tiene una impuricaci on muy baja, mientras que el presentado por su equivalente en Thevenin. Ahora, la funon de los condensadores CA y CL , consiste en acoplar Colector posee una impuricaci on intermedia; este dispo- ci nal alterna y la carga del amplicador en el circuito sitivo es similar a dos diodos unidos, teniendo dos uniones: la se na se nal y desconectarse en continua, sin inuir una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el de peque en el punto de operaci on Q. colector.

3.

Marco Te orico

El an alisis del equivalente de Thevenin da lo siguiente: Rth = Vth = R1 R2 R1 + R2 (1) (2)

En general, la ganancia para un circuito se dene como: G= propiedad.de.la.sen al.de.salida propiedad.de.la.sen al.de.entrada (9)

R1 VCC R1 + R1

Para voltage se tiene la ganancia del amplicador: GV = vo vs (10)

4.

Desarrollo Experimental

Se construy o el circuito de la gura 1 con los siguientes materiales: Osciloscopio digital Tektronix Mult metro EZ Digital dm441B Figura 1: Circuito Amplicador b asico en conguraci on de emisor com un, con componentes discretas. Tomando el circuito con los condensadores en corto y la sustituci on del transistor por su an alogo en Thevenin se obtiene el circuito incremental (Figura 2). Al estar cortocircuitada la resistencia de emisor por el condesador de desacoplo, el emisor es com un a la entrada La funci on del condensador CE , radica en que si este anula a la resistencia de emisor en el circuito incremental, la ganancia aumenta. Generador de seales Fuente de voltaje Protoboard Cables banana-caim an y bnc-caim an Transistor BC547 Condensadores de 100 F , 50 F Resistencias de 68 k , 3.9 k , 4.7 k , 12 k y 680 Los valores reales de los elementos de los circuitos fueron: 57.8 F , 56 F , 106.6 F , 3.87 k , 4.7 k , 11.74 k y 681 . Una vez montado el circuito se conect o al generador Figura 2: Circuito Incremental equivalente en peque na de funciones, al osciloscopio y a la fuente de voltaje. se nal del circuito Amplicador en Emisor Com un. Con el generador de se nales se hizo un barrido en todas nal Del circuito equivalente de Thevenin se obtienen las las frecuencias para ver el comportamiento de la se siguientes relaciones para encontran el punto de operaci on al pasar por el circuito y se hizo pasar a un voltaje de entrada de 10.6 mV. Q: La se nal obtenida a la entrada fue de 56mV, mayor que los 10mV requeridos, para corregir esto se utiliz o un divisor de voltaje con una resistencia de 4.7 k y otra de Vth VBEQ ICQ = (4) 68 k . Posteriormente se midi o en el osciloscopio tanto Rth + ( + 1)RE la se nal de salida como la se nal de entrada, as como la Mientras que para los voltajes de base, emisor, colector y frecuencia y la diferencia de fase entre ambas se nales. colector emisor se tiene: IBQ = (3) VCEQ = VCC ICQ (RC + RE ) VEQ = IEQ RE VBQ = VEQ + VBEQ VCQ = VEQ + VCEQ Finalmente se pas o a la medici on de voltajes y corrientes en el transistor para poder encontrar su punto de operaci on Q. Esto se hizo considerando que en voltaje direc(6) to, los condensadores funcionan como un simple alambre, para ello bast o desconectar (del circuito) el generador de o el voltaje de colector emisor, el volta(7) funciones. Se midi je de base emisor y el voltaje de base colector as como la corriente de emisor, la corriente de colector y la corriente (8) de base. (5) 2 Vth VBEQ Rth + ( + 1)RE

5.

Resultados

Donde las incertidumbres asociadas[4][5][6] se han omitido puesto que son demasiado peque nas.

Se obtuvieron las mediciones para los voltajes de base colector, base emisor y colector emisor, dando: 3.5 V, Se obtuvieron las gr acas de la ganancia de voltaje y 0.4 V y 4.1 V, respectivamente. Mientras que para la el desfasamiento de la onda de salida con respecto a la corriente de base, de emisor y de colector se obtuvieron: entrante. 5.1 A, 1.4472 mA y 1.6457 mA. Se midi o adem as del transistor, tal que =420. A la salida del circuito del generador de se nales se obtuvo una se nal de 56 mV, por lo que al usar un divisor de voltaje se obtuvo por una de las resistencias un voltaje de 10.6 mV, la cual fue la se nal de salida inicialmente tomada. Las mediciones sobre el voltaje de entrada y salida, as como el desfasamiento entre las dos ondas ante cambios en la frecuencia arroja los siguientes datos:
o Figura 4: Gr aca de 20log10 ( V Vi )vslog ( ), ganancia de voltaje frente a variaciones de frecuencia.

Mientras que para el desfase contra una variaci on de frecuencias da:

Figura 5: Gr aca de log10 ()vslog ( ), gariaci on del desfase ante variaci ones de frecuencia. Figura 3: Tabla 1: Mediciones sobre el voltaje de entrada y salida, el desfasamiento de la onda de salida con respecto a la de entrada, ante variaciones en la frecuencia.

7.

Discusi on

6.

An alisis

Se puede comparar el punto de operaci on Q obtenido de la medici on directa de VCEQ y IBQ , tomando estas medidas como las medidas antes dadas, lo cual da que: Qexp = ((4,1 0,04)V, (1,646 0,009)mA) Los valores calculados discrepan un poco a los obtenidos directamente de la medici on, aunque tal discrepancia es muy peque na, sobre todo en el caso de la corriente de colector, en donde considerando el intervalo de la incertidumbre la medici on es muy aceptable. Se encontr o adem as que: 3

Tomando los datos reales de los elementos del circuito de la gura 1 y empleando las ecuaciones (1), (2), (3), (4) y (5), y suponiendo adem as que el transistor se encontrava funcionando en la regi on activa, es decir, donde la curva caracter stica es casi una linea recta, se obtiene que el punto de operaci on Q est a dado por: Q=(4.5 V, 1.647 mA)

Un caso similar se tiene para el desfase, si consideran muy peque nas las variaciones discutidas anteriormente, Para esta corriente de base el resultado experimental es decir, si se toma el valor promedio de cada punto, se fue de (5.1 0.03) A , hay una peque na diferencia, tendr a una gr aca en donde el desfase aumenta cuando sin embargo hay que tomar en cuenta que cuando m as la frecuencia aumenta y para frecuencias muy altas el despeque na es la magnitud de una cantidad, m as dicil es fase empieza a tener uctuaciones, esto quiere decir, que medirla y el margen de error aumenta. la se nal de salida se parece a la de entrada pero invertida, lo cual concuerda con la expresi on de la ganancia, sin De la primera gr aca se puede ver, mientras la frecuen- embargo para frecuencias muy altas las uctuaciones son cia aumenta, la ganancia de voltaje del circuito aumenta producto de las capacidades par asitas. tambi en, hasta llegar a un punto en el que empieza a decaer, este hecho se adjudica a las capacidades par asitas internas del transistor. Tales capacidades hacen que la Referencias ganancia disminuya para frecuencias muy altas del orden [1] Electronic Devices And Circuit Theory, Boylestand de 233 kHz. L. Robert, Nashelsky Louis, Prentice-Hall, Sixth Edition. Por su parte, la gr aca del desfasamiento de la onda de salida con respecto a la de entrada muestra uctuaciones, si se ve separada por regiones se puede notar el efecto de un ltro pasabajas en el rango de frecuencias de 1000 Hz a 4000 Hz, inmediatamente despu es, el efecto de un ltro pasaltas en el rango de 4000 Hz a 16000 Hz y un ltro m as en el rango de los 16000 Hz hasta los 126000 Hz, en este caso un ltro tipo pasabajas; por u ltimo otras peque nas variaciones. Tales efectos de ltrado en el desfase de la se nal de salida con respecto a la de entrada se debe a que en diferentes frecuencias de corte act uan los diferentes condensadores y resistencias del circuito, el comportamiento del desfase ante variaciones de frecuencias expone la naturaleza de los ltros pasabajas acoplados a la base y al emisor y tambi en del ltro pasaaltas acoplado al colector. Las variaciones que est an m as all a de los 126000 Hz, se deben a la contribuci on de las capacidades par asitas que actu an igualmente como ltros con diferentes frecuencias de corte que se encuentran en rangos de frecuencias muy altas. [2] Dise no Electr onico. Circuitos Y Sistemas, C. J. Savant, et alt. [3] Circuitos Y Dispositivos Electr onicos Fundamentos De Electr onica, Llu s Prat Vi nas, Edicions De La Universitat Polit ecnica De Catalanya, SL, Barcelona 1999. [4] Users Manual 72-7210 Tenma 5Mhz Function Generator. [5] Manual Del Usuario, Osciloscopio De Almacenamiento Digital Tektronix. [6] Intro. al an alisis gr aco de datos experimentales, Berta Oda Noda, Editorial Las Prensas De Ciencias.

IBQ = 3,9A

8.

Conclusiones

El punto de operaci on obtenido anal ticamente, es muy cercano al punto de operaci on experimental, por lo cual, fue v alido suponer que el transistor se encontraba en la zona activa y de ah hacer el an alisis de voltaje directo. De este hecho, se deduce que el transistor amplicar a la se nal de entrada. El circuito amplica la se nal de entrada, por lo que hay una ganancia. Tal ganancia es dependiente de la frecuencia de exitaci on del circuito; para frecuencias del orden de Hz hasta frecuencias del orden de 233000 Hz la ganancia aumenta al aumentar la frecuencia, sin embargo, debido al efecto de las capacidades par asitas, esta ganancia se ve mermada y empieza a disminuir cuando la frecuencia aumenta.