Tema1 2

Dispositivos Electrnicos II
CURSO 2010-11
Temas Temas 1,2 1,2
Conmutacin Conmutacin
Profesores: Miguel ngel Domnguez Gmez Camilo Quintns Graa
DEPARTAMENTO DE TECNOLOGA ELECTRNICA
UNIVERSIDAD DE VIGO
ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACIN
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS II
CURSO 1010-11
DEDE-II
Dispositivos Dispositivoselectrnicos electrnicosen enconmutacin conmutacin

1. Conmutacin del diodo de unin.
El diodo metal-semiconductor. NDICE NDICE
2. Conmutacin del transistor bipolar.

Condensador de aceleracin. El transistor Schottky.
3. Conmutacin de transistores unipolares.

Conmutacin del transistor de efecto de campo de unin, JFET Conmutacin del MOS.
Temas 1,2: Conmutacin
Circuitos Circuitosde deconmutacin conmutacinbsicos bsicos

1. 2. 3. 4. 5. 6. Emisor comn con carga resistiva. Emisor comn con carga capacitiva. Seguidor de emisor con carga capacitiva. Emisor comn con carga inductiva. Fuente comn con carga capacitiva. Control de una carga capacitiva con transistores MOS.
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DEDE-II
Tema Tema1: 1:Dispositivos Dispositivoselectrnicos electrnicosen enconmutacin conmutacin

DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS ELECTNICOS EN EN ELECTNICOS CONMUTACIN CONMUTACIN INTRODUCCIN Las SEALES a manejar tienen TENSIONES CORRIENTES que CAMBIAN MUY BRUSCAMENTE DE VALOR entre NIVELES PREDETERMINADOS, en los que permanecen durante ciertos periodos de tiempo.
CIRCUITOS DIGITALES
SEALES CON DOS ESTADOS: (BINARIAS)
dos niveles, que permiten DIGITALIZAR la informacin.
Los dos estados de la seal que vamos a manejar representan, normalmente, una excursin en magnitud que podemos denominar grande.
Ejemplo: Mrgenes de la tensin de salida para la familia lgica 7400 ALS TTL.
5,0 V
Ante esta situacin los dispositivos electrnicos no pueden simularse con un MODELO lineal, sino con uno marcadamente NO LINEAL.
3,0V Estos valores de tensin se producen slo durante las transiciones
ESTUDIO ANALTICO DE LOS CIRCUITOS DE CONMUTACIN DIFICIL !!
0,5 V 0V
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DEDE-II
Caso ms general SEALES BINARIAS los dispositivos trabajan en slo 2 situaciones: CONDUCCIN FCIL (tendiendo a un cortocircuito) NO CONDUCCIN (tendiendo a un circuito abierto)
DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS ELECTNICOS EN EN ELECTNICOS CONMUTACIN CONMUTACIN
CONMUTADOR CONMUTADOR
Se utilizan fundamentalmente TRANSISTORES debido a:
Niveles de seal que manejan Su rapidez de conmutacin (transicin entre ambas situaciones) Su estructura simple de fabricacin Posibilidad de integracin
Aparte de los 2 ESTADOS EXTREMOS para cada dispositivo (conduccin y corte), interesa mucho conocer la RAPIDEZ con que l efecta la CONMUTACIN o transicin entre ambas situaciones.
Esta velocidad de conmutacin influir, evidentemente, en el comportamiento del circuito digital final.
CIRCUITO DIGITAL:
2 cuestiones bsicas a resolver:
(1) Conocer los valores de V e I estacionarios que corresponden a los dos niveles de las seales binarias (0 y 1) (2) RAPIDEZ DE CONMUTACIN
jo p le m o sc m
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DEDE-II
Anlisis circuito digital en el dominio del tiempo: 1. Suponer que los dispositivos tienen tconmutacin nulos (i.e. efectan instantneamente paso de un estado a otro) y estudiar slo la respuesta del circuito pasivo exterior al dispositivo. Posteriormente, como segunda aproximacin, se pueden corregir los resultados obtenidos introduciendo el comportamiento real de los dispositivos.
Tcnica frecuentemente utilizada:
2.
Tema 1
ESTUDIO DEL COMPORTAMIENTO TRANSISTORIO DINMICO, de los dispositivos que se utilizan en los Circuitos Digitales: DIODOS, TRANSISTORES BIPOLARES Y UNIPOLARES Ambos casos: DISPOSITIVOS CONTROLADOS POR MINORITARIOS. Sern ellos los que impongan sus limitaciones al responder ms o menos lentamente a la excitacin exterior.
Inicialmente: estudio unin p-n; sus conclusiones sern de gran ayuda para determinar el comportamiento del transistor bipolar.
Dispositivo de MAYORITARIOS inherentemente muy rpido. Transistor unipolar: Su ESTRUCTURA CAPACITIVA va a determinar el modo de funcionamiento y su velocidad.
ESTUDIO RIGUROSO DE ESTOS PROBLEMAS: COMPLEJO Y DIFCIL Tema 2
Slo efectuaremos una descripcin cualitativa
CIRCUITOS DE CONMUTACIN BSICOS
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DEDE-II
BIBLIOGRAFA BIBLIOGRAFAESPECFICA ESPECFICA
CIRCUITOS ELECTRNICOS DIGITALES I, Tomo 3 Captulos I y IV Elas Muoz Merino Universidad Politcnica de Madrid ISBN: 84-7402-067-0
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DEDE-II
1. 1.CONMUTACIN CONMUTACINDEL DELDIODO DIODODE DEUNIN UNIN

DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS ELECTNICOS EN EN ELECTNICOS CONMUTACIN CONMUTACIN Relacin V-I para una unin p-n :
qV nkT I = I o e 1
lo : corriente inversa de saturacin kT/q = VT = 26 mV a 300 K n: factor con valores entre 1 y 2
Conduccin plena: Tpicamente, cuando la corriente directa IF = 1 a 20 mA VF correspondiente: V depende marcadamente de datos tcnicos diodo (semiconductor empleado en la fabricacin, rea, resistencia serie, conexiones al exterior, etc.). Tpicamente = 0,75 a 0,9 V (para Si)
No conduccin: Para considerar no conduccin: no hace falta exigir polarizacin nula inversa: Aunque circulen unos A se considera, en general, que el diodo est en no conduccin. Como reduccin de corriente en dos rdenes de magnitud cambia VF en slo 120 mV Cuando tensin de la unin < V en ms de 120 mV : EL DIODO SE CONSIDERA EN CORTE Tensin umbral debajo de la cual el diodo "no conduce: V. (tpicamente Si V. =0,6V)
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qV nkT I = I o e 1
Unin p-n como conmutador:
1. 1. Valores Valores V V ee II que que corresponden corresponden aa estados estados de de Conduccin Plena y de No Conduccin. Conduccin Conduccin Plena y de No Conduccin. No conduccin: Para considerar no conduccin: no hace falta exigir polarizacin nula inversa: Aunque circulen unos A se considera, en general, que el diodo est en no conduccin. Como reduccin de corriente en dos rdenes de magnitud cambia VF en slo 120 mV Cuando tensin de la unin < V en ms de 120 mV : EL DIODO SE CONSIDERA EN CORTE Tensin umbral debajo de la cual el diodo "no conduce: V. (tpicamente Si V. =0,6V)
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qV nkT I = I o e 1
Conduccin plena
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qV nkT I = I o e 1
No conduccin
Conduccin plena
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2. 2. Velocidad Velocidadde deconmutacin. conmutacin.Descripcin Descripcincualitativa cualitativa DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS ELECTNICOS EN EN ELECTNICOS CONMUTACIN CONMUTACIN Si la corriente que se hace circular por el diodo vara con el tiempo:
v (t ) qnkT i (t ) = I o e 1
(distribuciones de minoritarios a ambos lados de la unin tienen el mismo perfil que en continua)
Slo vlida cuando v(t) e i(t) cambian lentamente (regimen cuasi-esttico)
CONMUTACIN: i(t) puede llegar a ser una funcin escaln La relacin v-i no est ahora descrita por la anterior ecuacin
Las trayectorias de conmutacin nos indican un comportamiento distinto frente al caso casi-esttico
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CONMUTACIN DE CORTE A CONDUCCIN DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS ELECTNICOS EN EN ELECTNICOS CONMUTACIN CONMUTACIN
Hay un tiempo de retardo entre la aplicacin del pulso de corriente y el instante en que el diodo alcanza su tensin final: TIEMPO DE RECUPERACIN EN DIRECTA, tfr. Medida de retraso entre tensin en el diodo y el pulso de corriente Adems si el pulso de corriente aplicado es muy intenso, v(t) presenta un sobreimpulso. Durar el tiempo que lleve a los portadores difundirse hasta las cercanas de la zona de carga espacial de la unin. En general, esta conmutacin no suele ser problemtica a pesar de la existencia de tfr. Si inicialmente el diodo en polarizacin inversa, el paso a la conduccin producira una v(t) an ms retrasada respecto a i(t): Hara falta cierto tiempo para pasar de la ancha zona de carga espacial en inversa a la de tensin nula, y a partir de aqu se repite la situacin anterior.
Conmutacin de corte a conduccin:
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CONMUTACIN DE CONDUCCIN A CORTE DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS ELECTNICOS EN EN ELECTNICOS CONMUTACIN CONMUTACIN
Diodo conduciendo en directa: bruscamente se polariza en inversa para pasar al corte (VR < Tensin Avalancha):
Conmutacin de conduccin a corte:
Excitacin tambin en corriente, simulada ahora mediante batera y gran resistencia en serie R. La corriente en lugar de anularse a partir de t=t1 es inversa con un valor VR/R hasta el instante t2 y luego, por fin, decrece hacia 0.
El tiempo t2 -t1 : tiempo de almacenamiento, ts Tiempo transcurrido entre t2 y el instante en que el diodo se ha recuperado hasta la tensin -VR : tiempo de transicin tt Tiempo de recuperacin en inversa: trr = ts + tt Se comprueba experimentalmente que ts aumenta para mayores corrientes directas iniciales. Adems, normalmente ts >> tt
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DEDE-II
COMPORTAMIENTO DE LOS PORTADORES DURANTE LA CONMUTACIN Estudio de los procesos fsicos que ocurren en la conmutacin: Ley de una unin p-n: La TENSIN aplicada a la unin est relacionada en cada instante con las concentraciones de minoritarios en los bordes de la zona de transicin (carga espacial) segn:
Sin polarizar Perfiles de distribucin de minoritarios:
pn (t ) x =0 = p n o e
q v (t ) kT
n p (t )
y =0
= npo e
q v (t ) kT
Polarizacin Directa
Los perfiles de distribucin de minoritarios en cada instante sirven para calcular la corriente por el diodo (bsicamente la difusin de minoritarios). Si se calcula como varan con tiempo las Concentraciones y Perfiles de Minoritarios, Minoritarios en cercanas zona de carga espacial por efecto de la conmutacin se puede relacionar la V y la I en el diodo, an en el transitorio
Polarizacin Inversa
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Perfiles de distribucin de minoritarios:
Distribucin de minoritarios durante la conmutacin de Conduccin a Corte:
Sin polarizar
Polarizacin Directa
Polarizacin Inversa
Durante el tiempo de almacenamiento, el exceso de huecos (electrones) es extrado hacia la zona p (n) del diodo.
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DEDE-II
EJEMPLO: DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS ELECTNICOS EN EN ELECTNICOS CONMUTACIN CONMUTACIN
La tensin en el diodo contina siendo positiva durante el ts el diodo contina actuando como si estuviese en P.D., aunque la corriente ya haya invertido su direccin.
Inversin de polaridad de la cada de tensin en la resistencia hmica del diodo
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DISMINUCIN DE ts
En diodo real, p = tiempo de vida efectivo: Funcin de los tiempos de vida media de los minoritarios a ambos lados de la unin. Depende de las caractersticas propias del semiconductor.
IF t s = p ln 1 + I R
Mecanismo obvio para controlar ts : a travs de p
IF: corriente directa antes de la conmutacin IR: corriente inversa durante el tiempo de almacenamiento
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DEDE-II
DISMINUCIN DE ts
(1) Diodos de conmutacin rpidos p puede disminuirse introduciendo en la estructura impurezas (Au, Pt) que actan como centros de recombinacin ts
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DISMINUCIN DE ts
(2) Utilizacin de un condensador de aceleracin
(1) Diodos de conmutacin rpidos p puede disminuirse introduciendo en la estructura impurezas (Au, Pt) que actan como centros de recombinacin ts
Suministra impulsos de corriente que inyectan/extraen con rapidez los minoritarios Tericamente, si C= p/R, ts 0. (pero se hace un ajuste final en el laboratorio) Mediante este mtodo, se puede llegar a multiplicar x10 la frec. utilizacin del diodo.
Tensin en el diodo en funcin del valor de C
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(3) Diodo MetalSemiconductor o Schottky DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS ELECTNICOS EN EN ELECTNICOS CONMUTACIN CONMUTACIN Desarrollo ms notable en diodos rpidos para conmutacin. Polarizacin Directa: e- del semiconductor pasan con facilidad al metal tras sobrepasar una pequea barrera potencial. No hay carga de minoritarios almacenada, ni tiempo de almacenamiento: ts=0 (transitorio de conmutacin mucho menor que en una unin PN). A K Polarizacin Inversa: e- del metal tienen que sobrepasar una barrera de potencial mucho ms elevada, y la corriente es casi nula. Caractersticas estticas v-i : misma forma que unin p-n, excepto que la tensin umbral V es ms pequea, tpicamente V =0,2V a 0.4V y V = 0,6V para Si. Muy utilizados en Circuitos Integrados para aplicaciones de Conmutacin de Alta Velocidad
A METAL Al, Pt Si tipo N
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2. 2.CONMUTACIN CONMUTACINDEL DELTRANSISTOR TRANSISTORBIPOLAR. BIPOLAR.

DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS ELECTNICOS EN EN ELECTNICOS CONMUTACIN CONMUTACIN Someter a conmutacin a un transistor es pedirle que acte como INTERRUPTOR, cambiando su estado, por ej.: desde Tensin Alta - Corriente Pequea (OFF), a la situacin de Baja Tensin - Alta Corriente (ON) en un tiempo que, normalmente, se desea sea muy pequeo.
2 modos de operacin: (en funcin de la regiones de operacin)
(1) Modo de saturacin (+ habitual) (2) Modo de corriente
En modo de corriente: el estado de conduccin no llega a la regin de saturacin CONMUTACIN MS RPIDA AL ESTADO DE CORTE.
MUY ADECUADO PARA CIRCUITOS DE ALTA VELOCIDAD.
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Respuesta Respuestatransitoria transitoriadel delBJT BJT(rapidez (rapidez con conque quepasa pasade deOFF OFFaaON ONyyviceversa) viceversa) DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS ELECTNICOS EN EN ELECTNICOS CONMUTACIN CONMUTACIN La corriente de colector ic no responde inmediatamente a la seal de excitacin. Tiempo td tr) Tiempototal totalde deconmutacin conmutacinde deOFF OFFaaON: ON:(( t+ d+ tr) Tiempo tiempo que transcurre desde Tiempode deretraso, retraso,td t: d: tiempo que transcurre desde que quela laseal sealde deentrada entradacambia cambiahasta hastaque quela lacorriente corriente alcanza el 10% de su valor mximo. de colector i c de colector ic alcanza el 10% de su valor mximo. Tiempo tiempo que transcurre desde Tiempode desubida subidatr t: r: tiempo que transcurre desde que quela lacorriente corrientede decolector colectoricicalcanza alcanzael el10% 10%de desu su valor valormximo mximohasta hastallegar llegaral al90% 90%del delmismo. mismo. Tiempo ts tf) Tiempototal totalde deconmutacin conmutacinde deON ONaaOFF: OFF:(( t+ s+ tf) TIEMPO tiempo desde TIEMPO DE DE ALMACENAMIENTO, ALMACENAMIENTO, ts t: s: tiempo desde que la seal de entrada cambia hasta que la seal de entrada cambia hasta que que la la icic decrece decrece al al 90% 90% del del valor valor mximo mximo en en su su paso paso hacia hacia corte. corte. Tiempo : :tiempo en el que la ic decrece Tiempode decada, cada,tf t f tiempo en el que la ic decrece desde el 90% hasta el 10% de desde el 90% hasta el 10% desu suvalor valormximo mximoICsat ICsat en ensu supaso pasohacia haciael elcorte. corte. La transicin ON-OFF va seguida por una corriente inversa de base que permanece el tiempo ts + tf. Durante el mismo la unin B -E permanece polarizada directamente, a pesar de la tensin negativa aplicada -V2
OFF-ON ON-OFF Conmutacin de saturacin Transistor gobernado por iB
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DEDE-II
Lentitud :: Lentitudyyformas formasde deonda ondade derespuesta respuesta originadas por la necesidad de entregar extraer originadas por la necesidad de entregar extraerde de la labase baselos losminoritarios minoritariosque quecorresponden correspondenaalas las distribuciones distribucionesde deequilibrio equilibrioen enlos losestados estadosON ONyyOFF. OFF.
Conmutacin de saturacin Transistor gobernado por iB
Procesos responsables de las formas de onda: Distribucin de minoritarios (npn)
EQUILIBRIO (sin polariz)
OFF-ON
ON-OFF
ACTIVA (E inyecta een B, y C los aspira)
SATURACIN (E y C inyectan e- en B)
SATURACIN con dominio de inyeccin de C
CORTE (B vaca de minoritarios)
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Ejemplo: INVERSOR LOGICO CON BJT
tSUBIDA
t=100ns, vin=3V iB rpidamente. La corriente carga la capacidad de transicin de la unin haciendo que vBE Parte de iB fluye por capacidad unin C, y sale por l (sentido contrario a reg activa). Esta corriente hace que vout ligeramente (por encima de VCC). Poco despus, vB suficientemente alta para polarizar en directa la unin E los e- cruzan desde E hacia B, y se difunden hacia union C. vC comienza a caer. En t 190ns, transistor entra en saturacin, y vo (vCE) cte = decimas de voltio. Ambas uniones estn PD, y existe alta concentracin de minoritarios (e-) en B. tRETRASO
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Ejemplo: INVERSOR LOGICO CON BJT tALMACENAMIENTO tCAIDA
tSUBIDA
t=300ns, vin=0V La vo sin embargo permanece baja hasta aproximadamente t=520ns, debido al exceso de minoritarios (e-) almacenados en B. Hasta que no hayan sido extrados de B, sigue fluyendo corriente a travs de las uniones. iB cambia de sentido al final del pulso de entrada debido a la carga almacenada que sale del terminal de B. En t 520ns, mayor parte de exceso carga de B ha sido extraido, e iC comienza a caer, haciendo que vo . Este crecimiento es lento a causa de las capacidades parsitas de la unin. Al final, transistor vuelve al corte. tRETRASO
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DEDE-II
TCNICAS DE ACELERACIN DE LA CONMUTACIN (1) CONDENSADOR DE ACELERACIN en paralelo con la resistencia de base C permite que durante los pasos OFF-ON y ON-OFF circulen impulsos de corriente elevados capaces de entregar o extraer los minoritarios necesarios. (2) TRANSISTOR SCHOTTKY Diodo impide la saturacin del BJT: D conduce antes de que la unin BC llegue a PD (V0.4V)
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TCNICAS DE ACELERACIN DE LA CONMUTACIN (1) CONDENSADOR DE ACELERACIN en paralelo con la resistencia de base C permite que durante los pasos OFF-ON y ON-OFF circulen impulsos de corriente elevados capaces de entregar o extraer los minoritarios necesarios. (2) TRANSISTOR SCHOTTKY Diodo impide la saturacin del BJT: D conduce antes de que la unin BC llegue a PD (V0.4V)
Ejemplo anterior, con C y diodo Schottky:
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3. 3.CONMUTACIN CONMUTACINDE DETRANSISTORES TRANSISTORESUNIPOLARES UNIPOLARES

DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS ELECTNICOS EN EN ELECTNICOS CONMUTACIN CONMUTACIN Transistores unipolares: gobernados por portadores mayoritarios parte de los mecanismos limitativos descritos anteriormente no son aplicables Su estructura, geometra, tecnologa de fabricacin y condiciones de utilizacin imponen las limitaciones de velocidad. Circuito equivalente: JFET y MOSFET : presentan una entrada capacitiva (CGS) una capacidad de acoplo a la salida (CGD) y una capacidad de salida (CDS).
Capacidades en un transistor MOS
Zonas de transistor nMOS en las que se identifican estructuras de tipo capacitivo.
Es la carga y descarga de stas capacidades la que limita la velocidad de conmutacin, haciendo que los Dispositivos Unipolares sean, por lo general, ms lentos conmutando que los Bipolares. FETs actuales en CI: geometras muy reducidas Capacidades muy pequeas Compiten o superan a los bipolares en rapidez
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DEDE-II
Tema Tema2: 2:Circuitos Circuitosde deconmutacin conmutacinbsicos bsicos

La claridad con que los transistores bipolares y unipolares pueden presentar 2 estados bien diferentes de conduccin ha motivado que los circuitos lgicos digitales actuales procesen la informacin en FORMA BINARIA.
Aunque en principio es posible conseguir varios estados de conduccin en estos dispositivos, los circuitos lgicos de 3, 4 estados, por ejemplo, no tienen inters prctico en la actualidad.
CIRCUITOS DE DE CIRCUITOS CONMUTACIN CONMUTACIN BSICOS BSICOS
Nuestro inters se centra en CIRCUITOS CON 2 NIVELES DE TENSIN/CORRIENTE CLARAMENTE DIFERENCIADOS (en realidad sern 2 mrgenes de valores elctricos que correspondern a los 2 estados binarios mencionados).
En este tema estudiaremos: Circuitos elementales de conmutacin tanto con transistores bipolares como unipolares. Circuitos con Slo situaciones de pequea potencia y carga capacitiva (situacin bsica T. Unipolares: en los circuitos integrados MOS). Circuitos con T. Bipolares:
Otro tipo de cargas y situaciones de potencia deben ser considerados
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DEDE-II
TRANSISTOR: dispositivo de 3 terminales
Para estudiar su comportamiento en un circuito, se analiza como un CUADRIPOLO: I1 V1 + I2 + V2
ENTRADA (2 terminales)
SALIDA (2 terminales)
Uno de los 3 terminales deber ser comn a la ENTRADA y a la SALIDA
3 CONFIGURACIONES:
(El terminal comn a la E y a la S da el nombre al montaje)
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DEDE-II
1. 1. EMISOR EMISORCOMN COMNCON CONCARGA CARGARESISTIVA. RESISTIVA.CIRCUITO CIRCUITOINVERSOR INVERSOR

CIRCUITOS DE DE CIRCUITOS CONMUTACIN CONMUTACIN BSICOS BSICOS Existen varias formas para acoplar generador a BJT, en EC por ejemplo, que funcione en el modo de saturacin: Acoplo directo a travs de una resistencia Con una resistencia con condensador de aceleracin Mediante un diodo etc. Modo de acoplo interesante: a travs de Condensador normalmente grande, que permite paso de Corte a Saturacin con independencia del Valor Medio de la Seal de Entrada. Segn niveles seal de entrada: habr que polarizar B de forma que se asegure paso consecutivo de conduccin a corte. Suponemos que se trata de CIRC. SATURANTE, i.e. en ausencia de excitacin, R lleva a saturacin al transistor (fijador).
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DEDE-II
1. 1. EMISOR EMISORCOMN COMNCON CONCARGA CARGARESISTIVA. RESISTIVA.CIRCUITO CIRCUITOINVERSOR INVERSOR

CIRCUITOS DE DE CIRCUITOS CONMUTACIN CONMUTACIN BSICOS BSICOS Existen varias formas para acoplar generador a BJT, en EC por ejemplo, que funcione en el modo de saturacin: Acoplo directo a travs de una resistencia Con una resistencia con condensador de aceleracin Mediante un diodo etc. Modo de acoplo interesante: a travs de Condensador normalmente grande, que permite paso de Corte a Saturacin con independencia del Valor Medio de la Seal de Entrada. Segn niveles seal de entrada: habr que polarizar B de forma que se asegure paso consecutivo de conduccin a corte. Suponemos que se trata de CIRC. SATURANTE, i.e. en ausencia de excitacin, R lleva a saturacin al transistor (fijador).
Anlisis en conmutacin vg(0-)= V1, vB(0-)=V (0.7V para Si) T SATURACIN Vk(0-)V1-V. Vo(0-)=VCEsat
t = 0-
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DEDE-II
+ t t= =0 0+
Se produce en Vg una transicin negativa a V2 que suponemos lleva al T a CORTE:
Como vk no puede cambiar instantneamente VB (0+) ser:
VB (0 ) = VCC i R = VCC
VCC + VK (0 ) V2 R R + Rg
Si Rg es muy pequea (Rg<<R):

+ 0 1 0+ t tTT 1
VB1 V + (V2 V1 )
requirindose que esta cantidad lleve al T a corte
Durante el intervalo T1, vB tender a VCC con una constante de tiempo:
v B (t ) = VCC (VCC V B 1 ) e t 1
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DEDE-II
t=T 1 t=T 1
siendo : La tensin en el condensador en ese instante ser:
siendo i(T1-) la comente que circula por el circuito de entrada en ese instante:
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DEDE-II
+ t=T 1 + t=T 1
Salto positivo de la excitacin a V1. T se SATURA
Circuito equivalente de base: CIRCUITOS DE DE CIRCUITOS CONMUTACIN CONMUTACIN BSICOS BSICOS (ahora el diodo B-E conduce) Normalmente rbb<< Rg << R
Se produce un pico de tensin en vB por encima de v que lleva a una saturacin ms intensa Para evaluar dicho pico, se puede considerar dicho circuito equivalente aproximado pero slo con rbb tal que :
VB' 1 VB1
)r R
bb ' g
Sobreimpulso en VB que lleva a una saturacin ms intensa Pico en Vc,
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DEDE-II
2. 2. EMISOR EMISORCOMN COMNCON CONCARGA CARGACAPACITIVA CAPACITIVA

CIRCUITOS DE DE CIRCUITOS CONMUTACIN CONMUTACIN BSICOS BSICOS Emisor comn cuya salida o carga tiene una capacidad (Situacin real siempre) Cables de conexin Entrada de la siguiente etapa En muchos casos de la propia impedancia de carga ZL
Valor de CL depende de:
Acoplamiento capacitivo de la excitacin: Igual que antes, se puede considerar la excitacin acoplada al transistor por un condensador y con comportamiento de fijador, bien que lo est por una resistencia.
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2. 2. EMISOR EMISORCOMN COMNCON CONCARGA CARGACAPACITIVA CAPACITIVA

CIRCUITOS DE DE CIRCUITOS CONMUTACIN CONMUTACIN BSICOS BSICOS Emisor comn cuya salida o carga tiene una capacidad (Situacin real siempre) Cables de conexin Entrada de la siguiente etapa En muchos casos de la propia impedancia de carga ZL
Valor de CL depende de:
Acoplamiento capacitivo de la excitacin: Igual que antes, se puede considerar la excitacin acoplada al transistor por un condensador y con comportamiento de fijador, bien que lo est por una resistencia.
t t=0 =0-
Cuando ve en su pico positivo: hay fijacin, T SATURADO, y, supuesto transitorios pasados, Vo=VCEsat Salto negativo de ve T CORTE. CL tender a cargarse desde su valor inicial VCEsat a VCC con una constante de tiempo =RCCL
+ t t=0 =0+ + 0 TT 1 0+ t t 1
Depender de la relacin entre y T1 el que Vo llegue no a VCC para t = T1(figura, supuesto <<T1)
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DEDE-II
t t=T 1 =T 1 + t t=T 1 + =T 1
Salto positivo de ve fijacin
Si no consideramos el pico inicial de iB del fijador, la corriente de base ser lB1=(VCC-V)/R. iC : suministrada por VCC y por CL que tender a descargarse mientras ambos suministradores lo permitan, IC=hFEIB1 (hFE) CL tender a pasar desde su valor de carga inicial VCC al valor final VCCRChFEIB1 con una constante de tiempo =RCCL
Th
Cuando Vo=VCEsatT SATURACIN, e ic decrece al valor ICsat.
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t t=T 1 =T 1 + t t=T 1 + =T 1
Salto positivo de ve fijacin
Si no consideramos el pico inicial de iB del fijador, la corriente de base ser lB1=(VCC-V)/R. iC : suministrada por VCC y por CL que tender a descargarse mientras ambos suministradores lo permitan, IC=hFEIB1 (hFE) CL tender a pasar desde su valor de carga inicial VCC al valor final VCCRChFEIB1 con una constante de tiempo =RCCL
Th
Cuando Vo=VCEsatT SATURACIN, e ic decrece al valor ICsat.
EMISOR COMN: DESCARGA RAPIDAMENTE CL

Cada de vo exponencial y con = que el flanco de subida, pero ahora es una evolucin entre un valor inicial y final muy separados el tramo de exponencial que aparece en caida de vo suele ser casi lineal
La descarga del condensador es muy rpida y el tiempo de cada de Vo es mucho ms pequeo que el de subida. Carga CL: lenta
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3. 3. SEGUIDOR SEGUIDORDE DEEMISOR EMISORCON CONCARGA CARGACAPACITIVA CAPACITIVA

CIRCUITOS DE DE CIRCUITOS CONMUTACIN CONMUTACIN BSICOS BSICOS Para que se llegase a saturar el transistor hara falta que el pico de vB fuese superior a VCC y por tanto el de ve. Lo usual es que ve como mucho llegue a VCC vamos a considerar un FUNCIONAMIENTO NO SATURANTE, permaneciendo T en ZONA ACTIVA cuando est en conduccin. RB : resistencia global, que puede ser externa del generador ve, e incluye a rbb
Propiedades complementarias al circuito anterior
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DEDE-II
3. 3. SEGUIDOR SEGUIDORDE DEEMISOR EMISORCON CONCARGA CARGACAPACITIVA CAPACITIVA

CIRCUITOS DE DE CIRCUITOS CONMUTACIN CONMUTACIN BSICOS BSICOS Para que se llegase a saturar el transistor hara falta que el pico de vB fuese superior a VCC y por tanto el de ve. Lo usual es que ve como mucho llegue a VCC vamos a considerar un FUNCIONAMIENTO NO SATURANTE, permaneciendo T en ZONA ACTIVA cuando est en conduccin. RB : resistencia global, que puede ser externa del generador ve, e incluye a rbb ve a nivel bajo T CORTE Si transitorios han desaparecido, vo(0-)=0 ve T CONDUCCIN, con fuerte corriente de base inicial lB1 = (Vcc-VBE)/RB que provoca una corriente de emisor iE(0+)=hFEIB1 muy intensa, que tiende a cargar rpidamente a CL hierbe
Propiedades complementarias al circuito anterior
t t=0 =0-
+ t t=0 =0+
T 11 T t + t 0 + 0
vo evoluciona desde 0 a (VCC-VBE)VCC-V .
Como normalmente <<T1, la subida de vo es casi lineal, rpida, con tiempo subida pequeo.
32
CURSO 1010-11
DEDE-II
+ t t=T 1 + =T 1
Cada ve T CORTE CIRCUITOS DE DE CIRCUITOS CONMUTACIN CONMUTACIN BSICOS BSICOS CL se descarga lentamente a travs de RE con =CLRE (>)
EL SEGUIDOR DE EMISOR ES CAPAZ DE CARGAR RPIDAMENTE CL La descarga es ms lenta
COMPLEMENTARIO AL EMISOR COMN !!
Mediante configuraciones compuestas se pueden conseguir circuitos que carguen y descarguen rpidamente la capacidad de carga.
Totem-Pole
Push-pull
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CURSO 1010-11
DEDE-II
4. 4. EMISOR EMISORCOMN COMNCON CONCARGA CARGAINDUCTIVA INDUCTIVA

Mismo inversor saturante, pero con carga inductiva CIRCUITOS DE DE CIRCUITOS CONMUTACIN CONMUTACIN BSICOS BSICOS
Acoplo por condensador, y fijacin mediante circuito de base.
Rs: Resistencia limitadora cuando T saturacin
R: Resistencia equivalente de prdidas de una bobina real, o Resistencia Externa
t t=0 =0-
Al aplicar ve en intervalo fijacin, si han decado transitorios, en t=0- Io circulando por la inductancia, T SATURADO, vo(0-)=VCC.
+ t t=0 =0+
Transicin negativa que lleva al CORTE. Como iL(t) no puede cambiar bruscamente Io deber circular por R Pico de valor VCC+IoR, que decaer con =L/R
Circuito equivalente corte
+ 0 1 0+ t t TT 1
vo (t ) = VCC + I o R e t
i L (t ) = 0 + (I o 0 ) e t
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CURSO 1010-11
DEDE-II
4. 4. EMISOR EMISORCOMN COMNCON CONCARGA CARGAINDUCTIVA INDUCTIVA

Mismo inversor saturante, pero con carga inductiva CIRCUITOS DE DE CIRCUITOS CONMUTACIN CONMUTACIN BSICOS BSICOS
Acoplo por condensador, y fijacin mediante circuito de base.
Rs: Resistencia limitadora cuando T saturacin
R: Resistencia equivalente de prdidas de una bobina real, o Resistencia Externa
t t=0 =0-
Al aplicar ve en intervalo fijacin, si han decado transitorios, en t=0- Io circulando por la inductancia, T SATURADO, vo(0-)=VCC.
+ t t=0 =0+
Transicin negativa que lleva al CORTE. Como iL(t) no puede cambiar bruscamente Io deber circular por R Pico de valor VCC+IoR, que decaer con =L/R
Circuito equivalente corte
+ 0 1 0+ t t TT 1
vo (t ) = VCC + I o R e t
i L (t ) = 0 + (I o 0 ) e t
Pico de tensin: puede ser grande y sobrepasar la mxima tensin C-E tolerable para el transistor Conviene DIODO PROTECTOR en //
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CURSO 1010-11
DEDE-II
+ t t=T 1 + =T 1
ve : flanco positivo fijacin
T SATURACIN
Inicialmente una corriente de saturacin lo circular por R, determinada porque en ese instante la carga del transistor es R+Rs .
+ TT t t TT 1 + 2 1 2
vo (t ) = VCC I o ' R e (t T1 ) '
' =
L L R // (Rs + rCEsat ) R // Rs
(rCEsat<<Rs)
La corriente ir circulando por L a medida que se va cargando (y no por R) hasta llegar al nuevo valor de saturacin lo. (Io<Io)
DIODO DE PROTECCIN Normalmente: DIODO DE AMORTIGUAMIENTO por el cual se deriva la corriente Io en el momento de cortarse el transistor: Evita que vCE supere vCEmax tolerable por T en casos de pico de tensin grande.
Si el diodo se invierte, desaparecera pico Io R por debajo de Vcc.
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CURSO 1010-11
DEDE-II
5. 5. FUENTE FUENTECOMN COMNCON CONCARGA CARGACAPACITIVA CAPACITIVA
INVERSOR INVERSOR CON CONJFET JFET
en general, circuito discreto
Estudio de la Respuesta utilizando el CIRCUITO EQUIVALENTE DEL DISPOSITIVO, incluyendo las Capacidades pertinentes: JFET canal n con tensin de estrangulamiento Vp (<0) CL>>CGD, CGS RD>>RG, rON t =0- t =0 V1<Vp, T CORTE (OFF)
T. OFF
OFF a ON
ON a OFF
Circuito equivalente a considerar: CL cargado a VDD y CGS a V1

+ t t=0 =0+
ve conmuta de V1 a 0
Inicialmente, T. sigue en OFF (CGS est cargada a V1) vGS 0 con:
1 = RG CGS +
CGD C L CGD + C L

CGD vGS CGD + C L
Segn vGS 0, si se considera que 2=RD(CL+CGD)>>1, esta evolucin aparece en vo a travs del divisor de tensin capacitivo CGD-CL se produce en vo un pico positivo :
v0
vGS=0-(-|V1|)=|V1|
36
CURSO 1010-11
DEDE-II
La evolucin de vGS hacia 0 la llevar a llegar al valor Vp y posteriormente a vGS=0: El FET conducir: 9 primero en SATURACIN (intervalo t2) 9 despus en ZONA OHMICA (intervalo t3) t t=t 1 =t
T. en zona de corriente cte. (SATURACIN), pues vDS es alta ya que CL estaba cargado a VDD Circuito equiv. a considerar:
T. SATURACIN
OFF a ON
ON a OFF
RD
CL+CGD
0V
VDD-RDIDSS
Inmediatamente hay corriente de drenador (IDSS, pues ya vGS=0) suministrada por VDD y por CL vo va decayendo hacia VDD-RDIDSS con 2=RD(CL+CGD) (suponiendo 2>>1) Hay por tanto un nuevo TIEMPO DE CADA t2 corto (mismas razones que descarga condensador en EC), hasta que: vo = vDS = -Vp en que T. entra en ZONA HMICA (vDS=-Vp+vGS=-VP)
37
CURSO 1010-11
DEDE-II
t t=(t 1+t 2)) =(t +t

1 2
T. ZONA HMICA (vDS=-Vp+vGS=-VP)
T. ZONA OHMICA
rON//RD 0V
VDD rON rON + RD
CL+CGD
OFF a ON vo(t) tender al valor final: con:
ON a OFF
vo( ON ) = VDD
rON rON + RD
3 (rON // RD ) (CGD + C L ) rON (CGD + C L )
Normalmente 3<<2 DESCARGA DE CL RPIDA
Un sobreimpulso a la salida Conmutacin OFF ON incluye 3 ctes. de tiempo: Una cada rpida (casi lineal) de descarga del condensador CL bajo saturacin Una ltima descarga an ms rpida hasta el valor vo(ON)
38
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS II + t t=T 1 + =T 1
CURSO 1010-11
DEDE-II
ON a OFF
Proceso inverso
ve : salto negativo de 0 a V1 (<0), tendente a llevar a T. nuevamente al CORTE CIRCUITOS DE DE CIRCUITOS CONMUTACIN CONMUTACIN BSICOS BSICOS 1. Inicialmente, vGS evoluciona con modelo ZONA OHMICA. En cuanto vGS llega al valor Vp, T. CORTE. Para simplificar se supone q. evolucin de vGS desde 0 a V1 se efecta en su totalidad, con 1 (deducida antes para T. CORTE). 2. Notemos que en paso de zona OHMICA al CORTE, la evolucin negativa de vGS llega a vo otra vez a travs del divisor capacitivo CLCGD, producindose el mismo pico Vo por debajo de vo(ON) al cabo de t4 Por otra parte, CL se ir cargando a travs de RD ms lentamente, con 2, tendiendo vo a VDD durante t5 notablemente mayor que t2 (misma situacin q. EC) OFF a ON ON a OFF
3.
38
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS II + t t=T 1 + =T 1
CURSO 1010-11
DEDE-II
ON a OFF
Proceso inverso
ve : salto negativo de 0 a V1 (<0), tendente a llevar a T. nuevamente al CORTE CIRCUITOS DE DE CIRCUITOS CONMUTACIN CONMUTACIN BSICOS BSICOS 1. Inicialmente, vGS evoluciona con modelo ZONA OHMICA. En cuanto vGS llega al valor Vp, T. CORTE. Para simplificar se supone q. evolucin de vGS desde 0 a V1 se efecta en su totalidad, con 1 (deducida antes para T. CORTE). 2. Notemos que en paso de zona OHMICA al CORTE, la evolucin negativa de vGS llega a vo otra vez a travs del divisor capacitivo CLCGD, producindose el mismo pico Vo por debajo de vo(ON) al cabo de t4 Por otra parte, CL se ir cargando a travs de RD ms lentamente, con 2, tendiendo vo a VDD durante t5 notablemente mayor que t2 (misma situacin q. EC) OFF a ON ON a OFF
3.
Este anlisis aproximado del inversor con JFET es un ejemplo ilustrativo de circuito con varias capacidades, que sera complejo de resolver con exactitud: Para cada transicin, se han efectuado los clculos utilizando solamente la cte. de tiempo dominante. Estudio slo ser vlido cuando: RD >> RG y RD > rON, (permite separar las ctes. tiempo de E de las de S)
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CURSO 1010-11
DEDE-II
5. 5. CONTROL CONTROLDE DECARGA CARGACAPACITIVA CAPACITIVACON CONTRANSISTORES TRANSISTORESMOS MOSCOMPLEMENTARIOS COMPLEMENTARIOS
INVERSOR INVERSORCON CONMOSFET MOSFET DE ACUMULACIN DE ACUMULACIN

Vamos a considerar slo MOSFETS ACUMULACIN: (sin VG : no canal) DE
Caso de inters normal en CI digitales. Tensin de alimentacin: misma polaridad que la de puerta para crear canal (Ej: nMOS, VDS>0 Y VT>0) .
Los circuitos MOSFET requieren RESISTENCIAS DE CARGA ELEVADAS.
Solucin que ocupa menos rea para su integracin: Utilizacin de transistores MOS convenientemente diseados y polarizados para realizar dichas resistencias.
40
CURSO 1010-11
DEDE-II
TRANSISTOR MOS COMO CARGA Resistencias no lineales mediante transistores MOS enriquecidos CIRCUITOS DE DE CIRCUITOS CONMUTACIN CONMUTACIN BSICOS BSICOS Permiten realizar resistencias difundidas de valor elevado en CI en un pequeo espacio de integracin.
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DEDE-II
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS II CURSO 1010-11
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CURSO 1010-11
DEDE-II
INVERSOR MOS CON CARGA CAPACITIVA No vamos a determinar los picos planteados para el caso del JFET, sino que: CIRCUITOS DE DE CIRCUITOS CONMUTACIN CONMUTACIN BSICOS BSICOS Estudio analtico del Comportamiento del circuito para Cargar y Descargar la Capacidad de Carga CL.
Respuesta transitoria:
Estudio aproximado, utilizando el MODELO ESTTICO del MOSFET sin sus CAPACIDADES INTERNAS.
Aproximacin que permite resultados rpidos e ilustrativos
NOTA: MOSFET en conmutacin:

Formas de onda parecidas al JFET, pero no estrictamente exponenciales en la carga y descarga de CL ya que este se lleva a cabo a travs de una RESISTENCIA NO LINEAL (TL: IDL=f(VDSL2))
OFF a ON
ON a OFF
t t=0 =0-
TA OFF
vo VDD VT
vC L 0 VDD VT
( )
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CURSO 1010-11
DEDE-II
+ t t=0 =0+
TA CONDUCE
TA SATURACIN VDSA alta El punto de trabajo pasa instantneamente de A a C
1. Inicialmente CIRCUITOS DE DE CIRCUITOS CONMUTACIN CONMUTACIN BSICOS BSICOS
vC L 0 VDD VT
( )
CL se descargar fundamentalmente por medio del generador de corriente IA TA y TL estn en saturacin.
E.D. 2. El punto de trabajo se va desplazando por la caracterstica VGS = V1 hasta llegar a C' (FRONTERA ZONA OHMICA), en t1, tal que: 3. La ltima parte de la descarga de CL en ZONA OHMICA a travs de rON de TA: E.D. La descarga contina durante t2 hasta que Vo(t1+t2) = VON y el punto de trabajo llega a B.
OFF a ON
ON a OFF
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CURSO 1010-11
DEDE-II
+ t t=T 1 + =T 1
TA OFF
TA OFF
Cuando en T1 se produce el salto en ve desde V1 a 0, TA pasa instantneamente a CORTE (Pto. funcionamiento B D) CIRCUITOS DE DE CIRCUITOS CONMUTACIN CONMUTACIN BSICOS BSICOS
CARGA DE CL A TRAVS DE UNA RESISTENCIA NO LINEAL !!
E.D.
OFF a ON
ON a OFF
Valor inicial: Valor final:
vo inicial = VON
vo final = VDD VT
t3

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Dispositivos Electrnicos II

Temas Temas 1,2 1,2

Profesores: Miguel ngel Domnguez Gmez Camilo Quintns Graa

DEPARTAMENTO DE TECNOLOGA ELECTRNICA

ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACIN

Dispositivos Dispositivoselectrnicos electrnicosen enconmutacin conmutacin

2. Conmutacin del transistor bipolar.

3. Conmutacin de transistores unipolares.

Temas 1,2: Conmutacin

Circuitos Circuitosde deconmutacin conmutacinbsicos bsicos

Tema Tema1: 1:Dispositivos Dispositivoselectrnicos electrnicosen enconmutacin conmutacin

SEALES CON DOS ESTADOS: (BINARIAS)

dos niveles, que permiten DIGITALIZAR la informacin.

Temas 1,2: Conmutacin

3,0V Estos valores de tensin se producen slo durante las transiciones

ESTUDIO ANALTICO DE LOS CIRCUITOS DE CONMUTACIN DIFICIL !!

DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS ELECTNICOS EN EN ELECTNICOS CONMUTACIN CONMUTACIN

Se utilizan fundamentalmente TRANSISTORES debido a:

Temas 1,2: Conmutacin

2 cuestiones bsicas a resolver:

DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS ELECTNICOS EN EN ELECTNICOS CONMUTACIN CONMUTACIN

Tcnica frecuentemente utilizada:

Temas 1,2: Conmutacin

ESTUDIO RIGUROSO DE ESTOS PROBLEMAS: COMPLEJO Y DIFCIL Tema 2

Slo efectuaremos una descripcin cualitativa

CIRCUITOS DE CONMUTACIN BSICOS

DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS ELECTNICOS EN EN ELECTNICOS CONMUTACIN CONMUTACIN

BIBLIOGRAFA BIBLIOGRAFAESPECFICA ESPECFICA

Temas 1,2: Conmutacin

1. 1.CONMUTACIN CONMUTACINDEL DELDIODO DIODODE DEUNIN UNIN

lo : corriente inversa de saturacin kT/q = VT = 26 mV a 300 K n: factor con valores entre 1 y 2

Temas 1,2: Conmutacin

1. 1.CONMUTACIN CONMUTACINDEL DELDIODO DIODODE DEUNIN UNIN

lo : corriente inversa de saturacin kT/q = VT = 26 mV a 300 K n: factor con valores entre 1 y 2

Temas 1,2: Conmutacin

Unin p-n como conmutador:

1. 1.CONMUTACIN CONMUTACINDEL DELDIODO DIODODE DEUNIN UNIN

lo : corriente inversa de saturacin kT/q = VT = 26 mV a 300 K n: factor con valores entre 1 y 2

Temas 1,2: Conmutacin

Unin p-n como conmutador:

1. 1.CONMUTACIN CONMUTACINDEL DELDIODO DIODODE DEUNIN UNIN

lo : corriente inversa de saturacin kT/q = VT = 26 mV a 300 K n: factor con valores entre 1 y 2

Temas 1,2: Conmutacin

Unin p-n como conmutador:

Slo vlida cuando v(t) e i(t) cambian lentamente (regimen cuasi-esttico)

Temas 1,2: Conmutacin

CONMUTACIN DE CORTE A CONDUCCIN DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS ELECTNICOS EN EN ELECTNICOS CONMUTACIN CONMUTACIN

Conmutacin de corte a conduccin:

Temas 1,2: Conmutacin

CONMUTACIN DE CONDUCCIN A CORTE DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS ELECTNICOS EN EN ELECTNICOS CONMUTACIN CONMUTACIN

Conmutacin de conduccin a corte:

Temas 1,2: Conmutacin

DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS ELECTNICOS EN EN ELECTNICOS CONMUTACIN CONMUTACIN

Temas 1,2: Conmutacin

Perfiles de distribucin de minoritarios:

Distribucin de minoritarios durante la conmutacin de Conduccin a Corte:

DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS ELECTNICOS EN EN ELECTNICOS CONMUTACIN CONMUTACIN

Temas 1,2: Conmutacin

EJEMPLO: DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS ELECTNICOS EN EN ELECTNICOS CONMUTACIN CONMUTACIN

Temas 1,2: Conmutacin

Inversin de polaridad de la cada de tensin en la resistencia hmica del diodo

DISPOSITIVOS DISPOSITIVOS ELECTNICOS EN EN ELECTNICOS CONMUTACIN CONMUTACIN

Mecanismo obvio para controlar ts : a travs de p