SOARES ET AL.

(2012)

BENEFICIAMENTO E CARACTERIZAO DE QUARTZO PARA OBTENO DE SILCIO GRAU METALRGICO

L. G. L. Soares ; E. B. da Silva ; F. M. S. Garrido ; F. A. N. G. da Silva ; R. S. Amado , J. A. Sampaio Universidade Federal do Rio de Janeiro / Instituto de Qumica UFRJ 2 Centro de Tecnologia Mineral - CETEM livia_leida@yahoo.com.br jsampaio@cetem.gov.br
Artigo submetido em outubro/2012 e aceito em outubro/2012
1,2 1 1 1 1 2

RESUMO
Este trabalho descreve as etapas de caracterizao e purificao de quartzo para obteno de um silcio grau metalrgico (SiGM) com baixo nvel de impurezas. A amostra de quartzo, aps as etapas de britagem, calcinao seguida de quenching e moagem autgena apresentou um teor de SiO2 de 99,5%, isto , um aumento de aproximadamente 2% em relao a amostra original. A anlise granulomtrica indicou que a frao abaixo de 37 m, correspondente a apenas 2,06% da amostra total, apresenta alto teor de impurezas, podendo ser removida, facilitando assim os ensaios de purificao. O estudo demonstrou que a amostra de quartzo beneficiada apresenta um potencial uso produo de SiGM.

PALAVRAS-CHAVE: Silcio grau metalrgico, Quartzo, Beneficiamento.

ORE DRESSING AND CHARACTERIZATION OF QUARTZ IN ORDER TO OBTAIN THE METALLURGICAL GRADE SILICON ABSTRACT
This work describes the characterization and purification stages for quartz in order to obtein the metallurgical grade silicon (SiGM) with low impurities content. The sample of quartz, after cruched, calcination followed by quenching and autogen griding, showed the SiO2 content of 99,5%, an increase of approximately 2% on the original sample. The particle size analysis indicated that the fraction under 37 m, matching only 2,06% of the total sample, presents high impurities content, can be removed, thus facilitating the purification stages. The study showed that the quartzs sample ore dressed has a potential use for the production of SiGM.

KEY-WORDS: Metallurgical grade silicon, Quartz, Ore dressing.

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BENEFICIAMENTO E CARACTERIZAO DE QUARTZO PARA OBTENO DE SILCIO GRAU METALRGICO INTRODUO A indstria tem investido em fontes alternativas de energia, como a fotovoltaica, elica, geotrmica, hidroeltrica, etc., de forma a reduzir a dependncia de fontes no renovveis de energia, provenientes, principalmente, de combustveis fsseis que geram gases que impactam o meio ambiente1. O interesse pela produo de energia associada ao desenvolvimento sustentvel torna-se mais intenso a cada ano. Neste sentido, o uso da energia solar, como fonte alternativa, avana de forma progressiva, estimulado pelas caractersticas favorveis de ser uma energia limpa e abundante. O sol fornece ao nosso planeta uma grande quantidade de energia (3 1024 J ano-1) e esta luz solar pode, em princpio, sustentar todas as necessidades de energia tanto atuais quanto futuras2. A energia solar pode ser aproveitada atravs do uso das clulas fotovoltaicas, tambm chamadas de clulas solares, que permitem que a luz do sol (radiao eletromagntica) seja captada e transformada em energia eltrica (efeito fotovoltaico). A energia obtida desta forma apresenta vantagens como no ser poluente, ser renovvel, ter manuteno simples e no necessitar de longas linhas de transmisso. O Silcio um semicondutor com elevada abundncia na crosta terrestre e o material mais utilizado para a fabricao de clulas fotovoltaicas (~90%)3, nas quais se utiliza um Silcio com elevado grau de pureza, conhecido como Silcio Grau Solar (SiGS). A principal matriaprima bsica para obteno do silcio SiGS o quartzo, que por meio de uma reao carbotrmica se transforma no Silcio Grau Metalrgico (SiGM). O silcio SiGM produzido comercialmente a partir da reduo do SiO2 (quartzo) em fornos do tipo arco submerso, para produo em larga escala4. Neste caso, esse produto deve possuir um teor de Silcio entre 98,0 e 99,5%5. Porm, este teor de Silcio ainda inapropriado produo de clulas fotovoltaicas em decorrncia do elevado ndice de impurezas, com destaque para os teores dos elementos dopantes, ou seja, os elementos Boro e Fsforo. Estes elementos dopantes so importantes para se formar uma juno pn, que se trata de uma lmina de Slicio, inicialmente puro, que dopada em uma de suas metades com tomos de boro, e na outra, dopada com tomos de fsforo. Os tomos de silcio possuem quatro eltrons em sua ltima camada de valncia que se ligam aos seus tomos vizinhos formando uma rede cristalina. Ao adicionar tomos de fsforo, que possuem cinco eltrons, o sistema ficar com um eltron em excesso que no poder ser emparelhado. Isto faz com que este eltron fique fracamente ligado ao seu tomo de origem, tendendo a ocupar a banda de conduo. Ao adicionar tomos de boro, que possui apenas trs eltrons, haver falta de um eltron para satisfazer as ligaes com os tomos de silcio da rede. Esta falta de eltron denominada buraco ou lacuna, sendo que esta fica localizada na banda de valncia, que apresenta menor energia. Nessa condio, um eltron de um stio vizinho poder passar para esta lacuna, fazendo com que o buraco se desloque.
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Assim, o Fsforo um dopante doador de eltrons e denomina-se dopante n, enquanto que, o Boro um dopante receptor de eltrons e denominado dopante p. Com a formao da juno pn, e esta sendo exposta a ftons com energia maior que o gap de conduo, haver a gerao de pares eltron-lacuna provocando um deslocamento de cargas, fazendo surgir assim uma diferena de potencial6. A existncia dessas impurezas, no silcio SiGM, torna indispensveis as etapas de purificao para remov-las, j que esses elementos dopantes so adicionados ao silcio purificado (SiGS), de forma controlada, durante as etapas finais de preparao do semicondutor. Isto , so adicionados s lminas de silcio em concentraes definidas. Desta forma, o objetivo geral de nosso trabalho foi o de beneficiar e caracterizar uma amostra de quartzo para obteno de um xido de silcio (SiO2) de elevado grau de pureza, com a finalidade de produzir, em uma etapa posterior, um silcio SiGM de alta pureza. Neste trabalho ser dado destaque para os resultados relacionados s impurezas associadas aos elementos boro e fsforo.

MATERIAIS E MTODOS Inicialmente foi realizada a coleta da amostra no municpio de Tanhau, BA, onde h uma jazida de quartzo com elevado grau de pureza. Na etapa de preparao da amostra, efetuou-se o quarteamento da mesma em pilha de homogeneizao, da qual foram coletadas alquotas de 5,0 kg. Em seguida, foi feita a cominuio da amostra utilizando um britador de mandbula, operando em circuito fechado, com uma peneira de abertura de 6,35 mm. O produto do britador foi homogeneizado em pilha de homogeneizao da qual foram coletadas alquotas de 200 g para o desenvolvimento dos trabalhos. Desse modo, foi realizada a anlise granulomtrica a mido em um peneirador vibratrio (684,5 rpm) equipado com um conjunto de peneira de abertura desde 2,36 mm a 37 m, segundo a srie Tyler. Todas as fraes da anlise granulomtrica foram secas em estufa (100C), pesadas e enviadas caracterizao por meio da difrao de raios X (DRX). Uma alquota retirada da pilha de homogeneizao foi moda em moinho autgeno, por 2 h. O moinho autgeno consiste em utilizar como meio moedor o prprio material, com o objetivo de evitar a contaminao da amostra (Figura 1). O produto da moagem foi enviado caracterizao por DRX e por emisso tica por plasma indutivamente acoplado (ICP-OES). Por fim, uma outra alquota obtida do ensaio de britagem foi submetida calcinao a 900C por 60, 90 e 120 minutos, seguidos de quenching (resfriamento brusco do material), com o objetivo de facilitar a moagem e remover possveis impurezas. Os materiais obtidos foram encaminhados para anlise por ICP-OES, para ser avaliado em qual tempo de calcinao pode-se obter um quartzo com menor quantidade de impurezas.

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(a)

(b)

Figura 1 Moinho autgeno (a) e a amostra aps o processo de moagem (b). Em resumo, os procedimentos so descritos pelo fluxograma apresentado na Figura 2.

Figura 2 Fluxograma de trabalho

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RESULTADOS E DISCUSSES De acordo com os ensaios de anlise granulomtrica a mido, Figura 3, observa-se que, aps a britagem, aproximadamente, 45% da amostra encontra-se abaixo de 2 mm e 5% abaixo de 74 m. Esta granulometria foi considerada tima para os ensaios de moagem de quartzo.
50,00 45,00 40,00 35,00
Passante (%)

30,00 25,00 20,00 15,00 10,00 5,00 0,00 10000

1000

Frao (m)

100

10

Figura 3 - Representao grfica dos resultados da anlise granulomtrica do quartzo aps o ensaio de britagem. O difratograma de raios X da frao obtida acima de 37 m, Figura 4, apresenta picos caractersticos dos minerais microclinio (KAlSi3O8), muscovita ((K, Na)(Al, Mg, Fe)2(Si3.1Al0.9)O10(OH)2) e calcita (CaCO3). J a frao fina, menor que 37 m, alm desses minerais, contm o mineral albita ((Na,Ca)Al(Si,Al)3O8) e observa-se um aumento da intensidade dos picos relativos muscovita, melhor observado por meio do pico em 10,34 (2). Nesses minerais esto as principais impurezas desta fonte de quartzo, que se destina a produo de silcio SiGM. Devido ao efeito negativo na produo de energia eltrica fotovoltaica, provocado por essas impurezas, estas devem ser removidas. De acordo com a Figura 3, observa-se que a frao menor que 37 m corresponde apenas a 2,06% da massa total. Assim, por apresentar maior quantidade de impurezas, esta frao foi removida antes dos ensaios de purificao.

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Microclinio Muscovita Calcita

Intensidade (u. a)

Microclinio Muscovita Calcita Albita

10

20

30

40

50

60

70

80

Figura 4 - Difratogramas de raios X das amostras de quartzo, maior e menor que 37 m, provenientes do ensaio de anlise granulomtrica a mido. Para deteco de elementos com teores da ordem de algumas ppm (partes por milho) torna-se necessria a anlise por ICP-OES. De acordo com os resultados para a amostra de quartzo modo, Tabela 1, pode-se observar que o teor de SiO2 de 97,1%, portanto, abaixo do valor timo para a produo de um silcio SiGM de qualidade5. Os teores dos elementos Boro e Fsforo, esto acima dos valores mnimos exigidos (0,2 a 10 ppm)7, j que no caso deste material os valores encontrados foram 1,4 e 55 ppm, respectivamente. Alm dessas impurezas, esta amostra tambm apresenta outros elementos que devem ser removidos. Como em um semicondutor o movimento dos eltrons, no seu interior, se altera quando h impurezas, em sua estrutura, o quartzo utilizado na obteno do silcio SiGM deve conter o mnimo possvel de impurezas. Contudo, neste trabalho, buscou-se uma purificao em especial dos elementos dopantes, Boro e Fsforo, presentes no quartzo, uma vez que, so estes os elementos que alteram mais significativamente as caractersticas do material.

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Tabela 1: Resultado da anlise de ICP-OES para o quartzo aps moagem. Composio Qumica SiO2 Al B Ba Ca Co Cr Cu Fe K Concentrao 97,1% 3.300 ppm < 1,4 ppm 90 ppm 1.300 ppm < 0,6 ppm 10,4 ppm 3,5 ppm 1.000 ppm 605 ppm Composio Qumica Li Mg Mn Na P Sn Sr V Zr Concentrao 9,4 ppm 119 ppm 47,2 ppm 3.900 ppm 55,0 ppm < 0,6 ppm 6,5 ppm < 0,6 ppm 44,9 ppm

Aps a etapa de calcinao, seguida de quenching, as amostras recolhidas foram analisadas por ICP-OES e os resultados obtidos, apresentados na Tabela 2, mostram um significativo aumento nos teores de pureza do SiO2 e uma diminuio dos teores de Boro e de Fsforo, em relao a amostra de quartzo sem tratamento. Como pode ser observado, os teores obtidos se encontram dentro dos valores definidos na literatura como ideais para a obteno de um silcio SiGM5,7. Tabela 2: Comparao dos nveis de SiO2, Boro e Fsforo do quartzo modo e aps 60, 90 e 120 minutos de calcinao seguidos de quenching. Limites Aceitveis para SiGM5,7 98-99,5 0,2 ppm 10 ppm Quartzo Britado 97,1% 1,4 ppm 55 ppm Calcinao - quenching moagem Tempo (min) 60 99,5% < 0,4 ppm < 3,0 ppm 90 99,4% < 0,4 ppm < 3,0 ppm 120 99,5% < 0,4 ppm < 3,0 ppm

Composio SiO2 B P

De acordo com os resultados apresentados na Tabela 2, a partir do tempo de 60 minutos de calcinao se obteve um bom resultado de purificao das amostras de quartzo, e o aumento do tempo de calcinao no provoca mudana significativa nos teores dos elementos analisados. CONCLUSO
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A existncia de impurezas torna as etapas de purificao indispensveis para se atingir o grau de pureza necessrio para um quartzo que ser utilizado na produo de um SiGM. A etapa de calcinao seguida por quenching resultou em um material com 99,5% de pureza de SiO2 e um baixo valor nos teores de Boro e de Fsforo, elementos que so utilizados como dopantes no silcio solar. Desta maneira, no poderiam estar presentes na matria-prima que ser utilizada para a fabricao do SiGM. Portanto, pode-se concluir que as etapas de beneficiamento realizadas proporcionam uma melhora significativa na qualidade deste quartzo, que visa o seu uso na obteno de um silcio SiGM. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

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