Universidade Federal da Bahia - DEE Dispositivos Semicondutores ENG C41 Lista de Exerccios no.1 1) O diodo do circuito da Fig.

. 1(a) se comporta segundo a caracterstica linearizada por partes da Fig 1(b).

R R

ID (mA)

2R

2R 2R 20 V

inclinao: 1/20 S

VD0 = 0,6 V

VD (V)

(a) Fig.1

(b)

a) Determine a equao da reta de carga, sabendo que o diodo atravessado por uma corrente de 2 mA no circuito acima. b) Determine os parmetros IS e VT da caracterstica exponencial, sabendo que a aproximao linear por partes se ajusta exatamente no ponto de operao e que neste ponto a resistncia dinmica rd do modelo de pequenos sinais se iguala a rD (resistncia do modelo linearizado). Considere VD >> VT. 2) No retificador de meia onda da Fig.2, utiliza-se o diodo da questo no 1. Aplique o modelo linear por partes para determinar o valor de pico do sinal de sada.
15 : 1 rede 150 sen(120 t) V 100

Fig.2 3) Os diodos do circuito da Fig.3(a) so tecnologicamente idnticos, porm D1 tem rea 5 vezes menor que D2. A caracterstica exponencial de D1 descrita pela equao: ID1 = 2,5 x 10-8 (e20VD1 1) (A). Ajustar as caractersticas de D1 e D2 para modelos lineares por partes do tipo ilustrado na Fig.3(b), de tal forma que: (i) O erro de aproximao da caracterstica de D1 seja nulo nos pontos em que a corrente ID1 5 x 105 e 2 x105 vezes a corrente de saturao reversa. (ii) A caracterstica de D2 seja exata, para a corrente e para sua inclinao, no ponto em que a resistncia dinmica de D2 0,25 . Calcular os pontos de operao de cada diodo no circuito, utilizando os modelos linearizados.

5 5V

D1

10 10 D2 10 mA

ID

inclinao: 1/rD

VD0

VD

(a) Fig.3

(b)

4) Sabendo que, no circuito da Fig.4(a): (i) o diodo D2 tecnologicamente idntico a D1 porm com a rea da seo transversal 100 vezes maior; (ii) a caracterstica exponencial de D1 dada pela expresso: ID = 1x10-8 (e20VD 1) (A); (iii) o erro da aproximao linear por partes da caracterstica de D1, ilustrada na Fig.4(b) nulo no ponto em que a reta de carga a intercepta; determine: a) O ponto de polarizao de D1. b) A componente AC da tenso entre os terminais de D1, se a freqncia de vs = 10 x 10-3sen(t + 30o) V baixa. 100 2500 8,847 x 10-4 A D1 vs
0,55

ID1 (A)
reta de carga inclinao: 0,1323 A/V

D2

VD1 (V) (b)

(a) Fig.4

5) No circuito da Fig.5: (i) se V1 = 1 volt e V2 = 3volts, mede-se uma queda de tenso de 5 V sobre R2; (ii) Se V1 = 3 volts e V2 = 1 volt, mede-se uma queda de 0,3 volt sobre R2.

R1 = 1 K V1

R2 = 1 K R3 = 1 K V2

Fig.5

a) Determine os parmetros do modelo exponencial da caracterstica do diodo. b) Determine os parmetros do modelo linear por partes ilustrado na Fig.3(b), de tal forma que, se V1 = 3 volts e V2 = 1volt, no ponto de operao calculado a partir do modelo linearizado a corrente exceda em 10 % a corrente do ponto de operao calculado a partir da caracterstica exponencial, e as inclinaes sejam iguais nestes pontos. 6) No retificador de meia onda da Fig.6 sabe-se que vOUT > 0 para 3,026 x 10-4 s < t < 8,0307 x 10-3 s e vOUT = 0 nos demais instantes do mesmo perodo de vi. Sabe-se tambm que vOUTmx = 0,87566 vimx. Nesta anlise utilizou-se um modelo linearizado por partes que coincide com o modelo exponencial para os valores que a corrente do diodo assume em do perodo de vi e em 4,6566 vezes o tempo de limiar de conduo. Determine os parmetros IS e da caracterstica exponencial do diodo. O transformador ideal. Assuma VT = 25 mV e considere que nos pontos de operao referidos a tenso sobre o diodo muito maior que VT. 27,2 : 1 110 V (rms) 60 Hz + vi + vOUT R = 100 N1:N2 + 110 V (rms) vi 60 Hz Fig.7

+ vOUT R = 5 K -

Fig.6

7) No retificador de meia-onda da Fig.7, o diodo apresenta a seguintes parmetros de modelagem da caracterstica exponencial: IS = 112,5 pA, VT = 50 mV,. a) Dimensione a razo de espiras N1:N2 do transformador ideal para que a tenso de pico na sada (vOUTmx) seja igual a 5 V. b) Calcule os parmetros da caracterstica linearizada por partes que tangencia a caracterstica exponencial no pico de vOUT. c) Considerando a linearizao do item (b) determine os perodos de conduo e no conduo, T1 e T2. 8) No circuito da Fig.8(a) o diodo pode ser representado pela caracterstica linearizada por partes da Fig.8(b): 240 ID

600 K 3V

100
74,223 o 0,60

VD (V) (b)

(a) Fig.8

a) Determine a equao da reta de carga que polariza o diodo. b) Determine os parmetros IS e VT da caracterstica exponencial sabendo que o modelo linear por partes fornece valores exatos para o ponto de operao e que ao se inverter o diodo, a queda de tenso no resistor de 600 K 2499,9999 vezes a queda de tenso no resistor de 240 . 9) No circuito da Fig.9 os diodos so idnticos e apresentam uma corrente de saturao reversa igual a 1pA. Sabendo que a componente DC da tenso atravs do resistor R3, vR3, igual a 1,28 V, determine o nvel DC e a amplitude da componente AC da corrente ix. Assuma que na polarizao reversa a resistncia incremental infinita. R1 = 150 K, R2 = 20 K, R3 = 20 K, VDD = 2,5 V e iin = 0,1cos(2.10t) A. + vR3 R3 D1 iin R1 iX R2 D2 VDD

Fig.9 10) Considere o circuito da Fig.10(a), onde a caracterstica volt-ampre do diodo D2 pode ser linearizada por partes conforme o grfico da Fig.10(b): a) Determine a equao da reta de carga relativa a D1. b) Determine o parmetro IS da caracterstica exponencial (considere VD >> VT na polarizao direta) do diodo D1 sabendo que: = 1 e VT = 25 mV; a caracterstica exponencial de D2 tangencia a linearizada no ponto de operao; acrescentando-se uma fonte de sinal de pequena amplitude e baixas freqncias em srie com a fonte DC, o sinal aparece atenuado de 180 vezes entre os terminais do diodo D1. ID2 10 20 5V D1 D2
0,6 V T = 25 oC

20

inclinao: 0,5 A/V

VD2 (b)

(a) Fig.10

11) O diodo D2 da questo no 10 utilizado num retificador de meia onda. Utilizando o modelo linear por partes, determine o valor de pico da tenso de sada a 55 oC se o sinal de entrada vi = 10sen(2.60t) V (no secundrio do transformador), a resistncia de carga de 15 e o coeficiente de variao da tenso com a temperatura para o diodo em questo

2,5 mV/oC. Admita que o efeito da temperatura sobre a resistncia do modelo desprezvel. 12) Jason montou a ponte retificadora da Fig.12, com diodos exatamente iguais e observou que: a mxima corrente atravs da carga de 500 mA, o pico da tenso de sada vo 80 % do pico da tenso de entrada vi e o perodo de no conduo 25 vezes menor que o perodo do sinal de entrada vi. a) Determine os parmetros rD e VD0 do modelo linearizado ilustrado na Fig.3.(b) que se ajustam s medidas de Jason. b) Calcule o valor da corrente que os diodos conduzem quando polarizados reversamente, sabendo que o modelo exponencial i D = I S e v D (VT ) 1 coincide com o linearizado

do item (a) no pico de vi. Adote = 2 e VT = 25 mV. c) Dokinha aproveitou-se de um momento de distrao do colega e sabotou seu circuito, desconectando D1. Esboce a forma de onda que Jason, estupefato, observou na tela do osciloscpio.

+ vi -

D3 D4

D1 D2 vi = Vm.sen(t)

- vo + R = 16
Fig.12 13) Analisando-se circuito da Fig.13, ao se adotar o modelo exponencial i D = I S e v D (VT ) 1 I S e v D (VT ) , com parmetros adequados, determina-se o ponto de polarizao Q1 = (ID1, VD1). Ao se adotar o modelo linearizado por partes da Fig.3(b), obtm-se o ponto de polarizao Q2 = (ID2, VD2) onde ID2 80 % de ID1. Os modelos coincidem num ponto onde a corrente igual a 2,5 ID1. Determine: a) O ponto de polarizao Q1 = (ID1, VD1). b) Os parmetros IS e do modelo exponencial, sabendo que VT = 25 mV.

R1 = 36 , R2 = 164 , R3 = 5,48 , V1 = 1 V, rD = 2,5 , VD0 = 0,7 V.

R1

V1

R2

R3

Fig.13

14) No circuito da Fig.14, a caracterstica do diodo pode ser modelada pela expresso i D = I S e v D (VT ) 1 , com IS = 1,13 nA e VT = 50 mV. Determine: a) A expresso da reta de carga em funo de R. b) O valor de R para que a corrente atravs do diodo seja de 500 A. c) Os parmetros VD0 e rD do modelo linear por partes ilustrado na Fig.3.(b), de tal modo que o trecho de reta na polarizao direta tangencie a caracterstica exponencial no ponto de operao especificado no item (b).

- vD + iD
R 2R 3V 5V 4R/3

Fig.14 15) Determine os parmetros IS e (VT = 25 mV) da caracterstica exponencial i D = I S e v D (VT ) 1 do diodo da Fig.15 e seu ponto de polarizao no circuito ilustrado, sabendo que a componente AC de vA tem amplitude igual a 0,96 mV, e a componente DC de vA vale 1,0754 volts. R1 = 2,6 , R2 = 6 , R3 = 3,5 e vI = (1801,4 + 2cost) mV. Assuma que ID >> IS no ponto de polarizao.

R1 = R2/ + vI _ R1 R2 + vA _ R3 + vD _ V1 R2 = 200 + vD _

Fig.15

Fig.16

16) Com relao ao circuito da Fig.16: a) Determine os valores de e da corrente de saturao reversa do diodo sabendo que para V1 = 5 V, mede-se vD = 0,72 V e para V1 = -5 V, mede-se vD = -1,012236 V. Assuma que VT = 50 mV na caracterstica exponencial do diodo. b) Encontre os parmetros da caracterstica linearizada por partes ilustrada na Fig.3(b) que tangencia a caracterstica exponencial no ponto de operao correspondente a V1 = 5 V.

c) Utilizando o modelo da caracterstica linearizada por partes do item (b), esboce a forma de onda da tenso sobre o resistor R1, se a fonte DC for substituda por uma fonte senoidal de 60 Hz e 10 V pico-a-pico. Indique os valores numricos da tenso de pico e dos intervalos de conduo e no conduo. 17) Num retificador de onda completa com 2 diodos e transformador com derivao central, a forma de onda a esboada na Fig.17(a), com VA = 4,095 V e VB = 4,265 V, t1 = 0,3726 ms e T2 = 0,7184 ms. A freqncia da senide de entrada 60 Hz. Determine VD02, rD2 e RL, sabendo que o diodo 1 modelado pela caracterstica linearizada da Fig. 17(b).
vOUT ID

VB VA

inclinao: 0,2 S

t1

T2

0,7

VD (V)

(a) Fig.17

(b)

18) Considere o circuito da Fig.18, onde VS = 2 V e R1 = R2 = R3 = 100 . a) b) Determine o valor de IB para que no ponto de operao a tenso em R2 seja de 1 V. A caracterstica exponencial do diodo I D = 5,574x10 9 e v D 0.05 1 (A). Determine a equao da reta de carga nas condies do item (a).

R2 VS R1 R3 IB
2

Fig.18 19) Num retificador de onda completa com 2 diodos idnticos e transformador com derivao central, a forma de onda sobre um diodo ilustrada na Fig. 19(a), com VDmx = 2,08 V e VDmin = -13,92 V, TA = 7,935 ms e TB = 8,732 ms. Sabendo que RL = 10 : a) Determine os parmetros VD0 e rD do modelo linear por partes da Fig. 19(b). b) Esboce a forma de onda da tenso na sada (vOUT), especificando valores numricos de amplitude mxima e mnima e dos perodos de interesse.

vD1 VDmx TA TB t

ID

inclinao: rD-1 VDmin

(a) Fig.19

(b)

VD0

VD (V)

20) O diodo circuito da Fig.20, pode ser representado pelo modelo linear por partes da Fig. 19(b), com VD0 = 0,7 volts e rD = 0,5 . a) Encontre a expresso literal da reta de carga relativa ao diodo. b) Determine o mnimo valor de R1 para que o diodo enre em conduo. Adote VS = 2 V, R2 = R3 = 100 e IB = 10 mA. c) Sabendo que para R1 = 2300 o modelo linear por partes exato, determine a corrente de saturao reversa do diodo. Adote nT = 50 mV. Expresso exponencial da corrente na juno PN: I D = I S e v D t 1 .

IB R2

R1

50%

VS +

R3
4

Fig.20 21) Num retificador de onda completa com 2 diodos e transformador com derivao central, a forma de onda do sinal de sada a esboada na Fig. 21(a), com VA = 9 V e T1 = 7,9617 ms. O sinal de entrada vi = 10.sen(2.60t) (V) e a resistncia de carga de 500 . Determine os parmetros VD0 e rD da caracterstica linearizada por partes da Fig. 21(b), que modela os diodos, supostos idnticos.
vOUT VA inclinao: 1/rD t T1 ID

(a) Fig.21

VD0

(b)

VD (V)

22) Considere o circuito da Fig.22, onde o diodo apresenta a caracterstica volt-ampre I D = 3,1x10 9 e v D 0.05 1 (A). Determine: a) O valor de R, sabendo que a reta de carga intercepta a caracterstica exponencial no ponto em que vD = 0,68 V. b) O erro percentual na corrente se for utilizada uma caracterstica linearizada por partes, como a da Fig. 21(b), com inclinao igual da caracterstica exponencial no ponto de operao e que intercepta o eixo das tenss em 0,65 V.

iD
1 2

+ 1,3235x10 vD
-3

vD

R
3

R +

30 V
4

Fig.22 23) Num retificador de onda completa com 4 diodos idnticos em ponte, a forma de onda da tenso vD sobre um dos diodos a esboada na Fig.23(a), com vDmx = 0,8 V, vDmin = - 11,2 V e T1 = 8,04583 ms. A freqncia da rede 60 Hz e a resistncia de carga de 416 . Admita que os diodos so modelados pela caracterstica linearizada por partes da Fig.23(b). Esboce a forma de onda da tenso de sada do retificador, indicando o seu valor mximo e os perodos de conduo (T1) e no conduo (T2).
vD vDmx T1 t inclinao: 1/rD ID

vDmin

VD0

VD (V)

(a) Fig.23

(b)

24) Considere o circuito da Fig.24, onde R2 = 200 e VS = 2 V. O diodo D1 possui rea da seo transversal 5 vezes maior que o diodo D2 e este apresenta a seguinte caracterstica volt-ampre: I D = 4x10 9 e v D 0.05 1 (A). Determine: a) O valor de R1 e dos pontos de polarizao de D1 e D2, sabendo que deiferena entre as ddps sobre os dois diodos 0,2 V. b) A reta de carga relativa a D1, se o diodo D2 for modelado por uma caracterstica linearizada por partes como a da Fig. 23(b), tangente exponencial no ponto de polarizao.

R2
1 2

R1
3

D2

D1

+ VS -

Fig.24 25) Explique como se estabelece o equilbrio (corrente nula) numa juno PN em circuito aberto. 26) Conceitue: (a) Recombinao; (b) Semicondutor tipo P; (c) Efeito avalanche; (d) Potencial da barreira numa juno PN em equilbrio; (e) Corrente de difuso. 27) Explique, justificando, como se comporta a corrente atravs de uma juno PN reversamente polarizada mediante: (a) uma variao da da tenso reversa (com valor absoluto inferior ao da tenso de ruptura); (b) uma variao de temperatura. 28) Em que aspectos a forma de onda de um sinal retificado em meia onda por um diodo semicondutor difere da esperada em um retificador ideal? 29) Por que, de um ponto de vista esttico, a regio de transio de ambos os lados de uma juno PN pobre em portadores livres? 30) Explique que condies devem ser levadas em considerao ao se dimensionar a capacitncia do filtro num retificador a diodo. 31) Alm de parmetros geomtricos e relacionados ao processo de fabricao de um diodo, existe um parmetro fsico do qual a corrente de saturao reversa depende fortemente. Aponte qual e explique por qu. 32) O que ocorre no interior de uma juno PN polarizada diretamente. 33) Descreva a capacitncia de transio de um diodo semicondutor comum e em que condies e de que maneira ela afeta a operao do dispositivo.

Respostas: 1) a) vD = 5 2180.iD; b) IS = 0,225 nA; VT = 40 mV 2) vOmx = 7,833 V 3) VD01 = 0,580 V; rD1 = 6,108 ; VD02 = 0,664 V; rD2 = 0,25 ; ID1 = 171 mA; VD1 = 1,625 V; ID2 = 181 mA; VD1 = 0,710 V 4) a) ID1 = 663,7 A; VD1 = 0,555 V; b) vd1 = 292,5 x sen(t + 30o) V 5) a) IS1 = 5 nA; VT = 50 mV; b) VD0 = 0,45 V; rD = 166,7 ; 6) IS = 1,551 nA; = 1,645 7) a) N1/N2 = 6,459; b) rD = 50 ; VD0 = 0,75 V; c) T1 = 7,645 ms; T2 = 9,021 ms 8) a) vD = 2,999 339,9 iD; b) IS = 1,999 nA; VT = 25,53 mV 9) iX = [61 42,3 x 10-3 x cos(210t)] A 10) a) vD = 3,625 26,875 iD; b) IS1 = 24,8 pA 11) vOmx = 8,36 V 12) a) VD0 = 0,627 V; rD = 0,747 ; b) IS = 1,03 nA 13) a) ID1 = 4 mA; VD1 = 0,68 V; b) IS = 3,879 nA; = 1,964 14) a) vD = 3 2R iD; b) R = 2350 ; c) VD0 = 0,6 V; rD = 100 15) IS = 50,03 nA; VT = 50 mV 16) a) IS = 1,02 nA; = 0,2538; b) VD0 = 0,67 V; rD = 27,32 ; c) vR1min = -3,988 V; vR1mx = 4,28 V; T1 = 4,495 ms; T2 = 12,171 ms