Informe Laboratorio II Medida de los Parmetros Hbridos H

Fabian Andres Romero Fabian_romero_ru@hotmail.com Sebastian Toro Sebastom_1@hotmail.com Corporacin Universitaria del Meta Villavicencio, Colombia

ABSTRACT: El modelo de BJT basado en parmetros h determinan la ganancia, la impedancia de entrada y salida de un amplificador a base de transistores. En este informe, describiremos paso a paso dicho calculo haciendo diferentes tomas de corrientes y voltajes, para hallar los parmetros hbridos de los transistores.

I.INTRODUCCIN Para la realizacin de un diseo de transistores, es necesario determinar los parmetros hbridos que se vana a usar para un punto de operacin especifico. Esta determinacin se puede realizar de diversas formas: practica, mediante manual de fabricante, con trazador de curvas de transistor o utilizando la simulacin. En este laboratorio se pretende determinar los parmetros utilizando un circuito real y mediante unas relaciones simples, se determinan los parmetros. Tener en cuenta que si se cambia el transistor o se altera el punto de funcionamiento, necesariamente se debe volver a determinar los parmetros. II. DESARROLLO DE CONTENIDOS A. Transistores 1) Definicin 2) Tipos 3) Configuraciones B. Modelo Hbrido 1) Parmetro H 2) Valores IEEE 3) Definicin

C. Practica Laboratorio 1) Construir un circuito con el que se pueda determinar los parmetros. Elegir un transistor 2N2222 0 2N3904, anotar las caractersticas dadas por el fabricante.

Con este circuito se puede determinar los 4 parmetros hbridos h, variando simultneamente las dos fuentes de voltaje en la siguiente forma: Variando VBB y o Vcc simultneamente, asegurar que se obtiene ICQ y VCEQ. Con los dos valores ya establecidos, se mide IBQ y VBEQ. 2) Determinar los parmetros h (hie, hre, hfe, hoe) 3) Anlisis

A. Transistores 1) Definicin En 1949, Walter Houser Brattain, John Bardeen y William Bradford Shockley, cientficos de la Bell Telephone Laboratories, iniciaron una revolucin en la electrnica con la invencin del transistor. En 1956 recibieron el premio Nobel de Fsica por su trabajo. El transistor es un dispositivo electrnico de estado slido de gran uso tanto en la electrnica analgica (amplificador) como en la digital (conmutador).[1]

B. Estados del Transistor 1) Parmetro H Otro modelo comnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de parmetro h. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unin bipolar y permite un fcil anlisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado para desarrollar modelos ms exactos. [4]

2) Tipos Hay dos tipos de transistores estndar, NPN y PNP, con diferentes smbolos de circuito. Las letras hacen referencia a las capas de material semiconductor usado para construir el transistor. La mayora de los transistores usados hoy son NPN porque este es el tipo ms fcil de construir usando silicio. [2] 2) Valores IEEE

Fig.3

Segn las normas de IEEE, se recomienda usar los siguientes subndices: i = 11 entrada r = 12 transferencia directa f = 21 transferencia directa o = 22 transferencia inversa En el caso particular de que se trate de un transistor, se aadir un segundo subndice (e, b, c) indicativo del tipo de configuracin segn sea emisor, base o colector comn respectivamente. As, por ejemplo hie = impedancia de entrada en emisor comn hfb = ganancia de corriente en base comn [5]

Fig.1 3) Configuraciones Todos los transistores BJT, NPN y PNP pueden polarizarse de manera que quede una terminal comn en su circuito de p o l a r i z a c i n ; e s d e c i r, u n e l e m e n t o q u e f o r m a p a r t e t a n t o d e l a z o d e entrada como del lazo de salida. Este puede ser cualquiera de las tres terminales del d i s p o s i t i v o ( E m i s o r, B a s e , C o l e c t o r ) . A s entonces, se tienen tres configuraciones [3]

Fig. 4

Fig.2

3) Definicin Fig.9 Impedancia de entrada con la salida en cortocircuito. Dimensiones de resistencia () Ganancia inversa de tensin con la entrada en circuito abierto. Adimensional Ganancia de corriente con la salida en cortocircuito. Adimensional Admitancia de salida con la entrada en circuito abierto. -1 Dimensiones de conductancia ( ) [6] C. Practica Laboratorio 1) Construir un circuito con el que se pueda determinar los parmetros. Elegir un transistor 2N2222 0 2N3904, anotar las caractersticas dadas por el fabricante. Transistor usado 2N3904-NPN VRC= 2.97 V Fig.10 VBE= 0.64 V

RB = 303.4

RC = 0.994

Fig.11 Fig. 5 2) Datos Medidos y Calculados Fig.6 Vcc= 20V Fig.7 VCE= 9V

Fig.12

Variacin 1 conservando VEC Constante en 9V VBE = 0.643 V VRC=2.38 V

Fig. 13

Fig.14

VRB= 3.28 V Fig.8

VRB = 2.64V IB1 calculado = 8.7A IC1 calculado = 2.39mA

Variacin 1 Conservando IBQ Constante VCE1= 5.32V VBE= 0.649V

Fig. 15 Variacin 2 Conservando VEC Constante en 9V VRB = 8.52V VRC= 9.07V Fig. 19 VRC= 2.906V Fig. 20

IC1 calculado = 2.92mA

Fig. 21

Fig. 16

Fig. 17 Variacin 2 Conservando IBQ Constante

VBE2= 0.636V IB1 calculado = 28A

VCE2= 13.51V

VBE= 0.635V

IC1 calculado = 9.12mA

Fig. 18

Fig. 22

Fig. 23

VRC2= 3.157V

III. CONCLUSIONES Los parmetros hbridos, son comnmente un modelo para analizar los circuitos BJT. Podemos calcular los parmetros hbridos, manipulando las corrientes y los voltajes. Este anlisis nos permite determinar la ganancia, resistencia en la entrada y salida de un amplificador con transistores BJT

IC1 calculado = 2.92mA

Fig. 23

Clculos de Parmetros

3) Anlisis A. Unidades de cada uno de los Parmetros

B.Dificultades

lV. REFERENCIAS [1] Wikipedia, Transistor, http://es.wikipedia.org/wiki/ Transistor [2] El Transistor, http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/ archivos/el%20transistor.pdf [3] Transistores de Union Bipolar, http://ocw.um.es/ ingenierias/tecnologia-y-sistemas-electronicos/materialde-clase-1/tema-3.-transistores-de-union-bipolar-bjt.pdf [ 4 ] Tr a n s i s t o r e s , h t t p : / / e s . w i k i p e d i a . o r g / w i k i / Transistor_de_unin_bipolar [5]Transistores, http://146.83.206.1/~jhuircan/ PDF_ELECTRONICA/ssignal01b.pdf [6] El Transistor Bipolar, http:// www.profesormolina.com.ar/tutoriales/trans_bipolar.htm