Analyse des fondements de la conduction lectronique dans les tats localiss, en fonction de

la frquence: II. Analyse des hypothses fondamentales des thories existantes Analysis of
the foundations of the frequency-dependent electronic conductivity in localized states: II.
This article has been downloaded from IOPscience. Please scroll down to see the full text article.
1997 J. Phys. D: Appl. Phys. 30 253
(http://iopscience.iop.org/0022-3727/30/2/012)
Download details:
IP Address: 132.204.185.190
The article was downloaded on 26/02/2012 at 16:13
Please note that terms and conditions apply.
View the table of contents for this issue, or go to the journal homepage for more
Home Search Collections Journals About Contact us My IOPscience
J. Phys. D: Appl. Phys. 30 (1997) 253265. Printed in the UK PII: S0022-3727(97)68880-4
Analyse des fondements de la
conduction electronique dans les
etats localis es, en fonction de la
fr equence: II. Analyse des
hypoth` eses fondamentales des
th eories existantes
Analysis of the foundations of the
frequency-dependent electronic
conductivity in localized states:
II. Analysis of the fundamental
hypotheses of the existing theories
Roger Ongaro, Mohammed Garoum et Alain Pillonnet
Laboratoire dElectronique et des Solides (LES), B atiment 721,
Universit e Claude Bernard Lyon 1, 43 Boulevard du 11 Novembre 1918,
69622 Villeurbanne Cedex, France
Laboratoire de Physique des Solides et des Couches Minces (LPSCM),
Facult e des Sciences Semlalia, Bote Postale S-15, Marrakech, Maroc
Re cu le 18 octobre 1995, pr esentation d enitive le 5 juli 1996
R esum e. Nous avons propos e, dans la partie I, une formulation plus compl ` ete de
la conductivit e () dans les etats localis es, ce qui a permis d etendre jusquau
r egime continu lintervalle dapplication de lapproximation des paires. Nous
analysons ici, dune mani ` ere plus approfondie: (i) les conditions de validit e de cette
approximation, et nous mettons en evidence les raisons pour lesquelles elle doit
etre ecart ee lorsquinterviennent des interactions coulombiennes; et (ii) les
restrictions qui doivent etre impos ees ` a lhypoth` ese de d econnexion entre etats
localis es et etendus, qui conditionne l ecriture des equations d echanges entre les
el ements dune paire et donc aussi lensemble des expressions th eoriques.
Abstract. In part I, we proposed a more complete formulation of the conductivity
() in localized states, which allows us to extend to the DC regime the interval of
application of the pair approximation. Here, we analyse more elaborately: (i) the
condition required for the validity of this approximation, and we expound the
reasons why this must be discarded when Coulomb interactions occur; and (ii) the
restrictions that must be imposed upon the assumption of de-connection between
localized and extended states, which condition the writing of the exchange
equations between the elements of a pair and then the whole of the theoretical
relations.
0022-3727/97/020253+13$19.50 c _ 1997 IOP Publishing Ltd 253
R Ongaro et al
1. Introduction
La partie I de cet article a et e consacr ee dune part ` a r esumer
bri` evement les mod` eles les plus usit es [1, 2] de conduction
dans les etats localis es des semiconducteurs amorphes, ainsi
que les hypoth` eses principales sur lesquelles ils sappuient;
dautre part ` a mettre en evidence certaines difcult es
pr esent ees par les m ethodes de calcul utilis ees.
Les hypoth` eses constitutives des mod` eles y etant
admises sans examen, nous avons constat e que lanalyse
de ces m ethodes conduit ` a proposer des modications
signicatives dans le comportement des mod` eles. Lune
de ces analyses (voir la partie I, section 4.1) a permis, ` a
travers le calcul exact de la fonction
I =
_ _
dE
1
dE
2
cosh
_
E1E2
2kT
_ _
cosh
_
E1E2
2kT
_
cosh
_
E1E2
2kT
__
(1)
de rectier le comportement th eorique pr evu de (), en
fonction de la temp erature et de la largeur de la bande B
d etats localis es dans la bande interdite. La distinction
usuelle entre bandes etroites et bandes larges en est ainsi
notablement affect ee. Nous avons, dautre part, constat e
que la m ethode dint egration, unanimement adopt ee pour
lint egrale
J =
_
F(R)
d
1
2

2
(2)
et qui consiste ` a egaler R, une fonction exponentielle
croissante de , ` a sa valeur calcul ee pour =
1, puis ` a extraire F(R

) avant sommation, laisse

echapper une propri et e importante des mod` eles fond es
sur lapproximation des paires. La limitation de validit e
de cette approximation, du c ot e des basses fr equences,
est lev ee par la recherche du maximum de la fonction
int egrande de (2). Ce maximum est obtenu, en effet, pour
des variations physiquement acceptables de la distance R
entre les el ements dune paire, lorsque varie depuis les
tr` es basses fr equences (< 10
4
Hz) jusquaux fr equences
les plus elev ees. Une expression simple de () sen
d eduit, valable sur le m eme intervalle, et lapproximation
des paires sen trouve donc singuli` erement renforc ee.
Nous allons donc, maintenant, examiner au plus pr` es
les hypoth` eses de base des mod` eles qui sont associ es
` a cette approximation, an de pouvoir estimer le degr e
de conance quon peut leur accorder. Lune de ces
hypoth` eses, maintenue sous des formes diverses depuis
son adoption par Pollak et Geballe [3], veut que les
transitions de porteurs entre deux etats localis es, et donc les
probabilit es doccupation de ces etats, soient ind ependantes
des populations des etats etendus. Les equations d echange
entre deux niveaux localis es sont alors exprim ees par Pollak
et Geballe sous la forme
df
1
dt
=
df
2
dt
= w
21
f
2
w
12
f
1
. (3)
Dans cette equation, f
1
et f
2
sont les probabilit es des
transitions dun etat d energie E
1
vers un etat d energie
E
2
, et r eciproquement, ce qui implique n ecessairement f
1

f
2
= 1. Lorsquune formulation plus complexe est adopt ee,
telle par exemple que celles de Miller et Abrahams [4]
ou de Butcher et al [5], un proc ed e de lin earisation
ad hoc ram` ene ces equations ` a une forme diff erentielle
lin eaire du premier ordre du type de l equation (3). Nous
examinons, dans ce qui suit, la validit e de lhypoth` ese de
d econnexion entre etats localis es et etendus, sur laquelle
sont fond ees les formulations math ematiques d ecoulant
des mod` eles. Nous analysons ensuite les conditions de
validit e de lapproximation des paires, dans les mod` eles
dans lesquels les transitions r esultent de leffet tunnel dune
part et dans les mod` eles dans lesquels interviennent des
interactions coulombiennes dautre part.
2. La recherche des possibilit es de validation de
l equation (3)
L equation (3) a et e ecrite par Pollak et Geballe en analogie
directe, semble-t-il, avec la formulation de Fr ohlich
(l equation (9.8) de [6]), avec des probabilit es de pr esence
dune particule, sur lun des deux sites, donn ees sous une
forme d eduite de la m ecanique statistique [6], sans que le
niveau de Fermi ne soit explicitement mentionn e. Celui-ci
apparat explicitement chez les auteurs ult erieurs (voir par
exemple Long [1]), comme origine des energies (compte
tenu de la d eg en erescence de spin). Mais ces auteurs
font r eguli` erement lhypoth` ese que la position de E
F
reste
invariablement x ee vers le milieu de la bande interdite,
avec des etats localis es rassembl es dans une bande B, ` a
peu pr` es centr ee sur E
F
. Prise dans son acception la plus
stricte, cette disposition conduit ` a lhypoth` ese que leffet
dune (faible) perturbation de l equilibre thermique, par le
champ electrique, ait pour seule cons equence de modier
les populations respectives de ces etats. On peut dire, en
ce sens, que les etats localis es sont totalement d econnect es
des bandes de valence (BV) et de conduction (BC).
Le fait que le niveau de Fermi reste x e au milieu de la
bande interdite semble un fait exp erimentalement av er e, que
nous ne discutons pas ici, dans un bon nombre damorphes
dont les chalcog enures. Cependant, nous avons montr e [7],
par une analyse compl` ete des propri et es des diagrammes
dArrh enius, que cela ne permet pas dattester que les
etats localis es soient concentr es autour de E
F
. Des etats
ou des bandes d etats donneurs et accepteurs, encadrant
convenablement E
F
sans le contenir, peuvent produire le
m eme effet, pour un taux de compensation quelconque. Le
recours ` a la loi de Mott en T
1/4
lorsquelle est applicable
` a la conductivit e continue, pour justier la concentration
des etats localis es autour de E
F
, nest pas non plus un
argument d ecisif, dans la mesure o` u nous avons montr e
aussi [8] que cette loi peut etre egalement obtenue avec
une excitation thermique depuis une queue de bande vers
les etats etendus. Une distinction aussi abrupte que celle qui
est g en eralement adopt ee, entre etats pleins et etats vides,
peut alors difcilement etre maintenue en l etat.
Que faut-il alors penser de la d econnexion entre etats
li es et libres, dans le cas dune disposition quelconque
des etats localis es? La r eponse ` a cette question passe par
l ecriture et la r esolution, dans des cas caract eristiques au
moins, des equations g en erales r egissant les echanges entre
tous les niveaux.
254
Hypoth` eses fondamentales de la conduction electronique II
Figure 1. Un diagramme d energie pour un mat eriau
contenant des etats localis es discrets.
Figure 1. An energy diagram for a material containing
discrete localized states.
2.1.

Equations des echanges et possibilit es
dapproximations
2.1.1. L ecriture des equations. On consid` ere pour
simplier (gure 1) deux niveaux localis es (donneurs),
d energies E
1
et E
2
et de densit es N
1
et N
2
, et un niveau
(accepteur) d energie E
a
et de densit e N
a
. Les equations
g en erales qui gouvernent la r eponse ` a une excitation
sont alors, en tenant compte de lensemble des echanges
entre les etats (les param` etres introduits correspondent aux
d enitions usuelles [9]; voir lannexe)
dn
dt
= n[
n1
(N
1
n
1
)
n2
(N
2
n
2
)]
n1
n
1

n2
n
2

na
n
a
n
na
(N
a
n
a
) (4a)
dp
dt
= p[
p1
n
1

p2
n
2
]
p1
(N
1
n
1
)

p2
(N
2
n
2
)
pa
(N
a
n
a
) p
pa
n
a
(4b)

dn
1
dt
= w
12
n
1
w
21
n
2

n1
n
1
n
n1
(N
1
n
1
)
p
p1
n
1

p1
(N
1
n
1
) (4c)

dn
2
dt
= w
12
n
1
w
21
n
2

n2
n
2
n
n2
(N
2
n
2
)
p
p2
n
2

p2
(N
2
n
2
) (4d)
dn
a
dt
= n
na
(N
a
n
a
)
na
n
a
p
pa
n
a

pa
(N
a
n
a
)
(4e)
N
1
N
2
(n
1
n
2
) = n p n
a
. (4f)
Lorsquun nombre diff erent de niveaux donneurs et
accepteurs est introduit dans le mod` ele, le syst` eme
d equations (4) est modi e en cons equence, ` a la fois dans
le nombre d equations quil contient et dans le nombre
de termes de chacune delles. Le mod` ele a donc et e
choisi pour donner un exemple de complexit e moyenne.
Cela permet de montrer, dans un cas qui reste n eanmoins
relativement simple, que des traitements approch es, tels que
la lin earisation (section 2.1.3), conduisent ` a une imbrication
quasi-inextricable des param` etres, qui rend tr` es difcile
lanalyse exp erimentale.
Comme le montre la gure 1, les echanges directs
donneursaccepteurs sont n eglig es. Leur prise en
compte introduirait deux termes suppl ementaires dans les
trois equations (4c)(4e), sans changer fondamentalement
lexpos e ci-dessous. n
1
, n
2
et n
a
sont les densit es
d electrons pr esents dans les niveaux correspondants.
Ces equations constituent un syst` eme non lin eaire dont
la solution g en erale doit etre recherch ee num eriquement.
On note toutefois que lutilisation de (4f ) et de sa
d eriv ee permet de r eduire ce syst` eme ` a trois equations
diff erentielles non lin eaires du premier ordre.
2.1.2. Lhypoth` ese de d econnexion stricte. La
d econnexion stricte entre etats localis es et etats etendus
implique quune perturbation modie les populations des
seuls etats localis es:
dn
1
dt
,= 0
dn
2
dt
,= 0
dn
a
dt
,= 0
mais
dn
dt
=
dp
dt
0.
Les equations (4a) et (4b) deviennent alors deux equations
alg ebriques entre n et p constants et n
1
, n
2
et n
a
. De plus,
la d eriv ee de (4f ) se r eduit ` a

d(n
1
n
2
)
dt
=
dn
a
dt
.
Une troisi` eme equation alg ebrique est alors obtenue, entre
les trois grandeurs variables, en egalant la somme de (4c)
et (4d) ` a (4e). On constitue ainsi un ensemble de trois
equations alg ebriques entre n
1
, n
2
et n
a
. Les solutions etant
n ecessairement ind ependantes de t , cela entrane
dn
1
dt
=
dn
2
dt
=
dn
a
dt
= 0. (5)
Ainsi donc, lutilisation des equations d echanges g en erales
et de lhypoth` ese de la neutralit e electrique conduit,
in evitablement, ` a la conclusion quil nexiste pas de
d econnexion stricte possible entre etats localis es et etats
etendus. Ce r esultat est important, dans la mesure dans
laquelle cette d econnexion est largement utilis ee dans
l elaboration de mod` eles nombreux (voir par exemple
Lewandowski et McKeever [10]). D` es lors quil faut
utiliser les equations compl` etes, il ne semble donc pas
possible dobtenir une r eponse exponentielle simple ` a
une excitation echelon. En cons equence, les transitions
en r egime harmonique ne peuvent pas engendrer une
r eponse microscopique de type Debye uniquement. Les
approches usuelles apparaissent donc ainsi comme des
approximations, dont il serait souhaitable de pr eciser le
champ dapplication, sil existe.
2.1.3. Lhypoth` ese de perturbation faible des etats.
Abandonnant alors lhypoth` ese de d econnexion stricte, on
peut se demander quelle peut etre l evolution des etats
localis es, lorsque la perturbation est assez faible pour quon
puisse ecrire
n = n
0
n n
1
= n
10
n
1
n
a
= n
a0
n
a
p = p
0
p n
2
= n
20
n
2
(6)
255
R Ongaro et al
avec k
i
_k
i0
, les k
i0
repr esentant les valeurs ` a l equilibre
thermodynamique. Les equations (4) peuvent alors etre
lin earis ees sous la forme suivante
d(n)
dt
= a
11
n a
13
n
1
a
14
n
2
a
15
n
a
(7a)
d(p)
dt
= a
22
p a
23
n
1
a
24
n
2
a
25
n
a
(7b)

d(n
1
)
dt
= a
31
n a
32
p a
33
n
1
a
34
n
2
(7c)

d(n
2
)
dt
= a
41
n a
42
p a
43
n
1
a
44
n
2
(7d)
d(n
a
)
dt
= a
51
n a
52
p a
55
n
a
(7e)
les param` etres a
ij
etant donn es par le tableau A1 (voir
lannexe).
La recherche des solutions de ce syst` eme conduit, pour
n
1
par exemple, ` a r esoudre une equation diff erentielle de
la forme
d
3
(n
1
)
dt
3
A
2
d
2
(n
1
)
dt
2
A
1
d(n
1
)
dt
A
0
n
1
= 0 (8a)
dans laquelle les coefcients A
0
, A
1
et A
2
sont des
combinaisons complexes des param` etres a
ij
du tableau A1.
Ces coefcients d ependent donc de T , des energies des
niveaux, et du niveau de Fermi. La solution g en erale de
(8a), dans sa forme la plus simple dans laquelle les racines
de l equation r esolvante

3
A
2

2
A
1
A
0
= 0 (8b)
sont toutes r eelles (et < 0 si le probl` eme pos e a un
sens physique), est la somme de trois termes exponentiels
d ecroissants.
On peut cependant r eduire la solution ` a un seul
terme exponentiel en introduisant les conditions restrictives
suppl ementaires n et p _ n
1
et n
2
. L equation de
neutralit e electrique donne alors
(n
1
n
2
) = n
a

d(n
1
n
2
)
dt
=
d(n
a
)
dt
.
(9)
Cette equation nimpliquant pas dhypoth` ese pr ecise
concernant la position des accepteurs dans la bande
interdite; elle ne conduit pas n ecessairement ` a une situation
dans laquelle n
1
et n
2
sont oppos es, car n
a
peut ne
pas etre n egligeable. Les equations (9) impliquent aussi
que n p ,= 0. Cela permet d eliminer n
a
et p des
equations (7), ce qui donne trois equations entre n
1
, n
2
et n. L elimination de n
2
et de n donne alors
d(n
1
)
dt
= A
1
n
1
(10a)
soit
n
1
=
10
e
A1t
(10b)
avec
A
1
=
1
= w
12
w
21
a
2
a
7
a
4
a
6
a
2
a
8
a
5
a
6
a
1
a
3
a
4
a
8
a
5
a
7
a
2
a
8
a
5
a
6
(10c)
les param` etres a
i
etant donn es par le tableau A2. Les
variations de n
2
et n
a
sen d eduisent ensuite par
n
2
=
a
2
a
7
a
4
a
6
a
2
a
8
a
5
a
6
n
1
n
a
=
(a
2
a
6
)(a
7
a
8
)
a
2
a
8
a
5
a
6
n
1
(11)
avec a
2
a
6
> 0 et a
7
a
8
= a
4
a
5
> 0.
L ecriture de ces equations montre que la constante de
temps et les amplitudes de la r eponse des niveaux localis es,
` a une perturbation echelon, d ependent de lensemble des
param` etres du syst` eme: les positions et densit es des etats
localis es, les sections de capture, la largeur de la bande
interdite et donc aussi la position du niveau de Fermi.
L equation (10c) montre aussi que
1
pourrait etre de
lordre de w
12
w
21
si on avait ` a la fois
a
2
a
7
a
4
a
6
a
2
a
8
a
5
a
6

= 1 a
1
a
3
a
4
a
8
a
5
a
7
a
2
a
8
a
5
a
6
_w
12
w
21
.
Or, on v erie facilement que a
2
a
7
a
4
a
6
> a
2
a
8
a
5
a
6
. Il
semble donc peu vraisemblable de pouvoir assimiler
1
` a
sa valeur usuelle.
La condition n
a
= 0 ne peut pas etre obtenue ` a partir
des equations (10) et (11), car elle entranerait soit que a
7
=
a
8
, ce qui implique que les etats E
1
et E
2
soient identiques,
contrairement ` a lhypoth` ese de d epart; soit que a
2
= a
6
,
ce qui impliquerait que 2[n
1
(N
1
n
10
)n
2
(N
2
n
20
)] =
n
a
(N
a
n
a0
), une condition qui peut seulement etre
approch ee avec N
a
# n
a0
, N
1
# n
10
et N
2
# n
20
. En fait, il
faut reprendre les equations du syst` eme, avec n
a
= 0.
Alors n
1
= n
2
. Or, nous avons v eri e que, si le
syst` eme nest pas compens e, les solutions obtenues pour
les populations des etats 1 et 2 sont telles que, pour lun
deux, la densit e n
i
des sites occup es devient sup erieure ` a
sa valeur maximum N
i
.
Il apparat nalement que linad equation de lhypoth` ese
de d econnexion entre etats localis es et etendus peut
conduire ` a une r eponse microscopique de type Debye,
mais avec une constante de temps diff erente de (w
12

w
21
)
1
. Comme d epend de lensemble des param` etres,
il est difcile de dire dans quelles conditions il peut
sexprimer sous les formes simples usuelles (voir la partie I,
section 2.2), proportionnelles ` a exp(2R) ou simplement
activ ees. Rappelons aussi que les solutions (10) et (11)
sont des solutions approch ees, valables seulement pour les
faibles perturbations et avec une forte pr epond erance de la
perturbation des etats localis es.
2.1.4. La perturbation quelconque et accepteurs
profonds. Il peut etre int eressant de chercher ` a r esoudre
plus g en eralement le syst` eme (4), dans le cas dans
lequel les accepteurs sont profonds, cest-` a-dire assez
nettement au-dessous du niveau de Fermi, de sorte que
leur probabilit e doccupation, ` a toute temp erature, soit
sensiblement constante, et egale ` a N
a
.
256
Hypoth` eses fondamentales de la conduction electronique II
2.1.4.1. Cons equences de lhypoth` ese des accepteurs
profonds. On peut alors supposer que la neutralit e
electrique sexprime par les equations
N
1
N
2
(n
1
n
2
) # n p N
a
(12a)

d(n
1
n
2
)
dt
#
d(n p)
dt
(12b)
L equation (4e), avec dn/ dt ,= 0, peut etre r esolue par
rapport ` a n
a
:
n
a
#
N
a
1
na
nna
#
N
a
1
ppa
pa
.
Pour que ceci soit v eri e quels que soient n et p, il faut
que

na
n
na
#
p
pa

pa
_1. (13)
Plusieurs cons equences r esultent de cette ecriture.
(i) n
na
/
na
, ce qui implique que E
F
> E
a
.
(ii) np #
na

pa
/(
na

pa
), soit
np # N
c
N
v
exp
_

E
c
E
v
kT
_
= n
2
i
. (14)
On peut noter, incidemment, que cette equation, dont
lapplication aux semiconducteurs extrins` eques est con-
sid er ee comme universelle ` a partir dune approche boltz-
mannienne, peut etre en d efaut lorsque les accepteurs
cessent d etre profonds, comme elle lest g en eralement
lorsque les densit es de porteurs sont exprim ees par une
int egrale de FermiDirac [11].
(iii) N
a
n
a
_n et
exp
_
E
c
E
F
kT
_

N
c
N
a
ce qui implique que le niveau de Fermi soit assez eloign e
de la bande de conduction.
(iv) N
a
n
a
_p et
exp
_
E
a
E
v
kT
_

N
v
N
a
de sorte que les accepteurs doivent etre assez eloign es de
la bande de valence.
(v) On peut aussi chercher les conditions dans lesquelles
les termes associ es au niveau accepteur peuvent etre
n eglig es dans les equations (4a) et (4b). Il est n ecessaire
pour cela que
_

na

pa

na

pa
_
2
=

n1

n2

p1

p2

n1

n2

p1

p2
.
En exprimant alors les
l,m
et
l,m
en fonction des sections
de capture et des profondeurs des niveaux localis es, on
constate que cette equation est v eri ee si
exp
_
E
a
kT
_
= K
a
S
pa
S
na
exp
_
E
1
kT
_
= K
1
S
p1
S
n1
exp
_
E
2
kT
_
= K
2
S
p2
S
n2
S
l,m
etant les sections de capture du niveau m pour les
trous et les electrons respectivement. K
a
, K
1
et K
2
sont
des param` etres ind etermin es, par lesquels les rapports des
sections de capture peuvent etre activ es ou non.
2.1.4.2. La r esolution des equations (4). Les
equations (4) ayant et e r e ecrites en posant x
1
= N
1

n
1
et x
2
= N
2
n
2
, on elimine dabord x
2
dans les
equations (4a)(4c), au moyen de (4f ). Lutilisation de
np = n
2
i
elimine ensuite p. En egalant (4a) multipli ee par
n
2
i
` a (4b) multipli ee par n
2
, on obtient une relation entre x
1
et n:
x
1
=

p2
n
4
b
31
n
3
b
21
n
2
b
11
n b
01
n
2
i
n(b
22
n
2
b
12
n b
02
)
(15)
les coefcients b
ij
etant donn es par le tableau A3. En
portant cette equation dans (4a), on obtient alors une
equation diff erentielle en n:
dn
dt
=
b
4
n
4
b
3
n
3
b
2
n
2
b
1
n b
0
b
22
n
2
b
12
n b
02
(16)
les param` etres b
i
etant donn es par le tableau A4. La
solution de (16) doit etre cherch ee num eriquement, si bien
que sa forme ne peut etre pr evue a priori. Les cas les plus
simples, envisageables lorsque n est tr` es faible, peuvent etre
obtenus explicitement en n egligeant dans (16) les termes de
rangs les plus elev es en n. Il est alors visible que des formes
vari ees peuvent etre obtenues pour n(t ), selon le nombre
de termes retenus. On peut par exemple consid erer le cas
dans lequel
dn
dt
=
b
1
n b
0
b
12
n b
02
qui a pour solution, lorsque b
1
b
02
> b
0
b
12
,
(b
1
n b
0
) exp
_
b
1
b
12
n
b
1
b
02
b
0
b
12
_
=K exp
_

b
2
1
t
b
1
b
02
b
0
b
12
_
avec
n = n
0
exp
_

b
1
b
12
t
_
lorsque b
1
b
02
= b
0
b
12
. Cette derni` ere solution ne peut etre
obtenue que pour une conguration particuli` ere et pour une
seule temp erature. x
1
est d etermin e ensuite par (15) sans
que lon sache, a priori, le nombre de termes ` a retenir au
num erateur. Puis x
2
est d eduit de l equation
x
2
= n
n
2
i
n
N
a
x
1
.
En conclusion, on voit quil y a lieu d etre attentif
au fait quune equation d echange, ecrite sur le type
de l equation (3), ne puisse etre valable que dans des
conditions tr` es particuli` eres, et sachant qualors le temps
de relaxation est diff erent de (w
12
w
21
)
1
. Sous cette
r eserve, le mod` ele est globalement inchang e, et reste fond e
sur les equations (3) et (19) de la partie I. Lorsque les
echanges se produisent signicativement entre tous les
etats, il conviendrait sans doute d ecrire la polarisation (t )
due aux echanges entre deux niveaux sous une forme qui
fasse intervenir une somme de transitions, prises sur toutes
les orientations possibles, telle que
w
12
R
2
12
n
1
(t ) w
21
R
2
21
n
2
(t )
dans laquelle n
1
et n
2
sont solutions de deux equations
du type de l equation (8a), dans le cas dune faible
257
R Ongaro et al
perturbation, et pour deux seuls niveaux d energies E
1
et E
2
. Nous navons pas, jusquici, entrepris dexaminer
si ce type de probl` eme est abordable dans le cas dans
lequel les etats localis es sont r epartis dans une bande.
La plus grande complexit e, li ee au fait que les seconds
membres des equations (4) comportent des int egrales sur
les energies, semble toutefois pouvoir etre r eduite. Nous
avons en effet montr e, dans une etude (non encore publi ee)
sur la r eponse stationnaire ` a une excitation lumineuse, que
celle-ci pouvait etre valablement approch ee en substituant
` a la bande B un nombre limit e de niveaux discrets. On
peut donc sattendre, dans le cas g en eral du probl` eme
actuel, ` a ce que la fonction de Debye de l equation (4)
de la partie I puisse etre valablement remplac ee par une
somme limit ee de telles fonctions, la suite du calcul etant
inchang ee. Les d eveloppements ci-dessus sint egreraient
alors naturellement dans la recherche des solutions.
3. Lexamen de lapproximation des paires
Lapproximation des paires est, avec lhypoth` ese de
d econnexion entre etats localis es et etats libres, parmi les
hypoth` eses les plus importantes des mod` eles. Il nous
parat n ecessaire de revenir sur cette notion, en particulier
dans la mesure dans laquelle nous avons montr e, dans la
partie I (section 4.2), que les mod` eles fond es sur cette
approximation peuvent etre valid es pratiquement jusquen
r egime continu. Nous consid erons donc ici les diff erents
contextes dans lesquels elle est utilis ee.
3.1. Lapproximation excluant toute interaction
coulombienne
Le type de couplage existant entre les el ements dune
paire de sites se r eduit alors au recouvrement partiel des
fonctions donde. Il est typiquement adapt e ` a la description
des transferts mono- electroniques par leffet tunnel (voir la
partie I, section 2.2.1). La notion de base se r eduit alors
simplement ` a lhypoth` ese dind ependance des ev enements
susceptibles daffecter les el ements dune paire, vis-` a-vis
de ceux qui peuvent se produire dans les paires voisines.
Autrement dit, le transfert dun porteur entre les el ements
dune paire est ind ependant des transferts qui se produisent
dans les autres paires.
Cette hypoth` ese simplie consid erablement le calcul de
() (voir la partie I, section 2), car celui-ci consiste alors
` a consid erer un etat quelconque, d energie E
1
, ` a faire la
somme de toutes les transitions possibles entre cet etat
et les etats d energie E
2
, appartenant ` a la bande B des
etats localis es; puis ` a int egrer sur lensemble des etats
E
1
(voir la partie I, l equations (19)). Conceptuellement
parlant, un site donn e peut donc echanger un porteur avec
lun quelconque des autres sites. Cependant, la variation
exponentielle du temps de relaxation en fonction de la
distance entre les sites, g en eralement adopt ee, entrane
que les transitions vers les proches voisins sont les plus
probables. N eanmoins, lorsquune transition survient entre
deux sites eloign es, il est difcile dadmettre quelle ne soit
pas perturb ee par les transitions qui se produisent dans les
paires de petites dimensions, voisines de ces deux sites.
Dautre part, dans les d eveloppements th eoriques existants,
lapproche du r egime continu implique des distances R de
transfert qui tendent, improprement, vers linni. Lune
des possibilit es de ramener R ` a distance nie consiste
` a admettre que les sites ont une distribution statistique
inhomog` ene, caract eris ee par le regroupement des sites dans
des amas de rayon moyen R
0
, s epar es par des distances tr` es
sup erieures. En haute fr equence, les transitions ` a lint erieur
des amas seraient pr epond erantes; aux basses fr equences,
une possibilit e d echanges entre les amas caract eriserait
la r eponse, jusqu` a ce que le seuil de percolation soit
atteint [1]. La m ethode de calcul de () que nous avons
pr esent ee dans la partie I permet de se dispenser dune
telle hypoth` ese, puisquelle a mis en evidence une variation
r eduite des distances de transfert, pour un intervalle de
fr equences allant de

= 0 jusquaux fr equences optiques.

Ainsi les restrictions usuelles ne sont plus con-
ceptuellemet n ecessaires et lapproche du r egime continu
peut sexpliquer simplement. En effet, puisque le calcul
de () implique quun site puisse echanger un electron
avec un site voisin quelconque, il ny a pas dobjection
majeure au processus suivant: un site c` ede un electron ` a
lun de ses voisins, dans le sens pr ef erentiel impos e par
le champ; puis ce voisin lui-m eme c` ede cet electron ` a
lun de ses voisins et le processus se r ep` ete de sorte que
l electron puisse traverser le mat eriau. Il faut pour cela
que le temps de relaxation des transitions aux plus longues
distances soit inf erieur ` a la demi-p eriode du champ tr` es
basse fr equence appliqu e. Or ceci est possible ` a cause de
la limitation des distances de transition. Ainsi par exem-
ple, avec les valeurs num eriques cit ees dans la partie I,
=
0
exp(2R) = 1586 s. La fr equence dexcitation
correspondante etant alors de lordre de = 10
4
s, le
rapport T/(2) = 1/(2)

= 3. Il semble que ce soit
essentiellement la m ethode de calcul par laquelle R

est
extrait de lint egrale (voir la partie I, section 3.1) qui
ait eu pour cons equence quune transition sur une dis-
tance innie paraisse n ecessaire pour une fr equence in-
niment petite. Il semble aussi que cette mani` ere de
voir, induise parfois une restriction suppl ementaire, plus ou
moins explicite, de la notion de paires ind ependantes: un
electron appartenant ` a une paire ne pourrait etre echang e
quentre les deux membres apparemment bien individu-
alis es de cette paire. Mais alors, le calcul de () ne
peut etre donn e par l equation (2), qui est alors inadapt ee.
En outre cette restriction ne peut etre accept ee du point
de vue de la fonction de partition exprim ee par Long [1,
p 560]. Soulignons enn que notre extension de lintervalle
dapplication de lapproximation des paires nimplique pas
quil faille ecarter la th eorie des percolations, pour in-
terpr eter la conduction continue dans les etats localis es.
Elle la rend seulement moins indispensable, avec en outre
lavantage doffrir un traitement uni e des conductivit es
harmonique et continue.
3.2. Lapproximation en pr esence dinteractions
coulombiennes
Lhypoth` ese dind ependance des transitions entre les
el ements des paires est maintenue dans tous les mod` eles
258
Hypoth` eses fondamentales de la conduction electronique II
Figure 2. La somme de potentiels coulombiens avec leffet
de masque des puits neutres (pleins), sous un champ
electrique de 3 10
6
V m
1
: (), tous les sites sont
ionis es; ( ), site 1 masqu e; (- - - -), site 2 masqu e; et
( ), site 4 masqu e.
Figure 2. The sum of Coulomb potentials with masking of
(full) neutral wells: (), all sites are ionized; ( ), site 1
masked; (- - - -), site 2 masked; and ( ), site 4 masked.
pr esent es dans la partie I, y compris ceux dans
lesquels interviennent des interactions coulombiennes. En
effet, la m ethode de calcul rappel ee ci-dessus reste
fondamentalement la m eme.
Les interactions coulombiennes mises en uvre dans
les mod` eles appartiennent ` a lun des types suivants.
(i) Saut dun electron par dessus la barri` ere de potentiel
interpos ee entre les deux sites dune paire. La barri` ere
de potentiel, propos ee par Pike [12] pour des sites mono-
electroniques an de mod eliser des mesures de () sur
des lms doxyde de scandium, reprise et etendue par
Elliott [13] au cas du saut de paires d electrons, pour
interpr eter ses mesures sur des lms de chalcog enures, a
une forme et une expression rappel ees dans la partie I
(gure 2 et equations (13)).
(ii) Prise en compte de l energie dinteraction de deux
electrons sur deux sites voisins [14, 15]. Comme cela a
et e indiqu e dans la partie I, cette interaction a pour effet
daugmenter la probabilit e de transfert, par saut activ e
ou par leffet tunnel, essentiellement du c ot e des basses
temp eratures. Ceci sapplique egalement au cas du saut
activ e de bipolarons.
(iii) Leffet tunnel de polarons [1, 16]. Enn, la
d eformation de la structure associ ee ` a la pr esence dun
electron sur un site, estim ee ` a partir dune interaction
coulombienne, joue un grand r ole dans les amorphes.
Le cas de la barri` ere de Pike peut etre avantageusement
consid er e, pour illustrer simplement les difcult es que nous
semble pr esenter lapproximation des paires, lorsquon fait
intervenir des interactions coulombiennes. La premi` ere
difcult e est associ ee ` a la m ethode de calcul de (). En
effet, lapplication de cette m ethode au cas des barri` eres de
potentiel, qui est faite par analogie, au moyen du simple
Tableau 1. La variation en fonction de N de labaissement
relatif du potentiel, d u ` a linteraction coulombienne.
Table 1. The variation with N of the relative potential
lowering due to Coulomb interactions.
N 1 2 4 8 16 32
N 1 3 7,3 20,7 53 138,9
changement dexpression de la probabilit e de transfert,
met en lumi` ere un tr` es important probl` eme sous-jacent.
La barri` ere de Pike introduite dans le calcul est tr` es
explicitement la barri` ere de potentiel existant entre un
site E
1
donn e et lun quelconque des sites E
2
. La
sommation portant sur toutes les transitions entre E
1
et
E
2
, le proc ed e implique donc une interaction coulombienne
entre lensemble des sites. On retrouve ainsi un probl` eme
de convergence dune somme de potentiels coulombiens,
qui est souvent contourn e dans la litt erature, ` a travers les
notions de puits coulombien isol e ou de paires de puits
coulombiens isol ees.
Nous avons abondamment etudi e ce probl` eme, dans
une analyse etendue de leffet PooleFrenkel [17]. Pour
lessentiel, rappelons bri` evement les aspects de ce travail
li es ` a la convergence. Consid erons un ensemble de
potentiels coulombiens, align es sur une droite qui pourrait
etre le grand axe dun mat eriau en forme de barreau de
longueur l, et r eguli` erement espac es ` a la distance R. Si
2N sites sont dispos es le long de l, et si labaissement du
potentiel, entre deux sites suppos es isol es, est donn e par

/
= e
2
/(
0
R), on etablit que labaissement
M
au
centre du barreau est egal ` a N
/
, etant un param` etre
qui d epend de N, comme lindique le tableau 1 dans lequel
labaissement relatif N =
M
/
/
est donn e en fonction
de N. Ainsi par exemple, si R = 600

A et = 10,
labaissement au centre serait de 1,33 eV, avec 64 puits de
potentiel seulement, l echantillon ayant alors une longueur
l = 3,610
6
m. Pour des sites localis es ` a des profondeurs
telles que E
c
E < 1,33 eV, cette energie est sup erieure ` a
celle du niveau fondamental. Le puits de potentiel na plus
alors de repr esentation concr` ete, ni m eme de d enition,
intelligibles. Dans un mat eriau r eel ` a trois dimensions,
labaissement au centre est n ecessairement beaucoup plus
grand, et pour une densit e (faible) de sites qui serait alors
de lordre de 4,6 10
15
cm
3
. Un deuxi` eme aspect du
probl` eme est li e ` a linuence du taux doccupation des sites
sur le potentiel coulombien r esultant. Cest ce que montre
la gure 2 [17], construite par simulation num erique, dans
le cas de cinq puits de potentiel, en pr esence dun champ
electrique. Elle montre comment est modi e le potentiel
r esultant, lorsque lun des sites (monovalents) est occup e
(et masqu e).
Le probl` eme de convergence ne se pose plus lorsque
les sites cessent d etre coulombiens, en r
m
(m > 1)
ou ecrant es. Par exemple, pour m = 2, labaissement
relatif maximum pour un nombre inni de puits est
de lordre de 1,24
/
[17]. Lexistence de puits non
coulombiens est donc la seule hypoth` ese compatible avec
lapproximation des paires. On notera toutefois que,
si la plus grande rigueur est impos ee aux processus
259
R Ongaro et al
de mod elisation, toutes ces approches fond ees sur la
repr esentation de puits de potentiel peuvent etre plus
fondamentalement remises en cause. Nous pensons en
effet avoir montr e [18] que les raisonnements fond es
sur limplantation de puits de potentiel dans la bande
interdite ne constituent pas une proc edure totalement
coh erente. Ceci entrane donc une certaine r eserve
vis-` a-vis des mod` eles qui en sont issus. Cependant,
comme nous lavons d ej` a soulign e, les traitements semi-
empiriques des probl` emes de conduction utilisant des puits
de potentiel restent le seul moyen disponible, en labsence
de traitements strictement quantiques appropri es, et qui
soient sufsamment simples pour etre utilisables dans la
pratique exp erimentale.
4. Aper cus du contexte exp erimental et des
crit ` eres de choix dun mod` ele dinterpr etation
Apr` es un examen d etaill e des r eserves qui peuvent etre
faites ` a propos des mod` eles pr esent es dans la partie I, il peut
etre int eressant pour lexp erimentateur de trouver ici un
rappel de quelques r esultats caract eristiques dapplication
de ces mod` eles ` a des donn ees exp erimentales. Laccent
est mis sur la mani` ere dont sont mis en uvre quelques
crit` eres de choix dun mod` ele donn e, en sappuyant sur
quelques types d enis de comportements, en liaison avec
la nature des mat eriaux consid er es. Cependant, lexpos e
reste relativement succinct, cherchant plut ot, autant que
faire se peut, ` a d egager une typologie dapproche. Il
sappuie essentiellement pour cela sur les d eveloppements
bien document es dElliott [2] et de Long [1]. Lanalyse
critique de la coh erence mutuelle des crit` eres, ` a la lumi` ere
des r eserves pr esent ees dans le pr esent travail, nest pas
abord ee. Car elle n ecessiterait que soit effectu ee un
ensemble tr` es complet de simulations num eriques int egrant
toutes ces r eserves, de mani` ere ` a pouvoir pr eciser la mesure
dans laquelle le rapprochement crois e de ces crit` eres reste
cons equent. Il nous semble au demeurant que cela pourrait
etre plus judicieusement r ealis e en prolongement direct des
r esultats exp erimentaux publi es par les auteurs.
4.1. Mod` eles dinterpr etation de () et (0)
applicables aux chalcog enures amorphes ou vitreux
La litt erature abonde en mesures de conductivit e, r ealis ees
sur un grand nombre de chalcog enures amorphes ou vitreux,
en fonction de la fr equence et de la temp erature. Les
mesures sont effectu ees le plus souvent sur des intervalles
limit es de variation de ces param` etres; les crit` eres de choix
sont en cons equence des crit` eres locaux.
4.1.1. Le comportement g en eral. Les donn ees
exp erimentales montrent que les chalcog enures ont
des comportements relativement homog` enes, dont les
caract eristiques g en erales sont les suivantes.
(i) La d ependance vis-` a-vis de T de (), variable
avec , est g en eralement plus faible que celle, activ ee, de
(0). Elle est cependant importante dans les mat eriaux ` a
faible bande interdite, dans un intervalle de temp eratures
interm ediaires. Elle peut au contraire devenir pratiquement
ind ependante de T dans certains cas, et ` a basse temp erature.
(ii) La croissance de () avec est monotone, et peut-
etre repr esent ee par ()
s
, s d ependant g en eralement
peu de et prenant des valeurs proches de 1, par valeurs
sup erieures ou inf erieures. Ce comportement, toujours
valable en haute fr equence, peut parfois s etendre jusquau
voisinage de 10
4
Hz.
(iii) s est une fonction d ecroissante de T , qui ` a basse
temp erature peut d ependre l eg` erement de . Mais (), ` a
fr equence donn ee, pr esente: une quasi-ind ependance vis-` a-
vis de T aux basses temp eratures; une variation en T
n
avec
n < 1 dans un intervalle de temp eratures interm ediaires;
et eventuellement une variation sur-lin eaire (n > 1) aux
temp eratures sup erieures. On note aussi que, si la valeur
limite basse temp erature est soustraite de (), la zone
interm ediaire des cas dans lesquels n < 1 peut devenir
quasi-lin eaire (n

= 1).
(iv) Lordre de grandeur de (), ` a et T x es, est
sensiblement le m eme pour de nombreux chalcog enures
vitreux (10
10
10
9

1
cm
1
, valeurs ` a comparer
aux enormes variations correspondantes de (0), 10
14

10
4

1
cm
1
). Toutefois cet ordre de grandeur de ()
varie notablement plus pour les m emes mat eriaux en lms
minces, pr epar es par evaporation (10
9
10
6

1
cm
1
).
Trois intervalles de temp eratures sont approximative-
ment d enis: les temp eratures moyennes, 100 K T
300 K, sur lesquelles les crit` eres de choix sont principale-
ment argument es, encadr ees par les intervalles hautes et
basses temp eratures.
4.1.2. Le choix dun mod` ele. Les mod` eles fond es sur
leffet tunnel d electrons (TE) ou de petits polarons (TPP)
(voir la partie I, sections 2.2.1.1 et 2.2.1.2) peuvent etre
ecart es pour les raisons suivantes.
(i) Le mod` ele TE pr evoit s ind ependant de T et
fonction d ecroissante de , variant par exemple de 0,8
` a 0,4 lorsque la fr equence crot de 3 kHz ` a 2 GHz
(voir la partie I, l equation (7c)). Or, dans de nombreux
chalcog enures 0,8 s 1 et il existe plusieurs cas
signicatifs dans lesquels s > 1: les cas de As
x
S
1x
(South et Owen [19]), GeSe, As
2
Te
3
, As
2
Te
3
Ge, As
2
Se
3
et
SiO
2
(Hauser [20]), avec s = 1,05. Le mod` ele TPP, qui
donne le m eme comportement de s vis-` a-vis de , est
egalement inappropri e, dautant plus quil pr evoit pour s(T )
une fonction croissante.
(ii) Ces deux mod` eles ne permettent pas dinterpr eter
les variations de () en fonction de T , car ils pr evoient
une croissance lin eaire. Le fait de trouver une croissance
exp erimentalement lin eaire, lorsque la valeur limite est
soustraite, ne r ehabilite pas ces mod` eles, car ils ne peuvent
pas rendre compte de la valeur s

= 1 observ ee.
Ces mod` eles etant ecart es, Elliott analyse les raisons qui
militent en faveur dun mod` ele de saut corr el e ` a une barri` ere
(SCB) (voir la partie I, section 2.2.2), ou eventuellement ` a
un mod` ele de tunnel de grands polarons (TGP) (voir la
partie I, section 2.2.1.3). Le mod` ele SCB est applicable
aux chalcog enures qui contiennent des sites D

et D

ainsi
260
Hypoth` eses fondamentales de la conduction electronique II
qu` a certains polym` eres organiques dans lesquels peuvent
se produire des sauts de bipolarons entre chanes (Chance et
al [21]). Le m ecanisme propos e, lorsque l energie effective
de corr elation de Hubbard est grande, fait appel ` a des sauts
simultan es de paires d electrons entre sites D

et D

, la
pr esence de sites D
0
etant alors improbable. Lorsque cette
energie de corr elation est faible, lexistence de nombreux
sites D
0
favoriserait un m ecanisme de saut de polarons
simples. Jourdain et al [22] ont alors montr e, dans une
etude de a-SiO ayant subit diff erents recuits, que s(T )
d ecrot ` a peu pr` es lin eairement en T sur lintervalle 200
400 K. Lexistence dune corr elation entre () et (0)
serait aussi un signe en faveur du mod` ele SCB associ e ` a
des sites D

et D

, dans la mesure dans laquelle ce mod` ele

implique une d ependance (qui a et e observ ee) de l energie
potentielle W
M
(voir la partie I, section 2.2.2) vis- ` a-vis de
la largeur B de la bande interdite et un m ecanisme unique
de conduction.
Un mod` ele pr esent e par Emin [23] pour interpr eter la
conductivit e dans les verres chalcog enures et mettant en
uvre des petits polarons, conduit aussi ` a une corr elation
entre () et (0). Dans ce mod` ele toutefois, le
mouvement des porteurs aurait lieu pr ef erentiellement entre
sites voisins ` a distance xe, ce qui impliquerait lexistence
dun pic de pertes, non observ e dans ces mat eriaux.
En appui compl ementaire du mod` ele SCB, Elliott
elargit la discussion sur la base des arguments suivants.
(i) Linterpr etation du comportement super-lin eaire,
observ e en (1 < s 1,05), ne semble pas pouvoir
etre r ealis ee sur la base dune distribution statistique des
distances R entre les sites. Il est cependant possible
dy parvenir en supposant une distribution rapidement
d ecroissante de R (voir la partie I, l equation (5b)), qui
peut etre consid er ee en cons equence dun rassemblement
des sites par paires ou en amas. s est donn e alors
par l equation (16b) de la partie I. Cette hypoth` ese
aurait lavantage dexpliquer, par des degr es variables de
regroupement des sites, que s puisse prendre des valeurs
super- ou sous-lin eaires selon les conditions de pr eparation
des echantillons. Toutefois, l equation (16b) ne permet
pas dobtenir des valeurs s . 1, 021,05 aux tr` es basses
temp eratures.
(ii) Un autre fait qui reste ` a expliquer est le
comportement parfois tr` es fortement sous-lin eaire, observ e
par Hauser par exemple, qui trouve des valeurs n . 0,2
0,4 pour des lms simplement d epos es, ou m eme n = 0,08
pour les m emes lms recuits. Une interpr etation simple
de ce fait serait dadmettre que la partie basse temp erature
asymptotiquement constante soit due ` a un second processus
de conduction. Les valeurs de n obtenues en soustrayant
cette contribution ` a () deviennent alors plus conformes
au mod` ele.
Labaissement concomitant de n et de lamplitude de
() sous leffet du recuit a, dans le cadre du mod` ele
SCB, sugg er e une explication en deux etapes. Tout
dabord, le recuit ` a T . T
g
favoriserait lapparition
dune distribution en amas (paires) des centres; cela aurait
la double cons equence, dune part de rendre s . 1
en conformit e avec lexp erience, mais aussi daugmenter
malencontreusement la conductivit e du facteur multiplicatif
exp[W
M
kT ln(1/W
0
)/(8kT
g
)]. Il faut donc ensuite
supposer que la densit e N de ces centres ait sufsamment
d ecru pour sur-compenser cette augmentation. On peut
signaler enn, sans clore compl` etement le sujet, quun
m ecanisme de conduction en haute temp erature (T >
300 K), mettant en uvre des polarons simples, a et e
propos e par Shimakawa [24].
4.2. Lapplication des mod` eles aux semiconduteurs
t etra-coordonn es
An de limiter au maximum lexpos e relatif ` a ces
mat eriaux, celui-ci est r eduit ` a l etude des mod` eles
adopt es pour interpr eter les propri et es de Ge amorphe non
intentionnellement dop e ou hydrog en e. La discussion des
cas de a-Si et de a-SiH nest pas abord ee ici, car le volume
n ecessaire ` a une analyse convenable de ce cas est prohibitif.
4.2.1. Ge amorphe non intentionnellement dop e. De
nombreuses etudes concernent des couches minces de a-Ge
ayant et e contamin ees lors du d ep ot, dans le cas dans lequel
celui-ci nest pas r ealis e sous ultravide. Il en est r esult e une
dispersion des mesures, pour des echantillons pr epar es dans
des conditions macroscopiquement identiques.
4.2.2. Le choix dun mod` ele. Comme dans le cas des
chalcog enures, plusieurs objections sopposent ` a ladoption
du mod` ele TE.
(i) Ce mod` ele, appliqu e ` a () en utilisant les
param` etres accessibles ` a partir des variations de (0) (la loi
de Mott en T
1/4
` a basse temp erature), donne des valeurs
de () sup erieures de plusieurs ordres de grandeur aux
valeurs exp erimentales. Cependant, la th eorie uni ee de
Movaghar et al [25] (voir la partie I, section 2.2.3) permet
un meilleur agr ement, mais avec
0
. 10
21
s et une
amplitude de (0) inadapt ee.
(ii) n prend des valeurs nettement sup erieures ` a 1 et
s < 0,8 est une fonction d ecroissante de T (Long et al
[26]). Toutefois, des mesures de Narashimhan et al [27],
faites entre 10
4
et 10
5
Hz dans une g eom etrie coplanaire,
montrent au contraire une croissance de s(T ).
(iii) Certaines mesures montrent que () . 0,8 aux
fr equences moyennes, puis crot dans un intervalle de
hautes fr equences pour tendre vers des valeurs > 1.
(iv) Les courbes () en fonction de montrent
lexistence dun pic de pertes ` a
M
, particuli` erement apr` es
la soustraction de (0). En g en eral cependant la relation
entre (0, T ) et (, T ) diff` ere selon les echantillons. Le
pic apparat ` a des fr equences dautant plus basses que s est
plus grand. Il nest alors visible quapr` es la soustraction
de (0), et ceci tendrait ` a associer () et (0) ` a des
etats localis es au voisinage du niveau de Fermi (un seul
m ecanisme).
Long et Balkan [28] ont tent e dappliquer le mod` ele
SCB ` a des donn ees relev ees dans le domaine des fr equences
radio (RF). Ce mod` ele peut en effet permettre, sous
certaines conditions, dexpliquer les variations de s avec T ,
ainsi que linterpr etation du pic de pertes, ` a condition de
261
R Ongaro et al
consid erer une distribution en amas des sites. Si la distance
caract eristique R
0
est alors suppos ee ind ependante de T , la
fr equence du maximum du pic est simplement activ ee:

M
=
0
exp
_

W(R
0
)
kT
_
comme le sugg` erent les r esultats exp erimentaux. Toutefois,
ce mod` ele ne peut pas expliquer le comportement de s(T )
sur un intervalle sufsamment etendu. En effet, s(T )
connat une d ecroissance en fonction de T , progressivement
att enu ee jusqu` a tendre vers une valeur ind ependante de T
pour les lms obtenus par evaporation, ou ` a passer par
un minimum pour les lms d epos es par projection RF. Le
mod` ele nexplique pas non plus la faiblesse des estimations
de
0
, de lordre de 10
7
10
8
s
1
, ` a comparer ` a 10
13
s
1
.
Ces valeurs sont dailleurs ` a peu pr` es ind ependantes de
l energie dactivation.
Un mod` ele deffet tunnel de polarons activ es (grands
polarons, mod` ele TGP) peut etre propos e (voir la partie I,
section 2.2.1.3). Si, dans l equation (8a) de la partie I, W
H
est remplac e par W(R
0
), la fr equence
M
du pic sexprime
alors par l equation

M
=
0
exp
_

W(R
0
)
kT
_
exp(2R
0
).
Une telle expression semble bien adapt ee aux mesures
(, T ) dans a-Ge. En particulier, la forte d ependance
de par rapport ` a T , qui peut etre illustr ee, pour les
fr equences moyennes, par n = 4 si (T ) est exprim e sous
la forme (T ) T
n
, sugg` ere une activation du temps de
relaxation. La comparaison aux donn ees exp erimentales
semble montrer quune aussi forte d ependance vis-` a-vis de
T nest pas d eraisonnable au voisinage du pic. En outre,
une valeur correcte de
0
peut etre r etablie en prenant
2R
0
= 10.
Cependant, une difcult e subsiste. Le mod` ele TGP
implique que (
M
)
M
[1], alors que, pour les
echantillons pr epar es par projection RF, (
M
)
0,9
M
environ. Vis-` a-vis de la d ependance en temp erature, cela
implique une variation de (
M
)/
M
en T
1/2
. Or le
mod` ele pr evoit, selon lintervalle de temp erature consid er e,
une d ependance explicite comprise entre T
1
et T
0
pour
le cas dun processus corr el e, ou entre T
2
et T
1
pour un
processus non corr el e. Cette difcult e est surmont ee en
faisant lhypoth` ese que R
0
soit une fonction faiblement
variable de T .
Enn, dans le cadre du mod` ele, W(R
0
) est nettement
sensible aux conditions de pr eparation et apparat comme
etant fortement corr el e ` a la conductivit e (0). La
reproductibilit e de (
M
)/
M
en fonction des echantillons
est acceptable, avec une uctuation damplitude dune
d ecade autour de 10
11
W
1
cm
1
Hz
1
. s est par contre un
param` etre peu contr olable, dans la r egion du pic et pour des
echantillons d epos es par projection RF (uctuations entre
0,4 et 0,8 selon les echantillons).
4.2.3. Ge amorphe hydrog en e d epos e par projection
RF. Linterpr etation des donn ees exp erimentales repose
egalement sur le mod` ele TGP, car les aspects g en eraux
du comportement sont semblables ` a ceux de Ge
amorphe, avec toutefois un elargissement du pic de
pertes. Cependant, le mod` ele diverge sensiblement du
comportement exp erimental vers les basses temp eratures,
sans que ce fait ait apparemment re cu une explication.
Les effets marquants de lhydrog enation sont les
suivants.
(i) Du point de vue physique, celle-ci produit, ` a faible
concentration, un abaissement de la conductivit e (0): les
valeurs de s d ecroissent de 0,9 ` a 4 K ` a un minimum de
0,64 ` a plus haute temp erature, puis tendent ` a crotre [29];
et le pic de pertes manifeste un comportement activ e.
(ii) Du point de vue du mod` ele, (0) ob eit toujours
` a la loi de Mott en T
1/4
, ce qui est interpr et e comme
une conduction par sauts au voisinage du niveau de Fermi;
W(R
0
) semble etre une fonction l eg` erement croissante
de T ; W(R
0
) crot avec la concentration en hydrog` ene,
ainsi que s(T ); et la d ependance de /
M
vis-` a-vis de T
sexplique par une faible d ecroissance de R
0
avec T , de la
forme T
m
(m est petit).
4.3. Compos es mol eculaires
Ces compos es sont evoqu es ici dans le but de montrer,
succinctement, que la complexit e de leur comportement
peut occasionner de grands difcult es de choix dun mod` ele
dinterpr etation. Diff erents chercheurs de notre laboratoire
ont r ealis e des etudes de caract erisation du comportement
de divers compos es mol eculaires, soumis ` a des tensions
continues ou sinusodales. Parmi ces travaux on peut
citer l etude de lms de polyac etyl` ene, sur lintervalle
10
4
Hz 10
5
Hz et pour 311 K T 429 K [30],
ou entre 10
3
et 10
5
Hz, pour 100 K T 295 K [31];
de lms de m etalophthalocyanines de Zn (PcZn), dop es
par TCNQ (tetracyanoquinodimethane) ou n par DIPS
4
(tetraph enyldithrapyranylidene), entre 10
3
et 10
5
Hz pour
91 K T 295 K [32, 33]; et de lms de calixar` ene, entre
10
3
et 2 10
6
Hz pour 123 K T 373 K [34].
Ces travaux offrent une approche assez large du
point de vue des m ethodes exp erimentales: variations
de (0) en fonction de la tension V appliqu ee et de
la temp erature; variations de () en fonction de la
fr equence ` a diff erentes temp eratures et plus largement de
la permittivit e; et aussi etudes des courants thermostimul es
(TSC) et de courants de thermod epolarisation (TDC).
Leurs r esultats sont tr` es complexes et rendent extr emement
d elicate l elaboration dune interpr etation capable de rendre
compte de lensemble des ph enom` enes observ es. Les points
suivants sont ` a relever.
(i) Les caract eristiques couranttension montrent un
comportement non lin eaire, repr esentable par un effet
PooleFrenkel (PF), dailleurs souvent difcile ` a distinguer
de leffet Schottky, simple ou double. Dans ce dernier cas,
qui est caract eristique du polyac etyl` ene, largumentation,
appuy ee sur les donn ees TSC et TDC et sur les mesures
de capacit e en fonction de la fr equence, r ev` ele une
possibilit e dinterpr etation faisant r ef erence ` a lexistence
dune double couche, une couche supercielle et le volume
quelle recouvre, aux propri et es electriques distinctes. Dans
262
Hypoth` eses fondamentales de la conduction electronique II
le cas de PcZn dop e ou non, seule existerait en tr` es
basse fr equence et pour (0) une zone de rar efaction des
porteurs, au contact dune electrode bloquante, et leffet PF
abaisserait simplement les valeurs mesur ees des energies
dactivation effectives. Ceci peut dans tous les cas modier
le comportement de ().
(ii) Les variations de () ont, dans le cas de
PcZn, le comportement indiqu e sch ematiquement sur la
gure 3 [33]. On observe dune part que, pour PcZn,
la droite log log est unique et donc ind ependante
de T ; et dautre part que, pour PcZn dop e, les droites
correspondantes convergent en un point P
0
. Au-del` a de
P
0
, le comportement de PcZn pur est retrouv e.
(iii) Les variations de s en fonction de et de T sont
tr` es diverses. s est ind ependant de ; s

= 1 pour PcZn
pur, et compris entre 1 et 0, ` a des temp eratures croissantes,
pour PcZn dop e (voir la gure 3). Par contre s() passe
par un maximum (< 1) pour le polyac etyl` ene; et s crot
contin ument (de 0 jusqu` a proche de 1,8 pour le calixar` ene).
Les contacts interviennent certainement dans le cas du
polyac etyl` ene, car les courbes () ont des amplitudes
de variation tr` es diff erentes (de quatre d ecades au moins)
selon que les electrodes sont sym etriques (Au et Au) ou
dissym etriques (Al et Au). Dans ce cas egalement, les
variations de s(T ) d ependent beaucoup de la fr equence (et
des contacts), car s(T ) peut etre une fonction croissante
ou d ecroissante, ou m eme pourvue dun minimum, selon
lintervalle de fr equences consid er e.
(iv) Les variations de n(T ) sont simples pour PcZn pur
ou dop e (n

= 0), mais elles nob eissent ` a aucune loi simple

pour le polyac etyl` ene. Lorsque s peut cependant etre mis
sous la forme s(T ) T
n
, la valeur maximum de n est de
lordre de 0,48.
Des mod` eles limit es, expliquant une partie seulement
des ph enom` enes observ es, ont et e propos es par les auteurs.
Cependant, nous ne disposons pas actuellement dun
mod` ele assez g en eral pour rendre compte de la complexit e
de ces ph enom` enes.
Une voie possible dinterpr etation, utilis ee dans le
cas des mat eriaux ` a faible mobilit e tels que les cristaux
mol eculaires, peut etre recherch ee par le biais de
m ecanismes du type de ceux quinventorie Moses [35].
Une forte inuence observ ee de la temp erature et du champ
electrique F appliqu e est interpr et ee comme la cons equence
dune modication du rendement quantique de la photo-
g en eration. Deux voies principales sont explor ees ` a ce
propos. La premi` ere introduit une probabilit e P
d
de
dissociation des paires electronstrous cr e ees (excitons),
proportionnelle ` a un facteur PooleFrenkel
exp
_

E
t

F
kT
_
pour l etat localis e de profondeur E
t
. La seconde,
qui permettrait un meilleur ajustement aux donn ees
exp erimentales de lauteur, consiste ` a d enir ` a partir de
la th eorie dOnsager modi ee. L equation de diffusion de
Smoluchowski ` a l equilibre, sous linuence dun champ
coulombien et du champ appliqu e, permet de d enir
la probabilit e pour quune paire dissoci ee echappe ` a la
recombinaison et den d eduire .
Figure 3. Une repr esentation sch ematis ee des courbes de
conductivit e dans PcZn log log . T
i
< T
i +1
et T
/
i
< T
/
i +1
.
(1), (2) et (3): PcZn pur; (4) et (5) PcZn dop e; et (6) PcZn
pur ou dop e.
Figure 3. A schematic drawing of conductivity curves for
PcZn, log log . T
i
< T
i +1
and T
/
i
< T
/
i +1
. (1), (2) and (3):
pure PcZn; (4) and (5): doped PcZn; and (6) PcZn either
pure or doped.
5. Conclusion
Au terme de cette analyse, il apparat que les deux
hypoth` eses les plus importantes qui fondent les mod` eles
de conduction harmonique, dans les etats localis es,
n ecessitaient un r eexamen approfondi. Leur utilisation
exige, en cons equence, une grande circonspection.
Cependant, cest le r` eglement du probl` eme des puits
coulombiens qui est apparemment le plus ais e ` a traiter.
Si on fait labstraction du probl` eme de coh erence
interne evoqu e ci-dessus, lapproximation des paires peut
etre valid ee, sous la seule condition que ces puits ne soient
pas coulombiens. Les modications que cela introduit, dans
les expressions appropri ees de (), ne sont pas abord ees
ici, car nous souhaitons les situer dans le contexte des
r esultats de la partie I. Elles ne semblent dailleurs pas
de nature ` a bouleverser compl` etement les formulations de
type coulombien.
Labandon de lhypoth` ese de d econnexion, entre etats
localis es et etendus, a par contre un impact important sur
les formulations des echanges microscopiques et donc aussi
sur les formes nales de (). Comme le nombre de
param` etres du syst` eme est elev e (15 dans lapplication la
plus g en erale de notre mod` ele), la simulation num erique
des syst` emes d equations (4) et (7) est un travail cons equent
et sp ecique. Il sera abord e ult erieurement, de mani` ere ` a
pouvoir pr eciser les points importants que lanalyse actuelle
a mis en evidence.
(i) Existe-t-il des conditions dans lesquelles les
equations (10) et (11) sont applicables, et quels sont alors
les valeurs possibles des temps de relaxation associ es?
(ii) Quels types de solutions peut-on attendre des
equations (8), avec des valeurs plausibles des param` etres,
263
R Ongaro et al
et quelles sont alors les formes de () qui en d ecoulent?
(iii) Est-il possible de d egager des tendances g en erales
pour les solutions du syst` eme (4)? En particulier, est-il
possible de d egager des r` egles de choix des param` etres de
ce syst` eme, pour que la conduction dans les etats localis es
soit pr epond erante?
Ceci etant fait, nous pensons cependant, quavec
le nombre de param` etres disponibles, le probl` eme de
lajustement du mod` ele ` a un ensemble de courbes
exp erimentales devrait rester largement ind etermin e. Car il
est tr` es vraisemblable quil existe une innit e de solutions
equivalentes, sur des intervalles de fr equences et/ou de
temp eratures n ecessairement limit es.
Il faut enn signaler que lexpos e de cet article, limit e
` a l etude de (), a laiss e volontairement dans lombre
lexamen des probl` emes pos es par la mod elisation de la
permittivit e di electrique
/
= R
e
[

()]. Or, le parall` ele

entre les deux etudes est imm ediat puisque

/
() =
1
I
m
[

()].
Cest ainsi que Long, par exemple, conduit ces deux etudes
en parall` ele, tout en mettant en evidence les changements
qui sintroduisent dans les int egrations. Le travail pr esent e
ici est donc imm ediatement transposable.
Finalement, nous esp erons que lexamen que nous
avons r ealis e, dun certain nombre de probl` emes pos es
par les mod elisations de la conduction harmonique dans
les etats localis es, et partiellement r esolus ici, apporte
une contribution positive ` a l evolution des mod` eles
dinterpr etation des donn ees exp erimentales (), dans les
mat eriaux d esordonn es.
Annexe
Tableau A1.
a
11
=
n1
(N
1
n
10
)
n2
(N
2
n
20
)
a
13
=
n1
n
0

n1
a
14
=
n2
n
0

n2
a
15
=
na

na
(N
a
n
a0
)
a
22
=
p1
n
10

p2
n
20

pa
n
a0
a
23
=
p1
p
0

p1
a
24
=
p2
p
0

p2
a
25
=
pa
n
a0

pa
a
31
=
n1
(N
1
n
10
)
a
32
= n
10

p1
a
33
= W
12

n1

p1
n
0

n1
p
0

p1
a
34
= W
12
a
41
=
n2
(N
2
n
20
)
a
42
= n
20

p2
a
43
= W
12
a
44
= W
21

n2

p2
n
0

n2
p
0

p2
a
51
=
na
(N
a
n
a0
)
a
52
= n
a0

pa
a
55
=
na

pa
n
0

na
p
0

pa
Tableau A2.
a
1
=
n1

p1
n
0

n1
p
0

p1
a
2
=
n1
(N
1
n
10
) n
10

p1

n2
(N
2
n
20
)
n
20

p2
n
a0

pa
a
3
=
n1
(N
1
n
10
) n
10

p1
a
4
=
n1
n
0

n1

p1
p
0

p1

na

na
(N
a
n
a0
)

pa
n
a0

pa
a
5
=
n2
n
0

n2

p2
p
0

p2

na

na
(N
a
n
a0
)

pa
n
a0

pa
a
6
=
n1
(N
1
n
10
) n
10

p1

n2
(N
2
n
20
)
n
20

p2

na
(N
a
n
a0
) n
a0

pa
a
7
=
n1
n
0

n1

p1
p
0

p1

na
n
0

na

pa
p
0

pa
a
8
=
n2
n
0

n2

p2
p
0

p2

na
n
0

na

pa
p
0

pa
Tableau A3.
b
01
=
n2
n
2
i
b
02
= (
n1

n2
)n
2
i
b
11
= (
n2

p2
)n
4
i
b
12
= (
n1

n2

p1

p2
)n
2
i
b
21
= [
n2

p2

p1

p2
(N
2
N
a
)]
b
22
=
p1

p2
b
31
= (
n2

p2
)n
2
i

p2
N
a
Tableau A4.
b0
n
2
i
= n
2
i
[
n2
(
p2

p1
)
p2
(
n2

n1
)]
(
n2

n1
)[
n1
N
1

n2
(N
2
N
a
)]
b1
n
2
i
= n
2
i
[
n2
(
p2

p1
)
p2
(
n2

n1
)]

n2

p1

n1

p2

n2
(
n2

n1
)N
a
(
n2

n1
)[
p1
N
1

p2
(N
2
N
a
)]
(
n2

n1

p2

p1
)[
n1
N
1

n2
(N
2
N
a
)]
b
2
= n
2
i
{
n1

p2

p2

n1

n2

p1

p1

n2

n2
(
n2

n1

p2

p1
)N
a
(
n2

n1
)[
p1
N
1

p2
(N
2
N
a
)]]

p2
(
n2

n1
)N
a
(
p2

p1
)[
n1
N
1

n2
(N
2
N
a
)]
b
3
= n
2
i
[
n2
(
p2

p1
)
p2
(
n2

n1
)]
n1

p2

p1

n2
[
n2
(
p2

p1
)
p2
(
n2

n1
)]N
a
b
4
=
p2

n1

p1

n2
Expressions des param` etres des equations (4).

n1,2
=
n1,2
exp
_

EcE1,2
kT
_
;
n1,2
= v
n
)N
c
S
n1,2

p1,2
=
p1,2
exp
_
E1,2Ev
kT
_
;
p1,2
= v
p
)N
v
S
p1,2

na
=
na
exp
_

EcEa
kT
_
;
na
= v
n
)N
c
S
na

pa
=
pa
exp
_

EaEv
kT
_
;
pa
= v
p
)N
v
S
pa
R ef erences
[1] Long A R 1982 Adv. Phys. 31 553637
264
Hypoth` eses fondamentales de la conduction electronique II
[2] Elliott S R 1987 Adv. Phys. 36 135218
[3] Pollak M et Geballe T H 1961 Phys. Rev. 122 174253
[4] Miller A et Abrahams E 1960 Phys. Rev. 120 74555
[5] Butcher P N, Hayden K J et McInnes J A 1977 Phil. Mag.
36 1932
[6] Fr ohlich H 1958 Theory of Dielectrics 2 i` eme edn (Oxford:
Clarendon)
[7] Pillonnet A, Garoum M et Ongaro R 1995 J. Phys. D:
Appl. Phys. 28 14959
[8] Ongaro R, Pillonnet A et Garoum M 1995 J. Phys. D:
Appl. Phys. 28 142432
[9] Br aunlich P 1979 Thermally Stimulated Relaxation in
Solids (Berlin: Springer)
[10] Lewandowski A C et McKeever S W S 1991 Phys. Rev. B
43 816378
[11] Blakemore J S 1962 Semiconductor Statistics (Oxford:
Pergamon)
[12] Pike G E 1972 Phys. Rev. B 6 157280
[13] Elliott S R 1977 Phil. Mag. 36 1291304
[14] Pollak M 1971 Phil. Mag. 23 519
[15] Efros A L 1981 Phil. Mag. B 43 82938
[16] Mott N F et Davis E A 1971 Electronic Processes in
Non-crystalline Materials (Oxford: Clarendon) ch 4
[17] Ongaro R et Pillonnet A 1991 IEE Proc. A 138 12737
[18] Ongaro R et Pillonnet A 1992 Radiat. Eff. 124 289300
[19] South R B et Owen A E 1974 Proc. 5th Int. Conf. on
Amorphous and Liquid Semiconductors ed J Stuke et W
Breinig (London: Taylor and Francis) p 305
[20] Hauser J J 1983 Phys. Rev. B 27 2543; 1984 Solid State
Commun. 50 623; 1985 Phys. Rev. B 31 2133
[21] Chance R R, Bredas J L et Silbey R 1984 Phys. Rev. B 29
4491
[22] Jourdain M et Despujols J 1980 J. Phys. C: Solid State
Phys. 13 1593
Jourdain M, de Polignac A et Despujols J 1979 J. Phys. C:
Solid State Phys. 12 4999
[23] Emin D 1983 Commun. Solid State Phys. 11 3559
[24] Shimakawa K 1982 Phil. Mag. B 46 123; 1983 Phil. Mag.
B 48 77
[25] Movaghar B, Pohlmann B et Sauer G W 1980 Phys. Status
Solidi b 97 533
[26] Long A R, Balkan N, Hogg W R et Ferrier R P 1982 Phil.
Mag. B 45 497
[27] Narashimhan K L, Guha S et Agarwal S C 1976 Solid
State Commun. 20 573
[28] Long A R et Balkan N 1980 Phil. Mag. B 41 287
[29] Long A R, Hogg W R, Balkan N et Ferrier R P 1981
J. Physique 42 C4107
[30] Gamoudi M, Andre J J, Fran cois B et Maitrot M 1982
J. Physique 43 9539
[31] Gamoudi M, El Beqqali O, Guillaud G, Khelifa B et
Aourag H 1993 J. Physique III 3 16778
[32] Boudjema B, El-Khatib N, Gamoudi M, Guillaud G et
Maitrot M 1988 Rev. Phys. Appl. 23 112734
[33] El Beqqali O, Al Sadoun M, Guillaud G, Gamoudi M,
Benkaddour M, Skal A S et Maitrot M 1991 J. Appl.
Phys. 69 36705
[34] Ben Cha abane R, Gamoudi M et Guillaud G 1994 Synth.
Met. 67 2313
[35] Moses D 1996 Phys. Rev. B 53 446270
265