1.

ANTECEDENTES El actual progreso de la electrnica de potencia ha sido posible principalmente gracias a los avances en los dispositivos semiconductores de potencia junto con las nuevas propuestas de topologas de convertidores de modulacin PWM, modelos analticos, mtodos de simulacin, algoritmos de control y estimulacin, microcontroladores y DSP, circuitos integrados ASIC, etc. Aunque histricamente la electrnica de potencia empez en el ao 1901 con la disponibilidad de la vlvula rectificadora de arco de mercurio, no fue hasta la aparicin del tiristor en los aos 50 cuando empez la era moderna de la electrnica de potencia de estado slido. Gradualmente fueron apareciendo otros componentes semiconductores de potencia que se beneficiaron de los avances de la microelectrnica. Esta evolucin de los componentes, unida a la evolucin de los convertidores estticos y del control, ha sido muy espectacular en la ltima dcada del siglo XX, llevando al a electrnica de potencia a su actual estado de madurez, que la convierte en una tecnologa estratgica para el futuro de la humanidad. El tiristor, que fue el componente que domino la primera generacin de la electrnica de potencia, actualmente sigue siendo indispensable en la aplicaciones de gran potencia y baja frecuencia, como son los rectificadores de la corriente de la red alterna, interruptores estticos, compensadores estticos de energa reactiva por control de fase, onduladores autoconmutados para motores sncronos de muy elevadas potencias, baos galvanicos, procesos electrolticos y sistemas de transmisin de energa elctrica en alta tensin continua HVDC. Para aplicaciones de alta potencia y tensin se dispone actualmente de tiristores activados por la luz LTT de 8kV y 3,5kV con cadas directas de tensin de 2,7 a 3,5kV. Como las rdenes del disparo se envan en forma de luz por fibra ptica, se dispone de suficiente aislamiento como para utilizarlo en aplicaciones de 259kV.

El reciente inters en el transistor monounion (UJT), al igual que en el SCR, ha estado en aumento a un ritmo notable. Aunque se presento por primera vez en 1948, el dispositivo estuvo disponible hasta 1952. El bajo costo por unidad combinando con las excelentes caractersticas del dispositivo han asegurado su uso en una amplia variedad de aplicaciones, como osciladores, circuitos de disparo, generadores de diente de sierra, temporizadores. El hecho de que este dispositivo sea, en general, un dispositivo que absorbe poca potencia en condiciones de operacin normales, es una gran ayuda en el esfuerzo de continuar diseando sistemas relativamente eficientes.

2. INTRODUCCION La electrnica de potencia concierne a los circuitos con tiristores, a su diseo y a su funcin en el control de potencia en un sistema. Existen gran variedad de tiristores, pero todos ellos tienen ciertas propiedades en comn: son dispositivos de estado slido que se disparan bajo ciertas condiciones pasando de un estado de alta impedancia a uno de baja, estado que se mantiene mientras que la corriente y la tensin sean superiores a un valor mnimo denominado niveles de mantenimiento. Estructuralmente, todos los tiristores consisten en varias capas alternadas de silicio dopado con impurezas p y n. El disparo de un tiristor se realiza inyectando corrientes en esas uniones de forma que, mediante un reaccin regenerativa, conmuta a conduccin y lo mantiene en este estado aunque la seal de disparo sea retirada, siempre que se verifiquen unos requerimientos mnimos de tensin y corriente. Estas caractersticas hacen que los tiristores sean mucho mas tiles que los conmutadores mecnicos, en trminos de flexibilidad, duracin y velocidad. Estos dispositivos se utilizan en control de potencia, convertidoresDC-DC o DC-AC o AC-DC o AC-AC, motores, luz incandescente, etc. En la figura 1 se muestran los smbolos de los dispositivos pertenecientes a la familia de los tiristores.

Figura 1. Smbolos de tiristores ms comunes.

Existen numerosas operaciones industriales en las cuales se requiere el suministro de potencia elctrica en una forma variable y controlable. Iluminacin, control de velocidad de motores, soldadura elctrica, control de temperatura, presin, etc., son alguna muestra de dichas operaciones. Los modernos sistemas industriales recurren a los circuitos de control, los cuales son simplemente componentes que permiten gobernar la potencia suministrada a una carga dada. Bsicamente, los circuitos de control pueden ser clasificados en las siguientes categoras: - Switches manualmente operados - Switches mecnicamente operados - Solenoides - Switches electromagnticos (relays) - Switches electrnicos (tiristores) El presente trabajo hace mencin nicamente a los switches electrnicos, hacindo nfasis en el estudio del transistor Unijuntura (UJT) que es un tipo de tiristor. Las caractersticas que presenta el UJT lo hace de gran utilidad en muchos circuitos de aplicacin industrial, incluyendo timers, osciladores, generadores de onda, y lo ms importante, en circuitos de disparo para SCRs y TRIACs. El transistor monojunturao como comnmente se le conoce UJT, tambin se le conoce como diodo de base doble por la presencia de do contactos dobles. Es un dispositivo semiconductor de 3 terminales, con un comportamiento similar a un diodo zener, pero se le puede variar el voltaje de avalancha con slo modificar las condiciones elctricas en el terminal Base2.

Figura 2. 3. FILOSOFIA DEL FUNCIONAMIENTO Para tener una mejor asimilacin del funcionamiento del componente se debe tener claro algunos temas. CONMUTADOR.- Un conmutador es un dispositivo elctrico o electrnico que permite modificar el camino que deben seguir los electrones. Se asemejan a los interruptores en su forma exterior, pero los conmutadores a la vez que desconectan un circuito, conectan otro.

Figura 3. Smbolo elctrico. El terminal comn puede cambiar entre los terminales L1 y L2 TIRISTOR.- Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los Tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones. Es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura PNPN con tres uniones PN tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta. El dispositivo consta de un nodo y un ctodo, donde las uniones son de tipo PNPN entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores tpicos PNP y NPN, por eso se dice tambin que el tiristor funciona con tensin realimentada. Se crean as 3 uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta est conectado a la unin J2 (unin NP).

Figura 4. Smbolo electrnico. Es un conmutador biestable, por ser el equivalente electrnico de los interruptores mecnicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o bloquear por completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno, aunque no son capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente. Este principio bsico puede observarse tambin en el diodo Shockley. El diseo del tiristor permite que ste pase rpidamente a encendido al recibir un pulso momentneo de corriente en su terminal de control, denominada puerta (o en ingls, gate) cuando hay una tensin positiva entre nodo y ctodo, es decir la tensin en el nodo es mayor que en el ctodo. Solo puede ser apagado con la interrupcin de la fuente de voltaje, abriendo el circuito, o bien, haciendo pasar una corriente en sentido inverso por el dispositivo. Si se polariza inversamente en el tiristor existir una dbil corriente inversa de fugas hasta que se alcance el punto de tensin inversa mxima, provocndose la destruccin del elemento (por avalancha en la unin). Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe generarse una corriente de enganche positiva en el nodo, y adems debe haber una pequea corriente en la compuerta capaz de provocar una ruptura por avalancha en la unin J2 para hacer que el dispositivo conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado activo se debe inducir desde el nodo una corriente de sostenimiento, mucho menor que la de enganche, sin la cual el dispositivo dejara de conducir. A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de disparo. Se puede controlar as la tensin necesaria entre nodo y ctodo para la transicin OFF -> ON, usando la corriente de puerta adecuada (la tensin entre nodo y ctodo dependen directamente de la tensin de puerta pero solamente para OFF -> ON). Cuanto mayor sea la corriente

suministrada al circuito de puerta IG (intensidad de puerta), tanto menor ser la tensin nodo-ctodo necesaria para que el tiristor conduzca. Tambin se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe intensidad de puerta y la tensin nodo-ctodo es mayor que la tensin de bloqueo.

Figura 5. Dos tiristores de distinta potencia. SCR.-El SCR (SiliconControlledRectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 6), dentro de la familia de dispositivos pnpn, el SCR es el de mayor inters. Fue presentado por primera vez en 1956 por Bell TelephoneLaboratoriesinicialmente con el nombre de transistor PNPN conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez. sinnimo de tiristor. Figura 6:Smbolo del SCR

TRIAC.- Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia de los transistores. La diferencia con un tiristor convencional es que ste es unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podra decirse que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.

Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran dos SCR en direcciones opuestas.

Figura 7:semejanza con dos SCR. Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominacin de nodo y ctodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo puerta.

Figura 8:Smbolo electrnico TRANSISTOR UNIJUNTURA (UJT) El UJT es un dispositivo de una sola unin PN, con dos regiones contaminadas y tres terminales externos. Tiene un slo emisor y dos bases. La representacin fsica y circuital del UJT es mostrada en la figura 9.

Figura 9. UJT: representacin fsica y circuital

El emisor est fuertemente dopado, mientras que la regin de bases posee una ligera contaminacin, lo cual hace que bajo determinadas condiciones, presente una regin de resistencia negativa, ofreciendo dos estados de funcionamiento bien definidos, correspondientes a bloqueo y a conduccin. 3.1 ECUACIONES Y GRAFICAS Para entender mejor el funcionamiento del dispositivo, es necesario recurrir a su equivalente circuital, el cual es mostrado en la figura 10.

Figura 10. Equivalente circuital

Rb1 y Rb2 constituyen la resistencia de la barra de silicio, siendo Rbb la resistencia total: Rbb = Rb1 + Rb2, con Rb1 Rb2 Rbb es denominada resistencia interbase, y es la resistencia hmica que presentan los terminales B1 y B2 cuando no hay corriente de emisor. En trminos generales esta vara entre 4 k y 10 k. El diodo D es el equivalente a la juntura entre el emisor y la base, presentando un voltaje umbral que vara entre .4 voltios y .7 voltios. Si la tensin aplicada al dispositivo es Vbb, sobre la resistencia Rb1, es decir en el punto A, aparece un voltaje dado por: Va = Vbb Rb1/Rbb = n Vbb Siendo n = Rb1/(Rb1 + Rb2)

n es conocido como factor intrnseco, teniendo una variacin comprendida entre .5 y .8, lo cual significa que Rb1 puede ser igual o hasta cuatro veces el valor de Rb2. La tensin Va es conocida tambin como voltaje intrnseco y es la que mantiene inversamente polarizado al diodo emisor cuando no hay seal a la entrada. Al aplicar una tensin Ve en el emisor, el transistor permanece bloqueado hasta tanto no se alcance el voltaje pico Vp, el cual est dado por la siguiente expresin: Vp = Vd + Va = Vd + n Vbb Cuando el diodo de emisor entra en conduccin, debido a que la regin p est fuertemente contaminada y la n no, se inyectan huecos a esta parte inferior. La ligera contaminacin de esta regin proporciona un tiempo de vida largo para estos huecos, producindose as una trayectoria de conduccin entre emisor y base B1. Cuando fluye esta corriente, es claro que la resistencia Rb1 disminuye debido al efecto de modulacin de conductividad. Al disminuir esta resistencia, la tensin Va tambin disminuye, con lo cual se obtiene una mayor inyeccin de corriente de emisor. Debido a la disminucin de tensin y aumento de corriente se presenta una regin de resistencia negativa, alcanzando valores de hasta 100 k para bajos niveles de corriente. En la figura 11 se muestra la curva caracterstica del UJT.

Figura 11. Curva Caracterstica del UJT

Cuando los niveles de voltaje aplicados al emisor son menores que Vp, el diodo D est inversamente polarizado, con lo cual circula una pequea corriente inversa de juntura. Cuando la tensin Ve se hace igual a Vp, el diodo entra en conduccin inicindose aqu la trayectoria en la curva de la regin de resistencia negativa y circulando una pequea corriente Ip. Las caractersticas de emisor como normalmente aparecen se dan en la figura 12. Observe que IEO no se muestra puesto que la escala horizontal esta en miliamperios. La interseccin de cada curva con el eje vertical es el valor correspondiente de Vp.

Figura 12. Curva Caracterstica del UJT Debido al fenmeno de modulacin de conductividad, la corriente empieza a crecer mientras el voltaje disminuye hasta que finalmente se llega a un valor de saturacin, en el cual la resistencia Rb1 se hace constante en el valor Rs (aproximadamente 5 - 30 ), con valores bajos de tensin y niveles altos de corriente, terminando aqu la regin de resistencia negativa y empezando la de saturacin. Sobre la caracterstica tensin-corriente se destacan tres zonas de trabajo y funcionamiento: Regin de bloqueo: el diodo est inversamente polarizado, la corriente Ie es menor

que el valor de Ip.

Iv. -

Regin de resistencia negativa: los valores de corriente estn comprendidos entre Ip e

Regin de saturacin: en esta regin la resistencia vuelve a ser positiva, tenindose

niveles de corriente por encima de Iv. 3.2 ESTABILIZACION Las caractersticas ms importantes del UJT se resumen en la ecuacin: Vp = Vd + n Vbb En aplicaciones tales como osciladores y temporizadores no es conveniente tener variaciones en el valor de Vp, pues la exactitud de estos circuitos depender de la invariabilidad de Vp. Sin embargo, tanto Vd como n son parmetros dependientes de la temperatura por lo cual es necesario estudiar su incidencia sobre Vp. En primer lugar Vd disminuye al aumentar la temperatura, siendo esta variacin del orden de -2mV/C. El valor de n tambin disminuye aunque no en grado apreciable con el aumento de temperatura ya que: n = Rb1/(Rb1 + Rb2) = Rb1/Rbb En trminos generales se tiene que Vp disminuye al aumentar la temperatura. Ahora bien, el valor de Rbb es fuertemente dependiente de la temperatura puesto que es la resistencia en un material semiconductor. Sin embargo su efecto en la tensin Va es despreciable, puesto que este valor depende de n y la variacin de n es despreciable. Con el nimo de compensar la variacin en el diodo, se conecta una resistencia R2 externa en serie con Rb2, es decir al terminal B2. Bajo estas condiciones se tiene: Va = Vbb Rb1/(Rb1 + Rb2 + R2) Va = Vbb Rb1/(Rbb + R2) dividiendo por Rbb, Va = n Vbb/(1 + (R2/Rbb)) Si la temperatura baja el valor de Rbb baja, con lo cual el factor R2/Rbb sube y por consiguiente Va baja.

Si la temperatura sube el valor de Rbb sube, con lo cual el factor R2/Rbb baja y por consiguiente Va sube. Puede observarse entonces que las variaciones de Vd pueden ser compensadas con las de Va ya que estas ocurren en sentido opuesto, de tal forma que se mantiene el valor de Vp aproximadamente constante. Ahora, el rango de trabajo de la fuente de polarizacin Vbb est comprendido entre 10 y 35 voltios, lo cual hace que R2 vare entre 50 y 1 k. Empricamente se han encontrado los siguientes valores para compensacin: R2 = 100 para trabajo entre -55C y 25C R2 = 400 para trabajo entre 25C y 100C

En trminos generales se obtiene una buena compensacin con R2 = 100 . 3.3 Impedancia de carga Cualquiera de los tres terminales del UJT puede ser usado para obtener una seal de salida, siendo el ms utilizado el terminal correspondiente a la base B1, por lo cual es necesario adicionar una resistencia R1 externa como se muestra en la figura 13. El valor de R1 est limitado a valores tpicos de 100, aunque en algunas aplicaciones se utilizan transformadores de pulsos.

Figura 13. Resistencias externas al UJT 3.4 Aplicaciones DISPARO DE UN SCR. Una aplicacin bastante comn es el disparo de otros dispositivos como el SCR. Los elementos bsicos de un circuito de disparo como ese se muestran en la figura14. El resistor R1 se debe escoger para garantizar que la lnea de carga determinada por R1 pase a travs de las caractersticas del dispositivo en la regin de resistencia negativa; es decir, a la derecha del punto pico pero a la izquierda del punto de valle, como se ve en la figura14. Si la lnea de carga no pasa a la derecha del punto pico, no se puede encender el dispositivo.

14. Resistencias externas al UJT GENERADOR DE PULSOS DIENTE DE SIERRA.-Una de las aplicaciones del UJT ms comn es como generador de pulsos en diente de sierra. Estos pulsos resultan muy tiles para controlar el disparo de la puerta de TRIACS y SCR. En la siguiente figura15, se muestra el esquema de uno de estos circuitos.

Figura:15

Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensin VCC al circuito serie R-C, formado por la resistencia variable RS y el condensador CS, dicho condensador comienza a cargarse. Como este condensador est conectado al emisor, cuando se supere la tensin intrnseca, el UJT entrar en conduccin. Debido a que el valor hmico de la resistencia R1 es muy pequeo, el condensador se descargar rpidamente, y en el terminal de B1 aparecer un impulso de tensin. Al disminuir la corriente de descarga del condensador, sobre el emisor del UJT, por debajo de la de mantenimiento, ste se desceba y comienza otro nuevo ciclo de carga y descarga del condensador. As, se consigue que en el terminal de la base 1 aparezca una seal pulsante en forma de diente de sierra, que puede utilizarse para controlar los tiempos de disparo de un SCR o de un TRIAC. Para regular el tiempo de disparo es suficiente con modificar el valor hmico de la resistencia variable RS, ya que de sta depende la constante de tiempo de carga del condensador. Figura:16

En la siguiente figura 16, se muestra una tpica aplicacin del generador de pulsos de diente de sierra con UJT para controlar el disparo de un SCR. Mediante este circuito controlamos la velocidad de un motor serie (o de cualquier otro tipo de carga: estufas, lmparas, etc) gracias a la regulacin de la corriente que realiza sobre medio ciclo del SCR. Para controlar la

velocidad del motor, basta con modificar la frecuencia de los pulsos en dientes de sierra, lo cual se consigue variando el valor del potencimetro RS.

OSCILADOR DE RELAJACION.-Es el corazn de muchos timers y circuitos osciladores. La figura 17 muestra un circuito tpico constituido por un UJT, una red ReCe, las resistencias de carga y compensacin R1 y R2, as como las formas de onda desarrolladas en cada uno de los terminales. El circuito trabaja de la siguiente forma: Cuando se prende la alimentacin, el condensador Ce se carga a travs de Re hasta que se alcanza el nivel Vp. En este punto, el UJT entra en conduccin haciendo que la resistencia Rb1 tienda a un valor cercano a cero, permitiendo que un pulso de corriente correspondiente a la descarga del condensador fluya por R1 y de esta forma se desarrolle tambin un pulso de voltaje en el terminal B1. Simultneamente con el pico positivo en B1, aparece uno negativo en B2. Esto sucede debido a que la repentina cada en Rb1 provoca tambin una repentina reduccin en la resistencia total entre Vbb y tierra, y consecuentemente un incremento en la corriente por R2, el cual provoca una mayor cada a travs de R2 creando finalmente un pico de voltaje negativo en el terminal B2.

Figura 17. Oscilador de Relajacin con UJT

En el terminal de emisor, se desarrolla una seal diente de sierra, la cual no es totalmente lineal debido a la carga exponencial del condensador puesto que este no se carga a una rata constante. Por otro lado, la parte baja de la seal no es exactamente cero voltios. Hay dos razones para que esto ocurra:

- El voltaje emisor-base B1 jams alcanza el valor cero, sino el voltaje de valle Vv. - Hay siempre alguna cada de voltaje a travs de R1, debido a la corriente que fluye a travs del UJT. Asumiendo que el condensador est inicialmente descargado, al aplicarse la tensin de polarizacin, este trata de cargarse hasta el valor de fuente con una constante de tiempo dada por ReCe. Cuando el voltaje sobre el condensador se hace igual al valor Vp del UJT, ste se dispara, entrando en conduccin, aumentando la corriente de emisor y disminuyendo la tensin, o sea que el condensador empieza a descargarse a travs de la baja impedancia que ve entre emisor y tierra. La constante de descarga ser aproximadamente R'Ce, donde R' es la suma de R1 y la resistencia del diodo. Es claro que la constante de carga es mucho mayor que la de descarga. Cuando el condensador se descarga, entra de nuevo el UJT en la regin de bloqueo puesto que la tensin en el terminal de emisor se hace menor que el voltaje Vp. Al iniciarse nuevamente el proceso, se repite el ciclo. Puesto que el circuito anterior es un oscilador a resistencia negativa, es necesario cumplir con la condicin general impuesta para este tipo de circuitos, y es que la lnea de carga corte la caracterstica en su regin de resistencia negativa.

Figura 16. Rectas de carga en UJTs 4. PROCESO DE FABRICACION Descripcin general:

El transistor uniunin (en ingls UJT: UniJuntion Transistor) est formado por una resistencia de silicio (de 4 a 9 K) tipo N con tres terminales, dos bases, B1 y B2, y un emisor (unin NP). Smbolos ujt canal n y canal p:

Fabricacin: Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta cuando inicia la seal de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta. El UJT es un dispositivo de tres terminales cuya construccin bsica se muestra en la figura. Una pastilla de material de silicio tipo n levemente dopado tiene dos contactos base fijados a los dos extremos de una superficie y una barra de aluminio ligada a la superficie opuesta. La unin p-n nica explica la terminologa monounion.

5. Materiales Generalmente se fabrican con materiales semiconductores:

5.1 Semiconductores: Para comprender cmo funcionan los diodos, transistores y circuitos integrados es necesario estudiar los materiales semiconductores: materiales que no se comportan ni como conductores ni como aislantes. Los semiconductores poseen algunos electrones libres, pero lo que les confiere un carcter especial es la presencia de huecos. La estructura de los semiconductores es monocristalina, igual que la de los materiales aislantes. Entre los materiales semiconductores, los ms utilizados en electrnica son el silicio y el germanio. El silicio es un elemento abundante en la naturaleza, y su coste es bajo, aunque resulta encarecido por el proceso de purificacin al que se debe ser sometido. Otros

semiconductores son elementos compuestos, como el arseniuro de galio, el fosfuro de indio o el sulfuro de plomo 5.2 Semiconductores: Estructura atmica del silicio y del germanio El tomo, como hemos visto antes, est constituido por un ncleo rodeado de electrones. El ncleo atrae a los electrones, pues tiene una carga positiva, pero, gracias a la fuerza centrfuga, el electrn se mueve en una rbita estable. Basndonos en la teora de Bohr y Sommerfeld sobre la estructura atmica, analizaremos la distribucin de protones, electrones y neutrones en los tomos del silicio y del germanio. 5.3 El germanio El germanio es un ejemplo de semiconductor. En la figura 2 se muestra un tomo de germanio. En el centro se halla un ncleo con 32 protones. En este caso los electrones se distribuyen como sigue: 2 electrones en la primera rbita, 8 en la segunda y 18 en la tercera. Los ltimos 4 electrones se localizan en la rbita exterior o de valencia.

Figura 2. tomo de germanio Figura 2.1. tomo de silicio 5.4 El silicio El material semiconductor ms ampliamente utilizado es el silicio. Un tomo aislado de silicio tiene 14 protones y 14 electrones. Como puede apreciarse en la figura 2.1, la primera rbita contiene 2 electrones, y la segunda contiene 8. Los 4 electrones restantes se hallan en la rbita exterior.

En la figura 2.1, el ncleo y las dos primeras rbitas constituyen la parte interna del tomo de silicio. Esta parte interna tiene una carga resultante de +4 debido a los 14 protones en el ncleo y los 10 electrones de las dos primeras rbitas. Obsrvese que hay 4 electrones en la rbita exterior o de valencia; por este motivo, el silicio es un semiconductor.

6. Costos y categorias Presios

En bolivianos esta alrededor de 14.58Bs., 8.79Bs. y 2.73Bs

7. Concluciones Es un dispositivo utilizado para los circuitos de disparo, gatillado de dispositivos de conmutacion de potencia. Esta construido por una unica juntura PN con efecto canal. Presenta una resistensia nornal denominada Rbb que depende de dopado y seccion alrededor de (5/10 Kohm)

8. Bibliografia html.rincondelvago.com