Thermische Probleme / Wrmeableitung

341
21 Thermische Probleme / Wrmeableitung
Wird ein elektrisches Bauelement von Strom durchflossen, so wird Energie in Form von
Wrme (Verlustenergie, Verlustleistung) freigesetzt und fhrt zu einer Erwrmung des
Bauelementes.
Die zugefhrte Wrme muss abgeleitet werden, sonst wird das Bauteil thermisch zerstrt.
21.1 Temperaturerhhung von Bauelementen durch Wrmefreisetzung
21.1.1 Verlustwrme - Verlustleistung
Die in einem Zeitintervall t =t
2
- t
1
durch Stromfluss freigesetzte und in Wrme umge-
wandelte Energie W
th
(Verlustwrme) betrgt:

=
2
1
t
t
th
dt ) t ( u ) t ( i W

Fr die Verlustleistung P
th
gilt:
t
W
P
th
th

=

Bei Halbleiterbauelementen mit pn-bergngen wird die Verlustwrme im wesentlichen im
Bereich der Sperrschichten frei.
21.1.2 Wrmekapazitt
Die durch Energiezufuhr in einem Bauteil bewirkte Temperaturerhhung =
2
-
1
ist
proportional zur zugefhrten Wrmeenergie.
Die Proportionalittskonstante ist die Wrmekapazitt C
th
des betroffenen Bauteils.

=
th
th
W
C
Sie gibt an, welche Wrmemenge W
th
zu einer Erwrmung um fhrt.
Man beachte die Analogie zur elektrischen Kapazitt
U
Q
C =
Fr die Wrmekapazitt gilt: m c C
th
=
mit C
th
=Wrmekapazitt in
K
Ws

m =erwrmte Masse in kg
c =spezifische Wrmekapazitt in
kg K
Ws

Material Si Al Cu
c in Ws/Kkg 740 890 380
J e grer die Masse und je grer die spezifische Wrmekapazitt ist, um so geringer ist der
Temperaturanstieg, den eine bestimmte Wrmemenge verursacht.
Thermische Probleme / Wrmeableitung
342
21.2 Wrmeableitung
Die Temperaturdifferenz zwischen dem Ort der Wrmefreisetzung innerhalb des
Bauelementes und der Umgebung fhrt zu einer Wrmeabgabe an die Umgebung.
Die Wrmeabgabe (der Wrmefluss) erfolgt durch Wrmeleitung, durch Konvektion
und / oder durch Wrmeabstrahlung.
Im thermodynamischen Gleichgewicht (nach dem Abklingen von Ausgleichsvorgngen bei
Lastwechseln) ist die zugefhrte Verlustleistung gleich der abgefhrten Leistung. Die
Temperaturdifferenz zwischen Bauelement und Umgebung ist dann konstant.
21.2.1 Der Wrmewiderstand
Beim Wrmefluss durch Wrmeleitung oder durch Konvektion ist die fr den Wrmefluss
verantwortliche Temperaturdifferenz (Ursachengre) proportional zu der abgefhrten
Wrmeleistung P
th
(Wirkungsgre).
Der Proportionalittsfaktor ist der Wrmewiderstand
th
th
P
R

=
Man beachte die Analogie zum elektrischen Widerstand
I
U
R =
Wegen der Analogie zum ohmschen Gesetz der Elektrotechnik wird die obige Gleichung fr
R
th
das ohmsche Gesetz der Wrmeleitung genannt.
Zur Ableitung groer Verlustleistungen muss der Wrmewiderstand klein sein.
21.2.2 Wrmewiderstand bei Wrmeleitung
Der Wrmefluss innerhalb eines Materials wird Wrmeleitung genannt. Hierbei handelt es
sich um einen reinen Energiefluss ohne Materialtransport.
Fr die Wrmeleitung von einem Ort x
1
mit der Temperatur
1
zu einem Ort x
2
mit der
Temperatur
2
gilt

=
x
R
th

mit x =x
2
- x
1
=Abstand der Orte x
1
und x
2

A =durchstrmte Flche
=Wrmeleitzahl

Material Al Cu Ms Stahl Si Ge Luft
in W/Km 210 380 117 40 ... 60 82 63 0,024 ... 0,028
Man beachte auch hier die Analogie zum elektrischen Widerstand eines Leiters (Lnge x)

A
x
R

=
Fr einen geringen Wrmewiderstand mssen der Weg x der Wrmeableitung mglichst
klein und die Querschnittsflche A sowie die Wrmeleitfhigkeit des ableitenden
Materials mglichst gro sein. Aus diesem Grunde sind Leistungs-Halbleiter in
Metallgehusen untergebracht (groes ), wobei der Halbleiterkristall mglichst groflchig
(groe Flche A) unmittelbar auf dem Gehuse befestigt ist (kleiner Weg x). Das Gehuse
stellt dann gleichzeitig einen Bauelementanschluss dar.
Thermische Probleme / Wrmeableitung
343
21.2.3 Wrmewiderstand bei Konvektion
Der Wrmebergang von einem Festkrper auf ein umgebendes flssiges oder gasfrmiges
Medium wird als Konvektion bezeichnet. Die Wrmeabgabe wird hierbei durch Bewegung
des umgebenden Mediums beeinflusst (z.B. Abtransport erwrmten und Zufuhr nicht
erwrmten Mediums).
Es ergibt sich ein Wrmewiderstand:
A
1
R
th

=
mit A =Khlflche
=Wrmebergangskoeffizient
bergang von Metall
nach ruhende Luft ruhendes Wasser strmendes Wasser
in W/Km
2
10 350
350 +2000 v
mit v in m/s
Fr einen geringen Wrmewiderstand mssen die Khlflche A und der Wrmebergangs-
koeffizient mglichst gro sein.
21.2.4 Wrmestrahlung
Neben Wrmeleitung und Konvektion trgt die Wrmestrahlung zur Wrmeabgabe bei.
Die abgegebene Wrmeleistung ergibt sich aus:
) T T ( A P
4
Umg
4
KF KF th
=
mit A =Khlflche
und
KF
=Strahlungskonstante der Khlflche
z.B. Schwarzer Krper:
4 2
8
KF
K m
W
10 67 , 5

=


Da die Temperaturen der abstrahlenden Flche und der Umgebung mit der vierten Potenz
eingehen, lsst sich die Wrmeabstrahlung nicht durch einen linearen Wrmewiderstand
darstellen.
21.2.5 Khlflchenberechnung
Der Wrmewiderstand eines ebenen Khlbleches der Flche A und der Dicke d gegenber
der Umgebung (ruhende Luft) lsst sich nach folgender empirischen Formel ermitteln:
C
A
650
C
d
3 , 3
R
25 , 0
th
+

=
mit [d] =mm, [A] =cm
2
, [] =W/(Kcm), [R
th
] =K/W
Der Wert der Konstante C ist folgender Tabelle zu entnehmen:
blank geschwrzt
A senkrecht 0,85 0,43
A waagerecht 1 0,5
Den Wrmewiderstand industriell gefertigter Khlkrper entnimmt man dem Datenblatt.
Thermische Probleme / Wrmeableitung
344
21.3 Der Wrmestromkreis
Die Wrmeerzeugung in einem elektrischen Bauteil und die Wrmeableitung in die
Umgebung bilden einen Wrmestromkreis.
Der Wrmefluss vom Bauteilinneren zur Umgebung erfolgt in der Regel durch unterschied-
liche Materialien (Halbleiter, Metall usw.) hindurch, ber deren Berhrungsflchen hinweg
und mittels unterschiedlicher Mechanismen. Der Gesamt-Wrmewiderstand ergibt sich daher
immer aus dem Zusammenwirken mehrerer Teilwiderstnde.
Abbildung 21-1 zeigt schematisch einen zur Wrmeableitung auf einen Khlkrper mon-
tierten Leistungstransistor (Gehuseform TO-3). In der Abbildung ist der Transistor durch
eine Glimmerscheibe elektrisch gegenber dem Khlkrper isoliert.
Abbildung 21-1 Leistungstransistor auf Khlkrper (Schnittbild)









Die Abbildung 21-2 zeigt den Wrmestromkreis, den ein Halbleiterbauelement mit Khl-
krper und Umgebung bildet. Wegen der Analogie mit elektrischen Gren, wird der
Wrmestromkreis mit Symbolen, die der Elektrotechnik entliehen sind, dargestellt.
Die Wrmeleistung P
th
wird in der Sperrschicht des Bauteils (Index j) freigesetzt und von
dort ber den restlichen Halbleiterkristall (Index Si), das Gehuse (Index G) und den Khl-
krper (Index K) an die Umgebung (Index U) abgeleitet.

Abbildung 21-2 Wrmestromkreis eines Halbleiterbauelementes mit Khlkrper










Zur Vereinfachung sind die ber das gesamte Volumen eines Teiles verteilten
Wrmekapazitten jeweils zu einer Gesamtkapazitt zusammengefasst. J edem Einzelteil ist
auerdem eine einheitliche mittlere Temperatur zugeordnet. Auch die ber das Volumen
verteilten Wrmewiderstnde sind zu diskreten Einzelwiderstnden konzentriert.
Transistor-
Gehuse
Khlkrper
Glimmer-
Scheibe
Kristall
P
th

j

Si

G

K

U

C
th/Si
C
th/G
C
th/K

R
th/j-Si
R
th/Si-G

R
th/G-K
R
th/K-U

j-Si

Si-G

G-K

K-U

Thermische Probleme / Wrmeableitung
345
Die Wrmewiderstnde von der Sperrschicht eines Halbleiterbauelementes bis zum Gehuse
bilden den inneren Wrmewiderstand (thermischer Innenwiderstand)

th
G j
G j / th
P
R

=

Er ist konstruktiv bestimmt und kann nur vom Hersteller, nicht jedoch vom Anwender des
Bauelementes beeinflusst werden.
Im folgenden werden beispielhaft Daten fr den inneren Wrmewiderstand von Transistoren
genannt:
* Kleinleistungstransistoren: R
th/j-G
>15 K/W
z.B. Kleinsignaltransistoren: R
th/j-G
50 ... 1000 K/W je nach Gehuse
* Leistungstransistoren: R
th/j-G
<15 K/W
z.B. TO-3-Gehuse: R
th/j-G
1,5 K/W
TO-66-Gehuse: R
th/j-G
6 K/W
Die Wrmewiderstnde vom Gehuse des Bauelementes bis in die Umgebung bilden den
ueren Wrmewiderstand (thermischer Auenwiderstand)

th
U G
U G / th
P
R

=

Er kann vom Anwender durch die Bauelement-Montage, durch Khlkrper und evtl. durch
forcierte Khlung stark beeinflusst werden.
* Kleinleistungshalbleiter:
Sie werden meist ohne zustzliche Hilfsmittel zur Wrmeabfuhr montiert. Die
Verlustwrme wird ber die Gehuseoberflche abgefhrt. J ede Gehuseform hat dabei
einen charakteristischen thermischen Oberflchenwiderstand.
z.B. (Angaben beziehen sich meist auf den thermischen Gesamt(!)widerstand R
th/j-U
)
Metall-Gehuse Plastik-Gehuse R
th/j-U
Anmerkung
TO-18 TO-92 500 K/W
TO-72 750 K/W
TO-5 TO-126 220 K/W
TO-3 TO-3P 60 K/W ohne Khlkrper
* Leistungshalbleiter:
Wenn grere Wrmemengen abgeleitet werden mssen, dann werden spezielle
Khlkrper verwendet. Diese Khlkrper sind so gestaltet, dass sie sowohl einen
groflchigen und engen Kontakt zu dem zu khlenden Bauelement (kleiner
Wrmewiderstand fr die Wrmeleitung vom Bauelement zum Khlkrper) als auch
zahlreiche Khlrippen mit einer sehr groen Berhrungsflche zum umgebenden Medium
besitzen (kleiner Wrmewiderstand fr die Wrmeabfuhr durch Konvektion).
Fr die Khlung mit ruhender Luft sind die Khlkrper so anzuordnen, dass die
Khlrippen senkrecht stehen und sich eine Kaminwirkung zwischen den Khlrippen
bilden kann (strkere Konvektion). Eine weitere Verstrkung der Konvektion ist mit
Ventilatoren mglich. Reicht auch dies nicht aus, kann eine Wasserkhlung vorgesehen
werden.
Thermische Probleme / Wrmeableitung
346
Elektrische Isolation:
Zur besseren Wrmeableitung wird der Halbleiterkristall von Leistungsbauelementen
mglichst groflchig mit dem metallischen Gehuse in Kontakt gebracht (aufgeltet oder
bei groen Leistungen mechanisch angepresst). Dadurch entsteht eine leitende Verbindung
zwischen Kristall und Gehuse. Das Gehuse wird zum Bauteilanschluss.
Bei manchen Gehuseformen lsst sich mit Hilfe einer Glimmerscheibe (oder Silicon-
kunststofffolie) eine elektrische Trennung von Gehuse und Khlkrper erreichen (siehe
Abbildung 21-1). Gehuse und Khlkrper knnen dann auf unterschiedlichen elektri-
schen Potentialen liegen. Die Isolierscheibe erhht jedoch den Wrmewiderstand und kann
daher nur fr mittlere Verlustleistungen (z.B. bis etwa 100 W) eingesetzt werden.
z.B. R
th/G-K
einer Glimmerscheibe fr TO-3-Gehuse:
Scheibendicke ungefettet gefettet
50 m 1,25 K/W 0,35 K/W
100 m 1,5 K/W 0,6 K/W
21.4 Berechnung des Wrmestromkreises
21.4.1 Analogie thermischer und elektrischer Gren
An den Gren Wrmekapazitt, Wrmefluss, Wrmewiderstand und Wrmeleitfhigkeit
wurde erkennbar, dass im Hinblick auf die thermischen Effekte viele Analogien zu
elektrischen Gren auftreten. In der Tabelle 21-1 sind einige sich entsprechende Gren
einander gegenbergestellt.
Tabelle 21-1 Entsprechung thermischer und elektrischer Gren
thermische Gren elektrische Gren
Wrmemenge W
th
=P
th
t =C
th
Ladungsmenge Q =It =CU
Wrmestrom P
th
=W
th
/t Strom I =Q/t
Temperaturintervall =
2
-
1
Spannung U =
2
-
1

Wrmekapazitt C
th
=W
th
/ Kapazitt C =Q/U
Wrmewiderstand R
th
=/ P
th
Widerstand R =U/I
Wrmeleitfhigkeit Leitfhigkeit (=)
Die Tabelle zeigt, dass der Ladungsmenge Q im elektrischen System die Wrmemenge W
th

(=Wrmeenergie) im thermischen System entspricht. Konsequenterweise entspricht einer
pro Zeiteinheit transportierten Ladung (=Strom I) eine pro Zeiteinheit transportierte
Wrmeenergie (=Wrmeleistung P
th
). In Analogie zum elektrischen System sprechen wir
vom Wrmestrom P
th
. Weiterhin entsprechen sich die Ursachengren Spannung U und
Temperaturdifferenz usw..
Wegen der vorhandenen Analogien lassen sich die Berechnungsmethoden elektrischer
Stromkreise auf den Wrmestromkreis bertragen.
Neben dem Ohmschen Gesetz lassen sich daher auch die Kirchhoffschen Regeln, die Rechen-
vorschriften fr die Reihen- und Parallelschaltung von Widerstnden und Kapazitten, die
Differentialgleichungen fr Ausgleichsvorgnge an RC-Kombinationen und ihre Lsungen
usw. auf Wrmestromkreise anwenden.
Thermische Probleme / Wrmeableitung
347
Beispiele:
Reihenschaltung von Wrmewiderstnden: =
=
=
n i
1 i
th th
i ges
R R
Parallelschaltung von Wrmewiderstnden: =
=
=
n i
1 i
th th
i ges
G G mit
th
th
R
1
G =
Parallelschaltung von Wrmekapazitten: =
=
=
n i
1 i
th th
i ges
C C
Aufladung der Wrmekapazitt:
dt
) ( d
C P
th th

=
21.4.2 Berechnung von Temperaturen im stationren Betrieb
Sind die Wrmewiderstnde und die auftretende Verlustleistung bekannt, so knnen die im
stationren Betrieb auftretenden Temperaturdifferenzen berechnet werden. Ist auch eine
Temperatur bekannt (z.B. die Umgebungstemperatur), so knnen alle anderen Temperaturen
errechnet werden:
* Berechnung der Sperrschichttemperatur aus der Umgebungstemperatur
Aus
th
U j
th
P
R
ges

=
ergibt sich
ges
th th U j
R P + =
mit
U K K G G Si Si j auen innen ges
th th th th th th th
R R R R R R R

+ + + = + =
* Berechnung der maximal zulssigen Gehusetemperatur aus der maximal zulssigen
Sperrschichttemperatur
Aus
th
G j
th
P
R
innen

=
ergibt sich
innen max max
th th j G
R P =

21.4.3 Reduzierung der zulssigen Verlustleistung bei hoher Umgebungstemperatur
Aus physikalischen Grnden darf die Sperrschichttemperatur von Halbleiterbauelementen
einen Maximalwert nicht berschreiten.
Halbleiter Ge Si GaAs
max
j
in C 70 ... 90 120 ... 200 300
Bei berschreiten dieser Maximalwerte knnen sich Bauelementedaten unzulssig ndern.
Insbesondere die Sperrstrme von pn-bergngen steigen.
- Dies fhrt evtl. zu hohen Sperrverlustleistungen mit weiterem Temperaturanstieg, wobei
dieser Mitkopplungseffekt bis zur thermischen Zerstrung fhren kann.
- Transistoren verstrken die Sperrstrme und schalten evtl. vllig durch.
- Thyristoren und Triacs verlieren ihre Blockierfhigkeit und znden von selbst usw..
Thermische Probleme / Wrmeableitung
348
Aus diesem Grunde geben die Bauelementhersteller fr jeden Bauelementtyp eine maximal
zulssige Verlustleistung P
tot
an.
Diese Verlustleistung P
tot
ist so bemessen, dass bei Betrieb bis zu einer vorgegebenen
Umgebungstemperatur
Umax
die maximal zulssige Sperrschichttemperatur
jmax
nicht
berschritten wird. In der Regel beziehen sich die Leistungsangaben der Hersteller auf
Umgebungstemperaturen von
Uref
=25 C
Bei berschreiten dieser vom Hersteller vorgegebenen Bezugstemperatur reduziert sich die
maximal zulssige Verlustleistung.
Daher gilt
tot th V
P P P
max max
= = fr
Uref U

und
tot
ref
U j
U j
th
U j
V
P
R
P
max
max
U j
max
max



=

=

fr
Uref U

Abbildung 21-3 zeigt grafisch den Verlauf der maximal zulssigen Verlustleistung in
Abhngigkeit von der Umgebungstemperatur

Abbildung 21-3
Maximal zulssige Verlustleistung
(Derating-Diagramm)





Bei (Leistungs-)Bauelementen, die grundstzlich mit Khlkrper betrieben werden, kann
anstelle einer Umgebungstemperatur
ref
U
auch eine bestimmte maximale Gehusetem-
peratur
ref
G
als Referenz zugrunde gelegt sein . Dies ergibt sich aus dem Datenblatt.
In den beiden o.g. Gleichungen und in Abbildung 21-3 ist dann jeweils der Index U gegen
den Index G auszutauschen
21.4.4 Thermische Ausgleichsvorgnge
Wegen der Wrmekapazitten ndern sich die Temperaturen der einzelnen Teile im Wrme-
stromkreis beim Ein- und Ausschalten (aber auch bei Lastwechseln) nicht sprunghaft. Das
thermodynamische Gleichgewicht wird vielmehr erst nach Abklingen von Ausgleichsvor-
gngen erreicht.
Der zeitliche Verlauf der einzelnen Temperaturen in einem Wrmestromkreis lsst sich mit
Hilfe von Differentialgleichungen beschreiben und berechnen. Das Differentialgleichungs-
system und seine Lsungen sind jedoch bereits fr einen stark vereinfachten Wrmestrom-
kreis entsprechend Abbildung 21-2 so kompliziert, dass sie sich ohne Rechneruntersttzung
und ohne geeignete Mathematik-Software kaum lsen lassen.
Hufig sind jedoch die einzelnen Wrmekapazitten und damit die Zeitkonstanten fr die
Erwrmung der einzelnen Teile so unterschiedlich, dass die Ausgleichvorgnge
nherungsweise in Einzelschritten berechnet werden knnen.
R
th
j U

j/max

Uref

P
V/max

P
tot

Thermische Probleme / Wrmeableitung
349
Erwrmung oder Abkhlung des Halbleiterkristalls bei konstanter Gehusetemperatur:
Bei metallgekapselten Halbleiter-Bauelementen ist die Wrmekapazitt des Gehuses meist
sehr viel grer als die des Halbleiterkristalls. Nach dem Einschalten wird sich daher die
Temperaturdifferenz zwischen Kristall und Gehuse voll aufbauen, ehe die
Gehusetemperatur merklich zu steigen beginnt. Beim Ausschalten wird sich der Kristall auf
die Gehusetemperatur abkhlen, ehe die Gehusetemperatur merklich zu sinken beginnt.
Abbildung 21-4 zeigt das Ersatzschaltbild des Wrmestromkreises fr das Zeitintervall, in
dem die Wrmekapazitt des Halbleiterkristalls auf- bzw. entladen wird, whrend sich die
Gehusetemperatur noch nicht ndert.

Abbildung 21-4
Erwrmung bzw. Abkhlung
(1)

des Halbleiterkristalls bei
konstanter Gehusetemperatur



Fr die mittlere Kristalltemperatur ergeben sich dann folgende Zeitverlufe:
* beim Einschalten: )]} / t exp( 1 [ R P { ) t (
G Si / th th G Si
+


* beim Ausschalten: )} / t exp( R P { ) t (
G Si / th th G Si
+


In beiden Gleichungen bedeutet: exp(x) =e
x

und =C
th/Si
R
th/Si-G

Fr den zeitlichen Verlauf der Sperrschichttemperatur gilt:
* beim Einschalten
j
(t)
Si
(t) +P
th
R
th/j-Si

* beim Ausschalten
j
(t)
Si
(t)

Aufwrmung bzw. Abkhlung des Gehuses bei konstanter Khlkrpertemperatur:
Ist die Wrmekapazitt des Khlkrpers sehr viel grer als die des Gehuses, so wird sich
die Temperaturdifferenz zwischen Gehuse und Khlkrper nach dem Einschalten voll
aufbauen, noch ehe die Khlkrpertemperatur merklich zu steigen beginnt.
Beim Ausschalten wird sich das Gehuse und damit das gesamte Bauelement auf die
Khlkrpertemperatur abkhlen, noch ehe die Khlkrpertemperatur merklich zu sinken
beginnt.
Abbildung 21-5 zeigt das Ersatzschaltbild fr das Zeitintervall, in dem die Wrmekapazitt
des Gehuses auf- bzw. entladen wird, whrend sich die Khlkrpertemperatur noch nicht
ndert.
Da die Wrmekapazitt C
th/Si
voraussetzungsgem sehr viel kleiner als C
th/G
sein soll,
beeinflusst sie den Vorgang nicht wesentlich und wurde weggelassen.

(1)
Fr den Fall des Ausschaltens ist die Verlustleistung P
th
auf 0 zu setzen (=Unterbrechung der
Quelle). Dies gilt auch fr Abbildung 21-5 und Abbildung 21-6.
P
th

j

Si

G
=konst.
C
th/Si

R
th/j-Si
R
th/Si-G

j-Si

Si-G

Thermische Probleme / Wrmeableitung
350

Abbildung 21-5
Erwrmung bzw. Abkhlung
des Gehuses bei konstanter
Khlkrpertemperatur


Fr die mittlere Gehusetemperatur ergeben sich dann folgende Zeitverlufe:
* beim Einschalten: )]} / t exp( 1 [ R P { ) t (
K G / th th K G
+


* beim Ausschalten: )} / t exp( R P { ) t (
K G / th th K G
+


In beiden Gleichungen bedeutet: =C
th/G
R
th/G-K

Fr die Zeitverlufe der Sperrschichttemperatur gilt:
* beim Einschalten
j
(t)
G
(t) +P
th
(R
th/j-Si
+R
th/Si-G
)
* beim Ausschalten
j
(t)
G
(t)
Aufwrmung bzw. Abkhlung des Khlkrpers:
Sind die bauelementinternen Wrmekapazitten sehr viel kleiner als die des Khlkrpers, so
kann ihr Einfluss auf Erwrmung bzw. Abkhlung des Khlkrpers vernachlssigt werden.
Abbildung 21-6 zeigt ein entsprechendes Ersatzschaltbild.

Abbildung 21-6 Erwrmung bzw. Abkhlung des Khlkrpers







Fr die mittlere Khlkrpertemperatur ergeben sich dann folgende Zeitverlufe:
* beim Einschalten: )]} / t exp( 1 [ R P { ) t (
U K / th th U K
+


* beim Ausschalten: )} / t exp( R P { ) t (
U K / th th U K
+


In beiden Gleichungen bedeutet: =C
th/K
R
th/K-U

Fr die Sperrschichttemperatur gilt:
* beim Einschalten:
j
(t)
K
(t) +P
th
(R
th/j-Si
+R
th/Si-G
+R
th/G-K
)
* beim Ausschalten:
j
(t)
K
(t)
hnliche berlegungen und Vereinfachungen sind auch zulssig bei Betrieb der Bauelemente
mit Wechselstrom. Khlkrper- und Gehusetemperatur und meistens auch die mittlere
Kristalltemperatur sind bereits bei Frequenzen von z.B. f 50 Hz konstant und knnen der
Wechselbeanspruchung nicht mehr folgen
P
th

j

Si

G

K
=konst
C
th/G

R
th/j-Si
R
th/Si-G

R
th/G-K

j-Si

Si-G

G-K

P
th

j

Si

G

K

U

C
th/K

R
th/j-Si
R
th/Si-G

R
th/G-K
R
th/K-U

j-Si

Si-G

G-K

K-U

Thermische Probleme / Wrmeableitung
351
21.5 bungsaufgaben zu thermischen Problemen
Aufgabe 21-1: Wrmeableitung an einer Diode
Eine Diode mit U
F0
=0,6 V und r
f
=60 m wird von einem konstanten Strom I
F
=2,5 A
durchflossen.

Wie gro ist die maximal zulssige Umgebungstemperatur
Umax
und die maximal zulssige
Gehusetemperatur
Gmax
, wenn eine Sperrschichttemperatur
jmax
=175 C nicht
berschritten werden darf ?

Es sei: R
th(innen)
=20 K/W, R
th(auen)
=50 K/W
Aufgabe 21-2: Thermische Probleme am Transistor
Fr den Transistor 2N3055 gilt:
jmax
=200 C;
P
tot
=117 W fr
G
25 C


Bei Betrieb ohne Khlkrper gilt: P
tot
=3 W fr
U
25 C

(a) Wie gro ist der Wrmewiderstand R
th/j-U
ohne Khlkrper?

(b) Wie gro ist die Sperrschichttemperatur wenn der Transistor ohne Khlkrper mit
P
V
=2,5 W bei
U
=80 C betrieben wird?

(c) Welchen Wrmewiderstand muss ein Khlkrper besitzen, wenn die maximal zulssige
Sperrschichttemperatur bei einer Verlustleistung von 50 W und einer
Umgebungstemperatur von 55 C nicht berschritten werden soll?
Aufgabe 21-3: Khlung mit forcierter Konvektion
Der Microprozessor-Chip in einem Notebook-Computer hat eine mittlere
Leistungsaufnahme von P
V
=5 W
Zur Wrmeableitung ist ein Mini-Lfter (Ventilator) eingebaut, durch den sich ein uerer
Wrmewiderstand W K R
a
th
10 = , eine Umgebungstemperatur C
U
= 45 und eine
Sperrschichttemperatur C
J
=175 ergibt.
Beim Ausfall des Lfters steigt der uere Wrmewiderstand auf W K R
a
th
20 = und die
Lufttemperatur in der Umgebung des Prozessor-Chips auf C
U
= 90
(a) Wie gro ist der innere Wrmewiderstand des Prozessorchips?
(b) Welche Sperrschichttemperatur ergibt sich bei Lfterausfall?

Thermische Probleme / Wrmeableitung
352
Aufgabe 21-4: Leistungssprung am Transistor






Ein Transistor 2N3055 wird mit Khlkrper TK30 und 100-m-Glimmer-Isolierscheibe
betrieben.
Es gelten folgende Daten:
Umgebungstemperatur:
U
=25 C
Transistor: R
th/j-G
=1,5 K/W
Isolierscheibe: R
th/G-K
=0,6 K/W
Khlkrper: R
th/K-U
=0,68 K/W
m =800 g (Masse)

kg K
Ws 890
c

= (Spezifische Wrmekapazitt)
Zum Zeitpunkt t =0 ndert sich die Verlustleistung des Transistors sprunghaft von
P
V1
=25 W auf P
V2
=60 W.
(a) Welche statischen Temperaturen
K
,
G
,
j
liegen vor dem Leistungssprung (Index 1)
und lngere Zeit nach dem Leistungssprung (Index 2) vor ?
(b) Mit welcher Zeitkonstante ndert sich die Khlkrpertemperatur ?
(c) Welche Khlkrpertemperatur liegt zum Zeitpunkt t =2 vor ?

P
th

j

Si

G

K

U

C
th/K

R
th/j-Si
R
th/Si-G
R
th/G-K
R
th/K-U

j-

Si-

G-

K-