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Thermische Probleme / Wärmeableitung

21 Thermische Probleme / Wärmeableitung

Wird ein elektrisches Bauelement von Strom durchflossen, so wird Energie in Form von Wärme (Verlustenergie, Verlustleistung) freigesetzt und führt zu einer Erwärmung des Bauelementes.

Die zugeführte Wärme muss abgeleitet werden, sonst wird das Bauteil thermisch zerstört.

21.1 Temperaturerhöhung von Bauelementen durch Wärmefreisetzung

21.1.1Verlustwärme - Verlustleistung

Die in einem Zeitintervall t = t 2 - t 1

wandelte Energie W th (Verlustwärme) beträgt:

durch Stromfluss freigesetzte und in Wärme umge-

W th

=

t

2

i(t)

t

1

u(t) dt

Für die Verlustleistung P th

gilt:

P

th

=

W

th

t

Bei Halbleiterbauelementen mit pn-Übergängen wird die Verlustwärme im wesentlichen im Bereich der Sperrschichten frei.

21.1.2Wärmekapazität

Die durch Energiezufuhr in einem Bauteil bewirkte Temperaturerhöhung ∆ϑ = ϑ 2 - ϑ 1 proportional zur zugeführten Wärmeenergie.

Die Proportionalitätskonstante ist die Wärmekapazität C th des betroffenen Bauteils.

C

th

=

W

th

∆ϑ

ist

Sie gibt an, welche Wärmemenge W th zu einer Erwärmung um ∆ϑ führt.

Man beachte die Analogie zur elektrischen Kapazität

Für die Wärmekapazität gilt:

C

th

=

c

m

mit

C th = Wärmekapazität in

C =

Ws

K

Q

U

m = erwärmte Masse in kg

c = spezifische Wärmekapazität in

Ws

K

kg

Material

Si

Al

Cu

c in Ws/Kkg

740

890

380

Je größer die Masse und je größer die spezifische Wärmekapazität ist, um so geringer ist der Temperaturanstieg, den eine bestimmte Wärmemenge verursacht.

341

Thermische Probleme / Wärmeableitung

21.2

Wärmeableitung

Die Temperaturdifferenz ∆ϑ zwischen dem Ort der Wärmefreisetzung innerhalb des Bauelementes und der Umgebung führt zu einer Wärmeabgabe an die Umgebung.

Die Wärmeabgabe (der Wärmefluss) erfolgt durch Wärmeleitung, durch Konvektion und / oder durch Wärmeabstrahlung.

Im thermodynamischen Gleichgewicht (nach dem Abklingen von Ausgleichsvorgängen bei Lastwechseln) ist die zugeführte Verlustleistung gleich der abgeführten Leistung. Die Temperaturdifferenz zwischen Bauelement und Umgebung ist dann konstant.

21.2.1Der Wärmewiderstand

Beim Wärmefluss durch Wärmeleitung oder durch Konvektion ist die für den Wärmefluss verantwortliche Temperaturdifferenz ∆ϑ (Ursachengröße) proportional zu der abgeführten Wärmeleistung P th (Wirkungsgröße).

Der Proportionalitätsfaktor ist der Wärmewiderstand

=

∆ϑ

P th

R

th

Man beachte die Analogie zum elektrischen Widerstand

R =

U

I

Wegen der Analogie zum ohmschen Gesetz der Elektrotechnik wird die obige Gleichung für R th das ohmsche Gesetz der Wärmeleitung genannt.

Zur Ableitung großer Verlustleistungen muss der Wärmewiderstand klein sein.

21.2.2Wärmewiderstand bei Wärmeleitung

Der Wärmefluss innerhalb eines Materials wird Wärmeleitung genannt. Hierbei handelt es sich um einen reinen Energiefluss ohne Materialtransport.

Für die Wärmeleitung von einem Ort x 1 mit der Temperatur ϑ 1 Temperatur ϑ 2 gilt

zu einem Ort x 2 mit der

R th

=

x

λ ⋅ Α

mit

x = x 2 - x 1 = Abstand der Orte x 1 und x 2 A = durchströmte Fläche λ = Wärmeleitzahl

Material

Al

Cu

Ms

Stahl

Si

Ge

Luft

λ in W/Km

210

380

117

40

60

82

63

0,024

0,028

Man beachte auch hier die Analogie zum elektrischen Widerstand eines Leiters (Länge x)

R =

x

κ ⋅ A

Für einen geringen Wärmewiderstand müssen der Weg x der Wärmeableitung möglichst klein und die Querschnittsfläche A sowie die Wärmeleitfähigkeit λ des ableitenden Materials möglichst groß sein. Aus diesem Grunde sind Leistungs-Halbleiter in Metallgehäusen untergebracht (großes λ), wobei der Halbleiterkristall möglichst großflächig (große Fläche A) unmittelbar auf dem Gehäuse befestigt ist (kleiner Weg x). Das Gehäuse stellt dann gleichzeitig einen Bauelementanschluss dar.

342

Thermische Probleme / Wärmeableitung

21.2.3Wärmewiderstand bei Konvektion

Der Wärmeübergang von einem Festkörper auf ein umgebendes flüssiges oder gasförmiges Medium wird als Konvektion bezeichnet. Die Wärmeabgabe wird hierbei durch Bewegung des umgebenden Mediums beeinflusst (z.B. Abtransport erwärmten und Zufuhr nicht erwärmten Mediums).

Es ergibt sich ein Wärmewiderstand:

R th

=

1

α ⋅ A

 

mit

A = Kühlfläche α = Wärmeübergangskoeffizient

 

Übergang von

 

Metall

nach

ruhende Luft

ruhendes Wasser

strömendes Wasser

α in W/Km 2

10

350

350 + 2000

v
v

mit v in

m/s

Für einen geringen Wärmewiderstand müssen die Kühlfläche A und der Wärmeübergangs- koeffizient möglichst groß sein.

21.2.4Wärmestrahlung

Neben Wärmeleitung und Konvektion trägt die Wärmestrahlung zur Wärmeabgabe bei.

Die abgegebene Wärmeleistung ergibt sich aus:

4 = σ ⋅ A ⋅ (T − T 4 ) P th KF KF
4
= σ
A
(T
T
4 )
P th
KF
KF
Umg

mit

A = Kühlfläche

und

σ KF = Strahlungskonstante der Kühlfläche

z.B.

Schwarzer Körper:

σ

KF

=

5,67 10

8 W

m

2

K

4

Da die Temperaturen der abstrahlenden Fläche und der Umgebung mit der vierten Potenz eingehen, lässt sich die Wärmeabstrahlung nicht durch einen linearen Wärmewiderstand darstellen.

21.2.5Kühlflächenberechnung

Der Wärmewiderstand eines ebenen Kühlbleches der Fläche A und der Dicke d gegenüber der Umgebung (ruhende Luft) lässt sich nach folgender empirischen Formel ermitteln:

mit

[d] = mm,

3,3 650 0,25 = ⋅ C + ⋅ C R th λ ⋅ d A
3,3
650
0,25
=
C
+
⋅ C
R th
λ ⋅ d
A
[A] = cm 2 ,
[λ] = W/(K⋅cm),

[R th ] = K/W

Der Wert der Konstante C ist folgender Tabelle zu entnehmen:

 

blank

geschwärzt

A senkrecht

0,85

0,43

A waagerecht

1

0,5

Den Wärmewiderstand industriell gefertigter Kühlkörper entnimmt man dem Datenblatt.

343

Thermische Probleme / Wärmeableitung

21.3 Der Wärmestromkreis

Die Wärmeerzeugung in einem elektrischen Bauteil und die Wärmeableitung in die Umgebung bilden einen Wärmestromkreis.

Der Wärmefluss vom Bauteilinneren zur Umgebung erfolgt in der Regel durch unterschied- liche Materialien (Halbleiter, Metall usw.) hindurch, über deren Berührungsflächen hinweg und mittels unterschiedlicher Mechanismen. Der Gesamt-Wärmewiderstand ergibt sich daher immer aus dem Zusammenwirken mehrerer Teilwiderstände.

Abbildung 21-1 zeigt schematisch einen zur Wärmeableitung auf einen Kühlkörper mon- tierten Leistungstransistor (Gehäuseform TO-3). In der Abbildung ist der Transistor durch eine Glimmerscheibe elektrisch gegenüber dem Kühlkörper isoliert.

Abbildung 21-1 Leistungstransistor auf Kühlkörper (Schnittbild) Transistor- Gehäuse Kristall Glimmer- Scheibe
Abbildung 21-1
Leistungstransistor auf Kühlkörper (Schnittbild)
Transistor-
Gehäuse
Kristall
Glimmer-
Scheibe
Kühlkörper

Die Abbildung 21-2 zeigt den Wärmestromkreis, den ein Halbleiterbauelement mit Kühl- körper und Umgebung bildet. Wegen der Analogie mit elektrischen Größen, wird der Wärmestromkreis mit Symbolen, die der Elektrotechnik entliehen sind, dargestellt.

Die Wärmeleistung P th wird in der Sperrschicht des Bauteils (Index j) freigesetzt und von dort über den restlichen Halbleiterkristall (Index Si), das Gehäuse (Index G) und den Kühl- körper (Index K) an die Umgebung (Index U) abgeleitet.

Abbildung 21-2

Wärmestromkreis eines Halbleiterbauelementes mit Kühlkörper

ϑ j ϑ Si ϑ G ϑ K ϑ U ∆ϑ j-Si ∆ϑ Si-G ∆ϑ
ϑ j
ϑ Si
ϑ G
ϑ K
ϑ U
∆ϑ j-Si
∆ϑ Si-G
∆ϑ G-K
∆ϑ K-U
P th
R th/j-Si
R th/Si-G
R th/G-K
R th/K-U
C th/Si
C th/G
C th/K

Zur Vereinfachung sind die über das gesamte Volumen eines Teiles verteilten Wärmekapazitäten jeweils zu einer Gesamtkapazität zusammengefasst. Jedem Einzelteil ist außerdem eine einheitliche mittlere Temperatur zugeordnet. Auch die über das Volumen verteilten Wärmewiderstände sind zu diskreten Einzelwiderständen konzentriert.

344

Thermische Probleme / Wärmeableitung

Die Wärmewiderstände von der Sperrschicht eines Halbleiterbauelementes bis zum Gehäuse bilden den inneren Wärmewiderstand (thermischer Innenwiderstand)

R th / j

G

=

ϑ j

− ϑ

G

P th

Er ist konstruktiv bestimmt und kann nur vom Hersteller, nicht jedoch vom Anwender des Bauelementes beeinflusst werden.

Im folgenden werden beispielhaft Daten für den inneren Wärmewiderstand von Transistoren genannt:

* Kleinleistungstransistoren:

R th/j-G > 15 K/W

z.B. Kleinsignaltransistoren:

R th/j-G 50

1000

K/W

je nach Gehäuse

* Leistungstransistoren:

R th/j-G < 15 K/W

z.B.

TO-3-Gehäuse:

R th/j-G 1,5 K/W

TO-66-Gehäuse:

R th/j-G 6 K/W

Die Wärmewiderstände vom Gehäuse des Bauelementes bis in die Umgebung bilden den äußeren Wärmewiderstand (thermischer Außenwiderstand)

ϑ G

− ϑ

P th

U

R th / G

U

=

Er kann vom Anwender durch die Bauelement-Montage, durch Kühlkörper und evtl. durch forcierte Kühlung stark beeinflusst werden.

* Kleinleistungshalbleiter:

Sie werden meist ohne zusätzliche Hilfsmittel zur Wärmeabfuhr montiert. Die Verlustwärme wird über die Gehäuseoberfläche abgeführt. Jede Gehäuseform hat dabei einen charakteristischen thermischen Oberflächenwiderstand.

z.B.

(Angaben beziehen sich meist auf den thermischen Gesamt(!)widerstand R th/j-U )

Metall-Gehäuse

Plastik-Gehäuse

R

th/j-U

Anmerkung

TO-18

TO-92

500 K/W

 

TO-72

 

750 K/W

 

TO-5

TO-126

220 K/W

 

TO-3

TO-3P

60 K/W

ohne Kühlkörper

* Leistungshalbleiter:

Wenn größere Wärmemengen abgeleitet werden müssen, dann werden spezielle Kühlkörper verwendet. Diese Kühlkörper sind so gestaltet, dass sie sowohl einen großflächigen und engen Kontakt zu dem zu kühlenden Bauelement (kleiner Wärmewiderstand für die Wärmeleitung vom Bauelement zum Kühlkörper) als auch zahlreiche Kühlrippen mit einer sehr großen Berührungsfläche zum umgebenden Medium besitzen (kleiner Wärmewiderstand für die Wärmeabfuhr durch Konvektion).

Für die Kühlung mit ruhender Luft sind die Kühlkörper so anzuordnen, dass die Kühlrippen senkrecht stehen und sich eine Kaminwirkung zwischen den Kühlrippen bilden kann (stärkere Konvektion). Eine weitere Verstärkung der Konvektion ist mit Ventilatoren möglich. Reicht auch dies nicht aus, kann eine Wasserkühlung vorgesehen werden.

345

Thermische Probleme / Wärmeableitung

Elektrische Isolation:

Zur besseren Wärmeableitung wird der Halbleiterkristall von Leistungsbauelementen möglichst großflächig mit dem metallischen Gehäuse in Kontakt gebracht (aufgelötet oder bei großen Leistungen mechanisch angepresst). Dadurch entsteht eine leitende Verbindung zwischen Kristall und Gehäuse. Das Gehäuse wird zum Bauteilanschluss.

Bei manchen Gehäuseformen lässt sich mit Hilfe einer Glimmerscheibe (oder Silicon- kunststofffolie) eine elektrische Trennung von Gehäuse und Kühlkörper erreichen (siehe Abbildung 21-1). Gehäuse und Kühlkörper können dann auf unterschiedlichen elektri- schen Potentialen liegen. Die Isolierscheibe erhöht jedoch den Wärmewiderstand und kann daher nur für mittlere Verlustleistungen (z.B. bis etwa 100 W) eingesetzt werden.

z.B.

R th/G-K

einer Glimmerscheibe für TO-3-Gehäuse:

Scheibendicke

ungefettet

gefettet

50 µm

1,25 K/W

0,35 K/W

100 µm

1,5 K/W

0,6 K/W

21.4 Berechnung des Wärmestromkreises

21.4.1Analogie thermischer und elektrischer Größen

An den Größen Wärmekapazität, Wärmefluss, Wärmewiderstand und Wärmeleitfähigkeit wurde erkennbar, dass im Hinblick auf die thermischen Effekte viele Analogien zu elektrischen Größen auftreten. In der Tabelle 21-1 sind einige sich entsprechende Größen einander gegenübergestellt.

Tabelle 21-1

Entsprechung thermischer und elektrischer Größen

thermische Größen

elektrische Größen

 

Wärmemenge

W th = P th ⋅∆t = C th ⋅∆ϑ

Ladungsmenge

Q = It = CU

Wärmestrom

P th = W th /t

Strom

I = Q/t

Temperaturintervall

∆ϑ = ϑ 2 - ϑ 1

Spannung

U = ϕ 2 - ϕ 1

Wärmekapazität

C th = W th /∆ϑ

Kapazität

C = Q/U

Wärmewiderstand

R th = ∆ϑ/ P th

Widerstand

R = U/I

Wärmeleitfähigkeit

λ

Leitfähigkeit

σ

(= κ)

Die Tabelle zeigt, dass der Ladungsmenge Q im elektrischen System die Wärmemenge W th (= Wärmeenergie) im thermischen System entspricht. Konsequenterweise entspricht einer pro Zeiteinheit transportierten Ladung (= Strom I) eine pro Zeiteinheit transportierte Wärmeenergie (= Wärmeleistung P th ). In Analogie zum elektrischen System sprechen wir vom Wärmestrom P th . Weiterhin entsprechen sich die Ursachengrößen Spannung U und Temperaturdifferenz ∆ϑ usw

Wegen der vorhandenen Analogien lassen sich die Berechnungsmethoden elektrischer Stromkreise auf den Wärmestromkreis übertragen.

Neben dem Ohmschen Gesetz lassen sich daher auch die Kirchhoffschen Regeln, die Rechen- vorschriften für die Reihen- und Parallelschaltung von Widerständen und Kapazitäten, die Differentialgleichungen für Ausgleichsvorgänge an RC-Kombinationen und ihre Lösungen usw. auf Wärmestromkreise anwenden.

346

Thermische Probleme / Wärmeableitung

Beispiele:

Reihenschaltung von Wärmewiderständen:

Parallelschaltung von Wärmewiderständen:

Parallelschaltung von Wärmekapazitäten:

Aufladung der Wärmekapazität:

 

i

=

n

R

th

ges

=

R

th

i i

=

1

 
 

i n

=

 

G

th

=

G

th

i

 

ges

i

=

1

 

i

=

n

C

th

=

C

th

i

ges

 

i

=

1

P

th

=

C

th

d(

∆ϑ

dt

)

mit

G

th

=

1

R th

21.4.2 Berechnung von Temperaturen im stationären Betrieb

Sind die Wärmewiderstände und die auftretende Verlustleistung bekannt, so können die im stationären Betrieb auftretenden Temperaturdifferenzen berechnet werden. Ist auch eine Temperatur bekannt (z.B. die Umgebungstemperatur), so können alle anderen Temperaturen errechnet werden:

* Berechnung der Sperrschichttemperatur aus der Umgebungstemperatur

Aus

ergibt sich

mit

R th

ges

=

ϑ j

− ϑ

P th

U

ϑ

j

= ϑ

U

+ P

th

R

th

ges

R

th

ges

=

R

th

innen

+

R

th

außen

=

R

th

j

Si

+

R

th

Si

G

+

R

th

G

K

+

R

th

K

U

* Berechnung der maximal zulässigen Gehäusetemperatur aus der maximal zulässigen Sperrschichttemperatur

Aus

ergibt sich

R th

innen

=

ϑ

j

− ϑ

G

P th

ϑ

G

max

= ϑ

j

max

P

th

R

th

innen

21.4.3Reduzierung der zulässigen Verlustleistung bei hoher Umgebungstemperatur

Aus physikalischen Gründen darf die Sperrschichttemperatur von Halbleiterbauelementen einen Maximalwert nicht überschreiten.

Halbleiter

Ge

Si

GaAs

ϑ

j

max

in °C

70

90

120

200

300

Bei Überschreiten dieser Maximalwerte können sich Bauelementedaten unzulässig ändern.

Insbesondere die Sperrströme von pn-Übergängen steigen.

- Dies führt evtl. zu hohen Sperrverlustleistungen mit weiterem Temperaturanstieg, wobei dieser Mitkopplungseffekt bis zur thermischen Zerstörung führen kann.

- Transistoren verstärken die Sperrströme und schalten evtl. völlig durch.

- Thyristoren und Triacs verlieren ihre Blockierfähigkeit und zünden von selbst usw

347

Thermische Probleme / Wärmeableitung

Aus diesem Grunde geben die Bauelementhersteller für jeden Bauelementtyp eine maximal zulässige Verlustleistung P tot an.

Diese Verlustleistung P tot ist so bemessen, dass bei Betrieb bis zu einer vorgegebenen Umgebungstemperatur ϑ Umax die maximal zulässige Sperrschichttemperatur ϑ jmax nicht überschritten wird. In der Regel beziehen sich die Leistungsangaben der Hersteller auf Umgebungstemperaturen von ϑ Uref = 25 °C

Bei Überschreiten dieser vom Hersteller vorgegebenen Bezugstemperatur reduziert sich die maximal zulässige Verlustleistung.

Daher gilt

sich die maximal zulässige Verlustleistung. Daher gilt P V max = P th max = P

P

V

max

=

P

th

max

=

P

tot

für

ϑ

U

≤ ϑ

Uref

und

gilt P V max = P th max = P tot für ϑ U ≤ ϑ

P

V

max

=

ϑ

j

max

− ϑ

U

ϑ

j

max

− ϑ

U

=

R

th

j

U

ϑ

j

max

− ϑ

U

ref

P

tot

für

ϑ

U

≥ ϑ

Uref

Abbildung 21-3 zeigt grafisch den Verlauf der maximal zulässigen Verlustleistung in Abhängigkeit von der Umgebungstemperatur

Abbildung 21-3 Maximal zulässige Verlustleistung (Derating-Diagramm)

P V/max P tot R th j−U ϑ Uref ϑ j/max
P V/max
P tot
R th j−U
ϑ Uref
ϑ j/max

ϑ U

Bei (Leistungs-)Bauelementen, die grundsätzlich mit Kühlkörper betrieben werden, kann

anstelle einer Umgebungstemperatur ϑ

peratur ϑ

U ref

auch eine bestimmte maximale Gehäusetem-

G ref

als Referenz zugrunde gelegt sein . Dies ergibt sich aus dem Datenblatt.

In den beiden o.g. Gleichungen und in Abbildung 21-3 ist dann jeweils der Index U gegen den Index G auszutauschen

21.4.4Thermische Ausgleichsvorgänge

Wegen der Wärmekapazitäten ändern sich die Temperaturen der einzelnen Teile im Wärme- stromkreis beim Ein- und Ausschalten (aber auch bei Lastwechseln) nicht sprunghaft. Das thermodynamische Gleichgewicht wird vielmehr erst nach Abklingen von Ausgleichsvor- gängen erreicht.

Der zeitliche Verlauf der einzelnen Temperaturen in einem Wärmestromkreis lässt sich mit Hilfe von Differentialgleichungen beschreiben und berechnen. Das Differentialgleichungs- system und seine Lösungen sind jedoch bereits für einen stark vereinfachten Wärmestrom- kreis entsprechend Abbildung 21-2 so kompliziert, dass sie sich ohne Rechnerunterstützung und ohne geeignete Mathematik-Software kaum lösen lassen.

Häufig sind jedoch die einzelnen Wärmekapazitäten und damit die Zeitkonstanten für die Erwärmung der einzelnen Teile so unterschiedlich, dass die Ausgleichvorgänge näherungsweise in Einzelschritten berechnet werden können.

348

Thermische Probleme / Wärmeableitung

Erwärmung oder Abkühlung des Halbleiterkristalls bei konstanter Gehäusetemperatur:

Bei metallgekapselten Halbleiter-Bauelementen ist die Wärmekapazität des Gehäuses meist sehr viel größer als die des Halbleiterkristalls. Nach dem Einschalten wird sich daher die Temperaturdifferenz zwischen Kristall und Gehäuse voll aufbauen, ehe die Gehäusetemperatur merklich zu steigen beginnt. Beim Ausschalten wird sich der Kristall auf die Gehäusetemperatur abkühlen, ehe die Gehäusetemperatur merklich zu sinken beginnt.

Abbildung 21-4 zeigt das Ersatzschaltbild des Wärmestromkreises für das Zeitintervall, in dem die Wärmekapazität des Halbleiterkristalls auf- bzw. entladen wird, während sich die Gehäusetemperatur noch nicht ändert.

Abbildung 21-4 Erwärmung bzw. Abkühlung ( 1 ) des Halbleiterkristalls bei konstanter Gehäusetemperatur

P

ϑ j ϑ G = konst. ϑ Si ∆ϑ j-Si ∆ϑ Si-G R R th
ϑ j
ϑ G = konst.
ϑ Si
∆ϑ j-Si
∆ϑ Si-G
R
R
th
th/j-Si
th/Si-G
C
th/Si

Für die mittlere Kristalltemperatur ergeben sich dann folgende Zeitverläufe:

*

* beim Ausschalten:

In beiden Gleichungen bedeutet:

beim Einschalten:

(t)

(t)

exp(x) = e x

ϑ

ϑ

Si

Si

≈ ϑ

≈ ϑ

G

G

+

{P

th

+

{P

th

R

th / Si

G

R

th / Si

G

[1

exp(

t /

τ

)]}

exp(

t /

τ

)}

und

τ = C th/Si R th/Si-G

Für den zeitlichen Verlauf der Sperrschichttemperatur gilt:

* beim Einschalten

* beim Ausschalten

ϑ j (t) ≈ ϑ Si (t) + P th R th/j-Si

ϑ j (t) ≈ ϑ Si (t)

Aufwärmung bzw. Abkühlung des Gehäuses bei konstanter Kühlkörpertemperatur:

Ist die Wärmekapazität des Kühlkörpers sehr viel größer als die des Gehäuses, so wird sich die Temperaturdifferenz zwischen Gehäuse und Kühlkörper nach dem Einschalten voll aufbauen, noch ehe die Kühlkörpertemperatur merklich zu steigen beginnt.

Beim Ausschalten wird sich das Gehäuse und damit das gesamte Bauelement auf die Kühlkörpertemperatur abkühlen, noch ehe die Kühlkörpertemperatur merklich zu sinken beginnt.

Abbildung 21-5 zeigt das Ersatzschaltbild für das Zeitintervall, in dem die Wärmekapazität des Gehäuses auf- bzw. entladen wird, während sich die Kühlkörpertemperatur noch nicht ändert.

Da die Wärmekapazität C th/Si voraussetzungsgemäß sehr viel kleiner als C th/G sein soll, beeinflusst sie den Vorgang nicht wesentlich und wurde weggelassen.

(1)

Für den Fall des Ausschaltens ist die Verlustleistung P th auf 0 zu setzen (= Unterbrechung der Quelle). Dies gilt auch für Abbildung 21-5 und Abbildung 21-6.

349

Thermische Probleme / Wärmeableitung

Abbildung 21-5 Erwärmung bzw. Abkühlung des Gehäuses bei konstanter Kühlkörpertemperatur

P

ϑ j ϑ G ϑ K =konst ϑ Si ∆ϑ j-Si ∆ϑ Si-G ∆ϑ G-K
ϑ j
ϑ G
ϑ K =konst
ϑ Si
∆ϑ j-Si
∆ϑ Si-G
∆ϑ G-K
R
th
R th/j-Si
R th/Si-G
th/G-K
C
th/G

Für die mittlere Gehäusetemperatur ergeben sich dann folgende Zeitverläufe:

* beim Einschalten:

* beim Ausschalten:

In beiden Gleichungen bedeutet:

Für die Zeitverläufe der Sperrschichttemperatur gilt:

* beim Einschalten

* beim Ausschalten

ϑ

ϑ

G

G

(t)

(t)

≈ ϑ

≈ ϑ

K

K

+

+

{P

th

{P

th

R

R

th / G

K

th / G

K

[1

exp(

exp(

t /

τ = C th/G R th/G-K

ϑ j (t) ≈ ϑ G (t) + P th (R th/j-Si + R th/Si-G )

ϑ j (t) ≈ ϑ G (t)

τ

t /

)}

τ

)]}

Aufwärmung bzw. Abkühlung des Kühlkörpers:

Sind die bauelementinternen Wärmekapazitäten sehr viel kleiner als die des Kühlkörpers, so kann ihr Einfluss auf Erwärmung bzw. Abkühlung des Kühlkörpers vernachlässigt werden. Abbildung 21-6 zeigt ein entsprechendes Ersatzschaltbild.

Abbildung 21-6

Erwärmung bzw. Abkühlung des Kühlkörpers

P

ϑ j ϑ Si ϑ G ϑ K ϑ U ∆ϑ j-Si ∆ϑ Si-G ∆ϑ
ϑ j
ϑ Si
ϑ G
ϑ K
ϑ U
∆ϑ j-Si
∆ϑ Si-G
∆ϑ G-K
∆ϑ K-U
R
R th/G-K
th/K-U
th
R th/j-Si
R th/Si-G
C
th/K

Für die mittlere Kühlkörpertemperatur ergeben sich dann folgende Zeitverläufe:

* beim Einschalten:

* beim Ausschalten:

In beiden Gleichungen bedeutet:

Für die Sperrschichttemperatur gilt:

* beim Einschalten:

* beim Ausschalten:

Ähnliche Überlegungen und Vereinfachungen sind auch zulässig bei Betrieb der Bauelemente mit Wechselstrom. Kühlkörper- und Gehäusetemperatur und meistens auch die mittlere

Kristalltemperatur sind bereits bei Frequenzen von z.B. Wechselbeanspruchung nicht mehr folgen

ϑ

ϑ

K

K

(t)

(t)

≈ ϑ

≈ ϑ

U

U

+

+

{P

{P

th

th

R

R

th / K

th / K

U

U

[1

exp(

exp(

t /

t /

τ

)}

τ

)]}

τ = C th/K R th/K-U

ϑ j (t) ≈ ϑ K (t) + P th (R th/j-Si + R th/Si-G + R th/G-K )

ϑ j (t) ≈ ϑ K (t)

f 50 Hz konstant und können der

350

Thermische Probleme / Wärmeableitung

21.5 Übungsaufgaben zu thermischen Problemen

Aufgabe 21-1:

Wärmeableitung an einer Diode

Eine Diode mit U F0 = 0,6 V und r f = 60 mwird von einem konstanten Strom durchflossen.

Wie groß ist die maximal zulässige Umgebungstemperatur ϑ Umax und die maximal zulässige

Gehäusetemperatur

überschritten werden darf ?

Es sei:

I F = 2,5 A

ϑ Gmax , wenn eine Sperrschichttemperatur ϑ jmax = 175 °C nicht

R th(außen) = 50 K/W

R th(innen) = 20 K/W,

Aufgabe 21-2:

Thermische Probleme am Transistor

Für den Transistor 2N3055 gilt:

Bei Betrieb ohne Kühlkörper gilt:

ϑ jmax = 200 °C;

P tot = 117 W P tot = 3 W

für ϑ G 25 °C

für

ϑ U 25 °C

(a)

Wie groß ist der Wärmewiderstand R th/j-U ohne Kühlkörper?

(b)

Wie groß ist die Sperrschichttemperatur wenn der Transistor ohne Kühlkörper mit P V = 2,5 W bei ϑ U = 80 °C betrieben wird?

(c)

Welchen Wärmewiderstand muss ein Kühlkörper besitzen, wenn die maximal zulässige Sperrschichttemperatur bei einer Verlustleistung von 50 W und einer Umgebungstemperatur von 55 °C nicht überschritten werden soll?

Aufgabe 21-3:

Kühlung mit forcierter Konvektion

Der Microprozessor-Chip in einem Notebook-Computer hat eine mittlere Leistungsaufnahme von P V = 5 W

Zur Wärmeableitung ist ein Mini-Lüfter (Ventilator) eingebaut, durch den sich ein äußerer

Wärmewiderstand R

Sperrschichttemperatur

th

a

= 10

Wärmewiderstand R Sperrschichttemperatur th a = 10 K W , eine Umgebungstemperatur C ergibt. U ϑ

K W

, eine Umgebungstemperatur

C

ergibt.

U

ϑ U

R

= 45°

th

a

C

= 20

C

und eine

C ergibt. U ϑ U R = 45 ° th a C = 20 C und

K W

ϑ

J

= 175°

Beim Ausfall des Lüfters steigt der äußere Wärmewiderstand auf

Lufttemperatur in der Umgebung des Prozessor-Chips auf ϑ

und die

= 90°

(a)

Wie groß ist der innere Wärmewiderstand des Prozessorchips?

(b)

Welche Sperrschichttemperatur ergibt sich bei Lüfterausfall?

351

Thermische Probleme / Wärmeableitung

Aufgabe 21-4:

Leistungssprung am Transistor

ϑ j ϑ Si ϑ G ϑ K ϑ U ∆ϑ j- ∆ϑ Si- ∆ϑ
ϑ j
ϑ Si
ϑ G
ϑ K
ϑ U
∆ϑ j-
∆ϑ Si-
∆ϑ G-
∆ϑ K-
R th/j-Si
R th/Si-G
R th/G-K
P th
R th/K-U
C th/K

Ein Transistor 2N3055 wird mit Kühlkörper TK30 und 100-µm-Glimmer-Isolierscheibe betrieben.

Es gelten folgende Daten:

Umgebungstemperatur:

ϑ U = 25 °C R th/j-G = 1,5 K/W R th/G-K = 0,6 K/W R th/K-U = 0,68 K/W

m = 800 g 890 Ws

Transistor:

Isolierscheibe:

Kühlkörper:

Zum Zeitpunkt

t = 0

(Masse)

(Spezifische Wärmekapazität)

c =

K

kg

ändert sich die Verlustleistung des Transistors sprunghaft von

P V1 = 25 W auf P V2 = 60 W.

(a)

Welche statischen Temperaturen ϑ K , ϑ G , ϑ j

liegen vor dem Leistungssprung (Index 1)

und längere Zeit nach dem Leistungssprung (Index 2) vor ?

(b)

Mit welcher Zeitkonstante τ ändert sich die Kühlkörpertemperatur ?

(c)

Welche Kühlkörpertemperatur liegt zum Zeitpunkt t = 2τ vor ?

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