Beruflich Dokumente
Kultur Dokumente
Besondere Merkmale
q q q q q
eingefrbtes, diffuses Gehuse als optischer Indikator einsetzbar Ltspiee mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Strimpulsfest nach DIN 40839
VEX06710
Features
q q q q q
colored, diffused package for use as optical indicator solder leads with stand-off available taped on reel load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1998-07-13
Typ Type
Lichtstrke Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) 0.4 1.0 1.6 1.0 3.2 2.0 3.2 8.0
LR 3360-DG LR 3360-F LR 3360-G LR 3360-FJ LS 3360-HL LS 3360-K LS 3360-L LS 3360-KN LO 3360-HL LO 3360-K LO 3360-L LO 3360-JM LY 3360-HL LY 3360-K LY 3360-L LY 3360-KN LG 3360-HL LG 3360-J LG 3360-K LG 3360-L LG 3360-KN LP 3360-GK LP 3360-H LP 3360-J LP 3360-HL
red
red diffused
Q62703-Q1316 Q62703-Q1317 Q62703-Q1318 Q62703-Q1319 Q62703-Q1320 Q62703-Q1321 Q62703-Q1322 Q62703-Q1323 Q62703-Q1887 Q62703-Q2400 Q62703-Q2596 Q62703-Q2410 Q62703-Q1324 Q62703-Q1325 Q62703-Q1326 Q62703-Q1998 Q62703-Q3818 Q62703-Q1865 Q62703-Q2008 Q62703-Q3507 Q62703-Q3819 Q62703-Q2467 Q62703-Q2914 Q62703-Q2915 Q62703-Q3213
super-red
red diffused
2.5 20.0 6.3 12.5 10.0 20.0 6.3 50.0 2.5 ... 20.0 6.3 ... 12.5 10.0 ... 20.0 4.0 ... 32.0 2.5 ... 20.0 6.3 ... 12.5 10.0 ... 20.0 6.3 ... 50.0 2.5 ... 20.0 4.0 ... 8.0 6.3 ... 12.5 10.0 ... 20.0 6.3 ... 50.0 1.6 ... 12.5 2.5 ... 5.0 4.0 ... 8.0 2.5 ... 20.0
orange
orange diffused
yellow
yellow diffused
green
green diffused
pure green
green diffused
Streuung der Lichtstrke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min 2.0.
Semiconductor Group
1998-07-13
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlastrom Forward current Stostrom Surge current t 10 s, D = 0.005 Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung Power dissipation TA 25 C Wrmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Symbol Symbol Werte Values LS, LO, LY, LG LR LP C C C 30 mA A 55 + 100 55 + 100 + 100 40 45 0.5 Einheit Unit
VR Ptot
140
5 100 100
V mW
Rth JA
400
K/W
Semiconductor Group
1998-07-13
Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol LR Wellenlnge des emittierten Lichtes(typ.) peak Wavelength at peak emission(typ.) IF = 20 mA Dominantwellenlnge(typ.) Dominant wavelength(typ.) IF = 20 mA 660 LS 635 Werte Values LO 610 LY 586 LG 565 LP 557 nm Einheit Unit
dom
645
628
605
590
570
560
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max(typ.) Spectral bandwidth at 50 % Irel max(typ.) IF = 20 mA Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV Durchlaspannung(typ.) Forward voltage(max.) IF = 10 mA Sperrstrom(typ.) Reverse current(max.) VR = 5 V Kapazitt(typ.) Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 %(typ.) IV from 90 % to 10 %(typ.) IF = 100 mA, tP = 10 s, RL = 50 2
35
45
40
45
25
22
nm
70 1.6 2.0
70 2.0 2.6
70 2.0 2.6
70 2.0 2.6
70 2.0 2.6
70 2.0 2.6
Grad deg. V V
VF VF IR IR C0
tr tf
120 50
300 150
300 150
300 150
450 200
450 200
ns ns
Semiconductor Group
1998-07-13
Relative spektrale Emission Irel = f (), TA = 25 C, IF = 20 mA Relative spectral emission V () = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve
100 % rel 80
OHL01698
V
60
red
pure-green green
orange
20
0 400
blue
450
500
550
yellow
40
600
super-red
650
hyper-red
nm
700
Semiconductor Group
1998-07-13
10 -2 5
10 -3 10
5 10
10
mA 10
Zulssige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 C LS, LO, LY, LG
Zulssige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 C LR
Semiconductor Group
1998-07-13
Zulssige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 C LP
10 3
OHL01686
F
mA
tP D=
tP
T T
0.5 DC
10 1 -5 10
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0 s 10 1 tp
Semiconductor Group
1998-07-13
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
2.54 mm spacing
1.1 0.9
0.6 0.4
Collector/ Cathode
Chip position
GEX06710
Semiconductor Group
2.9 2.7
1998-07-13