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Einfhrung in die Physik der Halbleiter

1
1 Einfhrung in die Physik der Halbleiter
1.1 Einordnung der Halbleiter zwischen Leitern und Isolatoren
Unter elektrischem Strom verstehen wir: Gerichteter Transport elektrischer Ladung durch
bewegliche Ladungstrger in einem Medium
Ein Medium setzt dem Stromfluss einen bestimmten Widerstand entgegen. Dieser lsst sich
durch den spezifischen Widerstand des jeweiligen Mediums ausdrcken.
Wertebereich des spezifischen Widerstandes von Medien







Halbleiter liegen mit ihrem spezifischen Widerstand zwischen den Leitern und den
Nichtleitern (Isolatoren).
So zeigen z.B. Stbe (Drhte) von je 1m Lnge und 1 mm
2
Querschnitt aus Kupfer
(metallischer Leiter), reinem Silizium (Halbleiter) und PVC (Isoliermaterial) folgende
Widerstnde:
Cu: 17,510
-3
(17,5 m)
Si-i (20C): 2,110
9
(2,1 G)
PVC: 10
20
(10
11
G)
1.2 Aufbau von Leitern und Halbleitern
1.2.1 Aufbau der Atome
1.2.1.1 Elementarteilchen
Alle Atome bestehen aus den Elementarteilchen:
- Elektronen
- Protonen (Anzahl entscheidet ber Art des Elements)
- Neutronen (auer bei Wasserstoff immer vorhanden)
Elektronen und Protonen tragen eine elektrische Ladung (Elementarladung):
- Elektron: As 10 6 , 1 e
19

= (negative Ladung)
- Proton: As 10 6 , 1 e
19
+
+ = (positive Ladung)
- Neutron: elektrisch neutral (keine Ladung)
Fr jedes Atom gilt: Anzahl der Elektronen = Anzahl der Protonen
die positiven und negativen Ladungen kompensieren sich in
ihren Auswirkungen
das Atom ist elektrisch neutral
in
m
mm
2

10
20
Nichtleiter Halbleiter Leiter
10
16
10
12
10
8
10
4
10
0
10
-4
PVC Porzellan Si
i
(25C) Ge
i
(25C) Metalle
Einfhrung in die Physik der Halbleiter
2
1.2.1.2 Bohrsches Atommodell
Der Aufbau der Atome lsst sich nur in Form von Modellen beschreiben. Eines der
bekanntesten ist das Bohrsche Atommodell. Es geht von folgender Vorstellung aus:
Die Protonen und Neutronen sind im sog.
Atomkern konzentriert.
Die Elektronen umkreisen den Atomkern.
Die Energie der Elektronen bestimmt den
Durchmesser der Elektronenbahnen.
Die Elektronen knnen nach den Gesetzen
der Quantenmechanik nicht beliebige sondern
nur bestimmte Energien annehmen. Aus
diesem Grunde sind nur bestimmte
Bahnradien mglich.
Das Atommodell geht daher von diskreten
Elektronenschalen
mit unterschiedlichen Durchmessern aus.
Die maximale Zahl von Elektronen pro Elektronenschale betrgt
2
max
n 2 N =
(mit n =Nummer der Schale von innen aus gezhlt),
jedoch nicht mehr als 8 Elektronen auf der uersten Schale
(8 Elektronen auf der uersten Schale = Edelgaskonfiguration).
Die Elektronenschalen werden mit den Buchstaben K, L, M, . . . . bis Q bezeichnet

Tabelle 1-1 Maximale Elektronenzahl auf den Elektronenschalen

Schale K L M N O P Q
n 1 2 3 4 5 6 7
N
max
2 8 18 32 (50) (72) (98) auf den inneren Schalen
(1)

N
max
2 8 8 8 8 8 8 auf der uersten Schale
(2)

(Edelgaskonfiguration)
Fr die Energie der Elektronen gilt: kernnahe Schalen niedrige Energie
kernferne Schalen hohe Energie
Die Atome sind immer bestrebt, den energiermsten Zustand einzunehmen. Aus diesem
Grunde werden die inneren Schalen zuerst besetzt; je schwerer ein Element ist, umso mehr
Schalen kommen hinzu.
Die Elektronen der uersten Schale werden Valenzelektronen genannt.
Die folgende Tabelle 1-2 zeigt den Aufbau der Elektronenschalen ausgewhlter Elemente.

(1)
Elektronenzahlen von 50 und mehr auf einer Schale werden in der Realitt auch bei den
schwersten Elementen nicht erreicht.
(2)
Bei 8 Elektronen auf der uersten Schale (2 bei K-Schale) liegt ein Edelgas vor.
Edelgase gehen keinerlei chemische Verbindungen ein.

Abbildung 1-1 Atommodell fr Silizium
(zweidimensional)
14P
14N
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Tabelle 1-2 Belegung der Elektronenschalen bei verschiedenen Elementen

Kernladung Element K L M N O P Metall Halbleiter Edelgas
2 He 2 X
5 B 2 3
6 C 2 4
10 Ne 2 8 X
13 Al 2 8 3 X
14 Si 2 8 4 X
15 P 2 8 5
18 Ar 2 8 8 X
29 Cu 2 8 18 1 X
31 Ga 2 8 18 3 X
32 Ge 2 8 18 4 X
33 As 2 8 18 5
36 Kr 2 8 18 8 X
47 Ag 2 8 18 18 1 X
49 In 2 8 18 18 3 X
51 Sb 2 8 18 18 5
54 Xe 2 8 18 18 8 X
79 Au 2 8 18 32 18 1 X
Die Tabelle zeigt, dass Metalle durch eine geringe Zahl von Valenzelektronen (1 bis 3)
gekennzeichnet sind.
Fr die Herstellung von Halbleitern werden vorzugsweise 4-wertige Elemente verwendet.
Auf Verbindungshalbleiter - z.B. aus 3- und 5-wertigen Elementen (wie GaAs, GaP etc.)-
wird in diesem Buch nur im Abschnitt 18 eingegangen.
1.2.2 Kristallaufbau
Beim Kristallaufbau in Festkrpern mu zwischen metallischen und nicht-metallischen
Atombindungen unterschieden werden.
1.2.2.1 Metalle
Metalle bilden Kristalle, ohne dass die Valenzelektronen an der Bindung der Atome im
Kristallgitter beteiligt sind.
Einzelne Valenzelektronen knnen sich daher leicht von den Gitteratomen lsen und sind
dann zwischen den Atomen frei beweglich.
In Festkrpern gilt:
3 22
cm / Atome 10 5 Atomdichte
Bei etwa einem freien (beweglichen) Elektron pro 1 bis 10 Gitteratomen betrgt die
Konzentration beweglicher Elektronen in Metallen somit 510
21
cm
-3
<n
n
<510
22
cm
-3

Metalle sind daher sehr gute Leiter.
Anders stellen sich die Verhltnisse in nicht-metallischen Materialien dar.
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4
1.2.2.2 Elektronenpaarbindung
Bei Atomen mit weniger als 8 Valenzelektronen besteht Neigung zur Reaktion (Verbindung)
mit anderen Atomen.
Eine wichtige Bindungsart ist die Elektronenpaarbindung (kovalente Bindung)
Eine Elektronenpaarbindung kann man sich modellhaft folgendermaen vorstellen:
Zwei Atome (desselben oder auch unterschiedlicher Elemente) ordnen sich so an, dass ein
Elektronenpaar (bestehend aus je einem Elektron beider Atome) wechselweise das eine
bzw. das andere Atom umkreist. Das Elektronenpaar scheint also beiden Atomen zu
gehren; jedes Atom hat scheinbar ein Elektron mehr.
Durch eine geeignete Anzahl von Elektronenpaarbindungen erreicht dabei jedes Atom die
Edelgaskonfiguration auf der Valenzschale. Anschlieend besteht kein weiteres
Reaktionsbestreben.
Durch Elektronenpaarbindung werden die beteiligten Atome stark aneinander gebunden; aber
auch die Elektronen lassen sich nur schwer aus den Paarbindungen heraus lsen.
Abbildung 1-2 zeigt die Bildung eines Wassermolekls aus einem Sauerstoffatom und zwei
Wasserstoffatomen durch zwei Elektronenpaarbindungen.
Abbildung 1-2 Elektronenpaarbindungen im Wassermolekl









Das Wassermlekl ist bekanntlich sehr stabil. Reines Wasser ist nicht elektrisch leitend.
1.2.2.3 Halbleiter
Die Atome der Elemente Silizium und Germanium besitzen jeweils 4 Valenzelektronen.
Abbildung 1-3 zeigt eine vereinfachte Darstellung eines Halbleiteratoms fr die Darstellung
des Kristallgitters. Die Darstellung passt gleichermaen fr Silizium- und Germanium-
Atome.

Abbildung 1-3
Vereinfachte Darstellung eines Halbleiteratoms

(Nur die Elektronen der uersten Schale werden
dargestellt; die inneren Schalen mit dem Kern
zum Atomrumpf zusammengefasst)


Durch 4 Elektronenpaarbindungen mit 4 Nachbaratomen kann ein Halbleiteratom die
Edelgaskonfiguration der Valenzschale erreichen.
Sauerstoffatom
Elektronenpaar
8P
8N
1P
1P
Elektronenpaar
2 Wasserstoffatome
4 +
Atomrumpf
uerste Elektronenschale
Einfhrung in die Physik der Halbleiter
5
Abbildung 1-4 Vier Elektronenpaarbindungen eines Halbleiteratoms
(zwei verschiedene Darstellungsarten)










J edes der Nachbaratome kann seinerseits Elektronenpaarbindungen mit weiteren Atomen
eingehen, um ebenfalls die Edelgaskonfiguration der Valenzschale zu erreichen, usw.. Auf
diese Weise baut sich ein Kristall auf.

Abbildung 1-5 Zweidimensionale Darstellung der Atome in einem Halbleiterkristall











1.3 Leitungsmechanismen in Halbleitern
Im Halbleiter lassen sich zwei unterschiedliche Leitungsmechanismen unterscheiden: die
Eigenleitung und die Strstellenleitung.
1.3.1 Eigenleitung (Leitungsmechanismen im reinen Halbleiter)

T =0 K Bei 0 K sind alle Valenzelektronen im Halbleiterkristall
in Elektronenpaarbindungen fixiert
keine beweglichen Ladungstrger
keine elektrische Leitfhigkeit
Halbleiter ist Isolator
4 +
4 +
4 + 4 +
4 +
4 +
4 +
4 +
4 +
4 +
4 +
4 +
4 +
4+
4+
4+
4+
4+
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1.3.1.1 Paarbildung (Generation)

T >0 K Temperaturerhhung bedeutet Energiezufuhr:
Energiezufuhr zu den Atomen
Energiezufuhr zu den Elektronen
(statistische Verteilung der Energie)
Die energiereichsten Elektronen sind sie verlassen ihren Platz im
in der Lage, aus den Elektronenpaar- Kristallgitter
bindungen auszubrechen sie werden frei beweglich
(erforderliche Energie: 0,7 eV bei Ge; 1,1 eV bei Si)

J edes aus einer Elektronenpaarbindung
frei gewordene Elektron hinterlsst Fehlelektron, Defektelektron oder
an seinem Ursprungsort eine Lcke Loch

An der Stelle des Lochs verbleibt eine positive berschussladung des Atomkerns
Das Loch trgt eine positive Ladung


Abbildung 1-6
Paarbildung








Lcherwanderung
Ein Elektron aus einer benachbarten Das ursprngliche Loch verschwindet
Elektronenpaarbindung kann an die Ein neues Loch entsteht in der
Stelle des Loches wechseln Nachbarschaft
Dieser Vorgang wiederholt sich Das Loch wandert
Das Loch entspricht einem
beweglichen positiven Ladungstrger
Ladungstrgerkonzentration
Bei der Ladungstrger-Generation - ein bewegliches Elektron und
entsteht immer ein Ladungstrgerpaar - ein Loch
Der Vorgang nennt sich Paarbildung
Die Konzentration positiver
und negativer Ladungstrger n
0
=p
0
(=Anzahl der Ladungstrger
pro Volumeneinheit) ist n
0
=Konzentration der negativen Ladungstrger
bei Eigenleitung gleich. P
0
=Konzentration der positiven Ladungstrger
4 +
4 +
4 + 4 + 4 +
4 +
4 +
4 +
4 +
Loch
freies
Elektron
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1.3.1.2 Rekombination
Begegnen sich ein freies Elektron
und ein Loch, so wird das Elektron Das Loch verschwindet
eingefangen und ergnzt die Das Elektron ist nicht mehr beweglich
defekte Elektronenpaarbindung Das Ladungstrgerpaar ist verschwunden
Dieser Vorgang nennt sich Rekombination

1.3.1.3 Gleichgewicht zwischen Paarbildung und Rekombination (Intrinsic-Dichte)
Pro Zeiteinheit werden genau so viele Ladungstrgerpaare gebildet wie durch Rekombination
wieder verschwinden.
Zwischen Paarbildung und Rekombination
stellt sich ein temperaturabhngiges
Gleichgewicht ein (Eigenleitungsdichte).
Die Gleichgewichtskonzentration (Ladungstrgerdichte) n
i
steigt annhernd exponentiell mit
der Temperatur.
Abbildung 1-7
Temperaturabhngigkeit der
Eigenleitungsdichte bei Silizium,
Germanium und Galliumarsenid








Im Vergleich zu den Metallen mit n 1 ... 210
22
cm
-3
(510
21
<n <510
22
) besitzt der reine
Halbleiterkristall eine sehr geringe Zahl freier Ladungstrger.
Beispiele: T =300 K
Silizium: n
i
1,5 10
10
cm
-3
1 Ladungstrgerpaar pro ca. 10
12
Atome
Germanium: n
i
2,5 10
13
cm
-3
1 Ladungstrgerpaar pro ca. 10
9
Atome

1.3.2 Strstellenleitung
Die Leitfhigkeit eines Halbleiters steigt stark an, wenn dem Kristall Fremdatome zugefgt
werden. (Zugeben von Fremdatomen = Dotieren)
Besonders geeignet sind 3-wertig: B, Al, In
3- bzw. 5-wertige Fremdatome 5-wertig: P, As, Sb

Gleichgewichtskonzentration
n
0
=p
0
=n
i
=f(T)
(n
i
=Intrinsic-Zahl / Intrinsic-Dichte)
300 400 500 600 200 T/K

10
6
10
8
10
10
10
12
10
14
n
i
/cm
-3
10
16
Si
Ge
GaAs
Einfhrung in die Physik der Halbleiter
8

1.3.2.1 Dotierung mit 5-wertigen Fremdatomen
Ein 5-wertiges Fremdatom wird wie ein Halbleiteratom mittels 4 Elektronenpaarbindungen in
den Kristall eingebaut. Das fnfte Valenzelektron des Fremdatoms wird nicht bentigt.

Abbildung 1-8
Dotierung mit
5-wertigem Fremdatom









Da das fnfte Valenzelektron nicht in
einer Elektronenpaarbindung festgehalten
wird, kann es leicht von seinem Rumpfatom freies Elektron
abgetrennt werden.
(erforderliche Energie: 10 meV bei Ge; 50 meV bei Si)


Abbildung 1-9
Ionisierung des
5-wertigen Fremdatoms
(n-Leitung)






Es bleibt eine ortsfeste, positive ortsfeste Raumladung;
berschussladung des Fremdatoms zurck steht nicht zum Ladungstransport
zur Verfgung
Da das 5-wertige Fremdatom ein Elektron abgibt, wird es Donator genannt
(lateinisch: donare =geben)

Bereits weit unterhalb Zimmertemperatur sind alle Donatoratome ionisiert.

Donatoratome tragen nur durch n - leitender Kristall
die abgegebenen Elektronen zur (n =negative Ladungstrger)
Leitfhigkeit bei.
4 +
4 +
4 +
4 +
4 +
4 +
4 +
4 +
5 +
+
4 +
4 +
4 +
4 +
4 +
4 +
4 +
4 +
5 +
freies
Elektron
positive
Raumladung
Einfhrung in die Physik der Halbleiter
9
1.3.2.2 Dotierung mit 3-wertigen Fremdatomen
Ein 3-wertiges Fremdatom wird wie ein Halbleiteratom mittels Elektronenpaarbindungen in
den Kristall eingebaut. Allerdings knnen wegen der 3 Valenzelektronen des Fremdatoms nur
3 Elektronenpaarbindungen gebildet werden. Die vierte Paarbindung kommt nicht zustande

Abbildung 1-10
Dotierung mit
3-wertigen
Fremdatomen





Da die Elektronenpaarbindungen innerhalb eines Kristalls gleichwertig sind, kann ein
Elektron aus einer Paarbindung eines Nachbaratoms zu dem Fremdatom wechseln und dort
die fehlende vierte Elektronenpaarbindung herstellen.
(erforderliche Energie: 10 meV bei Ge; 50 meV bei Si)

Am Ursprungsort des Elektrons entsteht ein Loch
(bewegliche positive Ladung)

Bei dem Fremdatom entsteht eine ortsfeste Raumladung;
ortsfeste, negative berschussladung steht nicht zum Ladungstransport
zur Verfgung

Abbildung 1-11 Ionisierung des 3-wertigen Fremdatoms (p-Leitung)











Da das 3-wertige Fremdatom ein Elektron aufnimmt, wird es Akzeptor genannt
(lateinisch: accipere =an sich nehmen)

Bereits weit unterhalb Zimmertemperatur sind alle Akzeptoratome ionisiert.

Akzeptoratome tragen nur durch p - leitender Kristall
die entstehenden Lcher zur Leitfhigkeit bei (p =positive Ladungstrger)
4+ 4+ 4+
4+ 4+
3+
4+
4+
4+
4+
4+ 4+ 4+
4+ 4+
3+
4+
4+
4+
4+
bewegliche positive
Ladung (Loch)
ortsfeste,
negative Ladung
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10
1.3.3 Ladungstrgerkonzentrationen im dotierten Halbleiter
1.3.3.1 Ladungstrger im thermodynamischen Gleichgewicht
Der homogen dotierte Halbleiter verhlt sich im thermodynamischen Gleichgewicht immer
elektrisch neutral, d.h. positive und negative Ladungen kompensieren sich; die
Gesamtkonzentration aller positiven Ladungen ist gleich der Gesamtkonzentration aller
negativen Ladungen (Neutralittsbedingung)
p
0
+N
D
+
=n
0
+N
A


(p
0
, n
0
=Konzentration von Lchern und freien Elektronen;
N
D
+
, N
A

=Konzentration der ionisierten Donator- und Akzeptoratome)


Darber hinaus gilt wie wir spter sehen werden im dotierten, ebenso wie im nicht
dotierten Halbleiter im thermodynamischen Gleichgewicht berall das
Massenwirkungsgesetz n
0
p
0
=n
i
2

Damit erhlt man fr die Konzentration freier Ladungstrger im thermodynamischen
Gleichgewicht folgende allgemein gltigen Beziehungen

+ + =
+ + 2
i
2
A D A D 0
n 4 ) N N ( N N
2
1
n

+ + =
+ + 2
i
2
D A D A 0
n 4 ) N N ( N N
2
1
p
Hierbei ist bercksichtigt, dass bei der Bauelemente-Herstellung Kristallbereiche hufig erst
n- und anschlieend p- (oder umgekehrt) dotiert werden (Mehrfachdotierung). Wird nur
einfach dotiert, so ist eine der Dotierungskonzentrationen N
D
bzw. N
A
gleich Null.
(3)

Der Strstellenleitung ist immer die Eigenleitung berlagert.
Die Strstellen werden bereits bei sehr niedrigen Temperaturen ionisiert. Davon ausgehend
whlt man fr Halbleiterbauelemente die Dotierungskonzentrationen wesentlich grer als
die im vorgesehenen Temperaturbereich auftretende Intrinsicdichte n
i
. Die Konzentration
freier Ladungstrger wird dann in dem interessierenden Temperaturintervall von der
Dotierung und nicht durch Eigenleitung bestimmt.
Abbildung 1-12 Temperaturabhngigkeit der Ladungstrgerkonzentration im dotierten
Halbleiter








(3)
Sofern nichts anderes angegeben ist, sind mit den in diesem Buch in der Folge angesprochenen
Dotierungskonzentrationen immer die Netto-Dotierungskonzentrationen gemeint. Z.B. steht N
D
bei
einem mehrfach dotierten n-Halbleiter mit N
D
>N
A
fr die Differenz N
D
N
A
der tatschlichen
Dotierungskonzentrationen.
ln n
T/K 200 600
n
ges
N
A
-

bzw. N
D
+

(ionisierte Strstellen)

n
i

(Eigenleitung)
Strstellen-
Reserve
Strstellen-
Erschpfung
Eigenleitung
dominiert
Einfhrung in die Physik der Halbleiter
11
Die Abbildung 1-12 zeigt qualitativ den Konzentrationsverlauf freier Ladungstrger aus
ionisierten Strstellen N
A
-
bzw. N
D
+
, die temperaturabhngige Intrinsicdichte n
i
, sowie die
Gesamtkonzentration n
ges
,

die sich aus der berlagerung der beiden ergibt.
Zu erkennen sind drei Temperaturbereiche:
1. ein Bereich sehr niedriger Temperaturen (z.B. T <200 K), in dem noch nicht alle
Strstellen ionisiert sind (Bereich der Strstellenreserve),
2. ein mittlerer Temperaturbereich (z.B. 200 K <T <500 K), in dem alle Strstellen
ionisiert sind und in dem die Intrinsicdichte geringer ist als die Dotierungskonzentration
(Bereich der Strstellenerschpfung), sowie
3. ein hoher Temperaturbereich (z.B. T >500 K), in dem die Konzentration der freien
Ladungstrger aus Eigenleitung die Dotierungskonzentration bersteigt (Bereich
dominierender Eigenleitung; intrinsischer Bereich).
Meist werden Halbleiter im Bereich der Strstellenerschpfung betrieben. Die Konzentration
freier Ladungstrger aus den Strstellen ist dann konstant und deutlich grer als die Ladungs-
trgerkonzentration aus Eigenleitung. Diese Bedingung ist bei Siliziumbauelementen bis zu
einer Betriebstemperatur von
j
=200 C gewhrleistet, wenn die Dotierungskonzentrationen
>>10
14
cm
-3
gewhlt werden (siehe hierzu Abbildung 1-7 und Abbildung 1-12). Mit vergleich-
baren Dotierungen knnen Germaniumbauelemente nur bis
j
=80 C betrieben werden
1.3.3.2 Majorittstrger und Minorittstrger
Die Konzentrationen von freien Elektronen und von Lchern sind im dotierten Halbleiter
nicht gleich.
Die Konzentration n
n0
der Elektronen im n-leitenden Material bzw.
die Konzentration p
p0
der Lcher im p-leitenden Material Majorittstrger
ist grer als (aus Dotierung)
die Konzentration p
n0
der Lcher im n-leitenden Material bzw.
die Konzentration n
p0
der Elektronen im p-leitenden Material Minorittstrger
(aus Eigenleitung)
1.3.3.3 Ladungstrgerkonzentrationen im n-leitenden Halbleiter
Einfachdotierung
Ein n-leitender Halbleiter liegt vor bei N
D
>>n
i

Majorittstrger-Konzentration
n
n0
N
D
+
N
D

Minorittstrger-Konzentration
Bei reiner Eigenleitung steht im Kristall jedem freien Elektron durchschnittlich genau ein
Loch zur Rekombination gegenber. Ein Gleichgewicht zwischen Paarbildung und
Rekombination stellt sich dabei ein bei n
0
=p
0
=n
i

Bei Strstellenleitung im n-leitenden Halbleiterkristall stehen den durch Paarbildung
entstandenen Lchern n
n0
N
D
>>n
i
Elektronen zur Rekombination gegenber. Fr ein
Loch ist daher die Wahrscheinlichkeit auf ein Elektron als Rekombinationspartner zu treffen
um den Faktor a =n
n0
/n
i
N
D
/n
i
grer als bei Eigenleitung.
Die Hufigkeit von Rekombinationen steigt damit um den Faktor a.
Einfhrung in die Physik der Halbleiter
12
Die Konzentration der Lcher im n-leitenden Halbleiter ist daher um den Faktor a kleiner
als bei reiner Eigenleitung.
Es gilt daher n
n0
=a n
i
N
D
p
n0
=n
i
/a n
n0
p
n0
=n
i
2

Daraus ergibt sich
p
n0
n
i
2
/ N
D

z.B. Silizium mit n
i
10
10
cm
-3
(T 300 K)
n
n0
N
D
=10
14
cm
-3
a =n
n0
/n
i
10
4
Elektronen / Loch
p
n0
=n
i
2
/ N
D
=10
6
cm
-3

Mehrfachdotierung
Ein n-leitender Halbleiter liegt vor bei N
D
>N
A
und (N
D
N
A
) >>n
i

Fr die Ladungstrgerkonzentrationen gilt:
n
n0
N
D
+
- N
A
-
N
D
- N
A
und p
n0
n
i
2
/(N
D
- N
A
)
1.3.3.4 Ladungstrgerkonzentrationen im p-leitenden Halbleiter
Durch hnliche berlegungen wie beim n-leitenden Halbleiter erhlt man:
Majorittstrger-Konzentration
p
p0
N
A
-
N
A
(Einfachdotierung mit N
A
>>n
i
)
p
p0
N
A
-
- N
D
+
N
A
- N
D
(Mehrfachdotierung mit (N
A
N
D
) >>n
i
)
Minorittstrger-Konzentration
n
p0
n
i
2
/N
A
(Einfachdotierung mit N
A
>>n
i
)
n
p0
n
i
2
/(N
A
N
D
) (Mehrfachdotierung mit (N
A
N
D
) >>n
i
)
1.3.4 Massenwirkungsgesetz
Sowohl fr eigenleitende wie auch fr dotierte Halbleiter gilt das
Massenwirkungsgesetz n
0
p
0
= n
i
2

Es besagt: Im thermodynamischen Gleichgewicht ist das Produkt der
Konzentrationen von freien Elektronen und von Lchern gleich dem
Quadrat der Gleichgewichtskonzentration bei Eigenleitung.
1.3.5 Leitfhigkeit des Halbleiters
Die Leitfhigkeit eines Halbleiterkristalls lsst sich mit Hilfe der Ladungstrgerkonzen-
trationen berechnen.
Mit
A
I
S= ,
dt
e dN
I

= ,
dt
dx
v= und dV dx A = ergibt sich fr
Ladungstrger der Konzentration
dV
dN
n= und der Beweglichkeit
E
v
=
die Leitfhigkeit: e n
dV dt
dt e dN
dV
dt I
dx A
dt I
v

A
I
E
S
=


=

=


= = =
Die Leitfhigkeit eines Halbleiters mit Elektronen- und Lcherleitung ergibt sich damit
zu: =e (n
n
+p
p
)
Einfhrung in die Physik der Halbleiter
13
N
M
L
K
Elektronen
-Schalen
Energie
Radius
Abbildung 1-13 Bnder-Schema
Wegen des komplizierten Bewegungsmechanismus ist die Beweglichkeit der Lcher geringer
als die der freien Elektronen.
Tabelle 3: Ladungstrger-Beweglichkeit in wichtigen Halbleitern bei T = 300 K
fr niedrige Dotierung (z.B. N
A;D
10
15
cm
-3
) in
Vs
cm
cm V
s cm
2
=


n

p
Si 1500 500
Ge 3900 1900
GaAs 8600 480
GaP 450 120
InSb 80000 200
InAs 23000 100
Bei hheren Dotierungen (insb. im Bereich 10
16
bis 10
18
cm
-3
) sinkt die Beweglichkeit
deutlich ab (z.B. bei Si annhernd um den Faktor 10 bei 10
19
cm
-3
). Fr die
Temperaturabhngigkeit gilt ~
2 / 3
T

.
1.3.6 Erklrung der Leitungsmechanismen im Halbleiter mit Energie-Modellen
1.3.6.1 Energie-Termschema - Energiebndermodell
Die Bahnradien der Elektronen sind ein
Ma fr die Energie der Elektronen.
Aus dem Schalenmodell der Elektronen-
bahnen lsst sich damit eine grafische Dar-
stellung der Elektronenenergie ableiten.
Ersetzt man die Kreisbgen der Elektro-
nenbahnen eines einzelnen Atoms durch
gerade Linien, so erhlt man das sog. Energie-
Term-Schema.
Bei Festkrpern / Kristallen aus vielen
Atomen verschmieren sich die vielen zu
denselben Elektronenschalen gehrenden
Einzellinien zu Bndern; man erhlt das sog.
Energie-Bnder-Schema.
Zwischen den einzelnen Energiebndern treten verbotene Zonen auf. Die entsprechenden
Energiebereiche knnen von Elektronen nicht eingenommen werden.
Am oberen Ende des Energie-Bnder-Schemas folgt auf das Energieband der uersten
Elektronenschale (Valenzband) ein Energiebereich, bei dem sich ein Elektron vollstndig von
seinem Atom lst und dann frei beweglich ist. Man nennt dieses Energieband das
Leitungsband (in Abbildung 1-13 nicht dargestellt).
Fr Reaktionen mit anderen Atomen oder fr elektrische Vorgnge sind nur die Valenz-
elektronen sowie freie Elektronen bzw. im Energiebndermodell nur das Valenzband und das
Leitungsband von Bedeutung.
Aus diesem Grunde werden blicherweise nur diese beiden Bnder und das
dazwischenliegende verbotene Band betrachtet und dargestellt.
Einfhrung in die Physik der Halbleiter
14
Die obere Grenze des Leitungsbandes bildet die Vakuumenergie W
vac
. Dies ist jenes
Energieniveau, bei dessen berschreiten Elektronen den Festkrper verlassen knnen. Fr
Vorgnge innerhalb eines homogenen Halbleiterkristalls ist die Vakuumenergie nicht relevant
und wird deshalb blicherweise nicht dargestellt.
1.3.6.2 Bndermodelle fr verschiedene Stoffe
(4)

Halbleiter (nicht dotiert)
Zwischen Valenz- und Leitungsband liegt ein verbotenes Band (Ausdehnung W
G
).
Verbotenes Band: W
G
=0,1 bis <2,5 eV
z.B. Ge: W
G
=0,67 eV
Si: W
G
=1,11 eV
T =0 K: Valenzband voll besetzt
Leitungsband unbesetzt
T >0 K: Durch Energiezufuhr W
G

berwinden einzelne Elektronen das
verbotene Band
Gleichgewichtskonzentrationen z.B. bei
T =300 K: Ge: n
i
2,3 10
13
cm
-3

Si: n
i
1,5 10
10
cm
-3


Die freien Elektronen besetzen Energieniveaus
im Leitungsband. Im Valenzband treten unbesetzte Energieniveaus auf (Lcher).
Nichtleiter (Isolatoren)
Das Bndermodell sieht ebenso aus, wie das eines Halbleiters. Im Gegensatz zu Halbleitern
besitzen sie jedoch einen greren Bandabstand
W
G
>3 eV z.B. Diamant W
G
=7 eV
SiO
2
W
G
=8,8 eV
T =0 K: keine Leitfhigkeit
T 300 K: keine Leitfhigkeit
Metalle
Valenzband und Leitungsband berlappen sich.
Kein unbesetztes (verbotenes) Band zwischen
Valenzband und Leitungsband.
bergang der Elektronen vom Valenzband ins
Leitungsband ohne Energiezufuhr mglich.
Sehr gute Leitfhigkeit bei 0 K (Supraleitung).
(Geringere Leitfhigkeit bei hheren
Temperaturen wegen Zusammensten der
Elektronen mit den thermisch schwingenden
Atomen).

(4)
In den Bndermodellen bedeuten W
C
=Energie-Niveau der Unterkante des Leitungsbandes
W
V
=Energie-Niveau der Oberkante des Valenzbandes
W
G
=W
C
W
V
=Bandabstand
Abbildung 1-14 Bndermodell eines
Halbleiters
W
C

W
V

Leitungsband
Valenzband
Verbotenes Band
W
G
W
Abbildung 1-15 Bndermodell von
Metallen
W
vac

W
C

W
V

Leitungsband
Valenzband
berlappung
W
Einfhrung in die Physik der Halbleiter
15
1.3.7 Energie-Verteilung der freien Elektronen und der Lcher
1.3.7.1 Zustandsdichte und Fermi-Dirac-Verteilung
Zustandsdichte
Die Anzahl besetzbarer Energie-Terme im
Valenzband und im Leitungsband ist begrenzt.
Die Dichte der verfgbaren Energie-Terme pro
Energieintervall dW wird Zustandsdichte
D(W) genannt. In der Nhe der Bandkanten
W
C
und W
V
gilt nherungsweise
W W ~ (W) D
V p


C n
W W ~ (W) D

Fermi-Dirac-Verteilung - Fermi-Niveau
Fr die Wahrscheinlichkeit P(W), dass ein
verfgbarer Energieterm tatschlich durch ein
Elektron besetzt ist, gilt die Fermi-Dirac-
Verteilung:

kT
W W
exp 1
1
P(W)
F

+
=

mit k =1,3810
-23
J K
-1
(Boltzmann-Konstante)
T =absolute Temperatur
W
F
=Fermi-Niveau (Fermi-Kante)

T =0 K: Alle Energie-Niveaus unterhalb W
F
sind von Elektronen besetzt, alle Niveaus
oberhalb W
F
sind unbesetzt (Sprungfunktion bei W
F
)
T >0 K: - bergang nicht mehr sprunghaft.
- Besetzungswahrscheinlichkeit bei W
F
gerade 50% (P(W
F
) =0,5)

Lage des Fermi-Niveaus

Abbildung 1-18 Fermi-Niveau beim reinen
Halbleiter


Beim reinen (nicht dotierten) Halbleiter
liegt das Fermi-Niveau etwa in der Mitte des
verbotenen Bandes.

W
C

W
V

Leitungsband
Valenzband
W
W
F

Abbildung 1-16 Zustandsdichte

W
C

W
D
n
(W)
W
V

D
p
(W)

Abbildung 1-17 Fermi-Dirac-Verteilung

W
F

W
0 K
500 K
300 K
P(W)
0 1 0,5
Einfhrung in die Physik der Halbleiter
16
1.3.7.2 Energie-Bndermodelle fr Eigenleitung
T =0 K: Nach der Fermi-Dirac-Verteilung sind nur Energiezustnde unterhalb der
Fermi-Kante mglich
Das Valenzband ist vollstndig mit Elektronen besetzt.
Das Leitungsband ist leer.
Es ist keine Stromleitung mglich.
T >0 K: Durch Energiezufuhr W
G
werden Elektronen vom Valenzband ins
Leitungsband angehoben, es entstehen
Paarbildung freie Elektronen im Leitungsband und
(bewegliche) Lcher im Valenzband.

Rekombination Ein Elektron aus dem Leitungsband fllt in ein Loch im Valenzband.
Das Elektron gibt Energie ab (Strahlung, Gitterschwingungen).
Die beweglichen Ladungstrger lschen sich gegenseitig aus.
Zwischen Paarbildung und Rekombination stellt sich ein temperaturabhngiges
Gleichgewicht ein.
Die Energieverteilung der Ladungstrgerkonzentrationen ergibt sich aus dem Produkt aus
Besetzungswahrscheinlichkeit (Fermi-Dirac-Verteilung) und Zustandsdichte.
n(W) =P(W) D
n
(W) (Energieverteilung der Elektronen im Leitungsband)
p(W) =[1 - P(W)] D
p
(W) (Energieverteilung der Lcher im Valenzband)
(mit n(W), p(W) =Ladungstrgerdichte pro Intervall dW)



Abbildung 1-19
Energie-Verteilung
der Ladungstrger
bei Eigenleitung





Integration ber das gesamte Leitungsband ergibt die Gesamtkonzentration freier Elektronen,
Integration ber das gesamte Valenzband die Gesamtkonzentration der Lcher,
z.B. dW (W) D (W) P dW n(W) n
n
vac
W
C
W
n
W
C
W
=

(=n
i
fr Eigenleitung)
W
C

W
V

W
W
F

D
n
(W)
D
p
(W)
n(W)
p(W)
W
W
F
Flche =n
i
W
P
n
(W)
0 1 0,5
Einfhrung in die Physik der Halbleiter
17
1.3.7.3 Energie-Bndermodelle fr Strstellenleitung
Dotierung des Halbleiters es treten Energie-Terme im verbotenen Band auf
mit Fremdatomen sog. Strterme

n-dotierter Halbleiter

Es treten Strterme der Donatoratome knapp
unterhalb der Leitbandkante auf
(Energie-Term (=Energie-Niveau) des nicht
zum Kristallaufbau bentigen 5. Elektrons)

W
D
=Energie-Niveau der Strterme

Zur Abtrennung des fnften Elektrons vom
Donatoratom reicht die geringe
Energiedifferenz W
D
zwischen Strterm und
Leitungsband-Unterkante

Si: W
D
=W
C
- W
D
=50 meV
Ge: W
D
=W
C
- W
D
=10 meV

Das Elektron wird dabei vom Donatorniveau W
D
ins Leitungsband angehoben und besetzt
ein dort vorhandenes Energieniveau.
Der Strterm ist dann nicht mehr von einem Elektron besetzt. Die Strstelle wird positiv
geladen (ortsfeste positive Ladung; kein bewegliches Loch)
Das Fermi-Niveau verschiebt sich in Richtung auf das Leitungsband und zwar um so mehr,
je hher die Konzentration N
D
+
ionisierter Donatoratome ist. Der Abstand des Ferminiveaus
von der Leitbandkante betrgt (in Ws):
W
C
W
F
=kTln(N
C
/N
D
+
) (Umrechnung in eV durch Division durch 1,610
-19
Ws/eV)
Dabei ist N
C
=2,8610
19
cm
-3
die effektive Zustandsdichte des Leitungsbandes.



Abbildung 1-21
Energie-Verteilung
der Ladungstrger
im n-Halbleiter



Abbildung 1-20 Bndermodell des
n-Halbleiters
W
C

W
V

Leitungsband
Valenzband
W
W
F

W
D

W
C

W
V

W
W
F

D
n
(W)
D
p
(W)
1
W
P
n
(W)
0 0,5
p(W)
n(W)
W
Einfhrung in die Physik der Halbleiter
18
p-dotierter Halbleiter
Es treten Strterme der Akzeptoratome knapp
oberhalb der Valenzbandkante auf
(Energie-Term des zum Kristallaufbau
bentigten aber fehlenden vierten Valenz-
Elektrons; zunchst unbesetzt)
W
A
=Energie-Niveau der Strterme
Zur Herstellung der fehlenden vierten
Elektronenpaarbindung des Akzeptoratoms
durch ein Valenz-Elektron aus einer
Paarbindung eines Nachbaratoms reicht die
geringe Energiedifferenz W
A


Si: W
A
=W
A
- W
V
=50 meV
Ge: W
A
=W
A
- W
V
=10 meV
Das Elektron wird aus dem Valenzband auf das Akzeptorniveau W
A
angehoben. Der
Strterm wird dabei von dem zugewanderten Elektron besetzt (ortsfeste negative Ladung).
Im Valenzband bleibt das unbesetzte Energieniveau des entstandenen Loches zurck.
Das Fermi-Niveau verschiebt sich in Richtung auf das Valenzband und zwar um so mehr, je
hher die Konzentration N
A
-
ionisierter Akzeptoratome ist. Mit N
V
=3,110
19
cm
-3

(=effektive Zustandsdichte des Valenzbandes) betrgt der Abstand des Ferminiveaus von der
Valenzbandkante (in Ws):
W
F
W
V
=kTln(N
V
/N
A
-
)


Abbildung 1-23
Energie-Verteilung
der Ladungstrger
beim p-Halbleiter





Vergleicht man Abbildung 1-19, Abbildung 1-21 und Abbildung 1-23, so ist zu erkennen, dass
die beweglichen Ladungstrger in allen Fllen vorzugsweise Energien in der Nhe der
Bandkanten einnehmen. Im Inneren der Bnder finden sich kaum bewegliche Ladungstrger.
Wie Sandkrnchen in einer Flssigkeit zum Boden absinken, so halten sich die freien
Elektronen vorzugsweise am unteren Ende des Leitungsbandes in der Nhe der Leitband-
kante W
C
auf. Wie Luftblschen in einer Flssigkeit zur Oberflche aufsteigen, so halten sich
die Lcher vorzugsweise am oberen Ende des Valenzbandes in der Nhe der Valenz-
bandkante W
V
auf.
Abbildung 1-22 Bndermodell des
p-Halbleiters
W
C

W
V

Leitungsband
Valenzband
W
W
F

W
A

W
C

W
V

W
W
F

D
n
(W)
D
p
(W)
P
n
(W)
W
0 1 0,5
W
p(W)
n(W)
Einfhrung in die Physik der Halbleiter
19
1.4 bungsaufgaben zur Physik der Halbleiter
Aufgabe 1-1: Ladungstrger
(a) Welche Ladungstrger knnen in Halbleitern an der Stromleitung beteiligt sein ?
(b) Was versteht man unter einem Loch ?
Aufgabe 1-2: Leitungsmechanismen
(a) Was versteht man unter Paarbildung ?
(b) Was versteht man unter Rekombination ?
(c) Was versteht man unter Dotieren ?
(d) Was versteht man unter n-Leitung ?
(e) Was versteht man unter p-Leitung ?
(f) Was versteht man unter Majorittstrgern und unter Minorittstrgern ?
(g) Was versteht man unter Strstellenerschpfung ?
Aufgabe 1-3: Massenwirkungsgesetz
(a) Wie lautet das Massenwirkungsgesetz ?
(b) Berechnen Sie die Minorittstrgerdichte bei einer Dotierung mit N
D
=1,110
16
cm
-3

und N
A
=10
15
cm
-3
fr einen Silizium- und fr einen Germanium-Kristall bei T =300 K.
Sind die Minorittstrger Elektronen oder Lcher ?
(c) Wiederhole die Berechnung nach (b) fr T =400 K ( 127 C).
(Beachte die Temperaturabhngigkeit von n
i
gem Abschnitt 1.3.1.3)
(d) Wie gross sind Elektronen und Lcherkonzentration bei N
A
=N
D
=10
16
cm
-3

und n
i
=1,510
10
cm
-3

Aufgabe 1-4: Energie-Bnder-Schema
(a) Was versteht man unter Valenzband, Leitungsband und verbotenem Band ?
(b) Was versteht man unter 1 eV (Elektronenvolt) ?
(c) Was versteht man unter Bandabstand ?
(d) Wieviel Energie ist mindestens erforderlich, um in einem Siliziumkristall eine Elektron
vom Valenzband ins Leitungsband anzuheben ? (Dieselbe Aufgabe fr Germanium)
(e) Was versteht man unter Strtermen ?
Wo liegen die Strterme beim n-dotierten und beim p-dotierten Halbleiter ?
(f) Welche Bedeutung hat das Fermi-Niveau ?
(g) Wo liegt das Fermi-Niveau beim reinen Halbleiter (keine Dotierung) ?
(h) In welche Richtung verschiebt sich das Fermi-Niveau beim n-dotierten Halbleiter und
beim p-dotierten Halbleiter ?
(i) Wo innerhalb des Leitungsbandes tritt die hchste Elektronendichte auf ?
(j) Wo innerhalb des Valenzbandes tritt die hchste Lcherdichte auf ?