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Introduccin a la Electrnica
Unin PP-N
El material semiconductor dopado con impurezas Aceptoras o Donantes no tiene mayores aplicaciones, salvo la implementacin de resistencias, fijas o dependientes de la temperatura (PTC, NTC). Las uniones de materiales semiconductores con distinto tipo de dopado forman lo que se conoce como junturas P-N. Sobre un mismo trozo de semiconductor, se efecta a travs de mscaras dopados del tipo N y tipo P en diferentes zonas, zonas estableciendo as una zona de contacto o unin entre ambos.
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Ejemplo: Si NA = 4x1016 [1/cm3] y ND = 2x1016 [1/cm3], obtenemos: V0 750mV A V0 se lo conoce como Barrera de Potencial o Potencial Interno.
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llegamos a: Que indica como es la concentracin de portadores minoritarios en funcin del potencial interno en equilibrio. p p para el lado N. Una ecuacin similar aplica
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A es el rea transversal del dispositivo y Ln, Lp se los denomina Longitud de difusin, que se encuentran en el orden de los 10m La corriente de saturacin tiene valores entre 10-15 y 10-17 [A] IS depende de la temperatura. Se duplica cada 10C En la l juntura j polarizada l i d de d manera directa di se establece bl una circulacin i l i de d corriente de un extremo a otro. En las zonas cercanas a la unin, la corriente est mayormente definida por los portadores minoritarios, mientras que en los extremos son los portadores mayoritarios los que conducen la corriente.
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Diodo
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Electrosttica
Ley de Gauss: = Densidad de carga elctrica [Coulomb] = Permitividad del medio [F/m] 0 = Permitividad del vaco: 8.85x10-12 [ [F/m] / ] SI = 11.7 0
Ecuacin de Poisson:
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Potenciales de contacto
Los potenciales de contacto o potenciales intrnsecos no pueden medirse externamente con un voltmetro.
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Efecto Zener
El efecto zener se origina en semiconductores altamente dopados, donde el gran campo g p elctrico presente p en la zona de vaciamiento hace q que los portadores puedan atravesar la barrera de potencial. Por el hecho de estar altamente dopado, el efecto zener se produce con valores bajos de tensin, de entre 2 y 5V Campo elctrico en la juntura: E = V/L En semiconductores muy dopados, dopados el ancho de la zona de vaciamiento es pequeo (L chico) y por ende el campo elctrico a ambos lados es grande.
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Efecto Avalancha
El efecto avalancha se presenta con campos elctricos ms intensos en semiconductores de bajo dopaje. Los portadores en movimiento debido a la corriente de saturacin IS son acelerados fuertemente al pasar por la zona de vaciamiento, provocando d colisiones con los tomos circundantes, d y produciendo tambin una nueva liberacin de electrones. Estos ltimos a su vez son acelerados, provocando nuevas colisiones y liberacin de electrones; y as sucesivamente. Este fenmeno se multiplica generando una avalancha d electrones. de l
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Caractersticas
La regin de zener se utiliza ampliamente para el diseo de fuentes de alimentacin, debido a lo abrupta que es su curva en esa zona. El efecto zener para altos dopajes tiene como caracterstica principal, presentar un coeficiente de temperatura negativo; es decir que la tensin de ruptura disminuye con el aumento de la p temperatura. El efecto avalancha tiene un coeficiente positivo; es decir que la tensin aumenta con la temperatura. En los diodos zener se presentan los dos principios de f ncionamiento En base al valor de tensin del mismo, funcionamiento. mismo prevalecer un efecto sobre el otro. Existen diodos zener cuya tensin se encuentra alrededor de 6V, y que presentan coeficiente de temperatura nulo. Son los preferidos f id para las l referencias f i de d tensin. i
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VD=VDD-RID
ID=Is eVD/VTh
Solucin grfica g
VD=VDD-RID ID=Is eVD/VTh
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Solucin iterativa
Si: VDD = 10V R= 100 Vth=25mV 25mV IS=10-15 A
1) ) Asumimos VD = 0.65V ID=(10-0.65)/100 = 93.5 mA 2) VD=Vth ln (ID/IS) = 0.8042V 3) Recalculamos ID ID=(10-0.8042)/100 = 91.95 mA 4) Recalculamos VD VD=0,8038V 5) .
/ Th ID=Is eVD/V
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VD<0
VD>0
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VD<0 VD>0
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Si acotamos el l error mximo i en 10%, el l mximo i d desvo permitido i id para la l tensin vd ser:
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Ejemplo j p 1
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Ejemplo j p 2
Hallar la variacin en vo para un corrimiento de VDD en un 10%. Analizar el agregado de RL
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Ejemplo j p 3
Cul de los 2 diodos conduce ?
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Capacidad p de Vaciamiento
El hecho de modificar la tensin aplicada externamente a la juntura pn, , redunda en modula el ancho total de la zona de vaciamiento. Esta variacin, una variacin de la carga y por ende puede asociarse a una capacidad. El valor que toma esta capacidad es:
Esta capacidad tiene mucha implicancia para tensiones inversas. En el caso de polarizacin directa se adopta un valor de VD/B = 0,5
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Capacidad p de Difusin
Las variaciones de VD provocan variaciones de carga en la zona de vaciamiento debido a los cambios en la concentracin de d portadores. d Una variacin de Q sobre un lado de la juntura est acompaada del mismo cambio y con signo contrario del otro lado, l d comportndose d como un capacitor
VA = VD
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Capacidad p de Difusin
Para mantener la neutralidad elctrica en la zona de vaciamiento: Expresin de la carga de portadores minoritarios que entran en juego ante variaciones de vd: La variacin de carga en la zona de vaciamiento est dada por ambas corrientes de portadores minoritarios. La capacidad asociada ser:
Resolviendo llegamos a:
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Modelo de Diodo de AF
Agregando las capacidades recin vistas, el modelo de pequea seal (AC) queda:
C Con polarizacin l i i di directa, l la Cj permanece constante, mientras i que l la Cd crece exponencialmente con VD. Generalmente domina la Cd por sobre la Cj.
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Ejemplo j p Zener
Calcular las variaciones en VO ante variaciones de V+ y RL.
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Rectificador
Rectificador de media onda
Rectificador
Rectificador de onda completa con punto medio
Valor medio:
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Rectificador
Rectificador puente
Valor medio:
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Rectificador
Rectificador media onda con capacitor de filtrado
Situacin ideal: Sin carga conectada al rectificador, el capacitor se cargar al valor pico de la tensin.
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Rectificador
Rectificador media onda con capacitor de filtrado
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Rectificador
Si consideramos que RC >> T Durante el intervalo de descarga de C, C tendremos: Sobre el final del intervalo de descarga: Usando la aproximacin Si Vr << Vp es vlido: Vr llegamos a:
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Rectificador
Intervalo de conduccin del diodo: Como t es chico, usamos la aproximacin: Para estimar la corriente media por el diodo, igualamos la carga Q en el capacitor durante el proceso de carga y descarga:
iDav I L IC I L D iDav I L
Vr
IL Cf
2I L I L 1 2V p / Vr 2Vr / V p
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Rectificador
Haciendo el mismo anlisis para el rectificador de onda completa, resulta:
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Limitadores
Circuitos empleados para limitar el valor de una seal, ya sea en un sentido o en ambos.
H d Hard
Soft
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Limitadores
Ejemplos de limitadores bsicos.
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Limitadores
Ejemplo:
vo = vt para -5V 5V vt +5V 5V vo = vt /2 2.5V para vt -5V vo = vt /2+ 2.5V para vt +5V
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Multiplicador p de tensin
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Cargador g de bateras
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Fuente regulada g
En base a la tensin VL necesaria, se especifica la tensin del diodo zener. VZ = VL.
VZ VZ RX RL Con RL mxima y RL mnima se debe calcular RX, de forma tal de mantener una corriente mnima por el zener, asegurando un buen punto de trabajo; y por otro lado mantener la disipacin de potencia por debajo del valor nominal nominal. iZ
S
Despreciando RZ :
VL
// RL vS RZ // RL RX
Z
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AND
OR
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Diodos Especiales p
Existe una serie de diodos con aplicaciones especficas: Varactores o Varicaps. Diodos de juntura metal-semiconductor Schottky. Diodos lumnicos LED ( (Light g Emitting g Diode). ) Fotodiodos. Optoacopladores
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Diodo Schottky y
Poseen una juntura Metal-Semiconductor, donde este ltimo se encuentra moderadamente dopado tipo N. p p por la p parte metlica, , mientras q que el ctodo lo El nodo est compuesto forma el semiconductor. La conduccin de corriente en la unin se logra mediante los portadores mayoritarios, en lugar de los minoritarios como en la juntura clsica. No adolece dole e del problema problem de almacenaje lm en je de cargas rg s en la l zona zon de la l unin nin como la juntura clsica; por ese motivo tiene una velocidad de operacin mayor y logra funcionar a altas frecuencias. La cada de tensin se encuentra tpicamente entre 0.2 y 0.4V, comparado con l 0.6 los 0 6 a 0.8V 0 8V en la l juntura j clsica. l i
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Diodos LED
Semiconductores Directos e Indirectos Est relacionado con la coincidencia o no de los valores mnimo y g de la banda de conduccin y valencia mximo de los niveles energticos respectivamente. El Si es un material indirecto, por lo cual las propiedades fotoelctricas no son buenas GaAs G As y m materiales teri les similares simil res s lo son
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Relacin FotnFotn-Gap
La energa de un fotn viene dada por:
h = Cte Planck = 6.626x10-34 [J.s]
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Diodos LED
Parte de los portadores en la zona de vaciamiento en la juntura P-N se recombinan perdiendo energa durante ese proceso. , la recombinacin resulta mayormente y en calor, , En materiales como el Si, mientras que en otros como el GAAS, la recombinacin produce emisin de fotones. La polarizacin de la juntura es directa para que se produzca el fenmeno de generacin y recombinacin. recombinacin Para que el flujo de fotones generados sea visible, es necesario que: 0.4m < < 0.7m Para esto, , la energa g en juego j g en el proceso p de recombinacin debe estar comprendida entre: 1.77eV < E < 3.1eV El GAAS tiene un Gap de 1.4eV, por lo cual no emite fotones visibles.
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Fotodiodos
Es un dispositivo con una unin P-N, sobre la que se permite el ingreso de luz. La absorcin de luz dentro del diodo permite liberar electrones en la banda de , pasando p a la banda de conduccin. valencia, Los fotodiodos funcionan polarizados en inversa, pues la tasa de generacin ptica de portadores modifica la corriente de fuga IS. En la zona de polarizacin directa funcionan como un diodo clsico.
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Fotodiodos
El lmite del mximo viene dado por la separacin (Gap) de las bandas de valencia y conduccin del Silicio en este caso:
GapSI = 1.12eV MAX = 1.1m
El lmite de MIN viene dado por dos r zones diferentes razones diferentes; por un n lado l do se supone para la traza de la curva una densidad de energa constante, por lo cual la tasa de fotones de alta frecuencia en menor. menor Por otro lado la penetracin de fotones de alta frecuencia en menor, por lo cual colisionan ms cerca de la superficie y se vuelven a recombinar.
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Optoacopladores p p
Se utilizan para proveer aislacin galvnica entre dos circuitos elctricos diferentes.
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Optoacopladores p p
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